CN110784190B - 声波滤波器装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种声波滤波器装置，所述声波滤波器装置包括谐振部、第一金属焊盘和第二金属焊盘。谐振部中的每个包括设置在基板上的下电极、设置在所述下电极的至少一部分上的压电层以及设置在所述压电层的至少一部分上的上电极。第一金属焊盘连接到所述谐振部中的相应的谐振部的所述上电极和所述下电极中的一个。第二金属焊盘设置在所述下电极、所述压电层和所述上电极重叠的有效区外部，并连接到所述谐振部中的相邻的谐振部的所述上电极和所述下电极中的另一个。设置在所述有效区外部的环形部仅设置在所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘中的任意一者的一部分上。

Description

声波滤波器装置
本申请要求于2018年7月24日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0085963号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种声波滤波器装置。
背景技术
由于智能手机数据用户的数量迅猛增长，导致移动通信装置的可用频率的市场需求趋于饱和，因此正在通过载波聚合、高频带的使用等来确保附加频率。因此，滤波器在分离不同频带之间的信号方面依然很重要。此外，滤波器自身已变得更小且更薄，以对各种频带进行滤波。
发明内容
提供本发明内容是为了以简化的形式介绍将在下面的具体实施方式中进一步被描述的选择的构思。本发明内容不旨在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种声波滤波器装置包括谐振部、第一金属焊盘和第二金属焊盘。谐振部中的每个均包括设置在基板上的下电极、设置在所述下电极的至少一部分上的压电层以及设置在所述压电层的至少一部分上的上电极。第一金属焊盘连接到所述谐振部中的相应的谐振部的所述上电极和所述下电极中的一个。第二金属焊盘设置在所述下电极、所述压电层和所述上电极重叠的有效区外部，并连接到所述谐振部中的相邻的谐振部的所述上电极和所述下电极中的另一个。设置在所述有效区外部的环形部仅设置在所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘中的任意一者的一部分上。
所述环形部可设置为围绕所述有效区的一部分。
所述第一金属焊盘可连接到所述下电极，所述第二金属焊盘连接到所述上电极，所述环形部可仅设置在所述第一金属焊盘的一部分中。
所述第二金属焊盘可连接所述相邻的谐振部的所述上电极。
连接到具有所述环形部的所述第一金属焊盘的相邻的谐振部之间的间隔可大于连接到不具有所述环形部的所述第一金属焊盘的相邻的谐振部之间的间隔。
与不具有所述环形部的所述第一金属焊盘相对设置的所述第二金属焊盘可具有从与具有所述环形部的所述第一金属焊盘相对设置的所述第二金属焊盘去除从所述环形部延伸的假想带形状的大小。
所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘可利用金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金中的任意一种形成。
所述谐振部还可包括膜层，在所述膜层和所述基板之间形成有腔。
所述谐振部还可包括钝化层，所述钝化层设置在形成有所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘的区域之外的区域中。
所述谐振部还可包括蚀刻防止部，所述蚀刻防止部设置在所述基板和所述下电极之间并围绕所述腔设置。
所述谐振部还可包括***层，所述***层设置在比所述压电层的一部分的位置低的位置。
所述上电极可包括设置在所述有效区的边缘处的框架部，并且所述环形部设置在所述框架部的外部。
在另一总体方面，一种声波滤波器装置包括谐振部、第一金属焊盘和第二金属焊盘。所述谐振部中的每个均包括设置在基板上的下电极、设置在所述下电极的至少一部分上的压电层以及设置在所述压电层的至少一部分上的上电极。对于每个所述谐振部，所述上电极和所述下电极中的一个连接到所述第一金属焊盘中的相应的一个。对于每个所述谐振部，所述上电极和所述下电极中的另一个连接到所述第二金属焊盘中的相应的一个。设置在所述下电极、所述压电层和所述上电极重叠的有效区外部的环形部仅设置在所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘中的任意一者的一部分上。
所述环形部可设置为围绕所述有效区的一部分。
所述第一金属焊盘可连接到所述下电极，所述第二金属焊盘连接到所述上电极，所述环形部可仅设置在所述第一金属焊盘的一部分中。
所述第二金属焊盘可连接相邻的谐振部的所述上电极。
所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘可利用金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金中的任意一种形成。
所述谐振部还可包括膜层，在所述膜层和所述基板之间形成有腔。
所述谐振部还可包括钝化层，所述钝化层设置在形成所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘的区域之外的区域中。
根据以下详细描述、附图和权利要求，其他特征和方面将是明显的。
附图说明
图1是示出声波滤波器装置的一部分的示例的平面图。
图2是沿着图1中的线X-X'截取的截面图。
图3是示出连接到具有环形部的第一金属焊盘的谐振部的示例的平面图。
图4是示出连接到不具有环形部的第一金属焊盘的谐振部的示例的平面图。
图5是示出图3中所示的谐振部的波形和图4中所示的谐振部的波形的曲线图。
图6是示出图3中所示的谐振部在谐振点处的性能和图4中所示的谐振部在谐振点处的性能的曲线图。
图7是示出图3中所示的谐振部在反谐振点处的性能和图4中所示的谐振部在反谐振点处的性能的曲线图。
图8是示出谐振部的示例的示意性截面图。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此所描述的方法、设备和/或***的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或***的各种改变、变型及等同物将是明显的。例如，在此所描述的操作的顺序仅仅是示例，其并不限于在此所阐述的示例，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将明显的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
在此所描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此所描述的示例。更确切地说，已经提供了在此所描述的示例仅用于示出在理解本申请的公开内容之后将明显的实现在此描述的方法、设备和/或***的诸多可行方式中的一些方式。
在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可以不存在介于它们之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项以及任意两项或更多项的任意组合。
虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上”、“在……之下”以及“下”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上”的元件随后将相对于另一元件位于“之下”或“下”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其他的方式(例如，旋转90度或处于其他方位)定位，并将对在此使用的空间相对术语做出相应地解释。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定的形状，而是包括制造期间发生的形状上的变化。
在此描述的示例的特征可按照在理解了本申请的公开内容之后将明显的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但在理解了本申请的公开内容后将明显的其他构造是可行的。
图1是示出声波滤波器装置的一部分的示例的平面图，且图2是沿着图1中的线X-X'截取的截面图。
参照图1和图2，本申请的声波滤波器装置100可包括基板120、谐振部200、第一金属焊盘140和第二金属焊盘160。
基板120可以是硅基板。例如，作为基板120，可使用硅晶圆和/或绝缘体上硅(SOI)式基板。
绝缘层122可形成在基板120的上表面上，并且可将基板120与在比基板的位置高的位置形成的电路电隔离。当在制造工艺期间形成腔C时，绝缘层122还可用于防止基板120被蚀刻气体蚀刻。
在本示例中，绝缘层122可通过化学气相沉积工艺、射频(RF)磁控溅射工艺和蒸镀工艺中的至少一种利用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合形成。
谐振部200可形成在基板120上。例如，谐振部200可包括膜层210、下电极220、压电层230、上电极240和钝化层250。
腔C可形成在膜层210和基板120之间。此外，膜层210可利用在去除牺牲层(未示出)时与蚀刻气体具有低反应性的材料形成。包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种的介电层可用作膜层210。
利用氮化铝(AlN)形成的种子层(未示出)可形成在膜层210上。例如，种子层可设置在膜层210和下电极220之间。除了氮化铝(AlN)之外，种子层可使用具有密排六方(HCP)晶体结构的电介质或金属形成。在示例中，当种子层是金属时，种子层可利用钛(Ti)形成。
下电极220可形成在膜层210上，并且其一部分可设置在腔C的上部上。此外，下电极220可用作用于输入和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极或输出电极。
下电极220可使用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成；然而，本公开不限于此，并且下电极220可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或它们的合金的导电材料形成。
压电层230可形成为覆盖下电极220的设置在腔C之上的位置的至少一部分。压电层230可以以压电的方式将电能转换为声波形式的机械能，并且可利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅或锆钛酸铅氧化物(PZT；PbZrTiO)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合形成。具体地，当压电层230利用氮化铝(AlN)形成时，压电层230可进一步包括稀土金属或过渡金属。在示例中，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。另外，作为实施例，过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种。还可包括镁(Mg)(镁(Mg)是二价金属)。
上电极240可形成为覆盖设置在腔C之上的压电层230的至少一部分。上电极240可用作用于输入和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极或输出电极。例如，当下电极220用作输入电极时，上电极240可用作输出电极，反之亦然。
上电极240可使用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成；然而，本公开不限于此，并且上电极240可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或它们的合金的导电材料形成。
钝化层250可形成在下电极220和上电极240之上的除了下电极220的其上形成第一金属焊盘140的部分和上电极240的其上形成第二金属焊盘160的部分之外的区域中。钝化层250可防止在制造工艺期间对上电极240和下电极220的损坏。
此外，根据期望的频率控制，在最终的工艺中可通过蚀刻部分地去除钝化层250。例如，可调节钝化层250的厚度。包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合的介电层可用作钝化层250。
声波滤波器装置100的有效区是指下电极220、压电层230和上电极240重叠的区域。
第一金属焊盘140可以设置成多个的形式。第一金属焊盘140可设置在有效区外部，并且可连接到下电极220。例如，第一金属焊盘140可连接到设置在相邻的谐振部200中的下电极220。然而，仅多个第一金属焊盘140的一部分可包括设置为围绕有效区的环形部或外周部142。换句话说，多个第一金属焊盘140的一部分或选定的一些第一金属焊盘140可分别具有设置为围绕有效区而不与第二金属焊盘160干涉的环形部142。多个第一金属焊盘140的未被选择的剩余部分可不具有环形部142。
不包括环形部142的第一金属焊盘140可形成为如连接环形部142的假想带的尺寸一般相对较小。例如，在第一金属焊盘140不包括环形部142的示例中，可从第一金属焊盘140去除使从第一金属焊盘140的两侧延伸的环形部142连接的假想带形状以及从第一金属焊盘140的两侧延伸的环形部142。稍后将进一步描述其详细描述。
例如，第一金属焊盘140可利用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)、铝合金等的材料形成。例如，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金。
第二金属焊盘160可以以多个的形式设置为多个第二金属焊盘160。第二金属焊盘160可设置在有效区的外部并且可连接到上电极240。例如，第二金属焊盘160可连接到设置在相邻的谐振部200中的上电极240。然而，多个第二金属焊盘160中的全部都不具有与第一金属焊盘140的环形部142相对应的构造。在多个第二金属焊盘160中，与具有环形部142的第一金属焊盘140相对地设置的第二金属焊盘160的长度可比与不具有环形部142的第一金属焊盘140相对地设置的第二金属焊盘160的长度更长。稍后将进一步描述其详细描述。
例如，第二金属焊盘160可利用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)、铝合金等的材料形成。例如，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金。
由于第二金属焊盘160不具有与环形部142对应的构造，因此可减小第二金属焊盘160的尺寸。因此，可降低电阻并因此提高电性能。
此外，上电极240包括设置在有效区的边缘处的框架部242，并且第一金属焊盘140的环形部142设置在框架部242的外部。
在下文中，将参照附图描述连接到具有环形部的第一金属焊盘的谐振部和连接到不具有环形部的第一金属焊盘的谐振部之间的性能差异。
图3是示出连接到具有环形部的第一金属焊盘的谐振部的示例的平面图，且图4是示出连接到不具有环形部的第一金属焊盘的谐振部的示例的平面图。
参照图3，第一金属焊盘140可包括环形部142，并且第二金属焊盘160可不包括与环形部142相对应的构造。作为示例，参考位置(设置在上部和下部的圆形焊盘的中心)之间的距离可以是402.7μm。
参照图4，第一金属焊盘140和第二金属焊盘160不包括环形部142。作为示例，参考位置(设置在上部和下部的圆形焊盘的中心)之间的距离可以是336.1μm。
参照以上，更详细的是，与包括环形部142的第一金属焊盘140的尺寸相比，不包括环形部142的第一金属焊盘140(如图4中所示)可形成得相对小。例如，在不具有环形部142的第一金属焊盘140的示例中(如图4中所示)，可从第一金属焊盘140去除使从第一金属焊盘140的两侧延伸的环形部142连接的假想带形状以及从第一金属焊盘140的两侧延伸的环形部142(如图3中所示)。因此，不具有环形部142的第一金属焊盘140(如图4中所示)的尺寸可形成为相对小于包括环形部142的第一金属焊盘140(如图3中所示)的尺寸。
与包括环形部142的第一金属焊盘140(如图3中所示)相对设置的第二金属焊盘160的尺寸可形成为大于与不具有环形部142的第一金属焊盘140(如图4中所示)相对设置的第二金属焊盘160的尺寸。
例如，可从与具有环形部142的第一金属焊盘140相对设置的第二金属焊盘160去除在与具有环形部142的第一金属焊盘140(如图3中所示)相对设置的第二金属焊盘160中从环形部142延伸的假想带形状，以形成图4中所示的第二金属焊盘160。
此外，本公开不限于此，第一金属焊盘140可连接到上电极240且第二金属焊盘160可连接到下电极220。此外，设置在有效区外部的环形部或外周部142还可形成为第二金属焊盘160的一部分而第一金属焊盘140不具有环形部142。
如图5中所示，图3中所示的谐振部的波形与图4中所示的谐振部的波形相似。
如图6中所示，图3中所示的谐振部在谐振点处的性能与图4中所示的谐振部在谐振点处的性能相似。例如，谐振频率内的波动可不明显地出现在0.15MHz内，并且在谐振点处的损耗可从-0.094dB略微降低到-0.107dB。
此外，如图7中所示，图3中所示的谐振部在反谐振点处的性能与图4中所示的谐振部在反谐振点处的性能基本上相同。例如，可看出，反谐振频率的波动可不明显地出现在0.05MHz内，并且反谐振点处的损耗可从-37.228dB略微降低到-37.235dB。
然而，如图4中所示，可看出，可实现布局上的约16％的面积减小。
以下，将参照附图描述谐振部的修改实施例。第一金属焊盘和第二金属焊盘由相同的参考标号表示，并且将省略其详细描述。
图8是示出谐振部的示例的示意性截面图。
参照图8，在一个示例中，谐振部300可包括牺牲层320、蚀刻防止部330、膜层340、下电极350、压电层360、上电极370、***层380和钝化层390。
牺牲层320可形成在基板310上的绝缘层312上，并且腔C和蚀刻防止部330可布置在牺牲层320的向内的方向上。可通过在制造工艺期间去除牺牲层320的一部分而形成腔C。如上所述，由于腔C形成在牺牲层320的向内的方向上，因此设置在牺牲层320之上的位置的下电极350等可形成为平坦的形状。
蚀刻防止部330可沿着腔C的边界设置。蚀刻防止部330可在形成腔C的工艺中防止蚀刻行进到超出腔的区域。
腔C可形成在膜层340和基板310之间。此外，膜层340可利用在去除牺牲层320时与蚀刻气体具有低反应性的材料形成。蚀刻防止部330可***到由膜层340形成的凹槽342中。包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合的介电层可用作膜层340。
利用氮化铝(AlN)形成的种子层(未示出)可形成在膜层340上。例如，种子层可设置在膜层340和下电极350之间。除了氮化铝(AlN)之外，种子层可使用具有HCP晶体结构的电介质或金属形成。作为实施例，当种子层是金属时，种子层可利用钛(Ti)形成。
下电极350可形成在膜层340上，并且其一部分可设置在腔C的上部上。此外，下电极350可用作用于输入和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极或输出电极。
下电极350可使用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成；然而，本公开不限于此，并且下电极350可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或它们的合金的导电材料形成。
压电层360可形成为覆盖下电极350的设置在腔C之上的位置的至少一部分。压电层360可以是产生用于将电能转换成声波形式的机械能的压电效应的部分，并且可利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅或锆钛酸铅氧化物(PZT；PbZrTiO)中的任意一种形成。具体地，当压电层360利用氮化铝(AlN)形成时，压电层360还可包括稀土金属或过渡金属。作为示例，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。此外，作为实施例，过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种。还可包括镁(Mg)(镁(Mg)是二价金属)。
压电层360可包括设置在平坦部分S中的压电部362以及设置在延伸部分E中的弯曲部364。
压电部362可以是直接堆叠在下电极350的上表面上的部分。因此，压电部362可设置在下电极350和上电极370之间，并且可与下电极350和上电极370一起形成为平坦的形状。
弯曲部364可被限定为从压电部362在向外的方向上延伸的部分，并且可位于延伸部分E中。
弯曲部364可设置在稍后将描述的***层380上，并且可形成为沿着***层380的形状升高的形状。压电层360可在压电部362和弯曲部364之间的边界处弯曲，并且弯曲部364可对应于***层380的厚度和形状而升高。
弯曲部364可分为倾斜部364a和延伸部364b。
倾斜部364a指的是形成为沿着稍后将进一步描述的***层380的倾斜表面L倾斜的部分。延伸部364b指的是从倾斜部364a在向外的方向上延伸的部分。
倾斜部364a可形成为平行于***层380的倾斜表面L，并且倾斜部364a的倾斜角度可形成为等于***层380的倾斜表面L的倾斜角度(图8中的θ)。
上电极370可形成为覆盖设置在腔C之上的位置的压电层360的至少一部分。上电极370可用作用于输入和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极或输出电极。例如，当下电极350用作输入电极时，上电极370可用作输出电极，并且当下电极350用作输出电极时，上电极370可用作输入电极。
上电极370可使用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成；然而，本公开不限于此，并且上电极370可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或它们的合金的导电材料形成。
***层380可设置在下电极350和压电层360之间。***层380可利用诸如二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)的电介质形成，但可利用与压电层360的材料不同的材料形成。此外，如果需要，设置有***层380的区域可形成为气穴(air pocket)。这可通过在制造工艺期间去除***层380来实现。
在本示例中，***层380的厚度可与下电极350的厚度相同或相似。***层380可形成为比压电层360薄，或者可形成为与压电层360相似。例如，***层380可形成为具有或者更大的厚度，并且可形成为比压电层360的厚度薄。本公开的构造可不限于此。
***层380可沿着由膜层340、下电极350和蚀刻防止部330形成的表面设置。
***层380可设置在平坦部分S周围，以支撑压电层360的弯曲部364。因此，压电层360的弯曲部364可根据***层380的形状分为倾斜部364a和延伸部364b。
***层380可设置在除平坦部分S之外的区域中。例如，***层380可设置在除平坦部分S之外的整个区域之上，或者可设置在除平坦部分S之外的局部区域中。
***层380的至少一部分可设置在压电层360和下电极350之间。
随着与平坦部分S的距离增加，沿着平坦部分S的边界设置的***层380的侧表面可以以较厚的形式形成。***层380的侧表面可由倾斜表面L形成，使得***层380的与平坦部分S相邻设置的侧表面具有恒定的倾斜角度θ。
为了制造***层380，当***层380的侧表面的倾斜角度θ小于5度时，***层380的厚度可变得非常薄或倾斜表面L的区域可能会过大，这会使***层380难以制造。
另外，当***层380的侧表面的倾斜角度θ形成为大于70度时，堆叠在***层380上的压电层360的倾斜部364a的倾斜角度可形成为大于70度。在这样的示例中，由于压电层360会过度弯曲，因此在压电层360的弯曲部中可能出现裂纹。
因此，在本示例中，倾斜表面L的倾斜角度θ可形成在大于等于5度且小于等于70度的范围内，例如，在5度到70度之间的范围内。
钝化层390可形成在下电极350和上电极370之上的除了下电极350的其上形成第一金属焊盘140的部分和上电极370的其上形成第二金属焊盘160的部分之外的区域中。钝化层390可防止在制造工艺期间对上电极370和下电极350的损坏。
此外，根据期望的频率控制，可通过蚀刻在最终的工艺中部分地去除钝化层390。例如，可调节钝化层390的厚度。包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种的介电层可用作钝化层390的示例。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解本申请的公开内容之后将明显的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此所描述的示例将仅被视为描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的***、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物替换或者补充描述的***、架构、装置或者电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不是由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (19)

1.一种声波滤波器装置，包括：
谐振部，每个所述谐振部包括设置在基板上的下电极、设置在所述下电极的至少一部分上的压电层以及设置在所述压电层的至少一部分上的上电极；
第一金属焊盘，连接到所述谐振部中的相应的第一谐振部的所述上电极和所述下电极中的一个；以及
第二金属焊盘，设置在所述下电极、所述压电层和所述上电极重叠的有效区外部，连接到第一谐振部的所述上电极和所述下电极中的另一个，并连接到所述谐振部中的与所述第一谐振部相邻的第二谐振部的所述上电极和所述下电极中的另一个，
其中，设置在所述有效区外部的环形部仅设置在所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘中的任意一者的一部分上，
其中，所述环形部仅设置在所述第一金属焊盘的一部分中，并且
其中，连接到具有所述环形部的第一金属焊盘的所述第一谐振部与连接到具有所述环形部的另一第一金属焊盘的第二谐振部之间的间隔大于连接到不具有所述环形部的第一金属焊盘的第一谐振部与不具有所述环形部的另一第一金属焊盘的第二谐振部之间的间隔。
2.根据权利要求1所述的声波滤波器装置，其中，所述环形部设置为围绕所述有效区的一部分。
3.根据权利要求1所述的声波滤波器装置，其中，所述第一金属焊盘连接到所述下电极，所述第二金属焊盘连接到所述上电极。
4.根据权利要求3所述的声波滤波器装置，其中，所述第二金属焊盘连接所述第二谐振部的所述上电极。
5.根据权利要求4所述的声波滤波器装置，其中，与包括环形部的第一金属焊盘相对设置的第二金属焊盘的长度大于与不具有环形部的第一金属焊盘相对设置的第二金属焊盘的长度。
6.根据权利要求4所述的声波滤波器装置，其中，与不具有所述环形部的所述第一金属焊盘相对设置的所述第二金属焊盘具有从与具有所述环形部的所述第一金属焊盘相对设置的所述第二金属焊盘去除从所述环形部延伸的假想带形状的尺寸。
7.根据权利要求1所述的声波滤波器装置，其中，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘利用金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金中的任意一种形成。
8.根据权利要求1所述的声波滤波器装置，其中，所述谐振部还包括膜层，在所述膜层和所述基板之间形成有腔。
9.根据权利要求8所述的声波滤波器装置，其中，所述谐振部还包括钝化层，所述钝化层设置在形成有所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘的区域之外的区域中。
10.根据权利要求8所述的声波滤波器装置，其中，所述谐振部还包括蚀刻防止部，所述蚀刻防止部设置在所述基板和所述下电极之间并围绕所述腔设置。
11.根据权利要求10所述的声波滤波器装置，其中，所述谐振部还包括***层，所述***层设置在比所述压电层的一部分的位置低的位置。
12.根据权利要求1所述的声波滤波器装置，其中，所述上电极包括设置在所述有效区的边缘处的框架部，并且
所述环形部设置在所述框架部的外部。
13.一种声波滤波器装置，包括：
谐振部，每个所述谐振部包括设置在基板上的下电极、设置在所述下电极的至少一部分上的压电层以及设置在所述压电层的至少一部分上的上电极；
第一金属焊盘，其中，对于每个所述谐振部，所述上电极和所述下电极中的一个连接到所述第一金属焊盘中的相应的一个；
第二金属焊盘，其中，对于每个所述谐振部，所述上电极和所述下电极中的另一个连接到所述第二金属焊盘中的相应的一个，
其中，设置在所述下电极、所述压电层和所述上电极重叠的有效区外部的外周部仅设置在所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘中的任意一者的一部分上，
其中，与包括外周部的第一金属焊盘相对设置的第二金属焊盘的长度大于与不具有外周部的第一金属焊盘相对设置的第二金属焊盘的长度。
14.根据权利要求13所述的声波滤波器装置，其中，所述外周部设置为围绕所述有效区的一部分。
15.根据权利要求13所述的声波滤波器装置，其中，所述第一金属焊盘连接到所述下电极，所述第二金属焊盘连接到所述上电极，以及
所述外周部部分地围绕所述第一金属焊盘。
16.根据权利要求15所述的声波滤波器装置，其中，所述第二金属焊盘连接相邻的谐振部的所述上电极。
17.根据权利要求13所述的声波滤波器装置，其中，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘利用金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金中的任意一种形成。
18.根据权利要求13所述的声波滤波器装置，其中，所述谐振部还包括膜层，在所述膜层和所述基板之间形成有腔。
19.根据权利要求18所述的声波滤波器装置，其中，所述谐振部还包括钝化层，所述钝化层设置在形成所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘的区域之外的区域中。
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