CN108122928B - 包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光显示装置的像素包括：位于基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)、位于基板上的开关TFT和位于基板上的有机发光二极管(OLED)。驱动TFT包括：包含多晶硅的第一有源层、位于第一有源层上的第一绝缘层、以及接触第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极。第一源极电极的至少一部分和第一漏极电极的至少一部分设置在不同的层上。开关TFT电连接至驱动TFT，开关TFT包括含氧化物半导体材料的第二有源层。OLED电连接至驱动TFT。

Description

包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年11月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0161216号的优先权，通过引用将上述专利申请的公开内容结合在此。
技术领域
本公开内容涉及一种包括设置在单个基板上的不同类型的薄膜晶体管的有机发光显示装置。
背景技术
近来,随着显示技术的进步，已经开发了具有优异性能、更加纤薄、重量更轻以及功耗更低的各种显示装置。
显示装置的具体实例包括液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(EPD)装置、电润湿显示(EWD)装置和类似装置。特别地，相较于LCD装置，OLED装置作为具有自发光特性的显示装置，在视角、对比度、响应速度、功耗等方面具有优异的特性。
OLED装置包括设置有用于显示图像的有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的像素电路的显示区域。此外，OLED装置包括邻近于显示区域且其中设置有驱动电路的非显示区域。特别地，多个薄膜晶体管存在于像素电路和驱动电路中，以便驱动多个像素中的有机发光二极管。
薄膜晶体管(TFT)可根据其有源层的材料进行分类。特别地，低温多晶硅(LTPS)TFT和氧化物半导体TFT是常用的。然而，在现有技术的OLED装置中，像素电路和驱动电路中的单个基板上仅使用LTPS TFT或仅使用氧化物半导体TFT。然而，像素电路和驱动电路中仅有LTPS TFT或仅有氧化物半导体TFT导致在OLED装置的性能方面存在某些限制。因此，需要在单个OLED装置中使用不同类型的薄膜晶体管。
发明内容
本公开内容的发明者认识到上述需要并针对在用于OLED显示器的单个基板上使用不同类型的薄膜晶体管进行了研究。结果，发明者设想了一种有机发光显示装置，其中一个或多个多晶硅薄膜晶体管和一个或多个氧化物半导体薄膜晶体管一起形成于单个基板上。
因此，本公开内容要实现的一个目的是在形成多晶硅薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的工艺中，最小化蚀刻产生的对氧化物半导体层的损坏。
本公开内容的目的并不限于上述目的，本领域的普通技术人员根据以下描述将会理解上面未提到的其他目的。
根据本公开内容的一个方面，提供一种包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括基板、设置在基板上的LTPS薄膜晶体管、和设置在基板上的氧化物半导体薄膜晶体管。氧化物半导体薄膜晶体管的源极电极和漏极电极由能够进行湿法蚀刻的材料形成。氧化物半导体薄膜晶体管的源极电极和漏极电极设置在与LTPS薄膜晶体管的源极电极或漏极电极之一不同的层上。与其中氧化物半导体薄膜晶体管的源极电极和漏极电极与LTPS薄膜晶体管的源极电极和漏极电极位于同一层上的结构相比，氧化物半导体薄膜晶体管的有源层的宽度较大。
根据本公开内容的另一方面，提供一种包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括：基板，所述基板被限定为显示区域和位于显示区域一侧上的非显示区域；位于显示区域上的LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管；连接至LTPS薄膜晶体管的有源层的第一电极和第二电极；以及连接至氧化物半导体薄膜晶体管的有源层的第三电极和第四电极。第一电极和第二电极由相互不同的材料组成。第二电极、第三电极和第四电极由相同的材料组成。
其他示例性实施方式的细节将被包括在本发明的详细描述和附图中。
根据本公开内容，可以提供一种具有解决将多类型薄膜晶体管设置在单个基板上时的某些问题的新结构的有机发光显示装置。本文还提供了制造这种新的有机发光显示装置的方法。
具体地，根据本公开内容，氧化物半导体薄膜晶体管的源极电极和漏极电极由能够进行湿法蚀刻的材料形成。因此，可以最小化对氧化物半导体层的损坏。
此外，根据本公开内容，LTPS薄膜晶体管的源极电极和漏极电极设置在彼此不同的层上。因此，可以最大化氧化物半导体层的宽度，这使其性能最大化。
实施方式还涉及一种包括基板和位于基板上的像素的有机发光显示装置。所述像素包括位于基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)、位于基板上的开关TFT、和位于基板上的有机发光二极管(OLED)。驱动TFT包括：包含多晶硅的第一有源层、位于第一有源层上的第一绝缘层、和接触第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极。第一源极电极的至少一部分和第一漏极电极的至少一部分设置在不同的层上。开关TFT电连接至驱动TFT，开关TFT包括含氧化物半导体材料的第二有源层。OLED电连接至驱动TFT。
实施方式还涉及一种包括基板和位于基板上的像素的有机发光显示装置。所述像素包括位于基板上的第一薄膜晶体管(TFT)、位于基板上的第二TFT、和位于基板上的有机发光二极管(OLED)。第一TFT包括：包含第一材料的第一有源层、和接触第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极。第一源极电极的至少一部分和第一漏极电极的至少一部分设置在不同的层上。第二TFT包括含有不同于第一材料的第二材料的第二有源层。第二有源层设置在与第一有源层不同的层上。第二TFT还包括接触第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极。OLED电连接至第一TFT或第二TFT。
实施方式还涉及一种包括基板和位于基板上的像素的有机发光显示装置。所述像素包括位于基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)、位于基板上的开关TFT、和位于基板上的有机发光二极管(OLED)。驱动TFT包括：包含多晶硅的第一有源层、位于第一有源层上的第一绝缘层、和接触第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极。开关TFT电连接至驱动TFT，开关TFT包括含氧化物半导体材料的第二有源层。OLED电连接至驱动TFT。所述像素还包括位于第一有源层上的第二绝缘层、以及位于第二绝缘层和第二有源层上的钝化层。第一漏极电极的至少一部分设置在第二绝缘层上，第一源极电极的至少一部分设置在钝化层上。
本公开内容的效果不限于上述效果，可以推断或实现各种其他效果。
附图说明
从下面结合附图的详细描述将更加清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：
图1是根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的结构。
图2是根据本公开内容的实施方式示意性地图解图1中示出的像素结构的截面图。
图3是根据比较例的氧化物半导体层的截面图。
图4A是图解根据比较例的像素的一部分的示意图。
图4B是图解根据本公开内容的实施方式的像素的一部分的示意图。
图5A至图5C图解根据比较例的形成金属层的工艺。
图6A至图6C图解根据比较例的形成金属层的工艺。
具体实施方式
从下面参照附图描述的示例性实施方式将更清楚地理解本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容不限于以下示例性实施方式，而是可以以各种不同的形式实现。提供这些示例性实施方式仅仅是为了使本公开内容完整并且将本公开内容的范围充分提供给本公开内容所述领域的普通技术人员，并且本公开内容将由所附权利要求限定。
在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，本公开内容并不局限于此。在整个说明书中，相似的参考标记通常表示相似的元件。此外，在下面的描述中，可能省略对某些相关技术的详细解释，以避免不必要地使本公开内容的主题模糊不清。本文中使用的术语诸如“包括”、“具有”、“由……组成”通常意指允许添加其他部件，除非该术语与术语“仅”一起使用。任何对单数元素的引用可包括复数个元素，除非另有明确说明。
组分被解释为包括一般的误差容限或误差范围，即使没有明确说明。
当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”这些术语来描述两个部件之间的位置关系时，可在这两个部件之间设置一个或多个部件，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当一个元件或层被称为位于另一元件或层“上”或“上方”时，其可直接位于其他元件或层上，或者可以存在中间元件或层。
尽管使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅仅是用来将一个部件与其他部件区彼此分开。因此，在本公开内容的技术构思内，以下提到的第一部件可以是第二部件。
在整个说明书中，相同的参考标记通常表示相同的元件。
由于附图中示出的各个部件的尺寸和厚度不是按比例的，因此本公开内容不必局限于图示的各个部件的尺寸和厚度。
如本领域的普通技术人员能够充分理解的，本公开内容的各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上以各种方式进行互锁和操作，各实施方式能够独立地实施或相互关联地实施。
下文中，将参照附图详细地描述本公开内容的各个示例性实施方式。
在根据本公开内容的各个实施方式的分别包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置中，至少两种类型的薄膜晶体管(其中每一TFT类型的有源层材料不同于另一TFT类型的有源层材料)形成于同一基板上。多类型薄膜晶体管是指形成于单个基板上的不同类型的薄膜晶体管。在此，包括由多晶硅材料形成的有源层的薄膜晶体管和包括由金属氧化物形成的有源层的薄膜晶体管被用作所述至少两种类型的薄膜晶体管。
在根据本公开内容的各个实施方式的具有多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置中，LTPS薄膜晶体管采用低温多晶硅作为其有源层。多晶硅材料具有高迁移率、低功耗和优异的可靠性。因此，LTPS薄膜晶体管可用在OLED显示器中操作二极管所使用的栅极驱动器和/或多路复用器(MUX)中。因此，举例而言，LTPS薄膜晶体管可被用作有机发光显示装置的像素的每一个内的驱动薄膜晶体管。
此外，在根据本公开内容的各个实施方式的具有多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置中，氧化物半导体薄膜晶体管具有由氧化物半导体材料形成的有源层。氧化物半导体材料具有比硅材料大的带隙，因此在截止状态时电子不能容易地跨越带隙，导致低截止电流。因此，氧化物半导体薄膜晶体管适用于在显示装置的操作中保持导通较短时间并且保持截止较长时间的开关薄膜晶体管。此外，由于截止电流低，因此可减小次级电容的尺寸。因此，氧化物半导体薄膜晶体管适用于高分辨率显示装置。
在根据本公开内容的各个实施方式的具有多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置中，具有不同特性的LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管设置在同一基板上。因此，可以对整个显示装置提供最佳功能。
图1是根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的结构图。
图1中所示的有机发光显示装置包括显示面板2，在显示面板2上设置有多条栅极线GL、多条数据线DL、像素1、栅极驱动器4、数据驱动器3和时序控制器5。栅极驱动器4经由多条栅极线GL向像素1传输驱动信号。数据驱动器3经由多条数据线DL向像素1传输数据电压。时序控制器5对图像数据RGB提供时序控制并且将图像数据RGB提供至数据驱动器3。此外，时序控制器5输出用于控制栅极驱动器4和数据驱动器3的栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS。
在本公开内容的实施方式中，每个像素1包括有机发光二极管(OLED)和像素驱动电路，所述像素驱动电路包括用于向OLED提供驱动电流的驱动晶体管，因而独立地驱动OLED。此外，像素驱动电路能够补偿驱动晶体管的电学特性(诸如阈值电压(Vth)和迁移率)的差异。此外，像素驱动电路能够降低由提供至OLED的各电流的差值导致的像素1之间的亮度差异。
显示面板2包括多条栅极线GL和多条数据线DL。多条栅极线GL可沿着第一方向延伸，多条数据线DL可沿着与第一方向交叉的第二方向延伸。多个像素1可设置在线GL与DL的交叉处或附近。每个像素1包括OLED和像素驱动电路。此外，每个像素1连接至栅极线GL、数据线DL、高电位(VDD)电源线VDDL和低电位(VSS)电源线VSSL。电源线VDDL和VSSL也可在基板上沿着第一方向或第二方向延伸。特别地，高电位电源线VDDL可由具有低电阻率的材料形成。
栅极驱动器4响应于由时序控制器5提供的多个栅极控制信号GCS，将多个栅极信号提供至多条栅极线GL。多个栅极信号包括第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2。这些信号经由多条栅极线GL被提供至每个像素1。高电位电压(VDD)具有比低电位电压(VSS)高的电压。低电位电压(VSS)可以是接地电压。
数据驱动器3响应于由时序控制器5提供的多个数据控制信号DCS，利用伽马基准电压将从时序控制器5输入的数字图像数据RGB转换为数据电压Vdata。接着，数据驱动器3将转换的数据电压Vdata提供至多条数据线DL。同时，在每个像素1的编程(时间)周期期间，数据驱动器3输出数据电压Vdata。
时序控制器5处理图像数据RGB，以便与显示面板2的尺寸和分辨率匹配，随后将图像数据RGB提供至数据驱动器3。时序控制器5利用同步信号SYNC，例如点时钟DCLK、数据使能信号DE、水平同步信号Hsync和垂直同步信号Vsync，产生多个栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS。此外，时序控制器5将产生的栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS分别提供至栅极驱动器4和数据驱动器3，从而控制栅极驱动器4和数据驱动器3。
下文中，将更详细地描述根据本公开内容的实施方式的像素。
图2是示意性地图解图1中所示的像素结构的截面图。
参照图2，将描述有机发光显示装置中的像素1的结构。如图2所示，根据本公开内容的示例性实施方式的像素1包括基板210、缓冲层211、LTPS薄膜晶体管220、氧化物半导体薄膜晶体管230、存储电容器240和OLED 260。
此外，根据本公开内容的实施方式的像素1包括活性缓冲层212、LTPS栅极绝缘层213、层间绝缘层214、氧化物半导体栅极绝缘层215、钝化层216、外涂层217、堤部270和封装单元280。
下文中，将详细地描述有机发光显示装置200的每个部件。
基板210(即，阵列基板)支撑有机发光显示装置200的各个部件。基板210可由具有柔性的塑料或玻璃形成。例如，当基板210由聚酰亚胺(PI)形成时，可在由固态玻璃形成的临时的支撑基板被设置在基板210下方的状态下，执行有机发光显示装置的制造工艺。在这种情况下，在制造工艺期间支撑基板稍后被移除。此外，在支撑基板被移除之后，用于支撑基板210的背板可设置在基板210下方。
可在基板210上限定显示区域和非显示区域。显示区域是设置有像素1以经由有机发光显示装置200显示图像的区域。非显示区域是除显示区域之外的区域，可邻近于或位于显示区域的至少一侧上。在非显示区域中，设置有用于驱动像素1的各种电路、线路等。
接着，缓冲层211可形成于基板210的整个表面上。也就是说，缓冲层211可形成于基板210的整个显示区域和非显示区域上。缓冲层211可具有其中沉积有多个薄膜的结构。在此，为了方便将缓冲层211描述为单层。例如，缓冲层211可由不显著影响OLED的氧化硅(SiOx)形成。此外，缓冲层211位于非显示区域的一部分可具有呈沟槽、壁等形状的特定图案，以防止或最小化弯曲过程中可能产生的裂纹或其他损坏。
接着，底部屏蔽金属(下文中，称为“BSM”)250可形成于缓冲层211上。BSM 250可被定位成与充当像素1的驱动薄膜晶体管的LTPS薄膜晶体管220重叠。BSM 250可由钼(Mo)材料制成。
BSM 250能够基本上防止在基板210的表面上产生电荷并且能够阻挡来自外部光源的不期望的光。
具体地说，在根据本公开内容的实施方式的像素1中，包括驱动晶体管DT在内的各种薄膜晶体管的有源层可能会受到用于从阵列基板(塑料)移除临时的支撑基板(玻璃)的激光剥离工艺的损坏。此外，由于这种激光能量和/或来自外部光源的不期望的光导致可能在牺牲层中产生负电荷捕集。因而，正(+)电荷可从聚酰亚胺(PI)基板210朝向牺牲层移动或传输。因此，在基板210的表面处不期望的电位增加，这导致流入晶体管中的电流不期望地减少。
此外，当LTPS薄膜晶体管220截止时，连接至OLED的LTPS薄膜晶体管220的源极电极221保持在浮置状态。在这种情况下，随着基板210的表面处的电位增加，可在基板210和LTPS薄膜晶体管220的源极电极221之间产生寄生电容。这样，源极电极221可受到该寄生电容的持续影响。因而，流入LTPS薄膜晶体管220的源极电极221中的电流可因寄生电容而不期望地改变。因此，可产生所谓的图像残留效应。
在激光剥离工艺之后，当包括基板210的有机发光显示装置200的像素1被驱动时，由诸如聚酰亚胺(PI)之类的塑料基聚合物材料形成的基板210可能会产生热量。因而，从基板210产生的电荷可移动或传输。这些电荷影响薄膜晶体管的有源层，从而降低有机发光显示装置200的可靠性。
如图2所示，BSM 250可连接至LTPS薄膜晶体管220的源极电极221并且可被施加与源极电极221相同的电压。因此，可以解决上述图像残留效应或薄膜晶体管的驱动电流减少的电流下降问题。然而，本公开内容并不限于此。BSM 250可连接至LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224或栅极电极223，或者可以是电浮置的。
接着，用来保护LTPS薄膜晶体管220的有源层222的活性缓冲层212设置在缓冲层211上并且覆盖BSM 250。活性缓冲层212可仅形成于基板210的显示区域中。活性缓冲层212可由与缓冲层211相同的材料形成。
接着，LTPS薄膜晶体管220设置在活性缓冲层212上。LTPS薄膜晶体管220可包括有源层222、栅极电极223、源极电极221和漏极电极224。LTPS薄膜晶体管220的有源层222由多晶硅形成。栅极电极223、源极电极221和漏极电极224由导电金属材料形成。
LTPS薄膜晶体管220的有源层222设置在活性缓冲层212上。LTPS薄膜晶体管220的有源层222包括当LTPS薄膜晶体管220被驱动时形成沟道的沟道区域CA以及位于沟道区域CA的两个远端的源极区域SA和漏极区域DA。沟道区域CA、源极区域SA和漏极区域DA由离子掺杂(杂质掺杂)限定。
此外，在图2中所示的有机发光显示装置200中，可省略BSM 250和活性缓冲层212。在这种情况下，LTPS薄膜晶体管220的有源层222可设置在缓冲层211上。
LTPS薄膜晶体管220的有源层222包含多晶硅。非晶硅(a-Si)材料沉积在缓冲层211上，并且对所述非晶硅(a-Si)材料执行脱氢工艺和结晶工艺，从而形成多晶硅。有源层222是通过图案化多晶硅形成的。此外，在形成层间绝缘层214之后，进一步执行活化工艺和加氢工艺，从而完成有源层222。
接着，LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213设置在LTPS薄膜晶体管220的有源层222和缓冲层211上。LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213可形成为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或者形成为氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)多层。在LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213中形成接触孔，LTPS薄膜晶体管220的源极电极221和漏极电极224分别经由所述接触孔与LTPS薄膜晶体管220的有源层222的源极区域SA和漏极区域DA接触。源极电极221的至少一部分和漏极电极224的至少一部分设置在不同的层中。源极电极221和漏极电极224可由不同的材料形成。
接着，LTPS薄膜晶体管220的栅极电极223设置在LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213上。诸如钼(Mo)之类的金属层形成于LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213上，LTPS薄膜晶体管220的栅极电极223通过图案化所述金属层形成。LTPS薄膜晶体管220的栅极电极223设置在LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213上。栅极电极223可与LTPS薄膜晶体管220的有源层222的沟道区域CA重叠。
参照图2，氧化物半导体薄膜晶体管230包括有源层232、栅极电极233、源极电极231和漏极电极234。有源层232由氧化物半导体形成。在一个实施方式中，使用湿法蚀刻工艺形成氧化物半导体的有源层232。栅极电极233、源极电极231和漏极电极234由导电金属形成。如上所述，氧化物半导体薄膜晶体管230可以是像素电路中的开关薄膜晶体管。
参照图2，氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极233形成于LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213上。导电金属层形成于LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213上，通过图案化所述金属层形成氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极233。
LTPS薄膜晶体管220的栅极电极223和氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极233可设置在同一层上或者可通过相同的工艺同时形成。也就是说，金属层可形成于LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213上，然后被图案化以同时形成LTPS薄膜晶体管220的栅极电极223和氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极233。因此，LTPS薄膜晶体管220的栅极电极223和氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极233可由相同的材料在同一层上形成为相同的厚度。由于LTPS薄膜晶体管220的栅极电极223和氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极233通过相同的工艺同时形成，因此可减少处理时间，并且减少掩模的数量。因此，还可以降低处理成本。然而，本公开内容并不限于此。例如，LTPS薄膜晶体管220的栅极电极可设置在有源层222下方，或者氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极可设置在有源层232上。此外，LTPS薄膜晶体管220的栅极电极和氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极可设置在LTPS薄膜晶体管220的有源层222和氧化物半导体薄膜晶体管230的有源层232之间的彼此不同的层上。
接着，层间绝缘层214设置在LTPS薄膜晶体管220的栅极电极223上。层间绝缘层214可由氮化硅(SiNx)形成。在加氢工艺过程中，层间绝缘层214中包含的氢可扩散到LTPS薄膜晶体管220的有源层222中。为此，层间绝缘层214可由具有高氢含量的氮化硅(SiNx)形成。加氢工艺是一种用氢填充LTPS薄膜晶体管220的有源层222中的空位以稳定有源层222的工艺。
在层间绝缘层214中，形成有一个或更多个接触孔。层间绝缘层214的接触孔可允许LTPS薄膜晶体管220的源极电极221或漏极电极224分别连接至LTPS薄膜晶体管220的有源层222的源极区域SA或漏极区域DA。
接着，在层间绝缘层214上设置氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215。氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215可由氧化硅(SiOx)形成，但并不限于此。氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215可由比层间绝缘层214含氢少的材料形成。例如，氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215可由具有能够有效地阻挡氢扩散的品质或特性的材料形成。当氧化物半导体层232暴露于氢时，氧化物半导体薄膜晶体管230的有源层232可被氢化。因此，氧化物半导体薄膜晶体管230的阈值电压Vth可改变。
在氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215中，形成有一个或更多个接触孔。栅极绝缘层215的接触孔可允许LTPS薄膜晶体管220的源极电极221或漏极电极224分别连接至LTPS薄膜晶体管220的有源层222的源极区域SA或漏极区域DA。
接着，在氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215上设置氧化物半导体薄膜晶体管230的有源层232。氧化物半导体薄膜晶体管230的有源层232由金属氧化物形成，并且可由诸如IGZO之类的各种金属氧化物形成。氧化物半导体薄膜晶体管230的有源层232可通过以下方法形成：在氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215上沉积金属氧化物，对其执行热处理以便稳定化，并图案化金属氧化物。因此，层间绝缘层214和栅极绝缘层215可设置在LTPS TFT 220的栅极电极223之上，且设置在氧化物半导体薄膜晶体管230的有源层232下方。
接着，在氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215上设置LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224以及氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234。在氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215上形成诸如钼(Mo)之类的金属层，然后对金属层进行图案化以形成LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224以及氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234。LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224以及氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234可通过相同的工艺同时形成。因此，LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224的至少一部分、氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234的至少一部分可由于相同的图案化工艺而直接形成在栅极绝缘层215上。通过湿法蚀刻来执行用于形成LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224以及氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234的图案化工艺。相较于干法蚀刻工艺，用于形成漏极电极224、源极电极231和漏极电极234的湿法蚀刻剂在执行蚀刻时减少对有源层232的损坏。在一个实施方式中，用于漏极电极224、源极电极231和漏极电极234的湿法蚀刻剂不同于用于形成氧化物半导体有源层232的湿法蚀刻剂。LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224、以及氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234可含有钼(Mo)并且可形成为约
Figure BDA0001385544200000121
的厚度。
LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224通过LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213、层间绝缘层214和氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215中形成的接触孔连接至LTPS薄膜晶体管220的有源层222的漏极区域DA。
有源层232可通过欧姆接触电连接至氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234。
上述LTPS薄膜晶体管220的源极电极221和漏极电极224可互相颠倒。例如，根据电流流动的方向，图2中示出的LTPS薄膜晶体管220的源极电极221可变为漏极电极，或者LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224可变为源极电极。此外，以上描述同样可适用于氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234。
接着，在氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234上设置钝化层216。钝化层216被设置成覆盖氧化物半导体薄膜晶体管230的所有的源极电极231、漏极电极234、有源层232和栅极绝缘层215。此外，当钝化层216被设置成与有源层232直接接触时，钝化层216可由具有低氢含量的材料形成，以尽量减少有源层232暴露于氢。例如，钝化层216可由氧化硅(SiOx)材料形成，但并不限于此。此外，在钝化层216中形成接触孔，LTPS薄膜晶体管220的源极电极221通过所述接触孔连接至有源层222。
接着，LTPS薄膜晶体管220的源极电极221设置在钝化层216上。源极电极221可设置在与设置有高电位电源线VDDL或数据线DL相同的层上。因此，LTPS薄膜晶体管220的源极电极221可与高电位电源线VDDL或数据线DL形成在同一层上并且由相同的材料形成。高电位电源线VDDL需要没有损失地传输高电位电压VDD遍及较大区域。此外，数据线DL需要没有损失地传输数据信号至远处的像素。因此，高电位电源线VDDL或数据线DL可由具有低电阻率或较大厚度的材料，诸如铝(Al)形成。高电位电源线VDDL和LTPS薄膜晶体管220的源极电极221可形成为包括铝(Al)在内的多层结构。例如，高电位电源线VDDL和LTPS薄膜晶体管220的源极电极221可形成为包括钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)依次层压的三层结构。铝(Al)是易受腐蚀的金属。因此，铝(Al)的上部和下部可通过钛(Ti)进行保护。高电位电源线VDDL和LTPS薄膜晶体管220的源极电极221可形成为约
Figure BDA0001385544200000131
的厚度。
LTPS薄膜晶体管220的源极电极221通过在LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213、层间绝缘层214、氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215和钝化层216中形成的接触孔连接至LTPS薄膜晶体管220的有源层222的源极区域SA。如图2所示，当在LTPS薄膜晶体管220下方进一步设置BSM250时，LTPS薄膜晶体管220的源极电极221可通过在LTPS薄膜晶体管220的栅极绝缘层213、层间绝缘层214、氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215、钝化层216和活性缓冲层212中形成的接触孔连接至BSM 250。
因此，漏极电极224的至少一部分可直接形成在氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215上，源极电极221的至少一部分可直接形成在钝化层216上，从而使漏极电极224和源极电极221形成在不同的层上。此外，由于LTPS TFT 220的源极电极221形成在与高电位电源线VDDL或数据线DL相同的层中，因此高电位电源线VDDL或数据线DL可直接设置在钝化层216上。
接着，在钝化层216上设置外涂层217。外涂层217可以是用来平坦化LTPS薄膜晶体管220和氧化物半导体薄膜晶体管230的上部的有机层。为了便于说明，图2示出外涂层217下方的各个绝缘层的表面是平坦的。然而，实际上，可能存在由LTPS薄膜晶体管220和氧化物半导体薄膜晶体管230的部件或外来物质导致的表面高度差异、不规则或台阶。因此，通过平坦化LTPS薄膜晶体管220和氧化物半导体薄膜晶体管230的上部或者使其上设置有机发光二极管260的表面上的这些不规则或台阶最小化，有机发光二极管260可形成为更具可靠性。此外，也可省略外涂层217。
参照图2，在基板210上设置存储电容器240。存储电容器240包括设置在氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极绝缘层215上的第一电极241和形成于钝化层216上的第二电极242。存储电容器240的第一电极241可由与氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234相同的材料同时形成。此外，存储电容器240的第二电极242可由与LTPS薄膜晶体管220的源极电极221相同的材料同时形成。因此，第二电极242可设置在钝化层216上。
在根据图2所示的实施方式的有机发光显示装置200中，存储电容器240被图示为包括第一电极241和第二电极242。然而，本公开内容并不限于此。存储电容器240可进一步包括多个辅助电极。例如，存储电容器240可包括与LTPS薄膜晶体管220的有源层222形成在同一层上的第三电极。此外，存储电容器240可进一步包括与氧化物半导体薄膜晶体管230的栅极电极233形成在同一层上的第四电极。
同时，在外涂层217中形成有接触孔，存储电容器240的第二电极242通过所述接触孔连接至阳极261。
接着，在外涂层217上设置有机发光二极管260。有机发光二极管260形成于外涂层217上并且包括阳极261、设置在阳极261上的有机层262、和形成于有机层262上的阴极263。有机层262被配置成发射特定颜色的光并且可包括红色有机发光层、绿色有机发光层、蓝色有机发光层、和白色有机发光层之一。当有机层262包括白色有机发光层时，可在有机发光二极管260上设置滤色器，所述滤色器将来自白色有机发光层的白光转换为不同颜色的光。此外，有机层262除有机发光层之外可进一步包括各种有机层，诸如空穴传输层、空穴注入层、电子注入层、电子传输层等。这些层可以是独立的、结合在一起的、和/或它们的一些功能可结合到特定层中。
参照图2，在外涂层217上设置堤部270，以便覆盖阳极261的两端。堤部270由绝缘材料形成并且通过将显示区域中邻近的像素区域隔开而限定像素区域。接着，在有机发光二极管260和堤部270上设置封装单元280。封装单元280保护有机发光二极管260免受湿气影响。封装单元280可包括无机层和有机层。具体地，封装单元280可包括多个无机层。
如上所述，图2中所示的LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224由与氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234相同的材料形成。例如，LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224可由钼(Mo)形成。可通过湿法蚀刻工艺对钼进行蚀刻。湿法蚀刻工艺可蚀刻钼，而不会对氧化物半导体薄膜晶体管230的有源层232造成损坏。图2中所示的氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234形成为与有源层232接触。因此，如果在形成氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234时氧化物半导体薄膜晶体管230的有源层232被损坏，则氧化物半导体薄膜晶体管230的可靠性会降低。
图3是根据比较例的氧化物半导体层的截面图。
图3是一截面图，图解了在氧化物半导体层332上形成能够被干法蚀刻的金属材料层，随后通过干法蚀刻工艺形成金属图案331。在图3所示的比较例中，依次包括钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)的三层被用作金属材料层。图3中所示的金属图案331对应于氧化物半导体薄膜晶体管的源极电极或漏极电极。参照图3，可以看出，氧化物半导体层332与金属图案331重叠的区域的厚度D1不同于氧化物半导体层332未与金属图案331重叠的区域的厚度D2。也就是说，可以看出，在干法蚀刻工艺中暴露于空气的氧化物半导体层332变得比未暴露的氧化物半导体层332更薄。这表明在干法蚀刻工艺期间氧化物半导体层332的一部分可能会受到物理损坏。氧化物半导体层332的物理损坏可随氧化物半导体层332在干法蚀刻工艺期间暴露多久或干法蚀刻的强度而定。图3图解了一个示例，其中氧化物半导体层332被干法蚀刻损坏，导致氧化物半导体层332的厚度减小。然而，氧化物半导体层332的表面可被不规则地损坏，因而可以是不平坦的。氧化物半导体层332可被部分或全部移除。
参照图3，在金属图案331上形成绝缘层333。在这种情况下，绝缘层333对应于图2中所示的钝化层216。随着金属图案331的厚度增加，变得很难在金属图案331的整个表面上形成绝缘层333达均匀的厚度。具体地，在金属图案331的倾斜侧表面上形成的绝缘层333可比在金属图案331的上表面上形成的绝缘层333的厚度小。此外，绝缘层333可不形成在金属图案331的倾斜侧表面的截面上。当绝缘层333厚度较小或厚度不均匀或不形成在金属图案331的倾斜侧表面上时，金属图案331可被暴露，从而被氧化。此外，在后续的蚀刻工艺中，金属图案331可经历不期望的蚀刻。或者，在相邻层之间无意地产生电连接。
因此，氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234可由能够通过湿法蚀刻被蚀刻的金属材料形成。此外，源极电极231和漏极电极234可形成为具有较小的厚度，以在位于平坦部分上的一部分钝化层216与位于氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234的倾斜部分上的一部分钝化层216之间，使钝化层216具有较小的厚度差异。为此，在本公开内容的实施方式中，氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234由钼(Mo)形成并且沉积为
Figure BDA0001385544200000161
的厚度。然而，本公开内容并不限于此。氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极231和漏极电极234可形成为能够通过不损坏氧化物半导体层232的蚀刻法被蚀刻的金属层。
图4A是图解根据比较例的像素的一部分的示意图，图4B是图解根据本公开内容的实施方式的像素的一部分的示意图。图5A至图5C图解根据比较例的形成金属层的工艺，图6A至图6C图解根据比较例的形成金属层的工艺。
参照图4A，氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极421或漏极电极441可被设置成邻近于高电位电源线(VDDL)410。此外，氧化物半导体层431设置在源极电极421和漏极电极441之间。氧化物半导体层431可与源极电极421或漏极电极441的一部分重叠。用虚线表示的区域400是氧化物半导体薄膜晶体管可位于像素内的适用区域(affordable area)。
一般而言，晶体管的漏极电极和源极电极之间的电流Ids通过以下方程式表示。
[方程式]
Ids＝1/2*(μ*C*W/L)*(Vgs-Vth)2
在该方程式中，μ表示电子迁移率，C表示栅极绝缘层的电容，W表示晶体管的沟道宽度，L表示晶体管的沟道长度。此外，Vgs表示晶体管的栅极电极和源极电极之间的电压差，Vth表示晶体管的阈值电压(或临界电压)。
在该方程式中，电流Ids与晶体管的沟道宽度成正比，并且与晶体管的沟道长度成反比。在图4A中，晶体管的沟道宽度是氧化物半导体层431的宽度，晶体管的沟道长度是源极电极421和漏极电极441的相对界面之间的距离。尽管可减小沟道长度以增加晶体管的电流Ids，但沟道长度根据半导体层元件的特性而受到限制。因此，在减小沟道长度方面存在限制。此外，可增大沟道宽度以增加晶体管的电流Ids。然而，图4A中所示的高电位电源线410以及源极电极421或漏极电极441设置在同一层上，因此，高电位电源线410需要与源极电极421或漏极电极441间隔开一特定距离。
图5A至图5C图解了在同一层上形成两个金属层的工艺。在形成于基板510上的金属材料层520的整个表面上沉积光刻胶530。接着，在光刻胶530上设置掩模540，以使光刻胶530形成为图案。暴露于穿过掩模540的开口的光的光刻胶530根据光刻胶图案531被图案化。在这种情况下，由于光的衍射，光刻胶图案531可形成为比掩模540的孔(开口)大。在这种情况下，为了使光刻胶图案531互不重叠，金属图案521之间需要特定距离B。距离B可随工艺或装置而变化，但可以是约2μm。
图6A至图6C图解了金属图案621之间的距离B’被设置成小于允许范围的情形。在这种情况下，光刻胶630会留在金属图案621之间，即，留在光刻胶630不期望被留下的区域中，因而可如图6B所示形成不期望的光刻胶图案631。因此，金属材料层620不适当地被蚀刻。当存在金属材料层620未被蚀刻的区域时，可能会发生不希望的短路。因此，有机发光显示装置200可能不能正常的运作。
在图5A至图6C中，以其中暴露于光的光刻胶形成为图案的正性光刻胶作为示例进行了描述。在其中未暴露于光的光刻胶形成为图案的负性光刻胶中，金属图案之间以同样的方式需要特定距离。
因此，如图4A所示，设置在同一层上的相邻的金属图案410和421可被设置为彼此间隔开特定距离A。因此，由于氧化物半导体薄膜晶体管需要被设置在有限区域400内并且源极电极421或漏极电极441还需要与高电位电源线(VDDL)间隔开多达特定距离A，因此很难增大氧化物半导体层431的宽度。
再次参照图2，根据本公开内容的实施方式的LTPS薄膜晶体管220的源极电极221和漏极电极224设置在彼此不同的层上。此外，高电位电源线(VDDL)与LTPS薄膜晶体管220的源极电极221设置在同一层上并且由相同的材料形成。LTPS薄膜晶体管220的源极电极221和高电位电源线VDDL可形成为包括钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)或钼(Mo)/铝(Al)/钼(Mo)的三层。此外，LTPS薄膜晶体管220的漏极电极224可由能够被湿法蚀刻的金属形成。例如，漏极电极224可由钼形成。
参照图2和图4B，高电位电源线410和氧化物半导体薄膜晶体管230的源极电极422设置在彼此不同的层上。因此，没有对于相邻的金属图案之间的上述距离限制。因此，高电位电源线410和源极电极422(或漏极电极442)可被设置成比图4A所示的彼此更靠近。在一些情况下，高电位电源线410的至少一部分与源极电极422(或漏极电极442)的至少一部分可彼此重叠。因此，氧化物半导体层432可被设定成具有较大宽度，并且晶体管的电流Ids可进一步增加。
本公开内容的实施方式也可描述如下：
实施方式涉及一种包括基板和位于基板上的像素的有机发光显示装置。所述像素包括位于基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)和位于基板上的开关TFT。驱动TFT包括：包含多晶硅的第一有源层、位于第一有源层上的第一绝缘层、以及电连接至第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极。第一源极电极的至少一部分和第一漏极电极的至少一部分设置在不同的层上。开关TFT电连接至驱动TFT。开关TFT包括含氧化物半导体材料的第二有源层。所述像素还包括位于基板上的有机发光二极管(OLED)。OLED电连接至驱动TFT。
在一个实施方式中，所述第一源极电极和所述第一漏极电极包括不同的材料。
在一个实施方式中，所述驱动TFT进一步包括位于基板上的与第一有源层重叠的第一栅极电极，所述有机发光显示装置进一步包括位于第一栅极电极上的第二绝缘层以及位于第二绝缘层和第二有源层上的钝化层。第一漏极电极的所述部分直接位于第二绝缘层上，第一源极电极的所述部分直接位于钝化层上。
在一个实施方式中，开关TFT进一步包括电连接至第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极。第二源极电极的至少一部分或第二漏极电极的至少一部分设置在与第一漏极电极的所述部分相同的层上。
在一个实施方式中，所述有机发光显示装置进一步包括在基板上沿着第一方向延伸的电源线。所述电源线设置在与第一源极电极的所述部分相同的层上。
在一个实施方式中，所述有机发光显示装置进一步包括在基板上沿着第一方向延伸的数据线、和在基板上沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的栅极线。像素设置在栅极线与数据线的交叉处。数据线设置在与第一源极电极的所述部分相同的层上。
在一个实施方式中，所述有机发光显示装置进一步包括位于基板上的存储电容器。存储电容器包括电连接至开关TFT的第一电容器电极和电连接至OLED的第二电容器电极。第一电容器电极设置在与第一漏极电极的所述部分相同的层上。
在一个实施方式中，第二电容器电极设置在与第一源极电极的所述部分相同的层上。
在一个实施方式中，驱动TFT进一步包括位于基板上的与第一有源层重叠的第一栅极电极。开关TFT进一步包括设置在与第一栅极电极相同的层上的第二栅极电极。
实施方式还涉及一种包括基板和位于基板上的像素的有机发光显示装置。所述像素包括位于基板上的第一薄膜晶体管(TFT)。第一TFT包括：包含第一材料的第一有源层、以及电连接至第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极。第一源极电极的至少一部分和第一漏极电极的至少一部分设置在不同的层上。所述像素还包括位于基板上的第二TFT。第二TFT包括含有不同于第一材料的第二材料的第二有源层。第二有源层设置在与第一有源层不同的层上，第二源极电极和第二漏极电极电连接至第二有源层。所述像素还包括位于基板上的有机发光二极管(OLED)。OLED电连接至第一TFT或第二TFT。
在一个实施方式中，所述第一材料是多晶硅。
在一个实施方式中，所述第二材料是氧化物半导体材料。
在一个实施方式中，所述第一源极电极和所述第一漏极电极包括不同的材料。
在一个实施方式中，所述有机发光显示装置进一步包括在基板上沿着第一方向延伸的电源线。所述电源线设置在与第一源极电极的所述部分相同的层上。
在一个实施方式中，所述第二源极电极的至少一部分和所述第二漏极电极的至少一部分设置在与所述第一漏极电极的所述部分相同的层上。
在一个实施方式中，所述电源线的至少一部分与所述第二源极电极的至少一部分或所述第二漏极电极的至少一部分重叠。
实施方式还涉及一种包括基板和位于基板上的像素的有机发光显示装置。所述像素包括位于基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)。驱动TFT包括：包含多晶硅的第一有源层、位于第一有源层上的第一绝缘层、以及接触第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极。所述像素还包括位于基板上的开关TFT。开关TFT电连接至驱动TFT，开关TFT包括含氧化物半导体材料的第二有源层。所述像素还包括位于基板上的有机发光二极管(OLED)。OLED电连接至驱动TFT。所述像素还包括位于第一有源层上的第二绝缘层、以及位于第二绝缘层和第二有源层上的钝化层。第一漏极电极的至少一部分设置在第二绝缘层上，第一源极电极的至少一部分设置在钝化层上。
尽管已参照附图详细地描述了本公开内容的各实施方式，但本公开内容并不限于此，而是在不背离本公开内容的技术构思的情况下可以多种不同的形式实现。因此，提供本公开内容的实施方式仅用于举例说明目的，而并不意在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围并不限于此。本公开内容的保护范围应当基于以下权利要求进行解释，在权利要求等同范围内的所有技术构思应当被认为落入本公开内容的范围内。

Claims (15)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
位于所述基板上的像素，所述像素包括：
位于所述基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括：
包含多晶硅的第一有源层，
位于所述第一有源层上的第一绝缘层，
位于所述第一有源层上的第二绝缘层，
钝化层，和
电连接至所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极，其中所述第一源极电极的至少一部分直接设置在所述钝化层上，所述第一漏极电极的至少一部分直接设置在所述第二绝缘层上；
位于所述基板上的开关薄膜晶体管，其中所述开关薄膜晶体管电连接至所述驱动薄膜晶体管，并且其中所述开关薄膜晶体管包括含氧化物半导体材料的第二有源层；
与所述第二有源层重叠的所述开关薄膜晶体管的栅极电极，其中，所述第二绝缘层设置在所述第二有源层和所述开关薄膜晶体管的栅极电极之间；和
位于所述基板上的有机发光二极管(OLED)，
其中所述有机发光二极管电连接至所述驱动薄膜晶体管，
其中所述钝化层位于所述第二绝缘层和所述第二有源层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极包括不同的材料。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述驱动薄膜晶体管进一步包括位于所述基板上的与所述第一有源层重叠的第一栅极电极。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述开关薄膜晶体管进一步包括：
电连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极，其中所述第二源极电极的至少一部分或所述第二漏极电极的至少一部分设置在与所述第一漏极电极的所述部分相同的层上。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：
在所述基板上沿着第一方向延伸的电源线，
其中所述电源线设置在与所述第一源极电极的所述部分相同的层上。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：
在所述基板上沿着第一方向延伸的数据线；和
在所述基板上沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸的栅极线，其中所述像素设置在所述栅极线与所述数据线的交叉处，并且其中所述数据线设置在与所述第一源极电极的所述部分相同的层上。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括位于所述基板上的存储电容器，所述存储电容器包括：
电连接至所述开关薄膜晶体管的第一电容器电极；和
电连接至所述有机发光二极管的第二电容器电极，
其中所述第一电容器电极设置在与所述第一漏极电极的所述部分相同的层上。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述第二电容器电极设置在与所述第一源极电极的所述部分相同的层上。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述驱动薄膜晶体管进一步包括位于所述基板上的与所述第一有源层重叠的第一栅极电极，并且其中所述开关薄膜晶体管进一步包括设置在与所述第一栅极电极相同的层上的第二栅极电极。
10.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
位于所述基板上的像素，所述像素包括：
位于所述基板上的第一薄膜晶体管(TFT)，所述第一薄膜晶体管包括：
包含多晶硅的第一有源层，
位于所述第一有源层上的第二绝缘层，
钝化层，和
电连接至所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极，其中所述第一源极电极的至少一部分直接设置在所述钝化层上，所述第一漏极电极的至少一部分直接设置在所述第二绝缘层上；
位于所述基板上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：
含有氧化物半导体材料的第二有源层，其中所述第二有源层设置在与所述第一有源层不同的层上，
电连接至所述第二有源层的第二源极电极和第二漏极电极，和
与所述第二有源层重叠的所述第二薄膜晶体管的栅极电极，其中，所述第二绝缘层设置在所述第二有源层和所述第二薄膜晶体管的栅极电极之间；和
位于所述基板上的有机发光二极管(OLED)，
其中所述有机发光二极管电连接至所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管，
其中所述钝化层位于所述第二绝缘层和所述第二有源层上。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极包括不同的材料。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，进一步包括：
在所述基板上沿着第一方向延伸的电源线，其中所述电源线设置在与所述第一源极电极的所述部分相同的层上。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中所述第二源极电极的至少一部分和所述第二漏极电极的至少一部分设置在与所述第一漏极电极的所述部分相同的层上。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述电源线的至少一部分与所述第二源极电极的至少一部分或所述第二漏极电极的至少一部分重叠。
15.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
位于所述基板上的像素，所述像素包括：
位于所述基板上的驱动薄膜晶体管(TFT)，所述驱动薄膜晶体管包括：
包含多晶硅的第一有源层，
位于所述第一有源层上的第一绝缘层，和
接触所述第一有源层的第一源极电极和第一漏极电极，
位于所述基板上的开关薄膜晶体管，其中所述开关薄膜晶体管电连接至所述驱动薄膜晶体管，并且其中所述开关薄膜晶体管包括含氧化物半导体材料的第二有源层；
与所述第二有源层重叠的所述开关薄膜晶体管的栅极电极；
位于所述基板上的有机发光二极管(OLED)，其中所述有机发光二极管电连接至所述驱动薄膜晶体管；
位于所述第一有源层上的第二绝缘层；和
位于所述第二绝缘层和所述第二有源层上的钝化层，
其中，所述第二绝缘层设置在所述第二有源层和所述开关薄膜晶体管的栅极电极之间，
其中所述第一漏极电极的至少一部分设置在所述第二绝缘层上，并且其中所述第一源极电极的至少一部分设置在所述钝化层上。
CN201710723834.9A 2016-11-30 2017-08-22 包括多类型薄膜晶体管的有机发光显示装置 Active CN108122928B (zh)

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