CN109240012A - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 230000003447 ipsilateral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 23
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 241001269238 Data Species 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
-
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置,属于显示技术领域。所述阵列基板包括:衬底基板,衬底基板上设置有多个子像素区域,多个子像素区域在衬底基板上呈行列排布;多条数据线,任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线位于任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧;设置有多条数据线的衬底基板设置有公共电极和多个像素电极。本发明将任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线设置在该任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧,进而无法产生电场的区域就会较小,使得该阵列基板制成的显示面板的显示效果较高。解决了相关技术中显示面板的显示效果较差的问题。提高了阵列基板制成的显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
一种显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板以及设置在这两块基板之间的液晶层。其中的阵列基板上可以设置有像素电极以及公共电极,该像素电极可以和公共电极形成横向电场,以控制液晶层中液晶的偏转方向。
相关技术中的一种阵列基板包括衬底基板,该衬底基板上设置有多个子像素区域,这些子像素区域以行列排布的方式在衬底基板上排布,任一子像素区域的左侧均设置有与该任一子像素区域对应的数据线,该数据线用于向该子像素区域中的其他电路结构输入电信号。每个子像素区域上设置有像素电极和公共电极。
在实现本发明的过程中,发明人发现相关技术至少存在以下问题:由于电极与数据线之间的距离无法过近,这导致相邻的两列子像素区域之间会存在较大的无法产生电场的区域,进而导致阵列基板所制成的显示面板的显示效果较差。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置,能够解决相关技术中由于电极与数据线之间的距离无法过近,这导致相邻的两列子像素区域之间会存在较大的无法产生电场的区域,进而导致阵列基板所制成的显示面板的显示效果较差的问题。所述技术方案如下:
根据本发明的第一方面,提供了一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板,所述衬底基板上设置有多个子像素区域,所述多个子像素区域在所述衬底基板上呈行列排布;
多条数据线,所述多条数据线中,任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线位于所述任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧;
设置有所述多条数据线的衬底基板设置有公共电极和多个像素电极。
可选的,所述公共电极包括多个梳状子电极,所述多个梳状子电极与所述多个子像素区域一一对应,所述多个梳状子电极中任一梳状子电极在所述衬底基板上的正投影所在区域与所述任一梳状子电极对应的子像素区域存在重叠。
可选的,所述任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的两个梳状子电极在所述衬底基板上的正投影与所述任意两个相邻且位于同一行的子像素区域之间的区域存在重叠。
可选的,所述两个梳状子电极电连接。
可选的,每个所述梳状子电极均包括多个互相平行的条状结构,
所述任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的两个梳状子电极中的条状结构成第一指定夹角。
可选的,每个所述梳状子电极均包括两个条状结构集合,每个所述条状结构集合包括多个互相平行的多个条状结构,且所述两个条状结构集合中的条状结构成第二指定夹角,
所述任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的两个梳状子电极中的四个条状结构集合中的条状结构成x型排列。
可选的,每个所述子像素区域中均设置有一个所述像素电极,
位于任意两条所述数据线之间且同一行的两个子像素区域中的两个像素电极之间的最小距离大于或等于第一指定距离,所述第一指定距离为所述两个像素电极互相不会影响的最小距离。
可选的,所述衬底基板上,位于任意两个相邻且位于同一行的子像素区域之间的两个数据线之间的距离大于或等于第二指定距离,所述第二指定距离为所述两个数据线互相不会影响的最小距离。
可选的,所述两个数据线两侧的两个像素电极之间的距离大于或等于第三指定距离,所述第三指定距离为所述第二指定距离、所述两个数据线的宽度以及2倍的第四指定距离的和,所述第四指定距离为所述衬底基板上的像素电极与数据线互相不会影响的最小距离。
可选的,所述多个梳状子电极均由透明导电材料构成。
根据本发明的第二方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括彩膜基板、液晶层以及第一方面所述的阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板,所述衬底基板上设置有多个子像素区域,所述多个子像素区域在所述衬底基板上呈行列排布;多条数据线,所述多条数据线中,任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线位于所述任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧;设置有所述多条数据线的衬底基板设置有公共电极和多个像素电极。
可选的,所述每个所述子像素区域中均设置有一个所述像素电极,位于任意两条所述数据线之间且同一行的两个子像素区域中的两个像素电极之间的最小距离大于或等于第一指定距离,所述第一指定距离为所述两个像素电极互相不会影响的最小距离,
所述彩膜基板上设置有第一黑矩阵,所述两个像素电极之间的区域在所述衬底基板上的正投影位于所述第一黑矩阵在所述衬底基板上的正投影中。
根据本发明的第三方面,提供一种显示装置,所述显示装置包括第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括:
通过将任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线设置在该任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧,使得衬底基板上存在相邻的两个子像素区域之间未设置数据线的情况,如此结构下,这相邻的两个子像素区域的像素电极的距离就可以较近,进而无法产生电场的区域就会较小,使得该阵列基板制成的显示面板的显示效果较高。解决了相关技术中由于电极与数据线之间的距离无法过近,这导致相邻的两列子像素区域之间会存在较大的无法产生电场的区域,进而导致阵列基板所制成的显示面板的显示效果较差的问题。提高了阵列基板制成的显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种阵列基板的结构示意图;
图2是图1所示的阵列基板的黑影线示意图;
图3是本发明实施例示出的一种阵列基板的结构示意图;
图4是图3所示的阵列基板的黑影线示意图;
图5是图3所示的阵列基板的侧视图;
图6是本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图;
图7是本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图;
图8是本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图;
图9是本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图;
图10是图9所示的阵列基板的另一种结构示意图;
图11是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图12是本发明实施例示出的显示面板的亮度示意图;
图13是图12所示的示意图中的一种部分示意图;
图14是图12所示的示意图中的另一种部分示意图;
图15是本发明实施例示出的显示面板的开口率和对比度的趋势图;
图16是本发明实施例示出的显示面板的开口率和液晶效率的示意图;
图17是本发明实施例示出的显示面板的各角度对比度示意图。
通过上述附图,已示出本发明明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是一种阵列基板的结构示意图。该阵列基板可以包括衬底基板11,衬底基板11上可以设置有多个子像素区域p,每个子像素区域p的左侧设置有其对应的数据线D(任意一个子像素区域对应的数据线用于向该任意一个子像素区域中的像素电极输入电信号),每个子像素区域p中可以设置有各种电极,如像素电极pe和公共电极(图1未示出)等。
为了避免数据线与电极过近导致互相影响,数据线两侧均有未设置有电极的区域,数据线两侧的子像素区域中的像素电极pe之间的距离h也会较远,该距离h可以等于数据线的宽度加上两倍的防干扰距离(防干扰距离为数据线和像素电极之间不会互相影响的最小距离,该防干扰距离通常可以由数据线和像素电极的制造工艺的精度来决定,即该防干扰距离可以大于或等于制造工艺所能实现的最小距离。示例性的,该距离可以为3.0微米至3.5微米)。这会导致阵列基板在横向上的子像素区域之间会存在较大的无电场区域,该区域可能不存在电场,或不存在能够对液晶层进行控制的电场。进而导致该阵列基板制成的显示面板中,每两个横向的子像素区域之间会存在较大的黑影线(英文:Black shadowLine)区域,如图2所示,其为一种阵列基板的结构示意图。其中的白色区域即为子像素区域,而白色区域之间的黑色区域即为黑影线。可以看出黑影线较宽,这可能会降低显示面板侧视角对比度以及透过率,严重影响了显示面板的显示效果。
图3是本发明实施例示出的一种阵列基板的结构示意图。该阵列基板10可以包括:
衬底基板11,衬底基板11上设置有多个子像素区域p,多个子像素区域p在衬底基板上呈行列排布。
多条数据线12,多条数据线12中,任意两个相邻且位于同一行的子像素区域p对应的数据线12位于该任意两个相邻的子像素区域p在行向上的不同侧。由图3可以看出,两个相邻的子像素区域p中,左侧的子像素区域p对应的数据线12位于其左侧,右侧的子像素区域p对应的数据线12位于其右侧。设置有多条数据线12的衬底基板11设置有公共电极(图1中未示出)和多个像素电极。这两个子像素区域p之间不存在数据线,没有了数据线的干扰,这使得这两个子像素区域p中像素电极之间的距离可以更近,减少了这两个子像素区域之间的无电场区域,进而缩小了子像素区域之间的黑影线。如图4所示,其为本发明实施例示出的一种阵列基板的结构示意图,其中的白色区域即为子像素区域,而白色区域之间的黑色区域即为黑影线。可以看出,由于白色区域之间没有了数据线,因而白色区域之间的黑影线明显变窄(相较于图2所示的阵列基板)。
如图5所示,其为图3所示的阵列基板的侧视图,阵列基板11的两个子像素区域p中均分别设置有像素电极13和公共电极14。两个子像素区域p的两侧分别设置有两个数据线12。可以看出,相邻的两个子像素区域p中的像素电极13和公共电极14的距离较近。
综上所述,本发明实施例提供的一种阵列基板,通过将任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线设置在该任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧,使得衬底基板上存在相邻的两个子像素区域之间未设置数据线的情况,如此结构下,这相邻的两个子像素区域的像素电极的距离就可以较近,进而无法产生电场的区域就会较小,使得该阵列基板制成的显示面板的显示效果较高。解决了相关技术中由于电极与数据线之间的距离无法过近,这导致相邻的两列子像素区域之间会存在较大的无法产生电场的区域,进而导致阵列基板所制成的显示面板的显示效果较差的问题。提高了阵列基板制成的显示面板的显示效果。
图6是本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图。该阵列基板在图6所示的阵列基板的基础上做了一些调整,该阵列基板10可以包括:
可选的,公共电极14包括多个梳状子电极141,多个梳状子电极141与多个子像素区域p一一对应,多个梳状子电极141中任一梳状子电极在衬底基板11上的正投影所在区域与该任一梳状子电极对应的子像素区域p存在重叠。
梳状子电极141包括多个条状的空隙,便于梳状子电极141与位于其下方的像素电极产生横向电场,并对显示面板的液晶层进行控制。
可选的,如图6所示,两个相邻的子像素区域p之间并未设置数据线,公共电极并不会与数据线互相影响,因此公共电极可以设置在这两个相邻的子像素区域p之间的区域的上方,也即是任意两个相邻且位于同一行的子像素区域p对应的两个梳状子电极141在衬底基板11上的正投影(图6中未示出)与任意两个相邻且位于同一行的子像素区域之间的区域存在重叠。
上述结构增加了公共电极的面积,减小了子像素区域之间未设置有公共电极的区域的面积,进而减小了子像素区域之间的无电场区域的面积。
相关技术中,由于相邻的两个子像素区域之间设置有数据线,若这相邻的两个子像素区域对应的梳状子电极通过走线相连,则该走线必然会横跨数据线,并对数据线以及梳状子电极造成影响。但图6所示的阵列基板中,由于相邻的两个子像素区域p之间并未设置数据线,因而可选的,这两个梳状子电极141电连接。图6示出的是这两个梳状子电极141通过走线电连接的结构。但这两个梳状子电极141还可以通过其他方式电连接。示例性的,如图7所示,其为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。其中,两个梳状子电极141为一体结构,如此结构下,两个梳状子电极覆盖了其对应的两个子像素区域之间的区域,进一步减小了子像素区域之间的无电场区域的面积。
如图7所示,其为本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图。其中每个梳状子电极141均包括多个互相平行的条状结构(即图7中的黑色条状部分),梳状子电极141正是由这些条状结构所构成的。公共电极可以包括有框架,用于固定梳状子电极141中的条状结构。
任意两个相邻且位于同一行的子像素区域p对应的两个梳状子电极中的条状结构成第一指定夹角x。该第一指定夹角可以大于90度且小于180度。
图7示出的阵列基板中的公共电极是本发明实施例提供的一种双畴结构的公共电极,但公共电极还可以为其他结构。如图8所示,其为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
其中,每个梳状子电极141均包括两个条状结构集合(图8中的每个梳状子电极141的上半部分为一个条状结构集合,下半部分为另一个条状结构集合),每个条状结构集合包括多个互相平行的多个条状结构(即图8中的黑色条状部分),且两个条状结构集合中的条状结构成第二指定夹角y。可选的,第二指定夹角y可以大于0度小于90度。
任意两个相邻且位于同一行的子像素区域p对应的两个梳状子电极141中的四个条状结构集合中的条状结构成x型排列。
可选的,如图9所示,其为本发明实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图。其中,每个子像素区域p中均设置有一个像素电极13,位于任意两条数据线12之间且同一行的两个子像素区域p中的两个像素电极13之间的最小距离s1大于或等于第一指定距离,该第一指定距离为两个像素电极13互相不会影响的最小距离。由于不同子像素区域中的像素电极导通后会互相严重影响,因而该第一指定距离可以为两个像素电极13互相不会到导通的最小距离。该第一指定距离通常可以由这两个像素电极的制造工艺的精度来决定,即该第一指定距离可以大于或等于制造工艺所能实现的最小距离。示例性的,该距离可以为3.0微米至3.5微米。如此这两个像素电极便不会互相影响。相较于相关技术中,相邻的两个子像素区域中的像素电极之间的距离(参考图1所示的距离h),本发明实施例中相邻的两个子像素区域中的像素电极之间的距离明显更近,这能够缩小子像素区域之间的无电场区域的面积,减小子像素区域之间的黑影线。还能够提高显示面板的透过率。
可选的,衬底基板11上,位于任意两个相邻且位于同一行的子像素区域之间的两个数据线12之间的距离s2大于或等于第二指定距离,该第二指定距离为两个数据线12互相不会影响的最小距离。如此可以避免设置在一起的数据线互相造成影响。第二指定距离的确定方式可以参照上述第一指定距离,在此不再赘述。
如图10所示,其为图9所示的阵列基板的另一种结构示意图。其中,两个数据线12两侧的两个像素电极13之间的距离大于或等于第三指定距离,第三指定距离为第二指定距离s2、两个数据线12的宽度以及2倍的第四指定距离s3的和,第四指定距离s3为衬底基板上的像素电极与数据线互相不会影响的最小距离。
可选的,多个梳状子电极141均由透明导电材料构成,如此能够提高阵列基板的透过率。透明导电材料可以包括氧化铟锡(英文:Indium tin oxide;简称:ITO)。
此外,本发明实施例提供的一种阵列基板还可以包括栅极金属、源极金属、以及各绝缘层等结构,本发明实施例在此不再赘述。
本发明实施例提供的阵列基板可以应用于高级超维场转换(英文:AdvancedSuper Dimension Switch;简称:ADS)显示面板或边缘场开关型(英文:Fringe FieldSwitching;简称:FFS)显示面板中。
综上所述,本发明实施例提供的一种阵列基板,通过将任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线设置在该任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧,使得衬底基板上存在相邻的两个子像素区域之间未设置数据线的情况,如此结构下,这相邻的两个子像素区域的像素电极的距离就可以较近,进而无法产生电场的区域就会较小,使得该阵列基板制成的显示面板的显示效果较高。解决了相关技术中由于电极与数据线之间的距离无法过近,这导致相邻的两列子像素区域之间会存在较大的无法产生电场的区域,进而导致阵列基板所制成的显示面板的显示效果较差的问题。提高了阵列基板制成的显示面板的显示效果。
图11是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,该显示面板可以包括彩膜基板20、液晶层30以及上述实施例提供的任意一个阵列基板10。
可选的,每个子像素区域p中均设置有一个像素电极13,位于任意两条数据线12之间且同一行的两个子像素区域p中的两个像素电极13之间的最小距离s1大于或等于第一指定距离,该第一指定距离为两个像素电极互相不会影响的最小距离。
彩膜基板20上设置有第一黑矩阵21,两个像素电极13(这两个像素电极13之间未设置有数据线)之间的区域在衬底基板11上的正投影位于第一黑矩阵21在衬底基板11上的正投影中。即该第一黑矩阵能够正好挡住两个像素电极13之间的区域,避免相邻的子像素区域发出的光线互相影响。该第一黑矩阵的宽度和两个像素电极13之间的区域的宽度正相关,该第一黑矩阵的最小宽度可以为能够避免相邻的子像素区域串色和漏光的宽度。此外,彩膜基板上还可以设置有平坦层、间隔柱以及屏蔽电场的氧化铟锡等等结构,本发明实施例在此不再赘述。
相较于本发明实施例提供的显示面板,相关技术中由于相邻的两个像素电极之间的距离(参考图1所示的距离h)较大,因而用于遮挡两个子像素区域之间的区域的黑矩阵也会较宽,导致子像素区域之间的黑影线也会较宽,进而导致显示面板的白态亮度较低。而本发明实施例提供的显示面板,由于黑矩阵的遮光面积较小,使得显示面板的白态亮度较高,黑态亮度较低,且对比度较高,整体的显示效果较好。
示例性的,当显示面板中的阵列基板为图7示出的阵列基板时,通过软件进行光学模拟得出显示面板的白态亮度提升5%,暗态亮度下降5%,对比度提高10%。当显示面板中的阵列基板为图8示出的阵列基板时,通过模拟发现,本发明实施例提供的显示面的黑态亮度下降3%,白态亮度提高2.8%,对比度提高6.5%。
可选的,彩膜基板20上还设置有第二黑矩阵22,两个像素电极13(这两个像素电极13之间设置有两条数据线12)之间的区域在衬底基板11上的正投影位于第二黑矩阵21在衬底基板11上的正投影中。即该第二黑矩阵22可以挡住这两个像素电极13之间的区域。虽然相较于相关技术中的显示面板,该第二黑矩阵22的宽度较高,但黑矩阵的未遮挡区域与像素电极的重叠区域的面积并未减小。
此外,本发明实施例提供的显示面板,通过减小黑影线的尺寸,提高了显示面板的垂直对比度以及侧视角对比度。
如图12所示,其为本发明实施例示出的显示面板的亮度示意图。其横坐标为电压(该电压为加载在液晶层上的电压),单位为伏特,纵坐标为亮度的相对百分比,该相对百分比以相关技术中的一种显示面板(例如图1所示的阵列基板制成的显示面板)的最大亮度为100%亮度为基准。在图12中,曲线q1为相关技术中的一种显示面板的亮度曲线图;q2和q3为本发明实施例的图8所示的阵列基板制成的显示面板的亮度曲线,q2和q3不同的是,q2是将图8所示的阵列基板中,相邻的子像素区域中的像素电极的距离设置为与相关技术中的阵列基板相同的情况,而q3是将相邻的子像素区域中的像素电极的距离设置为第一指定距离的情况。
q4和q5为本发明实施例的图7所示阵列基板制成的显示面板的亮度曲线,q4是将相邻的子像素区域中的像素电极的距离设置为与相关技术中的阵列基板相同的情况;而q5是将相邻的子像素区域中的像素电极的距离设置为第一指定距离的情况。可以看出,q5所示的最大亮度明显高于其他的显示面板的最大亮度,这表明其最大亮度得到了明显的提升。
如图13所示,其为图12所示的曲线图中,横坐标为0伏至0.6伏这一区间的亮度(这一区间可以认为是暗态亮度)曲线图。其中,q3和q5的亮度接近(图13中为了便于示出,使q5高于q3,但这并非是对q5和q3的限制),q2和q4的亮度接近(图13中为了便于示出,使q2高于q4,但这并非是对q2和q4的限制),q1的亮度相较于q3和q5高3%左右,q1的亮度相较于q2和q4高5%左右。由图13可以看出,本发明实施例提供的显示面板的暗态亮度明显低于相关技术中显示面板的暗态亮度。
如图14所示,其为图12所示的曲线图中,6伏至6.6伏这一区间(这一区间可以认为是最大亮度区间)的亮度曲线图。其中,q2的亮度相较于q1高3%左右,q3的亮度相较于q1高2.5%左右,q5的亮度相较于q1高8%左右,q4的亮度相较于q1高5%左右。由图14可以看出,本发明实施例提供的显示面板的最大亮度明显高于相关技术中显示面板的最大亮度。
如图15所示,其为图12所示的曲线图中,各个曲线对应的显示面板的开口率和对比度的趋势图。其中,横坐标标识了各个显示面板所对应的曲线,左侧的纵坐标为对比度(英文:Contrast Ratio),该对比度以曲线q1对应的显示面板的对比度为100%为基准。右侧的纵坐标为开口率(英文:Aperture Ratio)(该开口率为实际值)。黑色圆形符号代表开口率,黑色方形符号代表对比度。示例性的,曲线q1对应的显示面板的开口率大致在65%至66%之间,对比度为100%。可以看出,本发明实施例提供的显示面板的对比度明显高于相关技术中显示面板的对比度。
如图16所示,其为图12所示的曲线图中,各个曲线对应的显示面板的开口率和液晶效率(英文:liquid crystal efficient)的趋势图。横坐标标识了各个显示面板所对应的曲线,左侧的纵坐标为液晶效率,液晶效率是一种用于表示液晶层对于光线的偏转能力的参数,液晶效率越高,表示液晶对于光线的偏转能力越强。右侧的纵坐标为开口率(该开口率为实际值)。黑色圆形符号代表开口率,矩形框的高度代表液晶效率。可以看出,相关技术中阵列基板制成的显示面板的液晶效率(即q1所表示的液晶效率)在80%至82%之间,而本发明实施例提供的显示面板的液晶效率均在85%以上,明显高于相关技术中显示面板的液晶效率。
图17是图12所示的曲线图中,q1、q4和q5对应的显示面板的各角度对比度示意图。其中圆形图内部被多个实线线条分为多个区域,越靠近内部的区域所代表的对比度越高。该圆形图外边缘所标示的为观察视线在显示面板的显示面上的正投影与显示面板一条边沿的角度,内部的虚线圆圈标识观察视线与显示面板显示面的角度,由内向外分别包括20度、40度和60度。矩形框k表示对于显示面板的对比度的要求。圆形图最中心的实线线条所包围的区域在矩形框k的所在的面积越大,表明该显示面板在各个角度上的对比度越高,显示效果越好。可以从图17看出,q5和q4所对应的显示面板在各个角度的对比度均优于q1所对应的相关技术中的显示面板。
由上述图12至图17所示的数据可以看出,本发明实施例提供的显示面板在各个方面的性能均优于相关技术中的显示面板。
综上所述,本发明实施例提供的一种显示面板,包括阵列基板,通过将任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线设置在该任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧,使得衬底基板上存在相邻的两个子像素区域之间未设置数据线的情况,如此结构下,这相邻的两个子像素区域的像素电极的距离就可以较近,进而无法产生电场的区域就会较小,使得该阵列基板制成的显示面板的显示效果较高。解决了相关技术中由于电极与数据线之间的距离无法过近,这导致相邻的两列子像素区域之间会存在较大的无法产生电场的区域,进而导致阵列基板所制成的显示面板的显示效果较差的问题。提高了显示面板的显示效果。
需要指出的是,在附图中,为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在其他元件上,或者可以存在中间的层。另外,可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在其他元件下,或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外,还可以理解,当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时,它可以为两层或两个元件之间惟一的层,或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中,术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上,除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板,所述衬底基板上设置有多个子像素区域,所述多个子像素区域在所述衬底基板上呈行列排布;
多条数据线,所述多条数据线中,任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线位于所述任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧;
设置有所述多条数据线的衬底基板设置有公共电极和多个像素电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极包括多个梳状子电极,所述多个梳状子电极与所述多个子像素区域一一对应,所述多个梳状子电极中任一梳状子电极在所述衬底基板上的正投影所在区域与所述任一梳状子电极对应的子像素区域存在重叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的两个梳状子电极在所述衬底基板上的正投影与所述任意两个相邻且位于同一行的子像素区域之间的区域存在重叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述两个梳状子电极电连接。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每个所述梳状子电极均包括多个互相平行的条状结构,
所述任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的两个梳状子电极中的条状结构成第一指定夹角。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每个所述梳状子电极均包括两个条状结构集合,每个所述条状结构集合包括多个互相平行的多个条状结构,且所述两个条状结构集合中的条状结构成第二指定夹角,
所述任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的两个梳状子电极中的四个条状结构集合中的条状结构成x型排列。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每个所述子像素区域中均设置有一个所述像素电极,
位于任意两条所述数据线之间且同一行的两个子像素区域中的两个像素电极之间的最小距离大于或等于第一指定距离,所述第一指定距离为所述两个像素电极互相不会影响的最小距离。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底基板上,位于任意两个相邻且位于同一行的子像素区域之间的两个数据线之间的距离大于或等于第二指定距离,所述第二指定距离为所述两个数据线互相不会影响的最小距离。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述两个数据线两侧的两个像素电极之间的距离大于或等于第三指定距离,所述第三指定距离为所述第二指定距离、所述两个数据线的宽度以及2倍的第四指定距离的和,所述第四指定距离为所述衬底基板上的像素电极与数据线互相不会影响的最小距离。
10.根据权利要求1至9任一所述的阵列基板,其特征在于,所述多个梳状子电极均由透明导电材料构成。
11.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括彩膜基板、液晶层以及权利要求1-10任一所述的阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板,所述衬底基板上设置有多个子像素区域,所述多个子像素区域在所述衬底基板上呈行列排布;多条数据线,所述多条数据线中,任意两个相邻且位于同一行的子像素区域对应的数据线位于所述任意两个相邻的子像素区域在行向上的不同侧;设置有所述多条数据线的衬底基板设置有公共电极和多个像素电极。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述每个所述子像素区域中均设置有一个所述像素电极,位于任意两条所述数据线之间且同一行的两个子像素区域中的两个像素电极之间的最小距离大于或等于第一指定距离,所述第一指定距离为所述两个像素电极互相不会影响的最小距离,
所述彩膜基板上设置有第一黑矩阵,所述两个像素电极之间的区域在所述衬底基板上的正投影位于所述第一黑矩阵在所述衬底基板上的正投影中。
13.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求11所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811376215.8A CN109240012A (zh) | 2018-11-19 | 2018-11-19 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
US16/763,565 US11215890B2 (en) | 2018-11-19 | 2019-11-15 | Array substrate, display panel and display device |
PCT/CN2019/118940 WO2020103774A1 (zh) | 2018-11-19 | 2019-11-15 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811376215.8A CN109240012A (zh) | 2018-11-19 | 2018-11-19 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109240012A true CN109240012A (zh) | 2019-01-18 |
Family
ID=65075981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811376215.8A Pending CN109240012A (zh) | 2018-11-19 | 2018-11-19 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11215890B2 (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020103774A1 (zh) | 2020-05-28 |
US20210247651A1 (en) | 2021-08-12 |
US11215890B2 (en) | 2022-01-04 |
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