CN108254985B - 阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置 - Google Patents

阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108254985B
CN108254985B CN201810103036.0A CN201810103036A CN108254985B CN 108254985 B CN108254985 B CN 108254985B CN 201810103036 A CN201810103036 A CN 201810103036A CN 108254985 B CN108254985 B CN 108254985B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
pixel unit
color
pixel
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810103036.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108254985A (zh
Inventor
王争奎
孙建
乔赟
张寒
王珍
刘瑞超
张建军
刘鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810103036.0A priority Critical patent/CN108254985B/zh
Publication of CN108254985A publication Critical patent/CN108254985A/zh
Priority to US16/182,748 priority patent/US10795231B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN108254985B publication Critical patent/CN108254985B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338Input devices, e.g. touch panels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • G02F1/133516Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412Digitisers structurally integrated in a display
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295Materials; Compositions; Manufacture processes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40Arrangements for improving the aperture ratio
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/10Materials and properties semiconductor
    • G02F2202/104Materials and properties semiconductor poly-Si
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开了阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置。该阵列基板包括:衬底;设置在衬底上的多个像素单元,像素单元包括多个子像素单元,且每个子像素单元均对应有一根数据线,其中,多个子像素单元包括相邻设置的第一子像素单元以及第二子像素单元,第一子像素单元靠近第二子像素单元一侧的边缘,以及第二子像素单元靠近第一子像素单元一侧的边缘之间,设置有两根数据线。从而使得该子像素单元中存在两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处无数据线。由此,可令与该阵列基板相配合的彩膜基板在该位置处不设置黑矩阵,从而可以提高像素单元的开口率,进而提升应用上述阵列基板以及彩膜基板的显示装置的显示品质。

Description

阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域,具体地,涉及阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置。
背景技术
低温多晶硅(LTPS)显示屏具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、高迁移率等优点。它的电子迁移率较非晶硅高出100倍以上,并且,由于可以将驱动线路直接制作在面板(如阵列基板)上,可以减少40%的周边元器件数量,所以故障率极低,具有更好的可靠性和更低的维护成本,在***整合、占用空间等方面有着很大的优势。
然而,目前的阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的:
目前,低温多晶硅显示屏多存在显示效果较差的问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现,这主要是由于目前的低温多晶硅显示屏的像素开口率较低导致的。对于低温多晶硅显示屏来说,像素的开口率至关重要,直接影响像素的透过率光效。发明人发现,目前的红绿蓝(RGB)三原色像素设计中,由于数据线以及黑矩阵对像素的遮挡,会降低像素的透光率,从而导致像素的开口率降低,进而影响低温多晶硅显示屏的显示效果。
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种阵列基板。该阵列基板包括:衬底;设置在所述衬底上的多个像素单元,所述像素单元包括多个子像素单元,且每个所述子像素单元均对应有一根数据线,其中,所述多个子像素单元包括相邻设置的第一子像素单元以及第二子像素单元,所述第一子像素单元靠近所述第二子像素单元一侧的边缘,以及所述第二子像素单元靠近所述第一子像素单元一侧的边缘之间,设置有两根所述数据线。在两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处,设置两根数据线,会使得该子像素单元中,存在有两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处无数据线。由此,可令与该阵列基板相配合的彩膜基板,在该位置处不设置黑矩阵,从而可以提高像素单元的开口率,进而提升应用上述阵列基板以及彩膜基板的显示装置的显示品质。
根据本发明的实施例,所述多个子像素单元依次排列,且沿着所述子像素单元排列的方向,与第一个所述子像素单元对应的所述数据线,以及与最后一个所述子像素单元对应的所述数据线,均设置在远离所述像素单元的边界的一侧。由此,在两个像素单元相邻处的两个子像素单元彼此靠近的边缘处无数据线,并令与该阵列基板相配合的彩膜基板,在该位置处不设置黑矩阵,从而可以提高像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,所述像素单元包括3个依次排列的子像素单元,其中,沿着所述子像素单元排列的方向,与第一个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第一个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处;与所述第二个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第二个子像素单元靠近所述第一个子像素单元一侧的边缘处;以及与第三个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第三个子像素单元靠近所述第二个子像素单元一侧的边缘处。由此,该像素单元中的第三个子像素单元与下一个像素单元中的第一个子像素单元相邻的边缘处无数据线,并令与该阵列基板相配合的彩膜基板,在该位置处不设置黑矩阵,从而可以提高像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,两根所述数据线之间具有间隙,所述间隙的宽度等于一根所述数据线的宽度。由此,可以使彼此靠近边缘处设置有两根数据线的子像素单元被遮挡的区域不至于过大,提高整体像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,该阵列基板进一步包括:多个条形的触控电极,所述触控电极与所述数据线同层设置,每个所述像素单元对应至少一个所述触控电极,所述触控电极设置在所述子像素单元的边缘处,且设置有所述触控电极的所述子像素单元的所述数据线,以及与所述触控电极相邻的所述子像素单元的所述数据线,均设置在远离所述触控电极的一侧。由此,当触控电极与数据线同层设置时,可增大触控电极的宽度,进而可以提高触控电极的灵敏度。
根据本发明的实施例,该阵列基板进一步包括:多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与所述数据线一对一地相连,且与所述数据线设置在所述子像素单元的同侧。由此,每个薄膜晶体管均可以控制一个子像素单元。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例,该显示面板包括:阵列基板,所述阵列基板为前面所述的;以及彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。由此,该显示面板具有较高的像素开口率。
根据本发明的实施例,所述彩膜基板包括:彩膜基板衬底;色阻层,所述色阻层设置在所述彩膜基板衬底上,且包括阵列排布的多个色阻单元,所述色阻单元包括多个色阻段;以及黑矩阵,所述黑矩阵设置在所述彩膜基板衬底上,且所述黑矩阵在所述彩膜基板衬底上的正投影,位于所述数据线在所述彩膜基板衬底上的正投影范围内,其中,所述色阻单元中包括相邻设置且颜色相同的两个所述色阻段,两个所述色阻段之间不设置所述黑矩阵。由此,可以减少黑矩阵对像素单元的遮挡,从而提高像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,所述色阻单元包括多个依次排布的且具有多种颜色的所述色阻段,且每种颜色包括两个所述色阻段,且所述色阻单元中,至少具有一对同种颜色的所述色阻段相邻设置。同种颜色的色阻段相邻设置,可以减少此处黑矩阵的设置,从而提高像素单元的开口率,同时无需考虑混色的问题。
根据本发明的实施例,所述阵列基板为包括触控电极的阵列基板,所述彩膜基板包括:彩膜基板衬底;色阻层,所述色阻层设置在所述彩膜基板衬底上,且包括阵列排布的多个色阻单元,所述色阻单元包括多个色阻段;以及黑矩阵,所述黑矩阵设置在所述彩膜基板衬底上,且所述黑矩阵在所述彩膜基板衬底上的正投影,位于所述数据线以及所述触控电极在所述彩膜基板衬底上的正投影范围内。由此,可以提高触控电极的灵敏度。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例,该显示装置包括前面所述的显示面板,由此,该显示装置具有前面所述的显示面板的全部特征以及优点,在此不再赘述。总的来说,该显示装置具有较高的显示品质。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种制备阵列基板的方法。根据本发明的实施例,该方法包括:提供衬底;在所述衬底上设置多个像素单元,所述像素单元包括多个子像素单元;以及通过构图工艺,在所述衬底上设置多根数据线,以令每个所述子像素单元均对应有一根所述数据线,其中,所述多个子像素单元包括相邻设置的第一子像素单元以及第二子像素单元,所述第一子像素单元靠近所述第二子像素单元一侧的边缘,以及所述第二子像素单元靠近所述第一子像素单元一侧的边缘之间,设置有两根所述数据线。由此,可以利用简单的生产工艺,即可获得能够提高像素单元开口率的阵列基板。
根据本发明的实施例,该方法进一步包括:在所述衬底上设置多个条形的触控电极,所述触控电极与所述数据线通过同一次构图工艺形成,所述触控电极设置在所述子像素单元的边缘处,且设置有所述触控电极的所述子像素单元的所述数据线,以及与所述触控电极相邻的所述子像素单元的所述数据线,均设置在远离所述触控电极的一侧。触控电极与数据线采用同一次构图工艺形成,可以简化生产工序,降低生产成本,该触控电极不影响像素单元的开口率,且具有较高的触控灵敏度。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种制备显示面板的方法。根据本发明的实施例,该方法包括:制备阵列基板,所述制备阵列基板是按前面所述的方法实现的;制备彩膜基板;以及将所述阵列基板与所述彩膜基板进行对盒设置。由此,可以利用简单的生产工艺获得具有较高像素开口率的显示面板。
根据本发明的实施例,所述制备彩膜基板是通过以下步骤实现的:提供彩膜基板衬底;在所述彩膜基板衬底上设置色阻层,所述色阻层包括阵列排布的多个色阻单元,所述色阻单元包括多个色阻段;以及在所述彩膜基板衬底上设置黑矩阵,且所述黑矩阵在所述彩膜基板衬底上的正投影,位于所述数据线在所述彩膜基板衬底上的正投影范围内,其中,所述色阻单元中包括相邻设置且颜色相同的两个所述色阻段,两个所述色阻段之间不设置所述黑矩阵。由此,可以利用简单的生产工艺获得黑矩阵减少的彩膜基板。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1显示了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图;
图2显示了现有技术中阵列基板的结构示意图;
图3显示了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图;
图4显示了根据本发明另一个实施例的阵列基板的结构示意图;
图5显示了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图;
图6显示了根据本发明另一个实施例的显示面板的结构示意图;
图7显示了根据本发明另一个实施例的显示面板的结构示意图;
图8显示了根据本发明一个实施例的制备阵列基板方法的流程示意图;以及
图9显示了根据本发明一个实施例的制备显示面板方法的流程示意图。
附图标记说明:
100:衬底;200:子像素单元;210:第一子像素单元;220:第二子像素单元;300:薄膜晶体管;400:彩膜基板衬底;500:色阻段;600:黑矩阵;10:数据线;20:栅线;30:触控电极;1000:阵列基板;2000:彩膜基板。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种阵列基板。根据本发明的实施例,参考图1,该阵列基板包括:衬底100、多个像素单元以及数据线10。其中,多个像素单元阵列排布在衬底100上,像素单元包括多个子像素单元200,每个子像素单元200均对应有一根数据线10,像素单元中的第一子像素单元210以及第二子像素单元220相邻设置,且第一子像素单元210靠近第二子像素单元220一侧的边缘,以及第二子像素单元220靠近第一子像素单元210一侧的边缘之间,设置有两根数据线10。在两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处,设置两根数据线,会使得该子像素单元中,存在有两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处无数据线。由此,可令与该阵列基板相配合的彩膜基板,在该位置处不设置黑矩阵,从而可以提高像素单元的开口率,进而提升应用上述阵列基板以及彩膜基板的显示装置的显示品质。
为了便于理解,下面首先对根据本发明实施例的阵列基板进行简单说明:
如前所述,目前的红绿蓝(RGB)三原色像素设计中,参考图2,每个子像素单元200对应有一根数据线10,由于数据线10以及后续对盒设置中彩膜基板中黑矩阵(图中未示出)对像素单元的遮挡,会降低像素的透光率,从而导致像素的开口率降低,进而影响低温多晶硅显示屏的显示效果。
根据本发明的实施例,在两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处,设置两根数据线。由于每个子像素单元均具有一根对应的数据线,因此该设置方式可以使得像素单元中存在两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处无数据线。由此,可令与该阵列基板相配合的彩膜基板,在该位置处不设置黑矩阵,从而可以提高像素单元的开口率,进而提升应用上述阵列基板以及彩膜基板的显示装置的显示品质。
下面根据本发明的具体实施例,对该阵列基板的各个结构进行详细说明:
根据本发明的实施例,参考图3,为了防止短路,需要在两根数据线10之间设置间隙。该间隙的宽度(如图中所示出的D)应尽量小,以减少子像素单元200被遮挡区域的面积。关于间隙的宽度不受特别限制,本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如,根据本发明的实施例,该间隙的宽度可以为一根数据线的宽度。由此,可以使彼此靠近边缘处设置有两根数据线的子像素单元被遮挡的区域不至于过大,提高整体像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,多个子像素单元200依次排列,沿着子像素单元200排列的方向,与第一个子像素单元200对应的数据线10,以及与最后一个子像素单元200对应的数据线10,均设置在远离像素单元边界的一侧。由此,在两个像素单元相邻处的两个子像素单元彼此靠近的边缘处无数据线,并令与该阵列基板相配合的彩膜基板,在该位置处不设置黑矩阵,从而可以提高像素单元的开口率,进而提升应用上述阵列基板以及彩膜基板的显示装置的显示品质。
关于构成像素单元的子像素单元的数量不受特别限制,本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如,对于红绿蓝(RGB)三原色设计,每个像素单元可以包括3个子像素单元。对于RGBW设计,每个像素单元可以包括4个子像素单元。根据本发明的具体实施例,该像素单元包括3个依次排列的子像素单元200,沿着子像素单元200排列的方向,与第一个子像素单元对应的数据线,设置在第一个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处;与第二个子像素单元对应的数据线,设置在第二个子像素单元靠近第一个子像素单元一侧的边缘处;与第三个子像素单元对应的数据线,设置在第三个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处。由此,在每个像素单元中,与第一个子像素单元对应的数据线,以及与最后一个子像素对应的数据线,均设置在远离像素单元边界的一侧。从而在该像素单元与下一个像素单元相邻处的两个子像素单元彼此靠近的边缘处,也即是说该像素单元的第三个子像素单元与下一个像素单元的第一个子像素单元彼此靠近的边缘处无数据线,并在后续对盒设置中,令与该阵列基板相配合的彩膜基板,在该位置处不设置黑矩阵,可以减少数据线以及黑矩阵对像素单元的遮挡面积,从而提高像素单元的开口率。
本领域技术人员能够理解的是,数据线的宽度约为2μm,彩膜基板中的黑矩阵的宽度约为4μm。现有技术中,参考图2,像素单元包括3个子像素单元200,每个子像素单元200对应一根数据线10。在子像素单元200排列方向上,每根数据线10对每个子像素单元200的遮挡宽度约为2μm,对盒后,黑矩阵对每个子像素单元200的遮挡宽度约为4μm。也即是说,现有技术中每个像素单元被遮挡的宽度为12μm左右。根据本发明的实施例,参考图3,像素单元包括3个子像素单元200,每个子像素单元200对应一根数据线10。在子像素单元200排列方向上,第一个子像素单元与第二个子像素单元彼此靠近的边缘处,设置有两根数据线,黑矩阵以及数据线对上述两个子像素单元的遮挡宽度约为6μm,与第三个子像素单元对应的数据线设置第三个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处,该数据线以及黑矩阵对第三个子像素单元的遮挡宽度约为4μm。也即是说,本实施例中每个像素单元被遮挡的宽度为10μm左右。由此,可以提高像素单元的开口率。
关于两根数据线的具***置不受特别限制,本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如,根据本发明的实施例,沿子像素单元排列的方向,两根数据线还可以设置在第二个子像素单元与第三个子像素单元彼此靠近的边缘处,与第一个子像素单元对应的数据线设置在第一个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处,由此,该像素单元与下一个像素单元相邻处的两个子像素单元彼此靠近的边缘处无数据线,从而起到提高像素单元开口率的作用。
根据本发明的实施例,参考图3,该阵列基板还可以包括:多个薄膜晶体管300。本领域技术人员能够理解的是,为了实现信号的写入,需在阵列基板上设置栅线20,来控制薄膜晶体管300的开关。根据本发明的实施例,薄膜晶体管300与数据线10一对一地相连,且薄膜晶体管300与数据线10位于其控制的子像素单元的同一侧。由此,每个薄膜晶体管均可以控制一个子像素单元。本领域技术人员能够理解的是,薄膜晶体管300包括栅极、源极、漏极等结构,其中栅极与栅线20相连,源极与数据线10相连,漏极与子像素单元200相连。
本领域技术人员可以理解的是,在显示面板中设置触控电极,可以形成具有触控功能的显示面板。关于触控电极的位置不受特别限制,本来领域技术人员可以根据实际情况进行设计。例如,根据本发明的实施例,触控电极可以设置在阵列基板上,且与数据线同层设置。具体的,参考图4,该阵列基板还可以包括多个条形的触控电极30,触控电极30与数据线10同层设置,每个像素单元对应至少一个触控电极30,触控电极30设置在子像素单元200的边缘处,且设置有触控电极30的子像素单元的数据线,以及与触控电极30相邻的子像素单元的数据线,均设置在远离触控电极30的一侧。由此,当触控电极与数据线同层设置时,可增大触控电极的宽度,进而可以提高触控电极的灵敏度。
现有技术中,触控电极与数据线相邻设置在两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处,考虑到像素开口率的问题,触控电极的宽度会受到限制,导致触控显示装置的触控灵敏度下降。根据本发明的实施例,将触控电极30单独设置在两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处,在黑矩阵宽度的范围内,可以增大触控电极的宽度,从而可以降低触控电极的电阻,提高触控电极的灵敏度。此外,将触控电极与数据线设置在同一层,可以简化生产工艺,缩短生产周期,降低生产成本。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例,参考图5,该显示面板包括:阵列基板1000以及彩膜基板2000,阵列基板1000为前面描述的阵列基板,彩膜基板2000与阵列基板1000对盒设置。由此,该显示面板具有较高的像素开口率。本领域技术人员能够理解的是,该显示面板还包括液晶分子,液晶分子设置在阵列基板1000与彩膜基板2000形成的密封空间内(图中未示出),以便实现显示面板的显示功能。
根据本发明的实施例,参考图5,彩膜基板2000包括:彩膜基板衬底400、色阻层以及黑矩阵600。其中,色阻层设置在彩膜基板衬底400上,色阻层包括阵列排布的多个色阻单元,色阻单元包括多个色阻段500,黑矩阵600设置在彩膜基板衬底400上,且黑矩阵600在彩膜基板衬底400上的正投影,位于数据线10在彩膜基板衬底400上的正投影范围内,色阻单元中包括相邻设置且颜色相同的两个色阻段500,两个颜色相同的色阻段之间不设置黑矩阵600。颜色相同的两个色阻段500相邻设置,不存在串色的问题,由此,可以在颜色相同且相邻设置的两个色阻段之间不设置黑矩阵,从而减少黑矩阵对像素单元的遮挡,提高像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,色阻单元包括多个依次排布的且具有多种颜色的色阻段500,且每种颜色包括两个色阻段500,色阻单元中至少有一对同种颜色的色阻段500相邻设置。例如,根据本发明的具体实施例,在红绿蓝三原色设计中,每个色阻单元包括6个色阻段500,其中有2个红色色阻段、2个绿色色阻段以及2个蓝色色阻段,上述6个色阻段依次排列,且有两个颜色相同的色阻段相邻设置,例如,2个蓝色色阻段相邻设置,由于色阻段颜色相同,因此可以省去上述两个色阻段之间的黑矩阵。并将颜色相同且相邻的两个色阻段与阵列基板1000中彼此靠近的边缘处未设置数据线的两个相邻的子像素单元对应设置。根据本发明的实施例,黑矩阵600在彩膜基板衬底400上的正投影,位于数据线10在彩膜基板衬底400上的正投影范围之内,由此,彼此靠近边缘处未设置数据线的两个相邻的子像素单元减少了数据线以及黑矩阵的遮挡,显著提高了像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,参考图6以及图7,阵列基板1000还可以包括触控电极30,利用包括触控电极30的阵列基板1000构成显示面板时,可以配合常规的彩膜基板(如图6所示),还可以配合根据本发明实施例的彩膜基板(如图7所示)。
根据本发明的实施例,参考图6,包括触控电极30的阵列基板1000与常规的彩膜基板2000对盒形成显示面板,彩膜基板2000包括:彩膜基板衬底400、色阻层以及黑矩阵600。其中,色阻层设置在彩膜基板衬底400上,色阻层包括阵列排布的多个色阻单元,色阻单元包括多个色阻段500,黑矩阵600设置在彩膜基板衬底400上,且黑矩阵600在彩膜基板衬底400上的正投影,位于数据线10以及触控电极30在彩膜基板衬底400上的正投影范围之内。将触控电极单独设置在两个相邻的子像素单元彼此靠近的边缘处,可以将触控电极的宽度加宽,从而可以提高触控电极的触控灵敏度。
根据本发明的实施例,参考图7,包括触控电极30的阵列基板1000与根据本发明实施例的彩膜基板2000对盒形成显示面板,彩膜基板2000中颜色相同且相邻设置的两个色阻段500,与设置有触控电极30的两个相邻的子像素单元对应设置。根据本发明的实施例,可以将触控电极30的宽度设置为与数据线10的宽度相同,由此,可以提高触控显示面板的像素开口率。根据本发明的另一些实施例,还可以将触控电极30的宽度加宽,提高触控电极的触控灵敏度。
关于黑矩阵与彩膜基板衬底以及色阻层的位置关系不受特别限制,例如,黑矩阵可以位于彩膜基板衬底远离色阻层的一侧,还可以位于色阻层远离彩膜基板衬底的一侧,只要可以实现其使用功能即可,本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例,该显示装置包括前面描述的显示面板,由此,该显示装置具有前面描述的显示面板的全部特征以及优点,在此不再赘述。总的来说,该显示装置具有较高的显示品质。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种制备阵列基板的方法。根据本发明的实施例,由该方法制备的阵列基板可以为前面描述的阵列基板,由此,由该方法制备的阵列基板可以具有与前面描述的阵列基板相同的特征以及优点,在此不再赘述。根据本发明的实施例,参考图8,该方法包括:
S100:提供衬底
根据本发明的实施例,在该步骤中,提供衬底。关于衬底的具体材料不受特别限制,本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如,根据本发明的实施例,衬底可以是由玻璃构成的。
S200:在衬底上设置像素单元
根据本发明的实施例,在该步骤中,在衬底上设置像素单元。关于像素单元的排布以及构成,前面已经进行了详细描述,在此不再赘述。例如,根据本发明的具体实施例,像素单元阵列排布在衬底上,每个像素单元包括3个子像素单元,上述子像素单元呈阵列排布。根据本发明的实施例,像素单元的制备可以是通过以下步骤实现的:首先,在衬底上沉积一层透明导电层,例如ITO层,随后利用构图工艺形成阵列排布的像素单元。关于构图工艺的具体方式不受特别限制,本领域技术人员可以根据具体情况进行选择。例如,可以采用光刻工艺形成像素单元。
S300:在衬底上设置数据线
根据本发明的实施例,在该步骤中,在衬底上设置数据线。根据本发明的实施例,每个子像素单元均对应有一根数据线。关于数据线的位置,前面已经进行了详细描述,在此不再赘述。例如,根据本发明的具体实施例,像素单元包括3个依次排列的子像素单元,沿子像素单元排列的方向,与第一个子像素单元对应的数据线,设置在第一个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处;与第二个子像素单元对应的数据线,设置在第二个子像素单元靠近第一个子像素单元一侧的边缘处;与第三个子像素单元对应的数据线,设置在第三个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处。由此,在该像素单元与下一个像素单元相邻处的两个子像素单元的彼此靠近的边缘处无数据线,可令与该阵列基板相配合的彩膜基板,在该位置处不设置黑矩阵,从而可以提高像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,数据线是通过以下步骤形成的:首先,在衬底上沉积一层金属层,随后基于具有数据线形状的掩膜版,利用构图工艺,在衬底上形成数据线。根据本发明的实施例,可以利用光刻工艺形成数据线。
根据本发明的实施例,该阵列基板还可以包括多个条形的触控电极。关于触控电极的位置,前面已经进行了详细描述,在此不再赘述。例如,根据本发明的实施例,触控电极设置在子像素单元的边缘处,设置有触控电极的子像素单元的数据线,以及与触控电极相邻的子像素单元的数据线,均设置在远离触控电极的一侧。由此,可以将触控电极的宽度加宽,提高触控电极的触控灵敏度。根据本发明的实施例,触控电极与数据线采用同一次构图工艺形成,即基于具有数据线以及触控电极形状的掩膜版,对金属层进行光刻处理,以便同步形成触控电极以及数据线。
根据本发明的实施例,阵列基板还可以包括多个薄膜晶体管,薄膜晶体管与数据线一对一连接,且每个薄膜晶体管控制一个子像素单元。关于薄膜晶体管的位置,前面已经进行了详细描述,在此不再赘述。例如,根据本发明的实施例,薄膜晶体管与数据线位于其所控制的子像素单元的同一侧。薄膜晶体管的制备方法为本领域的常规方法,在此不再赘述。
在本发明的另一方面,本发明提出了一种制备显示面板的方法。根据本发明的实施例,由该方法制备的显示面板可以为前面描述的显示面板,由此,由该方法制备的显示面板可以具有与前面描述的显示面板相同的特征以及优点,在此不再赘述。根据本发明的实施例,该方法包括:制备阵列基板、制备彩膜基板以及将彩膜基板和阵列基板进行对盒设置。其中,阵列基板的制备是按前面描述的方法实现的。由此,可以利用简单的生产工艺获得具有较高像素开口率的显示面板。
根据本发明的实施例,与上述阵列基板对盒设置的彩膜基板可以为前面描述的彩膜基板,由此,该彩膜基板可以具有与前面描述的彩膜基板相同的特征以及优点,在此不再赘述。根据本发明的实施例,参考图9,该方法中彩膜基板的制备可以是通过以下步骤实现的:
S400:提供彩膜基板衬底
根据本发明的实施例,在该步骤中,提供彩膜基板衬底。关于彩膜基板衬底的材料不受特别限制,本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如,根据本发明的实施例,彩膜基板衬底可以是由玻璃构成的。
S500:在彩膜基板衬底上设置色阻层
根据本发明的实施例,在该步骤中,在彩膜基板衬底上设置色阻层。关于色阻层的构成,前面已经进行了详细描述,在此不再赘述。例如,根据本发明的实施例,色阻层包括多个色阻单元,色阻单元包括具有多种颜色且依次排列的色阻段。根据本发明的具体实施例,每个色阻单元可以包括6个色阻段,其中包括2个红色色阻段、2个绿色色阻段以及2个蓝色色阻段,且有一对颜色相同的色阻段相邻设置,例如2个蓝色色阻段相邻设置,由于相邻的两个色阻段颜色相同,不存在串色问题,因此,在具有相同颜色且相邻设置的两个色阻段之间不设置黑矩阵,并将颜色相同且相邻设置的两个色阻段,与阵列基板上彼此靠近的边缘处未设置数据线的两个相邻的子像素单元对应设置。由此,可以提高像素单元的开口率。
根据本发明的实施例,色阻层可以是通过以下步骤形成的:首先,在彩膜基板衬底上沉积一层红色色阻胶,随后利用具有红色色阻段形状的掩膜版,对红色色阻胶进行构图处理,以便形成红色色阻段。其次,在彩膜基板衬底上沉积一层绿色色阻胶,随后利用具有绿色色阻段形状的掩膜版,对绿色色阻胶进行构图处理,以便形成绿色色阻段。最后,在彩膜基板衬底上沉积一层蓝色色阻胶,随后利用具有蓝色色阻段形状的掩膜版,对蓝色色阻胶进行构图处理,以便形成蓝色色阻段。由此,利用简单的生产工艺,即可形成具有颜色相同且相邻设置的色阻段的色阻层。
S600:在彩膜基板衬底上设置黑矩阵
根据本发明的实施例,在该步骤中,在彩膜基板衬底上设置黑矩阵。关于黑矩阵的位置,前面已经进行了详细描述,在此不再赘述。例如,根据本发明的实施例,黑矩阵在彩膜基板衬底上的正投影,位于数据线在彩膜基板衬底上的正投影范围之内,且颜色相同且相邻设置的两个色阻段之间不设置黑矩阵。该彩膜基板与阵列基板配合使用,可以提高像素单元的开口率,以及提升显示装置的显示品质。
关于色阻层以及黑矩阵的制备顺序不受特别限制,本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如,根据本发明的另一些实施例,可以首先在彩膜基板衬底上形成黑矩阵,随后再形成色阻层。
在本发明的描述中,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外,需要说明的是,本说明书中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (12)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的多个像素单元,所述像素单元包括多个子像素单元,且每个所述子像素单元均对应有一根数据线,
其中,所述多个子像素单元包括相邻设置的第一子像素单元以及第二子像素单元,所述第一子像素单元靠近所述第二子像素单元一侧的边缘,以及所述第二子像素单元靠近所述第一子像素单元一侧的边缘之间,设置有两根所述数据线;
多个条形的触控电极,所述触控电极与所述数据线同层设置,每个所述像素单元对应至少一个所述触控电极,所述触控电极设置在所述子像素单元的边缘处,且设置有所述触控电极的所述子像素单元的所述数据线,以及与所述触控电极相邻的所述子像素单元的所述数据线,均设置在远离所述触控电极的一侧,
所述像素单元包括3个依次排列的子像素单元,其中,沿着所述子像素单元排列的方向,与第一个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第一个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处;与所述第二个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第二个子像素单元靠近所述第一个子像素单元一侧的边缘处;以及与第三个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第三个子像素单元靠近所述第二个子像素单元一侧的边缘处。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多个子像素单元依次排列,且沿着所述子像素单元排列的方向,与第一个所述子像素单元对应的所述数据线,以及与最后一个所述子像素单元对应的所述数据线,均设置在远离所述像素单元的边界的一侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,两根所述数据线之间具有间隙,所述间隙的宽度等于一根所述数据线的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,进一步包括:
多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与所述数据线一对一地相连,且与所述数据线设置在所述子像素单元的同侧。
5.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板为权利要求1-4任一项所述的阵列基板;以及
彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述彩膜基板包括:
彩膜基板衬底;
色阻层,所述色阻层设置在所述彩膜基板衬底上,且包括阵列排布的多个色阻单元,所述色阻单元包括多个色阻段;以及
黑矩阵,所述黑矩阵设置在所述彩膜基板衬底上,且所述黑矩阵在所述彩膜基板衬底上的正投影,位于所述数据线在所述彩膜基板衬底上的正投影范围内,
其中,所述色阻单元中包括相邻设置且颜色相同的两个所述色阻段,两个所述色阻段之间不设置所述黑矩阵。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述色阻单元包括多个依次排布的且具有多种颜色的所述色阻段,且每种颜色包括两个所述色阻段,且所述色阻单元中,至少具有一对同种颜色的所述色阻段相邻设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述彩膜基板包括:彩膜基板衬底;
色阻层,所述色阻层设置在所述彩膜基板衬底上,且包括阵列排布的多个色阻单元,所述色阻单元包括多个色阻段;以及
黑矩阵,所述黑矩阵设置在所述彩膜基板衬底上,且所述黑矩阵在所述彩膜基板衬底上的正投影,位于所述数据线以及所述触控电极在所述彩膜基板衬底上的正投影范围内。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求5-8任一项所述的显示面板。
10.一种制备阵列基板的方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上设置多个像素单元,所述像素单元包括多个子像素单元;以及
通过构图工艺,在所述衬底上设置多根数据线,以令每个所述子像素单元均对应有一根所述数据线,
其中,所述多个子像素单元包括相邻设置的第一子像素单元以及第二子像素单元,所述第一子像素单元靠近所述第二子像素单元一侧的边缘,以及所述第二子像素单元靠近所述第一子像素单元一侧的边缘之间,设置有两根所述数据线;
在所述衬底上设置多个条形的触控电极,所述触控电极与所述数据线通过同一次构图工艺形成,所述触控电极设置在所述子像素单元的边缘处,且设置有所述触控电极的所述子像素单元的所述数据线,以及与所述触控电极相邻的所述子像素单元的所述数据线,均设置在远离所述触控电极的一侧,
所述像素单元包括3个依次排列的子像素单元,其中,沿着所述子像素单元排列的方向,与第一个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第一个子像素单元靠近第二个子像素单元一侧的边缘处;与所述第二个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第二个子像素单元靠近所述第一个子像素单元一侧的边缘处;以及与第三个子像素单元对应的所述数据线,设置在所述第三个子像素单元靠近所述第二个子像素单元一侧的边缘处。
11.一种制备显示面板的方法,其特征在于,包括:
制备阵列基板,所述制备阵列基板是按权利要求10所述的方法实现的;
制备彩膜基板;以及
将所述阵列基板与所述彩膜基板进行对盒设置。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述制备彩膜基板是通过以下步骤实现的:
提供彩膜基板衬底;
在所述彩膜基板衬底上设置色阻层,所述色阻层包括阵列排布的多个色阻单元,所述色阻单元包括多个色阻段;以及
在所述彩膜基板衬底上设置黑矩阵,且所述黑矩阵在所述彩膜基板衬底上的正投影,位于所述数据线在所述彩膜基板衬底上的正投影范围内,
其中,所述色阻单元中包括相邻设置且颜色相同的两个所述色阻段,两个所述色阻段之间不设置所述黑矩阵。
CN201810103036.0A 2018-02-01 2018-02-01 阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置 Active CN108254985B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810103036.0A CN108254985B (zh) 2018-02-01 2018-02-01 阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置
US16/182,748 US10795231B2 (en) 2018-02-01 2018-11-07 Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and manufacturing method thereof, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810103036.0A CN108254985B (zh) 2018-02-01 2018-02-01 阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108254985A CN108254985A (zh) 2018-07-06
CN108254985B true CN108254985B (zh) 2021-10-01

Family

ID=62743677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810103036.0A Active CN108254985B (zh) 2018-02-01 2018-02-01 阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10795231B2 (zh)
CN (1) CN108254985B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109164629B (zh) * 2018-10-10 2024-05-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及触控显示面板
CN109240012A (zh) * 2018-11-19 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
JP7197414B2 (ja) * 2019-03-26 2022-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111243439B (zh) * 2020-03-04 2021-09-24 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板及装置
CN113767323B (zh) 2020-04-01 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN111415590A (zh) * 2020-04-17 2020-07-14 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其测试方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101592810A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 乐金显示有限公司 液晶显示设备
CN103279217A (zh) * 2013-04-19 2013-09-04 北京京东方光电科技有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN103424916A (zh) * 2013-08-07 2013-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示屏、其驱动方法及显示装置
CN105159520A (zh) * 2015-10-23 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 一种自电容触控显示面板及其驱动方法、触控显示装置
CN106324924A (zh) * 2016-10-21 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN106502474A (zh) * 2017-01-12 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN106873226A (zh) * 2017-04-28 2017-06-20 上海中航光电子有限公司 一种触控显示面板
CN107024795A (zh) * 2017-06-19 2017-08-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6256080B1 (en) * 1999-06-23 2001-07-03 International Business Machines Corporation Self-aligned structures for improved wide viewing angle for liquid crystal displays
TWI381232B (zh) * 2009-02-06 2013-01-01 Au Optronics Corp 平面顯示面板及其線路修補方法
TWI477872B (zh) * 2011-12-23 2015-03-21 E Ink Holdings Inc 可顯示多灰階之顯示裝置及其操作方法
TWI460518B (zh) * 2012-04-03 2014-11-11 Au Optronics Corp 顯示面板之陣列基板及畫素單元
TWI481937B (zh) * 2012-08-27 2015-04-21 Au Optronics Corp 顯示面板
CN104793417B (zh) * 2015-04-16 2019-04-05 上海中航光电子有限公司 一种tft阵列基板、显示面板及显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101592810A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 乐金显示有限公司 液晶显示设备
CN103279217A (zh) * 2013-04-19 2013-09-04 北京京东方光电科技有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN103424916A (zh) * 2013-08-07 2013-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示屏、其驱动方法及显示装置
CN105159520A (zh) * 2015-10-23 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 一种自电容触控显示面板及其驱动方法、触控显示装置
CN106324924A (zh) * 2016-10-21 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN106502474A (zh) * 2017-01-12 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN106873226A (zh) * 2017-04-28 2017-06-20 上海中航光电子有限公司 一种触控显示面板
CN107024795A (zh) * 2017-06-19 2017-08-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10795231B2 (en) 2020-10-06
CN108254985A (zh) 2018-07-06
US20190235333A1 (en) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108254985B (zh) 阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置
US20200355970A1 (en) Array substrate, display panel and display device
US20150309377A1 (en) Array substrate, manufacturing method, and display device thereof
CN107275288B (zh) Tft基板的制作方法及tft基板
CN108983518B (zh) 阵列基板及其制备方法
US20120147314A1 (en) Display device and color filter substrate
CN105301847B (zh) 显示装置及其制造方法
CN108288620B (zh) 像素结构基板及其显示面板
CN106992149B (zh) Tft基板的制作方法
CN105789223B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN105929593A (zh) 阵列基板、透明显示基板和透明显示装置
CN105093746B (zh) 阵列基板及液晶显示面板
WO2020052038A1 (zh) 显示面板及显示面板的制作方法
US20120287363A1 (en) Liquid crystal display device, color-filter substrate, thin-film-transistor substrate and manufacturing method thereof
WO2014161234A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示器
US20210215964A1 (en) Display substrate and display device
CN110806653A (zh) 液晶显示面板及液晶显示装置
WO2022000759A1 (zh) 一种显示面板及显示装置
WO2017031779A1 (zh) 阵列基板的制作方法及阵列基板
KR101483024B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US11815776B2 (en) Array substrate, display panel and display device
CN113228146B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US11231610B2 (en) Display panel and display apparatus
CN105278145B (zh) 显示面板
US20190081076A1 (en) Thin film transistor substrate and display panel

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant