CN107924880A - 电子部件搭载用封装体以及电子装置 - Google Patents
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Abstract
电子部件搭载用封装体具备容纳电子部件的主体部和挠性基板。主体部具有在下表面以及侧面开口的切口部,且具备沿作为被切开的主体部(1a)的侧面侧、即切口部的侧端部延伸的突条部。挠性基板从切口部内向切口部外延伸,且具有与设置在切口部的底面的同轴连接器的端子接合的固定端部和向切口部外延伸的自由端部。挠性基板与突条部抵接并挠曲。
Description
技术领域
本发明涉及收纳以高频带工作的电子部件的电子部件搭载用封装体以及使用该电子元件搭载用封装体的电子装置。
背景技术
近几年,针对快速通信的需求正在急剧增加,与快速大容量的信息传输有关的研究开发正在推进。特别是,使用光通信装置收发光信号的半导体装置等电子装置的快速化备受瞩目。即,基于电子装置的光信号的高输出化和快速化作为用于提高传输容量的课题,正在进行研究开发。
作为这样的电子装置用的电子部件搭载用封装体,例如具有:容纳电子部件的外壳;与外壳的侧壁连接的挠性基板;将电子部件和挠性基板电连接的引线引脚。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2012-48121号公报
发明内容
根据本发明的一个方式,电子部件搭载用封装体具备:具备主体部和突条部的外壳,其中,主体部包括具有凹部的上表面以及具有切口部的下表面,从凹部的底面一直到切口部的底面存在贯通孔,该突条部设置在切口部的底面且沿主体部的被切开的侧面侧的端部延伸;同轴连接器,设置在切口部;以及挠性基板,从切口部内向切口部外延伸。同轴连接器包括端子,该端子具有通过贯通孔并向凹部内突出的上端和向切口部内突出的下端。挠性基板具有:与端子的下端接合的固定端部;以及固定端部的相反一侧的自由端部。挠性基板与突条部抵接并挠曲。
根据本发明的另一方式,电子装置具有:上述构成的电子部件搭载用封装体;容纳于电子部件搭载用封装体的凹部的电子部件;以及与电子部件搭载用封装体接合的盖体。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的电子部件搭载用封装体的分解立体图。
图2是表示本发明的第1实施方式的电子部件搭载用封装体的立体图。
图3是表示本发明的第1实施方式的电子部件搭载用封装体的立体图。
图4是表示本发明的第1实施方式的电子部件搭载用封装体的俯视图。
图5是表示图4的X-X线处的剖视图。
图6是表示本发明的第2实施方式的电子部件搭载用封装体的剖视图。
图7是表示本发明的第3实施方式的电子部件搭载用封装体的剖视图。
图8是表示本发明的电子装置的剖视图。
具体实施方式
参照附图,说明本发明的例示性实施方式。
参照图1~图5,说明本发明的第1实施方式的电子部件搭载用封装体20。
本实施方式的电子部件搭载用封装体20具有外壳1、同轴连接器3以及挠性基板6。
外壳1包括具有上表面和下表面的主体部1a,其中,上表面具有容纳电子部件的凹部1b,下表面具有切口部1c。切口部1c在外壳1的下表面以及侧面开口。此外,在主体部1a中,从凹部1b的底面一直到切口部1c的底面存在贯通孔2。所谓切口部1c的底面是指相对于切口部1c靠近上表面侧的凹部1b的内表面。
主体部1a起到用于容纳电子部件的容纳部件的作用。此外,主体部1a具有进行电子部件搭载用封装体20同外部之间的电磁屏蔽的功能。主体部1a由Fe-Ni-Cr合金(JIS标准的SUS304、SUS310等)、Fe-Ni-Cr-Mo合金(JIS标准的SUS303、SUS316等)等不锈钢、Fe-Ni-Co合金或者Cu-Zn合金等金属材料构成。
例如,在容纳于主体部1a的凹部1b中的电子部件是作为强电介质元件的LN(铌酸锂)的调制元件(以下,称为LN元件)的情况下,使用与LN元件的热膨胀系数15.4×10-6/℃近似的SUS303(热膨胀系数14.6×10-6/℃)、SUS304(热膨胀系数17.3×10-6/℃)、SUS310(热膨胀系数15.8×10-6/℃)、SUS316(热膨胀系数16.0×10-6/℃)等Fe-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Cr-Mo合金等金属材料来制成主体部1a。
在该情况下,是在主体部1a的凹部1b中容纳LN元件的电子装置的情况下,主体部1a和电子部件的热膨胀系数相近似。因此,因热膨胀系数之差引起的应力,电子部件11从主体部1a剥离的可能性会变小。该应力例如因电子部件工作时产生的热、经由钎料将电子部件11安装于主体部1a时的加热、或者在电子装置的环境试验以及可靠性试验中被施加的热而产生。
此外,主体部1a通过以下方式来制作,即,对上述金属材料的铸块实施轧制加工、冲压加工等现有技术中公知的金属加工法来形成基体以及框体,将这些基体和框体接合。此外,可以在主体部1a的表面被覆耐腐蚀性出色并且与钎料的润湿性出色的金属。具体来说,通过镀覆法,依次被覆厚度为0.5~9μm的Ni层和厚度为0.5~9μm的Au层。在该情况下,能够降低主体部1a发生氧化腐蚀的可能性。此外,能够使得用于搭载电路基板4的基台5牢固地被粘接并固定于主体部1a的凹部1b的底面。
另外,基体以及框体可以是一体成形的。作为该一体成形的方法,有对上述的Fe-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Cr-Mo合金等金属材料的铸块实施切削加工、放电加工等金属加工法的方法。通过该方法,能够以给定的形状制作主体部1a。在将基体和框体一体成形的情况下,能够降低组装时产生接合偏差的可能性。
主体部1a从凹部1b的底面一直到切口部1c的底面具有贯通孔2。贯通孔2存在一个或者多个。贯通孔2可以形成为切口部1c的底面侧的开口面积大于凹部1b的底面侧的开口面积。例如,在贯通孔2是圆形的情况下,如图5所示,贯通孔2可以是将凹部1b的底面侧的直径小的圆柱和在其下方的切口部1c处开口的直径大的圆柱相连的形状。由此,在将同轴连接器3***到贯通孔2进行固定时,能够利用在直径不同的部分产生的高低差。因此,能够减少同轴连接器3朝向凹部1b方向的位置偏差。
突条部7设置在切口部1c的底面。此外,突条部7沿主体部1a的被切开的侧面侧的端部延伸。突条部7可以由与主体部1a不同的材料构成,也可以是与主体部1a分开的构件。突条部7可以使用与主体部1a相同的金属材料和主体部1a一体成形。在将突条部7和主体部1a一体成形的情况下,通过对基体的下表面进行切削加工,能够在基体的下表面形成切口部1c和突条部7。
同轴连接器3包括:端子3a;具有***端子3a并使其通过的孔的保持构件3b;以及密封材料3c。同轴连接器3可以具有多个端子3a。在同轴连接器3具有多个端子3a的情况下,可以将这些多个端子3a用作信号端子,向电子装置30输入输出多个高频信号来使用。
端子3a由Fe-Ni-Co合金、Fe-Ni合金等金属构成。例如在端子3a由Fe-Ni-Co合金构成的情况下,对该合金的铸块(锭)实施轧制加工、冲压加工等金属加工方法。通过这些加工,将端子3a制作成长度为1.5~22mm、直径为0.1~0.5mm的线状。
在端子3a的直径小于0.1mm的情况下,端子3a容易弯曲,操作上的一点点不注意就容易使端子3a弯曲。若端子3a被弯曲,则在具有空气同轴部的情况下,该部分中的阻抗(是特性阻抗,这以后的阻抗也是同样的)就会容易紊乱。此外,有时端子3a与外部电路的连接的作业性会降低。此外,若端子3a的直径超过0.5mm,则为了进行阻抗匹配而所需的贯通孔2以及插通孔5a的直径就会不必要地变大,电子装置变得很难实现小型化。因此,端子3a的直径例如被设定成0.1~0.5mm。
保持构件3b由与主体部1a相同的金属材料构成。该金属材料的加工方法也与主体部1a相同。在该情况下,主体部1a还具有保持构件3b,保持构件3b作为主体部1a的一部分存在于贯通孔2与密封材料3c之间的结构也包括在本实施方式中。在图1~图5所示的情况下,保持构件3b被钎焊在设置于主体部1a中的贯通孔2的内周面。此外,在如图5所示,在贯通孔2是将凹部1b的底面侧的直径小的圆柱和在其下方的切口部1c处开口的直径大的圆柱相连的形状的情况下,保持构件3b可以钎焊在开口于切口部1c处的直径大的一方的贯通孔2的内周面。端子3a被***并通过保持构件3b内,经由密封材料3c固定于保持构件3b。
密封材料3c由玻璃、陶瓷等绝缘性的无机材料构成。密封材料3b确保端子3a与外壳1或者保持构件3b的绝缘性。
作为这样的密封材料3c的例子,可列举硼硅酸玻璃、钠玻璃等玻璃以及在这些玻璃中加入了用于调整密封材料3c的热膨胀系数、相对介电常数的陶瓷填料后得到的材料。对于密封材料3c,为了阻抗匹配,可以适当调整相对介电常数来使用填料。作为降低相对介电常数的填料,可列举氧化锂等。例如,想要将特性阻抗设为50Ω,只要设定成下面这样的条件即可。即,若是贯通孔2的内径为1.75mm且端子3a的外径为0.2mm的情况,则使用密封材料3c的相对介电常数为6.8的材料即可。此外,若是贯通孔2的内径为1.65mm且端子3a的外径为0.25mm的情况,则使用密封材料3c的相对介电常数为5的材料即可。
挠性基板6从切口部1c内朝向突条部7的方向向切口部1c外延伸。挠性基板6具有:经由接合材料8与端子3a的下端接合的固定端部6b;以及固定端部的相反一侧的自由端部6a。固定端部6b是上述的延伸方向的近位端,自由端部6a是延伸方向的远位端。挠性基板6与突条部7抵接并挠曲成自由端部6a向斜下方延伸出。由此,自由端部6a就处于比固定端部6b更低的位置。此外,端子3a被***到设置于挠性基板6的贯通部中,通过接合材料8被接合固定。另外,虽然未图示,但是挠性基板6具有:经由接合材料8与端子3a电连接且设置在上述贯通部的周围的布线导体;以及经由导电构件与保持构件3b电连接的接地布线导体。
此外,如图5所示,挠性基板6被配置成与切口部1c的底面对置的面抵接于保持构件3b的切口部1c侧的端面以及切口部1c的底面,被固定于同轴连接器3。由此,对于挠性基板6而言,因变形等产生的相对于同轴连接器3的位置偏差的可能性降低,能够维持期望的频率特性。此外,挠性基板6也可以被配置成自由端部6a相反方向上的一端抵接于位于突条部7的相反一侧的切口部1c的侧面,从而被固定于同轴连接器3,通过与前述相同的作用效果,能够维持期望的频率特性。
根据这样的构成,在将挠性基板6和外部电路基板14连接的情况下,即使在挠性基板6的自由端部6a施加上下方向的力,固定端部6b也很难产生因杠杆原理引起的应力。此外,即使施加了拉伸方向的力,也能够缓和施加至固定端部6b的力。此外,能够降低挠性基板6从期望的位置发生偏差的可能性。即,即使对自由端部6a施加了力,也能够使得固定端部6b很难发生破损,并且能够维持期望的频率特性。因此,在将挠性基板6和外部电路基板14连接时,能够提高电子部件搭载用封装体20与外部电路基板14的连接可靠性。
图6示出本发明的第2实施方式的电子部件搭载用封装体20A。贯通孔2在切口部1c的底面侧的开口面积大于在凹部1b的底面侧的开口面积。此外,同轴连接器3具有保持构件3b,该保持构件3b具有***端子3a并使其通过的孔。并且,保持构件3b容纳于贯通孔2中。沿突条部7延伸的槽9形成在切口部1c的底面的突条部7与同轴连接器3之间的区域。槽9与贯通孔2连通。由此,能够降低在容纳于贯通孔2中的保持构件3b与突条部7之间产生高频共振的可能性。此外,如图6所示,槽9可以是包围贯通孔2以及保持构件3b的环状槽的一部分。即,槽9可以形成在切口部1c的底面的突条部7和位于突条部7的相反一侧的切口部1c的侧面之间的区域中。由此,能够降低在容纳于贯通孔2中的保持构件3b和突条部7之间、以及位于突条部7的相反一侧的切口部1c的侧面之间产生高频共振的可能性。
图7示出本发明的第3实施方式的电子部件搭载用封装体20B。在本发明的第3实施方式的电子部件搭载用封装体20B中,突条部7是在与同轴连接器3相向的内侧的角部形成了倒角部10的长方体形状。并且,倒角部10抵接于挠性基板6。通过这样的构成,能够降低挠性基板6与突条部7抵接的部分的破损的可能性。
倒角部10例如可以是其垂直方向的高度比水平方向的宽度小。由此,能够使与突条部7抵接而挠曲的挠性基板6的挠曲得到缓和。因挠性基板6发生挠曲而被施加的固定端部6b的应力、施加至挠性基板6发生挠曲的部位的应力就会变小。因此,能够降低固定端部6b、挠性基板6发生破损的可能性,并且能够降低挠性基板6从期望的位置发生偏差或变形的可能性。进而,倒角部10可以具有凸的曲面形状。由此,能够减少倒角部10与挠性基板6抵接的面积。由此,能够进一步降低挠性基板6发生破损的可能性。
图8示出本发明的实施方式的电子装置30的剖视图。电子装置30具备:前述结构的电子部件搭载用封装体20、20A、20B;容纳于电子部件搭载用封装体20、20A、20B的凹部1b中的电子部件11;与电子部件搭载用封装体20、20A、20B接合而覆盖电子部件11的盖体13。
通过这样的构成,在将电子装置30和外部电路基板14连接的情况下,即使对挠性基板6的自由端部6a施加了力,固定端部6b也很难产生因杠杆原理引起的应力。此外,能够降低挠性基板6从期望的位置发生偏差的可能性。因此,能够降低固定端部6b发生破损的可能性,并且能够维持期望的频率特性。因此,在将电子装置30和外部电路基板14连接时,即使对挠性基板6的自由端部6a施加了力也很难发生损伤,并且能够降低频率特性发生变动的可能性。其结果,能够提高电子装置30与外部电路基板14的连接可靠性,并且能够实现稳定的频率特性。
此外,在主体部1a的下表面设置切口部1c,将挠性基板6的至少一部分收纳在切口部1c内。因此,在使主体部1a的下表面的未设置切口部1c的平坦的部位和外部电路基板14相接触来安装的情况下,通过将同轴连接器3与挠性基板6的固定部收纳于切口部1c中,容易使电子部件搭载用封装体20、20A、20B高度变低。此外,在主体部1a的下表面的未设置切口部1c的平坦的部位与外部电路基板14之间不存在挠性基板6以及端子3a。因此,电子装置30很难发生倾斜,稳定地被安装到外部电路基板14。因此,散热性以及安装可靠性得到了提高,并且能够稳定地维持电子部件搭载用封装体20、20A、20B的频率特性。
此外,在该情况下,作为设置在切口部1c外的挠性基板6的一部分的自由端部6a,可以位于比外壳1的下表面的未设置切口部1c的平坦的部位更靠下方的位置。其一部分在安装时在一定压力之下与外部电路基板14接触。因此,设置在挠性基板6的布线导体与经由焊锡等钎料的外部电路基板14的接合作业就会变得容易。此外,作为设置在切口部1c外的挠性基板6的一部分的自由端部6a,可以位于比外壳1的下表面的未设置切口部1c的平坦的部位更靠上方的位置。由此,在将电子装置30安装于外部电路基板14时,本发明的电子部件搭载用封装体20、20A、20B能够在自由端部6a与外部电路基板14之间设置间隙。因而,在将电子装置30安装于外部电路基板14时,自由端部6a与外部电路基板14抵接,电子装置30很难倾斜。其结果是,本发明的电子部件搭载用封装体20、20A、20B能够维持经由外壳1的下表面的散热性。
基台5以及电子部件11与主体部1a的凹部1b的底面接合。具有导体线路(未图示)的电路基板4被搭载且接合在基台5的上表面。
电路基板4由氧化铝(Al2O3)陶瓷或者氮化铝(AlN)陶瓷绝缘基板等陶瓷构成。电路基板4起到阻抗匹配用的基板的作用。氧化铝陶瓷绝缘基板等在以下说明中有时也仅称为绝缘基板。
在电路基板4配置有导体线路。导体线路例如是50Ω阻抗的微带线路。该阻抗例如与端子3a的阻抗相同。微带线路中与端子3a相反的一侧的端部经由接合线(bonding wire)12与电子部件11连接。微带线路中端子3a侧的端部经由接合材料8与端子3a的上端接合。由此,将端子3a和电子部件11电连接。
此外,在电路基板4的下表面等形成有接地导体(未图示)。接地电位(地电位)从挠性基板6的接地布线导体经由外壳1和基台5被提供到接地导体。接地导体经由钎料等与基台5接合,并与挠性基板6的接地布线导体电连接。
想要将电路基板4的导体线路的特性阻抗设为50Ω,例如若是微带线结构的电路基板4的情况,则只要设定成下面这样的条件即可。即,在由相对介电常数为9.5的96%氧化铝质烧结体构成且厚度为0.3mm的绝缘基板的下表面,形成接地导体5c,将上表面的导体线路设为宽度是0.3mm且厚度是4μm即可。在绝缘基板由相同的氧化铝质烧结体构成且厚度是0.5mm的情况下,将导体线路设为厚度是4μm且宽度是0.5mm即可。
电路基板4若是例如由氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)构成的情况,则能够通过下面的方法制作。首先,在氧化铝、氧化镁、氧化钙等原料粉末中添加并混合适当的有机粘合剂、增塑剂以及溶剂,得到泥浆物,利用刮刀法或者压延辊法等对该泥浆物进行成形,形成陶瓷生片(ceramic green sheet)。接着,对该陶瓷生片实施适当的冲压加工,形成给定形状。根据需要,将该加工后的陶瓷生片层叠多片而形成成形体。然后,在约1600℃的温度下下,烧固该成形体。通过以上的工序,制作电路基板4。该烧固后的绝缘基板的厚度约为0.2~0.3mm。为了使导体线路的阻抗例如匹配于50Ω,绝缘基板制作得很薄。
在基台5设置有插通孔5a。端子3a被***并通过插通孔5a的内部,成为空气同轴结构。由此,在端子3a从外壳1的凹部1b的底面突出的部分,很难发生阻抗的不匹配。因此,能够良好地传输高频信号。
插通孔5a例如与贯通孔2连通且直径是0.23~1.15mm。端子3a所通过的插通孔5a的直径被设为端子3a贯通中心而形成特性阻抗为50Ω的空气同轴这样的尺寸。例如,若是端子3a的直径为0.2mm的情况,则插通孔5a的直径只要设为0.46mm即可。
基台5经由Au-Sn合金等低熔点钎料与外壳1的凹部1b底面接合。在基台5的上表面搭载电路基板4。该电路基板4经由Au-Sn合金等低熔点钎料与基台5接合。
基台5由Fe-Ni合金等金属构成,该Fe-Ni合金具有外壳1的热膨胀系数与电路基板4的热膨胀系数的中间的热膨胀系数。基台5起到不会因温度变化而对搭载在上表面的电路基板4作用大的应力从而发生破裂的缓冲材料的作用。即,基台5起到中继用基台5的作用。若在与LN元件的热膨胀系数匹配的外壳1直接搭载电路基板4,则主体部1a的热膨胀系数与电路基板4的热膨胀系数之差大。因该热膨胀系数之差,有时会在电路基板4中产生裂纹。为了防止这样的不良,设为在主体部1a的凹部1b的底面搭载基台5并在该基台5的上表面搭载电路基板4这样的本实施方式的构成。
例如,在主体部1a是SUS304(热膨胀系数为17.3×10-6/℃)且电路基板4是氧化铝陶瓷(热膨胀系数为6.5×10-6/℃)的情况下,基台5例如由具有主体部1a和电路基板4的中间的热膨胀系数的Fe-50Ni合金(热膨胀系数为9.9×10-6/℃)的金属材料构成。在该情况下,通过基台5,缓和施加至电路基板4的应力。因此,电路基板4发生破裂的可能性变小。另外,基台5能够通过对该材料的铸块实施轧制加工、冲压加工等金属加工法来形成。
此外,对于基台5而言,若将其厚度设为1~2mm,则能够降低在电路基板4中产生裂纹等的可能性。若基台5的厚度是1mm以上,则因主体部1a与电路基板4的热膨胀系数之差而产生的应力能够得到有效的缓和。若基台5的厚度是2mm以下,则能够有效降低电子装置的高度,能够实现装置的薄型化。随着所传输的频率变高,为了提高传输特性,需要使电路基板4的厚度变薄,将电路基板所具备的导体线路(未图示)形成得细。在该情况下,为了使电路基板4很难发生破裂,基台5的厚度只要设为1.7~2mm即可。
电路基板4的导体线路以及接地导体(未图示)由从钨、钼、锰、铜、银、钯、白金以及金等金属材料中选择出的金属材料构成。
导体线路以及接地导体若例如由钨构成,则可通过如下方式形成。首先,在钨的粉末中添加并混炼有机溶剂、粘合剂,制成金属膏。接着,使用丝网印刷法,在会成为绝缘基板的陶瓷生片上将该金属膏印刷成给定的布线图案。通过包括以上工序的方法,能够形成导体线路以及接地导体。
导体线路以及接地导体也能够通过薄膜加工来制成。导体线路以及接地导体在通过薄膜加工制成时,能够形成为高精度的图案。基于薄膜加工的导体线路以及接地导体由依次层叠了密接金属层、防扩散层以及主导体层的三层结构的导体层构成。
在通过薄膜加工来制成导体线路以及接地导体的情况下,例如可通过如下方式来制作。
首先,通过蒸镀法、溅射法、离子镀法(ion plating)等薄膜形成法,在烧固后的绝缘基板形成成为导体线路以及接地导体的各层(依次层叠了密接金属层、防扩散层以及主导体层的三层结构的导体层)。之后,形成抗蚀剂膜,通过光刻加工、蚀刻等薄膜加工,形成导体线路、接地导体。
基台5的侧面其整个面可以与外壳1的凹部1b的侧壁抵接。在该情况下,不在基台5的侧面与外壳1的内面之间形成空间地接触。因此,就不会发生共振,因共振引起的噪声叠加至在导体线路中传输的高频信号上的可能性低。并且,能够良好地传输高频信号。
如上所述,对于基台5而言,虽然可以不使其侧面与凹部1b的侧壁抵接,但是若凹部1b的侧壁与底面所成的角部不是直角,则很难使基台5的侧面的整个面与凹部1b的侧壁抵接。在该情况下,会在基台5的侧面与凹部1b的侧壁之间产生空间。这样,存在在空间内发生共振的可能性。因共振引起的噪声会叠加在导体线路中的高频信号上,存在很难良好地传输高频信号的可能性。
在这样的情况下,可以在基台5的下部的角,形成切口或者倒角。通过形成倒角,能够使基台5的侧面容易与凹部1b的侧壁抵接。其结果是,能够降低基台5的侧面与凹部1b的侧壁之间的共振发生的可能性,能够良好地传输高频信号。
此外,在基台5的侧面与凹部1b的侧壁之间产生空间的情况下,若空间的宽度是50μm以上且0.1mm以下,则在以下方面是有利的。即,具有共振的强度与空间宽度的二次幂成反比例地减少的关系。因此,若空间宽度、即基台5的侧面与凹部1b的侧壁之间的距离在50μm以上,则很难引起共振。因共振引起的噪声也会变小,在导体线路中传输的高频信号会变得良好。因此,只要空间宽度在50μm以上,就能够良好地传输高频信号。此外,空间宽度越大,共振就越弱。因此,在电特性方面,空间宽度越大越有效。但是,考虑到电子装置的小型化,空间宽度设定在0.1mm以下。
盖体13通过浸焊法、缝焊法与外壳1的上表面外周部接合。盖体13将电子部件11气密地密封到电子部件搭载用封装体20、20A、20B之中。盖体13的材料例如是Fe-Ni-Co合金等金属材料、氧化铝陶瓷等陶瓷。经由Au-Sn合金等低熔点钎料将盖体13与外壳1的上表面外周部接合,或者通过缝焊等焊接来接合这两者。由此,将电子部件11密封到电子部件搭载用封装体20、20A、20B内。
本实施方式的电子部件搭载用封装体20、20A、20B利用钎料将端子3a的上端与电路基板4的导体线路连接。端子3a以空气同轴的方式***并通过插通孔5a的中心,变成例如50Ω的高频阻抗。此外,被固定在主体部1a的贯通孔2的中心,变成50Ω的高频阻抗。并且,端子3a的下端利用钎料与挠性基板6的布线导体连接。挠性基板6的接地布线导体夹着布线导体配置在布线导体的两侧。各个接地布线导体利用钎料与主体部1a的下表面连接。布线导体和接地布线导体构成共面线路。该共面线路在外壳1的外部也形成50Ω的阻抗。
另外,本发明并不限于上述的实施方式以及实施例,只要在不脱离本发明的主旨的范围内,就能够进行各种变更。例如,在上述的实施方式的一例中,作为电子部件11举例说明了LN元件,但是并不限于此,也可以是高频半导体元件等电子部件11。
此外,在上述实施方式的说明中,上下左右这样的用语仅是为了说明附图上的位置关系而使用,并不意味着实际使用时的位置关系。
符号说明
1……外壳
1a……主体部
1b……凹部
1c……切口部
2……贯通孔
3……同轴连接器
3a……端子
3b……保持构件
3c……密封材料
4……电路基板
5……基台
5a……插通孔
6……挠性基板
6a……自由端部
6b……固定端部
7……突条部
7a……倒角部
8……接合材料
9……槽
10……倒角部
11……电子部件
12……接合线
13……盖体
20……电子部件搭载用封装体
30……电子装置
Claims (4)
1.一种电子部件搭载用封装体,具备:
包括主体部和突条部的外壳,其中,该主体部包括具有容纳电子部件的凹部的上表面以及具有切口部的下表面,且从所述凹部的底面一直到所述切口部的底面存在贯通孔,该突条部位于所述切口部的所述底面,沿所述主体部的被切开的侧面侧的端部延伸;
设置在所述切口部的同轴连接器,该同轴连接器包括端子,该端子具有通过所述贯通孔并向所述凹部内突出的上端和向所述切口部内突出的下端;以及
从所述切口部内向所述切口部外延伸的挠性基板,该挠性基板具有与所述端子的所述下端接合的固定端部和该固定端部的相反一侧的自由端部,并且该挠性基板与所述突条部抵接并挠曲。
2.根据权利要求1所述的电子部件搭载用封装体,其中,
所述贯通孔在所述切口部的所述底面侧的开口面积大于在所述凹部的所述底面侧的开口面积,
所述同轴连接器具有保持构件,该保持构件具有使所述端子***并通过的孔,该保持构件容纳于所述贯通孔中,
沿所述突条部延伸的槽处于所述切口部的底面的所述突条部与所述同轴连接器之间的区域,所述槽与所述贯通孔连通。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件搭载用封装体,其中,
所述突条部是在与所述同轴连接器相向的内侧的角部具有倒角部的长方体形状,所述倒角部抵接于所述挠性基板。
4.一种电子装置,具有:
权利要求1~3中任一项所述的电子部件搭载用封装体;
电子部件,容纳于所述电子部件搭载用封装体的所述凹部中;以及
盖体,与电子部件搭载用封装体接合,覆盖所述电子部件。
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