CN107993843A - 层叠陶瓷电容器 - Google Patents
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 8
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 2
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 2
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017676 MgTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical class [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002320 enamel (paints) Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
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Abstract
本发明提供外部电极与主体的连接强度高的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器包括主体和外部电极。主体具有层叠部和侧边缘部，层叠部具有：在第一方向上层叠的多个陶瓷层；交替配置在多个陶瓷层之间的第一内部电极和第二内部电极；朝向与第一方向正交的第二方向且引出第一内部电极的端面；配置在端面与第二内部电极之间的端边缘部；以及朝向与第一方向和第二方向正交的第三方向且露出第一内部电极和第二内部电极的侧面，侧边缘部覆盖层叠部的侧面。外部电极具有配置在端边缘部且从端面进入到侧面与侧边缘部之间的进入部，外部电极从端面侧覆盖主体。
Description
技术领域
本发明涉及后设置侧边缘部的层叠陶瓷电容器。
背景技术
层叠陶瓷电容器要求使外部电极与主体的连接强度提高的技术。利用这种技术能够防止外部电极从主体剥离，所以能够提高层叠陶瓷电容器的可靠性。
例如，专利文献1公开了一种使主体与外部电极的连接强度提高的技术。该技术中，使没有与内部电极连接的虚拟电极从主体的设置外部电极的区域露出。该技术中，由金属形成的虚拟电极和外部电极良好地连接，所以主体与外部电极的连接强度提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-084871号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
关于装载于电子设备的层叠陶瓷电容器，伴随电子设备的高性能化要求大容量化。为了实现层叠陶瓷电容器的大容量化，扩大内部电极的交叉面积是有效的。
近年来，为了扩大内部电极的交叉面积，提案有在使内部电极露出于侧面的层叠芯片上以后设置的形式形成用于确保内部电极的周围的绝缘性的侧边缘部的方法。根据该方法，能够使侧边缘部的厚度形成得薄，所以能够相对地得到较大的内部电极的交叉面积。
在此，在层叠芯片的侧面后设置侧边缘部的方法中，为了形成专利文献1所记载的那样的虚拟电极，在侧边缘部也需要形成虚拟电极。但是，为了在侧边缘部形成虚拟电极，需要很高的技术能力。
因此，在层叠陶瓷电容器中，即使在后设置侧边缘部的结构中，也要求能够使主体与外部电极的连接强度提高的技术。
鉴于以上的事实，本发明的目的在于提供一种外部电极与主体的连接强度高的层叠陶瓷电容器。
用于解决技术课题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的一个方式的层叠陶瓷电容器包括主体和外部电极。
上述主体具有层叠部和侧边缘部，上述层叠部具有：在第一方向上层叠的多个陶瓷层；交替配置在上述多个陶瓷层之间的第一内部电极和第二内部电极；朝向与上述第一方向正交的第二方向且引出上述第一内部电极的端面；配置在上述端面与上述第二内部电极之间的端边缘部；以及朝向与上述第一方向和第二方向正交的第三方向且露出上述第一内部电极和第二内部电极的侧面，上述侧边缘部覆盖上述层叠部的上述侧面。
上述外部电极具有配置在上述端边缘部且从上述端面进入到上述侧面与上述侧边缘部之间的进入部，上述外部电极从上述端面侧覆盖上述主体。
在该结构中，外部电极具有进入层叠部的侧面与侧边缘部之间的进入部。由此，外部电极不仅在层叠部的端面而且在端边缘部也与第一内部电极和第二内部电极连接。即，在该结构中，能够确保外部电极与第一内部电极和第二内部电极连接的区域较大。由此，能够得到外部电极相对主体的高连接强度。
上述进入部的上述第二方向的尺寸可以为上述端边缘部的上述第二方向的尺寸的30％以下。
由此，在层叠陶瓷电容器中，能够使外部电极与主体的连接强度提高，并且能够抑制耐湿不良。因此，层叠陶瓷电容器的可靠性提高。
上述进入部可以在上述侧边缘部与上述侧面之间遍及上述端边缘部的上述第一方向的整个宽度设置。
由此，主体与外部电极的连接强度进一步提高。
上述进入部可以在上述侧边缘部与上述侧面之间在上述第一方向上彼此间隔地设置多个。
由此，主体与外部电极的连接强度进一步提高。
发明的效果
能够提供外部电极与主体的连接强度高的层叠陶瓷电容器。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的立体图。
图2是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的P-P'线的截面图。
图3是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的Q-Q'线的截面图。
图4是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的R-R'线的截面图。
图5是上述层叠陶瓷电容器的沿图4的U-U'线的截面图。
图6是将上述层叠陶瓷电容器的耐湿性的评价结果汇总的图表。
图7是表示上述层叠陶瓷电容器的制造方法的流程图。
图8是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的俯视图。
图9是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的分解立体图。
图10是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的俯视图。
图11是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。
图12是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的示意图。
图13是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的示意图。
图14是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的示意图。
图15是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的主视图。
图16是上述层叠陶瓷电容器的沿图15的V-V'线的截面图。
图17是表示本发明的变形例涉及的层叠陶瓷电容器的制造过程的俯视图。
图18是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的俯视图。
图19是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的俯视图。
图20是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的俯视图。
图21是本发明的其他实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的截面图。
图22是上述层叠陶瓷电容器的沿图21的W-W'线的截面图。
图23是上述层叠陶瓷电容器的截面图。
附图标记说明
10…层叠陶瓷电容器
11…主体
12…第一内部电极
13…第二内部电极
14…第一外部电极
14a、15a…进入部
15…第二外部电极
16…层叠部
17…侧边缘部
18…电容形成部
19…盖部
20、21…端边缘部
111…未烧制的主体
116…未烧制的层叠芯片
E1、E2…间隙
具体实施方式
以下参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
在图中，适当地表示彼此正交的X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴在所有图中是共通的。
1.层叠陶瓷电容器10的整体结构
图1～3是表示本发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器10的图。图1是层叠陶瓷电容器10的立体图。图2是层叠陶瓷电容器10的沿图1的P-P’线的截面图。图3是层叠陶瓷电容器10的沿图1的Q-Q’线的截面图。
层叠陶瓷电容器10包括主体11、第一外部电极14和第二外部电极15。
主体11典型地具有朝向Y轴方向的2个侧面和朝向Z轴方向的2个主面。连接主体11的各面的棱部被倒角。另外，主体11的形状并不限定于这样的形状。例如，主体11的各面也可以为曲面，主体11还可以作为整体为带圆角的形状。
第一和第二外部电极14、15覆盖主体11的X轴方向两个端面，延伸到与X轴方向两个端面连接的4个面。由此，在第一和第二外部电极14、15的任一电极中，与X-Z平面平行的截面和与X-Y轴平行的截面的形状均呈U字形。
主体11具有层叠部16和侧边缘部17。
层叠部16具有沿X-Y平面延伸的平板状的多个陶瓷层在Z轴方向上层叠的结构。
层叠部16具有电容形成部18、盖部19、端边缘部20、21、多个第一内部电极12和多个第二内部电极13。
如图2所示，侧边缘部17形成在层叠部16的朝向Y轴方向的两个侧面S1、S2。
电容形成部18设置于主体11的中央部，构成为发挥蓄积层叠陶瓷电容器10中的电荷的功能的功能部。
端边缘部20、21设置于电容形成部18的X轴方向两侧。即，端边缘部20配置在电容形成部18与第一外部电极14之间，端边缘部21配置在电容形成部18与第二外部电极15之间。
盖部19是沿X-Y平面延伸的平板状，分别覆盖电容形成部18和端边缘部20、21的朝向Z轴方向的两个主面。盖部19没有设置第一和第二内部电极12、13。
侧边缘部17和盖部19主要具有保护电容形成部18和端边缘部20、21，并且保护电容形成部18和端边缘部20、21的周围的绝缘性的功能。
第一和第二内部电极12、13在多个陶瓷层之间沿Z轴方向交替配置。第一内部电极12遍及电容形成部18和端边缘部20配置，且与第一外部电极14连接。第二内部电极13遍及电容形成部18和端边缘部21配置，且与第二外部电极15连接。
因此，第一和第二内部电极12、13在电容形成部18中交叉，且彼此相对。另外，第一内部电极12由于端边缘部21与第二外部电极15分隔开，由此与第二外部电极15绝缘。另外，第二内部电极13由于端边缘部20与第一外部电极14分隔开，由此与第一外部电极14绝缘。
第一和第二内部电极12、13分别由导电性材料构成，作为层叠陶瓷电容器10的内部电极发挥作用。作为该导电性材料，能够使用包含例如镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、铂(Pt)、银(Ag)、金(Au)或者它们的合金的金属材料，典型的是采用以镍(Ni)为主要成分的金属材料。
电容形成部18和端边缘部20、21由陶瓷形成。在层叠陶瓷电容器10中，为了使第一内部电极12与第二内部电极13之间的各陶瓷层的电容变大，使用高介电常数的材料作为构成陶瓷层的材料。作为构成电容形成部18和端边缘部20、21的材料，例如能够使用钛酸钡(BaTiO3)类材料的多晶体，即含有钡(Ba)和钛(Ti)的钙钛矿结构的多晶体。
此外，构成电容形成部18和端边缘部20、21的材料除了钛酸钡(BaTiO3)类以外，还可以为钛酸锶(SrTiO3)类、钛酸钙(CaTiO3)类、钛酸镁(MgTiO3)类、锆酸钙(CaZrO3)类、钛酸锆酸钙(Ca(Zr、Ti)O3)类、锆酸钡(BaZrO3)类或氧化钛(TiO2)类材料等多晶体。
侧边缘部17和盖部19也由陶瓷形成。形成侧边缘部17和盖部19的陶瓷，优选为以与电容形成部18的主相同种的组成体系作为主相的电介质的多晶体。由此，能够抑制主体11的内部应力。
本实施方式的侧边缘部17、电容形成部18、盖部19和端边缘部20、21，除了钡(Ba)和钛(Ti)以外，也可以还含有一种或多种例如镁(Mg)、锰(Mn)、铝(Al)、钙(Ca)、钒(V)、铬(Cr)、锆(Zr)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铌(Nb)、硅(Si)、硼(B)、钇(Y)、铕(Eu)、钆(Gd)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)、锂(Li)、钾(K)或钠(Na)等金属元素。
根据上述结构，在层叠陶瓷电容器10中，当对第一外部电极14与第二外部电极15之间施加电压时，电压施加到第一内部电极12与第二内部电极13之间的多个陶瓷层。由此，在层叠陶瓷电容器10中蓄积了与第一外部电极14和第二外部电极15之间的电压对应的电荷。
另外，层叠陶瓷电容器10的结构并不限定于特定的结构，能够根据层叠陶瓷电容器10所要求的尺寸和性能适当地采用公知的结构。例如，电容形成部18中的第一和第二内部电极12、13的个数并不限定于图2、3所示的个数，能够适当决定。
图4是层叠陶瓷电容器10的沿图1的R-R’线的截面图。图5是层叠陶瓷电容器10的沿图4的U-U’线的截面图，是表示层叠部16的侧面S2的图。其中，图5中仅表示了侧面S2，但侧面S1也具有同样的结构。
第一和第二外部电极14、15如图3所示，从层叠部16的端面S3、S4侧覆盖主体11。本实施方式涉及的第一外部电极14如图4所示，具有进入层叠部16的侧面S1、S2与侧边缘部17之间的进入部14a。同样，第二外部电极15具有进入层叠部16的侧面S1、S2与侧边缘部17之间的进入部15a。
进入部14a与第一外部电极14一体地形成，如图5所示，从端面S3在X轴方向上延伸。进入部14a在端边缘部20的Z轴方向中央部设置有一个。由此，第一外部电极14不仅在端面S3而且在端边缘部20也与第一内部电极12连接。
进入部15a与第二外部电极15一体地形成，如图5所示，从端面S4在X轴方向上延伸。进入部15a在端边缘部21的Z轴方向中央部设置有一个。由此，第二外部电极15不仅在端面S4而且在端边缘部21也与第二内部电极13连接。
像这样，在层叠陶瓷电容器10中，第一外部电极14具有进入部14a，第二外部电极15具有进入部15a，由此能够确保外部电极14、15和内部电极12、13连接的区域较大。另外，在图5中，与侧面S2相邻配置的进入部14a、15a的位置用虚线表示。
进入部14a、15a，相比于陶瓷，能够与由金属材料形成的内部电极12、13更牢固地连接。因此，在层叠陶瓷电容器10中，能够得到外部电极14、15相对主体11的高连接强度。因此，在层叠陶瓷电容器10中，能够防止外部电极14、15从主体11剥离，因此能够得到高可靠性。
图5表示了进入部14a距离端面S3的尺寸D1、进入部15a距离端面S4的尺寸D2、端边缘部20的X轴方向的尺寸D3、端边缘部21的X轴方向的尺寸D4。
进入部14a的尺寸D1小于端边缘部20的尺寸D3。由此，能够防止第一外部电极14与第二内部电极13短路。同样，进入部15a的尺寸D2小于端边缘部21的尺寸D4。由此，能够防止第二外部电极15与第一内部电极12短路。
进入部14a、15a的尺寸D1、D2越大，越能够确保外部电极14、15与主体11连接的区域较大。更详细地说，随着增大进入部14a、15a的尺寸D1、D2，主体11与外部电极14、15的连接强度提高。因此，从使主体11与外部电极14、15的连接强度提高的观点出发，优选进入部14a、15a的尺寸D1、D2较大。
另一方面，进入部14a的尺寸D1越大，进入部14a越靠近第二内部电极13。另外，进入部15a的尺寸D2越大，进入部15a越靠近第一内部电极12。
因此，进入部14a的尺寸D1越大，越容易通过侵入到形成进入部14a的层叠部16与侧边缘部17之间的间隙E1的空气中的水分而使进入部14a(外部电极14)与第二内部电极13导通。
同样，进入部15a的尺寸D2越大，越容易通过侵入到形成进入部15a的层叠部16与侧边缘部17之间的间隙E2的空气中的水分而使进入部15a(外部电极15)与第一内部电极12导通。
即，层叠陶瓷电容器10变得容易发生耐湿不良。
因此，在主体11中，优选将进入部14a的尺寸D1限制在端边缘部20的尺寸D3的30％以下，且将进入部15a的尺寸D2限制在端边缘部21的尺寸D4的30％以下。
由此，在层叠陶瓷电容器10中，能够使外部电极14、15与主体11的连接强度提高，并且能够抑制耐湿不良。由此，层叠陶瓷电容器10的可靠性进一步提高。
图6是将层叠陶瓷电容器10的耐湿性的评价结果汇总的图表。层叠陶瓷电容器10的耐湿性通过对层叠陶瓷电容器10的吸湿性进行试验来评价。
具体来说，对进入部14a、15a的尺寸D1、D2各自不同的数百个样品进行了以温度45℃、湿度95％、施加了10V额定电压的状态保持的吸湿性试验。然后，针对进行吸湿性试验后的各样品测定电阻值，将电阻值小于10MΩ的样品判断为发生了耐湿不良的样品。
在此，图6所示的“进入部的尺寸”是进入部14a、15a中的Y轴方向的尺寸D1、D2最大的进入部的尺寸，“端边缘部的尺寸”是配置该进入部的端边缘部20、21的Y轴方向的尺寸。另外，“耐湿不良率”是上述“进入部的尺寸”相对于上述“端边缘部的尺寸”的比例各自不同的数百个样品中发生了耐湿不良的样品的比例。
参照图6能够确认到，如果进入部14a、15a的尺寸D1、D2小于端边缘部20、21的尺寸D3、D4，则能够将耐湿不良率抑制在10％以内。而且，本发明的发明人通过实验确认到，如果进入部14a、15a的尺寸D1、D2为端边缘部20、21的尺寸D3、D4的30％以下，则基本上能够可靠地抑制耐湿不良。
2.层叠陶瓷电容器10的制造方法
图7是表示层叠陶瓷电容器10的制造方法的流程图。图8～16是表示层叠陶瓷电容器10的制造过程的图。以下，按照图7，适当地参照图8～16对层叠陶瓷电容器10的制造方法进行说明。
2.1步骤S01：陶瓷片准备工序
在步骤S01中，准备用于形成电容形成部18的第一陶瓷片101和第二陶瓷片102、以及用于形成盖部19的第三陶瓷片103。陶瓷片101、102、103以绝缘性陶瓷为主要成分，作为未烧制的电介质生片构成。陶瓷片101、102、103例如使用辊式涂敷机或刮刀形成为片状。
图8是陶瓷片101、102、103的俯视图。在该阶段，陶瓷片101、102、103没有按每个层叠陶瓷电容器10切开。图8表示了按每个层叠陶瓷电容器10切开时的切断线Lx、Ly。切断线Lx与X轴平行，切断线Ly与Y轴平行。
如图8所示，第一陶瓷片101形成有与第一内部电极12对应的未烧制的第一内部电极112，第二陶瓷片102形成有与第二内部电极13对应的未烧制的第二内部电极113。另外，与盖部19对应的第三陶瓷片103没有形成内部电极。
第一和第二内部电极112、113例如能够使用含有镍(Ni)的导电性膏形成。在利用导电性膏进行的第一和第二内部电极112、113的形成中，例如能够使用丝网印刷法或凹版印刷法。
第一和第二内部电极112、113遍及由切断线Ly分隔的在X轴方向上相邻的2个区域而配置，在Y轴方向上呈带状延伸。关于第一内部电极112和第二内部电极113，按由切断线Ly分隔的每1排区域在X轴方向上错开。即，通过第一内部电极112的中央的切断线Ly通过第二内部电极113之间的区域，通过第二内部电极113的中央的切断线Ly通过第一内部电极112之间的区域。
2.2步骤S02：层叠工序
在步骤S02，通过将在步骤S01中准备的陶瓷片101、102、103层叠来制作层叠片104。
图9是在步骤S02得到的层叠片104的分解立体图。在图9中，为了便于说明，将陶瓷片101、102、103分解表示。但是，在实际的层叠片104中，陶瓷片101、102、103通过流体静压加压、单轴加压等压接形成为一体。由此得到高密度的层叠片104。
在层叠片104中，与电容形成部18对应的第一陶瓷片101和第二陶瓷片102在Z轴方向上交替地层叠。
此外，在层叠片104中，在交替地层叠的第一和第二陶瓷片101、102的Z轴方向上下表面层叠与盖部19对应的第三陶瓷片103。另外，在图9所示的例子中，第三陶瓷片103分别层叠3层，但第三陶瓷片103的层数能够适当地变更。
2.3步骤S03：切断工序
在步骤S03中，利用旋转刀、剪断刀等将步骤S02中得到的层叠片104切断，由此制作未烧制的层叠芯片116。
图10是步骤S03之后的层叠片104的俯视图。层叠片104以被固定于保持部件C的状态沿切断线Lx、Ly被切断。由此，层叠片104被单片化，能够得到层叠芯片116。此时，保持部件C没有被切断，各层叠芯片116通过保持部件C连接。
图11是在步骤S03中得到的层叠芯片116的立体图。层叠芯片116形成有未烧制的电容形成部118、盖部119和端边缘部120、121。在层叠芯片116中，未烧制的第一和第二内部电极112、113露出在作为切断面的朝向Y轴方向的两个侧面S1、S2。
2.4步骤S04：侧边缘部形成工序
在步骤S04中，通过在层叠芯片116的侧面S1、S2设置未烧制的侧边缘部117，制作未烧制的主体111。
在步骤S04中，为了在层叠芯片116的两个侧面S1、S2设置侧边缘部117，通过胶带等保持部件的重贴等适当地变更层叠芯片116的朝向。
特别是在步骤S04中，在作为步骤S03的层叠芯片116的切断面的朝向Y轴方向的两个侧面S1、S2设置侧边缘部117。因此，在步骤S04中，优选预先从保持部件C将层叠芯片116剥下，使层叠芯片116的朝向旋转90度。
图12～图14是表示步骤S04的工艺的示意图，是表示侧边缘片117s被层叠芯片116冲裁的状态的图。以下，依次对步骤S04的工艺进行说明。
首先，准备用于形成侧边缘部117的侧边缘片117s。侧边缘片117s与步骤S01中准备的陶瓷片101、102、103同样，以绝缘性陶瓷为主要成分，作为未烧制的电介质生片构成。
侧边缘片117s例如通过使用辊式涂敷机或刮刀形成为片状。
接着，如图12所示，在平板状的弹性体400上配置侧边缘片117s。然后，以层叠芯片116的侧面S2与侧边缘片117s在Y轴方向上相对的方式，配置层叠芯片116。在步骤S04中，通过胶带等保持部件的重贴工序适当变更层叠芯片116的朝向，由此，如图12所示，将层叠芯片116的侧面S1保持在胶带T上。
接着，使层叠芯片116向侧边缘片117s在Y轴方向上移动，由此将层叠芯片116的侧面S2按压到侧边缘片117s。
此时，如图13所示，层叠芯片116与侧边缘片117s一起陷入弹性体400中。随之，因从层叠芯片116施加到弹性体400的Y轴方向的按压力，弹性体400在Y轴方向***而推起侧边缘片117s。
由此，从弹性体400向侧边缘片117s施加剪切力，与侧面S2在Y轴方向相对的侧边缘片117s被切离。然后，将该侧边缘片117s粘贴到侧面S2。
接着，使层叠芯片116在Y轴方向移动，使得层叠芯片116与弹性体400分离时，如图14所示，只是粘贴于侧面S2的侧边缘片117s与弹性体400分离。由此，在层叠芯片116的侧面S2形成侧边缘部117。
接着，通过使被胶带T保持的层叠芯片116被其他的胶带保持，使层叠芯片116的侧面S1露出，使侧面S1和侧边缘片117s在Y轴方向上相对。然后，经过与在侧面S2形成侧边缘部117的上述工序同样的工序，在侧面S1上也形成侧边缘部117。
由此，能够得到在层叠芯片116的两侧面S1、S2形成了侧边缘部117的未烧制的主体111。
在步骤S04中，伴随在层叠芯片116的侧面S1、S2形成侧边缘部117，在侧面S1、S2与侧边缘部117之间形成与上述进入部14a、15a对应的间隙E1、E2。
图15、16表示由步骤S04得到的未烧制的主体111的图。图15是未烧制的主体111的主视图。图16是未烧制的主体111的沿图15的V-V'线的截面图，是表示层叠芯片116的侧面S2的图。其中，图16中仅表示了侧面S2，但侧面S1也具有同样的结构。
与进入部14a对应的间隙E1如图16所示，从端面S3在X轴方向上延伸且在端边缘部120的Z轴方向中央部设置有一个。同样，与进入部15a对应的间隙E2，从端面S4在X轴方向上延伸且在端边缘部121的Z轴方向中央部设置有一个。
图16表示了间隙E1距离端面S3的尺寸D5、间隙E2距离端面S4的尺寸D6、端边缘部120的X轴方向的尺寸D7、端边缘部121的X轴方向的尺寸D8。另外，在图17中，与侧面S2相邻配置的间隙E1、E2的位置用虚线表示。
间隙E1的尺寸D5小于端边缘部120的尺寸D7。同样，间隙E2的尺寸D6小于端边缘部121的尺寸D8。
在本实施方式中，优选间隙E1的尺寸D5为端边缘部120的尺寸D7的30％以下，间隙E2的尺寸D6为端边缘部121的尺寸D8的30％以下。
间隙E1、E2的数量、形状和配置没有特别限定，在后述的步骤S06中，能够根据通过在间隙E1、E2填充电极材料而形成的进入部14a、15a的结构适当决定。
另外，在步骤S04中，间隙E1、E2例如通过调节层叠芯片116的侧面S1、S2冲裁侧边缘片117s时的冲裁条件来形成。
具体来说，通过调节层叠芯片116冲裁侧边缘片117s时的按压力、按压速度、或者弹性体400的弹性率、侧边缘片117s的物性等，能够形成间隙E1、E2。
2.5步骤S05：烧制工序
在步骤S05中，对在步骤S04中得到的未烧制的主体111进行烧制，由此制作图1～3所示的层叠陶瓷电容器10的主体11。
即，通过步骤S05，第一和第二内部电极112、113成为第一和第二内部电极12、13，层叠芯片116成为层叠部16。另外，侧边缘部117成为侧边缘部17，端边缘部120、121成为端边缘部20、21。
步骤S05的主体111的烧制温度能够根据层叠芯片116和侧边缘部117的烧结温度决定。例如，在使用钛酸钡(BaTiO3)类材料作为陶瓷的情况下，主体111的烧制温度能够为1000～1300℃左右。此外，烧制例如能够在还原气氛下或低氧分压气氛下进行。
本实施方式中，通过调节对未烧制的主体111进行烧制时的烧制条件，也能够在侧面S1、S2与侧边缘部17之间形成间隙E1、E2。
具体来说，例如通过使层叠芯片116的陶瓷的组成与侧边缘部117的陶瓷的组成不同，能够在烧制时使层叠芯片116与侧边缘部117的收缩行为产生差异。由此，能够在烧制后的主体11中，在侧面S1、S2与侧边缘部17之间形成间隙E1、E2。
另外，在通过调节对主体111进行烧制时的烧制条件，而在侧面S1、S2与侧边缘部17之间形成间隙E1、E2的情况下，也可以在上述的步骤S04中形成间隙E1、2。
2.6步骤S06：外部电极形成工序
在步骤S06中，在步骤S05中所得到的主体11形成第一和第二外部电极14、15，由此制作图1～3所示的层叠陶瓷电容器10。
在步骤S06中，首先以覆盖主体11的X轴方向一个端面的方式涂布未烧制的电极材料，以覆盖主体11的X轴方向另一个端面的方式涂布未烧制的电极材料。由此，在间隙E1、E2中填充未烧制的电极材料。
在步骤S06中，未烧制的电极材料可以填充到间隙E1、E2的全部，也可以填充到一部分。但是，出于使外部电极14、15与主体11的连接强度提高的观点，优选未烧制的电极材料填充到间隙E1、E2的全部。
未烧制的电极材料的涂敷方法只要是能够将未烧制的电极材料填充到间隙E1、E2内的方法即可，并不限定于特定的方法。作为未烧制的电极材料的涂布方法，可以举出例如浸渍法。
接着，对于涂布于主体11的未烧制的电极材料，例如在还原气氛下或低氧分压气氛下进行烘烤处理(烧附处理)，在主体11形成基底膜。然后，在被烘烤于主体11的基底膜上，通过电解电镀等镀层处理形成中间膜和表面膜，完成具有进入部14a、15a的外部电极14、15。
另外，也可以在步骤S05之前进行上述的步骤S06的处理中的一部分处理。例如，也可以在步骤S05之前在未烧制的主体111的X轴方向两个端面涂布未烧制的电极材料，在步骤S05中，在使未烧制的主体111烧结的同时，对未烧制的电极材料进行烘烤而形成第一和第二外部电极14、15的基底膜。
2.7变形例
层叠陶瓷电容器10的制造方法并不限定于上述的制造方法，可以适当进行制造工序的变更和追加等。
另外，在层叠芯片116的两侧面S1、S2形成侧边缘部117的方法，并不限定于冲裁上述侧边缘片117s的方法。
例如，也可以通过将预先切断的侧边缘片117s粘贴到层叠芯片116的两侧面S1、S2，形成侧边缘部117。
在通过粘贴层叠芯片116的侧面S1、S2的预先切断的侧边缘部117而形成侧边缘部117的情况下，能够通过例如以下的方法形成间隙E1、E2。图17、18是表示本发明的变形例涉及的层叠陶瓷电容器10的制造过程的俯视图。
首先，如图17所示，在预先切断的侧边缘片117s的X轴方向中央部涂布粘接剂等粘接部件G。接着，将该侧边缘片117s以粘接部件G配置于侧面S1、S2的X轴方向中央部的方式粘贴到侧面S1、S2。
由此，如图18所示，在没有配置粘接部件G的侧边缘部117的X轴方向两端部与侧面S1、S2之间产生间隙，在侧面S1、S2与侧边缘部117之间形成间隙E1、E2。
在上述方法中，间隙E1、E2伴随在侧面S1、S2形成侧边缘部117而形成，但并不限定于此。例如，间隙E1、E2也可以通过在得到主体111后将侧边缘部117从侧面S1、S2事后剥离而形成。
在这种情况下，也可以通过使层叠芯片116的两侧面S1、S2浸渍于由陶瓷构成的膏材中而提起的浸渍法，在层叠芯片116的两侧面S1、S2形成侧边缘部117。
通过将侧边缘部117从侧面S1、S2事后剥离而形成间隙E1、E2时，例如能够通过以下的方法实现。图19、20是表示本发明的变形例涉及的层叠陶瓷电容器10的另一制造过程的俯视图。
即，如图19所示，使用按压部件500按压主体111的侧边缘部117的X轴方向中央部。在此，按压侧边缘部117的凸部500a的X轴方向的尺寸小于侧边缘部117的X轴方向的尺寸。
由此，因侧边缘部117的X轴方向中央部从凸部500a受到按压力而侧边缘部117的X轴方向两端部被抬起，如图20所示，在侧边缘部117与侧面S1、S2之间形成间隙E1、E2。
3.其它实施方式
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，当然也可以进行各种变形。
例如，配置于层叠部16的各侧面S1、S2的进入部14a、15a，也可以不是像上述实施方式那样是单个，而是多个。图21、22是在各侧面S1、S2具有多个进入部14a、15a的层叠陶瓷电容器10的截面图。图22是沿图21的W-W'线的截面图。图21、22所示的结构中，进入部14a、15a在各侧面S1、S2上各3个地在Z轴方向上彼此间隔地配置。
如图21、22所示，通过进入部14a、15a在各侧面S1、S2上配置多个，主体11与外部电极14、15的连接强度进一步提高。
其中，各侧面S1、S2的进入部14a、15a的个数当然可以不是3个，可以为2个，也可以为4个以上。另外，图21、22中为了便于说明，将进入部14a、15a的尺寸D1、D2表示为相等，但也可以使每个进入部14a、15a的尺寸D1、D2不同。而且，各侧面S1、S2的进入部14a、15a的位置也能够任意变更。
另外，进入部14a、15a并不限定于像上述实施方式那样在Z轴方向上部分地设置的结构，也可以遍及Z轴方向的整个宽度设置。图23是具有遍及Z轴方向的整个宽度设置的进入部14a、15a的层叠陶瓷电容器10的截面图。
如图23所示，通过遍及Z轴方向的整个宽度设置进入部14a、15a，主体11与外部电极14、15的连接强度进一步提高。
而且，进入部14a、15a也可以仅配置于层叠部16的两侧面S1、S2的任一者。另外，进入部14a、15a也可以仅有一者。而且，配置于各侧面S1、S2的进入部14a、15a的数量和配置也可以彼此不同。而且，各进入部14a、15a的形状也可以彼此不同。
Claims (4)
1.一种层叠陶瓷电容器，其特征在于，包括：
主体，其具有层叠部和侧边缘部，所述层叠部具有：在第一方向上层叠的多个陶瓷层；交替配置在所述多个陶瓷层之间的第一内部电极和第二内部电极；朝向与所述第一方向正交的第二方向且引出所述第一内部电极的端面；配置在所述端面与所述第二内部电极之间的端边缘部；以及朝向与所述第一方向和第二方向正交的第三方向且露出所述第一内部电极和第二内部电极的侧面，所述侧边缘部覆盖所述层叠部的所述侧面；和
外部电极，其具有配置在所述端边缘部且从所述端面进入到所述侧面与所述侧边缘部之间的进入部，所述外部电极从所述端面侧覆盖所述主体。
2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述进入部的所述第二方向的尺寸为所述端边缘部的所述第二方向的尺寸的30％以下。
3.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述进入部在所述侧边缘部与所述侧面之间遍及所述端边缘部的所述第一方向的整个宽度设置。
4.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述进入部在所述侧边缘部与所述侧面之间在所述第一方向上彼此间隔地设置多个。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016-209785 | 2016-10-26 | ||
| JP2016209785A JP6851174B2 (ja) | 2016-10-26 | 2016-10-26 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107993843A true CN107993843A (zh) | 2018-05-04 |
| CN107993843B CN107993843B (zh) | 2021-06-15 |
Family
ID=61971592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711007819.0A Active CN107993843B (zh) | 2016-10-26 | 2017-10-25 | 层叠陶瓷电容器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10460876B2 (zh) |
| JP (1) | JP6851174B2 (zh) |
| KR (1) | KR102398178B1 (zh) |
| CN (1) | CN107993843B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2016
- 2016-10-26 JP JP2016209785A patent/JP6851174B2/ja active Active
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2017
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- 2017-10-18 US US15/787,211 patent/US10460876B2/en active Active
- 2017-10-25 CN CN201711007819.0A patent/CN107993843B/zh active Active
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| JP2018073909A (ja) | 2018-05-10 |
| CN107993843B (zh) | 2021-06-15 |
| US10460876B2 (en) | 2019-10-29 |
| US20180114645A1 (en) | 2018-04-26 |
| KR102398178B1 (ko) | 2022-05-17 |
| KR20180045803A (ko) | 2018-05-04 |
| JP6851174B2 (ja) | 2021-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |