CN107507897B - 发光器件封装件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种发光器件封装件及其制造方法。所述发光器件封装件包括：具有安装区域的封装主体，所述安装区域包括用于发光器件的安装表面、凹槽部分和低于安装表面的底表面；以及由封装主体支撑的引线框架，引线框架的一部分设置在底表面上，并且引线框架的一部分通过凹槽部分暴露出来。发光器件具有在其上设置电极焊盘的第一平面、与第一平面相对的第二平面以及设置在第一平面和第二平面之间以将第一平面连接到第二平面的第三平面。发光器件将设置在安装区域中，使得第一平面与安装表面接触，并且电极焊盘在凹槽部分内。

Description

发光器件封装件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年6月14日提交至韩国知识产权局并且题为“发光器件封装件及其制造方法”的韩国专利申请No.10-2016-0073856的优先权，该申请全部内容以引用方式并入本文中。
技术领域
实施例涉及一种发光器件封装件及其制造方法。
背景技术
近来，为了提高发光效率以及高电流区域中的热传递特性，包括具有倒装芯片结构的发光二极管(LED)的发光器件封装件已经得到了大力的发展。
发明内容
实施例涉及提供一种发光器件封装件，所述发光器件封装件可以包括：具有安装区域的封装主体，安装区域包括用于发光器件的安装表面、凹槽部分和低于安装表面的底表面；以及引线框架，其由封装主体支撑，引线框架的一部分设置在底表面上，并且引线框架的一部分被凹槽部分暴露出来。发光器件具有在其上设置电极焊盘的第一平面、与第一平面相对的第二平面以及设置在第一平面和第二平面之间以将第一平面连接到第二平面的第三平面。发光器件要设置在安装区域中，使得第一平面与安装表面接触，并且电极焊盘在凹槽部分内。
实施例涉及提供一种发光器件封装件，所述发光器件封装件可以包括第一引线框架和第二引线框架，并且还可以包括支撑第一引线框架和第二引线框架并且包括凹槽部分的封装主体，在凹槽部分中暴露出第一引线框架和第二引线框架的区域。另外，发光器件封装件可以包括：发光器件，其设置为覆盖封装主体的凹槽部分，并且其包括设置在凹槽部分中的第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘和第二电极焊盘分别连接到第一引线框架和第二引线框架的暴露区域。此外，发光器件封装件可以包括透光包封部分，其设置在封装主体上并且覆盖发光器件的顶表面和侧表面。
实施例涉及提供一种发光器件封装件，所述发光器件封装件可以包括封装主体，封装主体包括：安装表面，其提供安装区域用于将发光器件安装到安装区域上；以及凹槽部分，其设置在安装区域内并且提供低于安装表面的底表面。引线框架可以具有由凹槽部分的底表面支撑的部分和由凹槽部分暴露的部分。凹槽部分沿着垂直于引线框架的第一方向可以具有将发光器件和引线框架相连接的导电凸块的厚度，并且沿着垂直于第一方向的第二方向的宽度可以小于发光器件沿着第二方向的宽度。
实施例涉及提供一种制造发光器件封装件的方法，其可以包括：形成支撑第一引线框架和第二引线框架的封装主体，所述封装主体包括暴露出第一引线框架和第二引线框架的一部分的凹槽部分；以及将发光器件安装在封装主体上，以使得第一电极焊盘和第二电极焊盘设置在凹槽部分中并分别对应于第一引线框架和第二引线框架。发光器件的底表面可以与封装主体的表面接触，同时发光器件的顶表面和侧表面可以与封装主体分离。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，各特征对于本领域的技术人员将变得显而易见，其中：
图1示出了根据示例实施例的发光器件封装件的示意性平面图；
图2示出了沿着图1所示的发光器件封装件的线I-I'截取的截面图；
图3示出了图2中的部分“A”的放大截面图；
图4A示出了凹槽部分和连接凹槽的示意性透视图；
图4B示出了图4A的示意性平面图；
图5示出了根据示例实施例的发光器件封装件的示意性截面图；
图6示出了图5中的部分“B”的放大截面图；
图7示出了图6的示意性平面图；
图8示出了根据示例实施例的发光器件封装件的示意性截面图；
图9示出了根据示例实施例的发光器件封装件的示意性截面图；
图10示出了根据示例实施例的发光器件封装件的示意性截面图；
图11示出了说明本文可使用的荧光体的CIE 1931色品图；
图12示出了根据示例实施例的发光器件的示意性底视图；
图13示出了沿图12所示的发光器件的线II-II'截取的截面图；
图14至图16分别示出了根据示例实施例的发光器件的示意性截面图；
图17A和图17B示出了根据示例实施例的制造发光器件封装件的方法的流程图；以及
图18至图21示出了根据示例实施例的制造发光器件封装件的方法中的各阶段的示意图。
具体实施方式
参考图1至图3，将描述根据示例实施例的发光器件封装件。图1是根据示例实施例的发光器件封装件的示意性平面图，图2是沿着图1所示的发光器件封装件的线I-I'截取的截面图，图3是图2中的部分“A”放大的截面图。
参考图1至图3，根据示例实施例，发光器件封装件1可以包括发光器件10、引线框架20和封装主体30。此外，发光器件封装件1还可以包括覆盖发光器件10的包封部分40。
发光器件10可以提供为光电器件，其通过从外部源施加的驱动功率来产生具有预定波长的光。例如，发光器件10可以包括半导体发光二极管(LED)，其具有n型半导体层、p型半导体层和在n型半导体层与p型半导体层之间的有源层。
发光器件10可以发射蓝光、绿光或红光，并且还可以发射紫外光等。根据需要，发光器件10可以通过与波长转换材料(例如，荧光体)结合来发射白光。发光器件10可以包括具有各种结构的LED芯片。另外，发光器件10可以包括具有各种结构的激光二极管(LD)芯片。
如图3所示，发光器件10可以包括第一平面10a；与第一平面10a相对设置的第二平面10b；以及第三平面10c，其设置在第一平面10a和第二平面10b之间以将第一平面10a连接到第二平面10b。第一平面10a、第二平面10b和第三平面10c可分别对应于发光器件10的底表面、顶表面和侧表面。发光器件10可以包括电极焊盘11，用于在第一平面10a上接收驱动功率。
可以使用导电凸块S将发光器件10通过倒装芯片接合的方式接合到引线框架20。例如，导电凸块S可以包括基于Sn-Ag-Cu(SAC)的焊料。引线框架20可以由具有高导电性的材料形成，例如，诸如铝(Al)、铜(Cu)等的金属。
引线框架20可以具有这样的结构，其中至少一对引线框架彼此分离并且面对彼此，以被电隔离。例如，引线框架20可以包括具有第一极性的第一引线框架21和具有不同于第一极性的第二极性的第二引线框架22。在这种情况下，第一极性和第二极性可以分别是正极和负极(或反之亦然)。如本文所示，第一引线框架和第二引线框架可以通过用于封装主体的材料彼此间隔开。当然，可以使用任何合适的绝缘材料。
封装主体30可以包括设置在其上的发光器件10。在示例实施例中，将单个的发光器件10示出为设置在封装主体30上，但是实施例不限于此。
封装主体30可以支撑引线框架20。例如，封装主体30可以以预定厚度覆盖引线框架20的上表面20a。当引线框架20嵌入封装主体30中时，引线框架20可得到支撑。引线框架20的下表面20b可以暴露在封装主体30的下部。
封装主体30可以包括其中设置有发光器件10的反射杯31。封装主体30还可以包括安装表面30a，其提供将安装在其上的发光器件10包括在内的安装区域，并且可以包括反射杯31中的内侧壁30b，其从安装表面30a朝向封装主体30的上部倾斜以围绕安装区域。
封装主体30可以包括在安装表面30a中的凹槽部分32。凹槽部分32可以设置在安装表面30a的中心区域周围。
图4A是凹槽部分和连接槽的示意性透视图，图4B是图4A的平面图。参考图4A和图4B连同图2和图3，凹槽部分32可以提供低于安装表面30a的底表面。
凹槽部分32可以从安装表面30a凹进到引线框架20的上表面20a，从而使得引线框架20的一部分可以由于凹槽部分32而不被覆盖。换句话说，当从上方观察时，除了凹槽部分32之外，封装主体30可以覆盖引线框架20。
从上文可以看出，凹槽部分32可以具有与发光器件10的第一平面10a相对应的横截面形状(例如，四边形形状)，其面积(即，表面积)小于第一平面10a的面积。此外，凹槽部分32可以具有与发光器件10的第一平面10a不同的截面形状。
引线框架20的一部分可以设置在凹槽部分32的底表面上。换句话说，凹槽部分32可以包括未被封装主体30覆盖的部分，该部分设置在引线框架20的上表面20a中凹槽部分32的下方，作为凹槽部分32的底表面的一部分。
封装主体30可以包括连接槽33，其在安装表面30a中连接到凹槽部分32。连接槽33可以具有在安装表面30a中以预定深度凹陷的凹槽结构，并且可以从凹槽部分32延伸到内侧壁30b。
连接槽33可以用作通道，通过该通道将包括在下面描述的包封部分40中的树脂引入到凹槽部分32中。如本文所示，包括包封部分的凹槽部分可以与第一引线框架21和第二引线框架22之间的分离区域重叠(例如，完全重叠)。
封装主体30可以包括具有高度光反射性的白色模塑复合物。封装主体30还可以包括白色复合环氧材料，例如FR-4、CEM-3、白色环氧材料、白色陶瓷材料等。因此，由发光器件10发射的光被反射，从而增加向外发射的光的强度。封装主体30还可以包括FR-4、CEM-3、环氧材料、陶瓷材料等。
白色模塑复合物可以包括高度耐热的热固性树脂(例如环氧模塑料(EMC)和硅)或热塑性树脂(例如聚邻苯二甲酰胺(PPA)和聚环己烷二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT))和其中的白色颜料。二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)等可以用作白色颜料。此外，白色模塑复合物还可以在其中包括填料，例如二氧化硅(SiO2)等。另外，可以添加固化剂、脱模剂、抗氧化剂、粘合促进剂等。
这样，在封装主体30不覆盖引线框架20的一部分的情况下，凹槽部分32可以设置在安装表面30a上。因此，发光器件10可以设置在安装区域中以覆盖凹槽部分32，并且可以通过使用导电凸块S来连接到由于凹槽部分32而未被覆盖的引线框架20。此外，凹槽部分32可以容纳***在电极焊盘11和引线框架20之间的导电凸块S。
当发光器件10覆盖凹槽部分32时，凹槽部分32的边缘可以设置在电极焊盘11与发光器件10的周界之间。此外，封装主体30可以沿着发光器件10的边缘部分和电极焊盘11之间的区域设置在发光器件10和引线框架20之间。
因此，当发光器件10安装在安装表面30a上以覆盖凹槽部分32时，第一平面10a可以与安装表面30a接触。具体而言，第一平面10a可以包括第一区域r1和围绕第一区域r1的第二区域r2(参见图3和图12)，第一区域r1包括设置在其中的电极焊盘11。第二区域r2可以与凹槽部分32周围的安装表面30a接触。
发光器件10的第二平面10b和第三平面10c可以从安装表面30a向上突起以提供为发光表面，并且可以设置为具有第二平面10b和第三平面10c与内侧壁30b分离(例如，间隔开)的结构。
连接槽33可以不被发光器件10覆盖。当发光器件10安装在安装表面30a上以覆盖凹槽部分32时，连接槽33可以暴露于安装表面30a。
包封部分40可以包封发光器件10。可以以这样的方式形成包封部分40，即，将包括波长转换材料的树脂硬化。例如，可将填充反射杯31的注入树脂硬化以形成包封部分40。另外，注入树脂可以沿着连接槽33引入到凹槽部分32，以填充凹槽部分32中电极焊盘11之间的空间。
包封部分40可以包括透光材料，以允许由发光器件10产生的光向外发射，并且，例如可以包括诸如硅树脂、环氧树脂等的树脂。
在示例实施例中，将包封部分40的整个表面示意成平坦的，但是实施例不限于此。例如，包封部分40可以具有表面为凸面的圆顶形透镜结构。附加地或替代地，单独的透镜可以连接到包封部分40上。
包封部分40可以包括波长转换材料。波长转换材料可以包括至少一种或多种类型的荧光体。相对大量的荧光体可以设置在发光器件10和封装主体30的表面附近的区域中。例如，如示例实施例所示，荧光体可以形成覆盖发光器件10、安装表面30a和反射杯31的内侧壁30b的荧光体层41。
荧光体层41可以对应于多层结构，该多层结构以包封部分40中包括的相对大量的荧光体通过沉降等分布在反射杯31下部的方式形成。荧光体层41可以覆盖发光器件10的第二平面10b和第三平面10c。根据示例实施例，荧光体层41可以制造成具有薄膜形状，并且可以连接到发光器件10的表面。
根据示例实施例，发光器件封装件可以具有这样的结构，在该结构中除了由于凹槽部分32导致的引线框架20的上表面20a连接到导电凸块S的部分之外，引线框架20的上表面20a被封装主体30覆盖。发光器件10可以以发光器件10的底表面与封装主体30的安装表面30a接触的结构安装在封装主体30上。此外，设置在凹槽部分32中的电极焊盘11和导电凸块S可以发光器件10可覆盖凹槽部分32的方式而不暴露出来。特别地，凹槽部分32可以在垂直于引线框架20的上表面的第一方向上延伸到用于将发光器件10附着至引线框架20的导电凸块S的高度，还可以在垂直于第一方向的第二方向上延伸比发光器件10在第二方向上的宽度更小的距离。
此外，如图4A中可见的那样，凹槽部分32可以在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有比发光器件10在第三方向上的宽度更小的宽度。此外，连接槽33可以沿着第三方向从凹槽部分32延伸，并且连接槽33沿着第二方向的宽度可以小于凹槽部分32沿着第二方向的宽度。
在比较构造中，由于插在发光器件10和引线框架20之间的导电凸块S的厚度，会存在发光器件10和引线框架20之间的间隙。由于这种间隙，由LED产生的光会被包封部分中包括的荧光体散射，并且进入LED下方的一部分光被焊料吸收，造成光损耗。
相比之下，在示例实施例中，由于发光器件10的底表面与封装主体30的表面连接，避免了这种间隙。因此，可以减少或防止光损耗。
此外，在示例实施例中，发光器件封装件可以具有这样的结构，在该结构中只有发光器件10的底表面和封装主体30的表面接触(例如直接接触)，而发光器件10的侧表面和顶表面可以与封装主体30分离(即可不与之接触)。因此，可以减轻诸如由发光器件10产生的光或热引起的封装主体30变黄之类的劣化问题。换句话说，当不包括发光器件10底表面的剩余部分区域与封装主体30以预定间隔分开时，荧光体可以集中在发光器件10周围，从而将到达封装主体30的光的波长转换为成为尽可能长的光波长。因此，可以防止由具有短波长的光引起的封装主体30的变色和光通量下降的问题。
此外，在示例实施例中，发光器件封装件可以具有这样的结构，在该结构中凹槽部分围绕电极焊盘的边缘部分以使得发光器件的位置由凹槽部分限定。换句话说，当发光器件的底表面与封装主体的表面接触时，电极焊盘和导电凸块设置在凹槽部分中。因此，当导电凸块S以倒装芯片接合的方式接合时，导电凸块S熔化，并且熔化部分会扩散。可以将熔化的导电凸块S会扩散的区域限制在凹槽部分的内部。因此，可以防止现有技术中的以下问题：导电凸块S沿着引线框架的表面扩散，允许发光器件10旋转或移动，从而将安装位置推离适当的位置并且可靠性劣化。与此相比，在没有凹槽部分的比较构造中，当使用焊料时发光器件可能不会平坦地接合到封装件和/或可能例如由于发光器件的旋转等而导致其偏离预期位置。
参考图5至图7，将描述根据示例实施例的发光器件封装件。图5是根据示例实施例的发光器件封装件的示意性截面图，图6是图5中部分“B”的放大截面图，并且图7是图6的平面图。
参考图5至图7，根据示例实施例，发光器件封装件2可以包括发光器件10、引线框架20、封装主体50和包封部分40。
根据图5至图7示意的示例实施例的发光器件封装件2的基本构成可以与根据图1至图4示意的示例实施例的发光器件封装件1的构成基本相同。然而，封装主体50可以与图1至图4示意的示例实施例中的封装主体30不同，因为封装主体50还可以包括突起53。
封装主体50可以包括其中具有发光器件10的反射杯51。封装主体50可以包括安装表面50a，其提供在其上要安装发光器件10的安装区域，并且可以包括反射杯51中的内侧壁50b，其从安装表面50a朝向封装主体50的上部倾斜。
封装主体50可以包括在安装表面50a中的凹槽部分52。凹槽部分52可以设置在安装表面50a的中心区域周围。凹槽部分52可以提供低于安装表面50a的底表面。凹槽部分52可以从安装表面50a凹进到引线框架20，从而使得引线框架20的一部分可以由于凹槽部分52而不被覆盖。换句话说，从上文可以看出，除了凹槽部分52之外，封装主体50可以覆盖引线框架20。
从上文可以看出，凹槽部分52可以具有与发光器件10的第一平面10a相对应的横截面形状(例如，四边形形状)。然而，其面积可以小于第一平面10a的面积。此外，凹槽部分52可以包括未被封装主体50覆盖的部分，该部分设置在引线框架20中凹槽部分52的下方，作为凹槽部分52的底表面的一部分。引线框架20的一部分可以设置在凹槽部分52的底表面上。
封装主体50可以包括突起53，以限定发光器件10在安装表面50a上的安装位置。突起53可以包括围绕凹槽部分52设置在安装表面50a上的多个突起53。为了显著减少对发光器件10的侧表面发射的光的干扰，突起53可以具有小于发光器件10厚度的高度。
跨凹槽部分52彼此相对的一对突起53之间的距离可以大于发光器件10的长度。因此，安装在封装主体50上的发光器件10可以设置在突起53之间。
突起53可以用作基准标记，以指导发光器件10的安装位置。另外，突起53可以固定发光器件10，使得发光器件10在以倒装芯片接合的方式接合时不会由于熔化的导电凸块S而在安装位置旋转或移动。因此，可以可靠地防止发光器件10不处于安装位置等的问题发生。
参考图8，将描述根据示例实施例的发光器件封装件。图8是根据示例实施例的发光器件封装件的示意性截面图。
参考图8，根据示例实施例，发光器件封装件3可以包括发光器件10、引线框架20、封装主体60和包封部分40。
根据图8示意的示例实施例的发光器件封装件3的基本构成可以与根据图1至图4示意的示例实施例的发光器件封装件1的构成基本相同。然而，图8的封装主体60可以与图1至图4示意的示例实施例中的封装主体30不同，因为封装主体60可以不包括反射杯。
参考图8，封装主体60可以以预定厚度覆盖引线框架20的上表面20a。封装主体60的整个表面可以具有平坦结构。可将封装主体60的中心区域提供为其上安装有发光器件10的安装区域，并且可以在其中形成凹槽部分62。凹槽部分62可以从封装主体60的表面凹进到引线框架20，从而使得引线框架20的一部分可以由于凹槽部分62而不被覆盖。
发光器件10可以设置在封装主体60的表面以覆盖凹槽部分62。此外，发光器件10可通过使用导电凸块S连接到凹槽部分62中未被封装主体60覆盖的引线框架20。凹槽部分62可以包括***在电极焊盘11和引线框架20之间的导电凸块S。
当发光器件10设置在凹槽部分62上时，凹槽部分62的边缘可以设置在电极焊盘11与发光器件10(例如，第三平面(10C))的周界之间。换句话说，凹槽部分62可以具有这样的结构，在该结构中凹槽部分62围绕与发光器件10的边缘相邻设置的电极焊盘11的周界。
因此，当发光器件10安装在封装主体60的表面以覆盖凹槽部分62时，发光器件10可以设置成具有这样的结构：只有第一平面10a与封装主体60的表面接触，并且第二平面10b和第三平面10c从该表面向上突出。换句话说，第二平面10b(发光器件10的上表面)和第三表面10c(发光器件10的侧表面)可以设置在比封装主体60的表面更高的位置。此外，由发光器件10的第二平面10b和第三平面10c发射的光可以以相对宽的波束角度向外辐射。
包封部分40可以将发光器件10包封在封装主体60上。包封部分40可以覆盖封装主体60的整个表面或封装主体60的表面的一部分。包封部分40可以包括覆盖发光器件10的表面的荧光体层41。此外，包封部分40可以具有圆顶状结构，但不限于此。
图9中的发光器件封装件3'示出了具有四边形形状的包封部分40'。这里，封装主体60的侧表面可以与引线框架20共面，并且包封部分40'可以具有与封装主体60和引线框架20的侧表面共面的侧表面。
参考图10，将描述根据示例实施例的发光器件封装件。图10是根据示例实施例的发光器件封装件的示意性截面图。
参考图10，根据示例实施例，发光器件封装件4可以包括发光器件10、引线框架20、封装主体70和包封部分40。
根据图10示意的示例实施例的发光器件封装件4的基本构成可以与根据图8示意的示例实施例的发光器件封装件2的构成基本相同。然而，封装主体70可以与图8示意的示例实施例中的封装主体60不同，因为封装主体70还可以包括突起73。
封装主体70可以以预定厚度覆盖引线框架20的上表面。同时，封装主体70的整个表面可以具有平坦结构。
可将封装主体70的中心区域提供为其上安装有发光器件10的安装区域，并且可以在其中形成凹槽部分72。凹槽部分72可以从封装主体70的表面凹进到引线框架20，从而使得引线框架20的一部分可以由于凹槽部分72而不被覆盖。
凹槽部分72可以提供比封装主体70的表面更低的底表面，同时引线框架20的区域可以设置在凹槽部分72的底表面上。
发光器件10可以设置在凹槽部分72上，以便通过使用导电凸块S连接到设置在凹槽部分72的底表面上的引线框架20。凹槽部分72可以容纳插在电极焊盘11和引线框架20之间的导电凸块S。
封装主体70可以包括设置在凹槽部分72周围的多个突起73。多个突起73可以设置在凹槽部分72周围，以具有多个突起73可以围绕凹槽部分72的结构。为了显著减少对从发光器件10的侧表面发射的光的干扰，突起73可以具有小于发光器件10厚度的高度。
跨凹槽部分72彼此相对的一对突起73之间的距离可以大于发光器件10的长度。因此，安装在封装主体70上的发光器件10可以设置在突起73之间。
根据图5所示的示例实施例，突起73可以具有与突起53基本相同的结构和功能。因此，将参考上述示例实施例(例如，参见图5)来理解突起73的功能的详细描述。
根据示例实施例的发光器件封装件可以发出具有各种颜色的光。为此，封装部分40、40'中可以包括波长转换材料(例如，至少一种荧光体)，其被发光器件10产生的光激发以发射具有不同波长的光。
例如，当发光器件10发射蓝光时，可对黄色荧光体、绿色荧光体、红色荧光体和/或橙色荧光体进行组合以发射白光。另外，发光器件10可以包括发射紫光、蓝光、绿光、红光或红外光的发光器件10中的至少一个。在这种情况下，发光器件10的显色指数(CRI)可以控制在约40至约100的范围内。此外，发光器件10可以产生其色温在约2000K至约20000K的范围内的各种类型的白光。而且，如果需要，发光器件10可以产生紫光、蓝光、绿光、红光、橙光或红外光，以考虑周围的氛围和期望的用户心情来调节光的颜色。另外，发光器件10也可产生具有特定波长的光以促进植物生长。
通过黄色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体与蓝色发光器件的组合和/或通过蓝色发光器件与绿色发光器件和红色发光器件的组合形成的白光可以具有两个或多个峰值波长。此外，图11所示的CIE1931色空间色品图中的坐标(x，y)可以位于连接坐标(0.4476,0.4074)、(0.3484,0.3516)、(0.3101,0.3162)、(0.3128,0.3292)和(0.3333,0.3333)的线段上。或者，其在CIE1931色空间色品图中的坐标(x，y)可以位于由所述线段和黑体辐射光谱包围的区域中。白光的色温可在约2,000K至约20,000K的范围内。
在图11中，设置在黑体辐射光谱下方的点E(0.3333,0.3333)附近的白光可以处于黄光的水平相对低的状态，并且可以用作对肉眼显示更亮或更清爽感觉的区域中的照明光源。因此，使用布置在黑体辐射光谱下方的点E(0.3333,0.3333)附近的白光的照明产品可以非常有效地用作零售空间的照明设备，在所述零售空间提供待销售的消费商品。
荧光体可以具有以下经验配方和颜色。
氧化物：黄色和绿色Y3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce
硅酸盐：黄色和绿色(Ba,Sr)2SiO4:Eu、黄色和橙色(Ba,Sr)3SiO5:Ce
氮化物：绿色β-SiAlON：Eu、黄色La3Si6N11:Ce、橙色α-SiAlON：Eu、红色CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、SrSiAl4N7:Eu、SrLiAl3N4:Eu、Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y(0.5≤x≤3,0＜z＜0.3,0＜y≤4)(其中Ln是选自IIIa族元素和稀土元素中的至少一种元素，M是选自Ca、Ba、Sr和Mg中的至少一种元素)
氟化物：基于KSF的红色K2SiF6:Mn4+、K2TiF6:Mn4+、NaYF4:Mn4+、NaGdF4:Mn4+和K3SiF7:Mn4+
荧光体组合物应基本上符合化学计量学，并且各个元素可以被元素周期表的相应的族的其它元素取代。例如，锶(Sr)可以被碱土族(II)中的钡(Ba)、钙(Ca)、镁(Mg)等取代，钇(Y)可以被诸如铽(Tb)、镥(Lu)、钪(Sc)、钆(Gd)等镧(La)基元素取代。此外，根据期望的能级，催化剂铕(Eu)可以被铈(Ce)、铽(Tb)、镨(Pr)、铒(Er)、镱(Yb)等代替，并且催化剂可以单独应用或与共同催化剂一起应用以改变荧光体的特性。
具体地，为了提高在高温和高湿度下的可靠性，基于氟化物的红色荧光体可以涂覆有不含锰(Mn)的氟化物，或者还可以包括涂覆在荧光体表面上的有机材料或不含Mn的氟化物涂料。以不同于其他荧光体的方式，基于氟化物的红色荧光体可以实现等于或小于40nm的窄的半峰全宽，并且因此用于高分辨率电视，例如UHD电视。
此外，在波长转换材料的情况下，作为荧光体代替物，可以使用量子点(QD)等，并且QD可以单独使用或与荧光体组合使用。
QD可以具有使用III-VI族或II-V族化合物半导体的核-壳结构。例如，QD可以具诸如硒化镉(CdSe)或磷化铟(InP)的核或诸如硫化锌(ZnS)或硒化锌(ZnSe)的壳。此外，QD可以包括用来固定核和壳的配体。例如，核可以具有在约1nm至约30nm范围内的直径，并且具体地在约3nm至约10nm的范围内。例如，壳可以具有在约0.1nm至约20nm范围内的厚度，并且具体地在约0.5nm至约2nm的范围内。
QD可以根据其尺寸实现各种颜色的光，并且例如在使用QD作为荧光体替代物的情况下，它可以代替红色荧光体或绿色荧光体。在使用QD的情况下，可以实现窄的半峰全宽(例如，约35nm)。
在下文中，将描述根据示例实施例的用于发光器件封装件中的发光器件。
图12和图13是根据示例实施例的发光器件示意图。图12是根据示例实施例的发光器件的示意性底视图，图13是沿着图12所示的发光器件的线II-II'截取的截面图。
如图12所示，整个发光器件100可以具有从垂直方向上的下部截取的四边形形状。此外，发光器件100可以具有其中多个电极焊盘150暴露在其下部的结构。
如图3和图12所示，发光器件100可以包括第一区域r1，其包括设置在其中的多个电极焊盘150；以及围绕第一区域r1的第二区域r2。发光器件100的形状不限于此，而是可以具有诸如三角形、六边形或其它多边形的形状。
参照图13，发光器件100可以包括发光结构110、第一绝缘层120、电极层130、第二绝缘层140和电极焊盘150。
发光结构110可具有多个半导体层堆叠的结构，并且可包括按顺序堆叠在生长衬底101上的第一导电类型半导体层111、有源层112以及第二导电类型半导体层113。
生长衬底101可提供为半导体生长衬底，并可包括绝缘材料、导电材料或半导体材料，诸如蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)、镁铝尖晶石(MgAl2O4)、氧化镁(MgO)、锂铝氧化物(LiAlO2)、锂镓氧化物(LiGaO2)、GaN等。
在生长衬底101的顶表面上(即，在生长半导体层的表面上)，可以形成多个凹凸结构102。由于凹凸结构102，可以改善半导体层的结晶性能和发光效率。示例实施例示出了具有凸圆顶形状的凹凸结构102，但实施例不限于此。凹凸结构102可以形成为具有各种形状，例如四边形、三角形等。另外，可以选择性地形成和提供凹凸结构102。因此，凹凸结构102可以省略。
根据示例实施例，生长衬底101可以稍后去除。更具体地，生长衬底101可设置为用于允许第一导电类型的半导体层111、有源层112和第二导电类型的半导体层113生长的生长衬底，并且可通过分离处理去除。生长衬底101可以通过使用诸如激光剥离(LLO)法、化学剥离(CLO)法等一个或多个方法与半导体层分离。
堆叠在生长衬底101上的第一导电类型半导体层111可包括掺有n型杂质的半导体，并且可设置为n型氮化物半导体层。此外，第二导电类型半导体层113可包括掺有p型杂质的半导体，并且可设置为p型氮化物半导体层。然而，可以改变第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113的堆叠顺序。第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113可以由具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x＜1,0≤y＜1,0≤x+y≤1)成分的材料形成，例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等。
设置在第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113之间的有源层112可以通过电子和空穴的复合而发射具有预定能级的光。有源层112可以包括其能带隙水平比第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113的能带隙水平低的材料。例如，在第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113设置为基于GaN的化合物半导体的情况下，有源层112可包括其能带隙水平比GaN的能带隙水平低的基于InGaN的化合物半导体。此外，有源层112可以具有量子阱层和量子势垒层交替地堆叠的多量子阱(MQW)结构(例如InGaN/GaN结构)，但不限于此。有源层112也可具有单量子阱(SQW)结构。
发光结构110可包括刻蚀区(EA)，在其中对第二导电类型半导体层113、有源层112以及第一导电类型半导体层111的一部分进行刻蚀，并且可以包括由刻蚀区域(EA)划分的多个台面区域(MA)的一部分。
在第一导电类型半导体层111的暴露于EA的顶表面上，可以设置第一接触电极114以连接到第一导电类型半导体层111，例如，直接接触第一导电类型半导体层111。此外，在多个MA的顶表面上，可以设置第二接触电极115以连接到第二导电类型半导体层113，例如直接接触第二导电类型半导体层113。
同时，为了覆盖暴露在EA的有源层112，包括绝缘材料的钝化层110a可以设置在MA的侧表面上。然而，可将钝化层110a选择性地设置为例如仅覆盖有源层112，或者可以省略钝化层110a。
第一绝缘层120可设置在发光结构110上，以覆盖整个发光结构110。第一绝缘层120可基本包括具有绝缘特征的材料并且可以使用无机材料或有机材料形成。例如，第一绝缘层120可以包括环氧基绝缘树脂。此外，第一绝缘层120可以包括氧化硅或氮化硅，例如SiO2、SiN、SiOxNy、TiO2、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、TiAlN、TiSiN等。
第一绝缘层120可以包括多个第一开口121。具体地，第一开口121可以允许分别位于第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113上的第一接触电极114和第二接触电极115的一部分暴露。
电极层130可以设置在第一绝缘层120上，并且可以通过第一开口121电连接到第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113中的每一个。可利用覆盖发光结构110的整个顶表面的第一绝缘层120使得电极层130与第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113绝缘。另外，电极层130可以连接到通过第一开口121暴露的第一接触电极114和第二接触电极115，以连接到第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113。
可通过设置在第一绝缘层120中的第一开口121对电极层130和第一导电类型半导体层111之间以及电极层130和第二导电类型半导体层113之间的电连接进行各种控制。例如，依据第一开口121的数量和位置，可以对电极层130和第一导电类型半导体层111之间以及电极层130和第二导电类型半导体层113之间的电连接进行各种改变。
电极层130可以设置为至少一对电极层，以允许第一导电类型半导体层111与第二导电类型半导体层113电绝缘。换句话说，第一电极层131可电连接至第一导电类型半导体层111，第二电极层132可电连接至第二导电类型半导体层113，并且第一电极层131和第二电极层132可彼此分离以实现电绝缘。例如，电极层130可以包括诸如金(Au)、钨(W)、铂(Pt)、硅(Si)、铱(Ir)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)等的材料以及包括其合金中的至少一种或多种的材料。
可以在电极层130上提供第二绝缘层140，并且可以以第二绝缘层140可包围电极层130整体的方式来保护电极层130。第二绝缘层140可以包括暴露电极层130的一部分的第二开口141。第二开口141可以设置为多个开口，以允许暴露第一电极层131和第二电极层132中的每一个的一部分。第二绝缘层140可以包括与第一绝缘层120相同的材料。绝缘层140还可以在第一电极层131和第二电极层132之间延伸到第一绝缘层120。
电极焊盘150可以包括第一电极焊盘151和第二电极焊盘152。第一电极焊盘151和第二电极焊盘152可以分别设置在通过第二开口141部分地暴露的第一电极层131和第二电极层132上。第一电极焊盘151和第二电极焊盘152可以通过电极层130分别电连接到第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113。第一电极焊盘151和第二电极焊盘152可以分别设置为多个电极焊盘。
为了具有实现倒装芯片接合方法的板上芯片(COB)结构，第一电极焊盘151和第二电极焊盘152可以在发光结构110内沿相同方向取向。
如图12所示，两个第一电极焊盘151和两个第二电极焊盘152可以以对称的方式设置。此外，第一电极焊盘151和第二电极焊盘152的数量可以进行各种改变。例如，三个第一电极焊盘151和三个第二电极焊盘152可以以对称的方式设置。
图14是可用于实施例的发光器件的示例实施例的侧截面示意图。如图14所示，发光器件100A可以包括衬底101、发光结构110和电极焊盘150。
衬底101可以设置为半导体生长衬底，并且例如可以包括诸如蓝宝石、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等的绝缘材料和导电材料。
发光结构110可以包括第一导电类型半导体层111、第二导电类型半导体层113和设置在其间的有源层112。第一导电类型半导体层111可包括掺有n型杂质的半导体，并且可以包括n型氮化物半导体层。第二导电类型的半导体层113可包括掺有p型杂质的半导体，并且可以包括p型氮化物半导体层。不过，可以改变第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113的堆叠顺序。
第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113可以由具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1)成分的材料形成，例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等。
位于第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113之间的有源层112可以包括其能带隙水平比第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113的能带隙水平低的材料。例如，在第一导电类型半导体层111和第二导电类型半导体层113提供为基于GaN的化合物半导体的情况下，有源层112可包括其能带隙水平比GaN的能带隙水平低的基于InGaN的化合物半导体。
此外，有源层112可以具有量子阱层和量子势垒层交替地堆叠的多量子阱(MQW)结构(例如InGaN/GaN结构)，但不限于此。有源层112也可具有单量子阱(SQW)结构。
电极焊盘150可以包括第一电极焊盘151和第二电极焊盘152。第一电极焊盘151可以设置在第一导电类型半导体层111的暴露表面上，在该暴露表面中第二导电类型半导体层113、有源层112和第一导电类型半导体层111的一部分被刻蚀以暴露出来，并且第一电极焊盘151可以连接到第一导电类型半导体层111。第二电极焊盘152可以设置在第二导电类型半导体层113的表面上，以便连接到第二导电类型半导体层113。
第一电极焊盘151和第二电极焊盘152可以包括诸如Ag、铝(Al)、Ni、Cr、Cu、Au、钯(Pd)、Pt、锡(Sn)、W、铑(Rh)、Ir、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)或Ti的导电材料或包括所述导电材料的至少一种或多种合金。
发光器件100A可以允许第一电极焊盘151和第二电极焊盘152面对第一引线框架21和第二引线框架22。此外，第一电极焊盘151和第二电极焊盘152可以通过导电凸块S的介质分别电连接到第一引线框架21和第二引线框架22。
参考图15，根据示例实施例，发光器件100B可以包括形成在衬底101上的发光结构160。发光结构160可包括第一导电类型半导体层161、有源层162以及第二导电类型半导体层163。
发光器件100B可以包括分别连接到第一导电类型半导体层161和第二导电类型半导体层163的第一电极焊盘151和第二电极焊盘152。
第一电极焊盘151可以包括穿透第二导电类型半导体层163和有源层162以连接到第一导电类型半导体层161的导电过孔151a，并且可以包括连接到导电过孔151a的电极延伸部分151b。为了与有源层162和第二导电类型半导体层163电隔离，导电过孔151a可被绝缘层170包围。导电过孔151a可以在对发光结构160进行刻蚀的区域中。为了减小接触电阻，可以适当地设计导电过孔151a的数量、形状和间距，以及相对于第一导电类型半导体层161的接触面积等。
第二电极焊盘152可以包括在第二导电类型半导体层163上的欧姆接触层152a以及电极延伸部分152b。
图16所示的发光器件100C可包括衬底101、形成在衬底101上的第一导电类型半导体基底层102和形成在第一导电类型半导体基底层102上的多个发光纳米结构180。此外，发光器件100C还可以包括绝缘层103和填充部分104。
发光纳米结构180可包括第一导电类型半导体核181，并且可包括在第一导电类型半导体核181的表面上按顺序形成为壳层的有源层182和第二导电类型半导体层183。在示例实施例中，发光纳米结构180示为具有核-壳结构，但不限于此。发光纳米结构180可具有诸如棱锥体结构的不同结构。
第一导电类型半导体基底层102可设置为提供发光纳米结构180的生长表面的层。绝缘层103可提供用于生长发光纳米结构180的开口区域，并且可设置为诸如SiO2或SiNx等的介电材料。填充部分104可以允许发光纳米结构180在结构上稳定，并且可以起到透射光或反射光的作用。
第一电极焊盘151可在第一导电类型半导体基底层102的暴露表面上，同时第二电极焊盘152可包括形成在发光纳米结构180和填充部分104上的欧姆接触层152a，以及电极延伸部分152b。欧姆接触层152a可以设置为与电极延伸部分152b一体化。
参考图17A和图17B以及图18A至图21B，将描述根据示例实施例的制造发光器件封装件的方法。图17A和图17B是根据示例实施例的制造发光器件封装件的方法的示意性流程图，图18A至图21B是制造发光器件封装件的方法中的各个阶段的示意图。
图18A和图18B是图17A的形成覆盖引线框架的封装主体的操作S10的示意图。图18A是形成覆盖引线框架的封装主体的状态的示意性平面图，图18B是沿图18A中的封装主体和引线框架的线I-I'截取的截面图。
参照图18A和图18B，引线框架20可以包括彼此分离的第一引线框架21和第二引线框架22，同时封装主体30可以覆盖第一引线框架21和第二引线框架22。因此，当第一引线框架21和第二引线框架22嵌入封装主体30中时，可以固定第一引线框架21和第二引线框架22。
封装主体30可以以预定厚度覆盖第一引线框架21和第二引线框架22两者的顶表面。封装主体30可以包括反射杯31和凹槽部分32，使得封装主体30在反射杯31中的要安装发光器件10的中心区域中不覆盖引线框架20的一部分。凹槽部分32可以从封装主体30的表面(例如，通孔)凹进到引线框架20，使得没有物体覆盖引线框架20的该部分。因此，第一引线框架21和第二引线框架22中的每一个的一部分可以通过凹槽部分32暴露。
可以使用注入模塑方法形成封装主体30。例如，当第一引线框架21和第二引线框架22设置在模具中时，可以引入液态树脂以硬化，并且可以移除模具，从而形成同时覆盖第一引线框架21和第二引线框架22并包括反射杯31和凹槽部分32的封装主体30。根据示例实施例，封装主体30可以不包括反射杯31。
图19A和图19B是将发光器件安装在封装主体上的操作的示意图(参见图17A中的S20)。
图19A和图19B分别是发光器件安装在封装主体上的操作的示意性截面图。参考图17B连同图19A和图19B，将描述安装发光器件的操作。图17B是安装发光器件的操作S20的示意性流程图。
首先，参考图19A，发光器件10的电极焊盘11可以包括形成在其上的焊料球S'(参见图17B中的S21)。例如，焊料球S'可以包括基于SAC的焊料球。
发光器件10可以包括连接到引线框架20的电极焊盘11。电极焊盘11可以包括第一电极焊盘11a和第二电极焊盘11b。发光器件10可以具有第一电极焊盘11a和第二电极焊盘11b沿相同方向取向的结构。
发光器件10可以以这样的方式设置在封装主体30上：包括形成在其上的焊料球S'的第一电极焊盘11a和第二电极焊盘11b可以分别面对第一引线框架21和第二引线框架22。
随后，如图19B所示，可以用发光器件10覆盖凹槽部分32，使得焊料球S'可以与通过凹槽部分32暴露的引线框架20接触(参见图17B中的S22)。
凹槽部分32可以具有对应于发光器件10的底表面的横截面形状，并且可以具有小于发光器件10的底表面的横截面面积。因此，当发光器件10设置在凹槽部分32上时，凹槽部分32的边缘可以设置在电极焊盘11与发光器件10的周界之间。
因此，发光器件10可以设置在封装主体30上以覆盖凹槽部分32，以便发光器件10具有其底表面与封装主体30的表面接触并且其顶表面和侧表面不与封装主体30接触的结构。焊料球S'可以容纳在凹槽部分32中，并且发光器件10可以覆盖凹槽部分32(例如与封装主体30接触)，使得焊料球S'可以不向外暴露。
随后，可以执行回流处理(参见图17B中的S23)，使得焊料球S'回流以形成将第一电极焊盘11a和第二电极焊盘11b分别接合到第一引线框架21和第二引线框架22的导电凸块S，如图20A和图20B所示。
图20A是安装发光器件的状态的示意性平面图，图20B是沿着图20A中包括设置在其上的发光器件的封装主体和引线框架的线I-I'截取的截面图。
发光器件10可以通过使用由焊料球S'的回流产生的导电凸块S以倒装芯片接合，所述导电凸块S***在通过凹槽部分32暴露的引线框架20和电极焊盘11之间。
图21A和图21B是形成用于包封发光器件的包封部分的操作的示意图(参见图17A中的S30)。图21A是发光器件被包封部分包封的状态的示意性平面图，图21B是沿着图21A中包括形成在其上的包封部分的封装主体和引线框架的线I-I'截取的截面图。
可以以将包括荧光体的树脂硬化的方式形成包封部分40。包封部分40可以包括诸如硅树脂、环氧树脂等的透明材料或半透明材料，以允许向外发射由发光器件10产生的光。
还可以执行将单独的透镜附加到包封部分40上的步骤。
具有这种结构的发光器件封装件可以包括以以下方式安装在其上的LED：在LED的下表面上形成焊料凸块，或者将焊膏涂覆在引线框架上。由于焊料的厚度，在引线框架的上表面和LED之间会出现间隙。由于这种间隙，由LED产生的光会被包括在包封部分中的荧光体散射，并且进入LED下方的光的一部分被焊料吸收，因此导致光损耗。此外，安装在发光器件封装件上的LED具有这样的问题，其中当通过焊料介质接合时，可能不会平坦地将LED接合到发光器件封装件上，或者LED可能由于其旋转而不在其预期位置，等等。因此，已经指出这些问题作为影响LED的可靠性和稳定性的因素。
相比之下，根据实施例，LED可以使用焊料以倒装芯片的方式安装，以具有显著提高光提取效率的结构。具体地，通过在模塑物(例如，封装主体)中具有与位于倒装芯片的下表面上的焊料凸块一样厚的凹槽或开口，可以保护焊料免受外部影响，并且可以将焊料容易地保持为期望的构造(例如位置和取向)，从而阻挡光可以穿过芯片的下表面的路径。具体地，可以在模塑物的表面上形成凹槽以允许引线框架的一部分被暴露，使得除了与焊料凸块接触的引线框架的区域之外的整个区域可以用模塑物涂覆。因此，在安装倒装芯片的情况下，芯片的下表面与模塑物接触，从而避免了由焊料凸块形成的间隙。此外，根据实施例，可以减少或消除诸如由荧光体散射的光在芯片的下表面中损失(例如，光被焊料吸收)的消光。
如上所述，根据示例实施例，可提供一种发光器件封装件及其制造方法，该发光器件封装件避免了在通过焊料介质等接合LED的情况下发生光损耗并且提高其可靠性。
一个或多个实施例可以提供一种方案，其中在包括具有倒装芯片结构的发光二极管(LED)的封装件中，可以防止发生光损耗，并且当接合LED时可以提高其可靠性。
本文已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅以一般和描述性意义使用和解释，而不是为了限制。在一些情况下，如在提交本申请时的本领域中的普通技术人员显而易见的，除非另有明确说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用或与其他实施例的特征、特性和/或元件组合。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.一种发光器件封装件，包括：
封装主体，其包括安装区域，所述安装区域包括用于发光器件的安装表面、凹槽部分和比所述安装表面低的底表面；以及
引线框架，其由所述封装主体支撑，所述引线框架的一部分设置在所述底表面上，并且所述引线框架的一部分被所述凹槽部分暴露；
其中所述发光器件具有其上设置有电极焊盘的第一平面、与所述第一平面相对的第二平面以及设置在所述第一平面和所述第二平面之间以将所述第一平面连接到所述第二平面的第三平面，所述发光器件设置在所述安装区域中，使得所述第一平面与所述安装表面接触，并且所述电极焊盘位于所述凹槽部分中，
其中所述封装主体的一部分沿着所述发光器件的边缘部分和所述电极焊盘之间的区域设置在所述发光器件和所述引线框架之间。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述发光器件的第二平面和第三平面与所述封装主体间隔开。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述发光器件的第一平面包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括所述电极焊盘，所述第二区域沿着所述凹槽部分的周界与所述安装表面接触。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述引线框架和所述电极焊盘通过所述凹槽部分中的导电凸块连接。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述凹槽部分的表面积比所述发光器件的第一平面的表面积更小。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述凹槽部分围绕所述电极焊盘的周界以限定所述发光器件的位置。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述封装主体包括反射杯，其围绕所述安装区域并且具有朝向所述封装主体的上部倾斜的内侧壁。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装件，其中，所述发光器件的第三平面与所述内侧壁间隔开。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述封装主体包括在所述安装表面上的突起，以限定所述发光器件的安装位置。
10.根据权利要求9所述的发光器件封装件，其中，所述突起包括设置在围绕所述凹槽部分的安装表面上的多个突起。
11.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述电极焊盘包括多个电极焊盘，并且所述凹槽部分围绕所述多个电极焊盘的与所述发光器件的边缘相邻的周界。
12.根据权利要求1所述的发光器件封装件，还包括包封部分，其覆盖所述发光器件并且包括波长转换材料。
13.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述封装主体包括连接槽，所述连接槽在所述安装表面中连接到所述凹槽部分。
14.一种发光器件封装件，包括：
第一引线框架和第二引线框架；
封装主体，其支撑第一引线框架和第二引线框架，并且包括凹槽部分，在所述凹槽部分中暴露出所述第一引线框架和所述第二引线框架的一部分；
发光器件，其设置为覆盖封装主体的凹槽部分，并且包括设置在凹槽部分中的第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘分别连接到所述第一引线框架和所述第二引线框架的暴露部分；以及
透光包封部分，其设置在封装主体上并且覆盖发光器件的顶表面和侧表面，
其中封装主体的一部分沿着发光器件的边缘部分和所述第一电极焊盘之间的区域设置在发光器件和所述第一引线框架之间，并且，其中封装主体的一部分沿着发光器件的边缘部分和所述第二电极焊盘之间的区域设置在发光器件和所述第二引线框架之间。
15.根据权利要求14所述的发光器件封装件，其中，所述发光器件的顶表面和侧表面与所述封装主体分离。
16.根据权利要求14所述的发光器件封装件，其中，所述凹槽部分围绕所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘与所述发光器件的各个边缘相邻设置的的周界。
17.一种发光器件封装件，包括：
封装主体，其包括具有用于安装发光器件的安装表面的安装区域、凹槽部分和比所述安装表面低的底表面；以及
引线框架，其包括被凹槽部分的底表面支撑的部分和被凹槽部分暴露的部分，
其中，凹槽部分沿着垂直于引线框架的第一方向具有将发光器件和引线框架相连接的导电凸块的厚度，并且沿着与所述第一方向垂直的第二方向的宽度小于发光器件沿所述第二方向的宽度，
其中，封装主体的一部分沿着发光器件的边缘部分和发光器件的第一表面上的电极焊盘之间的区域设置在发光器件和引线框架之间。
18.根据权利要求17所述的发光器件封装件，其中，所述封装主体包括在所述安装表面上的突起，以限定所述发光器件的安装位置。
19.根据权利要求17所述的发光器件封装件，其中，所述凹槽部分沿着与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向的宽度小于所述发光器件沿所述第三方向的宽度。
20.根据权利要求17所述的发光器件封装件，其中，所述封装主体包括连接槽，所述连接槽在所述安装表面中连接至所述凹槽部分，所述连接槽沿着所述第二方向延伸，并且沿着与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向的宽度小于所述凹槽部分沿所述第三方向的宽度。
21.一种制造发光器件封装件的方法，包括：
形成支撑第一引线框架和第二引线框架的封装主体，所述封装主体包括暴露出所述第一引线框架和所述第二引线框架的一部分的凹槽部分；以及
将发光器件安装在所述封装主体上，使得第一电极焊盘和第二电极焊盘位于所述凹槽部分中并分别对应于所述第一引线框架和所述第二引线框架，
其中所述发光器件的底表面与所述封装主体的表面接触，并且所述发光器件的顶表面和侧表面与封装主体间隔开，
其中封装主体的一部分沿着所述发光器件的边缘部分和所述第一电极焊盘之间的区域设置在所述发光器件和所述第一引线框架之间，并且，其中封装主体的一部分沿着所述发光器件的边缘部分和所述第二电极焊盘之间的区域设置在所述发光器件和所述第二引线框架之间。
22.根据权利要求21所述的方法，其中安装所述发光器件的步骤包括：
在所述第一电极焊盘和所述第一引线框架之间以及在所述第二电极焊盘和所述第二引线框架之间提供导电凸块；
在所述封装主体的表面上提供所述发光器件以覆盖所述凹槽部分；
回流所述导电凸块以将所述发光器件接合到所述第一引线框架和所述第二引线框架。
23.根据权利要求21所述的方法，其中安装所述发光器件的步骤包括：
在所述发光器件的所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘上形成焊料球；
用所述发光器件覆盖所述凹槽部分，以使所述焊料球与通过所述凹槽部分暴露的所述第一引线框架和所述第二引线框架接触；以及
执行回流处理。
24.根据权利要求21所述的方法，其中安装所述发光器件的步骤包括：提供所述发光器件，使得所述凹槽部分围绕所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘的周界。
25.根据权利要求21所述的方法，还包括：形成覆盖所述发光器件的包封部分。
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