CN108964628B - 体声波谐振器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括具有第一过孔和第二过孔的基板、下电极连接构件、下电极、压电层、上电极和与所述下电极连接构件分开的上电极连接构件。所述下电极、所述压电层和所述上电极构成谐振部。所述下电极连接构件将所述下电极电连接到所述第一过孔并支撑所述谐振部的第一边缘部。所述上电极连接构件将所述上电极电连接到所述第二过孔并支撑所述谐振部的第二边缘部。所述上电极连接构件和所述下电极连接构件中的任意一者或两者包括连接到设置在所述谐振部下方的所述第一过孔和所述第二过孔中的相应的一个的相应的延伸部。

Description

体声波谐振器
本申请要求于2017年5月18日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0061417号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本申请涉及一种体声波谐振器。
背景技术
随着对带宽需求的增加，电信公司不断地要求装置特性的高性能和稳定性以及在制造体声波谐振器和微机电***(MEMS)装置方面的小型化。
详细地，随着使用的带宽增加、不同的频带增多，需要逐渐地减小频带之间的带隙(band gap)。
此外，由于缺少频率资源，这样的现象导致带内间隙和带间间隙变窄，导致需要防止干扰。
为了改善这样的特性，需要抑制***损耗，显著地减小带间干扰，并防止出现带内切口(in-band notch)。
发明内容
提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板，包括第一过孔和第二过孔；下电极连接构件，设置在所述基板上；下电极，设置在所述下电极连接构件上；压电层，所述压电层的至少一部分设置在所述下电极上；上电极，所述上电极的至少一部分设置在所述压电层上；以及上电极连接构件，设置在所述基板上并与所述下电极连接构件分开，其中，所述下电极、所述压电层和所述上电极构成谐振部，所述下电极连接构件将所述下电极电连接到所述第一过孔并支撑所述谐振部的第一边缘部，所述上电极连接构件将所述上电极电连接到所述第二过孔并支撑所述谐振部的第二边缘部，所述第一过孔和所述第二过孔中的任意一者或两者设置在所述谐振部下方，并且所述下电极连接构件和所述上电极连接构件中的任意一者或两者包括连接到设置在所述谐振部下方的所述第一过孔和所述第二过孔中的相应的一个的相应的延伸部。
所述下电极连接构件可包括连接到所述第一过孔的延伸部，并且所述上电极连接构件可包括连接到所述第二过孔的延伸部。
所述第一过孔和所述第二过孔两者可设置在所述谐振部下方。
所述第一过孔和所述第二过孔中的一个可设置在所述谐振部下方，并且所述第一过孔和所述第二过孔中的剩余的一个可设置在所述谐振部下方的区域的外侧。
所述上电极连接构件可包括：上电极连接支撑部，连接到所述上电极并支撑所述谐振部的所述第二边缘部；以及延伸部，从所述上电极连接支撑部平行于所述基板的上表面延伸，并连接到所述第二过孔。
所述下电极连接构件可包括：下电极连接支撑部，连接到所述下电极，并支撑所述谐振部的所述第一边缘部；以及延伸部，从所述下电极连接支撑部平行于所述基板的上表面延伸，并连接到所述第一过孔。
所述下电极连接构件、所述上电极连接构件和所述谐振部可形成腔；并且，所述谐振部还可包括覆盖所述腔的膜层。
所述上电极可包括将所述上电极电连接到所述上电极连接构件的连接部。
所述上电极连接构件可包括：上电极连接支撑部，支撑所述谐振部的所述第二边缘部；柱状部，从所述上电极连接支撑部的边缘部向上延伸；板状部，从所述柱状部的端部平行于所述基板的上表面延伸；以及连接部，设置在所述上电极的上表面上，并连接到所述板状部。
所述上电极连接支撑部的部分可设置在所述谐振部下方的区域的外侧，并且所述柱状部可设置在所述上电极连接支撑部的设置于所述谐振部下方的区域的外侧的所述部分的边缘部上。
在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板，包括第一过孔、第二过孔和第三过孔；第一下电极连接构件，设置在所述基板上，并连接到所述第一过孔；上电极连接构件，设置在所述基板上，并与所述第一下电极连接构件分开，并且连接到所述第三过孔；第二下电极连接构件，设置在所述基板上，并与所述第一下电极连接构件和所述上电极连接构件分开，并且连接到所述第二过孔；第一谐振部，电连接到所述第一下电极连接构件和所述上电极连接构件，并具有被所述第一下电极连接构件和所述上电极连接构件支撑的下表面；以及第二谐振部，电连接到所述第二下电极连接构件和所述上电极连接构件，并具有被所述第二下电极连接构件和所述上电极连接构件支撑的下表面，其中，所述第一下电极连接构件、所述第二下电极连接构件和所述上电极连接构件中的任意一个或任意两个的任意组合或全部可包括连接到所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔中的相应的一个的相应的延伸部，并且所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔中的任意一个或任意两个的任意组合或全部设置在所述第一谐振部和所述第二谐振部中的任意一者或者两者下方。
所述第一下电极连接构件可包括：第一下电极连接支撑部，支撑所述第一谐振部的所述下表面；以及延伸部，从所述第一下电极连接支撑部平行于所述基板的上表面延伸，并连接到所述第一过孔。
所述第二下电极连接构件可包括：第二下电极连接支撑部，支撑所述第二谐振部的所述下表面；以及延伸部，从所述第二下电极连接支撑部平行于所述基板的上表面延伸，并连接到所述第二过孔。
所述上电极连接构件可呈柱状。
所述第一谐振部可包括：第一下电极，连接到所述第一下电极连接构件；第一压电层，所述第一压电层的至少一部分设置在所述第一下电极的上表面上；以及第一上电极，所述第一上电极的至少一部分设置在所述第一压电层的上表面上，所述第一上电极连接到所述上电极连接构件；并且所述第二谐振部包括：第二下电极，连接到所述第二下电极连接构件；第二压电层，所述第二压电层的至少一部分设置在所述第二下电极的上表面上；以及第二上电极，所述第二上电极的至少一部分设置在所述第二压电层的上表面上，所述第二上电极连接到所述上电极连接构件。
所述第一谐振部还可包括第一膜层，所述第一膜层具有被所述第一下电极连接构件和所述上电极连接构件支撑的边缘部，并且所述第二谐振部还可包括第二膜层，所述第二膜层具有被所述第二下电极连接构件和所述上电极连接构件支撑的边缘部。
在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；下电极连接构件，设置在所述基板上；上电极连接构件，设置在所述基板上，并与所述下电极连接构件分开；谐振部，具有被所述下电极连接构件支撑的第一端和被所述上电极连接构件支撑的第二端，所述谐振部包括连接到所述下电极连接构件的下电极、连接到所述上电极连接构件的上电极以及设置在所述下电极和所述上电极之间的压电层；其中，所述下电极连接构件和所述上电极连接构件中的任意一者或两者包括：电极支撑部，设置在所述基板上，并支撑所述谐振部的一端；以及延伸部，设置在所述基板上，并连接到所述电极支撑部，所述延伸部的高度小于所述电极支撑部的高度并且不接触所述谐振部。
所述基板可包括第一过孔和第二过孔；所述下电极连接构件可包括：下电极支撑部，设置在所述基板上，支撑所述谐振部的所述第一端，并连接到所述下电极；以及第一延伸部，设置在所述基板上，并连接到所述第一过孔和所述下电极支撑部，所述第一延伸部的高度小于所述下电极支撑部的高度并且不接触所述谐振部；所述上电极连接构件可包括：上电极支撑部，设置在所述基板上，支撑所述谐振部的所述第二端，并且连接到所述上电极；以及第二延伸部，设置在所述基板上，并连接到所述第二过孔和所述上电极支撑部，所述第二延伸部的高度小于所述上电极支撑部的高度并且不接触所述谐振部；并且所述第一延伸部和所述第二延伸部中的任意一者或两者可设置在所述谐振部下方。
所述第一延伸部和所述第二延伸部两者可设置在所述谐振部下方。
所述第一延伸部和所述第二延伸部中的一个可设置在所述谐振部下方，所述第一延伸部和所述第二延伸部的剩余一个不设置在所述谐振部下方。
通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将显而易见。
附图说明
图1示出了体声波谐振器的示例的示意性构造。
图2示出了体声波谐振器的另一示例的示意性构造。
图3示出了体声波谐振器的另一示例的示意性构造。
图4示出了体声波谐振器的另一示例的示意性构造。
在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或***的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或***的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容后做出显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或***的多种可行方式中的一些可行方式。
为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在包含除了附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上方”的元件将随后被描述为相对于另一元件位于“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其他的方式被定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并对在此使用的空间相对术语做出相应的解释。
图1示出了体声波谐振器的示例的示意性构造。
参照图1，体声波谐振器100包括基板110、下电极连接构件120、膜层130、谐振部140和上电极连接构件180。
基板110可以是硅积聚的基板。例如，硅晶圆可用作基板110。基板保护层(未示出)可设置在基板110上。
导通孔114形成在基板110中。过孔112在导通孔114中形成在谐振部140下方。过孔112包括连接到下电极连接构件120的第一过孔112a和连接到上电极连接构件180的第二过孔112b。第一过孔112a和第二过孔112b设置在谐振部140下方。
当基板110安装在主基板(未示出)上时，焊球形成在第一过孔112a和第二过孔112b中以将基板110安装在主基板上。在图1的示例中，过孔112包括两个过孔，但过孔112的数量不限于此。例如，过孔112可包括三个或更多个过孔。
下电极连接构件120设置在基板110上并支撑谐振部140的边缘部。下电极连接构件120电连接到谐振部140的下电极150，并电连接到第一过孔112a。因此，下电极150和第一过孔112a通过下电极连接构件120彼此电连接。
下电极连接构件120包括：下电极连接支撑部122，支撑谐振部140的边缘部，并连接到下电极150；以及延伸部124，从下电极连接支撑部122平行于基板110的上表面延伸，并连接到第一过孔112a。此外，延伸部124的高度可小于下电极连接支撑部122的高度并且不接触谐振部140。
由于下电极连接构件120包括如上所述的延伸部124，因此可通过下电极连接构件120改变电连接到谐振部140的下电极150的第一过孔112a的位置，从而增大可形成第一过孔112a的位置的自由度。
下电极连接构件120由例如诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料制成。
膜层130与下电极连接构件120和上电极连接构件180一起形成腔C。膜层130设置为使得其边缘部被下电极连接构件120和上电极连接构件180支撑。作为示例，膜层130可由与卤化物类蚀刻气体具有相对低的反应性的诸如氧化硅(SiO2)或氮化铝(AlN)的材料形成。
谐振部140设置在膜层130上并电连接到下电极连接构件120和上电极连接构件180。在图1的示例中，谐振部140包括下电极150、压电层160和上电极170。
下电极150设置在膜层130上并连接到下电极连接构件120。下电极150设置在腔C之上。作为示例，下电极150由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料制成或者由这些导电材料中的任意两种或更多种的合金制成，或由任何其他合适的导电材料制成。
压电层160设置在下电极150和膜层130上，并具有与膜层130的一侧共面的一侧。
作为示例，压电层160可通过在下电极150和膜层130上沉积氮化铝、掺杂的氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅形成。
如果压电层160由氮化铝(AlN)制成，则其还可包括稀土金属。例如，可使用钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合作为稀土金属。此外，由氮化铝(AlN)制成的压电层160还可包括过渡金属。例如，可使用锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合作为过渡金属。
上电极170设置在压电层160的上表面上。作为示例，上电极170以与下电极150相同的方式由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料制成或者由这些导电材料中的任意两种或更多种的合金制成，或由任意其他合适的导电材料制成。
上电极170设置在压电层160上以使上电极170设置在腔C之上。在图1的示例中，上电极170覆盖压电层160的整个上表面。然而，在另一示例中，上电极170仅覆盖压电层160的上表面的一部分以使压电层160的上表面的剩余部分暴露。上电极170的一部分覆盖压电层160的侧表面。在图1的示例中，上电极170包括覆盖压电层160的侧表面并将上电极170电连接到上电极连接构件180的连接部172。
上电极连接构件180设置在基板110上，并具有连接到上电极170的一端。上电极连接构件180和下电极连接构件120支撑谐振部140的边缘部。
在图1的示例中，腔C通过上电极连接构件180、下电极连接构件120和膜层130形成。
上电极连接构件180包括：上电极连接支撑部182，支撑谐振部140的边缘部，并连接到上电极170；以及延伸部184，从上电极连接支撑部182平行于基板110的上表面延伸，并连接到第二过孔112b。此外，延伸部184的高度可小于上电极连接支撑部182的高度并且不接触谐振部140。
由于上电极连接构件180包括如上所述的延伸部184，因此可通过上电极连接构件180改变电连接到谐振部140的上电极170的第二过孔112b的位置，从而增大可形成第二过孔112b的位置的自由度。
上电极连接构件180由例如诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料制成。
如上所述，通过具有延伸部124的下电极连接构件120和具有延伸部184的上电极连接构件180增大了可形成过孔112的位置的自由度。
因此，可减小体声波谐振器100所占据的面积。
图2示出了体声波谐振器的另一示例的示意性构造。
参照图2，体声波谐振器200包括基板210、下电极连接构件220、膜层230、谐振部240和上电极连接构件280。
基板210可以是硅积聚的基板。例如，硅晶圆可用作基板210。基板保护层(未示出)可设置在基板210上。
导通孔214形成在基板210中。过孔212形成在导通孔214中。过孔112中的一个设置在谐振部240下方，过孔212中的另一个设置在谐振部240下方的区域的外侧，以使另一过孔212不设置在谐振部240下方。过孔212包括连接到下电极连接构件220的第一过孔212a和连接到上电极连接构件280的第二过孔212b。
第一过孔212a设置在谐振部240下方的区域的外侧，以使第一过孔212a不设置在谐振部240下方，并且第二过孔212b设置在谐振部240下方。
此外，第二过孔212b设置在谐振部240的中央部分下方。
下电极连接构件220设置在基板210上并支撑谐振部240的边缘部。下电极连接构件220电连接到谐振部240的下电极250，并电连接到第一过孔212a。
在图2的示例中，下电极连接构件220包括：下电极连接支撑部222，支撑谐振部240的边缘部，并连接到下电极250；以及延伸部224，从下电极连接支撑部222平行于基板210的上表面延伸，并连接到过孔212。此外，延伸部224的高度可小于下电极连接支撑部222的高度并且不接触谐振部240。
在图2的示例中，延伸部224向外延伸远离谐振部240下方的区域，以使延伸部224设置在谐振部240下方的区域的外侧并且不设置在谐振部240下方，并连接到设置在谐振部240下方的区域的外侧的第一过孔212a。
由于下电极连接构件220包括如上所述的延伸部224，因此可通过下电极连接构件220改变电连接到谐振部240的下电极250的第一过孔212a的位置，从而增大可形成第一过孔212a的位置的自由度。
下电极连接构件220由例如诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料制成。
膜层230与下电极连接构件220和上电极连接构件280一起形成腔C。膜层230设置为使得其边缘部被下电极连接构件220和上电极连接构件280支撑。作为示例，膜层230可由与卤化物类蚀刻气体具有相对低的反应性的诸如氧化硅(SiO2)或氮化铝(AlN)的材料形成。
谐振部240设置在膜层230上并电连接到下电极连接构件220和上电极连接构件280。在图2的示例中，谐振部240包括下电极250、压电层260和上电极270。
下电极250设置在膜层230上并连接到下电极连接构件220。下电极250设置在腔C之上。作为示例，下电极250可由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料制成或者由这些导电材料中的任意两种或更多种的合金制成，或由任何其他合适的导电材料制成。
压电层260设置在下电极250和膜层230上，并具有与膜层230的一侧共面的一侧。
作为示例，压电层260可通过在下电极250和膜层230上沉积氮化铝、掺杂的氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅形成。
如果压电层260由氮化铝(AlN)制成，则其还可包括稀土金属。例如，可使用钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合作为稀土金属。此外，由氮化铝(AlN)制成的压电层260还可包括过渡金属。例如，可使用锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合作为过渡金属。
上电极270设置在压电层260的上表面上。作为示例，上电极270以与下电极250相同的方式由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料制成或者由这些导电材料中的任意两种或更多种的合金制成，由或任意其他合适的导电材料制成。
上电极270设置在压电层260上以使上电极270设置在腔C之上。在图2的示例中，上电极270覆盖压电层260的整个上表面。然而，在另一示例中，上电极270仅覆盖压电层260的上表面一部分以使压电层260的上表面的剩余部分暴露。上电极270的一部分覆盖压电层260的侧表面。在图2的示例中，上电极270包括覆盖压电层260的侧表面并将上电极270电连接到上电极连接构件280的连接部272。
上电极连接构件280设置在基板210上，并具有连接到上电极270的一端。上电极连接构件280和下电极连接构件220支撑谐振部240的边缘部。
在图2的示例中，腔C通过上电极连接构件280、下电极连接构件220和膜层230形成。
上电极连接构件280包括：上电极连接支撑部282，支撑谐振部240的边缘部，并连接到上电极270；以及延伸部284，从上电极连接支撑部282平行于基板210的上表面延伸，并连接到第二过孔212b。此外，延伸部284的高度可小于上电极连接支撑部282的高度并且不接触谐振部240。
由于上电极连接构件280包括如上所述的延伸部284，因此可通过上电极连接构件280改变电连接到谐振部240的上电极270的第二过孔212b的位置，从而增大可形成第二过孔212b的位置的自由度。
上电极连接构件280由例如诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料制成。
如上所述，通过具有延伸部224的下电极连接构件220和具有延伸部284的上电极连接构件280增大了可形成过孔212的位置的自由度。
因此，可减小体声波谐振器200所占据的面积。
图3示出了体声波谐振器的另一示例的示意性构造。
参照图3，体声波谐振器300包括基板110、下电极连接构件120、膜层130、谐振部140和上电极连接构件380。
基板110、下电极连接构件120、膜层130、谐振部140、下电极150、压电层160和上电极170与图1中示出的体声波谐振器100的示例的相应的元件类似，因此这里已经省略了对这些元件的详细描述，并参照以上结合图1的类似元件的描述。
上电极连接构件380设置在基板110上，并具有连接到上电极170的一端。上电极连接构件380和下电极连接构件120支撑谐振部140。
在图3的示例中，腔C通过上电极连接构件380、下电极连接构件120和膜层130形成。
上电极连接构件380包括：上电极连接支撑部382，支撑谐振部140的边缘部，所述边缘部比由图1中的上电极连接构件180支撑的谐振部140的边缘部宽；柱状部384，从上电极连接支撑部382的边缘部向上延伸；板状部386，从柱状部384的端部平行于基板110的上表面延伸；以及连接部388，设置在上电极170的上表面上并连接到板状部386。
上电极连接支撑部382的一部分设置在谐振部140下方的区域的外侧，并且柱状部384从上电极连接支撑部382的设置在谐振部140下方的区域的外侧的边缘部向上延伸。
在图3的示例中，连接部388设置在上电极170的上表面的边缘附近。连接部388可具有与谐振部140的形状对应的环形形状，例如无定形环形形状。
上电极连接构件380由例如诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料制成。
如以上结合图1和图3所述，通过具有延伸部124的下电极连接构件120和上电极连接构件380增大了可形成过孔112的位置的自由度。
图4示出了体声波谐振器的另一示例的示意性构造。
参照图4，体声波谐振器400包括基板410、第一下电极连接构件420、第二下电极连接构件430、第一谐振部440、第二谐振部490和上电极连接构件540。
基板410可以是硅积聚的基板。例如，硅晶圆可用作基板410。基板保护层(未示出)可设置在基板410上。
导通孔414形成在基板410中。过孔412形成在导通孔414中并连接到第一下电极连接构件420、第二下电极连接构件430和上电极连接构件540。过孔412包括：第一过孔421a，连接到第一下电极连接构件420；第二过孔412b，连接到第二下电极连接构件430；以及第三过孔412c，连接到上电极连接构件540。第一过孔412a和第二过孔412b分别设置在第一谐振部440和第二谐振部490下方。
当基板410安装在主基板(未示出)上时，焊球形成在第一过孔421a、第二过孔412b和第三过孔412c中以将基板410安装在主基板上。在图4中的示例中，过孔412包括三个过孔，但过孔412的数量不限于此。例如，过孔412可包括四个或更多个过孔。
第一下电极连接构件420设置在基板410上，并连接到第一过孔412a。第一下电极连接构件420包括：第一下电极连接支撑部422，支撑第一谐振部440的边缘部；以及延伸部424，从第一下电极连接支撑部422平行于基板410的上表面延伸，并连接到第一过孔412a。此外，延伸部424的高度可小于第一下电极连接支撑部422的高度并且不接触第一谐振部440。
由于第一下电极连接构件420包括如上所述的延伸部424，因此可改变电连接到第一谐振部440的下电极450的第一过孔412a的位置，从而增大可形成第一过孔412a的位置的自由度。
第一下电极连接构件420由例如诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料制成。
第二下电极连接构件430与第一下电极连接构件420和上电极连接构件540分开，并连接到第二过孔412b。第二下电极连接构件430包括：第二下电极连接支撑部432，支撑第二谐振部490的边缘部；以及延伸部434，从第二下电极连接支撑部432平行于基板410的上表面延伸，并连接到第二过孔412b。此外，延伸部434的高度可小于第二下电极连接支撑部432的高度并且不接触第二谐振部490。
由于第二下电极连接构件430包括如上所述的延伸部434，因此可改变电连接到第二谐振部490的下电极500的第二过孔412b的位置，从而增大可形成第二过孔412b的位置的自由度。
第二下电极连接构件430由例如诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料制成。
第一谐振部440电连接到第一下电极连接构件420和上电极连接构件540。第一下电极连接构件420和上电极连接构件540在第一谐振部440的边缘部处支撑第一谐振部440的下表面。
第一谐振部440包括第一下电极450、第一压电层460、第一上电极470和第一膜层480。
第一下电极450设置在第一膜层480上并连接到第一下电极连接构件420。第一下电极450设置在第一腔C1之上。作为示例，第一下电极450由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料制成或者由这些导电材料中的任意两种或更多种的合金制成，或由任何其他合适的导电材料制成。
第一压电层460设置在第一下电极450和第一膜层480上，并具有与膜层130的一侧共面的一侧。
作为示例，第一压电层460可通过在第一下电极450和第一膜层480上沉积氮化铝、掺杂的氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅形成。
如果第一压电层160由氮化铝(AlN)制成，则其还可包括稀土金属。例如，可使用钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合作为稀土金属。此外，由氮化铝(AlN)制成的第一压电层460还可包括过渡金属。例如，可使用锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合作为过渡金属。
第一上电极470设置在第一压电层460的上表面上。作为示例，第一上电极470以与第一下电极450相同的方式由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料制成或者由这些导电材料中的任意两种或更多种的合金制成，或由任何其他合适的导电材料制成。
第一上电极470设置在第一压电层460上以使第一上电极470设置在第一腔C1之上。在图4的示例中，第一上电极470覆盖第一压电层460的整个上表面。然而，在另一示例中，第一上电极470仅覆盖第一压电层460的上表面的一部分以使第一压电层460的上表面的剩余部分暴露。第一上电极470的一部分覆盖第一压电层460的侧部。在图4的示例中，第一上电极470包括覆盖第一压电层460的侧表面并将第一上电极470电连接到上电极连接构件540的第一连接部472。
第一膜层480与第一下电极连接构件420和上电极连接构件540一起形成第一腔C1。第一膜层480设置为使得其边缘部被第一下电极连接构件420和上电极连接构件540支撑。作为示例，第一膜层480可由与卤化物类蚀刻气体具有相对低的反应性的诸如氧化硅(SiO2)和氮化铝(AlN)的材料形成。
第二谐振部490电连接到第二下电极连接构件430和上电极连接构件540。第二下电极连接构件430和上电极连接构件540在第二谐振部490的边缘部处支撑第二谐振部490的下表面。
第二谐振部490包括第二下电极500、第二压电层510、第二上电极520和第二膜层530。
第二下电极500设置在第二膜层530上并连接到第二下电极连接构件430。第二下电极500设置在第二腔C2之上。作为示例，第二下电极500由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料制成或者由这些导电材料中的任意两种或更多种的合金制成，或由任何其他合适的导电材料制成。
第二压电层510设置在第二下电极500和第二膜层530上，并具有与第二膜层530的一侧共面的一侧。
作为示例，第二压电层510可通过在第二下电极500和第二膜层530上沉积氮化铝、掺杂的氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅形成。
如果第二压电层510由氮化铝(AlN)制成，则其还可包括稀土金属。例如，可使用钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合作为稀土金属。此外，由氮化铝(AlN)制成的第二压电层510还可包括过渡金属。例如，可使用锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合作为过渡金属。
第二上电极520设置在第二压电层510的上表面上。作为示例，第二上电极520以与第二下电极500相同的方式由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料制成或者由这些导电材料中的任意两种或更多种的合金制成，或由任何其他合适的导电材料制成。
第二上电极520设置在第二压电层510上以使第二上电极520设置在第二腔C2之上。在图4的示例中，第二上电极520覆盖第二压电层510的整个上表面。然而，在另一示例中，第二上电极520仅覆盖第二压电层510的上表面的一部分以使第二压电层510的上表面的剩余部分暴露。第二上电极520的一部分覆盖第二压电层510的侧部。在图4的示例中，第二上电极520包括覆盖第二压电层510的侧表面并将第二上电极520电连接到上电极连接构件540的第二连接部522。
第二膜层530与第二下电极连接构件430和上电极连接构件540一起形成第二腔C2。第二膜层530设置为使得其边缘部被第二下电极连接构件430和上电极连接构件540支撑。作为示例，第二膜层530可由与卤化物类蚀刻气体具有相对低的反应性的诸如氧化硅(SiO2)和氮化铝(AlN)的材料形成。
上电极连接构件540与第一下电极连接构件420和第二下电极连接构件430分开，并连接到第三过孔412c。上电极连接构件540设置在基板410上，并连接到第一上电极470和第二上电极520。此外，上电极连接构件540与第一下电极连接构件420和第二下电极连接构件430一起支撑第一谐振部440和第二谐振部490。在图4的示例中，上电极连接构件540呈柱状。
第一腔C1通过第一下电极连接构件420、上电极连接构件540和第一膜层480形成。第二腔C2通过第二下电极连接构件430、上电极连接构件540和第二膜层530形成。
作为示例，上电极连接构件540由例如诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料制成。
如上所述，通过分别具有延伸部424和延伸部434的第一下电极连接构件420和第二下电极连接构件430以及上电极连接构件540增大了可形成过孔412的位置的自由度。
换句话说，由于第一过孔412a和第二过孔412b可形成在基板410中以使第一过孔412a和第二过孔412b设置在第一谐振部440和第二谐振部490下方，因此可减小体声波谐振器400所占据的面积。
如上所述，在上述示例中，可增大可形成过孔的位置的自由度。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及他们的等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种变化。在此所描述的示例将仅被认为描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的***、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者他们的等同物进行替换或者补充描述的***、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及他们的等同物限定，并且在权利要求及他们的等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (20)

1.一种体声波谐振器，包括：
基板，包括第一过孔和第二过孔；
下电极连接构件，设置在所述基板上；
下电极，设置在所述下电极连接构件上；
压电层，所述压电层的至少一部分设置在所述下电极上；
上电极，所述上电极的至少一部分设置在所述压电层上；以及
上电极连接构件，设置在所述基板上并与所述下电极连接构件分开，
其中，所述下电极、所述压电层和所述上电极构成与所述基板间隔开的谐振部，
所述下电极连接构件将所述下电极电连接到所述第一过孔并支撑所述谐振部的第一边缘部，
所述上电极连接构件将所述上电极电连接到所述第二过孔并支撑所述谐振部的第二边缘部，
所述第一过孔和所述第二过孔中的任意一者或两者设置在所述谐振部下方，
所述下电极连接构件和所述上电极连接构件中的任意一者或两者包括连接到设置在所述谐振部下方的所述第一过孔和所述第二过孔中的相应的一个的相应的延伸部，并且
所述下电极连接构件、所述上电极连接构件和所述谐振部在所述基板上方形成腔。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述下电极连接构件包括连接到所述第一过孔的延伸部，并且
所述上电极连接构件包括连接到所述第二过孔的延伸部。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述第一过孔和所述第二过孔两者设置在所述谐振部下方。
4.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述第一过孔和所述第二过孔中的一个设置在所述谐振部下方，并且
所述第一过孔和所述第二过孔中的剩余的一个设置在所述谐振部下方的区域的外侧。
5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述上电极连接构件包括：
上电极连接支撑部，连接到所述上电极并支撑所述谐振部的所述第二边缘部；以及
延伸部，从所述上电极连接支撑部平行于所述基板的上表面延伸，并连接到所述第二过孔。
6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述下电极连接构件包括：
下电极连接支撑部，连接到所述下电极，并支撑所述谐振部的所述第一边缘部；以及
延伸部，从所述下电极连接支撑部平行于所述基板的上表面延伸，并连接到所述第一过孔。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振部还包括覆盖所述腔的膜层。
8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述上电极包括将所述上电极电连接到所述上电极连接构件的连接部。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述上电极连接构件包括：
上电极连接支撑部，支撑所述谐振部的所述第二边缘部；
柱状部，从所述上电极连接支撑部的边缘部向上延伸；
板状部，从所述柱状部的端部平行于所述基板的上表面延伸；以及
连接部，设置在所述上电极的上表面上，并连接到所述板状部。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其中，所述上电极连接支撑部的部分设置在所述谐振部下方的区域的外侧，并且
所述柱状部设置在所述上电极连接支撑部的设置于所述谐振部下方的区域的外侧的所述部分的边缘部上。
11.一种体声波谐振器，包括：
基板，包括第一过孔、第二过孔和第三过孔；
第一下电极连接构件，设置在所述基板上，并连接到所述第一过孔；
上电极连接构件，设置在所述基板上，并与所述第一下电极连接构件分开，并且连接到所述第三过孔；
第二下电极连接构件，设置在所述基板上，并与所述第一下电极连接构件和所述上电极连接构件分开，并且连接到所述第二过孔；
第一谐振部，与所述基板间隔开，电连接到所述第一下电极连接构件和所述上电极连接构件，并具有被所述第一下电极连接构件和所述上电极连接构件支撑的下表面；以及
第二谐振部，与所述基板间隔开，电连接到所述第二下电极连接构件和所述上电极连接构件，并具有被所述第二下电极连接构件和所述上电极连接构件支撑的下表面，
其中，所述第一下电极连接构件、所述第二下电极连接构件和所述上电极连接构件中的任意一个或任意两个的任意组合或全部包括连接到所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔中的相应的一个的相应的延伸部，
所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔中的任意一个或任意两个的任意组合或全部设置在所述第一谐振部和所述第二谐振部中的任意一者或者两者下方，
所述第一下电极连接构件、所述上电极连接构件和所述第一谐振部在所述基板上方形成第一腔，并且
所述第二下电极连接构件、所述上电极连接构件和所述第二谐振部在所述基板上方形成第二腔。
12.根据权利要求11所述的体声波谐振器，其中，所述第一下电极连接构件包括：
第一下电极连接支撑部，支撑所述第一谐振部的所述下表面；以及
延伸部，从所述第一下电极连接支撑部平行于所述基板的上表面延伸，并连接到所述第一过孔。
13.根据权利要求11所述的体声波谐振器，其中，所述第二下电极连接构件包括：
第二下电极连接支撑部，支撑所述第二谐振部的所述下表面；以及
延伸部，从所述第二下电极连接支撑部平行于所述基板的上表面延伸，并连接到所述第二过孔。
14.根据权利要求11所述的体声波谐振器，其中，所述上电极连接构件呈柱状。
15.根据权利要求11所述的体声波谐振器，其中，所述第一谐振部包括：
第一下电极，连接到所述第一下电极连接构件；
第一压电层，所述第一压电层的至少一部分设置在所述第一下电极的上表面上；以及
第一上电极，所述第一上电极的至少一部分设置在所述第一压电层的上表面上，所述第一上电极连接到所述上电极连接构件；并且
所述第二谐振部包括：
第二下电极，连接到所述第二下电极连接构件；
第二压电层，所述第二压电层的至少一部分设置在所述第二下电极的上表面上；以及
第二上电极，所述第二上电极的至少一部分设置在所述第二压电层的上表面上，所述第二上电极连接到所述上电极连接构件。
16.根据权利要求15所述的体声波谐振器，其中，所述第一谐振部还包括第一膜层，所述第一膜层具有被所述第一下电极连接构件和所述上电极连接构件支撑的边缘部，并且
所述第二谐振部还包括第二膜层，所述第二膜层具有被所述第二下电极连接构件和所述上电极连接构件支撑的边缘部。
17.一种体声波谐振器，包括：
基板；
下电极连接构件，设置在所述基板上；
上电极连接构件，设置在所述基板上，并与所述下电极连接构件分开；
谐振部，与所述基板间隔开并且具有被所述下电极连接构件支撑的第一端和被所述上电极连接构件支撑的第二端，所述谐振部包括连接到所述下电极连接构件的下电极、连接到所述上电极连接构件的上电极以及设置在所述下电极和所述上电极之间的压电层；
其中，所述下电极连接构件和所述上电极连接构件中的任意一者或两者包括：
电极支撑部，设置在所述基板上，并支撑所述谐振部的一端；以及
延伸部，设置在所述基板上，并连接到所述电极支撑部，所述延伸部的高度小于所述电极支撑部的高度并且不接触所述谐振部，
其中，所述下电极连接构件、所述上电极连接构件和所述谐振部在所述基板上方形成腔。
18.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述基板包括第一过孔和第二过孔；
所述下电极连接构件包括：
下电极支撑部，设置在所述基板上，支撑所述谐振部的所述第一端，并连接到所述下电极；以及
第一延伸部，设置在所述基板上，并连接到所述第一过孔和所述下电极支撑部，所述第一延伸部的高度小于所述下电极支撑部的高度并且不接触所述谐振部；
所述上电极连接构件包括：
上电极支撑部，设置在所述基板上，支撑所述谐振部的所述第二端，并且连接到所述上电极；以及
第二延伸部，设置在所述基板上，并连接到所述第二过孔和所述上电极支撑部，所述第二延伸部的高度小于所述上电极支撑部的高度并且不接触所述谐振部；并且
所述第一延伸部和所述第二延伸部中的任意一者或两者设置在所述谐振部下方。
19.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部两者设置在所述谐振部下方。
20.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的一个设置在所述谐振部下方，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的剩余一个不设置在所述谐振部下方。
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