CN108736856B - 体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。所述体声波谐振器包括：基板，包括腔槽；膜层，设置在所述基板的上方并包括凸起部。下电极的一部分设置在所述凸起部上。所述体声波谐振器还包括压电层和上电极，所述压电层被构造为使得所述压电层一部分设置在所述凸起部之上，所述上电极设置在所述压电层上。通过所述腔槽形成的第一空间以及通过所述凸起部形成的第二空间形成腔，所述腔槽设置在有效区域之下，所述凸起部包括设置在所述腔槽的外部的倾斜表面。

Description

体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法
本申请要求于2017年4月19日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0050608号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。
背景技术
通常，通过牺牲层的厚度来确定体声波谐振器中的可确保用于谐振的空间。
此外，随着牺牲层厚度进一步减小，谐振部和基板在制造过程期间会粘附的可能性高，增大了对结构和工艺设计的限制。
另一方面，随着牺牲层的厚度增大，谐振部和基板之间发生粘附的可能性会降低。然而，就制造工艺而言，无条件地增加牺牲层的厚度可能是不可行的。
例如，为了制造用于产生谐振的谐振结构，在牺牲层上沉积多个薄膜。为此，牺牲层通过斜蚀刻(slope etching)而倾斜。然而，随着牺牲层的厚度增大，牺牲层的倾斜表面的长度也增大，这导致整个滤波器装置以及相应的谐振器的尺寸增大。此外，随着牺牲层的厚度增大，由于谐振器之间的连接部分的长度的增大可容易导致特性劣化。
此外，由于增大牺牲层的厚度导致台阶的尺寸的增大以与后续工艺中增大的厚度对应，因此可能发生工艺精度方面的负面性能问题。
因此，需要开发可减少基板的粘附的发生并且还可解决由于牺牲层的厚度的增大而导致的问题的结构。
发明内容
提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
示例提供一种防止基板和膜层之间的粘附的体声波谐振器以及制造体声波谐振器的方法。
根据示例，提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板，包括腔槽；膜层，设置在所述基板之上并包括凸起部；下电极，所述下电极的一部分设置在所述凸起部上；压电层，被构造为使得所述压电层一部分可设置在所述凸起部之上；以及上电极，设置在所述压电层上，其中，通过所述腔槽形成的第一空间以及通过所述凸起部形成的第二空间形成腔，所述腔槽可设置在有效区域之下，所述凸起部可包括设置在所述腔槽的外部的倾斜表面。
所述腔槽可具有设置在所述有效区域的中央部分中的尺寸。
所述腔槽可被构造为具有与所述凸起部对应的尺寸。
所述凸起部可包括形成在所述凸起部周围的支撑层，以使所述下电极可设置在平坦的表面上。
所述支撑层可利用包括氮化硅(Si3N4)或氧化硅(SiO2)的材料形成，或者利用与卤化物类蚀刻气体具有相对低的反应性的材料形成。
所述体声波谐振器还可包括：金属焊盘，被构造为连接到所述下电极的一部分和所述上电极的一部分；以及钝化层，设置在除了所述上电极和所述下电极的可形成所述金属焊盘的区域之外的区域上。
所述上电极可设置有形成在所述上电极上的框架部，以使所述框架部可设置在所述有效区域的边缘处。
所述第一空间的体积可大于所述第二空间的体积。
所述有效区域可包括所述下电极、所述压电层和所述上电极层叠的区域。
根据示例，提供一种制造体声波谐振器的方法，所述方法包括：在基板中形成腔槽；在所述基板上形成基板保护层；在所述基板保护层上形成牺牲层部；通过去除所述牺牲层部的一部分形成牺牲层；形成膜层以覆盖所述牺牲层；在所述膜层上形成谐振部；以及通过去除所述牺牲层形成腔。
形成谐振部的所述步骤可包括：在所述膜层上形成下电极，以使所述下电极的一部分可设置在所述牺牲层之上；在所述牺牲层之上形成压电层，以覆盖所述下电极的一部分；在所述压电层上形成上电极；形成钝化层，以使所述下电极的一部分和所述上电极的一部分暴露；以及在所述上电极的暴露的所述部分上以及所述下电极的暴露的所述部分上形成金属焊盘。
形成牺牲层的所述步骤可包括：使所述牺牲层部的上表面平面化；以及去除所述牺牲层部的一部分，所述一部分不包括所述牺牲层部的保留为所述牺牲层的区域。
形成牺牲层的所述步骤可包括：使所述牺牲层部的上表面平面化；以及在所述牺牲层部中并且在所述牺牲层周围形成凹陷槽。
所述方法还可包括：在所述凹陷槽中形成支撑层。
形成腔的所述步骤可包括通过所述腔槽形成第一空间以及通过所述膜层的凸起部形成第二空间。
所述腔槽可具有设置在有效区域的中央部分中的尺寸。
所述腔槽可形成为具有与所述凸起部的尺寸对应的尺寸。
所述上电极可包括形成在所述上电极上的框架部，以使所述框架部可设置在有效区域的边缘处。
所述方法还可包括：在所述下电极、所述压电层和所述上电极层叠的区域中形成有效区域。
通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将显而易见。
附图说明
图1是根据第一示例的体声波谐振器的示意性截面图。
图2至图13是示出根据示例的制造体声波谐振器的方法的工艺图。
图14是根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。
图15至图23是示出根据示例的制造体声波谐振器的方法的工艺图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或***的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此描述的方法、设备和/或***的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，且不限于在此阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容后做出显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或***的多种可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任何一个和任何两个或更多个的任何组合。
虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中涉及到的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在包含除了附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”另一元件“之上”或“上方”的元件将随后被描述为“在”另一元件“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其他的方式被定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并对在此使用的空间相对术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可发生附图中示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定的形状，而是包括制造期间发生的形状上的变化。
图1是根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。
参照图1，根据第一示例的体声波谐振器100被构造为包括基板110、膜层120、下电极130、压电层140、上电极150、钝化层160以及金属焊盘170。
基板110是硅积聚的基板。例如，可使用硅晶圆作为基板。在基板110上设置或被提供有基板保护层112，以防止当形成腔C时对基板110的损坏。基板保护层112防止基板110在稍后将描述的去除牺牲层180(见图6至图13)的工艺期间被蚀刻。为了描述的目的，将使用术语“设置”来描述本说明书中描述的各种层和元件的形成和设置。
腔形成槽或者腔槽114形成在基板110中。腔槽114防止在稍后将描述的谐振部的谐振期间膜层120和基板110之间的粘附。
例如，通过形成为从基板110凹陷的腔槽114防止在谐振部的谐振期间膜层120和基板110之间的粘附。
腔槽114设置在有效区域S之下，以防止在谐振部振动时膜层120和基板110之间的粘附。
在这种情况下，有效区域S指的是下电极130、压电层140和上电极150的全部三层层叠的区域。谐振部指的是产生振动的区域，并指的是与有效区域S对应的区域。
此外，腔槽114形成为锥形。第一空间C1通过腔槽114而形成。如上所述，由于形成腔C的第一空间C1通过腔槽114形成，因此解决了由于牺牲层180(见图6至图13)的厚度的增大而导致发生的问题。例如，防止了牺牲层180的倾斜表面的长度由于牺牲层的厚度的增大而增大。
此外，腔槽114具有与上述有效区域S的尺寸对应的尺寸。作为示例，腔槽114对应于稍后将描述的凸起部122中央部分，但不限于此。例如，腔槽114可具有从与凸起部122的中央部分对应的尺寸变化到与凸起部122的尺寸对应的尺寸的尺寸。
膜层120形成在基板110上并具有凸起部122。凸起部122与基板110一起形成第二空间C2。腔C包括通过腔槽114形成的第一空间C1和通过凸起部122形成的第二空间C2。
此外，凸起部122的边缘形成为具有倾斜表面122a。
此外，膜层120在制造工艺中形成为覆盖牺牲层180，然后通过去除牺牲层180在膜层120之下形成第二空间C2。
膜层120利用与诸如氟(F)、氯(Cl)等的卤化物类蚀刻气体具有低的反应性的材料形成，以去除硅类牺牲层180。
在一个示例中，第一空间C1的体积形成为大于第二空间C2的体积。因此，谐振部稳定并同时地谐振，因此，防止了在谐振部的谐振期间膜层120和基板110之间的粘附。
在一个示例中，凸起部122的倾斜表面122a形成为设置在腔槽114的外部。
下电极130形成在膜层120上，并且下电极130的至少一部分在腔C之上。作为示例，下电极130使用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂等或它们的合金的导电材料形成。
下电极130用作接收诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极或输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输出电极。例如，当下电极130是输入电极时，上电极150是输出电极，当下电极130是输出电极时，上电极150是输入电极。
压电层140形成为覆盖下电极130的至少一部分。压电层140将通过下电极130或上电极150输入的信号转换为声波。例如，压电层140用于通过物理振动将电信号转换为声波。
例如，压电层140通过沉积氮化铝、掺杂氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅形成。
此外，当压电层140利用氮化铝(AlN)形成时，压电层140还包括稀土金属。例如，可使用钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种作为稀土金属。此外，当压电层140利用氮化铝(AlN)形成时，压电层140还包括过渡金属。例如，可使用锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的至少一种作为过渡金属。
上电极150可形成为覆盖压电层140，并可以以与下电极130类似的方式使用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)等或它们的合金的导电材料形成。
另一方面，框架部152设置在上电极150上。框架部152指的是上电极150的一部分，该一部分具有比上电极150的剩余部分的厚度大的厚度。框架部152以框架部设置在有效区域S的除了有效区域S的中央部分之外的区域(也就是说，在有效区域S的边缘处)中这样的方式设置在上电极150上。
框架部152用于将谐振期间产生的横向波反射到有效区域S的内部，因此，将谐振能限定在有效区域S中。换句话说，框架部152形成为设置在有效区域S的边缘处，以防止振动从有效区域S逃脱到外部。
钝化层160至少形成在压电层140和上电极150上。例如，钝化层160形成在除了下电极130和上电极150的其上形成有金属焊盘170的部分之外的区域中。
此外，钝化层160的厚度在最终的工艺中通过蚀刻来调整，以控制通过的频带。
金属焊盘170形成在下电极130和上电极150的其上没有形成钝化层160的部分上。作为示例，金属焊盘170利用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金等的材料形成。
如上所述，与现有的体声波谐振器相比，通过体积增大的腔C防止了基板110和膜层120之间的粘附。例如，随着腔C的体积通过形成在基板110中的腔槽114而增大，防止了膜层120粘附到基板110。换句话说，可防止基板110和膜层120之间的粘附。
此外，当腔C的体积增大时，解决了如上所述的在制造工艺中由于牺牲层180(见图6至图13)的厚度的增大而导致发生的问题。例如，随着腔C的体积增大，防止了牺牲层180的倾斜表面的长度由于牺牲层的厚度的增大而增大。
结果，减小了体声波谐振器100的尺寸的增大，因此，抑制了滤波器装置的整体尺寸的增大。此外，防止了由于体声波谐振器100之间的连接部分的长度的增大而导致发生特性劣化。
图2至图13是示出根据示例的制造体声波谐振器的方法的工艺图。
首先，如图2所示，在基板110的基部116中形成腔槽114。腔槽114作为基部166的上表面上的凹陷而形成在基部116上。腔槽114可形成为锥形。
此外，如图3所示，在基板110的基部116上形成基板保护层112。基板保护层112用于防止基板110在稍后将描述的去除牺牲层180(见图6至图13)的工艺期间被蚀刻。
如图4所示，在基板保护层112上形成牺牲层部或牺牲层形成部182。牺牲层部182还形成为***到腔槽114中。
作为示例，牺牲层部182可利用包含多晶硅或氧化硅的材料形成。
然后，如图5所示，使牺牲层部182平面化。通过化学机械抛光(CMP)来执行平面化工艺。
随后，如图6所示，通过对牺牲层部182图案化来形成牺牲层180。例如，通过去除除了牺牲层180的区域之外的区域中的牺牲层部182形成牺牲层180的形状。
然后，如图7所示，形成膜层120。膜层120形成为覆盖牺牲层180，因此，在膜层120上形成凸起部122。此外，凸起部122具有倾斜表面122a。
如图8所示，在膜层120上形成下电极130，以使下电极130的一部分设置在牺牲层180之上。下电极130形成为延伸到牺牲层180的外部。
随后，如图9所示，形成压电层140。压电层140形成为使得其一部分设置在牺牲层180之上。压电层140的设置在牺牲层180之上的部分形成在下电极130的至少一部分上。
然后，如图10所示，在压电层140上形成上电极150。上电极150设置有形成在其上的框架部152，框架部152形成为设置在有效区域S的边缘处。
然后，如图11所示，形成钝化层160，使得上电极150的一部分和下电极130的一部分暴露于外部。
随后，如图12所示，在下电极130和上电极150的暴露的部分上形成金属焊盘170。
然后，如图13所示，通过去除牺牲层180形成腔C。腔C包括通过腔槽114形成的第一空间C1以及通过膜层120的凸起部122形成的第二空间C2。
如上所述，与现有的体声波谐振器相比，通过体积增大的腔C防止了基板110和膜层120之间的粘附。例如，随着腔C的体积通过形成在基板110中的腔槽114而增大，防止了膜层120粘附到基板110。换句话说，防止了膜层120和基板110之间的粘附。
此外，当腔C的体积增大时，可防止在制造工艺中由于牺牲层180(见图6至图13)的厚度的增大而导致发生的问题。例如，当腔C的体积增大时，防止了牺牲层180的倾斜表面的长度由于牺牲层的厚度的增大而增大。
图14是根据示例的体声波谐振器的示意性截面图。
参照图14，通过示例的方式，根据示例的体声波谐振器200包括基板210、膜层220、支撑层230、下电极240、压电层250、上电极260、钝化层270以及金属焊盘280。
基板210可以是硅积聚的基板。例如，可使用硅晶圆作为基板。在基板110上设置有基板保护层212，以防止当形成腔C时对基板210的损坏。基板保护层212用于防止基板210在稍后将描述的去除牺牲层290(见图16至图22)的工艺期间被蚀刻。
腔形成槽或者腔槽214形成在基板210中。腔槽214防止在稍后将描述的谐振部的谐振期间膜层220和基板210之间的粘附。
例如，通过形成为从基板210凹陷的腔槽214防止在谐振部的谐振期间膜层220和基板210之间的粘附。
腔槽214设置在有效区域S之下，以防止在谐振部振动时膜层220和基板210之间的粘附。
在这种情况下，有效区域S指的是下电极240、压电层250和上电极260的全部三层层叠的区域。谐振部指的是产生振动的区域，并指的是与有效区域S对应的区域。
此外，腔槽214形成为锥形。第一空间C1通过腔槽214而形成。如上所述，由于形成腔C的第一空间C1通过腔槽214形成，因此防止了在制造工艺期间由于牺牲层290的厚度的增大而导致发生的问题。例如，防止了牺牲层290的倾斜表面的长度由于牺牲层的厚度的增大而增大。
此外，腔槽214具有与有效区域S的尺寸对应的尺寸。
膜层220形成在基板210上并具有凸起部222。凸起部222与基板110形成第二空间C2。腔C包括通过腔槽214形成的第一空间C1和通过凸起部222形成的第二空间C2。
此外，凸起部122的边缘或部分形成为具有倾斜表面222a。在示例中，倾斜表面222a形成在通过凸起部222形成的第二空间C2的两端处。
此外，膜层220在制造工艺中形成为覆盖牺牲层290，然后，通过去除牺牲层290在膜层220之下形成第二空间C2。
膜层220利用与诸如氟(F)、氯(Cl)等的卤化物类蚀刻气体具有低的反应性的材料形成，以去除硅类牺牲层290。
在一个示例中，第一空间C1的体积形成为大于第二空间C2的体积。因此，谐振部可稳定地谐振，并与此同时，防止了在谐振部的谐振期间膜层220和基板210之间的粘附。
支撑层230形成为设置在膜层220的凸起部222周围。支撑层230使稍后将描述的下电极240形成在平坦的表面上。
例如，根据示例，体声波谐振器200是平坦型谐振器。
支撑层230可利用包括作为示例的氮化硅(Si3N4)或氧化硅(SiO2)的材料形成，但支撑层230的材料不限于此。因此，支撑层230可利用当去除稍后将描述的牺牲层290(见图16)时不被损坏的材料形成。换句话说，支撑层230可利用不被卤化物类蚀刻气体损坏的材料形成。
下电极240形成在膜层220上，并且下电极240的至少一部分位于腔C之上。作为示例，下电极240使用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂等或它们的合金的导电材料形成。
下电极240用作接收诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极或提供诸如射频(RF)信号等的电信号的输出电极。例如，当下电极240是输入电极时，上电极260是输出电极，当下电极240是输出电极时，上电极260是输入电极。
压电层250形成为覆盖下电极240的至少一部分。压电层250将通过下电极240或上电极260输入的信号转换为声波。例如，压电层250通过物理振动将电信号转换为声波。
作为示例，压电层250通过沉积氮化铝、掺杂氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅形成。
此外，当压电层250利用氮化铝(AlN)形成时，压电层250还可包括稀土金属。例如，可使用钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种作为稀土金属。此外，当压电层250利用氮化铝(AlN)形成时，压电层250还可包括过渡金属。例如，使用锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的至少一种作为过渡金属。
上电极260形成为覆盖压电层250，并可以以与下电极240的情况类似的方式使用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)等或它们的合金的导电材料形成。
另一方面，框架部262设置在上电极260上。框架部262指的是上电极260的一部分，该一部分具有比上电极260的剩余部分的厚度大的厚度。框架部262以框架部设置在有效区域S的除了有效区域S的中央部分之外的区域(例如，在有效区域S的边缘处)中这样的方式设置在上电极260上。
框架部262用于将谐振期间产生的横向波反射到有效区域S的内部，以将谐振能限定在有效区域S中。换句话说，框架部262设置在有效区域S的边缘处，以防止振动从有效区域S逃脱到外部。
钝化层270至少形成在压电层250和上电极260上。例如，钝化层270形成在除了下电极240和上电极260的其上形成有金属焊盘280的部分之外的区域中。
此外，钝化层270的厚度在最终的工艺中通过蚀刻来调整，以控制通过的频带。
金属焊盘280形成在下电极240和上电极260的其上没有形成钝化层270的部分上。作为示例，金属焊盘280利用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金等的材料形成。
如上所述，通过体积增大的腔C防止了基板210和膜层220之间的粘附。例如，随着腔C的体积通过形成在基板210中的腔槽214而增大，防止了膜层220粘附到基板210。换句话说，防止了膜层220和基板210之间的粘附。
此外，当腔C的体积增大时，防止了在制造工艺中由于牺牲层290(见图16至图23)的厚度的增大而导致发生的问题。例如，在增大腔C的体积的同时，防止了牺牲层290的倾斜表面的长度由于牺牲层的厚度的增大而增大。
结果，减小了体声波谐振器200的尺寸的增大，从而抑制了滤波器装置的整体尺寸的增大。此外，防止了由于体声波谐振器100之间的连接部分的长度的增大而导致发生特性劣化。
图15至图23是示出根据示例的制造体声波谐振器的方法的工艺图。
如图15所示，在基板保护层212上形成牺牲层部或牺牲层形成部292。牺牲层部292还形成为***到腔槽214中。
牺牲层部292利用例如包含多晶硅或氧化硅的材料形成。
执行牺牲层部292的平面化工艺。通过化学机械抛光(CMP)来执行平面化工艺。
随后，如图16所示，通过牺牲层部292的图案化来形成牺牲层290。例如，在牺牲层部292中形成凹陷槽292a，以形成牺牲层290。
此外，如图17所示，形成膜层220。膜层220形成为覆盖牺牲层290，因此，在膜层220上形成凸起部222。凸起部222具有倾斜表面222a。
在形成于牺牲层部292中的凹陷槽292a中形成支撑层230。随后，通过化学机械抛光(CMP)执行平面化工艺。
此外，如图18所示，在膜层220上形成下电极240，以使下电极240的一部分设置在牺牲层290之上。下电极240形成为延伸到牺牲层290的外部。由于通过支撑层230形成从牺牲层290的上表面延伸的平坦的表面，因此下电极240形成为具有平坦的形状。
随后，如图19所示，形成压电层250。压电层250形成为使得其一部分设置在牺牲层290之上。压电层250的设置在牺牲层290之上的部分形成在下电极240上。
如图20所示，在压电层250上形成上电极260。上电极260设置有形成在其上的框架部262，框架部262形成为设置在有效区域S的边缘处。
然后，如图21所示，形成钝化层270，使得上电极260的一部分和下电极240的一部分暴露于外部。
随后，如图22所示，在下电极240和上电极260的暴露的部分上形成金属焊盘280。
然后，如图23所示，通过去除牺牲层290形成腔C。腔C包括通过腔槽214形成的第一空间C1以及通过膜层220的凸起部222形成的第二空间C2。
如上所述，与现有的体声波谐振器相比，通过体积增大的腔C防止了基板210和膜层220之间的粘附。例如，随着腔C的体积通过形成在基板210中的腔槽214而增大，防止了膜层220和基板210之间的粘附。
此外，当腔C的体积增大时，防止在制造工艺中由于牺牲层290的厚度的增大而导致发生的问题。例如，在增大腔C的体积的同时，防止了牺牲层290的倾斜表面的长度由于牺牲层的厚度的增大而增大。
如上所述，根据示例，防止了基板和膜层之间的粘附。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及它们的等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种变化。在此描述的示例将仅被认为描述性含义，而非出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的***、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的***、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及它们的等同物限定，并且在权利要求及它们的等同物的范围内的所有变化将被解释为被包括在本公开中。

Claims (19)

1.一种体声波谐振器，包括：
基板，包括腔槽；
膜层，设置在所述基板之上并包括凸起部；
下电极，所述下电极的一部分设置在所述凸起部上；
压电层，被构造为使得所述压电层的一部分设置在所述凸起部之上；以及
上电极，设置在所述压电层上，
其中，通过所述腔槽形成的第一空间以及通过所述凸起部形成的第二空间形成腔，所述腔槽设置在有效区域之下，所述凸起部包括在横向方向上设置在所述腔槽的外部的倾斜表面。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述腔槽具有设置在所述有效区域的中央部分中的尺寸。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述腔槽被构造为具有与所述凸起部对应的尺寸。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述凸起部包括形成在所述凸起部周围的支撑层，以使所述下电极设置在平坦的表面上。
5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述支撑层利用包括氮化硅或氧化硅的材料形成，或者利用与卤化物类蚀刻气体具有相对低的反应性的材料形成。
6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：
金属焊盘，被构造为连接到所述下电极的一部分和所述上电极的一部分；以及
钝化层，设置在除了所述上电极和所述下电极的形成所述金属焊盘的区域之外的区域上。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述上电极设置有形成在所述上电极上的框架部，以使所述框架部设置在所述有效区域的边缘处。
8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一空间的体积大于所述第二空间的体积。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述有效区域包括所述下电极、所述压电层和所述上电极层叠的区域。
10.一种制造体声波谐振器的方法，包括：
在基板中形成腔槽；
在所述基板上形成基板保护层；
在所述基板保护层上形成牺牲层部；
通过去除所述牺牲层部的一部分形成牺牲层；
形成包括凸起部的膜层以覆盖所述牺牲层；
在所述膜层上形成谐振部；以及
通过去除所述牺牲层形成腔，
其中，通过所述腔槽形成的第一空间以及通过所述凸起部形成的第二空间形成腔，所述腔槽设置在有效区域之下，所述凸起部包括在横向方向上设置在所述腔槽的外部的倾斜表面。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成谐振部的步骤包括：
在所述膜层上形成下电极，以使所述下电极的一部分设置在所述牺牲层之上；
在所述牺牲层之上形成压电层，以覆盖所述下电极的一部分；
在所述压电层上形成上电极；
形成钝化层，以使所述下电极的一部分和所述上电极的一部分暴露；以及
在所述上电极的暴露的所述部分上以及所述下电极的暴露的所述部分上形成金属焊盘。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成牺牲层的步骤包括：
使所述牺牲层部的上表面平面化；以及
去除所述牺牲层部的一部分，所述一部分不包括所述牺牲层部的保留为所述牺牲层的区域。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成牺牲层的步骤包括：
使所述牺牲层部的上表面平面化；以及
在所述牺牲层部中并且在所述牺牲层周围形成凹陷槽。
14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：
在所述凹陷槽中形成支撑层。
15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一空间的体积大于所述第二空间的体积。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述腔槽具有设置在有效区域的中央部分中的尺寸。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述腔槽形成为具有与所述凸起部的尺寸对应的尺寸。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述上电极包括形成在所述上电极上的框架部，以使所述框架部设置在有效区域的边缘处。
19.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：
在所述下电极、所述压电层和所述上电极层叠的区域中形成有效区域。
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