CN107346096A - 图像形成设备 - Google Patents

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Abstract

一种图像形成设备，包括：电子照相感光体，其包括导电性基材，设置在导电性基材上并且每单位面积的静电电容为2×10‑10F/cm2至2×10‑ 9F/cm2的底涂层，和设置在底涂层上的感光层；充电单元，其对所述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像；显影单元，其通过使用包含色调剂的显影剂使形成在所述电子照相感光体表面上的静电潜像显影，以形成色调剂图像；和直接转印型转印单元，其将色调剂图像直接转印到记录介质表面上。

Description

图像形成设备
技术领域
本发明涉及图像形成设备。
背景技术
在相关技术中，通过使用电子照相感光体顺序地执行充电、形成静电潜像、显影、转印、清洁等的装置作为电子照相图像形成设备是众所周知的。
例如，专利文献1公开了一种图像形成设备，其包括电子照相感光体、充电单元、曝光单元、显影单元和转印单元。在电子照相感光体中，电子传输层、电荷产生层和空穴传输层以这种方式堆叠在导电性载体上。电子传输层含有电子传输材料。电荷产生层含有电荷产生材料。空穴传输层含有空穴传输材料。在电子照相感光体中，电子传输层和空穴传输层满足迁移率、静电电容和膜厚度的特定关系。充电单元对电子照相感光体充电。曝光单元对已充电的电子照相感光体进行曝光。显影单元对通过曝光形成的静电潜像进行显影。转印单元转印通过显影获得的色调剂图像。
[专利文献1]JP-A-2010-145506
发明内容
在通过使用直接转印型图像形成设备形成图像的情况下，例如，可以在具有不同尺寸的记录介质(以下也称为“纸”)上连续形成图像，或者，具有长边和短边且具有不同方向的纸张可以连续地传送到转印区域。
关于输送到转印区域中的纸张，如果在电子照相感光体的轴向方向上长度相对较短的纸(下文也称为“短形纸”)上反复形成图像，然后在电子照相感光体的轴向方向上的长度相对较长的纸(下文中也称为“长形纸”)上形成图像，在长形纸的位置处可能出现雾痕，该位置对应于在转印区域中短形纸不经过的区域。
本发明的目的是提供一种图像形成设备，与直接转印型图像形成设备的电子照相感光体中的底涂层的每单位面积的静电电容大于2×10-9F/cm2的情况相比，其能防止当在短形纸上反复形成图像之后在长形纸上形成图像时出现雾痕。
上述目的通过以下构造实现。
根据本发明的第一方面，提供了一种图像形成设备，包括：
电子照相感光体，其包括导电性基材、设置在导电性基材上的底涂层和设置在底涂层上的感光层，并且所述底涂层的每单位面积的静电电容为2×10-10F/cm2至2×10-9F/cm2；
充电单元，其对所述电子照相感光体的表面充电；
静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像；
显影单元，其通过使用包含色调剂的显影剂使形成在所述电子照相感光体表面上的静电潜像显影，以形成色调剂图像；和
直接转印型转印单元，其将色调剂图像直接转印到记录介质表面上。
根据本发明的第二方面，在根据第一方面的图像形成设备中，底涂层具有5×10- 10F/cm2至1×10-9F/cm2的静电电容。
根据本发明的第三方面，在根据第一方面的图像形成设备中，记录介质的传送速度为400mm/s至700mm/s。
根据本发明的第四方面，在根据第一方面的图像形成设备中，记录介质的输送速度为450mm/s至600mm/s。
根据本发明的第五方面，在根据第一方面的图像形成设备中，底涂层含有粘合剂树脂、金属氧化物颗粒和电子接受性化合物。
根据本发明的第六方面，在根据第五方面的图像形成设备中，金属氧化物颗粒包括选自氧化锡颗粒、氧化钛颗粒和氧化锌颗粒中的至少一种。
根据本发明的第七方面，在根据第五或第六方面的图像形成设备中，金属氧化物颗粒的体积平均一次颗粒直径为100nm以下。
根据本发明的第八方面，在根据第五方面的图像形成设备中，所述金属氧化物颗粒用至少一种偶联剂处理。
根据本发明的第九方面，所述偶联剂包括选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和铝偶联剂的至少一种。
根据本发明的第十方面，在根据第五方面的图像形成设备中，所述电子接受性化合物是具有蒽醌骨架的电子接受性化合物。
根据本发明的第十一方面，在根据第十方面的图像形成设备中，所述具有蒽醌骨架的电子接受性化合物是由下式(1)表示的化合物：
其中n1和n2各自独立地表示0至3的整数，条件是n1和n2中的至少一个表示1至3的整数；m1和m2各自独立地表示0或1的整数；R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
根据本发明的第十二方面，在根据第一方面的图像形成设备中，底涂层的厚度为15μm至30μm。
根据本发明的第十三方面，在根据第一方面的图像形成设备中，底涂层的厚度为20μm至25μm。
根据本发明的第一至第十三方面中的任一方面，提供了一种图像形成设备，与直接转印型图像形成设备的电子照相感光体中的底涂层的每单位面积的静电电容大于2×10-9F/cm2的情况相比，其能防止当在短形纸上反复形成图像之后在长形纸上形成图像时出现雾痕。
简要附图说明
将基于以下附图详细描述本发明的示例性实施例，其中：
图1是描绘根据示例性实施方式的图像形成设备的实例的示意性构造图；
图2是描绘根据示例性实施方式的电子照相感光体的层构造的实例的示意性局部截面图；和
图3是描绘根据示例性实施方式的电子照相感光体的层构造的另一个实例的示意性局部截面图。
具体实施方式
在下文中，将详细描述作为本发明实例的示例性实施方式。
图像形成设备
根据示例性实施方式的图像形成设备包括电子照相感光体、充电单元、静电潜像形成单元、显影单元和直接转印型转印单元。充电单元对电子照相感光体的表面充电。静电潜像形成单元在电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像。显影单元通过使用包含色调剂的显影剂使形成在电子照相感光体的表面上的静电潜像显影，从而形成色调剂图像。直接转印型转印单元将色调剂图像直接转印到记录介质的表面上。
电子照相感光体(以下简称为“感光体”)包括导电性基材，设置在导电性基材上的底涂层和设置在底涂层上的感光层。底涂层的每单位面积的静电电容为2×10-10F/cm2至2×10-9F/cm2。
在根据示例性实施方式的图像形成设备中，如果底涂层的每单位面积的静电电容在上述范围内，则当在短形纸上反复形成图像之后在长形纸上形成图像时可能出现雾痕(以下也简称为“雾痕(fog)”)。原因不清楚，但假设如下。
在直接转印型图像形成设备中，可以根据纸张(记录介质)的尺寸或方向在转印区域，即其中感光体和转印单元彼此面对的区域中设置纸张通过的区域和纸张不通过的区域。纸张通过的区域在下面可以被称为“通纸区域”。纸张不通过的区域在下文中可以被称为“非通纸区域”。因为纸具有大的电阻，所以在通纸区域中感光体和转印单元之间的电阻变得比非通纸区域中感光体和转印单元之间的电阻大，因此在通纸区域和非通纸区域之间产生电阻差。
这里，当在直接转印型图像形成设备中将色调剂图像从感光体转印到记录介质时，转印电压施加到转印单元，因此转印电流从转印单元流入感光体。此时，如果出现在转印区域中的通纸区域与非通纸区域之间的电阻差，则电流选择性地在电阻小的非通纸区域中流动。因此，相当多的电荷容易积累在感光体的对应于非通纸区域的部分处。
如上所述，如果在感光体的轴向方向上的长度相对长的纸(长形纸)上形成图像，则在对应于非通纸区域的部分处电荷过度累积的状态下，容易出现色调剂粘附到非图像部分并因此出现色调剂图像的现象(以下也称为“雾痕”)。关于传送到转印区域的纸张，在感光体的轴向上长度相对较短的纸张在下文中可称为“短形纸”，并且在感光体的轴向方向上的长度相对较长的纸张在下文中可以称为“长形纸”。
具体地，如果在短形纸上反复形成图像，从而过度施加充电电势，并且相反极性的电荷在感光体的非通纸区域中过度累积，即使感光体的表面在下一个充电过程中充电，表面电荷也会被相反极性的累积电荷抵消。因此，容易导致充电较差。结果，如果在短形纸上反复形成图像，然后在长形纸上形成图像，则在与短形纸的非通纸区域对应的长形纸的部分处可能出现雾痕。
作为在短形纸上反复形成图像然后在长形纸上形成图像的情况，例如，除了A4尺寸的纸张沿横向方向输送以反复在其上形成图像然后A3尺寸的纸张沿横向方向输送以在其上形成图像的情况之外，还可以举例A4尺寸的纸张沿横向方向输送以反复在其上形成图像然后A4尺寸的纸张沿纵向方向输送以在其上形成图像的情况。然而，其不限于此。
特别地，在以高速(例如，记录介质传送速度为400mm/s或更高)形成图像的情况下，色调剂图像从感光体短时间转印到记录介质上。因此，需要施加更高的转印电压，以便防止可能由不足的转印电流引起的不良转印。如果转印电压变高，则在通纸区域中更容易引起电流过多地流入感光体。因此，显著发生由于累积电荷引起的充电较差，并且易于更显著地出现雾痕。
相反，在示例性实施方式中，底涂层的每单位面积的静电电容设定在上述范围内，因此即使在短形纸上反复形成图像，然后在长形纸上形成图像，也难以出现雾痕。
具体地，将底涂层的每单位面积的静电电容设定在上述范围内，小于现有技术中的范围。因此，难以使底涂层存储电荷。即使当转印电流在转印过程中从转印单元流入感光体时，流入电荷也容易流向导电基材侧。因为流入电荷和相反极性的电荷容易在底涂层中移动，所以流入电荷和相反极性的电荷彼此抵消，因此容易除去。结果，认为在下一次图像形成开始的时间点，在感光体上累积的电荷量小。因此，在下一次图像形成中，不易发生由仅在特定区域(短形纸的非通纸区域)中累积的许多电荷引起的充电较差。因此，应该不易出现雾痕。
由于上述原因，假定在直接转印型图像形成设备中，底涂层的每单位面积的静电电容设定为2×10-10F/cm2至2×10-9F/cm2，因此根据示例性实施方式的图像形成设备防止了雾痕的出现。
作为记录介质传送速度(处理速度)，例如，可以举例400mm/s至700mm/s的范围，记录介质传送速度优选为450mm/s至600mm/s。
此处，作为根据示例性实施方式的图像形成设备，应用如下的公知的图像形成设备：包括被配置为将转印到记录介质的表面上的色调剂图像定影的定影单元的设备；包括清洁单元的设备，所述清洁单元被构造成在转印色调剂图像之后对充电之前的电子照相感光体的表面进行清洁；包括擦除单元的设备，所述擦除单元被构造成在转印色调剂图像之后在充电之前用擦除光照射电子照相感光体的表面，以进行擦除；以及包括电子照相感光体加热部件的设备，所述电子照相感光体加热部件被构造成提高电子照相感光体的温度以降低相对温度。
根据示例性实施方式的图像形成设备可以是干式显影型图像形成设备或湿式显影型(使用液体显影剂的显影型)图像形成设备。
在根据本示例性实施方式的图像形成设备中，例如，包括电子照相感光体的部分可以是可从图像形成设备拆卸的盒结构(处理盒)。除了电子照相感光体之外，处理盒还可以包括选自例如由充电单元、静电潜像形成单元、显影单元和转印单元组成的组中的至少一种。
在示例性实施方式中，可以提供一种图像形成设备，其包括在转印色调剂图像的转印单元的下游侧和在执行感光体表面清洁的清洁单元的上游侧的非接触充电型再充电单元。所述非接触充电型的充电单元在将色调剂图像转印到记录介质的表面上之后对感光体的表面充电。在包括充电单元的直接转印型图像形成设备中，充电单元执行再充电，因此容易更好地防止雾痕的出现并且还防止图像浓度的劣化。在再充电单元进行再充电的情况下，调节了在将色调剂图像转印到记录介质的表面上之后残留在感光体表面上的残留色调剂的带电。因此，例如，残余色调剂容易被清洁单元收集。
在下文中，将参考附图详细描述根据示例性实施方式的图像形成设备。
图1是描绘根据示例性实施方式的图像形成设备的实例的示意性构造图；
如图1所示，在根据示例性实施方式的图像形成设备10中设置电子照相感光体7。电子照相感光体7具有柱状形状。电子照相感光体7通过诸如齿轮的驱动力传递构件(未示出)连接到驱动电机27(驱动单元的实例)。驱动电机27使电子照相感光体7被旋转驱动(在图1中的箭头A所示的方向上)。
例如，以下单元在电子照相感光体7的旋转方向上围绕电子照相感光体7(图像保持部件的实例)依次排列：充电装置(充电单元的实例)15；静电潜像形成装置(静电潜像形成单元的实例)16；显影装置(显影单元的实例)18；直接转印型转印装置31(转印单元的实例；以下也简称为“转印装置(转印单元)”))；非接触充电型的再充电装置40(非接触充电型的充电单元的实例；下面也简称为“再充电装置”(“再充电单元”))；清洁装置(清洁装置)(清洁单元的实例)22；和擦除装置(擦除单元的实例)24。定影装置26也设置在根据示例性实施方式的图像形成设备10中。还提供了控制装置36，其连接到图像形成设备10中的装置和构件，并且被配置为控制装置和构件的操作。
下面将描述根据示例性实施方式的图像形成设备的构造。
电子照相感光体
作为电子照相感光体7，应用具有包括导电性基材、设置在导电性基材上的底涂层和设置在底涂层上的感光层的构造的感光体。
感光层可以是包括电荷产生层和电荷输送层(以下也称为“功能分离型感光层”)的功能分离型感光层，或者可以是单层型的感光层(以下也称为“单层型感光层”)。在感光层是功能分离型感光层的情况下，电荷产生层含有电荷产生材料，电荷输送层含有电荷输送材料。
下面将参照附图详细描述根据示例性实施方式的电子照相感光体。
图2是描绘作为电子照相感光体7的层构造的实例的电子照相感光体7A的示意性截面图。图2中描绘的电子照相感光体7A具有其中底涂层3、电荷产生层4和电荷传输层5以此顺序堆叠在导电基材1上的结构。电荷产生层4和电荷传输层5构成功能分离型感光层6。
如果需要，电子照相感光体7A可以包括其它层。作为根据需要设置的层，例如，进一步设置在电荷输送层5上的保护层。
图3是作为电子照相感光体7的层构成的另一个实例的电子照相感光体7B的示意性截面图。图3中描绘的电子照相感光体7B具有其中底涂层3和单层型感光层2以该顺序堆叠在导电基材1上的结构。
如果需要，电子照相感光体7B可以包括其它层。作为根据需要设置的层，例如，进一步设置在单层型感光层2上的保护层。
下面将详细描述电子照相感光体7的各层。将省略附图标记而进行描述。
导电基材
导电基材的实例包括含有金属(铝、铜、锌、铬、镍、钼、钒、铟、金、铂等)或合金(不锈钢等)的金属板、金属鼓和金属带。导电基材的其它实例包括通过将导电化合物(例如，导电聚合物和氧化铟)、金属(例如，铝、钯和金)或合金施加、沉积或层压而形成的纸、树脂膜和条带。术语“导电”在本文中是指具有小于1013Ωcm的体积电阻率。
在将电子照相感光体用于激光打印机的情况下，优选将导电基材的表面以0.04μm至0.5μm的中心线平均粗糙度Ra粗糙化，以防止激光照射时产生的干涉条纹。在使用非相干光源的情况下，不特别需要使导电基材的表面粗糙化以防止干涉条纹，并且这种非相干光源可以防止由于导电基材的不均匀表面而产生的缺陷，因此更适合延长寿命。
表面粗糙化方法的实例包括将悬浮在水中的研磨剂喷雾到载体上的湿式研磨、其中通过将导电基材压靠在旋转磨石上进行连续研磨的无心研磨以及阳极氧化处理。
表面粗糙化方法的其它实例包括如下的方法，其中在不使导电基材的表面粗糙化的同时，将导电或半导电粉末分散在树脂中，将树脂施加到导电基材的表面上以形成层，粗糙化是由分散在该层中的颗粒进行的。
在通过阳极氧化的表面粗糙化处理中，由金属(例如，铝)形成的导电基材用作电解液中的阳极，并且被阳极氧化以在导电基材的表面上形成氧化膜。电解液的实例包括硫酸溶液和草酸溶液。然而，通过阳极氧化形成的多孔阳极氧化膜在其自然状态下具有化学活性，因此这种阳极氧化膜容易被污染，并且其电阻根据环境而极大地变化。因此，优选进行用于封闭多孔阳极氧化膜的孔的处理；在这种方法中，氧化膜的孔通过由于在压力下的水蒸汽中或沸水中的水合反应的体积膨胀而封闭(可以添加金属盐如镍)，并且多孔阳极氧化膜转化为更稳定的水合氧化物。
阳极氧化膜的膜厚度优选为例如0.3μm至15μm。如果膜厚度在该范围内，则倾向于发挥针对注入的阻挡性，并且倾向于防止由于重复使用而导致的残余电势的增加。
导电基体可以用酸性处理溶液或勃姆石处理进行处理。
酸性处理液的处理例如如下进行。制备含有磷酸、铬酸和氢氟酸的酸性处理溶液。作为酸性处理液中的磷酸、铬酸和氢氟酸的配合比例，例如，磷酸的量在10重量％至11重量％的范围内，铬酸的量在3重量％至5重量％的范围内，氢氟酸的量在0.5重量％至2重量％的范围内，这些酸的总浓度优选为13.5重量％至18重量％的范围。处理温度优选为例如42℃至48℃。涂膜的膜厚优选为0.3μm至15μm。
在勃姆石处理中，例如，将导电基材在90℃至100℃浸渍在5分钟至60分钟的纯水中，或者在90℃至120℃与热水蒸气接触5分钟至60分钟。涂膜的膜厚优选为0.1μm至5μm。所得产物可以用己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸盐、邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐和柠檬酸盐等较少地溶解涂膜的电解液进行阳极氧化处理。
底涂层
底涂层设置在导电基材和感光层之间，并且每单位面积的静电电容为2×10-10F/cm2至2×10-9F/cm2。
如上所述，底涂层的每单位面积的静电电容在上述范围内，因此与超过上述范围的情况相比，防止了雾痕的出现。底涂层的每单位面积的静电电容在上述范围内，因此与小于上述范围的情况相比，容易获得感光体的良好的电特性。
从防止雾痕出现的角度出发，底涂层的每单位面积的静电电容优选为2×10-10F/cm2至2×10-9F/cm2，更优选为5×10-10F/cm2至1×10-9F/cm2。
这里，将描述获得底涂层的每单位面积的静电电容的方法。
例如，作为构成电子照相感光体中的各层的导电性有机膜的等效电路，通常应用电阻器(电阻值：R)和电容器(静电电容：C)的并联电路。作为在电阻值R和静电电容C未知的并联电路中分析和计算电阻值R和静电电容C的方法，举出ColeCole绘图分析为例。
ColeCole图分析是指其中电极附着到其中电阻值R和静电电容C未知的并联电路(例如，导电有机膜)的两端，将交流电压施加到两个电极上同时改变频率，并分析施加电压和获得的电流之间的位置关系的方法。通过使用该方法获得并联电路中的电阻值R和静电电容C，并且基于获得的静电电容C的值和附着电极的面积值，获得每单位面积的静电电容。
具体地，例如，首先通过气相沉积法在底涂层的外周面上形成的作为相对电极的金电极，然后在常温和常湿(22℃/50％RH)通过126096W阻抗分析仪(由SolartronCorp.制造)进行测量。
作为测量条件，例如，举例为0V的直流偏压(施加的直流电压)，±1V的交流(施加的AC电压)和在1Hz至100Hz的范围内的频率。
基于所获得的测量结果，通过ColeCole绘图分析获得静电电容C，并除以面对电极的电极面积S(cm2)。因此，计算了底涂层的每单位面积的静电电容。
作为由用作测量对象的感光体测量每单位面积的静电电容的方法，例如，可以举以下方法为例。
首先，制备用作测量对象的感光体。然后，例如，通过使用诸如丙酮、四氢呋喃、甲醇、乙醇的溶剂除去覆盖底涂层的感光层，例如电荷产生层和电荷输送层，从而曝光底涂层。通过使用气相沉积法、溅射法等的单元在露出的底涂层上形成金电极，从而获得测量样品。对该测量样品进行测量，从而获得每单位面积的静电电容。
控制底涂层的每单位面积的静电电容的方法没有特别限制。在底涂层为含有粘合剂树脂、金属氧化物颗粒和电子接受性化合物的层的情况下，例如，可以列举以下方法：调节底涂层中的金属氧化物颗粒的分散性的方法；调整金属氧化物颗粒的粒径的方法；调整金属氧化物颗粒的表面处理量(即，在金属氧化物颗粒的表面处理中使用的表面处理剂的量)的方法；调整金属氧化物颗粒的含量的方法(在表面处理剂附着于金属氧化物颗粒的表面的情况下，还含有表面处理剂时的含量)；改变用于金属氧化物颗粒的表面处理剂的类型和粘合剂树脂的类型的组合的方法；调节电子接受性化合物的含量的方法；以及通过组合上述方法获得的方法。
具体地，适当的调整方法根据诸如各种材料的类型、组合和内容的条件而变化。例如，如果金属氧化物颗粒的分散性降低，则底涂层的静电电容趋于降低。如果金属氧化物颗粒的分散性增加，则底涂层的静电电容趋于增加。
在用于形成底涂层(其中分散有金属氧化物颗粒)的涂布液形成涂布膜从而形成底涂层的情况中，可以与所形成的底涂层的膜中的金属氧化物颗粒一次颗粒一起存在通过聚集一次颗粒得到的二次颗粒。二次颗粒的金属氧化物颗粒的粒径大于一次颗粒的粒径，并且这些二次颗粒的存在导致容易形成电荷移动的路径。因此，例如，调节金属氧化物颗粒的分散性以控制二次颗粒的金属氧化物颗粒，从而控制底涂层的每单位面积的静电电容。
具体地，在金属氧化物颗粒的分散性低(即，在金属氧化物颗粒的分散粒径大的情况下)的情况下，底涂层中的电荷的迁移率增加，并且每单位面积静电电容容易减少。在金属氧化物颗粒的分散性高的情况下(即，在金属氧化物颗粒的分散粒径小的情况下)，底涂层中的电荷的迁移率降低，并且每单位面积的静电电容容易增加。
作为调节分散性的方法，例如，可以列举当用于形成底涂层的涂布液形成时，根据金属氧化物颗粒的分散时间等进行调节的方法。
例如，如果将金属氧化物颗粒的粒径设定得较大，则底涂层的静电电容降低。如果将金属氧化物颗粒的粒径设定得较小，则底涂层的静电电容趋于增加。
另外，在具有氨基并用硅烷偶联剂进行了表面处理的氧化锌颗粒用作金属氧化物颗粒以及缩醛树脂作为粘合剂树脂情况下，例如，如果金属氧化物颗粒的表面处理量大，金属氧化物颗粒的分散性降低，因此底涂层的静电电容降低。如果金属氧化物颗粒的表面处理量小，则金属氧化物颗粒的分散性增加，因此底涂层的静电电容趋于增加。
例如，如果金属氧化物颗粒的含量大，则粘合剂树脂的量减少，因此底涂层的静电电容降低。如果金属氧化物颗粒的含量少，则粘合剂树脂的量增加，因此底涂层的静电电容趋于增加。
例如，如果电子接受性化合物的含量大，则底涂层的静电电容降低。如果电子接受化合物的含量小，则底涂层的静电电容趋于增加。
关于含有粘合剂树脂、金属氧化物颗粒和电子接受性化合物的层，作为底涂层的实例，下面将描述材料、制备方法和特性等。
金属氧化物颗粒
金属氧化物颗粒的实例包括氧化锡颗粒、氧化钛颗粒、氧化锌颗粒和氧化锆颗粒。在这些颗粒中，优选选自氧化锡颗粒、氧化钛颗粒和氧化锌颗粒中的至少一种，更优选氧化锌颗粒。
作为金属氧化物颗粒的体积平均一次颗粒直径，例如可以举出100nm以下的范围，优选为10nm至100nm的范围。
金属氧化物颗粒的体积平均一次颗粒直径在上述范围内，因此与小于上述范围的情况相比，防止了由金属氧化物颗粒的过大的表面积导致的分散体中的不均匀分布。金属氧化物颗粒的体积平均一次颗粒直径在上述范围内，因此防止了在超过上述范围的情况下可能由于二次颗粒或具有高于二次颗粒的高阶颗粒的过大颗粒直径而导致的底涂层中的不均匀分布。如果在底涂层中发生不均匀分布，则在底涂层中形成包括存在金属氧化物颗粒的部分和不存在金属氧化物颗粒的部分的海-岛结构，从而形成图像缺陷，诸如可能引起半色调浓度的不均匀。
从将底涂层的每单位面积的静电电容调整为上述范围的角度出发，金属氧化物颗粒一次颗粒的体积平均直径优选为20nm至70nm，更优选为30nm至50nm。
金属氧化物颗粒的体积平均一次颗粒直径通过使用激光衍射式粒径分布测量装置(LA-700：HORIBA，Ltd.)测量。关于测量方法，通过使用固体粉末调节处于分散体状态的样品，使其为2g。向经调节的样品中加入离子交换水，由此获得40ml。将所得物***小室以具有适当的浓度，并等待2分钟。然后，进行测量。在获得的通道的粒径中，以体积为标准的小粒径进行累积。将累积值达到50％时的值定义为体积平均一次颗粒直径。
作为金属氧化物颗粒的体积电阻率，例如可以列举104Ω·cm至1010Ω·cm的范围。
优选底涂层在对应于电子照相处理速度的频率下获得适当的阻抗。从该角度出发，金属氧化物颗粒的体积电阻率优选在上述范围内。也就是说，金属氧化物颗粒的体积电阻率在上述范围内，因此与低于上述范围的情况相比，阻抗的颗粒含量依赖性的倾向变小，并且容易防止阻抗的控制难度。金属氧化物颗粒的体积电阻率在上述范围内，因此比在高于上述范围的情况下更容易防止残余电势的增加。
从将底涂层的每单位面积的静电容量调节至上述范围的角度出发，金属氧化物颗粒的体积电阻率优选为3×106Ω·cm至3×109Ω·cm，更优选为5×106Ω·cm至1×109Ω·cm。
金属氧化物颗粒的体积电阻率如下测定。测量环境定义为温度为20℃，湿度为50％RH。
首先，将金属氧化物颗粒与该层分离。将待测量的分离的金属氧化物颗粒放置在其上设置有20cm2电极板的圆形工具的表面上，以具有约1mm至3mm的厚度。由此形成金属氧化物颗粒层。将类似的20cm2电极板放置在形成的金属氧化物颗粒层上，从而将金属氧化物颗粒层夹在电极板之间。为了设置在金属氧化物颗粒之间不产生空隙，向放置在金属氧化物颗粒层上的电极板施加4kg的负荷，然后测量金属氧化物颗粒层的厚度(cm)。金属氧化物颗粒层之上和之下的两个电极连接到静电计和高压发电装置。向两个电极施加高电压，以使电场具有预定值。读取此时流动的电流值(A)，由此计算金属氧化物颗粒的体积电阻率(Ω·cm)。金属氧化物颗粒的体积电阻率(Ω·cm)的计算式如下。
在该表达式中，ρ表示金属氧化物颗粒的体积电阻率(Ω·cm)，E表示施加电压(V)，I表示电流值(A)。I0表示在0V的施加电压下的电流值(A)，L表示金属氧化物颗粒层的厚度(cm)。在该评估中，当施加电压为1000V时使用体积电阻率。
表达式：ρ＝E×20/(I-I0)/L
作为金属氧化物颗粒的BET比表面积，例如可以举出10m2/g以上的范围。从将底涂层的每单位面积的静电电容调整至上述范围的角度出发，BET比表面积优选为10m2/g至25m2/g，更优选为15m2/g至20m2/g。
BET比表面积具有使用BET比表面积测定装置(岛津制作所制造，FLOWSORP II2300)通过氮置换法测定的值。
作为金属氧化物颗粒的含量，例如，相对于底涂层的总固体含量为30重量％至60重量％。从维持电特性的角度出发，金属氧化物颗粒的含量优选为35重量％至55重量％。从将底涂层的每单位面积的静电电容调节至上述范围的角度出发，相对于底涂层的总固体含量，金属氧化物颗粒的含量优选为30重量％至50重量％，更优选为35重量％至45重量％。
金属氧化物颗粒可以通过使用表面处理剂进行表面处理，并且优选在表面处理剂中使用一种或多种类型的偶联剂进行表面处理。偶联剂通常具有将有机材料和无机材料化学结合的作用。例如，可以列举含有与金属氧化物颗粒的表面具有亲和性或反应性的官能团的化合物。
作为金属氧化物颗粒，可以使用经过不同表面处理的两种或更多种类型的金属氧化物颗粒的混合物，或者可以使用具有不同颗粒直径的两种或更多种类型的金属氧化物颗粒的混合物。
表面处理剂的实例包括硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、，铝偶联剂和表面活性剂。特别地，优选硅烷偶联剂，更优选具有氨基的硅烷偶联剂。
具有氨基的硅烷偶联剂的实例包括但不限于3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和N,N-(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷。
作为混合物，可以使用两种以上的硅烷偶联剂。例如，具有氨基的硅烷偶联剂可以与其它硅烷偶联剂组合使用。这种其它硅烷偶联剂的实例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N,N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。
使用表面处理剂的表面处理方法可以是任何已知的方法，并且可以是干式方法或湿式方法。
通过例如使用偶联剂对金属氧化物颗粒进行表面处理，然后如果需要，可以进行热处理，目的是例如改善金属氧化物的体积电阻率的环境依赖性。作为热处理的温度，例如可以例举150℃至300℃。作为热处理中的处理时间，例如，例举30分钟至5小时。
作为表面处理剂的处理量，例如，相对于金属氧化物颗粒为0.5重量％至10重量％。例如，在使用含有氨基的硅烷偶联剂进行表面处理的氧化锌颗粒作为金属氧化物颗粒并且使用缩醛树脂作为粘合剂树脂的情况下，从调节底涂层的每单位面积的静电电容在上述范围内的角度出发，金属氧化物颗粒上的表面处理剂的量优选为0.1重量％至7重量％，更优选为0.5重量％至5重量％。
电子接受性化合物
电子接受性化合物可以在与金属氧化物颗粒一起分散于其中之后包含在底涂层中，或者可以以附着于金属氧化物颗粒的表面的状态包含在内。在电子接受性化合物以附着于金属氧化物颗粒的表面的状态包含在内的情况下，电子接受性化合物优选为与金属氧化物颗粒表面进行化学反应的材料，或者是粘附到金属氧化物颗粒表面的材料。电子接受性化合物可以选择性地设置在金属氧化物颗粒的表面上。
电子接受性化合物的实例包括具有醌骨架、蒽醌骨架、香豆素骨架、酞菁骨架、三苯甲烷骨架、花青素骨架、黄酮骨架、富勒烯骨架、钌络合物骨架、呫吨骨架、苯并噁嗪骨架和卟啉骨架的电子接受性化合物。
电子接受性化合物可以是在骨架中用取代基如酸性基团(例如，羟基、羧基和磺酰基)、芳基和氨基进行了取代的化合物。
特别地，从将底涂层的每单位面积的静电电容调节至上述范围的角度出发，作为电子接受性化合物，优选具有蒽醌骨架的电子接受性化合物。更优选具有羟基蒽醌骨架(具有羟基的蒽醌骨架)的电子接受性化合物。
具有羟基蒽醌骨架的电子接受性化合物的具体实例包括由下式(1)表示的化合物。
在式(1)中，n1和n2各自独立地表示0至3的整数，条件是n1和n2中的至少一个表示1至3的整数(即，n1和n2不同时表示0)。m1和m2各自独立地表示0或1的整数。R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
电子接受性化合物可以是由下式(2)表示的化合物。
在式(2)中，n1、n2、n3和n4各自独立地表示0至3的整数。m1和m2各自独立地表示0或1的整数。n1和n2中的至少一个各自独立地表示1至3的整数(即，n1和n2不同时表示0)。n3和n4中的至少一个各自独立地表示1至3的整数(即，n3和n4不同时表示0)。r表示2至10的整数。R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
这里，在式(1)和(2)中，由R11和R12表示且具有1至10个碳原子的烷基可以是直链或支链烷基。例如，可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基等。作为具有1至10个碳原子的烷基，优选具有1至8个碳原子的烷基，更优选具有1至6个碳原子的烷基。
由R11和R12表示且具有1至10个碳原子的烷氧基(烷氧基)可以是直链或支链烷氧基。例如，可以列举甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基等。作为具有1至10个碳原子的烷氧基，优选具有1至8个碳原子的烷氧基，更优选具有1至6个碳原子的烷氧基。
下面将描述电子接受性化合物的具体实例，但不限于此。
使电子接受性化合物附着于金属氧化物颗粒表面的实例包括干式法和湿式法。
干式法是例如使电子接受性化合物以如下方式附着于金属氧化物颗粒表面的方法：在具有高剪切力的混合器中搅拌金属氧化物颗粒，在该状态下，电子接受性化合物本身或作为溶解在有机溶剂中的电子接受性化合物的溶液与干燥空气或氮气一起滴加或喷雾。电子接受性化合物可以在等于或低于溶剂沸点的温度下滴加或喷雾。在滴加或喷雾电子接受性化合物后，可以在等于或高于100℃进行烘焙。只要能获得电子照相性能，烘烤可以在任何温度进行任何时长。
湿式法例如为如下方法：使电子接受性化合物以如下方式附着于金属氧化物颗粒的表面：通过包括搅拌、超声波、砂磨机、磨碎机或球磨机等的技术将金属氧化物颗粒分散在溶剂中，在该状态下，向其中加入电子接受性化合物，然后搅拌或分散，随后除去溶剂。例如通过过滤或通过蒸馏除去溶剂。除去溶剂后，可以在等于或高于100℃进行烘焙。只要能获得电子照相性能，烘烤可以在任何温度下进行任何时间长度。在湿式法中，可以在加入电子接受性化合物之前除去金属氧化物颗粒中含有的水分，湿式法的实例包括其中通过在溶剂中搅拌除去含有的水分的方法或者通过与溶剂共沸除去含有的水分的方法。
在使用表面处理剂对金属氧化物颗粒进行表面处理之前或之后，可以使电子接受性化合物附着。此外，可以同时进行电子接受性化合物的附着和表面处理剂的表面处理。
作为电子接受性化合物的含量，例如相对于底涂层的总固体成分为0.01重量％至20重量％。电子接受性化合物的含量优选为0.1重量％至10重量％，更优选为0.5重量％至5重量％。
电子接受性化合物的含量在上述范围内，因此与小于上述范围的情况相比，容易得到作为接受体的电子接受性化合物的效果。电子接受性化合物的含量在上述范围内，因此与大于上述范围的情况相比，则难以使金属氧化物颗粒聚集，难以使金属氧化物颗粒在底涂层中过度发生不均匀分布。另外，难以引起残余电势的增加、黑点的出现、以及由于金属氧化物颗粒的过度不均匀分布而导致半色调密度不均匀的发生。
从将底涂层的每单位面积的静电电容调整至上述范围的角度出发，相对于底涂层的总固体含量，电子接受性化合物的含量优选为0.1重量％至5重量％，更优选为0.5重量％至1重量％。
粘合剂树脂
用于底涂层的粘合剂树脂的实例包括已知的高分子化合物，例如缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚酯树脂、甲基丙烯酰系树脂、丙烯酰系树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅氧烷树脂、硅氧烷-醇酸树脂、尿素树脂、酚醛树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂和环氧树脂；锆螯合物；钛螯合物；铝螯合物；钛醇盐化合物；有机钛化合物；和已知材料如硅烷偶联剂。
用于底涂层的粘合剂树脂的其它实例包括具有电荷输送基团的电荷输送树脂和导电树脂(例如聚苯胺)。
在这些材料中，不溶于用于形成上层的涂层中所使用的溶剂的树脂适合作为用于底涂层的粘合剂树脂。特别是，通过固化剂与选自由以下组成的组的至少一种树脂反应得到的树脂是合适的：热固性树脂，如脲醛树脂、酚醛树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂和环氧树脂；聚酰胺树脂；聚酯树脂；聚醚树脂；甲基丙烯酰系树脂；丙烯酰系树脂；聚乙烯醇树脂；和聚乙烯醇缩醛树脂。
在组合使用两种或更多种这些粘合剂树脂的情况下，根据需要确定其混合比。
添加剂
底涂层可以包含各种添加剂，以便改善电性能、环境稳定性和图像质量。
添加剂的实例包括电子传输颜料如稠合多环颜料和偶氮颜料，以及已知材料如锆螯合物、钛螯合物、铝螯合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物和硅烷偶联剂。硅烷偶联剂用于如上所述的金属氧化物颗粒的表面处理，但可以进一步作为添加剂添加至底涂层。
作为添加剂的硅烷偶联剂的实例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、N,N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。
锆螯合物的实例包括丁醇锆、乙酰乙酸乙酯锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮锆丁醇盐、乙酰乙酸乙酯锆丁醇盐、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、异硬脂酸锆、异丁酸锆丁醇盐、硬脂酸锆丁醇盐和异硬脂酸锆丁醇盐。
钛螯合物的实例包括四异丙基钛酸酯、四正丁基钛酸酯、丁基钛酸酯二聚体、四(2-乙基己基)钛酸酯、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮聚钛、辛二醇钛、乳酸钛铵盐、乳酸钛、乳酸乙酯、三乙醇胺钛和硬脂酸聚羟基钛。
铝螯合物的实例包括异丙醇铝、二异丙醇单丁氧基铝、丁醇铝、乙酰乙酸二乙酯二异丙醇铝和三(乙酰乙酸乙酯)铝。
这些添加剂可以单独使用或作为其多种的混合物或缩聚物使用。
底涂层的维氏硬度可以为35以上。
为了防止莫尔条纹，可以将底涂层的表面粗糙度(十点平均粗糙度)调节至所使用的曝光激光的波长λ的1/(4n)(n是上层的折射率)至1/2。
为了调整表面粗糙度，可以向底涂层中添加树脂颗粒等。树脂颗粒的实例包括硅氧烷树脂颗粒和交联的聚甲基丙烯酸甲酯树脂颗粒。另外，可以抛光底涂层的表面以调节表面粗糙度。抛光方法的实例包括摩擦抛光(buffing polishing)、喷砂处理、湿式珩磨和研磨处理。
底涂层的形成方法
用于形成底涂层的技术没有特别限制，并能使用任何已知的技术。例如，形成通过将上述组分添加到溶剂中而获得的用于形成底涂层的涂布液的涂膜。然后，将形成的涂膜干燥，并且必要时加热。
制备用于形成底涂层的涂布液的溶剂的实例包括已知的有机溶剂，例如醇溶剂、芳族烃溶剂、卤代烃溶剂、酮溶剂、酮醇溶剂、醚溶剂和酯溶剂。
这些溶剂的具体实例包括常用的有机溶剂如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。
当制备用于形成底涂层的涂布液时分散金属氧化物颗粒的方法的实例包括使用辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、胶体磨或涂料搅拌器等等。
将用于形成底涂层的涂布液施涂到导电基材上的方法的实例包括常用的方法，例如刮涂法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和幕涂法。
底涂层的膜厚例如优选设定为15μm以上，更优选为15μm至50μm，进一步优选为15μm至30μm，特别优选为20μm至25μm。
中间层
虽然未示出，但是可以在底涂层和感光层之间进一步设置中间层。
中间层例如是含有树脂的层。用于中间层的树脂的实例包括聚合物化合物如缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酰系树脂、丙烯酰系树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅氧烷树脂、硅氧烷-醇酸树脂、酚醛树脂和三聚氰胺树脂。
中间层可以是含有有机金属化合物的层。用于中间层的有机金属化合物的实例包括含有金属原子如锆、钛、铝、锰和硅的那些。
用于中间层的这些化合物可以单独使用或作为多种化合物的混合物或缩聚物使用。
在这些材料中，中间层优选为含有包含锆原子或硅原子的有机金属化合物的层。
用于形成中间层的技术没有特别限制，并能使用已知的方法。例如，形成通过将上述组分添加到溶剂中而获得的用于形成中间层的涂布液的涂膜。然后，将形成的涂膜干燥，并且必要时加热。
作为用于形成中间层的涂布方法，可以使用诸如浸涂法、挤出涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮刀涂布法、气刀涂布法和幕涂法等常见方法。
中间层的膜厚优选设定为例如0.1μm至3μm。中间层可以用作底涂层。
电荷产生层
电荷产生层是包括例如电荷产生材料和粘合剂树脂的层。此外，电荷产生层可以是电荷产生材料的气相沉积层。电荷产生材料的气相沉积层适合于使用诸如发光二极管(LED)或有机电致发光(EL)图像阵列的非相干光源的情况。
电荷产生材料的实例包括偶氮颜料如双偶氮和三偶氮颜料，稠合芳族颜料如二溴蒽嵌蒽醌；苝颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；和三方硒。
其中，为了与近红外区域中的激光曝光相容，优选使用金属酞菁颜料或无金属酞菁颜料作为电荷产生材料。具体地，例如，羟基镓酞菁；氯镓酞菁；二氯锡酞菁；更优选钛氧基酞菁。
为了与近紫外区域中的激光曝光兼容，优选以稠合芳族颜料如二溴蒽嵌蒽醌、硫靛颜料、四氮杂卟啉化合物、氧化锌、三方硒、双偶氮颜料作为电荷产生材料。
即使在使用诸如有机EL图像阵列或具有在450nm至780nm范围内的发光中心波长的LED的非相干光源的情况下，也可以使用电荷产生材料。然而，从分辨率的角度来看，当感光层设计为具有等于或小于20μm的厚度的薄膜时，感光层中的电场强度增加，并且从导电基材的电荷注入获得的带电减少，从而容易产生称为所谓的黑点(black spot)的图像缺陷。当使用在p型半导体中容易产生暗电流的电荷产生材料例如三方硒或酞菁颜料时，这种现象变得显著。
相反，当使用诸如稠合芳族颜料、苝颜料和偶氮颜料的n型半导体作为电荷产生材料时，即使在光电导层是薄膜形式的情况下，也几乎不发生暗电流，并能防止称为黑点的图像缺陷。
此外，材料是否为n型是由通常使用的飞行时间方法中流动的光电流的极性所决定的，并且其中是电子而不是空穴容易作为载流子流动的材料被鉴别为n型。
用于电荷产生层的粘合剂树脂可以选自各种各样的绝缘树脂。此外，粘合剂树脂可以选自有机光导电聚合物，例如聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘和聚硅烷。
电荷产生层中的粘合剂树脂的实例包括聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚芳酯树脂(双酚和二价芳族二羧酸的缩聚物等)、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧基树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺树脂、丙烯酰系树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯吡啶树脂、纤维素树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、酪蛋白、聚乙烯醇树脂和聚乙烯吡咯烷酮树脂。术语“绝缘”在本文中是指具有等于或大于1013Ωcm的体积电阻率。
粘合剂树脂可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
此外，电荷产生材料与粘合剂树脂的混合比优选在10:1至1:10的范围内，以重量比计。
电荷产生层可以包括其它已知的添加剂。
用于形成电荷产生层的技术没有特别限制，并能使用已知的形成方法。例如，电荷产生层的形成通过形成用于形成电荷产生层的涂布液的涂膜来进行，其中将组分加入到溶剂中，并干燥涂膜，随后根据需要进行加热。此外，电荷产生层的形成可以通过电荷产生材料的气相沉积来进行。通过气相沉积形成电荷产生层特别适合于使用稠合芳族颜料或二萘嵌苯颜料作为电荷产生材料的情况。
用于制备电荷产生层形成用涂布液的溶剂的实例包括甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。这些溶剂可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
对于在用于形成电荷产生层的涂布液中分散颗粒(例如，电荷产生材料)的方法，可以使用介质分散机，例如球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机和卧式砂磨机，或者使用无介质分散器如搅拌器、超声波分散器、辊磨机和高压均化器。高压均化器的实例包括：碰撞型均化器，其中通过使分散体在高压状态下进行液-液碰撞或液-壁碰撞来进行分散；和渗透型均化器，其中通过使得分散体在高压状态下渗透细小通道来进行分散。
顺便提及，在分散期间，有效的是将用于形成电荷产生层的涂布液中的电荷产生材料的平均粒径调整为等于或小于0.5μm，优选等于或小于0.3μm，以及更优选等于或小于0.15μm。
使用用于产生电荷产生层的涂布液来涂覆底涂层(或中间层)的方法的实例包括常用的方法，例如刮刀涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和幕涂法。
电荷产生层的膜厚度例如优选设定为0.1μm至5.0μm，更优选设定为0.2μm至2.0μm。
电荷传输层
电荷输送层例如是含有电荷输送材料和粘合剂树脂的层。电荷输送层可以是含有电荷输送性聚合物材料的层。
电荷输送材料的实例包括电子输送化合物，其包括例如醌化合物如对苯醌、氯醌、溴醌和蒽醌；四氰基醌二甲烷化合物；芴酮化合物如2,4,7-三硝基芴酮；呫吨酮化合物；二苯甲酮化合物；氰基乙烯基化合物；和乙烯化合物。电荷输送材料的实例还包括空穴输送材料，例如三芳基胺化合物、联苯胺化合物、芳基烷烃化合物、芳基取代的乙烯化合物、芪化合物、蒽化合物和腙化合物。电荷输送材料可以单独使用或者两种以上组合使用，但不限于此。
从电荷迁移率的角度来看，由下式(a-1)表示的三芳基胺衍生物和由下式(a-2)表示的联苯胺衍生物优选作为电荷输送材料。
在式(a-1)中，ArT1、ArT2和ArT3各自独立地表示取代或未取代的芳基、-C6H4-C(RT4)＝C(RT5)(RT6)或-C6H4-CH＝CH-CH＝C(RT7)(RT8)。RT4、RT5、RT6、RT7和RT8各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基。
作为各基团的取代基，可例举出卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基和具有1至5个碳原子的烷氧基。作为各基团的取代基，还可例举出被具有1至3个碳原子的烷基取代的取代氨基。
在式(a-2)中，RT91和RT92各自独立地表示氢原子、卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基或具有1至5个碳原子的烷氧基。RT101、RT102、RT111和RT112各自独立地表示卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、被具有1至2个碳原子的烷基取代的氨基、取代或未取代的芳基、-C(RT12)＝C(RT13)(RT14)或-CH＝CH-CH＝C(RT15)(RT16)-C。RT12、RT13、RT14、RT15和RT16各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基。Tm1、Tm2、Tn1和Tn2各自独立地表示0至2的整数。
作为各基团的取代基，可例举出卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基和具有1至5个碳原子的烷氧基。作为各基团的取代基，还可例举出被具有1至3个碳原子的烷基取代的取代氨基。
这里，在由式(a-1)表示的三芳基胺衍生物和由式(a-2)表示的联苯胺衍生物中，从电荷迁移率的角度来看特别优选具有“-C6H4-CH＝CH-CH＝C(RT7)(RT8)”的三芳基胺衍生物和具有“-CH＝CH-CH＝C(RT15)(RT16)”的联苯胺衍生物。
从电荷迁移率的角度来看，电荷输送材料的实例优选包括由下式(CT1)表示的丁二烯电荷输送材料(CT1)。
在式(CT1)中，RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16各自独立地表示氢原子、卤素原子、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基或具有6至30个碳原子的芳基，并且两个相邻的取代基可以彼此结合以形成烃环结构。
cm和cn各自独立地表示0、1或2。
在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的卤素原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。其中，作为卤素原子，优选氟原子和氯原子，更优选氯原子。
在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的烷基的实例包括具有1至20个碳原子的直链或支链烷基(优选具有1至6个碳原子，更优选具有1至4个碳原子)。
直链烷基的具体实例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十一烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基和正二十烷基。
支链烷基的具体实例包括异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基、叔癸基、异十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、新十一烷基、异十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、新十二烷基、异十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、新十三烷基、异十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、新十四烷基、1-异丁基-4-乙基辛基、异十五烷基、仲十五烷基、叔十五烷基、新十五烷基、异十六烷基、仲十六烷基、叔十六烷基、新十六烷基、1-甲基十五烷基、异十七烷基、仲十七烷基、叔十七烷基、新十七烷基、异十八烷基、仲十八烷基、叔十八烷基、新十八烷基、异十九烷基、仲十九烷基、叔十九烷基、新十九烷基、1-甲基辛基、异二十烷基、仲二十烷基、叔二十烷基和新二十烷基。
其中，作为烷基，优选甲基、乙基、异丙基等低级烷基。
在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的烷氧基的实例包括具有1至20个碳原子(优选具有1至6个碳原子，更优选具有1至4个碳原子)。
直链烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基正十一烷氧基、正十一烷氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基和正二十烷氧基。
支链烷氧基的具体实例包括异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基、异十一烷氧基、仲十一烷氧基、叔十一烷氧基、新十一烷氧基、异十二烷氧基、仲十二烷氧基、叔十二烷氧基、新十二烷氧基、异十三烷氧基、仲十三烷氧基、叔十三烷氧基、新十三烷氧基、异十四烷氧基、仲十四烷氧基、叔十四烷氧基、新十四烷氧基、1-异丁基-4-乙基辛氧基、异十五烷氧基、仲十五烷氧基、叔十五烷氧基、新十五烷氧基、异十六烷氧基、仲十六烷氧基、叔十六烷氧基、新十六烷氧基、1-甲基十五烷氧基、异十七烷氧基、仲十七烷氧基、叔十七烷氧基、新十七烷氧基、异十八烷氧基、仲十八烷氧基、叔十八烷氧基、新十八烷氧基、异十九烷氧基、仲十九烷氧基、叔十九烷氧基、新十九烷氧基、1-甲基辛氧基、异二十烷氧基、仲二十烷氧基、叔二十烷氧基和新二十烷氧基。
其中，作为烷氧基，优选甲氧基。
在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的芳基的实例包括具有6至30个碳原子的芳基(优选具有6至20个碳原子，更优选具有6至16个碳原子)。
芳基的具体实例包括苯基、萘基、菲基和联苯基。
其中，优选苯基和萘基作为芳基。
此外，在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15、和RC16表示的各个取代基还包括进一步具有取代基的基团。取代基的实例包括上面例举的原子和基团(例如，卤素原子、烷基、烷氧基和芳基)。
在式(CT1)中，其中RC11、RC12、RC13、RC14、RC15、和RC16中的两个基团(例如，RC11和RC12、RC13和RC14以及RC15和RC16)彼此连接的烃环结构中连接取代基的基团的实例包括单键、2,2'-亚甲基、2,2'-亚乙基和2,2'-亚乙烯基，其中，优选单键和2,2'-亚甲基。
这里，烃环结构的具体实例包括环烷烃结构、环烯烃结构和环烷烃多烯结构。
在式(CT1)中，cm和cn优选为1。
在式(CT1)中，从形成具有高电荷输送性的感光层(电荷输送层)的角度来看，优选RC11、RC12、RC13、RC14、RC15、和RC16各自表示氢原子，具有1至20个碳原子的烷氧基或具有1至20个碳原子的烷氧基，cm和cn各自表示1或2，并且更优选RC11、RC12、RC13、RC14、RC15、和RC16各自表示氢原子，cm和cn各自表示1。
也就是说，更优选丁二烯电荷输送材料(CT1)是由下式(CT1A)表示的电荷输送材料(示例性化合物(CT1-3))。
丁二烯电荷输送材料(CT1)的具体实例如下所示，但不限于此。
此外，示例性化合物中的缩写符号表示以下含义。此外，取代基前的数字表示相对于苯环的取代位置。
·-CH3：甲基
·-OCH3：甲氧基
丁二烯电荷输送材料(CT1)可以单独使用，也可以两种以上组合使用。
作为电荷传输材料，从电荷迁移率的角度来看，优选由下式(CT2)表示的联苯胺电荷传输材料(CT2)。
从电荷迁移率的角度来看，优选组合使用丁二烯电荷输送材料(CT1)和联苯胺电荷输送材料(CT2)。
在式(CT2)中，RC21、RC22和RC23各自独立地表示氢原子、卤素原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有1至10个碳原子的烷氧基或具有6至10个碳原子芳基。
在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的卤素原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。其中，作为卤素原子，优选氟原子和氯原子，更优选氯原子。
在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的烷基的实例包括具有1至10个碳原子的直链或支链烷基(优选具有1至6个碳原子，更优选具有1至4个碳原子)。
直链烷基的具体实例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
支链烷基的具体实例包括异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基和叔癸基。
其中，作为烷基，优选甲基、乙基、异丙基等低级烷基。
在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的烷氧基的实例包括具有1至10个碳原子的直链或支链烷氧基(优选具有1至6个碳原子，更优选具有1至4个碳原子)。
直链烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基和正癸氧基。
支链烷基的具体实例包括异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基和叔癸氧基。
其中，作为烷氧基，优选甲氧基。
在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的芳基的实例包括具有6至10个碳原子的芳基(优选具有6至9个碳原子，更优选具有6至8个碳原子)。
芳基的具体实例包括苯基和萘基。
其中，优选苯基作为芳基。
此外，在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的各取代基还包括进一步具有取代基的基团。取代基的实例包括上面例举的原子和基团(例如，卤素原子、烷基、烷氧基和芳基)。
在式(CT2)中，特别是从形成具有高电荷输送性的感光层(电荷输送层)(用于感光体的高感光度)的角度来看，优选RC21、RC22和RC23各自独立地表示氢原子或具有1至10个碳原子的烷基，更优选RC22和RC23表示氢原子，RC22表示具有1至10个碳原子的烷基(特别是甲基)。
具体地，特别优选联苯胺电荷输送材料(CT2)是由下式(CT2A)表示的电荷输送材料(示例性化合物(CT2-2))。
联苯胺电荷输送材料(CT2)的具体实例如下所示，但不限于此。
此外，示例性化合物中的缩写符号表示以下含义。此外，取代基前的数字表示相对于苯环的取代位置。
·-CH3：甲基
·-C2H5：乙基
·-OCH3：甲氧基
·-OC2H5：乙氧基
联苯胺电荷输送材料(CT2)可以单独使用或以其两种以上组合使用。
作为电荷输送性聚合物材料，使用具有电荷输送性的已知材料，例如聚-N-乙烯基咔唑和聚硅烷。特别地，特别优选聚酯电荷输送性聚合物材料。电荷输送性聚合物材料可以单独使用，或者可以与粘合剂树脂一起使用。
用于电荷输送层的粘合剂树脂的实例包括聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、甲基丙烯酰系树脂、丙烯酰系树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、硅氧烷树脂、硅氧烷-醇酸树脂、酚醛树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑和聚硅烷。其中，聚碳酸酯树脂或聚芳酯树脂适合作为粘合剂树脂。这些粘合剂树脂可以单独使用或两种以上组合使用。
此外，电荷输送材料与粘合剂树脂的混合比优选为10:1至1:5(重量比)。
电荷输送层可以含有其它已知的添加剂。
用于形成电荷输送层的技术没有特别限制，并能使用已知的形成方法。例如，电荷输送层的形成通过形成用于形成电荷输送层的涂布液的涂膜来进行，所述涂布液通过将组分添加到溶剂中制备，然后干燥涂膜，随后根据需要加热。
用于制备电荷输送层形成用涂布液的溶剂的实例是常见的有机溶剂，包括例如芳族烃如苯、甲苯、二甲苯和氯苯；酮类如丙酮和2-丁酮；卤代脂族烃，如二氯甲烷、氯仿和二氯乙烷；和环状或直链醚如四氢呋喃和***。这些溶剂可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
用于将用于形成电荷输送层的涂布液涂布电荷产生层的涂布方法的实例包括常用的方法，例如刮涂法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和幕涂法。
电荷输送层的膜厚例如设定在优选5μm至50μm，更优选10μm至30μm。
保护层
根据需要在感光层上提供保护层。保护层例如为了防止充电时的感光层的化学变化，进一步提高感光层的机械强度而设置。
因此，作为保护层，可以涂覆由固化膜(交联膜)形成的层。该层的实例包括下面1)和2)中所述的层。
1)由在同一分子中包含具有反应性基团和电荷输送性骨架的含反应性基团的电荷输送材料的组合物的固化膜形成的层(即，包含聚合物或含反应性基团的电荷输送材料的交联产物的层)。
2)由包含非反应性电荷输送材料和含反应性基团的非电荷输送材料(其不具有电荷输送性骨架但具有反应性基团)的组合物的固化膜形成的层(即，包含聚合物或非反应性电荷输送材料和含反应性基团的非电荷输送材料的交联产物)。
含反应性基团的电荷输送材料的反应性基团的实例包括已知的反应性基团，例如链可聚合基团、环氧基、-OH、-OR[其中R表示烷基]、-NH2、-SH、-COOH和-SiRQ1 3-Qn(ORQ2)Qn[其中RQ1表示氢原子、烷基或取代或未取代的芳基，RQ2表示氢原子、烷基或三烷基甲硅烷基，Qn表示1至3的整数]。
链聚合性基团没有特别限制，只要其是可自由基聚合的官能团即可。例如，它是具有至少一个含有碳-碳双键的基团的官能团。其具体实例包括含有选自乙烯基、乙烯基醚基、乙烯基硫醚基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物中的至少一种的基团。其中，从其优异的反应性的角度出发，优选含有选自乙烯基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物中的至少一种的基团作为链状聚合性基团。
含反应性基团的电荷输送材料的电荷输送性骨架没有特别限制，只要其是用于电子照相感光体的已知结构即可。其实例包括其中结构与氮原子共轭的衍生自含氮空穴传输化合物如三芳基胺化合物、联苯胺化合物和腙化合物的骨架。其中，优选三芳胺骨架。
具有反应性基团和电荷输送性骨架的含反应性基团的电荷输送材料，非反应性电荷输送材料和含反应性基团的非电荷输送材料可以选自已知材料。
保护层还可以包括其它已知的添加剂。
用于形成保护层的技术没有特别限制，并且使用已知的方法。例如，通过从用于形成保护层的涂布液形成涂膜来进行形成，所述涂布液通过将组分添加到溶剂中而制备，并且根据需要干燥涂膜，然后根据需要进行固化处理如加热。
用于制备保护层形成用涂布液的溶剂的实例包括芳族溶剂如甲苯和二甲苯；酮溶剂如甲基乙基酮、甲基异丁基酮和环己酮；酯溶剂如乙酸乙酯和乙酸丁酯；醚溶剂如四氢呋喃和二噁烷；溶纤剂溶剂如乙二醇单甲醚；和醇溶剂如异丙醇和丁醇。这些溶剂可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
此外，保护层形成用涂布液可以是无溶剂涂布液。
用于将用于形成保护层的涂布液涂布感光层(例如，电荷输送层)的涂布方法的实例包括常规方法，例如浸涂法、提升涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮刀涂布法、气刀涂布法和幕涂法。
保护层的膜厚例如优选设定为1μm至20μm，更优选设定为2μm至10μm。
单层型感光层
单层型感光层(电荷产生/电荷传输层)是包含例如电荷产生材料、电荷传输材料，以及必要时包含粘合剂树脂和其它公知的添加剂的层。这些材料类似于对于电荷产生层和电荷传输层所描述的材料。
单层型感光层中的电荷产生材料的含量相对于总固体含量可以为10重量％至85重量％。电荷产生材料的含量优选为20重量％至50重量％。单层型感光层中的电荷输送材料的含量相对于总固体含量可以为5重量％至50重量％。
单层型感光层的形成方法类似于电荷产生层或电荷输送层的形成方法。
单层型感光层的膜厚度可以为例如5μm至50μm。单层型感光层的膜厚优选为10μm至40μm。
充电装置
充电装置(充电单元的示例)15对感光体7的表面充电。充电装置15被配置为包括例如电源(用于充电部件的电压施加单元的示例)28，其向充电部件14施加充电电势以对感光体7的表面充电。电源28电连接到充电部件14。
充电装置15的充电部件14例如以与感光体7的表面接触或非接触的方式设置。充电部件14的示例包括使用导电性充电辊、充电刷、充电膜、充电橡胶刮刀、充电管等的接触型充电器。此外，例如，还可举出已知的充电器，例如非接触充电型的辊充电器、栅格电晕管充电器或使用电晕放电的电晕充电器。
充电装置(包括电源28)15与例如设置在图像形成设备10中的控制装置36电连接。充电装置15通过控制装置36的控制来驱动，以便向充电部件14施加充电电压。已经从电源28施加了充电电压的充电部件14对感光体7充电，以便具有取决于所施加的充电电压的充电电势。因此，调节从电源28施加的充电电压使得感光体7被充电以具有各种充电电势。
静电潜像形成装置
静电潜像形成装置(曝光装置)(静电潜像形成单元的一个实例)16在感光体7的经充电表面上形成静电潜像。
具体地，例如，静电潜像形成装置16与设置在图像形成设备10中的控制装置36电连接。静电潜像形成装置16通过控制装置36的控制进行驱动，以使已经由充电部件14充电的感光体7的表面曝光。对已基于要形成的图像的图像信息调制的光L进行曝光。静电潜像形成装置16在感光体7上形成与图像信息的图像相对应的静电潜像。感光体的曝光表面根据静电潜像形成装置的曝光光强度具有曝光后电势。
静电潜像形成装置16的示例包括以成像方式执行对诸如半导体激光、发光二极管(LED)光、液晶快门光等光进行曝光的曝光装置，例如光学仪器。光源的波长可以处在电子照相感光体7的光谱灵敏度区域中。对于半导体激光的波长，例如，可以使用具有在780nm附近的发射波长的近红外线。然而，光源的波长不限于该波长。也可以使用波长在600nm的波长的激光或具有400nm至450nm的波长的蓝色激光。作为静电潜像形成装置16，例如，可以输出多束光的表面发光型激光光源也可用于彩色图像形成。
显影装置
显影装置18例如设置在感光体7的旋转方向上的由静电潜像形成装置16施加的光L的施加位置的下游侧。收集显影剂的收集单元设置在显影装置18中。
收集在显影装置18中的显影剂可以是由单独的色调剂构成的单组分显影剂，或者包括色调剂和载体的双组分显影剂。显影剂可以是磁性的或非磁性的。
显影装置18被构造成包括例如显影部件18A和电源(用于显影部件的电压施加单元的示例)32。显影部件18A通过使用包含色调剂的显影剂将形成在显影部件18A的表面上的静电潜像显影。电源32将显影电压施加到显影部件18A。显影构件18A例如电连接到电源32。
显影装置18的显影部件18A可以根据显影剂的类型来选择。显影部件18A的示例包括具有其中设置有磁体的显影套筒的显影辊。
显影装置(包括电源32)18例如与设置在图像形成设备10中的控制装置36电连接。显影装置18通过控制装置36的控制来驱动，以便将显影电压施加到显影部件18A。已经从电源32施加了显影电压的显影部件18A被充电，以便具有取决于所施加的显影电压的显影电势。
被充电以具有显影电势的显影部件18A将收集在例如显影装置18中的显影剂保持在显影部件18A的表面上。显影部件18A将显影剂中包含的色调剂从显影装置18供给到感光体7的表面。
供应到感光体7上的色调剂通过静电力粘附到例如感光体7上的静电潜像。具体地，例如，感光体7和显影部件18A彼此面对的区域中的电势差，即，在该区域中感光体7的表面的电势和显影部件的显影电势之间的电势差使得包含在显影剂中的色调剂被供给到已经形成静电潜像的感光体7。在显影剂包含载体的情况下，载体以保持在显影部件18A中的状态下被带回到显影装置18中。
因此，例如，感光体7上的静电潜像由从显影部件18A供给的色调剂进行显影。因此，在感光体7上形成与静电潜像对应的色调剂图像。
转印装置
转印装置(转印单元的示例)31例如设置在感光体7的旋转方向上的显影部件18A的位置的下游侧。
转印装置31被构造成包括例如转印部件20和电源(用于转印部件的电压施加单元的示例)30。转印部件20将形成在感光体7的表面上的色调剂图像转印到纸(记录介质的实例)P上。电源30向转印部件20施加转印电压。转印部件20例如是柱状的。转印部件20沿箭头C所示的方向旋转，并且传送介于转印部件20和感光体7之间的纸张P。例如，转印部件20电连接到电源30。
转印装置31中的转印部件20的实例包括使用带、辊、膜、橡胶刮片等的接触型转印充电器，以及已知的非接触型转印充电器，例如栅格电晕管转印充电器和电晕管转印充电器，其均采用电晕放电。
例如，转印装置(包括电源30)31与设置在图像形成设备10中的控制装置36电连接。转印装置31通过控制装置36的控制而驱动，以便向转印部件20施加转印电压。从电源32向其施加转印电压的转印部件20被充电，以具有取决于施加的转印电压的转印电势。
如果具有与构成形成在感光体7上的色调剂图像的色调剂的极性相反的极性的转印电压从转印部件20的电源30施加到转印部件20，则例如在感光体7和转印部件20彼此面对的区域(在图1中，参见转印区域T)形成电场。形成的电场具有与构成感光体7上的色调剂图像的色调剂通过静电力从感光体7移动到转印构件20侧的强度一样强的电场强度。
纸张(记录介质的示例)P例如存储在省略了图示的存储单元中。纸张P由多个省略图示的传送部件从传送路径34上的存储单元传送。然后，纸张P到达作为感光体7和转印部件20彼此面对的区域的转印区域T。在图1所示的实例中，例如，通过向转印部件20施加转印电压而在该区域中形成的转印电场使得感光体7上的色调剂图像转印到纸张P上。即，例如，色调剂从感光体7的表面移动到纸张P，从而色调剂图像被转印到纸张P上。
感光体7上的色调剂图像通过转印电场转印到纸张P上。基于转印电流值控制转印电场的强度。
这里，“转印电流值”表示当色调剂图像从感光体转印到记录介质时从转印单元流入感光体的转印电流的电流值。
从防止转印不良和防止产生雾痕的角度出发，转印电流值优选为50μA至200μA，更优选为75μA至150μA。
再充电装置
再充电装置(再充电单元的示例)40在色调剂图像被直接转印到记录介质的表面上之后对电子照相感光体进行充电。再充电装置40被构造成包括例如用于向再充电部件40A施加充电电势的电源(未示出)。电源(未示出)例如电连接到再充电部件40A。
再充电装置40的再充电部件40A被设置为不与感光体7的表面接触。再充电部件40A的实例包括已知的充电器，例如非接触充电型的辊充电器、使用电晕放电的栅格电晕管充电器或电晕充电器。
再充电装置40例如与设置在图像形成设备10中的控制装置36电连接。再充电装置40通过控制装置36的控制来驱动，以向再充电部件40A施加充电电压。要施加的电压可以是DC电压。在色调剂图像被转印到纸张P上之后，从电源(未示出)向其施加充电电压的再充电部件40A对感光体7的表面充电，以具有取决于施加的充电电压的充电电势。
再充电装置40被充电以具有与充电装置15相同的极性。例如，再充电装置40对感光体7充电，从而由转印装置31累积在感光体7中的电荷被抵消。再充电装置40对感光体7进行充电，因此容易控制残留在感光体7的表面上的残留色调剂的带电。因此，残留色调剂容易被例如清洁装置22回收。
清洁装置
清洁装置(清洁单元的示例)22设置在感光体7的旋转方向上的转印区域T的下游侧。
在色调剂图像被转印到纸张P之后，清洁装置22去除附着到感光体7的物质(即，清洁装置22进行感光体7的表面的清洁)。
清洁装置22除去感光体7上的诸如残留色调剂或纸粉的粘附物质。清洁装置22可以具有例如以下构造：其中提供了在预定线性压力下与感光体7接触的清洁刮板22A。清洁刮板22A可以例如在10g/cm至150g/cm的线性压力下与感光体7接触。
擦除装置
擦除装置(擦除单元的一个实例)24设置在例如感光体7的旋转方向的清洁装置22的下游侧。
在转印色调剂图像之后，擦除装置24使感光体7的表面曝光以进行擦除。
具体地，例如，擦除装置24与设置在图像形成设备10中的控制装置36电连接。擦除装置24通过控制装置36的控制进行驱动，从而使感光体7表面整体(具体地，例如，成像区域的整个表面)曝光，以进行擦除。
擦除装置24的示例包括包括诸如用于照射白光的钨灯的光源的装置和用于照射红光的发光二极管(LED)的装置。
定影装置
定影装置(定影单元的示例)26例如设置在纸张P的输送路径34上，在纸张P的输送方向上位于转印区域T的下游侧。
定影装置26使转印到例如纸张P上的色调剂图像定影。
具体地，例如，定影装置26电连接到设置在图像形成设备10中的控制装置36。定影装置26通过控制装置36的控制来驱动，以便将转印到纸张上的色调剂图像P通过加热或通过加热并加压而施加到纸张P上。
定影装置26的实例包括已知的定影机，例如热辊定影机和烘箱定影机。图1示出了加热辊定影机，其包括加热辊26A和设置为面对加热辊26A的加压辊26B。
这里，已经通过在传送路径34上传送并通过感光体7和转印部件20彼此面对的区域(转印区域T)转印了色调剂图像的纸张P到达通过传送部件(省略图示)沿着传送路径34移动定影装置26的安装位置。因此，纸张P上的色调剂图像被定影。
其上通过定影色调剂图像形成图像的纸张P通过多个传送部件(将省略图示)排出到图像形成设备10的外部。
在由擦除装置24擦除之后，感光体7通过充电装置15再次充电。
控制装置
控制装置36构成为用于进行装置整体的控制，并进行各种运算的计算机。具体地，控制装置36包括中央处理单元(CPU)，用于在其中存储各种程序的只读存储器(ROM)，在程序执行期间用作工作区域的随机存取存储器(RAM)，非易失性用于存储各种类型的信息的存储器，以及输入和输出接口(I/O)。CPU、ROM、RAM、非易失性存储器和I/O通过总线彼此连接。图像形成设备10的各单元，例如感光体(包括驱动电机27)7、充电装置(包括电源28)15、静电潜像形成装置16、显影装置(包括电源32)18、转印装置(包括电源30)31、再充电装置(包括省略图示的电源)40、擦除装置24和定影装置26连接到I/O。
CPU执行例如存储在ROM或非易失性存储器中的程序的控制程序(例如，图像形成序列、恢复序列等)。因此，CPU控制图像形成设备10的各单元的操作。RAM用作工作存储器。例如，由CPU执行的程序，CPU的处理所需的数据等存储在ROM或非易失性存储器中。控制程序或各种类型的数据可以存储在诸如存储单元的另一存储设备中，或者可以通过通信单元从设备的外部获得。
各种驱动器可以连接到控制装置36。各种驱动器的示例包括从便携式介质读取数据或在介质中写入数据的装置。该介质是计算机可读的，并且包括软盘、磁光盘、CD-ROM、DVD-ROM和通用串行总线(USB)存储器。在提供各种驱动器的情况下，控制程序可以记录在便携式介质中，并且记录的控制程序可以由相应的驱动器读取。因此，可以执行控制程序。
图像形成操作
将描述图像形成设备10的图像形成操作。
首先，充电装置15对感光体7的表面充电。静电潜像形成装置16基于图像信息使感光体7的充电表面曝光。因此，在感光体7上形成对应于图像信息的静电潜像。在显影装置18中，通过包含色调剂的显影剂使形成在感光体7的表面上的静电潜像显影。因此，在感光体7的表面上形成色调剂图像。在转印装置31中，形成在感光体7的表面上的色调剂图像被转印到纸张P上。转印到纸张P上的色调剂图像由定影装置26定影。
再充电装置40在转印色调剂图像之后对感光体7的表面再充电。因此，累积在感光层中的相反极性的电荷被抵消。控制充电以使残留在感光体7的表面上的残留色调剂的极性匹配。清洁装置22执行清洁，以及擦除装置24执行擦除。
图1示出了包括将擦除光照射到感光体的表面上以便在转印色调剂图像之后进行充电之前进行擦除的擦除单元(作为擦除装置24)的装置。然而，根据示例性实施方式的图像形成设备不限于上述配置。
关于根据示例性实施例的图像形成设备，描述了包括充电单元的装置作为示例。充电单元在感光体7的旋转方向上设置在色调剂图像转印之后的转印单元的下游侧，并且设置在感光体7的旋转方向上的清洁单元的上游侧。然而，，根据示例性实施例的图像形成设备不限于上述构造。
关于根据示例性实施方式的图像形成设备，描述了包括再充电单元的装置作为示例。再充电单元在感光体7的旋转方向上设置在色调剂图像转印之后的转印单元的下游侧，并且设置在感光体7的旋转方向上的清洁单元的上游侧。然而，根据示例性实施方式的图像形成设备不限于上述构造。
在根据示例性实施方式的图像形成设备中，例如，包括感光体7的部分和转印装置31可以形成可从图像形成设备上拆卸的盒结构(处理盒)。例如，包括根据示例性实施方式的感光体7和转印装置31的处理盒适合用作处理盒。除了感光体7之外，处理盒可以包括例如选自由充电单元、静电潜像形成单元、显影单元和再充电单元构成的组中的至少一种。
实施例
下面将通过使用实施例来详细描述示例性实施方案。然而，示例性实施方式不限于这些示例。在下面的描述中，除非另有说明，“份”和“％”都基于重量。
表面处理的金属氧化物颗粒的制备
表面处理的金属氧化物颗粒1
将100重量份作为金属氧化物颗粒的氧化锌(产品名：MZ-300，由TaycaCorporation制造，体积平均一次颗粒直径：35nm)，5重量份的10重量％的氨基丙基三乙氧基硅烷的甲苯溶液作为硅烷偶联剂，200重量份的甲苯相混合。将混合物搅拌并回流2小时。然后，在10mmHg的减压下蒸馏除去甲苯，并将残余物在135℃进行烘烤表面处理2小时。由此，获得表面处理的金属氧化物颗粒。
表面处理的金属氧化物颗粒2～6
表面处理的金属氧化物颗粒以与表面处理的金属氧化物颗粒1类似的方式获得，不同之处在于如表1所示的金属氧化物颗粒的类型和γ-氨基丙基三乙氧基硅烷的10重量％甲苯溶液的添加量(表中的“偶联剂溶液的添加量”)。
表1
感光体的制备
感光体1
底涂层的形成
将33重量份表2所示的表面处理的金属氧化物颗粒、6重量份作为固化剂的封端异氰酸酯(产品名：SUMIDUR 3175，由Sumitomo Bayer Urethane Co.，Ltd.制造)、9重量份的表2所示的电子接受性化合物和25重量份的甲基乙基酮相互混合30分钟。然后，向其中添加5重量份丁缩醛树脂(产品名：S-LEC BM-1，由Sekisui Chemical Co.，Ltd.制造)，3重量份硅氧烷球(产品名：TOSPEARL 120，Momentive Performance Materials Inc.)和0.01重量份作为流平剂的硅油(产品名：SH29PA，由Toray Dow Corning Silicone Co.，Ltd.制造)。使用砂磨机将混合物分散1小时，从而获得用于形成底涂层的涂布液。
通过浸涂法将用于形成底涂层的涂布液涂布直径为84mm、长度为357mm、厚度为1.0mm的铝基材(导电性基材)。然后，在180℃进行干固化30分钟，从而获得厚度为20μm的底涂层。
电荷产生层的形成
将15重量份作为电荷产生材料的羟基镓酞菁颜料、10重量份作为粘合剂树脂的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂(产品名称：VMCH，由NUC Ltd.制造)和300重量份作为溶剂的正丁醇相互混合。羟基镓酞菁颜料在CuKα特征X射线的布拉格角(2θ±0.2°)的至少7.5、9.9、12.5、16.3、18.6、25.1和28.3处具有强的衍射峰。使用砂磨机将混合物分散4小时，从而获得用于形成电荷产生层的涂布液。
将所获得的用于形成电荷产生层的涂布液通过浸涂涂布到底涂层上。在100℃干燥10分钟，由此得到膜厚为0.2μm的电荷产生层。
电荷传输层的形成
将4重量份作为电荷输送材料的N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)[1,1'-联苯]-4,4'-二胺、6重量份作为粘合剂树脂的双酚Z聚碳酸酯树脂(重均分子量：40,000)加入到24重量份的四氢呋喃和5重量份的氯苯的溶剂混合物中。由此，获得用于形成电荷输送层的涂布液。
将所获得的用于形成电荷输送层的涂布液施涂到电荷产生层上。在130℃干燥40分钟，从而形成膜厚度为35μm的电荷输送层。由此，获得所需的电子照相感光体。
底涂层的静电容量的测定
将形成底涂层时得到的用于形成底涂层的涂布液通过浸涂法涂布在直径为30mm、长度为340mm的铝基材上。在180℃进行干固化30分钟，从而获得厚度为20μm的底涂层。在底涂层上形成6mm的作为面对电极的金电极。通过126096W阻抗分析仪(Solartron Corp.制造)在常温和常湿(22℃/50％RH)下进行测量。测量在0V，AC±1V的DC偏压和1至100Hz的频率范围内进行。由此，得到底涂层的每单位面积的静电电容(表中的“静电电容”)。结果示于表2。
感光体2至8和感光体C1至C2
除了如表2所示设置表面处理的金属氧化物颗粒的类型和用于形成感光体1的底涂层的电子接受性化合物的类型和添加量之外，以与感光体1类似的方式获得电子照相感光体。
使用得到的用于形成底涂层的涂布液，以与感光体1同样的方式进行测定，得到底涂层的每单位面积的静电电容(表中的“静电电容”)。表2表示结果。
评估
雾痕出现的评估
将获得的感光体安装在图像形成设备(富士施乐株式会社制造的多功能机DocuCentre f1100)中。将具有3％图像浓度的字符图横向馈送到A4尺寸的记录介质，并且在转印电流值为120μA、处理速度为400mm/sec、温度22℃和湿度50％RH的环境下连续形成5000张。然后，在一张A3延长尺寸的记录介质上形成具有3％图像浓度的字符图。目视观察A3延长尺寸的非图像部分，由此基于以下评估标准评估雾痕的出现。表2表示结果。
雾痕出现的评估标准
A：没有雾痕出现或难以识别雾痕。
B：雾痕出现的程度使得只有当仔细观察时才能识别雾痕，但雾痕的程度在允许范围内。
C：雾痕出现的程度使得可以容易且清楚地识别雾痕，并且、雾痕的程度超过允许范围。
基于上述结果，与比较例相比，在实施例中可以认识到防止了雾痕的出现。
表2中的缩写等的细节如下。
·1-2：电子接受性化合物的示例性化合物(1-2)
·1-9：电子接受性化合物的示例性化合物(1-9)
·1-14：电子接受性化合物的示例性化合物(1-14)
·1-21：电子接受性化合物的示例性化合物(1-21)
提供对本发明的实施方式的前述描述是为了说明和描述的目的。并非试图穷尽本发明所披露的精确形式或将本发明限制于所披露的精确形式。显然，许多改进和变化对于本领域技术人员是显而易见的。选择并描述所述实施方式是为了能够最好地解释本发明的原理及其实际用途，由此使得本领域的其他技术人员能够理解适用于预计的特定用途的本发明的各种实施方式和各种改进方案。本发明的范围旨在由下述权利要求及其等同物所限定。

Claims (13)

1.一种图像形成设备，包括：
电子照相感光体，其包括导电性基材、设置在导电性基材上的底涂层和设置在底涂层上的感光层，所述底涂层的每单位面积的静电电容为2×10-10F/cm2至2×10-9F/cm2；
充电单元，其对所述电子照相感光体的表面充电；
静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像；
显影单元，其通过使用包含色调剂的显影剂使形成在所述电子照相感光体表面上的静电潜像显影，以形成色调剂图像；和
直接转印型转印单元，其将色调剂图像直接转印到记录介质表面上。
2.如权利要求1所述的图像形成设备，其中所述底涂层具有5×10-10F/cm2至1×10-9F/cm2的静电电容。
3.如权利要求1所述的图像形成设备，其中所述记录介质的传送速度为400mm/s至700mm/s。
4.如权利要求1所述的图像形成设备，其中所述记录介质的传送速度为450mm/s至600mm/s。
5.如权利要求1所述的图像形成设备，其中所述底涂层含有粘合剂树脂、金属氧化物颗粒和电子接受性化合物。
6.如权利要求5所述的图像形成设备，其中所述金属氧化物颗粒包括选自氧化锡颗粒、氧化钛颗粒和氧化锌颗粒中的至少一种。
7.如权利要求5或6中任一项所述的图像形成设备，其中所述金属氧化物颗粒的体积平均一次颗粒直径为100nm以下。
8.如权利要求5所述的图像形成设备，其中所述金属氧化物颗粒用至少一种偶联剂处理。
9.如权利要求8所述的图像形成设备，其中所述偶联剂包括选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和铝偶联剂的至少一种。
10.如权利要求5所述的图像形成设备，其中所述电子接受性化合物是具有蒽醌骨架的电子接受性化合物。
11.如权利要求10所述的图像形成设备，其中所述具有蒽醌骨架的电子接受性化合物是由下式(1)表示的化合物：
其中n1和n2各自独立地表示0至3的整数，条件是n1和n2中的至少一个表示1至3的整数；m1和m2各自独立地表示0或1的整数；R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
12.如权利要求1所述的图像形成设备，其中所述底涂层的厚度为15μm至30μm。
13.如权利要求1所述的图像形成设备，其中所述底涂层的厚度为20μm至25μm。
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