CN107112203A - 玻璃基板及使用其的层叠体 - Google Patents

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Abstract

本发明的技术课题是首创适宜于支承被供于高密度布线的加工基板、且可以准确地识别生产信息等的玻璃基板及使用其的层叠体。本发明的玻璃基板为了解决该技术课题，其特征在于，整体板厚偏差低于2.0μm，且具有包含多个点的信息识别部。

Description

玻璃基板及使用其的层叠体
技术领域
本发明涉及玻璃基板及使用其的层叠体，具体而言，涉及在半导体封装的制造工序中用于支承加工基板的玻璃基板及使用其的层叠体。
背景技术
对于手机、笔记本型个人计算机、PDA(Personal Data Assistance)等便携型电子设备，要求小型化及轻量化。伴随于此，这些电子设备中使用的半导体芯片的安装空间也受到严格限制，半导体芯片的高密度的安装成为课题。于是，近年来，通过三维安装技术、即将半导体芯片彼此层叠并将各半导体芯片间进行布线连接，来谋求半导体封装的高密度安装。
此外，以往的晶圆级封装(WLP)通过以晶圆的状态形成凸块后，并通过切割进行单片化来制作。但是，以往的WLP除了难以使引脚数增加以外，还由于以半导体芯片的背面露出的状态被安装，所以存在容易产生半导体芯片的缺口等的问题。
于是，作为新的WLP，提出了fan out(扇出)型的WLP。fan out型的WLP能够使引脚数增加，此外通过保护半导体芯片的端部，能够防止半导体芯片的缺口等。
在fan out型的WLP中，具有以下工序：将多个半导体芯片以树脂的密封材料进行密封而形成加工基板后，在加工基板的一个表面进行布线的工序；形成焊料凸块的工序等。
这些工序由于伴随约200～300℃的热处理，所以密封材料发生变形，有可能加工基板发生尺寸变化。若加工基板发生尺寸变化，则相对于加工基板的一个表面以高密度进行布线变得困难，此外准确地形成焊料凸块也变得困难。进而，在加工基板内半导体芯片的比例少、而密封材料的比例多时，其倾向变得显著。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-312983号公报
发明内容
发明所要解决的课题
针对上述问题，作为支承基板使用玻璃基板是有效的。玻璃基板容易将表面平滑化，且具有刚性。因而，若使用玻璃基板，则层叠体整体的刚性提高，变得容易抑制加工基板的翘曲变形，变得能够牢固、且准确地支承加工基板。
但是，即使是作为支承基板使用玻璃基板的情况下，有时相对于加工基板的一个表面以高密度进行布线也变得困难。
此外，若在玻璃基板的表面形成(标示)二维码的信息识别部(标记)，则能够将玻璃基板的生产信息等进行管理、认识。该信息识别部一般形成于玻璃基板的周缘区域中，作为文字、符号等，通过人类的眼睛等被认识。进而，还认为玻璃基板的信息识别部通过CCD相机等光学元件而被自动识别。这种情况下，对于信息识别部，要求即使是自动化工序也能够准确地识别。
作为形成信息识别部的方法，例如在专利文献1中公开了包含以下工序的方法：在被标示材料的表面形成膜或附着物的第一工序；和在对形成有膜或附着物的部分照射激光光线，膜或附着物从被标示材料上被除去的过程中，在被标示材料的表面形成凹凸的第二工序。然而，在专利文献1中记载的方法中，由于在玻璃基板的表面形成凹凸，所以无法将加工基板以高精度进行支承，相对于加工基板的一个表面以高密度进行布线变得困难。
本发明鉴于上述情况而进行，其技术课题是首创适宜于支承被供于高密度布线的加工基板、且可以准确地识别生产信息等的玻璃基板及使用其的层叠体。
用于解决课题的方案
本发明人反复进行了各种实验，结果发现，通过降低玻璃基板的整体板厚偏差，进而形成特定的信息识别部，可以解决上述技术课题，并作为本发明而提出。即，本发明的玻璃基板的特征在于，整体板厚偏差低于2.0μm，且具有包含多个点的信息识别部。其中，“整体板厚偏差”是玻璃基板整体的最大板厚与最小板厚的差，例如可以通过KobelcoResearch Institute制的SBW-331ML/d而测定。
本发明的玻璃基板的整体板厚偏差低于2.0μm。若将整体板厚偏差减小至低于2.0μm，则变得容易提高加工处理的精度。特别是由于能够提高布线精度，所以高密度的布线成为可能。此外，玻璃基板的面内强度提高，玻璃基板及层叠体变得不易破损。进而，能够增加玻璃基板的再利用次数(耐用数)。
本发明的玻璃基板具有包含多个点的信息识别部。这样的话，在半导体封装的制造工序中，通过CCD相机等光学元件，能够自动、且准确地识别玻璃基板的生产信息等。
第二，本发明的玻璃基板优选点是通过利用激光照射的热冲击而形成的。这样的话，能够在不对玻璃基板的整体板厚偏差造成不良影响的情况下，简便地形成微小的点。
第三，本发明的玻璃基板优选点通过从内部朝向表层延伸的裂纹而形成。这样的话，能够在不对玻璃基板的整体板厚偏差造成不良影响的情况下，简便地形成微小的点。
第四，本发明的玻璃基板优选相邻的点的中心间隔为100μm以下。这样的话，能够在窄的区域中刻印大量的信息。
第五，本发明的玻璃基板优选点的直径为0.5～10μm。这样的话，能够在窄的区域中刻印大量的信息。
第六，本发明的玻璃基板优选在信息识别部中输入有玻璃基板的制造公司名、玻璃基板的材质、玻璃基板的热膨胀系数、玻璃基板的外径、玻璃基板的板厚、玻璃基板的整体板厚偏差、玻璃基板的生产日期、玻璃基板的出库日期、玻璃基板的序列号(个体识别编号)中的一种或两种以上的信息。
第七，本发明的玻璃基板优选翘曲量为60μm以下。其中，“翘曲量”是指玻璃基板整体中的最高位点与最小二乘焦点面之间的最大距离的绝对值和最低位点与最小二乘焦点面之间的最大距离的绝对值的合计，例如可以通过Kobelco Research Institute制的SBW-331ML/d而测定。
第八，本发明的玻璃基板优选表面的全部或一部分为研磨面。
第九，本发明的玻璃基板优选通过溢流下拉法成形而成、即在玻璃内部具有成形合流面。
第十，本发明的玻璃基板优选外形为晶圆形状。
第十一，本发明的玻璃基板优选在半导体封装的制造工序中用于支承加工基板。
第十二，本发明的层叠体优选为至少具备加工基板和用于支承加工基板的玻璃基板的层叠体，且玻璃基板为上述的玻璃基板。
第十三，本发明的层叠体优选加工基板至少具备以密封材料密封而成的半导体芯片。
第十四，本发明的玻璃基板的制造方法的特征在于，其具有以下工序：(1)将玻璃原板切断而得到玻璃基板的工序；(2)按照玻璃基板的整体板厚偏差变得低于2.0μm的方式，将玻璃基板的表面进行研磨的工序；和(3)通过利用激光照射的热冲击，形成从玻璃基板的内部朝向表层延伸的裂纹，由此形成由多个点构成的信息识别部的工序。
附图说明
图1是表示本发明的层叠体的一个例子的概念立体图。
图2A是表示fan out型的WLP的制造工序的一部分的概念截面图。
图2B是表示fan out型的WLP的制造工序的一部分的概念截面图。
图2C是表示fan out型的WLP的制造工序的一部分的概念截面图。
图2D是表示fan out型的WLP的制造工序的一部分的概念截面图。
图2E是表示fan out型的WLP的制造工序的一部分的概念截面图。
图2F是表示fan out型的WLP的制造工序的一部分的概念截面图。
图2G是表示fan out型的WLP的制造工序的一部分的概念截面图。
图3是表示[实施例1]所述的玻璃基板的信息识别部的显微镜照片。
具体实施方式
在本发明的玻璃基板中，整体板厚偏差优选低于2μm、1.5μm以下、1μm以下、低于1μm、0.8μm以下、0.1～0.9μm、特别是0.2～0.7μm。整体板厚偏差越小，变得越容易提高加工处理的精度。特别是由于能够提高布线精度，所以高密度的布线成为可能。此外，玻璃基板的强度提高，玻璃基板及层叠体变得不易破损。进而能够增加玻璃基板的再利用次数(耐用数)。
本发明的玻璃基板优选具有包含多个点的信息识别部，点是通过利用激光照射的热冲击而形成的。作为激光器，能够使用各种激光器，例如是能够使用YAG激光器、半导体激光器、CO2激光器等。特别是作为激光器，从形成微小的点的观点出发，优选使用波长为300～400nm的半导体激光器。此外，激光器输出功率优选为30～75mW。这样的话，变得不易产生玻璃基板的破损、将点间连结的裂纹。
在本发明的玻璃基板中，点优选通过从内部朝向表层延伸的裂纹而形成。裂纹深度优选为1～70μm、5～50μm、10～40μm、特别是20～40μm。这样的话，变得不易产生玻璃基板的破损、将点间连结的裂纹。但是，若裂纹深度过大，则玻璃基板变得容易破损。
相邻的点的中心间隔优选为100μm以下、60μm以下、50μm以下、40μm以下、特别是15～35μm。点的直径优选为0.5～10μm、特别是1～5μm。这样的话，能够在窄的区域中刻印大量的信息。但是，若相邻的点的中心间隔过小，则裂纹变得容易在点间传播。此外若点的直径过大，则裂纹变得容易在点间传播。
在本发明的玻璃基板中，优选在信息识别部中输入有生产信息，例如，从生产管理的观点出发，优选输入有玻璃基板的制造公司名、玻璃基板的材质、玻璃基板的热膨胀系数、玻璃基板的外径、玻璃基板的板厚、玻璃基板的整体板厚偏差、玻璃基板的生产日期、玻璃基板的出库日期、玻璃基板的序列号中的一种或两种以上的信息。
翘曲量优选为60μm以下、55μm以下、50μm以下、1～45μm、特别是5～40μm。翘曲量越小，越容易提高加工处理的精度。特别是由于能够提高布线精度，所以高密度的布线成为可能。进而能够增加玻璃基板的再利用次数(耐用数)。
表面的算术平均粗糙度Ra优选为10nm以下、5nm以下、2nm以下、1nm以下、特别是0.5nm以下。表面的算术平均粗糙度Ra越小，变得越容易提高加工处理的精度。特别是由于能够提高布线精度，所以高密度的布线成为可能。此外，玻璃基板的强度提高，玻璃基板及层叠体变得不易破损。进而能够增加玻璃基板的再利用次数(支承次数)。另外，“算术平均粗糙度Ra”可以通过原子间力显微镜(AFM)来测定。
本发明的玻璃基板也可以将表面的全部或一部分以未研磨的状态供于使用，但优选表面的全部或一部分为研磨面，更优选以面积比计表面的50％以上为研磨面，进一步优选表面的70％以上为研磨面，特别优选表面的90％以上为研磨面。这样的话，变得容易降低整体板厚偏差，此外翘曲量也变得容易降低。
作为研磨处理的方法，可以采用各种方法，优选如下的方法：将玻璃基板的两面用一对研磨垫夹入，一边使玻璃基板和一对研磨垫一起旋转，一边将玻璃基板进行研磨处理。进而一对研磨垫优选外径不同，优选在研磨时按照玻璃基板的一部分从研磨垫露出的方式间歇地进行研磨处理。由此，变得容易降低整体板厚偏差，此外翘曲量也变得容易降低。另外，在研磨处理中，研磨深度没有特别限定，但研磨深度优选为50μm以下、30μm以下、20μm以下、特别是10μm以下。研磨深度越小，玻璃基板的生产率越发提高。
本发明的玻璃基板优选为晶圆状(大致真圆状)，其直径优选为100mm以上且500mm以下、特别是150mm以上且450mm以下。这样的话，变得容易适用于半导体封装的制造工序。根据需要，也可以加工成除此以外的形状、例如矩形等形状。
在本发明的玻璃基板中，板厚优选低于2.0mm、1.5mm以下、1.2mm以下、1.1mm以下、1.0mm以下、特别是0.9mm以下。板厚越薄，由于层叠体的质量变得越轻，所以处理性越发提高。另一方面，若板厚过薄，则玻璃基板自身的强度降低，变得难以发挥作为支承基板的功能。因而，板厚优选为0.1mm以上、0.2mm以上、0.3mm以上、0.4mm以上、0.5mm以上、0.6mm以上、特别是超过0.7mm。
本发明的玻璃基板优选具有以下的特性。
在本发明的玻璃基板中，30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数优选为0×10-7/℃以上且165×10-7/℃以下。由此，变得容易使加工基板与玻璃基板的热膨胀系数匹配。并且，若两者的热膨胀系数匹配，则在加工处理时变得容易抑制加工基板的尺寸变化(特别是翘曲变形)。结果是，相对于加工基板的一个表面，能够以高密度进行布线，此外还能够准确地形成焊料凸块。另外，“30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数”可以通过膨胀计来测定。
关于30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数，在加工基板内半导体芯片的比例少、而密封材料的比例多的情况下，优选使其上升，相反，在加工基板内半导体芯片的比例多、而密封材料的比例少的情况下，优选使其降低。
在将30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数设定为0×10-7/℃以上且低于50×10-7/℃的情况下，玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 55～75％、Al2O3 15～30％、Li2O0.1～6％、Na2O+K2O 0～8％、MgO+CaO+SrO+BaO 0～10％作为玻璃组成，或者，还优选含有SiO2 55～75％、Al2O3 10～30％、Li2O+Na2O+K2O 0～0.3％、MgO+CaO+SrO+BaO 5～20％。在将30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数设定为50×10-7/℃以上且低于75×10-7/℃的情况下，玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 55～70％、Al2O3 3～15％、B2O3 5～20％、MgO0～5％、CaO 0～10％、SrO 0～5％、BaO 0～5％、ZnO 0～5％、Na2O 5～15％、K2O 0～10％作为玻璃组成。在将30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数设定为75×10-7/℃以上且85×10-7/℃以下的情况下，玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 60～75％、Al2O3 5～15％、B2O3 5～20％、MgO 0～5％、CaO 0～10％、SrO 0～5％、BaO 0～5％、ZnO 0～5％、Na2O 7～16％、K2O 0～8％作为玻璃组成。在将30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数设定为超过85×10-7/℃且120×10-7/℃以下的情况下，玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 55～70％、Al2O3 3～13％、B2O3 2～8％、MgO 0～5％、CaO 0～10％、SrO 0～5％、BaO 0～5％、ZnO 0～5％、Na2O 10～21％、K2O 0～5％作为玻璃组成。在将30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数设定为超过120×10-7/℃且165×10-7/℃以下的情况下，玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 53～65％、Al2O3 3～13％、B2O3 0～5％、MgO 0.1～6％、CaO 0～10％、SrO0～5％、BaO 0～5％、ZnO 0～5％、Na2O+K2O 20～40％、Na2O 12～21％、K2O 7～21％作为玻璃组成。这样的话，变得容易将热膨胀系数限制在所期望的范围内，并且由于耐失透性提高，所以变得容易成形整体板厚偏差小的玻璃基板。
杨氏模量优选为65GPa以上、67GPa以上、68GPa以上、69GPa以上、70GPa以上、71GPa以上、72GPa以上、特别是73GPa以上。若杨氏模量过低，则变得难以维持层叠体的刚性，变得容易产生加工基板的变形、翘曲、破损。
液相温度优选低于1150℃、1120℃以下、1100℃以下、1080℃以下、1050℃以下、1010℃以下、980℃以下、960℃以下、950℃以下、特别是940℃以下。这样的话，由于变得容易通过下拉法、特别是溢流下拉法而将玻璃原板成形，所以变得容易制作板厚小的玻璃基板，同时能够降低成形后的板厚偏差。进而，在玻璃基板的制造工序时，产生失透晶体，变得容易防止玻璃基板的生产率降低的情况。其中，“液相温度”可以通过将通过标准筛30目(500μm)且残留在50目(300μm)上的玻璃粉末放入铂舟皿中后，在温度梯度炉中保持24小时，测定结晶析出的温度而算出。
液相粘度优选为104.6dPa·s以上、105.0dPa·s以上、105.2dPa·s以上、105.4dPa·s以上、105.6dPa·s以上、特别是105.8dPa·s以上。这样的话，由于变得容易通过下拉法、特别是溢流下拉法而将玻璃原板成形，所以变得容易制作板厚小的玻璃基板，同时能够降低成形后的板厚偏差。进而，在玻璃基板的制造工序时，产生失透晶体，变得容易防止玻璃基板的生产率降低的情况。其中，“液相粘度”可以通过铂球提拉法而测定。另外，液相粘度是成形性的指标，液相粘度越高，成形性越发提高。
102.5dPa·s下的温度优选为1580℃以下、1500℃以下、1450℃以下、1400℃以下、1350℃以下、特别是1200～1300℃。若102.5dPa·s下的温度变高，则熔融性降低，玻璃基板的制造成本高涨。其中，“102.5dPa·s下的温度”可以通过铂球提拉法而测定。另外，102.5dPa·s下的温度相当于熔融温度，该温度越低，熔融性越发提高。
本发明的玻璃基板优选通过下拉法、特别是溢流下拉法而成形。溢流下拉法是使熔融玻璃从耐热性的溜槽状结构物的两侧溢出，使溢出的熔融玻璃在溜槽状结构物的下顶端合流，同时向下方进行拉伸成形而制造玻璃原板的方法。在溢流下拉法中，应该成为玻璃基板的表面的面不与溜槽状耐火物接触，以自由表面的状态被成形。因此，变得容易制作板厚小的玻璃基板，同时即使不将表面进行研磨，也能够降低板厚偏差。或者，通过少量的研磨，能够将整体板厚偏差降低至低于2.0μm、特别是低于1.0μm。结果是，能够降低玻璃基板的制造成本。
作为玻璃基板的成形方法，除了溢流下拉法以外，例如还可以采用流孔下引法、重新下拉法、浮法等。
本发明的玻璃基板优选在通过溢流下拉法而成形后，将表面进行研磨而成。这样的话，变得容易将板厚偏差限制在2μm以下、1μm以下、特别是低于1μm。
本发明的玻璃基板优选没有进行离子交换处理，优选在表面不具有压缩应力层。若进行离子交换处理，则玻璃基板的制造成本高涨。进而，若进行离子交换处理，则变得难以降低玻璃基板的整体板厚偏差。另外，本发明的玻璃基板并不排除进行离子交换处理而在表面形成压缩应力层的方式。从提高机械强度的观点而言，优选进行离子交换处理，在表面形成压缩应力层。
本发明的玻璃基板的优选的制造方法的特征在于，其具有以下工序：(1)将玻璃原板切断而得到玻璃基板的工序；(2)按照玻璃基板的整体板厚偏差变得低于2.0μm的方式，将玻璃基板的表面进行研磨的工序；和(3)通过利用激光照射的热冲击，形成从玻璃基板的内部朝向表层延伸的裂纹，从而形成由多个点构成的信息识别部的工序。其中，本发明的玻璃基板的制造方法的技术特征(优选的构成、效果)与本发明的玻璃基板的技术特征重复。因而，本说明书中，关于其重复部分，省略详细的记载。
上述玻璃基板的制造方法具有将玻璃原板切断而得到玻璃基板的工序。作为将玻璃原板切断的方法，可以采用各种方法。例如，可以利用通过激光照射时的热冲击而进行切断的方法、在划线后进行折割的方法。
上述玻璃基板的制造方法优选在将玻璃原板切断而得到玻璃基板后，具有将玻璃基板进行退火的工序。从降低玻璃基板的翘曲量的观点出发，退火温度优选设定为玻璃基板的软化点以上，退火温度下的保持时间优选设定为30分钟以上。另外，退火可以通过电炉等热处理炉而进行。
上述玻璃基板的制造方法具有按照玻璃基板的整体板厚偏差变得低于2.0μm的方式将玻璃基板的表面进行研磨的工序，但该工序的优选的方式如上所述。
上述玻璃基板的制造方法具有通过利用激光照射的热冲击，形成从玻璃基板的内部朝向表层延伸的裂纹，从而形成由多个点构成的信息识别部的工序，但该工序的优选的方式如上所述。
本发明的层叠体的特征在于，其是至少具备加工基板和用于支承加工基板的玻璃基板的层叠体，玻璃基板为上述的玻璃基板。其中，本发明的层叠体的技术特征(优选的构成、效果)与本发明的玻璃基板的技术特征重复。因而，本说明书中，关于该重复部分，省略详细的记载。
本发明的层叠体优选在加工基板与玻璃基板之间具有粘接层。粘接层优选为树脂，例如优选热固化性树脂、光固化性树脂(特别是紫外线固化树脂)等。此外，优选具有可耐受半导体封装的制造工序中的热处理的耐热性的树脂。由此，在半导体封装的制造工序中粘接层变得不易熔化，能够提高加工处理的精度。另外，为了将加工基板与玻璃基板容易地固定，也可以使用紫外线固化型带作为粘接层。
本发明的层叠体优选进一步在加工基板与玻璃基板之间、更具体而言在加工基板与粘接层之间具有剥离层。这样的话，在对加工基板进行规定的加工处理后，变得容易将加工基板从玻璃基板剥离。从生产率的观点出发，加工基板的剥离优选通过激光等照射光来进行。作为激光源，可以使用YAG激光器(波长为1064nm)、半导体激光器(波长为780～1300nm)等红外光激光源。此外，剥离层中可以使用通过照射红外线激光而分解的树脂。此外，也可以在树脂中添加将红外线高效地吸收并转换成热的物质。例如也可以在树脂中添加炭黑、石墨粉、微粒金属粉末、染料、颜料等。
剥离层由通过激光等照射光而产生“层内剥离”或“界面剥离”的材料构成。即，由若照射一定强度的光，则原子或分子中的原子间或分子间的键合力消失或减少，产生烧蚀(ablation)等并产生剥离的材料构成。另外，通过照射光的照射，有剥离层中包含的成分变成气体而被放出并达到分离的情况、和剥离层将光吸收而变成气体且该蒸气被放出并达到分离的情况。
在本发明的层叠体中，玻璃基板优选比加工基板大。由此，在支承加工基板和玻璃基板时，即使是两者的中心位置略微离开的情况下，加工基板的缘部也变得不易从玻璃基板露出。
使用了本发明的玻璃基板的半导体封装的制造方法具有准备至少具备加工基板和用于支承加工基板的玻璃基板的层叠体的工序。至少具备加工基板和用于支承加工基板的玻璃基板的层叠体具有上述的材料构成。另外，作为玻璃基板的成形方法，可以采用上述成形方法。
上述半导体封装的制造方法优选进一步具有将层叠体搬送的工序。由此，能够提高加工处理的处理效率。另外，“将层叠体搬送的工序”和“对加工基板进行加工处理的工序”不需要分开进行，也可以同时。
在上述半导体封装的制造方法中，加工处理优选为对加工基板的一个表面进行布线的处理、或在加工基板的一个表面形成焊料凸块的处理。在上述半导体封装的制造方法中，由于在这些处理时加工基板不易发生尺寸变化，所以能够适当地进行这些工序。
作为加工处理，除了上述以外，还可以是对加工基板的一个表面(通常为与玻璃基板相反一侧的表面)进行机械研磨的处理、将加工基板的一个表面(通常为与玻璃基板相反一侧的表面)进行干式蚀刻的处理、将加工基板的一个表面(通常为与玻璃基板相反一侧的表面)进行湿式蚀刻的处理中的任一者。另外，在本发明的半导体封装的制造方法中，在加工基板中不易产生翘曲，同时能够维持层叠体的刚性。结果是，能够适当地进行上述加工处理。
参考附图对本发明进一步进行说明。
图1是表示本发明的层叠体1的一个例子的概念立体图。图1中，层叠体1具备玻璃基板10和加工基板11。为了防止加工基板11的尺寸变化、特别是翘曲变形，玻璃基板10被粘贴在加工基板11上。在玻璃基板10与加工基板11之间，配置有剥离层12和粘接层13。剥离层12与玻璃基板10接触，粘接层13与加工基板11接触。
如图1获知的那样，层叠体1依次层叠配置有玻璃基板10、剥离层12、粘接层13、加工基板11。玻璃基板10的形状根据加工基板11而决定，但图1中，玻璃基板10及加工基板11的形状均为大致圆板形状。剥离层12可以使用例如通过照射激光而分解的树脂。此外，也可以在树脂中添加将激光高效地吸收并转换成热的物质。例如，为炭黑、石墨粉、微粒金属粉末、染料、颜料等。剥离层12通过等离子体CVD、或利用溶胶-凝胶法的旋涂等而形成。粘接层13由树脂构成，例如通过各种印刷法、喷墨法、旋涂法、辊涂法等而涂布形成。此外，也可以使用紫外线固化型带。粘接层13在玻璃基板10通过剥离层12从加工基板11被剥离后，通过溶剂等而被溶解除去。紫外线固化型带可以在照射紫外线后，通过剥离用胶带而被除去。
图2A～2G是表示fan out型的WLP的制造工序的概念截面图。图2(A)表示在支承构件20的一个表面上形成有粘接层21的状态。根据需要，也可以在支承构件20与粘接层21之间形成剥离层。接着，如图2(B)中所示的那样，在粘接层21上贴附多个半导体芯片22。此时，使半导体芯片22的有源侧的面与粘接层21接触。接着，如图2(C)中所示的那样，将半导体芯片22以树脂的密封材料23进行密封。密封材料23使用压缩成形后的尺寸变化、成形布线时的尺寸变化少的材料。接着，如图2(D)、(E)中所示的那样，将半导体芯片22被密封的加工基板24从支承构件20分离后，隔着粘接层25，与玻璃基板26粘接固定。此时，加工基板24的表面中的与埋入有半导体芯片22一侧的表面相反一侧的表面被配置在玻璃基板26侧。这样操作，能够得到层叠体27。另外，根据需要，也可以在粘接层25与玻璃基板26之间形成剥离层。进而，将所得到的层叠体27搬送后，如图2(F)中所示的那样，在加工基板24的埋入有半导体芯片22一侧的表面形成布线28后，形成多个焊料凸块29。最后，将加工基板24从玻璃基板26分离后，将加工基板24切断成每个半导体芯片22，被供于之后的封装工序(图2(G))。
实施例1
以下，基于实施例对本发明进行说明。另外，以下的实施例是单纯的例示。本发明不受以下的实施例的任何限定。
按照作为玻璃组成以质量％计成为SiO2 65.2％、Al2O3 8％、B2O3 10.5％、Na2O11.5％、CaO 3.4％、ZnO 1％、SnO2 0.3％、Sb2O3 0.1％的方式，将玻璃原料调合后，投入到玻璃熔融炉中在1500～1600℃下熔融，接着将熔融玻璃供给至溢流下拉成形装置中，按照板厚成为0.7mm的方式进行成形。
接着，将所得到的玻璃原板挖空成晶圆形状，得到玻璃基板，同时通过将该玻璃基板的表面以研磨装置进行研磨处理，降低玻璃基板的整体板厚偏差。具体而言，将玻璃基板的两表面用外径不同的一对研磨垫夹入，一边使玻璃基板与一对研磨垫一起旋转，一边将玻璃基板的两表面进行研磨处理。在研磨处理时，有时按照玻璃基板的一部分从研磨垫露出的方式进行控制。另外，研磨垫为聚氨酯制，在研磨处理时使用的研磨浆料的平均粒径为2.5μm，研磨速度为15m/分钟。
接着，对玻璃基板的深度为30μm的地方照射波长为349μm的半导体激光(激光器输出功率：50mW、脉冲幅度：数ns)，通过热冲击相对于玻璃基板的表面形成包含多个点的信息识别部。其中，将点的中心间隔设定为25μm，将点的直径设定为3μm，点通过从内部延伸至表层的裂纹而构成。图3是表示该信息识别部的显微镜照片，照片内的黑点为点。另外，该信息识别部能够通过CCD相机等光学元件而识别，此外没有见到将点间连结的裂纹的产生。
最后，对于所得到的玻璃基板，测定整体板厚偏差和翘曲量，结果整体板厚偏差为0.55μm，翘曲量为30μm。
实施例2
首先，按照成为表1中记载的试样No.1～7的玻璃组成的方式，将玻璃原料调合后，投入到玻璃熔融炉中在1500～1600℃下熔融，接着将熔融玻璃供给至溢流下拉成形装置中，按照板厚成为0.8mm的方式分别成形。接着，在与[实施例1]同样的条件下，将玻璃原板挖空成晶圆形状后，通过将所得到的玻璃基板的表面以研磨装置进行研磨处理，降低玻璃基板的整体板厚偏差，进而通过半导体激光器在玻璃基板中形成信息识别部。对于所得到的各玻璃基板，评价30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数α30～380、密度ρ、应变点Ps、退火点Ta、软化点Ts、高温粘度104.0dPa·s下的温度、高温粘度103.0dPa·s下的温度、高温粘度102.5dPa·s下的温度、高温粘度102.0dPa·s下的温度、液相温度TL及杨氏模量E。另外，对于切断后的各玻璃基板，测定整体板厚偏差和翘曲量，结果整体板厚偏差分别为3μm，翘曲量分别为70μm，但对于形成信息识别部后的各玻璃基板，测定整体板厚偏差和翘曲量，结果整体板厚偏差分别为0.45μm，翘曲量分别为35μm。
[表1]
30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数α30～380是通过膨胀计而测定的值。
密度ρ是通过周知的阿基米德法而测定的值。
应变点Ps、退火点Ta、软化点Ts是基于ASTM C336的方法而测定的值。
高温粘度104.0dPa·s、103.0dPa·s、102.5dPa·s下的温度是通过铂球提拉法而测定的值。
液相温度TL是将通过标准筛30目(500μm)且残留在50目(300μm)上的玻璃粉末放入铂舟皿中，在温度梯度炉中保持24小时后，通过显微镜观察测定结晶析出的温度的值。
杨氏模量E是指通过共振法而测定的值。
符号的说明
10、27 层叠体
11、26 玻璃基板
12、24 加工基板
13 剥离层
14、21、25 粘接层
20 支承构件
22 半导体芯片
23 密封材料
28 布线
29 焊料凸块

Claims (14)

1.一种玻璃基板，其特征在于，整体板厚偏差低于2.0μm，且具有包含多个点的信息识别部。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其特征在于，点是通过利用激光照射的热冲击而形成的。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其特征在于，点通过从内部朝向表层延伸的裂纹而形成。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，相邻的点的中心间隔为100μm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，点的直径为0.5μm～10μm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，在信息识别部中输入有玻璃基板的制造公司名、玻璃基板的材质、玻璃基板的热膨胀系数、玻璃基板的外径、玻璃基板的板厚、玻璃基板的整体板厚偏差、玻璃基板的生产日期、玻璃基板的出库日期、玻璃基板的序列号中的一种或两种以上的信息。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，翘曲量为60μm以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，表面的全部或一部分为研磨面。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，在玻璃内部具有成形合流面。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，外形为晶圆形状。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的玻璃基板，其特征在于，在半导体封装的制造工序中用于加工基板的支承。
12.一种层叠体，其特征在于，其是至少具备加工基板和用于支承加工基板的玻璃基板的层叠体，玻璃基板为权利要求1～11中任一项所述的玻璃基板。
13.根据权利要求12所述的层叠体，其特征在于，加工基板至少具备以密封材料密封而成的半导体芯片。
14.一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序：(1)将玻璃原板切断而得到玻璃基板的工序；(2)按照玻璃基板的整体板厚偏差变得低于2.0μm的方式，将玻璃基板的表面进行研磨的工序；和(3)通过利用激光照射的热冲击，形成从玻璃基板的内部朝向表层延伸的裂纹，从而形成由多个点构成的信息识别部的工序。
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