CN107850915A - 用于提供恒定电流的设备及方法 - Google Patents

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CN107850915A CN201580081960.8A CN201580081960A CN107850915A CN 107850915 A CN107850915 A CN 107850915A CN 201580081960 A CN201580081960 A CN 201580081960A CN 107850915 A CN107850915 A CN 107850915A
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Abstract

本发明描述一种包括带隙参考电路(102)的设备，所述带隙参考电路(102)包括：放大器(104)，其包含第一输入及第二输入以及输出；及带隙晶体管(106)，其在其控制电极处耦合到所述放大器(104)的所述输出，所述带隙晶体管(106)进一步在其第一电极处共同耦合到所述放大器(104)的所述第一输入及所述第二输入以形成反馈路径。所述设备进一步包括耦合到所述带隙晶体管(106)的所述第一电极的电阻器(114)。

Description

用于提供恒定电流的设备及方法
背景技术
许多电子电路被设计为与恒定电流输入或偏置信号一起使用，所述恒定电流输入或偏置信号可由恒定电流源提供。举例来说，通常在使输入缓冲器电路、延迟电路及/或振荡器电路偏置时采用恒定电流源。传统恒定电流源采用使用多个放大器的带隙参考电路。然而，多个放大器消耗大量电力且占据电路中的显著空间。另外，多个放大器带隙参考电路可能仍遭受跨越操作温度的某种电流变化。
发明内容
本发明描述一种包括带隙参考电路的装置，所述带隙参考电路包括：放大器，其包含第一输入及第二输入以及输出；及带隙晶体管，其在其控制电极处耦合到所述放大器的所述输出，所述带隙晶体管进一步在其第一电极处共同耦合到所述放大器的所述第一输入及所述第二输入以形成反馈路径。所述装置进一步包括耦合到所述带隙晶体管的所述第一电极的电阻器。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的恒定电流源的示意图。
图2是根据本发明的实施例的具有电流镜电路的恒定电流源的示意图。
图3A是根据本发明的实施例的连接到输入缓冲器的恒定电流源的示意图。
图3B是根据图3A的实施例的输入缓冲器的示意图。
图4是根据本发明的实施例的恒定电流源的示意图。
图5是描绘根据本发明的实施例的恒定电流源的输出电流的图表。
图6是根据本发明的实施例的存储器的框图。
具体实施方式
下文陈述特定细节以提供对本发明的实施例的充分理解。然而，所属领域的技术人员将明了，可在不具有这些特定细节的情况下实践本发明的实施例。此外，本文中所描述的本发明的特定实施例以实例方式提供且不应用于将本发明的范围限制于这些特定实施例。在其它例子中，未详细展示众所周知的电路、控制信号、时序协议及软件操作以避免不必要地使本发明模糊。
恒定电流源在多种操作条件下提供恒定电流。举例来说，在电流源的操作期间，电流源的组件可变热。组件温度的改变可更改某些物理性质，且导致输出电流随电流源变热而改变。用于产生恒定电流输出信号的传统电路包含带隙参考电路。然而，传统带隙参考电路通常包含多个放大器，多个放大器又汲取大量电力。本发明的实施例提供恒定电流源，所述恒定电流源与传统恒定电流源相比，可展现较少温度相依且具有较低电力及空间消耗。电流源的经降低温度相依性可称为“温度独立”。
图1是根据本发明的实施例的整体标识为100的恒定电流源的示意图。电流源100通常包含带隙参考电路102、电阻器114及输出电路116。在图1的实施例中，输出电路116被图解说明为p型场效应晶体管(pFET)，然而，将了解，包含与图1中所展示的电路不同的电路的输出电路116的其它实例可用于本发明的其它实施例中。
带隙参考电路102可通常为任何带隙参考且提供参考电压(输出电压)。在一些实施例中，带隙参考电路102可提供1.25V的参考电压。在图1的实施例中，带隙参考电路102包含放大器104、输出晶体管106、电阻器120以及二极管122A及B(统称为“二极管122”)。二极管122(电阻元件)可展现温度相依性，例如具有基于温度而变化的电流。在一些实施例中，二极管122展现随温度增加而增加的电流。换句话说，二极管122的电阻值可表示负温度系数。在各种实施例中，放大器104可为运算跨导放大器(OTA)或运算放大器(op-amp)。放大器104包含非反相(+)输入及反相(-)输入以及输出，且经配置以基于提供到非反相输入及反相输入的输入而提供输出。所属领域的技术人员将了解，利用运算放大器实施的实施例可进一步包含补偿组件，例如电容器。在图1的实施例中，输出晶体管106被图解说明为pFET，但其它晶体管可用于其它实施例中。
在所描绘实施例中，放大器104的输出耦合到输出晶体管106的栅极。输出晶体管106的源极耦合到供应电压Vpp。输出晶体管106的漏极可耦合节点124(电流输出节点)且提供到输出信号108。在所描绘实施例中，节点124的第一分支130提供反馈信号110，所述反馈信号可载运1.25V的恒定电压及与绝对温度成比例(“PTAT”)的电流IPTAT(第一电流)。所属领域的技术人员将了解，IPTAT随温度增加而增加，如下文关于图4进一步详细地论述。
电流IPTAT可基于反馈信号110被提供到的组件而确定。在所描绘实施例中，反馈信号110被提供到正反馈环路126(第一电流路径)及负反馈环路128(第二电流路径)。正反馈环路126包含串联耦合到接地的两个电阻器120及一个二极管122B。电阻器120可具有相关联电阻R1。电阻R1可表示正温度系数。放大器104的非反相输入耦合到正反馈环路126中的两个串联电阻器120之间的节点且接收输入电压VIN2。负反馈环路128包含串联耦合到接地的具有电阻R1的电阻器120及二极管122A。放大器104的反相输入在电阻器120与二极管122之间耦合到负反馈环路128且接收输入电压VIN1。反馈信号110的电流IPTAT可基于欧姆定律而确定，其中ΔV是VBE1与VBE2之间的差，VBE1及VBE2分别是二极管122A及122B的电压，且ΔV取决于二极管122A及122B的值。举例来说，如先前所论述，二极管122A及122B可展现随温度增加而增加的电流。因此，ΔV可与温度直接成比例(例如，V∝kT/q，其中k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，且q是电子电荷的量值)。因此，IPTAT也可与温度直接成比例(如首字母缩略词PTAT所指示)。所属领域的技术人员将了解，图1中所描绘的带隙参考电路102仅被提供为实例，且在不背离本发明的范围的情况下可使用其它带隙参考电路。
节点124的第二分支112耦合到具有电阻R2的电阻器114且耦合到接地。电阻R2可表示正温度系数。节点124的第二分支可提供与绝对温度互补(“CTAT”)的电流ICTAT(第二电流)。电流ICTAT等于节点124处的电压(例如，1.25V)除以电阻器114(例如，R2)。在各种实施例中，电阻器114的电阻R2可经选择使得电流ICTAT具有与电流IPTAT相反的温度相依性。举例来说，IPTAT可随温度线性地增加(例如，IPTAT增加0.1μA/100K)。在此情形中，电阻器114经选择使得穿过电阻器114的电流ICTAT以相同速率减小(例如，ICTAT减小0.1μA/100K)。在一个实施例中，电阻器114可具有电阻R2＝225kΩ。通过将电流IPTAT及ICTAT提供为具有相等且相反的温度相依性，输出信号108的电流(输出电流ISTAB)可在变化的温度下保持恒定于ISTAB处。即，随着温度增加，穿过反馈信号110的电流增加且穿过第二分支112的电流以相同速率减小。因此，由于IPTAT与ICTAT的和(例如，离开节点124的总电流)随温度是恒定的，因此节点124的电流(例如，ISTAB)也随温度是恒定的。
放大器104的输出还可耦合到输出电路116。输出电路116可具有耦合到供应电压Vpp的源极且在具有电流IOUT的漏极处提供输出信号118(输出电流IOUT)。在所描绘实施例中，输出电路116被配置为晶体管106的电流镜。即，IOUT是ISTAB的镜电流。在一些实施例中，输出电路116及晶体管106可相匹配(例如，具有相同电性质及性能)。在其它实施例中，输出电路116的通道大小(通道宽度与通道长度的比率)可相对于输出晶体管106的通道大小被调整以补偿输出信号118的电流与输出信号108的电流之间的差。在一些实施例中，输出电路116的通道大小可比输出晶体管106的通道大小大或小N倍以致使IOUT比ISTAB大或小N倍。通过选择电阻器114的电阻器R2以产生与电流IPTAT的温度可变性互补的电流ICTAT且将输出信号108的电流ISTAB镜射到输出信号118的电流IOUT，电流源100提供可被提供到需要恒定电流源的任何其它组件或电路的温度独立恒定电流输出。
图2是根据本发明的实施例的整体标识为200的恒定电流源的示意图。电流源200通常包含带隙参考电路202、电阻器214、输出电路216及电流镜电路230。在图2的实施例中，输出电路216被图解说明为p型场效应晶体管(pFET)，然而，将了解，包含与图2中所展示的电路不同的电路的输出电路216的其它实例可用于本发明的其它实施例中。
在各种实施例中，带隙参考电路202可实施为上文关于图1所描述的带隙参考电路102。例如，放大器204可实施为放大器104，输出晶体管206可实施为输出晶体管106以提供输出信号208。如上文关于节点124所描述，节点224的第一分支238可将反馈信号210提供到正反馈环路226及负反馈环路228。正反馈环路可包含电阻器220及二极管222B，其可实施为如上文关于图1所描述的电阻器120及二极管122B。负反馈环路228可包含电阻器220及二极管222A，其可实施为如上文关于图1所描述的电阻器120及二极管122A。正反馈环路226及负反馈环路228中的每一者可耦合到放大器204，如上文关于图1中的正反馈环路126及负反馈环路128所描述。节点224的第二分支212可包含电阻器214，其可如上文关于电阻器114所描述地实施以具有电流ICTAT以便与反馈信号210上的电流IPTAT互补。放大器204的输出可提供到输出电路216，如上文关于输出电路116所描述。
电流镜电路230提供基于由输出晶体管206提供的温度独立电流ISTAB的输出电流IOUT。电流镜电路230可包含放大器232及晶体管236。在一个实施例中，放大器232是OTA。在图2的实施例中，晶体管236被图解说明为pFET，然而，将了解，其它电路可用于本发明的其它实施例中。晶体管236可与晶体管206及输出电路216的晶体管相匹配。放大器232可具有耦合到节点224的非反相输入端子。如上文关于图1中的节点124所描述，节点224可具有等于带隙参考电压(例如，1.25V)的恒定电压。放大器232的反相输入可耦合到输出电路216，所述输出电路提供等于带隙参考电压Vbgr＝1.25的恒定电压。放大器232的输出耦合到晶体管218。晶体管236的源极可耦合到输出电路216，且晶体管236的漏极可提供具有电流IOUT的输出信号218。在所描绘实施例中，电流镜电路230将来自晶体管206的漏极的电流ISTAB镜射到输出信号218的电流IOUT。放大器232在晶体管236的栅极处提供电压以将晶体管236的源极维持于与节点224相同的电压下，借此确保电流IOUT与电流ISTAB相同。如果晶体管236的源极处的电压发生变化，那么放大器232调整提供到晶体管236的栅极的电压以使源极电压返回到节点224的电压。所属领域的技术人员将了解，在其中输出电路216的晶体管与输出晶体管206相同的实施例中，由输出电路216提供的信号可不镜射输出信号208的电流。因此，包含电流镜230以确保电流源200的输出电流镜射输出信号208的电流可为有益的。
图3A是根据本发明的实施例的耦合到输入缓冲器342的整体标识为300的恒定电流源的示意图。所属领域的技术人员将了解，输入缓冲器342可由延迟电路、振荡器或可与具有经降低温度相依性的电流源一起实施的的任何其它电路替代。在各种实施例中，电流源100、200及300的输出可耦合到使用恒定电流的任何类型的电路。电流源300通常包含带隙参考电路302、电阻器314及输出电路316以及电流镜电路330，所述电流镜电路经由包含晶体管338及340的电流镜电路将电流提供到输入缓冲器342。
在各种实施例中，带隙参考电路302可如上文关于带隙参考电路102及202所描述地实施。带隙参考电路302可包含放大器304、耦合到放大器304的输出的晶体管306。晶体管306可具有耦合到电压Vpp的源极且可提供具有提供到节点324的电流ISTAB的输出信号308。节点324的第一分支344可提供耦合到正反馈环路326及负反馈环路328的具有电流IPTAT的反馈信号310。正反馈环路可包含串联耦合到接地的两个电阻器320及一个二极管322B。放大器304的非反相输入可在电阻器320之间耦合到正反馈环路326且提供电压VIN2。负反馈环路328可包含与二极管322A串联耦合到接地的电阻器320。放大器304的反相输入耦合到电阻器320且被提供电压VIN1。
节点324的第二分支可通过电阻器314耦合到接地。穿过电阻器314的电流可与绝对温度互补且具有值ICTAT。在各种实施例中，电流ICTAT随温度增加而减小。提供于反馈信号310上的电流IPTAT随温度而增加。电流ICTAT及IPTAT随温度而以相等且相反的速率改变。因此，由于ICTAT与IPTAT随温度改变而彼此互补，因此输入电流ISTAB随温度改变而保持恒定。
电流ISTAB被镜射到输出电路316，所述输出电路耦合到放大器304的输出。输出电路316进一步耦合到电压Vpp。输出电路316可耦合到电流镜电路330。电流镜电路330可实施为如上文关于图2所描述的电流镜电路230。电流镜电路330可包含放大器332及晶体管336。输出电路316可耦合到放大器332的反相输入且耦合到晶体管336的源极。放大器332的非反相输入可耦合到节点324。放大器332的输出提供到晶体管336的栅极，所述晶体管的所述栅极提供输出信号318。输出信号318具有与电流ISTAB相等的电流IOUT。输出信号318可提供到二极管耦合式晶体管338，所述晶体管耦合到第二晶体管340的栅极。晶体管340可将由晶体管338及340基于电流镜电路330所提供的电流IOUT而镜射的恒定电流信号提供到输入缓冲器342。在图3的实施例中，电流源300的特定应用被展示为到输入缓冲器的偏置电流。举例来说，输入缓冲器342可为用于如下文关于图6进一步详细论述的动态随机存取存储器(DRAM)装置的输入缓冲器。
图3B是根据图3A的实施例的输入缓冲器342的示意图。在图3B的实施例中，输入缓冲器342是经配置以从图3A中的电流源300接收偏置信号的两级输入缓冲器。输入缓冲器342通常包含第一缓冲器级348、第二缓冲器级346以及镜晶体管350及352。如上文关于图3A所论述，可具有经降低温度相依性的输出信号318可由晶体管338及340镜射到输入缓冲器342。输出信号318可将偏置信号提供到镜晶体管350及352。在图3B的实施例中，镜晶体管350可将输出信号318镜射到第一缓冲器级348。第一缓冲器级350可经配置以接收输入信号IN及参考信号VREF且基于输出信号318而将输出信号提供到第二级346。第二级346可经配置以接收来自第一级348的信号且基于提供到镜晶体管352的输出信号318而提供经缓冲信号。
图4是根据本发明的实施例的整体标识为400的电流源的示意图。电流源400可包含带隙参考电路402、电阻器414及输出电路416。带隙参考电路402可包含放大器404、输出晶体管406、具有电阻R1的电阻器420以及晶体管422A及422B。在所描绘实施例中，放大器404将信号提供到输出晶体管406以及晶体管422A及422B。输出晶体管406可接收电压VPP，且基于放大器404的输出信号及电压VPP而将输出信号408提供到节点424。节点424可耦合到第一分支430及第二分支412。第一分支可提供反馈信号410，所述反馈信号可载运与绝对温度成比例的电流IPTAT。
反馈信号410可提供到正反馈环路426及负反馈环路428中的电阻器420。正反馈环路426可包含串联耦合到晶体管422A的电阻器420以及两个额外电阻器420。正反馈环路426可将信号VIN2提供到放大器404的非反相输入。负反馈环路428可包含串联耦合到晶体管422B的电阻器420及电阻器420。负反馈环路428可将信号VIN1提供到放大器404的反相输入。
第二分支412可包含耦合到接地的具有电阻R2的电阻器414。电阻R2可经选择使得穿过电阻器414的电流ICTAT与绝对温度互补。即，穿过电阻器414的电流ICTAT具有与反馈信号410的温度相依性量值相等且方向相反的温度相依性。由于穿过第一分支430及第二分支412的电流IPTAT及ICTAT具有相等且相反温度相依性，因此穿过输出信号408的电流ISTAB可展示经降低温度相依性。
放大器404的输出信号还可提供到输出电路416，所述输出电路可包含例如具有与输出晶体管406类似的通道大小的晶体管。输出电路416可提供具有电流IOUT的输出信号418。在一些实施例中，输出信号418的电流可镜射输出信号408的电流。即，与传统电流源相比，电流IOUT可具有经降低温度相依性。在其它实施例中，输出电路416中的晶体管可具有相对于输出晶体管406的通道大小被调整的通道大小，使得输出信号418的电流镜射输出信号408的电流。如上文关于图1所描述，输出信号418可提供到若干种电路中的任一者，包含输入缓冲器、振荡器电路、延迟电路或可受益于具有经降低温度相依性的信号的任何其它类型的电路。
图5是描绘根据本发明的实施例的温度独立恒定电流源的输出电流的图表。所述图表在水平轴上展示温度且在垂直轴上展示电流。如上文所描述，IPTAT与温度成比例相关，使得电流随温度增加而增加。ICTAT与温度成反比例相关，使得电流随温度增加而减小。IPTAT与ICTAT的温度相依性相等且相反，使得当将IPTAT与ICTAT加在一起时，产生温度独立恒定电流ISTAB。温度独立恒定电流ISTAB可提供到受益于使用温度独立恒定电流的任何电组件。
图6是根据本发明的实施例的存储器的框图。存储器600可包含存储器单元阵列602，所述存储器单元可为例如易失性存储器单元(例如，动态随机存取存储器(DRAM)存储器单元、静态随机存取存储器(SRAM)存储器单元)、非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)或一些其它类型的存储器单元。存储器600包含命令解码器606，所述命令解码器可通过命令总线608接收存储器命令且在存储器600内提供(例如，产生)对应控制信号以执行各种存储器操作。举例来说，命令解码器606可响应于提供到命令总线608的存储器命令而对存储器阵列602执行各种操作。特定来说，命令解码器606可用于提供用以从存储器阵列602读取数据及向所述存储器阵列写入数据的内部控制信号。行及列地址信号可通过地址总线620提供(例如，应用)到存储器600中的地址锁存器610。地址锁存器610可接着提供(例如，输出)单独列地址及单独行地址。
地址锁存器610可分别将行及列地址提供到行地址解码器622及列地址解码器628。列地址解码器628可选择延伸穿过阵列602的对应于相应列地址的位线。行地址解码器622可连接到字线驱动器624，所述字线驱动器激活阵列602中的对应于所接收行地址的相应存储器单元行。对应于所接收列地址的选定数据线(例如，一或若干位线)可耦合到读取/写入电路630以经由输入-输出数据路径640将读取数据提供到输出数据缓冲器634。写入数据可通过输入数据缓冲器644及存储器阵列读取/写入电路630提供到存储器阵列602。输入数据缓冲器644可接收来自根据本发明的实施例的恒定电流源(举例来说，如上文关于图1到4所描述的恒定电流源)的信号。举例来说，输入数据缓冲器644可在一或多个输入缓冲器级中使用恒定电流偏置。
所属领域的技术人员将进一步了解，结合本文中所揭示的实施例所描述的各种说明性逻辑块、配置、模块、电路及算法步骤可实施为电子硬件、由处理器执行的计算机软件或两者的组合。各种说明性组件、块、配置、模块、电路及步骤已大体按照其功能性在上文进行描述。虽然技术人员可针对每一特定应用以变化的方式实施所描述功能性，但不应将此些实施方案决策解释为导致背离本发明的范围。

Claims (20)

1.一种设备，其包括：
带隙参考电路，其包括：
放大器，其包含第一输入及第二输入以及输出；及
带隙晶体管，其在其控制电极处耦合到所述放大器的所述输出，所述带隙晶体管进一步在其第一电极处共同耦合到所述放大器的所述第一输入及所述第二输入以形成反馈路径；及
电阻器，其耦合到所述带隙晶体管的所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述带隙晶体管经配置以给所述反馈路径提供与温度成比例的第一电流，且所述带隙晶体管进一步经配置以给所述电阻器提供与温度互补的第二电流。
3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括输出晶体管，所述输出晶体管在其控制电极处耦合到所述放大器的所述输出且经配置以在其第一电极处提供第三电流，所述第三电流相对于温度的改变是基本上恒定的。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述放大器是运算跨导放大器。
5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括电流镜，所述电流镜耦合到所述带隙晶体管的所述第一电极及所述输出晶体管的所述第一电极，且经配置以提供电流镜信号。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述电流镜信号被提供到输入缓冲器、振荡器及延迟电路中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述反馈路径包括：
正反馈分支，其耦合到所述放大器的所述第一输入，其中所述放大器的所述第一输入是非反相输入；及
负反馈分支，其耦合到所述放大器的所述第二输入，其中所述放大器的所述第二输入是所述放大器的反相输入。
8.一种设备，其包括：
反馈路径，其经配置以响应于第一电流而产生第一输入电压及第二输入电压；
放大器，其经配置以接收所述第一输入电压及所述第二输入电压且响应于所述第一输入电压及所述第二输入电压而提供放大器输出电压，所述放大器输出电压是基本上恒定的，与温度的改变无关；
第一电阻器；及
第一晶体管，其经配置以相对于所述放大器输出电压而提供第一输出电流，所述第一输出电流包含与温度成比例的所述第一电流及与温度互补的第二电流，所述晶体管进一步经配置以将所述第一电流提供到所述反馈路径且将所述第二电流提供到所述第一电阻器。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一输出电流是基本上恒定的，与温度的改变无关。
10.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到所述放大器输出电压的栅极且经配置以提供第二输出电流。
11.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一电流基本上等于所述第一电流与所述第二电流的和。
12.根据权利要求8所述的设备，其中所述反馈路径包括：
第一分支，其包含彼此串联耦合的第一二极管以及第二电阻器及第三电阻器；及
第二分支，其包含彼此串联耦合的第二二极管及第四电阻器。
13.一种设备，其包括：
带隙参考电路，其经配置以提供参考电压，所述参考电压是基本上恒定的，与温度的改变无关，且所述带隙参考电路包括：
第一晶体管，其耦合于电力线与电流输出节点之间，所述第一晶体管在其控制节点处接收所述参考电压；及
第一电流路径，其包含第一电阻元件且耦合到所述电流输出节点，所述第一电阻元件的电阻值表示第一负温度系数；及
第一电阻器，其耦合到所述带隙参考电路的所述电流输出节点，所述第一电阻器的电阻值表示第一正温度系数。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述带隙参考电路进一步包括第二电流路径，所述第二电流路径包含其电阻值表示第二负温度系数的第二电阻元件，且所述带隙参考电路的所述电流输出节点进一步耦合到所述第二电流路径。
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一电流路径进一步包含串联耦合到所述第一电阻元件的第二电阻器及第三电阻器，所述第二电阻器及所述第三电阻器的电阻值分别表示第二正温度系数及第三正温度系数，所述第二电流路径进一步包含串联耦合到所述第二电阻元件的第四电阻器，所述第四电阻器的电阻值表示第四正温度系数，且带隙参考电路进一步包括第一放大器，所述第一放大器包含分别耦合到所述第一电流路径及所述第二电流路径的第一输入及第二输入。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一电流路径在第一电路节点处耦合到所述放大器的所述第一输入，所述第二电阻器与所述第三电阻器耦合在所述第一电路节点处，且所述第二电流路径在第二电路节点处耦合到所述放大器的所述第二输入，所述第四电阻器与所述第二电阻元件耦合在所述第二电路节点处。
17.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：
第二晶体管，其在其第一节点处耦合到所述电力线且经配置以在其控制节点处接收所述参考电压；
第二放大器电路，其包含耦合到所述带隙参考电路的所述电流输出节点的第三输入及耦合到所述第二晶体管的第二节点的第四输入；及
第三晶体管，其耦合于所述第二晶体管的第二端子与第一电路节点之间，且在其控制节点处耦合到所述第二放大器的输出。
18.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括耦合到所述第一电路节点的输入缓冲器。
19.根据权利要求13所述的设备，其中所述带隙参考电路经配置以给所述电流输出节点提供输出电流，所述输出电流是基本上恒定的，与温度的改变无关。
20.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一电阻元件包含二极管。
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