JP2018095544A - 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 - Google Patents
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Landscapes
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
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Abstract
Description
10、26、31、35 支持ガラス基板
11、24 加工基板
12 剥離層
13、21、25 接着層
20 支持部材
22 半導体チップ
23 封止材
28 配線
29 半田バンプ
32、36 ノッチ部
33、37 外形部
34、38 ノッチ部の深部
39、40 支持ガラス基板の表面
41 支持ガラス基板の端面
42、43 支持ガラス基板の面取り面
Claims (13)
- 加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、
ガラス組成として、質量%で、SiO2 45〜70%、Al2O3 10.5超〜35%、B2O3 0〜20%、Na2O 5〜25%、K2O 0〜10%、MgO 1〜10%、ZnO 0〜5%を含有し、且つクラック抵抗が500gf以上であることを特徴とする支持ガラス基板。 - ガラス組成として、質量%で、SiO2 50〜67%、Al2O3 19.7〜33%、B2O3 0〜15%、Na2O 5〜20%、K2O 0〜3%、MgO 1〜5.5%、ZnO 0〜3%を含有し、且つクラック抵抗が700gf以上であることを特徴とする請求項1に記載の支持ガラス基板。
- 20〜220℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が40×10−7/℃以上、且つ120×10−7/℃以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持ガラス基板。
- 20〜260℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が40×10−7/℃以上、且つ120×10−7/℃以下であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の支持ガラス基板。
- 30〜380℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が42×10−7/℃以上、且つ125×10−7/℃以下であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の支持ガラス基板。
- 直径100〜500mmのウエハ形状又は略円板形状を有し、板厚が2.0mm未満であり、全体板厚偏差(TTV)が5μm以下であり、且つ反り量が60μm以下であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の支持ガラス基板。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項1〜6の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
- 加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項7に記載の積層体。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項1〜6の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 請求項9〜11の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする半導体パッケージ。
- 半導体パッケージを備える電子機器であって、
半導体パッケージが、請求項12に記載の半導体パッケージであることを特徴とする電子機器。
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