KR20180008242A - 탄성파 필터 장치 - Google Patents
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Abstract
기판과, 상기 기판 상에 형성되는 복수개의 공진부 및 상기 공진부의 전극을 상호 연결하는 전극 연결부를 포함하며, 상기 기판 상에 형성되며 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 상에 상기 전극연결부의 하부를 제외한 영역에 배치되도록 형성되며 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제2층을 더 포함하는 탄성파 필터 장치가 개시된다.
Description
본 발명은 탄성파 필터 장치에 관한 것이다.
오늘날 통신기술이 급속도로 발전함에 따라 그에 상응하는 신호처리기술과 고주파(RF) 부품 기술의 발전이 요구되고 있다.
특히, 무선 통신 기기의 소형화 추세에 따라 고주파 부품기술의 소형화가 적극적으로 요구되고 있으며, 고주파 부품 중 필터의 소형화는 반도체 박막 웨이퍼 제조기술을 이용하는 벌크 음향 공진기(BAW, Bulk Acoustic Wave) 형태의 필터 제조로 현실화되고 있다.
벌크 음향 공진기(BAW)란 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼 상에 압전 유전체 물질을 증착하여 그 압전특성을 이용함으로써 공진을 유발시키는 박막형태의 소자를 필터로 구현한 것이다. 또한, 벌크 음향 공진기의 이용분야로는 이동통신긱, 화학 및 바이오기기 등의 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등이 있다.
한편, 벌크 음향 공진기의 특성을 높이기 위한 여러 가지 구조적 형상 및 기능에 대한 연구가 이루어지고 있으며, 특성의 변화를 줄이고자 하는 구조 및 기술에 대한 개발이 필요한 실정이다.
삽입 손실(Insertion loss)을 저감시킬 수 있는 탄성파 필터 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치는 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 복수개의 공진부 및 상기 공진부의 전극을 상호 연결하는 전극 연결부를 포함하며, 상기 기판 상에 형성되며 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 상에 상기 전극연결부의 하부를 제외한 영역에 배치되도록 형성되며 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제2층을 더 포함할 수 있다.
삽입 손실(Insertion loss)을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 일부분을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 일부분을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 일부분을 나타내는 개략 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 기판(110), 기판(110) 상에 형성되는 복수개의 공진부(120), 공진부(120)의 상호 간을 전기적으로 연결하기 위한 전극 연결부(130)를 포함하여 구성될 수 있다.
즉, 탄성파 필터 장치(100)는 복수개의 공진부(120)가 구비되며, 각 공진부(120)는 전극 연결부(130)를 통해 연결되어 필터 특성을 구현하는 것이다.
여기서, 공진부(120)라 함은 후술할 압전체층(170)의 변형 시 압전체층(170)과 함께 변형되는 구성을 말한다.
한편, 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 제1층(140)을 더 포함할 수 있다. 제1층(140)은 기판(110) 및 에어갭(A) 상에 형성된다. 즉, 제1층(140)은 후술할 기판(110) 상에 형성되는 희생층(220)을 덮도록 기판(110) 및 희생층(220) 상에 형성된다. 이후, 희생층(220)이 제거되는 경우 제1층(140)의 하부에는 에어갭(A)이 형성되는 것이다.
일예로서, 제1층(140)은 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제1층(140)은 희생층(220)의 제거 공정 시 공진부(120) 하단부의 식각을 방지하는 역할도 수행한다.
나아가, 제2층(150)은 제1층(140) 상에 전극 연결부(130)의 하부를 제외한 영역에 배치되도록 형성되며, 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
일예로서, 제2층(150)은 제1층(140) 전체 영역에 형성된 후, 전극 연결부(130)가 형성될 제1층(140) 상의 일부 영역에서 제거될 수 있다. 이때, 제2층(150)은 패터닝에 의해 제거될 수 있다.
한편, 제2층(150)은 제1층(140)과 함께 공진부(120)에 의한 스트레스를 보상할 수 있으며, 공진부(120) 구조의 변형, 일예로서 에어갭(A)이 형성된 영역에서 제1층(140)과 기판(110)이 접합되거나, 공진부(120)와 공진부(120)의 인접 영역에서 뒤틀리는 현상을 저감시키는 역할을 수행한다.
나아가, 제2층(150)이 상기한 바와 같이, 전극 연결부(130)의 하부를 제외한 영역에 배치되므로, 공진부(120)의 외측 영역에서의 스트레스 불균형이 발생되는 것을 저감하여 공진부(120)가 뒤틀리는 현상을 방지할 수 있는 것이다.
기판(110)은 실리콘이 적층된 기판일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)가 기판으로 이용될 수 있다. 한편, 기판(110)의 상면에는 실리콘의 보호를 위한 보호층(미도시)이 형성될 수 있다. 즉, 상기한 희생층(220)의 제거 공정 시 기판(110)의 식각을 방지하기 위해서 기판(110)의 상면에는 보호층이 형성되는 것이다.
한편, 공진부(120)는 도 2에 보다 자세하게 도시된 바와 같이, 하부전극(160), 압전체층(170), 상부전극(180), 프레임층(190), 제3층(200) 및 금속패드(210)를 포함하여 구성될 수 있다.
하부전극(160)은 제2층(150) 상에 형성된다. 일예로서, 하부전극(160)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 하부전극(160)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 예를 들어, 하부전극(160)이 입력 전극인 경우 상부전극(180)은 출력 전극일 수 있으며, 하부전극(160)이 출력 전극인 경우 상부전극(180)은 입력 전극일 수 있다.
압전체층(170)은 하부전극(160)의 적어도 일부를 덮도록 형성된다. 그리고, 압전체층(170)은 하부전극(160) 또는 상부전극(180)으로부터 입력되는 전기적 신호를 탄성파(Acoustic wave)로 변환하는 역할을 수행한다.
일예로서, 상부전극(180)에 시간적으로 변화하는 전계가 유지되는 경우, 압전체층(170)은 상부전극(180)으로부터 입력되는 전기적 신호를 물리적 진동으로 변환할 수 있다. 그리고, 압전체층(170)은 변환된 물리적 진동을 탄성파로 변환할 수 있다. 이때, 시간적으로 변화하는 전계가 유기될 수 있다. 그러면, 압전체층(170)은 유기된 전계를 이용하여 배향된 압전체층(170) 내에서 두께 진동 방향과 동일한 방향으로 체적 탄성파(bulk acoustic wave)를 발생시킬 수 있다.
이처럼 압전체층(170)은 체적 탄성파를 발생시켜 전기적 신호를 탄성파로 변환할 수 있는 것이다.
이때, 압전체층(170)은 하부전극(160)의 상부에 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
상부전극(180)은 압전체층(170) 상에 형성되며, 일예로서 하부전극(160)과 같이 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 또한,상부전극(180)은 상기한 바와 같이 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다.
프레임층(190)은 상부전극(180) 상에 형성된다. 일예로서, 프레임(190)은 공진부(120)의 중앙부를 제외한 영역에 배치되도록 상부전극(180) 상에 형성될 수 있다. 한편, 프레임층(190)은 상부전극(180)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며 프레임층(190)은 상부전극(180)과 서로 다른 재질로 이루어질 수도 있을 것이다.
프레임층(190)은 공진 시 발생하는 측면판(Lateral Wave)를 활성 영역 내부로 반사시켜 공진 에너지를 활성 영역에 가두어 두는 역할을 수행한다.
한편, 본 실시예에서는 프레임층(190)이 상부전극(180)의 상부에 형성되는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 프레임층(190)이 먼저 압전체층(170) 상에 형성되고, 프레임층(190)을 덮도록 상부전극(180)이 형성될 수도 있다.
제3층(200)은 프레임층(190) 및 상부전극(180)을 덮도록 형성된다. 한편, 제3층(200)은 공정 중 프레임층(190) 및 상부전극(180)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 수행하며, 나아가 최종 공정에서 주파수 조절을 위해 식각에 의해 제3층(200)의 두께가 조절될 수 있다.
그리고, 도면에는 자세히 도시하지 않았으나 제3층(200)은 금속패드(210)가 형성되는 영역을 제외한 다른 모든 영역에 형성될 수도 있다.
금속패드(210)는 하부전극(160) 및 상부전극(180)에 전기적으로 연결되도록 형성된다.
상기한 바와 같이, 제2층(150)은 제1층(140)과 함께 공진부(120)에 의한 스트레스를 보상할 수 있으며, 공진부(120) 구조의 변형, 일예로서 에어갭(A)이 형성된 영역에서 제1층(140)과 기판(110)이 접합되거나, 공진부(120)와 공진부(120)의 인접 영역에서 뒤틀리는 현상을 저감시키는 역할을 수행할 수 있다.
나아가, 제2층(150)이 상기한 바와 같이, 전극 연결부(130)의 하부를 제외한 영역에 배치되므로, 공진부(120)의 외측 영역에서의 스트레스 불균형에 기인하여 공진부(120)가 뒤틀리는 현상을 방지할 수 있다.
다시 말해, 제2층(150)이 공진부(120)의 하부 영역에만 형성되는 경우와 비교하여 공진부(120)의 외측 영역에서의 스트레스 불균형에 기인한 공진부(120)의 뒤틀림 현상을 방지할 수 있다.
또한, 전극 연결부(130)에서 제2층(150)을 제거하여 삽입손실(Insertion loss)를 저감시킬 수 있다.
다시 말해, 전극 연결부(130)에서의 누설(Leakage) 특성을 개선하여 전체 필터 장치의 특성(IL 특성) 개선에 기여할 수 있으며, 전극 연결부(130)를 제외한 영역에서는 제1층(140)과 제2층(150)으로 이루어지는 복합 박막을 적용하여 스트레스(Stess) 변동으로 인한 이상 구조(Stiction) 발생을 제어할 수 있다.
결국, 누설(Leakage) 특성을 개선함과 동시에 공진부(120)에서의 안정적인 구조를 구현할 수 있는 것이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 희생층(220), 제1층(140) 및 제2층(150)이 순차적으로 형성한다. 한편, 제1층(140)은 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있으며, 제2층(150)은 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 패터닝(patterning)에 의해 제2층(150)의 일부분이 제거한다. 이때, 제2층(150)은 전극 연결부(130)가 형성될 영역에서 패터닝에 의해 제거한다.
다시 말해, 제2층(150)은 공진부(120, 도 1 참조) 및 전극 연결부(130)가 형성된 영역을 제외한 공진부(120)의 외부 영역에 존재하도록 패터닝에 의해 일부분만을 제거한다.
즉, 전극 연결부(130)를 제외한 영역에서는 제1층(140)과 제2층(150)으로 이루어지는 복합 박막을 적용하는 것이다.
이후, 도 5 도시된 바와 같이, 하부전극(160)을 형성한다. 하부전극(160)은 제2층(150) 상에 형성된다. 한편, 하부전극(160)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 압전체층(170) 및 상부전극(180)이 순차적으로 형성된다. 나아가, 압전체층(170)은 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있으며, 상부전극(180)은 상기한 하부전극(160)과 동일한 재질인 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이 프레임층(190)이 상부전극(180) 상에 형성된다.
이후, 상부전극(180)과 프레임층(190)의 일부분이 패터닝에 의해 도 8에 도시된 바와 같이 제거된다.
이후, 도 9에 도시된 바와 같이 압전체층(170)의 일부분이 패터닝에 의해 제거된 후, 제3층(200)이 형성된다. 이후, 제3층(200) 중 일부분이 패터닝에 의해 제거된다.
이후, 도 10에 도시된 바와 같이, 제3층(200)의 제거에 의해 하부전극(140)과 프레임층(190)이 노출된 부분에 금속패드(210)가 형성된다.
이후, 도 11에 도시된 바와 같이, 희생층(220)이 제거되어 에어갭(A)이 형성된다.
상기한 바와 같이, 제2층(150)의 형성 후 이후 전극 연결부(130)가 형성되는 영역에 배치되는 제2층(150)이 패터닝에 의해 제거된다.
이와 같이, 제2층(150)의 패터닝 공정만을 추가하여 복잡한 공정의 추가 없이 누설(Leakage) 특성을 개선함과 동시에 공진부(120)에서의 안정적인 구조를 구현할 수 있는 탄성파 필터 장치(100)를 제조할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치에 대하여 설명하기로 한다. 다만, 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 상기에서 사용한 도면부호를 사용하여 도면에 도시하고 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 1 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(300)는 일예로서, 기판(110), 기판(110) 상에 형성되는 복수개의 공진부(120), 공진부(120)의 상호 간을 전기적으로 연결하기 위한 전극 연결부(130)를 포함하여 구성될 수 있다.
즉, 탄성파 필터 장치(100)는 복수개의 공진부(120)가 구비되며, 각 공진부(120)는 전극 연결부(130)를 통해 연결되어 필터 특성을 구현하는 것이다.
한편, 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 제1층(140)을 더 포함할 수 있다. 제1층(140)은 기판(110) 및 에어갭(A) 상에 형성된다. 즉, 제1층(140)은 후술할 기판(110) 상에 형성되는 희생층(220)을 덮도록 기판(110) 및 희생층(220) 상에 형성된다. 이후, 희생층(220)이 제거되는 경우 제1층(140)의 하부에는 에어갭(A)이 형성되는 것이다.
일예로서, 제1층(140)은 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제1층(140)은 희생층(220)의 제거 공정 시 공진부(120) 하단부의 식각을 방지하는 역할도 수행한다.
나아가, 제2층(350)은 제1층(140) 상에 형성되며, 공진부(120)의 하부 영역에 배치되도록 형성될 수 있다. 즉, 제2층(350)은 공진부(120)의 외측 영역, 다시 말해, 전극 연결부(130)와 공진부(120)가 형성된 부분을 제외한 기판(110)의 나머지 영역에는 형성되지 않는다. 한편, 제2층(350)은 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
일예로서, 제2층(350)은 제1층(140) 전체 영역에 형성된 후, 공진부(120)가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역에서 제거될 수 있다. 이때, 제2층(350)은 패터닝에 의해 제거될 수 있다.
상기한 바와 같이, 제2층(350)이 공진부(120)에만 형성됨으로써 스트레스(Stress) 변동에 따른 이상 형상 발생을 방지할 수 있으며, 전극 연결부(130)에서 제2층(350)을 제거하여 삽입손실(Insertion loss)를 저감시킬 수 있다
다시 말해, 전극 연결부(130)에서의 누설(Leakage) 특성을 개선하여 전체 필터 장치의 특성(IL 특성) 개선에 기여할 수 있으며, 공진부(120) 영역에서는 제1층(140)과 제2층(350)으로 이루어지는 복합 박막을 적용하여 스트레스(Stess) 변동으로 인한 이상 구조(Stiction) 발생을 제어할 수 있다.
결국, 누설(Leakage) 특성을 개선함과 동시에 공진부(120)에서의 안정적인 구조를 구현할 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 300 : 탄성파 필터 장치
110 : 기판
120 : 공진부
130 : 전극 연결부
140 : 제1층
150, 350 : 제2층
160 : 하부전극
170 : 압전체층
180 : 상부전극
190 : 프레임층
200 : 제3층
210 : 금속패드
110 : 기판
120 : 공진부
130 : 전극 연결부
140 : 제1층
150, 350 : 제2층
160 : 하부전극
170 : 압전체층
180 : 상부전극
190 : 프레임층
200 : 제3층
210 : 금속패드
Claims (16)
- 기판;
상기 기판 상에 형성되는 복수개의 공진부;
상기 공진부의 전극을 상호 연결하는 전극 연결부;
를 포함하며,
상기 기판 상에 형성되며 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 상에 상기 전극연결부의 하부를 제외한 영역에 배치되도록 형성되며 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제2층을 더 포함하는 탄성파 필터 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 공진부의 하부에 배치되는 상기 제1층의 하부에는 에어갭이 형성되는 탄성파 필터 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 공진부는
상기 제2층 상에 형성되는 하부전극;
상기 하부전극의 적어도 일부를 덮도록 형성되는 압전체층;
상기 압전체층 상에 형성되는 상부전극;
을 구비하는 탄성파 필터 장치.
- 제3항에 있어서,
상기 상부전극 상에 형성되는 프레임층를 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
- 제4항에 있어서,
상기 프레임층과 상기 상부전극은 동일한 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
- 제4항에 있어서,
상기 프레임층 및 상기 상부전극을 덮도록 형성되는 제3층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
- 제4항에 있어서,
상기 상부전극과 상기 압전체층 사이에 배치되는 프레임층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
- 기판;
상기 기판 상에 형성되는 복수개의 공진부;
상기 공진부의 전극을 상호 연결하는 전극 연결부;
를 포함하며,
상기 기판 상에 형성되며 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 상에 형성되며 적어도 상기 전극 연결부의 하부에는 형성되지 않으며 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제2층을 더 포함하는 탄성파 필터 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 제2층은 상기 전극 연결부를 제외한 나머지 영역에 배치되도록 상기 제1층 상에 형성되는 탄성파 필터 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 제2층은 상기 공진부의 하부에만 배치되도록 제1층 상에 형성되는 탄성파 필터 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 공진부의 하부에 배치되는 상기 제1층의 하부에는 에어갭이 형성되는 탄성파 필터 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 공진부는
상기 제2층 상에 형성되는 하부전극;
상기 하부전극의 적어도 일부를 덮도록 형성되는 압전체층; 및
상기 압전체층 상에 형성되는 상부전극;
을 구비하는 탄성파 필터 장치.
- 제12항에 있어서,
상기 상부전극 상에 형성되는 프레임층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
- 제13항에 있어서,
상기 상부전극과 상기 프레임층은 동일한 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
- 제13항에 있어서,
상기 프레임층 및 상기 상부전극을 덮도록 형성되는 제3층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
- 제13항에 있어서,
상기 상부전극과 상기 압전체층 사이에 배치되는 프레임층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
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