CN107623500B - 体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法。所述体声波滤波器装置包括：第一层，与基板一起形成气隙；下电极，设置在所述第一层之上；压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；上电极，设置在所述压电层之上；框架层，设置在所述上电极之上或者之下；以及下电极增强层，设置在所述下电极的除了设置有所述压电层的部分之外的部分上。所述下电极增强层通过在形成所述上电极时使所述下电极增强层与所述上电极分开而形成或者通过在形成所述框架层时使所述下电极增强层与所述框架层分开而形成。
Description
本申请要求于2016年7月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0089387号以及于2016年11月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0159251号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法。
背景技术
近来，根据通信技术的飞速发展，存在对开发信号处理技术以及射频(RF)组件技术的需求。
具体地，根据无线通信装置小型化的趋势，存在对小型化的射频组件的积极需求。已经通过使用制造半导体薄膜晶圆的技术将滤波器制造为体声波(BAW)谐振器来实现射频组件中的滤波器的小型化。
体声波(BAW)谐振器将如下的薄膜型元件实现为滤波器：其中压电介电材料沉积在作为半导体基板的硅晶圆上，以通过利用压电介电材料的压电特性来产生谐振。体声波(BAW)谐振器的应用领域包括诸如移动通信装置、化学和生物装置以及其它类似装置中使用的那些小且重量轻的滤波器、振荡器、谐振元件以及声谐振质量传感器。
此外，已经研究了各种结构形状和功能来增强体声波谐振器的功能和结构特性，并且有必要开发减小体声波谐振器的特性变化的结构和技术。
发明内容
提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
根据实施例，提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：第一层，与基板一起形成气隙；下电极，设置在所述第一层之上；压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；上电极，设置在所述压电层之上；框架层，设置在所述上电极的之上或者之下；以及下电极增强层，设置在所述下电极的除了可设置有所述压电层的部分之外的部分上，其中，所述下电极增强层可通过在形成所述上电极时使所述下电极增强层与所述上电极分开而形成或者通过在形成所述框架层时使所述下电极增强层与所述框架层分开而形成。
所述下电极增强层可由与所述下电极相同的材料形成，或由包含与所述下电极相同的材料的材料形成。
所述体声波滤波器装置还可包括第二层，所述第二层形成在覆盖所述气隙的所述第一层之上。
所述体声波滤波器装置还可包括第三层，所述第三层设置在所述第一层之上，覆盖所述上电极的除了支撑金属焊盘的部分之外的部分，且不覆盖所述下电极增强层。
金属焊盘可形成在所述下电极增强层和所述上电极或所述框架层上。
所述下电极增强层的厚度对应于所述上电极或所述框架层的厚度。
所述体声波滤波器装置还可包括金属焊盘，所述金属焊盘设置在所述下电极增强层之上。
所述下电极增强层可与所述上电极同时形成，并且所述上电极和所述下电极增强层可通过图案化彼此分开。
所述下电极增强层可与所述框架层同时形成，并且所述框架层和所述下电极增强层可通过图案化彼此分开。
根据实施例，提供一种制造体声波滤波器装置的方法，所述方法包括：形成表面层，用于覆盖下电极、压电层、框架层和第一层；以及通过蚀刻将所述表面层分为下电极增强层和上电极，并去除所述表面层的除了可形成所述下电极增强层和所述上电极的部分之外的部分。
所述下电极增强层可由与所述下电极相同的材料形成，或由包含与所述下电极相同的材料的材料形成。
所述方法还可包括：在形成所述表面层之前，在基板上形成牺牲层；在所述基板和所述牺牲层上形成所述第一层，以覆盖所述牺牲层；在所述第一层上形成第二层，以将所述第二层设置在所述牺牲层之上；以及在所述第二层上形成所述下电极，使得所述下电极的一部分可设置在所述牺牲层之上。
所述方法还可包括：在形成所述下电极之后，形成所述压电层，用于覆盖所述下电极、所述第二层和所述第一层，并且所述压电层暴露到外部；在所述压电层上形成所述框架层；以及去除所述压电层的一部分，使得所述下电极的一部分和所述第一层的一部分可暴露到外部。
所述方法还可包括：在将所述表面层分为所述下电极增强层和所述上电极之后，形成第三层，用于使所述下电极增强层和所述上电极部分地暴露到外部。
形成所述第三层的步骤包括：形成所述第三层，用于覆盖所述下电极增强层、所述上电极和所述第一层，并且所述第三层暴露到外部，以及通过蚀刻去除所述第三层的一部分，以使所述下电极增强层和所述上电极部分地暴露到外部。
所述方法还可包括：在所述下电极增强层和所述上电极的所述暴露的部分上形成金属焊盘，并且所述金属焊盘暴露到外部。
所述方法还可包括：在形成所述金属焊盘之前，从所述下电极增强层和所述上电极的所述暴露的部分的表面去除氧化物材料。
所述方法还可包括：在形成所述金属焊盘之后，通过去除形成在所述基板上的所述牺牲层来形成气隙。
根据实施例，提供一种制造体声波滤波器装置的方法，所述方法包括：形成表面层，用于覆盖下电极、压电层、上电极和第一层，其中，所述表面层可暴露到外部；以及通过蚀刻将所述表面层分为下电极增强层和框架层，并去除所述表面层的除了可形成所述下电极增强层和所述框架层的部分之外的部分。
通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其它特征和方面将显而易见。
附图说明
图1是示出根据实施例的体声波滤波器装置的示意性截面图；
图2至图9是示出根据实施例的制造体声波滤波器装置的方法的工艺图；以及
图10是示出根据实施例的体声波滤波器装置的示意性截面图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或***的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或***的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容后做出显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中公知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或***的多种可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。
如在此使用的术语“和/或”包括相关所列项中的任何一个和任何两个或更多个的任何组合。
虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中涉及到的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相关术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件之间的关系。这样的空间相对术语意在包含除了附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上方”的元件将随后被描述为相对于另一元件位于“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方向包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以另外的方式被定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的空间相关术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定的形状，而是包括制造过程中发生的形状上的变化。
在此描述的示例的特征可以以在理解了本申请的公开内容后将显而易见的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的其它构造也是可行的。
图1是示出根据实施例的体声波滤波器装置的示意性截面图。
参照图1，根据实施例的体声波滤波器装置100包括基板110、第一层120、第二层130、下电极140、压电层150、上电极160、框架层170、第三层180、金属焊盘190以及下电极增强层200。
基板110是堆叠有硅的基板。例如，硅晶圆可用作基板。此外，可在基板110的顶表面上形成用于保护硅的保护层(未示出)。也就是说，保护层可形成在基板110的顶表面上，以防止在执行下面将要描述的去除牺牲层210的操作时蚀刻基板110。
第一层120形成或设置在基板110和气隙A上。也就是说，第一层120可形成在基板110和牺牲层210上，以便覆盖下面将要描述的形成在基板110上的牺牲层210。此后，一旦牺牲层210被去除，气隙A便形成在第一层120之下和基板110之上。为了描述的目的，将使用设置的术语来描述本说明书中所描述的各种层和元件的形成和设置。
作为示例，第一层120由二氧化硅(SiO2)或包含二氧化硅(SiO2)的材料形成。第一层120还可用来防止在执行去除牺牲层210的操作时蚀刻谐振部的下端部。
在示例中，谐振部是体声波滤波器装置100的一部分，谐振部随着下面将要描述的压电层150变形而与压电层150一起变形和振动。
第二层130形成在第一层120上，并覆盖气隙A。此外，第二层130可由氮化硅(SiN)或包含氮化硅(SiN)的材料形成。
此外，第二层130与第一层120一起用于补偿由谐振部引起的应力，并用于减小谐振部的结构的变形(例如，在形成气隙A的区域中第一层120和基板110结合)，或者减小谐振部与谐振部的相邻区域之间的扭曲变形(distortion)。
下电极140形成在第二层130上。作为示例，下电极140由导电材料，诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)或它们的合金形成。
此外，下电极140可用作接收诸如射频(RF)信号的电信号的输入电极，或者可用作输出电极。在下电极140是输入电极的示例中，上电极160是输出电极。在下电极140是输出电极的另一示例中，上电极160是输入电极并接收电信号。
在一种构造中，压电层150覆盖下电极140的至少一部分和第二层130的一部分。此外，压电层150将在下电极140或上电极160上接收的电信号转换为声波。
作为示例，响应于在上电极160中诱发随时间变化的电场，压电层150将从上电极160输入的电信号转换为物理振动。此外，压电层150将转换的物理振动转换为声波。在这种情况下，可诱发出随时间变化的电场。作为结果，压电层150使用诱发的电场在压电层150内沿着厚度方向产生体声波。
如此，压电层150产生将电信号转换为声波的体声波。
在该示例中，压电层150通过在下电极140上沉积氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅形成。当压电层150由氮化铝(AlN)形成时，压电层150还可包括稀土金属。例如，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。
通过示例的方式，上电极160形成为覆盖框架层170，并且由导电材料，诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)等或它们的合金形成。此外，如上所述，上电极160可用作输入电极或输出电极，输入电极接收诸如射频(RF)信号的电信号，输出电极输出RF信号。
框架层170设置在压电层150上。作为示例，框架层170设置在上电极160之下，并设置在压电层150的除了压电层150的中央部分之外的各个部分上。此外，框架层170可由与上电极160相同的材料形成。然而，框架层170的材料不限于此，并且框架层170可由与上电极160不同的材料形成。
框架层170将在谐振时产生的横向波反射到有效区(active region)中，以将谐振能量限制在有效区中。
第三层180形成为覆盖上电极160的除了上电极160的形成有金属焊盘190的部分之外的部分。第三层180设置在第一层120之上，覆盖下电极140的至少一部分、压电层150的至少一部分、上电极160的至少一部分、框架层170的至少一部分。在一个示例中，第三层180保护框架层170和上电极160在操作期间不被损坏。此外，可通过蚀刻来调整第三层180的厚度，以调整最终操作中的频率。
此外，第三层180还可设置在除了其上设置有金属焊盘190的区域之外的所有其它区域上。
金属焊盘190电连接到下电极140和上电极160。
下电极增强层200形成在下电极140的除了其上形成有压电层150的部分之外的剩余部分上，并且可通过在形成上电极160时将下电极增强层200与上电极160分开来设置下电极增强层200。在其它实施例中，可通过在形成框架层170时将下电极增强层200与框架层170分开来设置下电极增强层200。
此外，下电极增强层200可由与下电极140相同的材料形成。
此外，下电极增强层200的厚度对应于上电极160的厚度。
下面将详细地描述形成下电极增强层200的方法。
如所述，由于下电极增强层200形成在下电极140上，因此即使下电极增强层200在随后的工艺中丢失，也防止了下电极140的损失。
因此，体声波滤波器装置是改善的滤波器装置，使得其电特性不受影响。
根据常规构造，为了将下电极140连接到金属焊盘190，需要通过蚀刻去除设置在下电极140上的多个层，以使下电极140暴露到外部。
此时，首先，可蚀刻压电层150，但是当蚀刻压电层150时会损坏下电极140。接着，其次，可蚀刻保护层，但是此时也会损坏下电极140。此外，为了沉积金属焊盘190，需要从上电极160和下电极140的其上形成金属焊盘190的一些区域去除氧化物材料。当执行用于去除氧化物材料的蚀刻时，会再次损坏下电极140。
如此，在下电极140的厚度因下电极140的损坏而减小的情况下，会不利地影响电特性，诸如使电阻值增大等。
然而，由于如上所述地形成了下电极增强层200，因此即使下电极增强层200丢失或被去除，也防止了下电极140的损失。因此，可防止电特性劣化。
在下文中，将参照附图描述根据实施例的制造体声波滤波器装置的方法。
图2至图9是示出根据实施例的制造体声波滤波器装置的方法的工艺图。
首先，如图2中所示，依次在基板110上形成牺牲层210、第一层120、第二层130、下电极140、压电层150和框架层170。
也就是说，牺牲层210形成在基板110上，第一层120随后形成为覆盖牺牲层210和基板110的剩余区域。此外，第一层120可由二氧化硅(SiO2)或包含二氧化硅(SiO2)的材料形成。
接着，在第一层120上形成第二层130，以覆盖牺牲层210。虽然实施例通过示例的方式描述了第二层130形成为仅覆盖牺牲层210的示例，但第二层130不限于此，并且第二层130可延伸为覆盖设置在牺牲层的外部的第一层120并同时设置为覆盖牺牲层210。此外，第二层130可由氮化硅(SiN)或包含氮化硅(SiN)的材料形成。
接着，在第二层130上形成下电极140。下电极140可由导电材料，诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)等或它们的合金形成。此外，下电极140的至少一部分覆盖牺牲层210。
接着，形成压电层150。压电层150形成为覆盖暴露到外部的下电极140、第二层130和第一层120。可通过沉积氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅形成压电层150。
接着，在压电层150上形成框架层170。此外，框架层170形成为使得压电层150暴露在设置为覆盖牺牲层210的区域中。
接着，如图3所示，去除压电层150的一部分。在这种情况下，去除压电层150使得下电极140的一部分和第一层120的一部分暴露到外部。也就是说，去除压电层150使得下电极140和第一层120的设置在谐振部的外部区域上的部分暴露到外部。
接着，如图4所示，形成第四层或表面层230。第四层230形成为覆盖暴露到外部的下电极140、压电层150、框架层170和第一层120。
第四层230可由导电材料，诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)等或它们的合金形成。换句话说，第四层230可由与下电极140相同的材料形成，或由包含与下电极140相同的材料的材料形成。
接着，如图5所示，通过蚀刻将第四层230分为下电极增强层200和上电极160，并去除除了下电极增强层200和上电极160之外的剩余部分。
接着，如图6所示，形成第三层180。第三层180形成为覆盖暴露到外部的下电极增强层200、上电极160和第一层120。
接着，如图7所示，通过蚀刻去除第三层180的一部分，使得下电极增强层200和上电极160部分地暴露到外部。
随后，如图8中所示，在下电极增强层200和上电极160的暴露到外部的部分上形成金属焊盘190。在形成金属焊盘190之前，去除在下电极增强层200和上电极160的暴露到外部的表面上存在的氧化物材料。在该示例中，可能丢失下电极增强层200和上电极160。
然后，如图9中所示，去除牺牲层210，以形成基板110和第一层120之间的气隙A。
如上所述，通过改变常规工艺顺序来增强下电极140，而不需要另外的工艺以及增大整个下电极的厚度。也就是说，与常规工艺顺序不同，上电极160在使框架层170和压电层150图案化之后形成。因此，下电极增强层200与上电极160同时形成，并随后通过图案化来使上电极160和下电极增强层200彼此分开。
因此，在不需要添加另外的工艺或不需要增大下电极140的厚度的情况下，形成了下电极增强层200。
在下文中，将参照附图描述根据另一实施例的体声波滤波器装置。同时，将由相同的标号表示与上述组件相同的组件，并将省略其详细描述。
图10是示出根据另一实施例的体声波滤波器装置的示意性截面图。
参照图10，根据另一实施例的体声波滤波器装置300包括基板110、第一层120、第二层130、下电极140、压电层150、上电极360、框架层370、第三层180、金属焊盘190以及下电极增强层400。
此外，根据实施例的体声波滤波器装置300与上述体声波滤波器装置100(例如，图1)的不同之处在于：堆叠上电极360和框架层370的顺序不同，并且下电极增强层400通过在形成框架层370时使下电极增强层400与框架层370分开而形成。
换句话说，上电极360形成在压电层150上以覆盖压电层150，并且框架层370随后形成为覆盖上电极360和下电极140。接着，使下电极增强层400与框架层370分开，从而形成下电极增强层400，并去除框架层370的一部分，使得上电极360的一部分暴露。
同时，框架层370由与下电极140相同的材料形成，或由包含与下电极140相同的材料的材料形成。
如所述，由于下电极增强层400形成在下电极140上，因此即使下电极增强层400在随后的工艺中丢失，也防止了下电极140的损失。
因此，体声波滤波器装置得到改善，使得其电特性不受影响。
如上所述，根据各个实施例，体声波滤波器装置的电特性得到了改善。
虽然本公开包括特定的示例，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及它们的等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种变化。在此所描述的示例将仅被理解为描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的***、架构、装置或者电路中的组件和/或用其它组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的***、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及它们的等同物限定，并且在权利要求及它们的等同物的范围内的所有变化将被解释为包含于本公开中。
Claims (19)
1.一种体声波滤波器装置，包括：
第一层，与基板一起形成气隙；
下电极，设置在所述第一层之上；
压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；
上电极，设置在所述压电层之上；
框架层，设置在所述上电极之上或之下；以及
下电极增强层，设置在所述下电极的除了设置有所述压电层的部分之外的部分上，
其中，所述下电极增强层通过在形成所述上电极时使所述下电极增强层与所述上电极分开而形成或者通过在形成所述框架层时使所述下电极增强层与所述框架层分开而形成。
2.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述下电极增强层由与所述下电极相同的材料形成，或由包含与所述下电极相同的材料形成。
3.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括：
第二层，形成在覆盖所述气隙的所述第一层之上。
4.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，还包括：
第三层，设置在所述第一层之上，覆盖所述上电极的除了支撑金属焊盘的部分之外的部分，且不覆盖所述下电极增强层。
5.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，金属焊盘形成在所述下电极增强层和所述上电极或所述框架层上。
6.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述下电极增强层的厚度对应于所述上电极或所述框架层的厚度。
7.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，还包括金属焊盘，所述金属焊盘设置在所述下电极增强层之上。
8.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述下电极增强层与所述上电极同时形成，并且
所述上电极和所述下电极增强层通过图案化彼此分开。
9.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述下电极增强层与所述框架层同时形成，并且
所述框架层和所述下电极增强层通过图案化彼此分开。
10.一种制造体声波滤波器装置的方法，所述方法包括：
形成表面层，用于覆盖下电极、压电层、框架层和第一层；以及
通过蚀刻将所述表面层分为下电极增强层和上电极，并去除所述表面层的除了用于形成所述下电极增强层和所述上电极的部分之外的部分。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下电极增强层由与所述下电极相同的材料形成，或由包含与所述下电极相同的材料形成。
12.根据权利要求10所述的方法，还包括：
在形成所述表面层之前，
在基板上形成牺牲层；
在所述基板和所述牺牲层上形成所述第一层，以覆盖所述牺牲层；
在所述第一层上形成第二层，以将所述第二层设置在所述牺牲层之上；以及
在所述第二层上形成所述下电极，使得所述下电极的一部分设置在所述牺牲层之上。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在形成所述下电极之后，
形成所述压电层，用于覆盖所述下电极、所述第二层和所述第一层，并且所述压电层暴露到外部；
在所述压电层上形成所述框架层；以及
去除所述压电层的一部分，使得所述下电极的一部分和所述第一层的一部分暴露到外部。
14.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在将所述表面层分为所述下电极增强层和所述上电极之后，
形成第三层，所述第三层使所述下电极增强层和所述上电极部分地暴露到外部。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述第三层的步骤包括：
形成所述第三层，用于覆盖所述下电极增强层、所述上电极和所述第一层，并且所述第三层暴露到外部，以及
通过蚀刻去除所述第三层的一部分，以使所述下电极增强层和所述上电极部分地暴露到外部。
16.根据权利要求14所述的方法，还包括：
在所述下电极增强层和所述上电极的所述暴露的部分上形成金属焊盘，并且所述金属焊盘暴露到外部。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在形成所述金属焊盘之前，从所述下电极增强层和所述上电极的所述暴露的部分的表面去除氧化物材料。
18.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在形成所述金属焊盘之后，通过去除形成在所述基板上的所述牺牲层来形成气隙。
19.一种制造体声波滤波器装置的方法，所述方法包括：
形成表面层，用于覆盖下电极、压电层、上电极和第一层，其中，所述表面层暴露到外部；以及
通过蚀刻将所述表面层分为下电极增强层和框架层，并去除所述表面层的除了用于形成所述下电极增强层和所述框架层的部分之外的部分。
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