JP4969490B2 - 基板保持部材及びパッケージ、並びに電子装置 - Google Patents

Description

本発明は基板保持部材及びパッケージ、並びに電子装置に関する。

従来の同軸コネクタを具備し高周波信号の伝送するための電子素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）の概略図を図４に示す。図４（ａ）は従来のパッケージの一例を示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すパッケージのＡ−Ａ’線における断面図である。１０１は基体、１０２は枠体、１０３は同軸コネクタ、１０６は回路基板、１１１は保持部材であり、主にこれらによりパッケージが構成される。

図４のパッケージは、パッケ−ジ内外を電気的に接続するための中心導体１０３ｂを有する同軸コネクタ１０３と、同軸コネクタ１０３の中心導体１０３ｂと電気的に接続される線路導体１０６ａを有する回路基板１０６と、同軸コネクタ１０３が嵌合される貫通孔１１１ｂと回路基板１０６が設置される台座部１１１ａとが一体的に形成された保持部材１１１とを備えているものである。

ここで、保持部材１１１はセラミック材料等から構成されて成り、基体１０１の貫通孔１０１ｂが外部電気回路基板への固定部となるものである（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−２４３９９２号公報

しかしながら、図４に示した上記従来のパッケージにおいて、保持部材１１１を枠体１０２に接合するための接合材が、保持部材１１１の台座部１１１ａに流れ込んでしまう場合があり、その場合、回路基板１０６と台座部１１１ａとを接合するための接合材が過多となって、回路基板１０６が台座部１１１ａに対して傾いた状態で設置されてしまい、中心導体１０３ｂと線路導体１０８ａとの接続部を伝送する高周波信号の伝送効率が劣化するという問題点があった。

また、図４に示した上記従来のパッケージにおいて、基体１０１の貫通孔１０１ｂにネジを挿入し、貫通孔１０１ｂを外部電気回路基板にネジ止め固定すると、パッケージ製造時に反ってしまっていた基体１０１の反りが矯正されることとなり、その時に生ずる応力が枠体１０２と保持部材１１１を伝わって回路基板１０６に作用して、回路基板１０６にクラック等の破損が生じ、線路導体１０８ａが断線する等して線路導体１０８ａに高周波信号を良好に伝送できなくなってしまうという問題点があった。

本発明は、上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、電子素子を正常に作動させることが可能な基板保持部材及びパッケージ、並びに電子装置を提供することにある。

上記の課題を解決するために、請求項１の発明は、金属からなる平板部と、前記平板部上に設けられ、長尺状の金属からなる立壁部と、前記平板部を上面視して、前記立壁部の長手方向端部から、前記立壁部の短手方向に向かって延在してなる支持部と、前記平板部を上面視して、前記支持部と前記立壁部とで囲われる領域内に少なくとも一部が位置するように前記平板部上に接合されたセラミック基板と、を具備し、前記支持部の外側面は、切欠部が形成されてなることを特徴とする基板保持部材である。

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板保持部材であって、前記支持部は、前記立壁部の長手方向両端から前記セラミック基板側に延在してなることが好ましい。

また、請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の基板保持部材であって、前記支持部の高さは、前記立壁部の高さと同じであることが好ましい。

また、請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板保持部材であって、前記基板保持部材は、金属機械加工によって一体形成された基体に、前記セラミック基板が接合されてなることが好ましい。

また、請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板保持部材であって、前記立壁部は、コネクタを挿入するための貫通孔を備えてなることが好ましい。

また、請求項６の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板保持部材であって、前記立壁部は、コネクタを挿入するための貫通孔を複数備えてなることが好ましい。

請求項７の発明は、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の基板保持部材と、キャビティを有する基体の壁部に前記キャビティに通じる開口部を有する容器体と、を備え、前記開口部に前記基板保持部材がロウ材を介して接合されてなるパッケージである。

請求項８に記載の発明は、請求項７に記載のパッケージと、前記キャビティ内部に搭載された電子素子と、前記壁部に接合された蓋体と、を具備してなる電子装置である。

請求項９に記載の発明は、キャビティを有する基体の内壁に突出して設けられた棚部を有する容器体と、前記棚部上に接合され、所定周波数の電気信号が伝送される線路導体が形成されたセラミック基板と、前記容器体を上面視して、前記セラミック基板を挟むように、前記内壁に突出して設けられた支持部と、を備えてなることを特徴とするパッケージである。

請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載のパッケージと、前記キャビティ内部に搭載された電子素子と、前記壁部に接合された蓋体と、を具備してなる電子装置である。

請求項１に記載の構成によれば、立壁部に応力が加わった場合に、前記立壁部の長手方向端部には、前記立壁部の短手方向に向かって延在してなる支持部を備えているため、基板保持部材の短手方向において、断面二次モーメントが増加し、基板保持部材の変形を抑制することができる。それゆえ、上記応力に起因したセラミック基板の割れ、セラミック基板から線路導体の剥がれを抑制することができる。また、パッケージにロウ材を介して基板保持部材を接合する場合に、溶融したロウ材がセラミック基板に流れ込むことを抑制することができる。また、例えばパッケージにネジ止めにより基板保持部材に加わる応力を、切欠部が形成された支持部が弾性変形することにより、緩和することができるため、セラミック基板に上記応力が加わることを抑制することができる。

また、セラミック基板に形成されたグランド線と基板保持部材とを電気的に接続すれば、基板保持部材をグランド電位として使用することができるため、グランド電位を安定して維持できるセラミック基板とすることができる。

請求項２に記載の構成によれば、セラミック基板を平板部上に載置する際に、セラミック基板の位置合わせを好適に行うことができる。

請求項３に記載の構成によれば、断面二次モーメントをさらに増加させることができるため、基板保持部材の変形をさらに抑制することができる。

請求項４に記載の構成によれば、平板部、立壁部、及び支持部が一体形成されていることから、基板保持部材に加わる応力を分散し易く、より一層上記応力に起因したセラミック基板の割れを抑制することができる。

請求項５に記載の構成によれば、コネクタを挿入する際に、基板保持部材はコネクタに押圧され、基板保持部材に応力が加わるものの、基板保持部材の変形に起因してコネクタ
が基板保持部材から抜け落ちることを抑制することができる。また、例えばコネクタに同軸コネクタを用いた場合は、軸と上記線路導体とのずれを抑制することができるため、安定して電気信号を伝送することができる。さらに、同軸コネクタのグランド部と基板保持部材とを電気的に接続した場合には、基板保持部材をグランド電位として使用することができるため、グランド電位を安定して維持できる同軸コネクタとすることができる。

請求項６に記載の構成によれば、複数のコネクタを貫通穴に個取り付けることができるため、パッケージの多端子化が可能となる。この場合、通常、セラミック基板上に形成される線路導体の本数が多くなれば、セラミック基板が大型化し、撓み量（変形量）の大きな平板部の端部にセラミック基板が近接するものの、支持部によって撓み量を抑制し、セラミック基板の割れ、セラミック基板から線路導体の剥がれを抑制することができる。なお、２個のコネクタで１組の差動線路を形成すれば、差動信号の入出力が可能となる。

請求項７に記載の構成によれば、基板保持部材の外側面をロウ材を介して容器体に接合しても、支持部によって溶融したロウ材の広がりを抑制できるため、平板部上にロウ材が流れ込むことを抑制できる。

請求項８に記載の構成によれば、セラミック基板上にロウ材が付着することを抑制できるため、安定して線路導体中の電気信号を伝送する電子装置を提供することができる。

請求項９に記載の構成によれば、パッケージの内壁に突出して設けられた支持部を備えることにより、パッケージの断面二次モーメントが増加するため、パッケージの変形を抑
制することができる。それゆえ、上記応力に起因したセラミック基板の割れ、セラミック基板から線路導体が剥がれることを抑制できる。

また、容器体が金属からなる場合にセラミック基板に形成されたグランド線と容器体とを電気的に接続すれば、容器体をグランド電位として使用することができるため、グランド電位を安定して維持するパッケージを提供することができる。

請求項１０に記載の構成によれば、パッケージの変形が生じにくい電子装置を提供することができる。

以下、本発明のパッケージの構成を説明する。図１（ａ）は本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すパッケージのＸ−Ｘ’線における断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）に示すパッケージのＹ−Ｙ’線における断面図である。

なお、本発明の実施形態において、平板部を上面視して、支持部と立壁部とで囲われる領域とは、図１（ａ）において、一点鎖線で囲った領域である。また、支持部が一方にしかない場合は、支持部と立壁部とを各々一辺として形成される三角形状の領域を示すものである。

図２は図１に示すパッケージの基板保持部材の拡大斜視図である。また、図３は本発明のパッケージの実施の形態の他の例を示す平面図である。ここで、１は基体、２は枠体、３は同軸コネクタ、６はセラミック基板、１１は基板保持部材である。

基体１は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）の焼結材等から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すか、または射出成形と切削加工を施すことによって所定の形状に製作される。

その上側主面には、ＩＣ、ＬＳＩ、半導体レーザ（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の電子素子５を載置するための載置部１ａが形成されており、載置部１ａには電子素子５が半田等の接合材により載置固定される。電子素子５は、その電極がセラミック基板６に被着形成されている線路導体６ａにボンディングワイヤ等の電気的接続手段７を介して電気的に接続されている。

また、基体１の上側主面の外周部には載置部１ａを囲繞するようにして枠体２が立設されており、枠体２は基体１とともにその内側に電子素子５を収容する空所を形成する。

枠体２は基体１と同様に鉄−ニッケル−コバルト合金や銅−タングステンの焼結材等から成り、基体１と一体成形されることによって、あるいは基体１に銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ、銀（Ａｇ）ロウ等のロウ材を介してロウ付けされて、シーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体１の上側主面の外周部に立設される。

枠体２の側面には、後述する基板保持部材１１が接合される嵌着部２ａが形成されている。

嵌着部２ａの形状は、枠体２内外を貫通する貫通孔であったり、枠体２の基体１との接合面側から逆Ｕ字型に切り欠かれて枠体２内外を貫通する切り欠きであったり、枠体２の蓋体４との接合面側からＵ字型に切り欠かれて枠体２内外を貫通する切り欠きであってもよい。

例えば、嵌着部２ａが枠体２の蓋体４との接合面側からＵ字型に切り欠かれて枠体２内外を貫通する切り欠きとして形成される場合、嵌着部２ａが設けられる枠体本体２１と、蓋体４を気密に封止するためのシールリング２２とから形成されることが好ましい。枠体本体２１とシールリング２２は、鉄−ニッケル−コバルト合金や銅−タングステンの焼結材等から成り、枠体本体２１とシールリング２２とが同一の材料から形成されていてもよいし、異なる材料から形成されていてもよい。

シールリング２２は、蓋体４とのシーム溶接性に優れた鉄−ニッケル−コバルト合金，鉄−ニッケル合金，ステンレス鋼（ＳＵＳ）等から成るのがよい。枠体本体２１とシールリング２２は、嵌着部２ａ内に鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属からなる基板保持部材１１が挿入されるとともに基板保持部材１１の外周面と嵌着部２ａの内周面とが銀−銅ロウ、銀ロウ等のロウ材を介して嵌着接合される際に、銀−銅ロウ、銀ロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。

同軸コネクタ３は、内部に収容する電子素子５を外部の同軸ケーブル（図示せず）に電気的に接続するものであり、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の外周導体３ａの中心軸に同じく鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る中心導体３ｂが絶縁体３ｃを介して固定された構造をしている。

＜基板支持部材＞
以下、本発明の特徴部分である基板保持部材１１について詳細に説明する。

ここで、平板部１１ａとは、図２に示すように、後述するセラミック基板６が上面に載置される部位を示すものであり、立壁部１１ｄとは、平板部１１ａよりも高い部位を示すものである。

本発明に係る基板保持部材１１は、金属からなるものであり、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）の焼結材等から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すか、または射出成形と切削加工を施すことによって、平板部１１ａと長尺状の立壁部１１ｄとを形成することができる。

このように、金属機械加工によって一体形成された基体に、後述するセラミック基板６が接合されてなることが好ましく、平板部１１ａ、立壁部１１ｄ、及び支持部１１ｃが一体形成されていることから、基板保持部材１１に加わる応力を分散し易く、より一層上記応力に起因したセラミック基板６の割れを抑制することができる。なお、平板部１１ａ、立壁部１１ｄ、及び支持部１１ｃを別部材により構成しても構わない。

本発明によれば、基板保持部材１１を上面視して、立壁部１１ｄの長手方向端部には、立壁部１１ｄの短手方向に向かって延在してなる支持部１１ｃを備えることから基板保持部材１１の短手方向において、断面二次モーメントが増加するため、基板保持部材１１の変形を抑制することができる。それゆえ、上記応力に起因したセラミック基板の割れ、セラミック基板から線路導体の剥がれを抑制することができる。

また、支持部１１ｃの形状は、立壁部１１ｄの長手方向両端からセラミック基板側に延在してなることが好ましく、後述するセラミック基板６を平板部１１ａ上に載置する際に、セラミック基板の位置合わせを好適に行うことができる。

さらに、支持部１１ｃの高さは、立壁部１１ｄの高さと同じであることが好ましく、断面二次モーメントをさらに増加させることができるため、基板保持部材１１の変形をさらに抑制することができる。

またさらに、支持部１１ｃの外側面には、切欠部が形成されてなることが好ましく、パッケージにロウ材を介して基板保持部材１１を接合する場合に、溶融したロウ材がセラミック基板に流れ込むことを抑制することができる。また、例えばパッケージにネジ止めにより基板保持部材１１に加わる応力を、切欠部が形成された支持部１１ｃが弾性変形することにより、緩和することができるため、セラミック基板に上記応力が加わることを抑制することができる。

すなわち、この構成により、枠体２と基板保持部材１１をロウ付け等により接合する際に基板保持部材１１の表面を伝って拡がろうとするロウ材を切欠部で堰き止めることができる。従って、枠体２と基板保持部材１１とを接合するためのロウ材が不足するのを防止し、枠体２と基板保持部材１１との間を気密に接合できなくなるのを防止する。また、平板部１１ａに枠体２と基板保持部材１１とを接合するためのロウ材が流れ込むのを確実に防止し、セラミック基板６が平板部１１ａに傾いた状態で載置されるのを防止することができる。従って、嵌着部２ａに沿った部位に切欠部が形成されていることが好ましい。

この切欠部は、図１，２のように嵌着部２ａの枠体２内側の開口において嵌着部２ａの外周部を階段状に窪ませて形成してもよいし、外周部を面取り加工して形成してもよい。なお、段階的に窪ませれば、表面積は飛躍的に増加するし、面取り加工を行えば、例えば製造時にハンドリングミスが生じてもクラック等が発生することを抑制できる。

また、図示しないが、基板保持部材１１の上側（シールリング２２側）に支持部１１ｃおよび切欠部が設けられていてもよい。この構成により、基板保持部材１１で応力や歪みをより一層分散できる構造とすることができる。また、枠体２と基板保持部材１１とを接合するためのロウ材が基板保持部材１１の表面を伝って拡がろうとするのを防止することができる。切欠部における短手方向の幅は、０．２ｍｍ以上であればよい。幅が０．２ｍｍ未満の場合、切欠部を越えてロウ材が基板保持部材１１の枠体２内側の面に流れ出易くなる。

このようにして、平板部１１ａへのロウ材の流れ込みを防いで、結果としてセラミック基板６を平板部１１ａの上面と平行になるようにして平板部１１ａに設置できる。

セラミック基板６は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）質焼結体や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体等のセラミックスから成り、セラミック基板６は外側平面視形状が四角形，五角形，六角形，八角形等の多角形の基板状のものである。

ここで、セラミック基板６がアルミナ質焼結体から成る場合のセラミックグリーンシートの製造方法の例として以下の工程が挙げられる。すなわち、まず、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，ＭｇＯ，ＣａＯ等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤等を添加混合してスラリーと成す。次に、このスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、所要の大きさに切断することによって作製される。なお、セラミックグリーンシートを形成する代わりに、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，ＭｇＯ，ＣａＯ等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤等を添加混合してセラミック顆粒体と成し、このセラミック顆粒体を金型成形することにより所望の基板形状に作成してもよい。

また、セラミック基板６には、その上側主面に線路導体６ａが形成されている。好ましくは、線路導体６ａに加えて下側主面に下側主面接地導体が形成されていてもよいし、コプレーナ線路を形成する場合においては、線路導体６ａと同一面に同一面接地導体が形成されていてもよい。セラミック基板に形成された接地導体と基板保持部材１１とを電気的に接続すれば、基板保持部材１１をグランド電位として使用することができるため、グランド電位を安定して維持できるセラミック基板とすることができる。

線路導体６ａは、セラミック基板６となるセラミックグリーンシート表面にＷ，Ｍｏ，Ｍｎ等の高融点金属から成る金属ペーストをスクリーン印刷法等により印刷塗布し、これらセラミックグリーンシートを必要に応じて積層した後に約1600℃の温度で焼成することにより形成することができる。

また、これら線路導体６ａの他、下側主面接地導体、同一面接地導体としてタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属から成るメタライズ層を形成することができる。すなわち、当該メタライズ層は、タングステン，モリブデン，マンガン等から成る金属ペーストをセラミック基体１の表面に塗布し、高温で焼成することによって形成される。また、コプレーナ線路を形成する場合、同一面接地導体と下側主面接地導体とを貫通導体を介して電気的に接続してもよく、この場合、セラミック基板６に貫通孔を形成し、この貫通孔にタングステン，モリブデン，マンガン等から成る金属ペーストを充填し、高温で焼成することによって形成される。

焼成後のメタライズ層の表面には金やニッケル等からなる金属層がメッキ法等によって被着されているのがよい。この構成により、メタライズ層の腐食防止や、導電性を向上させることができる。

なお、線路導体６ａ、下側主面接地導体、同一面接地導体はメタライズ層で形成する代わりに薄膜金属形成法によって形成されていてもよく、その場合、線路導体６ａ、下側主面接地導体、同一面接地導体は窒化タンタル（Ｔａ_２Ｎ）、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ合金）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金等から形成され、セラミックグリーンシートを焼成した後に蒸着等の加工を施すことによって形成される。

上述したセラミック基板は、基板保持部材１１の平板部１１ａ上に、例えば金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等の接合材を介して接合され、本発明に係る基板保持部材１１を得ることができる。

以下、本発明の基板保持部材１１に同軸コネクタを接合する実施形態について説明する。

本発明に係る基板保持部材１１の立壁部１１ｄには、コネクタを挿入するための貫通孔を備えている。ここでは、コネクタの一例として、同軸コネクタ３を用いた場合について説明する。

平板部１１ａには金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等の接合材を設置しその上にセラミック基板６を設置する。貫通孔１１ｂは、枠体２の内外を貫通するように形成され、同軸コネクタ３を挿入するとともに外周導体３ａとの間に金−錫半田等の封着材を挿入する。中心導体３ｂの先端部は、セラミック基板６の上面に突出させ、中心導体３ｂの先端部と線路導体６ａの上面との間に半田等の導電性接着材を載置する。

しかる後、加熱して接合材と封着材および導電性接着材を溶融させ、接合材によりセラミック基板６が平板部１１ａに強固に固定され、溶融した封着材は毛細管現象により外周導体３ａと貫通孔１１ｂの内壁との隙間に充填させることによって、外周導体３ａが貫通孔１１ｂ内に金−錫半田等の封着材８を介して挿着され、導電性接着材により中心導体３ｂと線路導体６ａとが接続される。

かくして、グランドとしての外周導体３ａが基板保持部材１１に封着材を介して基板保持部材１１に電気的に接続され、また信号線路としての中心導体３ｂがセラミック基板６の線路導体６ａに金−錫半田等から成る導電性接着材６ｂを介してそれぞれ電気的に接続される。

中心導体３ｂを伝送する高周波信号は、貫通孔１１ｂ部において貫通孔１１ｂの中心軸を伝送する同軸線路を伝送し、基板保持部材１１の枠体２内側の面から出て線路導体６ａの一端の半田等の導電性接着材に達した後は、例えばマイクロストリップ線路となっている線路導体６ａ上を伝送する。この同軸線路とマイクロストリップ線路は、所定の特性インピーダンス値に整合されている。導電性接着材の接続部において、中心導体３ｂの先端部の位置、線路導体６ａの位置、および導電性接着材の量により、信号線路のインピーダンスが所定の値に設定されている。このようにして、パッケージ内において、反射損失や透過損失等の伝送損失のない良好な信号線路が形成される。図１（ａ）において、線路導体６ａは線路導体６ａの両側に等間隔をあけて同一面に設けられた同一面接地導体とともにコプレーナ線路を形成してもよい。

また、図３に示すように、基板保持部材１１の立壁部１１ｄには、貫通孔１１ｂが複数設けられ、各貫通孔１１ｂにそれぞれ同軸コネクタ３が取り付けられていてもよい。

この場合、パッケージの多端子化が可能となる。この場合、通常、セラミック基板６上に形成される線路導体６ａの本数が多くなれば、セラミック基板が大型化し、撓み量（変形量）の大きな平板部の端部にセラミック基板６が近接するものの、支持部によって撓み量を抑制し、セラミック基板６の割れ、セラミック基板６から線路導体６ａの剥がれを抑制することができる。

また、図３に示すように、基板保持部材１１に２個の同軸コネクタ３を設け、それぞれの同軸コネクタ３の中心導体３ｂに接続されるようにセラミック基板６に２本の線路導体６ａを設けることで、１組の差動線路を形成することができ、差動信号の入出力が可能となる。

２本の線路導体６ａを１組の差動線路と為す場合、２本の線路導体６ａの長さを同一とするのがよい。２本の線路導体６ａの長さを同一とすることによって、２本の線路導体６ａを伝送する電気信号に位相差が生ずるのを防止することができる。

また、線路導体６ａは線路導体６ａの両側に等間隔をあけて同一面に設けられた同一面接地導体とともにコプレーナ線路を形成してもよい。この場合、Ｇ（接地導体）−Ｓ（線路導体）−Ｇ（接地導体）、またはＧ−Ｓ−Ｓ−Ｇとなるように、線路導体６ａおよび同一面接地導体を配置する。この構成により、線路導体６ａに高周波信号を伝送させても、高周波信号を同一面接地導体によって安定に接地させ、所定のインピーダンス値に整合させることができる。その結果、線路導体６ａを伝送する高周波信号に反射損失や透過損失等の伝送損失が発生するのを抑制し、線路導体６ａを伝送する高周波信号を効率良く伝送させることができる。

図３では、基板保持部材１１に２個の同軸コネクタ３を設け１組の差動線路を設けた例を示したが、これに限定されることはなく、基板保持部材１１に４個以上の偶数個の同軸コネクタ３を設け、差動線路を２組以上設けても構わない。差動線路を２組以上設けることで、セラミック基板６をより多機能なものとすることができる。なお、この場合、金属製である基板保持部材１１は、各同軸コネクタ３が発生する電界をシールドする。それゆえ、各同軸コネクタ３が発生する電界の干渉を抑制した基板保持部材１１を提供できる。

＜パッケージ＞
次に、上述した基板保持部材１１を用いたパッケージについて以下に説明する。

本発明に係るパッケージは、基板保持部材１１と、キャビティを有する基体の壁部にキャビティに通じる開口部を有する容器体と、を備え、開口部に基板保持部材１１がロウ材を介して接合されてなるものである。

このような構成とすることにより、基板保持部材１１の外側面をロウ材を介して容器体に接合しても、支持部１１ｃによって溶融したロウ材の広がりを抑制できるため、平板部１１ａ上にロウ材が流れ込むことを抑制できる。

なお、本発明に係る他のパッケージの実施形態としては、キャビティを有する基体の内壁に突出して設けられた棚部１１ａを有する容器体と、棚部１１ａ上に接合され、所定周波数の電気信号が伝送される線路導体６ａが形成されたセラミック基板６と、容器体を上面視して、セラミック基板６を挟むように、内壁に突出して設けられた支持部１１ｃと、を備えてもよく、上述した効果を奏することができる。

＜電子装置＞
最後に、上述したパッケージを用いた電子装置について以下に説明する。

例えば、本発明のパッケージは、電子素子５の電極とセラミック基板６の上面に被着された線路導体６ａとをボンディングワイヤ等の電気的接続手段７により電気的に接続し、しかる後、枠体２の上面に鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る蓋体４を半田付け法やシーム溶接法により接合することにより製品としての電子装置となる。

本発明に係る電子装置は、上述したパッケージと、キャビティ内部に搭載された電子素子と、壁部２に接合された蓋体と、を具備してなるものである。

このような構成とすることにより、セラミック基板上にロウ材が付着することを抑制できるため、安定して線路導体中の電気信号を伝送する電子装置を提供することができる。

この電子装置は、基体１の外周側に設けられた貫通孔１ｂをネジ止めすることにより、外部回路基板に実装される。また、同軸コネクタ３と外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０とを接続することにより、内部に収容する電子素子５が外部電気回路に電気的に接続され、電子素子５が高周波信号で作動することとなる。

貫通孔１ｂを外部回路基板にネジ止めして実装する際、パッケージ製造時のロウ付け工程において反りが発生していた基体１の反りが矯正され、基体１および枠体２に余計な応力や歪みが加わることとなる。本発明のパッケージにおいては、枠体２に余計な応力や歪みが加わった場合においても、支持部１１ｃで応力や歪みを分散させる、即ち単位体積当たりの変形を少なくさせかつ歪みを吸収させることができる。従って、基板保持部材１１からセラミック基板６に応力が作用し難くなり、セラミック基板６にクラック等の破損が生じるのを防止し、セラミック基板６に形成された線路導体６ａに高周波信号を良好に伝送させることができる。基板保持部材１１で応力や歪みを分散させる、即ち単位体積当たりの変形を少なくさせかつ歪みを吸収させるためには、基板保持部材１１の体積が大きい方がよく、支持部１１ｃの厚みを平板部１１ａと同様に枠体２より肉厚にするなどして体積を大きくすることができる。

また好ましくは、図１（ｂ）に示すように、平板部１１ａの厚さＡは支持部１１ｃの幅Ｂよりも大きいのがよい。この構成により、平板部１１ａを支持部１１ｃに比べて変形し難くして、セラミック基板６に応力を作用し難くできる。その結果、セラミック基板６にクラック等の破損が生じるのを防止し、セラミック基板６に形成された線路導体６ａに高周波信号を良好に伝送させることができる。

本発明においては、周波数が５〜５０ＧＨｚ程度の高周波信号の伝送特性を良好なものとすることができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更は何等差し支えない。

（ａ）は本発明の電子素子収納用パッケージおよび電子装置の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す電子素子収納用パッケージおよび電子装置のＸ−Ｘ’線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す電子素子収納用パッケージおよび電子装置のＹ−Ｙ’線における断面図である。 図１に示す電子素子収納用パッケージおよび電子装置の基板保持部材の拡大斜視図である。 本発明の電子素子収納用パッケージおよび電子装置の実施の形態の他の例を示す平面図である。 従来の電子装置の例を示す概略断面図である。

符号の説明

１：基体
１ａ：載置部
２：枠体、壁部
２ａ：嵌着部
３：同軸コネクタ
３ａ：外周導体
３ｂ：中心導体
３ｃ：絶縁体
４：蓋体
５：電子素子
６：セラミック基板
６ａ：線路導体
１１：基板保持部材
１１ａ：平板部、棚部
１１ｂ：貫通孔
１１ｃ：支持部
１１ｄ：立壁部

Claims (10)

1. 金属からなる平板部と、
   前記平板部上に設けられ、長尺状の金属からなる立壁部と、
   前記平板部を上面視して、前記立壁部の長手方向端部から、前記立壁部の短手方向に向かって延在してなる支持部と、
   前記平板部を上面視して、前記支持部と前記立壁部とで囲われる領域内に少なくとも一部が位置するように前記平板部上に接合されたセラミック基板と、
   を具備し、前記支持部の外側面は、切欠部が形成されてなることを特徴とする基板保持部材。
2. 前記支持部は、前記立壁部の長手方向両端から前記セラミック基板側に延在してなることを特徴とする請求項１に記載の基板保持部材。
3. 前記支持部の高さは、前記立壁部の高さと同じであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板保持部材。
4. 前記基板保持部材は、金属機械加工によって一体形成された基体に、前記セラミック基板が接合されてなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板保持部材。
5. 前記立壁部は、コネクタを挿入するための貫通孔を備えてなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板保持部材。
6. 前記立壁部は、コネクタを挿入するための貫通孔を複数備えてなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板保持部材。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の基板保持部材と、
   キャビティを有する基体の壁部に前記キャビティに通じる開口部を有する容器体と、
   を備え、前記開口部に前記基板保持部材がロウ材を介して接合されてなるパッケージ。
8. 請求項７に記載のパッケージと、
   前記キャビティ内部に搭載された電子素子と、
   前記壁部に接合された蓋体と、
   を具備してなる電子装置。
9. キャビティを有する基体の内壁に突出して設けられた棚部を有する容器体と、
   前記棚部上に接合され、所定周波数の電気信号が伝送される線路導体が形成されたセラミック基板と、
   前記容器体を上面視して、前記セラミック基板を挟むように、前記内壁に突出して設けられた支持部と、
   を具備してなるパッケージ。
10. 請求項９に記載のパッケージと、
    前記キャビティ内部に搭載された電子素子と、
    前記壁部に接合された蓋体と、
    を具備してなる電子装置。