JP2020136672A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体発光素子を含む半導体光源装置10と、半導体光源装置10からの照射光の波長を変換する波長変換部材30と、半導体光源装置10からの照射光を集光させる集光レンズ20と、筒状のホルダ40と、を備え、半導体光源装置10、波長変換部材30、および、集光レンズ20は、筒状のホルダ40の内径部に備えられた支持部42、43、44に支持されている。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
図1は本発明の実施形態1に係る発光装置100の構成を示す断面図である。発光装置100は、例えば、屋内外の照明用、車載用ヘッドランプ、投光器等のピーク出力を必要とする用途に用いることができる高出力の発光装置である。図1に示すように、発光装置100は、半導体光源装置10と、集光レンズ20と、波長変換部材30と、を含んでいる。半導体光源装置10、集光レンズ20、および、波長変換部材30は、筒状のホルダ40の内径部41に配設されている。
ホルダ40は、熱伝導率が高い材質から形成されている。ホルダ40には、軽量で熱伝導率が高く、加工が容易な材質、例えばアルミニウム、を好適に用いることができる。また、ホルダ40は、アルミニウムに限らず、熱伝導率が10W/mK以上、より好ましくは、80W/mK以上の金属、または非金属の材質から形成してもよい。
発光装置100を組み立てる手順は、例えば、以下の通りとすることができる。
図3は、半導体光源装置10の構成を示す図である。図3に示すように、半導体光源装置10は、複数の半導体レーザチップ11(半導体発光素子)を含んでいる。半導体レーザチップ11は、360nm乃至480nmに発光ピーク波長を有する紫外光あるいは青色光を照射する半導体レーザチップである。半導体光源装置10は、これらの少なくとも2つ以上の半導体レーザチップ11を含む、TO−CANパッケージ型のレーザ光源装置である。実施形態1の半導体レーザチップ11は、青色光を照射する青色半導体レーザチップであり、半導体レーザチップ11を、青色半導体レーザチップ11と称する。
半導体光源装置10を組み立てる手順は、例えば、以下の通りとすることができる。
図4、および図5は、波長変換部材30の構成例を示す図であり、図4は、波長変換部材30の一例の断面図、図5の(a)は波長変換部材30の別の例の断面図、図5の(b)は、図5の(a)に示した波長変換部材30を、半導体光源装置10からの照射光の照射方向から視た、上面視図である。
本発明の実施形態2について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態1にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、発光装置100の構成は、図1を用いて説明した上記実施形態1の発光装置100と同様のため、説明を省略する。
本発明の実施形態3について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態1にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、発光装置100の構成は、図1を用いて説明した上記実施形態1の発光装置100と同様のため、説明を省略する。
本発明の実施形態4について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態1、3にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、発光装置100の構成は、図1を用いて説明した上記実施形態1の発光装置100と同様のため、説明を省略する。
なお、波長変換部材は、上述した波長変換部材30,130,230,330の構造に限らず、以下のような構造を有するものであってもよい。
‐単結晶蛍光体を板状に切り出したもの
‐蛍光体粒子を圧縮成形し、板状の形状としたもの
‐蛍光体粒子と光散乱用の粒子を混ぜ合わせ圧縮形成したもの
‐有機バインダ、または無機バインダを用いて、サファイア、およびガラスなどから形成された透明の基板の上に蛍光体粒子を層状に塗布形成したもの
とすることができる。なお、波長変換部材中の蛍光体層や上記の簡便な構造の波長変換部材においてはその形成方法により空隙を有する可能性があり、光散乱性に影響を与え、空隙の存在量が多いほど光散乱性が強くなる。また、波長変換部材は30,130,230,330の構造や上記の構造のいくつかを複数組み合わせたものであっても良い。
11、211B1、211B2、311B 青色半導体レーザチップ(半導体発光素子、青色半導体レーザ素子)
20 集光レンズ
30、130、230、330 波長変換部材
30A、130A、230A、330A 第1領域
30B、130B、230B、330B 第2領域
35、35A、35B 蛍光体層
40 ホルダ
40A 上部ホルダ
40B 下部ホルダ
41 内径部
42 レンズ支持部
43 波長変換部材支持部
44 光源支持部
45 出射開口
50 透光部材
60 放熱プレート(プレート)
100 発光装置
235 光拡散剤含有樹脂層(透光性の領域)
311R 赤色/赤外半導体レーザチップ(半導体発光素子)
Claims (13)
- 複数の半導体発光素子を含む半導体光源装置と、
上記半導体光源装置からの照射光の波長を変換する波長変換部材と、
上記半導体光源装置と、上記波長変換部材との間に配置され、上記半導体光源装置からの照射光を集光させる集光レンズと、
筒状のホルダと、
を備え、
上記半導体光源装置、上記波長変換部材、および、上記集光レンズは、上記筒状のホルダの内径部に備えられた支持部に支持されている
ことを特徴とする発光装置。 - 上記波長変換部材は、出射方向から視て複数領域に分けられており、各領域は1又は複数種類の蛍光体を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記波長変換部材は、断面視において複数の層が積層されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記波長変換部材は、透光性の領域を持つことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記波長変換部材は、波長選択的な光反射性の領域を持つことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記波長変換部材は、波長選択的な光吸収性の領域を持つことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記半導体光源装置は、複数の上記半導体発光素子の光出力の各々を個別に駆動することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記半導体光源装置は、熱伝導率が高い部材から形成されたプレートの上に搭載されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記ホルダは、熱伝導率が高い部材から形成され、上記プレートに接触していることを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
- 上記ホルダの出射開口を閉塞する透光部材を備えたことを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
- 複数の上記半導体発光素子の少なくとも一つは、360nm乃至480nmに発光ピーク波長を有する紫外あるいは青色半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 複数の上記半導体発光素子は赤外半導体レーザ、または、赤色半導体レーザを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記波長変換部材は、青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、または、赤色蛍光体として、Ce賦活Ln3(Al1−xGax)5O12(LnはY,La,Gd、Luの少なくとも1つから選択され、CeはLnを置換する)、Eu、Ce賦活Ca3(ScxMg1−x)2Si3O12(CeはCaを置換する)、Eu賦活(Sr1−xCax)AlSiN3(EuはSrおよびCaを置換する)、Ce賦活(La1−xYx)3Si6N11(CeはLaおよびYを置換する)、Ce賦活Ca−α−Sialon、Eu賦活β−Sialon、Eu賦活M2Si5N8(MはCa,Sr,Baの少なくとも1つから選択され、EuはMを置換する)から選択される少なくとも1種の蛍光体を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220094291A (ko) * | 2020-12-28 | 2022-07-06 | 삼성전자주식회사 | Led 모듈 및 조명 장치 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012512508A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-05-31 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 照明手段及び同照明手段を少なくとも1つ有するプロジェクタ |
JP2012209228A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Ushio Inc | 光源装置 |
JP2013089469A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Sharp Corp | 照明装置および前照灯 |
JP2013120735A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Sharp Corp | 光源装置 |
JP2014520184A (ja) * | 2011-06-07 | 2014-08-21 | クリー インコーポレイテッド | ガリウム置換イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体及びこれを含む発光デバイス |
WO2015011857A1 (ja) * | 2013-07-25 | 2015-01-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明装置 |
US20150109806A1 (en) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Hyundai Motor Company | Head lamp for vehicle |
WO2017068766A1 (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光源装置 |
WO2017154413A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP2018022133A (ja) * | 2016-05-30 | 2018-02-08 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | フォトルミネセンス表示装置およびその製造方法 |
WO2019009033A1 (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-10 | シャープ株式会社 | 光源装置及び発光装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4401348B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-01-20 | シャープ株式会社 | 発光デバイスならびにそれを用いた照明機器および表示機器 |
JP4640248B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-03-02 | 豊田合成株式会社 | 光源装置 |
EP3540794B1 (en) * | 2006-03-10 | 2022-03-30 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP6056117B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2017-01-11 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び車両用灯具 |
JP6383727B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-08-29 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
JP6302762B2 (ja) | 2014-06-23 | 2018-03-28 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置および照明装置 |
US10620478B2 (en) | 2016-05-30 | 2020-04-14 | Maven Optronics Co., Ltd. | Photoluminescent display device and method for manufacturing the same |
KR102530759B1 (ko) * | 2016-06-14 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
-
2020
- 2020-02-04 JP JP2020017264A patent/JP2020136672A/ja active Pending
- 2020-02-12 US US16/789,270 patent/US11482833B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012512508A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-05-31 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 照明手段及び同照明手段を少なくとも1つ有するプロジェクタ |
JP2012209228A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Ushio Inc | 光源装置 |
JP2014520184A (ja) * | 2011-06-07 | 2014-08-21 | クリー インコーポレイテッド | ガリウム置換イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体及びこれを含む発光デバイス |
JP2013089469A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Sharp Corp | 照明装置および前照灯 |
JP2013120735A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Sharp Corp | 光源装置 |
WO2015011857A1 (ja) * | 2013-07-25 | 2015-01-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明装置 |
US20150109806A1 (en) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Hyundai Motor Company | Head lamp for vehicle |
WO2017068766A1 (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光源装置 |
WO2017154413A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP2018022133A (ja) * | 2016-05-30 | 2018-02-08 | マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドMaven Optronics Co., Ltd. | フォトルミネセンス表示装置およびその製造方法 |
WO2019009033A1 (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-10 | シャープ株式会社 | 光源装置及び発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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