CN107077066B - 制造图案化基底的方法 - Google Patents
制造图案化基底的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107077066B CN107077066B CN201580059713.8A CN201580059713A CN107077066B CN 107077066 B CN107077066 B CN 107077066B CN 201580059713 A CN201580059713 A CN 201580059713A CN 107077066 B CN107077066 B CN 107077066B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- block
- formula
- block copolymer
- chain
- atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 112
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 198
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 87
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 71
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 70
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 50
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 43
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 39
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 36
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 claims description 34
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 34
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 claims description 33
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 33
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 33
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 27
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 26
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 24
- -1 X is a single bond Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 22
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 20
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 17
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 9
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 41
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 150000002738 metalloids Chemical group 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 11
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 11
- LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(C=C)C(F)=C1F LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 10
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PBLNBZIONSLZBU-UHFFFAOYSA-N 1-bromododecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCBr PBLNBZIONSLZBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000012985 polymerization agent Substances 0.000 description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 2
- FHXJDKPJCDJBEM-UHFFFAOYSA-N 4-dodecoxyphenol Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC1=CC=C(O)C=C1 FHXJDKPJCDJBEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 2
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- 238000012712 reversible addition−fragmentation chain-transfer polymerization Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMSJFSOOQERIO-UHFFFAOYSA-N 1-bromodecane Chemical compound CCCCCCCCCCBr MYMSJFSOOQERIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNTGIJLWHDPAFN-UHFFFAOYSA-N 1-bromohexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCBr HNTGIJLWHDPAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 1-bromooctane Chemical compound CCCCCCCCBr VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOFZTCSTGIWCQG-UHFFFAOYSA-N 1-bromotetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCBr KOFZTCSTGIWCQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AISZNMCRXZWVAT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylsulfanylcarbothioylsulfanyl-2-methylpropanenitrile Chemical compound CCSC(=S)SC(C)(C)C#N AISZNMCRXZWVAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWXZOFCMZBTLHT-UHFFFAOYSA-N 3-cyano-2-propan-2-ylbenzenecarbodithioic acid Chemical compound CC(C)C1=C(C#N)C=CC=C1C(S)=S XWXZOFCMZBTLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000549 4-dimethylaminophenol Drugs 0.000 description 1
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000012987 RAFT agent Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229940030980 inova Drugs 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L magnesium sulphate Substances [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 125000005543 phthalimide group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 125000005389 trialkylsiloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 238000004736 wide-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00388—Etch mask forming
- B81C1/00428—Etch mask forming processes not provided for in groups B81C1/00396 - B81C1/0042
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/007—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C217/00—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton
- C07C217/78—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton
- C07C217/80—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings
- C07C217/82—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings of the same non-condensed six-membered aromatic ring
- C07C217/84—Compounds containing amino and etherified hydroxy groups bound to the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton having amino groups and etherified hydroxy groups bound to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings of the same non-condensed six-membered aromatic ring the oxygen atom of at least one of the etherified hydroxy groups being further bound to an acyclic carbon atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
- C07C43/02—Ethers
- C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
- C07C43/215—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring having unsaturation outside the six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
- C07C43/02—Ethers
- C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
- C07C43/225—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
- C07D209/44—Iso-indoles; Hydrogenated iso-indoles
- C07D209/48—Iso-indoles; Hydrogenated iso-indoles with oxygen atoms in positions 1 and 3, e.g. phthalimide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F12/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F12/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
- C08F12/16—Halogens
- C08F12/20—Fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F12/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F12/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
- C08F12/22—Oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F12/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F12/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by hetero atoms or groups containing heteroatoms
- C08F12/26—Nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F12/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F12/32—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing two or more rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/12—Polymerisation in non-solvents
- C08F2/14—Organic medium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F212/06—Hydrocarbons
- C08F212/08—Styrene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F216/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical
- C08F216/12—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical by an ether radical
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F293/00—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F293/00—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule
- C08F293/005—Macromolecular compounds obtained by polymerisation on to a macromolecule having groups capable of inducing the formation of new polymer chains bound exclusively at one or both ends of the starting macromolecule using free radical "living" or "controlled" polymerisation, e.g. using a complexing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F297/00—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F299/00—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F299/00—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
- C08F299/02—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates
- C08F299/022—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polycondensates with side or terminal unsaturations
- C08F299/024—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from polycondensates with side or terminal unsaturations the unsaturation being in acrylic or methacrylic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F32/02—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings
- C08F32/06—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings having two or more carbon-to-carbon double bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
- C08G61/04—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms
- C08G61/06—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms prepared by ring-opening of carbocyclic compounds
- C08G61/08—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aliphatic carbon atoms prepared by ring-opening of carbocyclic compounds of carbocyclic compounds containing one or more carbon-to-carbon double bonds in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L53/005—Modified block copolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L53/00—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L53/02—Compositions of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers of vinyl-aromatic monomers and conjugated dienes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L55/00—Compositions of homopolymers or copolymers, obtained by polymerisation reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, not provided for in groups C08L23/00 - C08L53/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D153/00—Coating compositions based on block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/165—Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
- H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
- H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
- H01L21/31056—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching the removal being a selective chemical etching step, e.g. selective dry etching through a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31058—After-treatment of organic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0147—Film patterning
- B81C2201/0149—Forming nanoscale microstructures using auto-arranging or self-assembling material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/30—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/301—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety and one oxygen in the alcohol moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2438/00—Living radical polymerisation
- C08F2438/03—Use of a di- or tri-thiocarbonylthio compound, e.g. di- or tri-thioester, di- or tri-thiocarbamate, or a xanthate as chain transfer agent, e.g . Reversible Addition Fragmentation chain Transfer [RAFT] or Macromolecular Design via Interchange of Xanthates [MADIX]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/14—Side-groups
- C08G2261/142—Side-chains containing oxygen
- C08G2261/1424—Side-chains containing oxygen containing ether groups, including alkoxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/10—Definition of the polymer structure
- C08G2261/14—Side-groups
- C08G2261/142—Side-chains containing oxygen
- C08G2261/1426—Side-chains containing oxygen containing carboxy groups (COOH) and/or -C(=O)O-moieties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/33—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/332—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/33—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/332—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms
- C08G2261/3324—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms derived from norbornene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/40—Polymerisation processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/40—Polymerisation processes
- C08G2261/41—Organometallic coupling reactions
- C08G2261/418—Ring opening metathesis polymerisation [ROMP]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2353/00—Characterised by the use of block copolymers containing at least one sequence of a polymer obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Derivatives of such polymers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
提供了制造图案化基底的方法。该方法可以应用于装置如电子器件或集成电路的制造过程,或者应用于另一些用途例如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头或有机发光二极管;并且该方法可用于在用来制造离散磁道介质如集成电路、位元图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的表面上构造图案。
Description
技术领域
本申请要求2014年9月30日提交的韩国专利申请第2014-0131964号、2015年6月4日提交的韩国专利申请第2015-0079469号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175411号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175414号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175410号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175415号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175412号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175413号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175407号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175406号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175400号、2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175401号和2014年12月8日提交的韩国专利申请第2014-0175402号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
本申请涉及制造图案化基底的方法。
背景技术
嵌段共聚物具有这样的分子结构:其中具有不同化学结构的聚合物嵌段通过共价键连接。嵌段共聚物可通过相分离形成周期性排列的结构,例如球体、柱体或层。通过嵌段共聚物的自组装形成的结构的域的形状和尺寸可以通过例如形成各嵌段的单体类型或嵌段的相对比在较宽范围内进行控制。
由于这样的特性,嵌段共聚物被认为适用于能够制造纳米线,制造多种下一代纳米元件如量子点或金属点,或在预定的基底上形成高密度图案的光刻工艺(例如,参考非专利文献1)。
其中将嵌段共聚物水平或垂直地自组装在多种基底上的结构的取向控制技术是嵌段共聚物的实际应用的很大一部分。通常,嵌段共聚物的膜上的纳米结构的取向通过哪个嵌段暴露于表面或空气来确定。通常,由于许多基底是极性的并且空气是非极性的,在嵌段共聚物的嵌段中,具有较高极性的嵌段在基底上润湿,并且具有较低极性的嵌段在嵌段和空气之间的交界面润湿。因此,为了使具有不同特性的嵌段共聚物的嵌段在基底上同时湿润,提出了多种技术,最典型的技术是通过制造中性表面来控制取向。
[现有技术文献]
[非专利文献]
(非专利文献1)Chaikin and Register等,Science 276,1401(1997)
发明内容
技术目的
本申请涉及提供制造图案化基底的方法。
技术方案
除非另外特别限定,否则本文中使用的术语“烷基”可指具有1至20、1至16、1至12、1至8、或1至4个碳原子的烷基。烷基可为直链、支化或环状烷基,并且可任选地被一个或更多个取代基取代。
除非另外特别限定,否则本文中使用的术语“烷氧基”可指具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的烷氧基。烷氧基可以是直链的、支化的或环状烷氧基,并且可任选地经一个或更多个取代基取代。
除非另外特别限定,否则本文中使用的术语“烯基”或“炔基”可指具有2至20、2至16、2至12、2至8、或2至4个碳原子的烯基或炔基。烯基或炔基可为直链、支化或环状烯基或炔基,并且可任选地被一个或更多个取代基取代。
除非另外特别限定,否则本文中的术语“亚烷基”可为具有1至20、1至16、1至12、1至8、或1至4个碳原子的亚烷基。亚烷基可为直链、支化或环状亚烷基,并且可任选地被一个或更多个取代基取代。
除非另外特别限定,否则本文中使用的术语“亚烯基或亚炔基”可以指具有2至20、2至16、2至12、2至8或2至4个碳原子的亚烯基或亚炔基。亚烯基或亚炔基可以是直链的、支化的或环状的亚烯基或亚炔基,并且可任选地经一个或更多个取代基取代。
本文中使用的术语“单键”可以指相应部分中不存在单独的原子的情况。例如,当B为A-B-C表示的结构中的单键时,在由B表示的部分中不存在单独的原子,并且A和C直接连接,从而形成由A-C表示的结构。
在本发明中,作为可以在烷基、烯基、炔基、亚烷基,亚烯基、亚炔基、烷氧基、芳基、亚芳基或者链或芳香族结构中任选取代的取代基,可以使用羟基、卤原子、羧基、缩水甘油基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、硫醇基、烷基、烯基、炔基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、烷氧基或芳基,但本申请不限于此。
本发明的一个方面提供制造图案化基底的方法。在一个实例中,制造方法可以通过使用定向的自组装材料作为模板的光刻工艺进行。这里,定向的自组装材料可以是例如嵌段共聚物。
该方法可以应用于例如制造器件如电子器件和集成电路的过程,或者可应用于不同用途如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头或有机发光二极管。该方法还可以用于在用来制造集成电路、位元图案化介质和/或离散磁道介质如硬盘驱动器的表面上构造图案。
该方法可以包括在基底上形成定向的自组装材料的层,从而诱导自组装。
定向的自组装材料层在其上的基底的表面可以是经氧等离子体处理的表面。本发明人确认嵌段共聚物的垂直取向可以在基底表面上诱导而不用形成中性刷涂层,其通过基底表面上的氧等离子体处理以及如果必要的话控制形成于其基底上的嵌段共聚物来进行。因此,本文中使用的定向的自组装材料层可以形成为与经等离子体处理的基底的表面接触,并且基底的表面可以是其上未进行用于获得垂直取向的已知处理(除氧等离子体处理之外,包括中性表面处理或化学预图案化)的基底的表面。在本发明中,与某一表面接触的某一层或膜的形成可意指层或膜与基底表面之间不存在第三层。
当定向的自组装材料是嵌段共聚物时,嵌段共聚物可以在形成为与上述表面接触的膜上以垂直取向的状态存在。此外,垂直取向的自组装结构可以是层状结构,但是本申请不限于此。本文中使用的术语“垂直取向”可以是嵌段共聚物的取向,并且可以指由嵌段共聚物形成的自组装结构的取向方向垂直于基底方向。例如,垂直取向可以指自组装嵌段共聚物的嵌段域按顺序排列,并且嵌段域的界面区域基本上垂直地形成于基底表面上。本文使用的术语“垂直”是允许误差的表达,例如±10度、±8度、±6度、±4度或±2度以内的误差。
应用于本申请的方法的基底的类型没有特别限制。作为应用于本申请的方法的基底的实例,使用金属基底。术语“金属基底”可以指包含金属作为主要组分的基底。此处,包含金属作为主要组分意指例如基于重量包含55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或更多的金属。作为应用于本发明的方法的基底,可以使用包含金属如金、铜、钛、镍、银、铝、锗、钨、锡、锑、铟、镉、钯、铅、锌或铂,或者所述金属的氧化物、氮化物或硫化物的基底,例如包含该组分作为主要组分的基底。本申请的方法可以使用除所述基底之外在应用于上述应用的表面上形成图案所需要的多种类型基底,并且基底的类型不特别限于此。
对基底表面进行的氧等离子体处理的条件没有特别限制,可以通过考虑例如要施用的嵌段共聚物的类型和期望的自组装结构来适当地进行控制。例如,氧等离子体处理可以在RF功率为30W至2000W,工艺压力为5毫托至300毫托,氧气流量为20sccm至100sccm的条件下进行。在另一个实例中,等离子体处理的条件的RF功率可以是40W、50W、60W、70W、80W或更大,或者1500W、1000W、800W、600W、400W、300W、200W或更小。在另一个实例中,等离子体处理的条件的工艺压力可以是10毫托、20毫托、30毫托、40毫托、50毫托、60毫托、70毫托、80毫托、90毫托或更大,290毫托、280毫托、270毫托、260毫托、250毫托、240毫托、230毫托、220毫托、210毫托、200毫托、190毫托、180毫托或更小。在另一个实例中,等离子体处理的条件的氧气流量可以是30sccm、40sccm、50sccm或更大,或者90sccm、80sccm或更小。
在用于本发明方法的基底的表面上,可以以规则间隔形成台面结构。例如,台面结构可以具有线形。这样的台面结构可以以规则的间隔彼此分开地设置在基底的表面上。台面结构可以基本上彼此平行地设置在基底的表面上。两个或更多个台面结构可以形成在基底的表面上。也就是说,由基底表面上的台面结构形成的沟槽的数目可以是一个或更多个。台面结构和沟槽的数目可以根据其用途进行控制而没有特别限制。当包含定向的自组装材料如嵌段共聚物的膜在由台面结构形成的沟槽中形成时,台面结构可用于引导形成的嵌段共聚物的自组装结构。
图1示出了其中形成有沟槽的示例性基底1。图1所示的示例性基底1可以包括具有台面结构的侧壁3和由基底或具有台面结构的表面4形成的沟槽2。
例如,如图2所示,可以在沟槽2中形成包含定向的自组装材料如嵌段共聚物的膜5,从而形成层状的自组装结构,其中化学性质彼此不同的两个域A和B以线形交替地形成。
基底表面上的沟槽的形状可以通过根据图案需要的待在基底上形成的图案或嵌段共聚物的自组装结构来确定。
在一个实例中,分离设置以形成沟槽的台面结构的距离(D)与台面结构的高度(H)之比(D/H)可以是0.1至10、0.5至10、1至10、1至9、1至8、1至7、1至6、1至5或1至4。另外,台面结构之间的距离(D)与台面结构的宽度(W)之比(D/W)可以是0.5至10、1至10、1至9、1至8、1至7、1至6、1至5或1至4。比(D/H或D/W)可以根据期望的用途而改变。本文中使用的术语“台面结构的距离(D)”是指间隔开的相邻台面结构之间的最短距离,并且距离(D)可以是例如约10nm至500nm、10nm至450nm、10nm至400nm、10nm至350nm、10nm至300nm、50nm至300nm,或100nm至300nm。本文中使用的术语“台面结构的高度(H)”是从基底的表面沿基底表面的法线方向向上测量的台面结构的尺寸,并且可以是例如约1nm至100nm、1nm至90nm、5nm至90nm、10nm至90nm、10nm至80nm,或20nm至70nm。本文中使用的术语“台面结构的宽度(W)”是从基底表面沿垂直于基底表面的法线方向的方向的台面结构的尺寸,例如可以为约10nm至500nm、10nm至450nm、10nm至400nm、10nm至350nm、10nm至300nm、50nm至300nm、或100nm至300nm。
例如,当定向自组装材料是嵌段共聚物和嵌段共聚物的层状图案时,台面结构之间的距离可以为约1至20L。在这种情况下,包含嵌段共聚物的膜,即在沟槽中形成的膜的厚度可以是约1至10L或1至8L。这里,L可以指由嵌段共聚物形成的层状图案的间距。
当台面结构被控制为上述形状时,可以在由台面结构形成的沟槽中有效地引导嵌段共聚物的自组装。然而,台面结构的尺寸仅仅是本发明的实例,并且可以根据具体方面而改变。
在基底上形成上述台面结构的方法没有特别限定,因此可以应用公知的方法。例如,台面结构可以通过用合适的方法蚀刻基底或在基底上沉积合适的材料来形成。
例如,由台面结构形成的沟槽可以包括在基底上依次形成台面结构形成材料层、抗反射层和抗蚀剂层;使抗蚀剂层图案化;以及使用经图案化的抗蚀剂层作为掩模来蚀刻台面结构形成材料层。
这里,台面结构形成材料的类型没有特别限制。例如,如下所述,材料层通过使用经图案化的抗蚀剂层作为掩模的蚀刻工艺形成台面结构,并且在该工艺中,可以使用适当的可蚀刻材料。例如,该材料可以是SiO2、无定形碳层(ACL)、旋涂玻璃(SOG)、旋涂碳(SOC)或氮化硅。这样的材料层可以通过例如旋涂或沉积方法如化学气相沉积(CVD)来涂覆。形成层时的材料层的厚度没有特别限定,可以通过考虑所期望的台面结构的高度(H)来使层形成为适当的厚度。
抗反射层可以形成在台面结构形成材料层上。抗反射层可以使用硅(Si)材料形成为SiARC,并且除此之外,可以使用任何已知的材料。抗反射层可以通过已知的涂覆或沉积方法形成。
抗蚀剂层可以形成在抗反射层上。抗蚀剂层可以使用已知的材料(例如可以通过光刻工艺图案化的已知材料)形成。这样的抗蚀剂层可以通过已知的光刻工艺进行图案化,并且由此获得的经图案化的抗蚀剂层可以用作下面的台面形成过程中的掩模。可以进行抗蚀剂层的图案化以在随后的蚀刻工艺中将台面结构的尺寸控制在期望的水平。
在抗蚀剂层的图案化之后,蚀刻工艺使用经图案化的抗蚀剂层作为蚀刻掩模,并且在蚀刻工艺中,可以蚀刻除由蚀刻掩模保护的区域之外的区域中的抗反射层和台面形成材料层。这种蚀刻可以通过已知的蚀刻工艺进行,并且可以通过例如反应离子蚀刻(RIE)方法来进行。通过蚀刻工艺形成上述台面结构,从而形成沟槽。可以进行蚀刻工艺直到未被蚀刻掩模保护的区域中的台面形成材料被完全移除为止,或者为了保留一些材料进行蚀刻工艺。因此,沟槽可以由台面结构的侧壁和侧壁之间的基底表面形成,并且可以形成在台面结构的侧壁和侧壁之间的台面结构形成材料的表面上。
根据上述说明,在基底的表面上形成一个台面形成材料层和一个抗反射层,并在其上进行光刻处理。然而,必要时可以交替地形成两个或更多个台面形成材料层和抗反射层中的各者。
形成于如上所述的沟槽中的自组装结构可以包含垂直取向的嵌段共聚物。
沟槽中形成的嵌段共聚物的自组装结构可以是例如球体、柱体、螺旋形或层状形状,并且在一个实例中是层状结构。然而,本申请不限于此。例如,当使用包含第一嵌段和第二嵌段的嵌段共聚物作为嵌段共聚物时,在第一或第二嵌段或与其共价键合的第三嵌段的链段中,另一链段可以具有规则结构,例如层状或柱形状。
作为保留在经氧等离子体处理的基底的表面上的嵌段共聚物,可以使用满足下述条件中的至少一个的嵌段共聚物。这种嵌段共聚物还可以在除氧等离子体处理之外不进行中性处理的基底的表面上具有垂直取向的自组装结构。
在上述方法中使用的示例性嵌段共聚物可以包含第一嵌段和不同于第一嵌段的第二嵌段。嵌段共聚物的各嵌段可以仅使用一种类型的单体或者两种或更多种类型的单体形成。嵌段共聚物可以是仅包含一个第一嵌段和一个第二嵌段的二嵌段共聚物。或者,嵌段共聚物可以是包含第一嵌段和第二嵌段中的各一个,并且额外地包含第一嵌段和第二嵌段中的任一个或全部,或者除了第一和第二嵌段外额外地包含第三嵌段的三嵌段共聚物。
由于嵌段共聚物包含通过共价键连接的两个或更多个聚合物链,因此相分离出现,并因而形成自组装结构。本发明人确定:当嵌段共聚物满足下文中将描述的任一个或两个或更多个条件时,垂直取向的自组装结构还可在未进行上述中性处理的沟槽基底表面上形成。因此,本申请的另一个方面提供了满足下文中将描述的条件中至少一者的嵌段共聚物。纳米尺度结构的形状或尺寸可通过控制嵌段共聚物的尺寸(例如,分子量)或嵌段间的相对比例来控制。以下条件是并列的,并因此一个条件不优先于另一个条件。嵌段共聚物可满足选自以下条件的任一者或两者或更多者。已示出嵌段共聚物可通过满足以下条件中的任一者而具有垂直取向。本文中所使用的术语“垂直取向”是指嵌段共聚物的取向,并且可指由嵌段共聚物形成的纳米结构的取向,所述取向与基底方向垂直。例如,垂直取向可指嵌段共聚物由第一嵌段形成的区域与由第二嵌段形成的区域之间的界面与基底表面垂直。本文中所使用的术语“垂直”是允许误差的表达,其包含例如±10度、±8度、±6度、±4度或±2度以内的误差。
通常,纳米结构的取向由形成嵌段共聚物的嵌段中的哪一个暴露于表面或空气来确定。通常,由于许多基底是极性的并且空气是非极性的,在嵌段共聚物的嵌段中,具有较高极性的嵌段与基底接触,并且具有较低极性的嵌段与空气接触。因此,提出了多种技术以与具有不同特性的嵌段共聚物的嵌段同时接触,最具代表性的技术是应用中性表面。
本发明人已确定:通过使嵌段共聚物满足如下文所述的条件中的一者或两者或更多者或全部,即使在未进行已知用于实现垂直取向或垂直排列的任何常规处理(包括中性刷涂层)的基底上,也可以实现垂直取向或垂直排列。
例如,根据本申请的一个方面的嵌段共聚物可相对于未进行特定预处理的亲水性表面和疏水性表面全部表现垂直取向。
此外,在本发明的另一个方面中,可通过热退火在短时间内以大面积诱导上述垂直取向。
本申请中使用的一个示例性嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段,并且所述嵌段共聚物或所述第一嵌段可显示出掠入射广角X射线散射(GIWAXS)谱图的12nm-1至16nm-1范围内的散射矢量的衍射图案的-90度至-70度内方位角处的峰和70度至90度内方位角处的峰(条件1)。
本申请中使用的另一示例性嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段,并且所述嵌段共聚物或所述第一嵌段可通过差示扫描量热(DSC)分析显示出-80℃至200℃范围内的熔融转变峰或各向同性转变峰(条件2)。
本申请中使用的另一示例性嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段,并且所述嵌段共聚物或所述第一嵌段可通过XRD分析显示出在0.5nm-1至10nm-1的散射矢量(q)范围内的半峰全宽(FWHM)在0.2nm-1至0.9nm-1范围内峰(条件3)。
本申请中使用的另一示例性嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段。所述第一嵌段包含侧链,并且所述侧链的成链原子的数目(n)和通过在所述第一嵌段上进行的XRD分析评估的散射矢量(q)可满足以下方程式2(条件4)。
[式2]
3nm-1至5nm-1=nq/(2×π)
在方程式2中,n为侧链的成链原子的数目;q为在包含所述侧链的嵌段上进行的X射线衍射分析中显示出峰的最小散射矢量(q),或显示出具有最大峰面积的峰的散射矢量(q)。
本申请中使用的另一示例性嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段,并且所述第一嵌段与所述第二嵌段之间的表面能之差的绝对值可为10mN/m或更小(条件5)。
本申请中使用的另一示例性嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段,并且所述第一嵌段与所述第二嵌段之间的密度之差的绝对值可为0.25g/cm3或更大(条件6)。
本申请中使用的另一示例性嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于第一嵌段的第二嵌段,并且第一嵌段的体积分数可以为0.2至0.6,且第二嵌段的体积分数可以为0.4至0.8(条件8)。这种嵌段共聚物可以层状结构形成。
在本发明中,除非另有特别定义,否则可以通过温度改变的物理特性如润湿角或密度是在室温下测量的值。术语“室温”是不增加或降低的自然温度,例如约10℃至30℃,具体地,约25℃或23℃。
在嵌段共聚物中,第一嵌段可为包含将在下文中描述的侧链的嵌段。
下文中,将详细描述以下条件。
A.条件1
本申请的嵌段共聚物的任一嵌段可显示出GIWAXS谱图的12nm-1至16nm-1范围内的散射矢量的衍射图案的-90度至-70度方位角和70度至90度方位角二者处的峰。显示出所述峰的嵌段可为包含将在下文中描述的侧链的嵌段。在本说明书中,包含侧链的嵌段可为第一嵌段。本文中,方位角是上方(面外衍射的方向)衍射图案的角为0度时的方位角,其沿顺时针方向测量。换言之,沿顺时针方向测量的角由正数表示,而沿逆时针方向测量的角由负数表示。在每个方位角处观察到的FWHM可在5度至70度的范围内。在另一个实例中,FWHM可为7度、9度、11度、13度、15度、17度、19度、21度、25度、30度、35度、40度、45度或更大。在另一个实例中,FWHM可为65度、60度或更小。获得GIWAXS谱图的方法没有特别限制,并且可通过以下描述实施例的方法来获得。获得的谱图的衍射图案峰的轮廓可通过高斯拟合来拟合,并由此,可获得FWHM。在这种情况下,当获得高斯拟合结果的一半时,可将FWHM定义为由高斯拟合结果的一半获得的结果的值的2倍。在高斯拟合中,R平方为约0.26至0.95。即,可在上述范围内的任一个R平方处观察到上述FWHM。获得上述信息的方法是本领域内已知的,并且例如,可应用数值分析程序例如Origin。
可以在仅使用构成待检测嵌段的单体制备的聚合物上检测GIWAXS。例如,可以通过使用聚合物形成膜并对膜进行热退火来检测GIWAXS。膜可以通过以下方法形成:施用用溶剂(例如氟苯)以约0.7重量%的浓度稀释聚合物制备的涂覆溶液以具有约25nm的厚度和2.25cm2的涂覆面积(宽度:1.5cm,长度:1.5cm),并对这种涂覆膜进行热退火。热退火可以通过将膜保持在例如约160℃约1小时来进行。在上述GIWAXS方位角处显示出上述峰的嵌段可以被布置为具有取向,并且这样的嵌段可以显示出优异的相分离或自组装特性,以及与不同嵌段的垂直取向。
B.条件2
本申请的嵌段共聚物或嵌段共聚物的任一种嵌段可通过DSC分析显示出-80℃至200℃范围内的熔融转变峰或各向同性转变峰。当嵌段共聚物的任一种嵌段在DSC分析中表现出上述行为,并且包含这样的嵌段的嵌段共聚物同时满足条件2和3时,通过DSC分析表现出上述行为的嵌段可为显示出条件2中所述GIWAXS中的峰的嵌段,即,显示出在GIWAXS谱图的12nm-1至16nm-1范围内的散射矢量的衍射图案的所有-90度至-70度方位角和70度至90度方位角处的峰的嵌段,例如第一嵌段。嵌段共聚物或嵌段共聚物的任一种嵌段可显示出熔融转变峰和各向同性转变峰中的任一者或二者。这样的嵌段共聚物可为整体显示出适合自组装的结晶相和/或液晶相的共聚物,或者显示出这样的结晶相和/或液晶相的共聚物。
表现出上述DSC行为的嵌段共聚物或嵌段共聚物的任一种嵌段可另外满足条件2中的以下条件。
例如,当同时显示出各向同性转变峰和熔融转变峰时,显示出各向同性转变峰的温度(Ti)与显示出熔融转变峰的温度(Tm)之差(Ti-Tm)可为5℃至70℃。在另一个实例中,差(Ti-Tm)可为10℃、15℃、20℃、25℃、30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、或者60℃或更大。各向同性转变峰的温度(Ti)与熔融转变峰的温度(Tm)之差(Ti-Tm)在上述范围内的嵌段共聚物或包含这样的嵌段的嵌段共聚物可具有优异的相分离或自组装特性。
在另一个实例中,当同时显示出各向同性转变峰和熔融转变峰时,各向同性转变峰的面积(I)与熔融转变峰的面积(M)之比(M/I)可为0.1至500。具有根据DSC分析的各向同性转变峰的面积(I)与熔融转变峰的面积(M)之比(M/I)的嵌段共聚物或包含这样的嵌段的嵌段共聚物可保持优异的相分离或自组装特性。在另一个实例中,比(M/I)可为0.5、1、1.5、2、2.5、或者3或更大。此外,在另一个实例中,所述比(M/I)可为450、400、350、300、250、200、150、100、90、85或更小。
进行DSC分析的方法是本领域已知的,并且在本发明中,所述分析可通过这样的已知方法进行。
显示出熔融转变峰的温度(Tm)的范围可为-10℃至55℃。在另一个实例中,所述温度(Tm)可为50℃、45℃、40℃、35℃、30℃、25℃、20℃、15℃、10℃、5℃、0℃或更低。
嵌段共聚物可包含具有如下文中将描述的侧链的嵌段。在这种情况下,嵌段共聚物可满足以下方程式1。
[方程式1]
10℃≤Tm–12.25℃×n+149.5℃≤10℃
在方程式1中,Tm可为嵌段共聚物或具有侧链的嵌段的熔融转变峰的温度,并且n为所述侧链的成链原子的数目。
满足上述方程式的嵌段共聚物可具有优异的相分离或自组装特性。
在另一个实例中,在方程式1中,Tm–12.25℃×n+149.5℃可为约-8℃至8℃、约-6℃至6℃、或约-5℃至5℃。
C.条件3
本申请的嵌段共聚物可包含在X射线衍射分析(XRD分析)中显示出预定散射矢量(q)范围内的至少一个峰的嵌段。当嵌段共聚物满足条件3以及条件1和/或2时,满足条件1和/或2的嵌段可为满足条件3的嵌段。满足条件3的嵌段可为第一嵌段。
例如,嵌段共聚物的任一嵌段可在XRD分析中显示出0.5nm-1至10nm-1的散射矢量(q)内的至少一个峰。在另一个实例中,通过峰显示的散射矢量(q)可为0.7、0.9、1.1、1.3、1.5nm-1或更大。在另一个实例中,通过峰显示的散射矢量(q)可为9、8、7、6、5、4、3.5、3nm-1或更小。在散射矢量(q)的范围内检测到的FWHM可为0.2nm-1至0.9nm-1。在另一个实例中,FWHM可为0.25nm-1、0.3nm-1、0.4nm-1或更大。在另一个实例中,FWHM可为0.85nm-1、0.8nm-1、0.75nm-1或更小。
在条件4中,术语“半峰全宽(FWHM)”可指显示出最大峰强度的1/2的位置处峰的宽度(散射矢量(q)差)。
XRD分析中的散射矢量(q)和FWHM是通过使用最小二乘法对经由以下XRD分析获得的结果应用数值分析而获得的值。在上述方法中,可将XRD衍射图案中显示出最小强度的部分设为基线以使其强度为0,XRD图案峰的轮廓通过高斯拟合来拟合,并且散射矢量和FWHM可由拟合结果获得。在高斯拟合中,R平方为至少0.9、0.92、0.94、或者0.96或更大。由XRD分析获得这样的信息的方法是本领域已知的,并且例如,可应用数值分析程序例如Origin。
显示出散射矢量(q)范围内的FWHM的嵌段可包含适合自组装的结晶部分。包含在上述散射矢量(q)范围内鉴定的嵌段的嵌段共聚物可具有优异的自组装特性。
XRD分析可如下进行:在用X射线照射样品后,测量根据散射矢量的散射强度。XRD分析可使用通过使嵌段共聚物的任一嵌段,例如仅构成第一嵌段的单体聚合而制备的聚合物来进行。XRD分析可在这样的聚合物上进行而没有特殊预处理,并且例如,通过在合适的条件下干燥后用X射线照射进行。作为X射线,可使用垂直尺寸为0.023mm并且水平尺寸为0.3mm的X射线。通过使用测量装置(例如,2D marCCD)散射样品可获得2D衍射图案的图像,并且获得的衍射图案可通过上述方法拟合,从而获得散射矢量和FWHM。
D.条件4
本申请的嵌段共聚物可包含具有将在下文中描述的侧链的嵌段作为第一嵌段,并且所述侧链的成链原子的数目(n)可满足通过如条件3所示进行的XRD分析获得的散射矢量(q)和以下方程式2。
[方程式2]
3nm-1至5nm-1=nq/(2×π)
在方程式2中,n为成链原子的数目;并且q为在包含侧链的嵌段上进行的XRD分析中显示出峰的最小散射矢量(q),或显示出具有最大峰面积的峰的散射矢量(q)。此外,在方程式2中,π为圆周率。
引入方程式2的散射矢量是通过在XRD分析方法中描述的相同方法获得的值。
引入方程式2的散射矢量(q)可为例如0.5nm-1至10nm-1。在另一个实例中,引入方程式2的散射矢量(q)可为0.7nm-1、0.9nm-1、1.1nm-1、1.3nm-1、1.5nm-1或更大。在另一个实例中,引入方程式2的散射矢量(q)可为9nm-1、8nm-1、7nm-1、6nm-1、5nm-1、4nm-1、3.5nm-1、3nm-1或更小。
方程式2示出当膜由只由嵌段共聚物的具有侧链的嵌段所构成的聚合物形成时,包含侧链的聚合物主链间的距离(D)与成链原子的数目之间的关系,并且当具有侧链的聚合物的侧链的成链原子的数目满足方程式2时,侧链的结晶度增加,并因此可高度增强嵌段共聚物的相分离特性或垂直取向。在另一个实例中,根据方程式2的nq/(2×π)可为4.5nm-1或更小。此处,具有侧链的聚合物的主链间的距离(D,单位:nm)可通过方程式D=2×π/q来计算,其中D为距离(D,单位:nm),并且π和q在方程式2中限定。
E.条件5
本申请的嵌段共聚物的第一嵌段与第二嵌段之间的表面能之差的绝对值可为10mN/m、9mN/m、8mN/m、7.5mN/m、7mN/m或更小。表面能之差的绝对值可为1.5mN/m、2mN/m、2.5mN/m或更大。其中具有上述范围的表面能之差的绝对值的第一嵌段和第二嵌段通过共价键相连的结构可通过由适当的不相容性引起的相分离来引导有效的微相分离。此处,第一嵌段可为例如具有将在下文中描述的侧链的嵌段,或者具有不含卤原子的芳香族结构的嵌段。
表面能可使用液滴形状分析仪(DSA100,KRUSS)测量。特别地,表面能可在如下制备的膜上测量:将通过用氟苯稀释用于测量表面能的目标样品(嵌段共聚物或均聚物)而制备的浓度为固含量约2重量%的涂覆溶液涂覆在基底上,以具有约50nm的厚度和4cm2的涂覆面积(宽度:2cm,长度:2cm),在室温下将基底干燥约1小时,并且在160℃下对经干燥的基底热退火约1小时。将通过将表面张力已知的去离子水滴在经热退火的膜上来测量接触角的过程重复5次,由此获得所获得的五个接触角的平均值,并且将以上述相同方式通过滴表面张力已知的二碘甲烷而获得接触角的过程重复5次,由此获得所获得五个接触角的平均值。之后,可使用获得的去离子水和二碘甲烷的接触角的平均值通过Owens-Wendt-Rabel-Kaelble法代替溶剂的表面张力值(Strom值)而获得表面能。嵌段共聚物各个嵌段的表面能的值可根据只使用形成所述嵌段的单体制备的均聚物来计算。
当嵌段共聚物包含上述侧链时,具有所述侧链的嵌段可具有高于其他嵌段的表面能。例如,当嵌段共聚物的第一嵌段包含侧链时,第一嵌段可具有高于第二嵌段的表面能。在这种情况下,第一嵌段的表面能可为约20mN/m至40mN/m。第一嵌段的表面能可为22mN/m、24mN/m、26mN/m、28mN/m或更大。第一嵌段的表面能可为38mN/m、36mN/m、34mN/m、32mN/m或更小。包含第一嵌段并且具有上述与第二嵌段的表面能之差的嵌段共聚物可具有优异的自组装特性。
F.条件6
嵌段共聚物中第一嵌段与第二嵌段之间的密度之差的绝对值可为0.25g/cm3、0.3g/cm3、0.35g/cm3、0.4g/cm3、0.45g/cm3或更大。所述密度差的绝对值可为0.9g/cm3、0.8g/cm3、0.7g/cm3、0.65g/cm3、0.6g/cm3或更小。其中具有上述范围的密度差的绝对值的第一嵌段和第二嵌段通过共价键相连的结构可通过由适当的不相容性引起的相分离来引导有效的微相分离。
嵌段共聚物各嵌段的密度可使用已知的浮力法测量,并且例如,可通过分析具有已知的空气中质量和密度的溶剂(例如,乙醇)中嵌段共聚物的质量来测量密度。
当包含上述侧链时,具有所述侧链的嵌段可具有低于其他嵌段的密度。例如,当嵌段共聚物的第一嵌段包含侧链时,第一嵌段可具有低于第二嵌段的密度。在这种情况下,第一嵌段的密度可为约0.9g/cm3至1.5g/cm3。第一嵌段的密度可为0.95g/cm3或更大。第一嵌段的密度可为1.4g/cm3、1.3g/cm3、1.2g/cm3、1.1g/cm3、1.05g/cm3或更小。包含第一嵌段并且具有与第二嵌段的密度差的嵌段共聚物可具有优异的自组装特性。
G.条件7
嵌段共聚物可以包含体积分数为0.4至0.8的第一嵌段和体积分数为0.2至0.6的第二嵌段。当嵌段共聚物包含侧链时,具有所述链的嵌段的体积分数可以为0.4至0.8。例如,当第一嵌段包含所述链时,第一嵌段的体积分数可以为0.4至0.8,并且第二嵌段的体积分数可以为0.2至0.6。第一嵌段和第二嵌段的体积分数的总和可以是1。包含具有上述体积分数的嵌段的嵌段共聚物可以具有优异的自组装性。嵌段共聚物的各嵌段的体积分数可以基于通过凝胶渗透色谱法(GPC)测量的各嵌段的的密度和分子量来获得。此处,密度可以通过上述方法计算。
如上所述,嵌段共聚物可以满足选自条件1至7中的任意一个或两个或更多个。
例如,嵌段共聚物可以是满足条件1、2、3、4、5、6或7的嵌段共聚物。
在一个实例中,嵌段共聚物可以包含满足上述条件中条件1至4中的一个或两个或更多个的第一嵌段,和具有根据条件5的表面能之差的第二嵌段。
在另一个实例中,嵌段共聚物可以包含满足上述条件中条件1至4中的一个或两个或更多个的第一嵌段,具有根据条件5的表面能之差的第二嵌段,并因此,第一嵌段与第二嵌段之比可满足条件7。
虽然不受理论的限制,但是满足条件1至4中任一项的第一嵌段可以具有结晶性或液晶性,因此可以堆叠以形成规则的自组装结构。在该状态下,当第一嵌段和第二嵌段满足根据条件5的表面能之差时,由第一嵌段和第二嵌段中的每个形成的域可以基本上是中性的,因此,膜可以垂直取向,无论在其上形成自组装膜的表面的特性如何。当嵌段之比满足条件7时,可以使中和效果最大化,因此可以使树脂取向效果最大化。
作为另一个条件,嵌段共聚物的数均分子量(Mn)可为例如3000至300000。术语“数均分子量”是通过凝胶渗透色谱法(GPC)测量的相对于标准物聚苯乙烯的转换值,并且除非另外特别定义,否则本文中的术语“分子量”意指数均分子量(Mn)。在另一个实例中,分子量(Mn)可为例如3000、5000、7000、9000、11000、13000、15000或更大。在另一个实例中,分子量(Mn)可为约250000、200000、180000、160000、140000、120000、100000、90000、80000、70000、60000、50000、40000、30000、25000或更小。嵌段共聚物的多分散性(Mw/Mn)可为1.01至1.60。在另一个实例中,多分散性可为约1.1、1.2、1.3、1.4或更大。
在该范围内,嵌段共聚物可具有适当的自组装特性。嵌段共聚物的数均分子量可通过考虑期望的自组装结构来控制。
上述条件可通过例如控制嵌段共聚物的结构来满足。例如,满足上述条件中的一者或更多者的第一嵌段和第二嵌段中至少一者或全部可至少包含芳香族结构。第一嵌段和第二嵌段全部可包含芳香族结构,并且在这种情况下,包含在第一嵌段和第二嵌段中的芳香族结构可彼此相同或不同。此外,将在下文中描述的满足上述条件中的一者或更多者的嵌段共聚物中的第一嵌段和第二嵌段中至少一者可包含上述侧链、或至少一个卤原子,并且所述侧链和所述卤原子可被芳香族结构取代。本申请的嵌段共聚物可包含两种或更多种嵌段。
如上所述,嵌段共聚物的第一嵌段和/或第二嵌段可包含芳香族结构。这样的芳香族结构可包含在第一嵌段和第二嵌段中的仅一者中或者二者中。当两种嵌段均包含芳香族结构时,所述嵌段的芳香族结构可彼此相同或不同。
本文中的术语“芳香族结构”是指芳香族化合物的结构,并且术语“芳基”可指衍生自芳香族化合物的一价基团,并且“亚芳基”可指衍生自芳香族化合物的二价基团。本文中,除非另外特别定义,否则芳香族化合物是这样的化合物:其具有苯环,或者通过共用一个或两个碳原子而相连或用任选的连接体相连的两个或更多个苯环,或者其衍生物。因此,芳基,即,衍生自芳香族化合物的一价基团可指其中通过释放芳香族化合物的一个氢原子而形成的自由基形成共价键的取代基;而亚芳基,即,衍生自芳香族化合物的二价基团可指其中通过释放芳香族化合物的两个氢原子而形成的自由基形成共价键的取代基。芳基或亚芳基可为例如具有6至30、6至25、6至21、6至18、或6至13个碳原子的芳基或亚芳基。作为芳基或亚芳基,还可使用衍生自苯、萘、偶氮苯、蒽、菲、并四苯、芘、或苯并芘的一价或二价基团。本文中的术语“芳香族结构”可作为与芳基或亚芳基相同的含义使用。
芳香族结构可为包含在嵌段主链中的结构,或者连接至嵌段主链作为侧链的结构。上述条件可通过适当控制可包含在各嵌段中的芳香族结构来进行调整。
在一个实例中,满足所述条件中至少一者的嵌段共聚物可包含含有侧链的第一嵌段和不同于所述第一嵌段的第二嵌段。本文中,侧链可为将在下文中描述的具有8或更多个成链原子的侧链。第一嵌段可为满足条件2、3、4和5中任一者、两者或更多者、或全部的嵌段。
第一嵌段可包含环结构,并且环结构可取代有侧链。环结构可为上述芳香族结构、芳基或亚芳基、或者脂环族环结构。这样的环结构可为不具有卤原子的环结构。
除非另外特别限定,否则本文中使用的“脂环族环结构”是指环状烃结构,而不是芳香族环结构。脂环族环结构可以以一价或二价基团的形式包含在嵌段共聚物中。除非另外特别限定,否则脂环族环结构可为例如具有3至30、3至25、3至21、3至18、或3至13个碳原子的脂环族环结构。
与第一嵌段一起包含的第二嵌段是化学上不同于第一嵌段的嵌段。第二嵌段可为例如包含卤原子,例如氯原子或氟原子的嵌段。第二嵌段可包含1、2、3、4、5或更多个卤原子。卤原子的数目可为例如30、25、20、15、10、9、8、7、6、5或更少。第二嵌段可包含环结构,并且这样的环结构中可取代有卤原子。环结构可为上述芳香族结构、芳基或亚芳基。
本文中使用的术语“侧链”意指与聚合物的主链相连的链,并且术语“成链原子”意指作为形成侧链的原子的形成线性结构的链的原子。侧链可为直链或支化的,但是成链原子的数目可以仅作为构成最长直链的原子的数目计算,不包含与成链原子键合的其他原子(例如,当成链原子为碳原子时,与碳原子键合的氢原子)。例如,在支化的链的情况下,成链原子的数目可作为构成最长链的成链原子的数目计算。例如,当侧链为正戊基时,所有成链原子均为碳,其数目为5,并且即使当侧链为2-甲基戊基时,所有成链原子均为碳,其数目仍为5。作为成链原子,可使用碳、氧、硫或氮,并且合适的成链原子可为碳、氧或氮,或者碳或氧。成链原子的数目可为8、9、10、11、12或更多。成链原子的数目还可为30、25、20、16或更少。
为了控制上述条件,可使具有8或更多个成链原子的链连接至嵌段共聚物的第一嵌段的侧链。本文中的术语“链”和“侧链”可指相同主题。
如上所述,侧链可为具有8个、9个、10个、11个、12个或更多个成链原子的链。成链原子的数目还可为30、25、20、16或更少。成链原子可为碳原子、氧原子、氮原子或硫原子,并且优选地,碳或氧。
作为侧链,可使用烃链,例如烷基、烯基或炔基。烃链的碳原子中至少一个可被硫原子、氧原子或氮原子取代。
当侧链与环结构(例如,芳香族结构)相连时,所述链可直接连接至环结构,或者通过连接体连接至环结构。作为连接体,可使用氧原子、硫原子、–NR1–、–S(=O)2–、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、–C(=O)–X1–或–X1–C(=O)–。本文中,R1为氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,X1为单键、氧原子、硫原子、–NR2–、–S(=O)2–、亚烷基、亚烯基或亚炔基,并且此处,R2可为氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基。作为合适的连接体,可使用氧原子。侧链可以例如通过氧原子或氮原子连接至环结构例如芳香族结构。
当上述环结构,例如芳香族结构作为侧链连接至嵌段的主链时,芳香族结构也可直接连接或可通过连接体连接至所述主链。在这种情况下,作为连接体,可使用氧原子、硫原子、–S(=O)2–、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、–C(=O)–X1–或–X1–C(=O)–,并且在这种情况下,X1为单键、氧原子、硫原子、–S(=O)2–、亚烷基、亚烯基或亚炔基。作为连接芳香族结构与主链的合适连接体,可使用–C(=O)–O–或–O–C(=O)–,但本申请不限于此。
在另一个实例中,包含在嵌段共聚物的第一嵌段和/或第二嵌段中的芳香族结构可包含1、2、3、4、5或更多个卤原子。卤原子的数目可为例如30、25、20、15、10或更少。作为卤原子,可使用氟或氯,并且优选使用氟原子。如上所述,具有包含卤原子的芳香族结构的嵌段可通过与其他嵌段的适当相互作用而有效地实现相分离结构。
作为包含卤原子的芳香族结构,可使用具有6至30、6至25、6至21、6至18、或6至13个碳原子的芳香族结构,但本申请不限于此。
在嵌段共聚物中,第一嵌段和第二嵌段全部包含芳香族结构,以实现适当的相分离结构,第一嵌段可包含不含卤原子的芳香族结构,并且第二嵌段可包含含有卤原子的芳香族结构。此外,上述侧链可直接连接或通过包括氧或氮的连接体连接至第一嵌段的芳香族结构。
当嵌段共聚物包含具有侧链的嵌段时,所述嵌段可为例如包含由式1表示的单元的嵌段。所述嵌段可为包含以下式1的单元作为主要组分的嵌段。本文中的表达“包含单元作为主要组分的嵌段”可指嵌段包含基于重量60%、70%、80%、90%、95%或更多的单元,或者60摩尔%、70摩尔%、80摩尔%、90摩尔%、95摩尔%或更多的单元。
[式1]
在式1中,R为氢或烷基,X为单键、氧原子、硫原子、–S(=O)2–、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、–C(=O)–X1–或–X1–C(=O)–,并且在这种情况下,X1为氧原子、硫原子、–S(=O)2–、亚烷基、亚烯基或亚炔基,并且Y为包含与具有成链原子的侧链相连的环结构的一价取代基。
在式1中,Y是至少包含环结构的取代基。例如,当环结构为芳香族环时,成链原子数目可以为3或更大,并且当环结构为脂环族环结构时,成链原子数目可以为8或更大。即使当环结构为芳香族环结构时,成链原子数目也可以是5、7、8或更大。
在式1中,在另一个实例中,X可以是单键、氧原子、羰基、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-、优选-C(=O)-O-,但本申请不限于此。
在式1中,Y的一价取代基包含由至少3或8个成链原子形成的链结构。
如上所述,本文中使用的术语“成链原子”意指形成预定链(例如侧链)的线性结构的原子。链可为直链或支化的,但是成链原子的数目只计算构成最长直链的原子的数目。不计算与成链原子键合的别的原子(例如,当成链原子为碳原子时,与碳原子键合的氢原子)。此外,在支化的链的情况下,成链原子的数目可算作构成最长链的成链原子的数目。例如,当链为正戊基时,成链原子均为碳,其数目为5,并且即使当链为2-甲基戊基时,成链原子均为碳,其数目仍为5。作为成链原子,可使用碳、氧、硫或氮,并且合适的成链原子可为碳、氧或氮,或者碳或氧。成链原子的数目可为3、5、7、8、9、10、11、12或更多。成链原子的数目还可为30、25、20、16或更少。成链原子数的合适的下限可以通过如上所述的环结构的类型来确定。
式1的嵌段可以使嵌段共聚物具有优异的自组装特性并满足上述条件。
在一个实例中,链可以是线性烃链,例如线性烷基。在这种情况下,烷基可以是具有3、5、7、8或更多,8至30、8至25、8至20或8至16个碳原子的烷基。烷基的一个或多个碳原子可以任选地经氧原子取代,并且烷基的至少一个氢原子可以任选地被另外的取代基替代。
在式1中,Y包含环结构,并且链可以连接环结构。由于这种环状结构,可以进一步提高嵌段共聚物的自组装特性。环结构可以是芳香族结构或脂环族结构。
链可以直接连接或通过连接体连接环结构。作为连接体,可以使用氧原子、硫原子、-NR1-、-S(=O)2-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1-或-X1-C(=O)-,并且在这种情况下,R1可以是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,X1可以是单键、氧原子、硫原子、-NR2-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,其中R2可以是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基。作为合适的连接体,可以使用氧原子或氮原子。链可以通过例如氧原子或氮原子连接芳香族结构。在这种情况下、连接体可以是氧原子,或-NR1-(其中R1是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基)。
式1中的Y可以由式2表示。
[式2]
-P-Q-Z
在式2中,P是亚芳基或亚环烷基,Q是单键、氧原子或-NR3-,其中R3是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,当P是亚芳基时,Z是具有三个或更多个成链原子的链,或者当P是亚环烷基时,Z是具有8个或更多个成链原子的链。当式1中的Y为式2的取代基时,式2的P可以直接与式1的X连接。
在式2中,作为合适的实例,P可以是具有6至12个碳原子的亚芳基,例如亚苯基,但本申请不限于此。
在式2中,作为合适的实例,Q可以是氧原子或-NR1-(其中R1是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基)。
作为式1的单元的实例(以下可称为第一嵌段的单元),该单元由式3表示。这样的嵌段在说明书中可以称为1A嵌段单元,但是本申请不限于此。
[式3]
在式3中,R是氢或具有1至4个碳原子的烷基,X是单键、氧原子、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-,P是亚芳基,Q是氧原子或-NR3-,其中R3是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,Z是具有8个或更多个成链原子的线性链。在另一个实例中,在式3中,Q可以是氧原子。
在另一个实例中,第一嵌段的单元可以由式4表示。在说明书中,这样的单元可以被称为1B嵌段单元。
[式4]
在式4中,R1和R2各自独立地为氢或具有1至4个碳原子的烷基,X为单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1-或-X1-C(=O)-,其中X1是单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,T是单键或亚芳基,Q是单键或羰基,并且Y是具有8个或更多个成链原子的链。
在由式4表示的1B嵌段单元中,X可以是单键、氧原子、羰基、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-。
具体地,作为包含在1B嵌段单元中的Y的链,可以应用与式1中描述类似的链。
在另一个实例中,在式1、3和4中的任一个中,第一嵌段单元可以是其中具有8个或更多个成链原子的链的至少一个成链原子的电负性为3或更大的单元。在另一个实例中,原子的电负性可以是3.7或更小。在说明书中,该单元可以被称为1C嵌段单元。此处,作为电负性为3或更大的原子,可以使用氮原子或氧原子,但本申请不限于此。
可以与包含1A、1B或1C嵌段单元的第一嵌段一起包含于嵌段共聚物中的另外嵌段(以下可称为第二嵌段)的类型没有特别限制。
例如,第二嵌段可以是聚乙烯吡咯烷酮嵌段、聚乳酸嵌段、聚乙烯基吡啶嵌段、聚苯乙烯嵌段如聚苯乙烯或聚三甲基甲硅烷基苯乙烯、聚环氧烷嵌段如聚环氧乙烷、聚丁二烯嵌段、聚异戊二烯嵌段、或聚烯烃嵌段如聚乙烯。这种嵌段在本说明书中可以被称为2A嵌段。
在一个实例中,作为可以与包含1A、1B或1C嵌段单元的第一嵌段一起包含的第二嵌段,可以使用具有包含至少一个卤原子的芳香族结构的嵌段。
这样的第二嵌段可以是例如包含由式5表示的单元的嵌段。在说明书中,式5的单元可以被称为2B嵌段单元。第二嵌段可以包含2B嵌段单元作为主要组分。
[式5]
在式5中,B是具有包含一个或多个卤原子的芳香族结构的一价取代基。
包含这种单元的第二嵌段可以与用于嵌段共聚物的第一嵌段极好地相互作用以具有优异的自组装特性。
在式5中,芳香族结构可以是例如具有6至18或6至12个碳原子的芳香族结构。
另外,作为包含于式5中的卤原子,可以使用氟原子或氯原子,并且可以合适地使用氟原子,但本申请不限于此。
在一个实例中,式5的B可以是具有拥有6至12个碳原子的芳香族结构的一价取代基,其经1、2、3、4、5或更多个卤原子取代。此处,卤原子数目的上限没有特别限制,因此例如可以包含10个、9个、8个、7个、6个或更少的卤原子。
例如,式5的2B嵌段单元可以由式6表示。
[式6]
在式6中,X2是单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1-或X1-C(=O)-,其中X1是单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,并且W是包含至少一个卤原子的芳基。此处,W可以是经至少一个卤原子取代的芳基,例如经2、3、4、5或更多个卤原子取代的碳原子数为6至12的芳基。
2B嵌段单元可以由例如式7表示。
[式7]
在式7中,X2是单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1-或X1-C(=O)-,其中X1是单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,R1至R5可以各自独立地为氢、烷基、卤代烷基或卤原子,并且包含于R1至R5中的卤原子数为1或更多。
在另一个实例中,在式7中,X2可以是单键、氧原子、亚烷基、-C(=O)-O-或-O-C(=O)-。
在式7中,R1至R5各自独立地为氢、烷基、卤代烷基或卤原子,并且可包含1个、2个、3个、4个、5个或更多个卤原子,例如氟原子。包含于R1至R5中的卤原子例如氟原子的数目可以是10、9、8、7、6或更少。
在一个实例中,第二嵌段可以是包含由式8表示的单元的嵌段。在说明书中,式8的单元可以被称为2C嵌段单元。第二嵌段可以包含2C嵌段单元作为主要组分。
[式8]
在式8中,T和K各自独立地为氧原子或单键,并且U为亚烷基。
在一个实例中,2C嵌段单元可以是其中式10中的U可为具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的亚烷基的嵌段。
2C嵌段单元可以是其中式8的T和K中的任一个可为单键,另一个可为是氧原子的嵌段。这种嵌段可以是其中U为具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的亚烷基的嵌段。
2C嵌段单元可以是其中式8的T和K全部为氧原子的嵌段。这种嵌段可以是其中U为具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4个碳原子的亚烷基的嵌段。
在另一个实例中,第二嵌段可以是包含一个或更多个金属原子或类金属原子的嵌段。这种嵌段在本说明书中可以被称为2D嵌段。这样的嵌段可以改善蚀刻选择性,例如,当对使用嵌段共聚物形成的自组装膜进行蚀刻处理时。
作为包含于2D嵌段中的金属或类金属原子,可以使用硅原子、铁原子或硼原子,但是使用可示出由于与嵌段共聚物中包含的其他原子的不同而产生的合适的蚀刻选择性的任何一种而没有特别限制。
除了金属或类金属原子之外,2D嵌段可以包含1、2、3、4、5或更多个卤原子,例如氟原子。包含于2D嵌段中的卤原子如氟原子的数目可以是10、9、8、7、6或更少。
2D嵌段可以包含由式9(2D嵌段单元)表示的单元。2D嵌段可以包含式9的单元作为主要组分。
[式9]
在式9中,B可以是具有包含金属原子或类金属原子的取代基和包含卤原子的芳香族结构的一价取代基。
式9的芳香族结构可以是具有6至12个碳原子的芳香族结构,例如芳基或亚芳基。
式9的2D嵌段单元可以例如由式10表示。
[式10]
在式10中,X2是单键、氧原子、硫原子、-NR1-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1或-X1-C(=O)-,其中R1是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,X1是单键、氧原子、硫原子、-NR2-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,并且W是具有包含金属原子或类金属原子和至少一个卤原子的取代基的芳基。
此处,W可以是具有6至12个碳原子的芳基,其具有包含金属原子或类金属原子和至少一个卤原子的取代基。
在这种芳基中,可以包含含有金属原子或类金属原子的至少1个或1至3个取代基,并且可以包含1、2、3、4、5或更多个卤原子。
此处,可以含10个、9个、8个、7个、6个或更少的卤原子。
式10的2D嵌段单元可以由例如式11表示。
[公式11]
在式11中,X2是单键、氧原子、硫原子、-NR1-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1或-X1-C(=O)-,其中R1是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,X1是单键、氧原子、硫原子、-NR2-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,R1至R5各自独立地为氢、烷基、卤代烷基、卤原子,或包含金属或类金属原子的取代基。R1至R5中的至少一个为卤原子,并且R1至R5中的至少一个为包含金属或类金属原子的取代基。
在式11中,R1至R5的至少1个、1至3个或1至2个可以是包含上述金属或类金属原子的取代基。
在式11中,在R1至R5中,可以包含1、2、3、4、5或更多个卤原子。包含于R1至R5中的卤原子数目可以是10、9、8、7、6或更少。
如上所述,作为包含金属或类金属原子的取代基,可以使用三烷基甲硅烷氧基、二茂铁基、倍半硅氧烷基如多面体低聚倍半硅氧烷基,或碳硼烷基,并且这样的取代基可以是选择以确保蚀刻选择性的包含至少一种金属或类金属原子的任一者,其没有特别限制。
在另一个实例中,第二嵌段可以是包含电负性为3或更大的原子而不是卤原子(以下可称为非卤原子)的嵌段。上述嵌段在本说明书中可以称为2E嵌段。在另一个实例中,包含于2E嵌段中的非卤原子的电负性可以是3.7或更小。
作为包含于2E嵌段中的非卤原子,可以使用氮原子或氧原子,但本申请不限于此。
2E嵌段可以包含1、2、3、4、5或更多个卤原子例如氟原子,以及电负性为3或更大的非卤原子。包含于2E嵌段中的卤原子如氟原子的数目可以是10、9、8、7、6或更少。
2E嵌段可以包含由式12表示的单元(2E嵌段单元)。该单元可以包含于2E嵌段中作为主要组分。
[式12]
在式12中,B可以是具有包含电负性为3或更大的非卤原子和包含卤原子的芳香族结构的取代基的一价取代基。
式12的芳香族结构可以是具有6至12个碳原子的芳香族结构,例如芳基或亚芳基。
在另一个实例中,式12的单元可以由式13表示。
[公式13]
在式13中,X2是单键、氧原子、硫原子、-NR1-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1或-X1-C(=O)-,其中R1是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,X1是单键、氧原子、硫原子、-NR2-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,并且W是芳基,其包含含有电负性为3或更大的非卤原子和至少一个卤原子的取代基。
此处,W可以是具有6至12个碳原子的芳基,其包含含有电负性为3或更大的非卤原子和至少一个卤原子的取代基。
在这样的芳基中,包含电负性为3或更大的非卤原子的取代基的数目可以是至少1个或1至3个。另外,卤原子的数目可以为1、2、3、4、5或更多。此处,卤原子的数目可以是10个、9个、8个、7个、6个或更少。
在另一个实例中,式12的单元可以由式14表示。
[式14]
在式14中,X2是单键、氧原子、硫原子、-NR1-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1或-X1-C(=O)-,其中R1是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,X1是单键、氧原子、硫原子、-NR2-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,R1至R5各自独立地为氢、烷基、卤代烷基、卤原子,和包含电负性为3或更大的非卤原子的取代基。R1至R5中的至少一个为卤原子,并且R1至R5中的至少一个为包含电负性为3或更大的非卤原子的取代基。
在式14中,R1至R5中的至少1个、1至3个或1至2个可以是上述包含电负性为3或更大的非卤原子的取代基。
在式14中,R1至R5可包含1、2、3、4、5或更多个卤原子。R1至R5可包含10个、9个、8个、7个、6个或更少的卤原子。
如上所述,作为包含电负性为3或更大的非卤原子的取代基,可以使用羟基、烷氧基、羧基、酰胺基、氧化乙烯基、腈基、吡啶基或氨基,但本申请不限于此。
在另一个实例中,第二嵌段可以包含具有杂环取代基的芳香族结构。这样的第二嵌段在本说明书中可以被称为2F嵌段。
2F嵌段可以包含由式15表示的单元。以下单元可以包含于2F嵌段中作为主要组分。
[式15]
在式15中,B是具有含6至12个碳原子的芳香族结构的一价取代基,其被杂环取代基取代。
当需要时,式15的芳香族结构可以包含一个或多个卤原子。
式15的单元可以由式16表示。
[式16]
在式16中,X2是单键、氧原子、硫原子、-NR1-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1或-X1-C(=O)-,其中R1是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,X1是单键、氧原子、硫原子、-NR2-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,并且W是具有6至12个碳原子的芳基,其具有杂环取代基。
式16的单元可以由式17表示。
[式17]
在式17中,X2是单键、氧原子、硫原子、-NR1-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1或-X1-C(=O)-,其中R1是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,X1是单键、氧原子、硫原子、-NR2-、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基。R1至R5可各自独立地为氢、烷基、卤代烷基、卤原子、和杂环取代基,并且R1至R5中的至少一个为杂环取代基。
在式17中,R1至R5中的至少一个,例如1至3个或1至2个为杂环取代基,并且其他可为氢原子、烷基或卤原子,氢原子或卤原子,或者氢原子。
作为上述杂环取代基,可以使用邻苯二甲酰亚胺类取代基、噻吩类取代基、噻唑类取代基、咔唑类取代基或咪唑类取代基,但本申请不限于此。
本申请的嵌段共聚物可以包含上述第一嵌段中的一个或更多个,和上述第二嵌段中的一个或更多个。这种嵌段共聚物可以包含两个、三个或更多个嵌段。例如,嵌段共聚物可以是包含第一嵌段中的任一个和第二嵌段中的任一个的二嵌段共聚物。
制备上述嵌段共聚物的具体方法没有特别限定,例如可以通过在能够形成各嵌段的单体上进行嵌段共聚物的制备的公知方法来制备嵌段共聚物。
例如,嵌段共聚物可使用单体通过活性自由基聚合(LRP)法来制备。例如,可使用以下方法:用于合成嵌段共聚物的阴离子聚合,在无机酸盐(例如,碱金属或碱土金属的盐)的存在下使用有机稀土金属络合物作为聚合引发剂或者使用有机碱金属化合物作为聚合引发剂;原子转移自由基聚合(ATRP),使用原子转移自由基聚合剂作为聚合控制剂;通过电子转移再生活化剂(ARGET)原子转移自由基聚合(ATRP),在产生电子的有机或无机还原剂的存在下使用原子转移自由基聚合剂作为聚合控制剂进行聚合;用于连续活化剂再生的引发剂(ICAR)原子转移自由基聚合(ATRP);使用无机还原剂RAFT试剂的可逆加成断裂链转移(RAFT);或者使用有机碲化合物作为引发剂的方法,并且可从上述方法中选择合适的方法。
例如,嵌段共聚物可通过包括以下的方法来制备:在自由基引发剂和活性自由基聚合试剂的存在下通过活性自由基聚合使包含能够形成嵌段的单体的反应物聚合。
在制备嵌段共聚物期间形成包含于共聚物中的另一嵌段以及使用单体形成的嵌段的方法没有特别限制,嵌段可以通过考虑所需嵌段的类型来选择合适的单体来形成。
制备嵌段共聚物的过程还可包括例如,使通过上述过程产生的聚合产物在非溶剂中沉淀。
自由基引发剂的类型没有特别限制,并因此自由基引发剂可通过考虑聚合效率来适当选择。例如,作为自由基引发剂,可使用偶氮化合物,例如偶氮二异丁腈(AIBN)或2,2’-偶氮双-(2,4-二甲基戊腈);或过氧化物,例如过氧化苯甲酰(BPO)或二叔丁基过氧化物(DTBP)。
作为非溶剂,可使用例如醇,如甲醇、乙醇、正丙醇或异丙醇;二醇,如乙二醇;或醚,如正己烷、环己烷、正庚烷或石油醚,但本申请不限于此。
使用上述嵌段共聚物在上述沟槽上形成膜的方法没有特别限制,并且为了形成自组装结构,例如可以应用已经用于在经中和处理的表面上形成聚合物膜的公知方法。例如,聚合物膜可以通过制备涂覆溶液(通过将嵌段共聚物以预定浓度分散于合适的溶剂中)并通过已知的涂覆方法如旋涂来涂覆所述涂覆溶液来形成。
当需要时,还可以进行退火处理以在如上所述形成的聚合物膜上形成自组装结构。这种退火可以通过例如退火或热处理该层进行。
退火或热处理可以基于嵌段共聚物的相变温度或玻璃化转变温度,例如在与玻璃化转变温度或相变温度相同或比其更高的温度下进行。这种热处理的时间可以是但不限于例如约1分钟至72小时,并且可以根据需要进行改变。此外,对聚合物薄膜的热处理的温度可以是例如约100℃至250℃,但可以通过考虑本文中使用的嵌段共聚物来改变。
在另一个实例中,形成的层可以在非极性溶剂和/或极性溶剂中在室温下退火约1分钟至72小时。
此外,制造本申请的图案化基底的方法可以另外包括从形成于如上所述沟槽中的膜的自组装嵌段共聚物中选择性地移除任一嵌段。例如,当嵌段共聚物包含上述第一嵌段和第二嵌段时,该方法可以包括从嵌段共聚物中选择性移除第一嵌段或第二嵌段。通过这样的处理,例如,如图3所示,只有未被选择性移除的嵌段(B)可存在于沟槽中。制造图案化基底的方法还可以包括在从嵌段共聚物中选择性移除任一或更多嵌段之后蚀刻基底。
在该方法中,选择性移除嵌段共聚物的任一嵌段的方法没有特别限制,例如可以使用通过用当合适的电磁波如紫外(UV)线照射聚合物膜而移除相对软的嵌段的方法。在这种情况下,UV照射的条件可以通过嵌段共聚物的嵌段的类型来确定,例如UV照射可以通过施用波长为约254nm的UV线1至60分钟来进行。
此外,在UV照射之后,可以通过用酸处理聚合物膜进行由UV线降解的链段的移除。
此外,使用从其选择性地移除嵌段的聚合物膜作为掩模的基底的蚀刻没有特别限制,可以通过使用CF4/Ar离子的反应离子蚀刻进行。在该方法中,还可以通过氧等离子体处理来进行从基底移除聚合物膜。
有益效果
根据本发明,提供了制造图案化基底的方法。该方法可以应用于制造器件如电子器件和集成电路的过程,或者应用于另一些用途例如制造集成光学***、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头或有机发光二极管;并且该方法可用于在用来制造离散磁道介质如集成电路、位元图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的表面上构造图案。
附图说明
图1示出了具有沟槽的基底的示例性实例。
图2示意性地示出了自组装聚合物形成于基底的沟槽中。
图3示意性地示出了选择性地移除了自组装嵌段共聚物的任一嵌段。
图4是实施例1中形成的自组装聚合物膜的图像。
具体实施方式
下文中,将参照根据本申请的实施例进一步详细的描述本申请,但本申请的范围不限于以下实施例。
1.NMR分析
NMR分析使用包括具有三重共振5mm探针的Varian Unity Inova(500MHz)波谱仪的NMR波谱仪在室温下进行。用溶剂(CDCl3)稀释用于分析的对象以在约10mg/ml的浓度下测量NMR,并且以ppm表示化学位移。
<缩写>
br=宽信号,s=单峰,d=双重峰,dd=两个双重峰,t=三重峰,dt=两个三重峰,q=四重峰,p=五重峰,m=多重峰。
2.凝胶渗透色谱法(GPC)
通过GPC测量数均分子量(Mn)和分子量分布。将用于分析的对象例如实施例或比较例的嵌段共聚物或大分子引发剂放入5ml小瓶,并用四氢呋喃(THF)稀释以具有约1mg/mL的浓度。之后,在通过注射器过滤器(孔尺寸:0.45μm)后测量用于校准的标准物样品和用于分析的样品。作为分析程序,使用由Agilent technologies生产的ChemStation,并且将用于样品的洗脱时间与校准曲线进行比较,从而获得重均分子量(Mw)和数均分子量(Mn),并且使用比(Mw/Mn)计算多分散指数(PDI)。用于测量GPC的条件如下。
<用于测量GPC的条件>
装置:由Agilent technologies生产的1200系列
柱:由Polymer laboratories生产的两个PLgel mixed B
溶剂:THF
柱温度:35℃
样品浓度:1mg/mL,200L注射
标准物样品:聚苯乙烯(Mp:3900000、723000、316500、52200、31400,7200、3940、485)
3.XRD分析方法
XRD分析如下进行:通过使用Pohang光源4C光束线用X射线照射样品,根据散射矢量(q)测量散射强度。作为样品,如下获得粉末型嵌段共聚物:对合成的未经特殊预处理的嵌段共聚物进行纯化,并且在真空烘箱中将所述嵌段共聚物干燥约1天,并将其放入用于XRD测量的单元中。在XRD图案分析中,使用垂直尺寸为0.023mm且水平尺寸为0.3mm的X射线,并且使用2D marCCD作为检测器。通过散射获得的2D衍射图案为获得的图像。通过使用最小二乘法的数值分析法分析获得的衍射图案,从而获得诸如散射矢量和FWHM的信息。对于所述分析,应用origin程序,将XRD衍射图案中显示出最小强度的部分设为基线以使其强度为0,通过高斯拟合来拟合XRD图案峰的轮廓,并且由拟合结果获得散射矢量和FWHM。在高斯拟合中,将R平方设为至少0.96或更大。
4.表面能的测量
使用液滴形状分析仪(DSA100,KRUSS)测量表面能。通过用氟苯以约2重量%的固含量浓度稀释用于检测的材料(聚合物)来制备涂覆溶液,并且通过旋涂将制备的涂覆溶液涂敷在硅晶片上以具有约50nm的厚度和4cm2的涂覆面积(宽度:2cm,长度:2cm)。将涂层在室温下干燥约1小时,然后在约160℃下热退火约1小时。将具有已知表面张力的去离子水滴在进行热退火的膜上,并且通过重复测量接触角五次获得五个接触角的平均值。同样,将具有已知表面张力的二碘甲烷滴在进行热退火的膜上,并且通过重复测量接触角五次获得五个接触角的平均值。如下获得表面能:使用获得的去离子水和二碘甲烷的接触角的平均值通过Owens-Wendt-Rabel-Kaelble法代替对于溶剂的表面张力的Strom值。通过将上述方法应用于只使用用于形成所述嵌段的单体而制备的均聚物,获得嵌段共聚物的各个嵌段的表面能的值。
5.体积分数的测量
嵌段共聚物的各嵌段的体积分数基于嵌段的在室温下测量的密度和通过GPC测量的分子量来计算。此处,密度通过浮力法测定,具体而言,是在放入在空气中具有已知重量和密度的溶剂(乙醇)之后,基于用于分析的样品的重量计算的。
制备例1.单体(A)的合成
通过以下方法合成式A的化合物(DPM-C12)。将氢醌(10.0g,94.2mmol)和1-溴十二烷(23.5g,94.2mmol)放入250mL烧瓶中,溶解于100mL乙腈中,用过量的碳酸钾处理以使其在氮气条件下于75℃下反应约48小时。在反应后,过滤以除去剩余碳酸钾,并且也除去反应中使用的乙腈。此处,添加二氯甲烷(DCM)和水的混合溶剂以进行后处理,并且用MgSO4对经分离的有机层脱水。因而,使用DCM通过柱色谱法以约37%的收率获得白色固体产物(4-十二烷氧基苯酚;9.8g,35.2mmol)。
<NMR分析结果>
1H-NMR(CDCl3):d6.77(dd,4H);d4.45(s,1H);d3.89(t,2H);d1.75(p,2H);d1.43(p,2H);d1.33-1.26(m,16H);d0.88(t,3H).
将合成的4-十二烷氧基苯酚(9.8g,35.2mmol)、甲基丙烯酸(6.0g,69.7mmol)、二环己基碳二亚胺(DCC;10.8g,52.3mmol)和对二甲基氨基吡啶(DMAP;1.7g,13.9mmol)放入烧瓶中,并用120mL二氯甲烷处理以使其在氮气下于室温下反应24小时。在反应完成后,使用过滤器除去反应中产生的盐(尿素盐),并且也除去剩余的二氯甲烷。使用己烷和二氯甲烷(DCM)作为移动相通过柱色谱法除去残余物,然后使其产物在甲醇和水的混合溶剂(1:1混合物)中重结晶,从而获得收率为63%的白色固体产物(7.7g,22.2mmol)。
<NMR分析结果>
1H-NMR(CDCl3):d7.02(dd,2H);d6.89(dd,2H);d6.32(dt,1H);d5.73(dt,1H);d3.94(t,2H);d2.05(dd,3H);d1.76(p,2H);d1.43(p,2H);1.34-1.27(m,16H);d0.88(t,3H).
[式A]
在式A中,R为具有12个碳原子的线性烷基。
制备例2.单体(B)的合成
通过根据制备例1的方法合成式B的化合物,不同之处在于:使用1-溴辛烷代替1-溴十二烷。对该化合物的NMR分析结果示出如下。
<NMR分析结果>
1H-NMR(CDCl3):d7.02(dd,2H);d6.89(dd,2H);d6.32(dt,1H);d5.73(dt,1H);d3.94(t,2H);d2.05(dd,3H);d1.76(p,2H);d1.45(p,2H);1.33-1.29(m,8H);d0.89(t,3H).
[式B]
在式B中,R是具有8个碳原子的线性烷基。
制备例3.单体(C)的合成
通过根据制备例1的方法合成式C的化合物,不同之处在于使用1-溴癸烷代替1-溴十二烷。该化合物的NMR分析结果如下所示。
<NMR分析结果>
1H-NMR(CDCl3):d7.02(dd,2H);d6.89(dd,2H);d6.33(dt,1H);d5.72(dt.1H);d3.94(t,2H);d2.06(dd,3H);d1.77(p,2H);d1.45(p,2H);1.34-1.28(m,12H);d0.89(t,3H).
[式C]
在式C中,R是具有10个碳原子的线性烷基。
制备例4.单体(D)的合成
通过根据制备例1的方法合成式D的化合物,不同之处在于:使用1-溴十四烷代替1-溴十二烷。对该化合物的NMR分析结果示出如下。
<NMR分析结果>
1H-NMR(CDCl3):d7.02(dd,2H);d6.89(dd,2H);d6.33(dt,1H);d5.73(dt,1H);d3.94(t,2H);d2.05(dd,3H);d1.77(p,2H);d1.45(p,2H);1.36-1.27(m,20H);d0.88(t,3H.)
[式D]
在式D中,R为具有14个碳原子的线性烷基。
制备例5.单体(E)的合成
通过根据制备例1的方法合成式E的化合物,不同之处在于:使用1-溴十六烷代替1-溴十二烷。对该化合物的NMR分析结果示出如下。
<NMR分析结果>
1H-NMR(CDCl3):d7.01(dd,2H);d6.88(dd,2H);d6.32(dt,1H);d5.73(dt,1H);d3.94(t,2H);d2.05(dd,3H);d1.77(p,2H);d1.45(p,2H);1.36-1.26(m,24H);d0.89(t,3H)
[式E]
在式E中,R为具有16个碳原子的线性烷基。
制备例6.嵌段共聚物的合成
将2.0g制备例1的单体(A)、64mg可逆加成断裂链转移(RAFT)试剂、氰基异丙基二硫代苯甲酸酯、23mg自由基引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)、和5.34ml苯放入10mL Schlenk烧瓶中,并且在氮气氛下于室温下搅拌30分钟以使RAFT聚合反应在70℃下进行4小时。在聚合后,使反应溶液在250ml作为萃取溶剂的甲醇中沉淀,并对其通过减压过滤进行干燥,由此制备粉色大分子引发剂。大分子引发剂的收率为约82.6重量%,并且所述大分子引发剂的数均分子量(Mn)和分子量分布(Mw/Mn)分别为9000和1.16。将0.3g大分子引发剂、2.7174g五氟苯乙烯单体、和1.306ml苯放入10mL Schlenk烧瓶中,并且在氮气氛下于室温下搅拌30分钟以使RAFT聚合反应在115℃下进行4小时。在聚合后,使反应溶液在250ml作为萃取溶剂的甲醇中沉淀,并对其通过减压过滤进行干燥,由此制备浅粉色嵌段共聚物。嵌段共聚物的收率为约18重量%,并且所述嵌段共聚物的数均分子量(Mn)和分子量分布(Mw/Mn)分别为16300和1.13。所述嵌段共聚物包含衍生自制备例1的单体(A)的第一嵌段和衍生自五氟苯乙烯单体的第二嵌段。
制备例7.嵌段共聚物的合成
通过根据制备例6的方法使用大分子引发剂和五氟苯乙烯作为单体制备嵌段共聚物,不同之处在于:使用制备例2的单体(B)代替制备例1的单体(A)。所述嵌段共聚物包含衍生自制备例2的单体(B)的第一嵌段和衍生自五氟苯乙烯单体的第二嵌段。
制备例8.嵌段共聚物的合成
通过根据制备例6的方法使用大分子引发剂和五氟苯乙烯作为单体制备嵌段共聚物,不同之处在于:使用制备例3的单体(C)代替制备例1的单体(A)。所述嵌段共聚物包含衍生自制备例3的单体(C)的第一嵌段和衍生自五氟苯乙烯单体的第二嵌段。
制备例9.嵌段共聚物的合成
通过根据制备例6的方法使用大分子引发剂和五氟苯乙烯作为单体制备嵌段共聚物,不同之处在于:使用制备例4的单体(D)代替制备例1的单体(A)。所述嵌段共聚物包含衍生自制备例4的单体(D)的第一嵌段和衍生自五氟苯乙烯单体的第二嵌段。
制备例10.嵌段共聚物的合成
通过根据制备例6的方法使用大分子引发剂和五氟苯乙烯作为单体制备嵌段共聚物,不同之处在于:使用制备例5的单体(E)代替制备例1的单体(A)。所述嵌段共聚物包含衍生自制备例5的单体(E)的第一嵌段和衍生自五氟苯乙烯单体的第二嵌段。
上述制备例中制备的大分子引发剂和嵌段共聚物的GPC结果总结并列于表1中。
[表1]
实验例1.X-射线衍射分析
通过上述方法分析嵌段共聚物的XRD图案的结果总结并列于表2中。
[表2]
实验例2.嵌段共聚物的物理特性评估
通过上述方法评估制备例6至10中制备的嵌段共聚物的特性的结果总结并列于表3中。
[表3]
实施例1
聚合物膜通过用氧等离子体处理铜基底并将制备例6的嵌段共聚物施用至基底上来形成。将氧等离子体以约90W的RF功率、约70sccm的氧流量和约120毫托的工艺压力施用至铜基底的表面。将制备例6的嵌段共聚施用至由此形成而没有单独处理如形成中性层的经氧等离子体处理的层,从而形成聚合物膜。特别地,旋涂通过用甲苯以1.5重量%的固含量稀释嵌段共聚物制备的涂覆溶液,在室温下干燥约1小时,并在约160℃至250℃下热退火约1小时,从而形成自组装膜。自组装膜的SEM图像示于图4,这表明形成了合适的自组装结构。
实施例2
形成与实施例1中形成的相同的自组装聚合物膜,不同之处在于使用制备例7的嵌段共聚物代替制备例6的嵌段共聚物。从SEM图像可以看出,示出了形成合适的自组装结构,如实施例1所述。
实施例3
形成与实施例1中形成的相同的自组装聚合物膜,不同之处在于使用制备例8的嵌段共聚物代替制备例6的嵌段共聚物。从SEM图像可以看出,示出了形成合适的自组装结构,如实施例1所述。
实施例4
形成与实施例1中形成的相同的自组装聚合物膜,不同之处在于使用制备例9的嵌段共聚物代替制备例6的嵌段共聚物。从SEM图像可以看出,示出了形成合适的自组装结构,如实施例1所述。
实施例5
形成与实施例1中形成的相同的自组装聚合物膜,不同之处在于使用制备例10的嵌段共聚物代替制备例6的嵌段共聚物。从SEM图像可以看出,示出了形成合适的自组装结构,如实施例1所述。
Claims (18)
1.一种制造图案化基底的方法,包括:
形成包含嵌段共聚物的聚合物膜,在所述嵌段共聚物中自组装结构定向于经氧等离子体处理的基底的表面上,
其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和化学结构不同于所述第一嵌段的第二嵌段,
其中所述第一嵌段包含环结构,并且在所述环结构中取代有侧链,所述环结构不包含卤原子,
其中所述第二嵌段包含环结构,并且在所述环结构中取代有卤原子,
其中所述自组装结构包含垂直取向的嵌段共聚物而在所述基底的所述表面上不形成中性刷涂层,
其中所述嵌段共聚物的所述第一嵌段包含具有由式1表示的单元的嵌段:
[式1]
在式1中,R是氢或烷基,X是单键、氧原子、硫原子、-S(=O)2-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C(=O)-X1-或-X1-C(=O)-,其中X1是氧原子、硫原子、-S(=O)2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基,并且Y由式2表示:
[式2]
-P-Q-Z
在式2中,P是亚芳基或亚环烷基,Q是单键、氧原子或-NR3-,其中R3是氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基或芳基,当P是亚芳基时,Z是具有三个或更多个成链原子的链,或者当P是亚环烷基时,Z是具有8个或更多个成链原子的链,
其中所述第一嵌段的体积分数为0.2至0.6,并且所述第二嵌段的体积分数为0.4至0.8。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述基底是金属基底。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述基底包含选自以下的一种或更多种金属:金、铜、钛、镍、银、铝、锗、钨、锡、锑、铟、镉、钯、铅和铂,或者所述一种或更多种金属的氧化物、氮化物或硫化物。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述氧等离子体以30W至2000W的RF功率、5毫托至300毫托的工艺压力和20sccm至100sccm的氧流量施用。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述聚合物膜形成为与所述经氧等离子体处理的基底的所述表面接触。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述自组装结构是层状结构。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一嵌段示出了在GIWAXS光谱的12nm-1至16nm-1的散射矢量的衍射图案的-90度至-70度方位角处和70度至90度方位角处的峰。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一嵌段通过差示扫描量热法分析示出了-80℃至200℃范围内的熔融转变峰或各向同性转变峰。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一嵌段通过XRD分析示出了在0.5nm-1至10nm-1的散射矢量范围内半峰全宽为0.2nm-1至0.9nm-1的峰。
10.根据权利要求1所述的方法,所述侧链的成链原子数目和通过在所述第一嵌段上进行的XRD分析获得的散射矢量满足方程式2:
[方程式2]
3nm-1至5nm-1=nq/(2×π)
在方程式2中,n为所述侧链的成链原子数目,q是其中通过在包含所述侧链的嵌段上进行的XRD分析显示出峰的最小散射矢量,或显示出具有最大峰面积的峰的散射矢量。
11.根据权利要求1所述的方法,所述第一嵌段与所述第二嵌段之间的表面能之差的绝对值为10mN/m或更小。
12.根据权利要求1所述的方法,所述第一嵌段与所述第二嵌段之间的密度之差的绝对值为0.25g/cm3或更大。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述嵌段共聚物的第二嵌段包含3个或更多个卤原子。
14.根据权利要求1所述的方法,其中式2的P是具有6至12个碳原子的亚芳基。
17.根据权利要求1所述的方法,还包括:
选择性地移除形成自组装结构的所述嵌段共聚物的任一嵌段。
18.根据权利要求17所述的方法,还包括:
在选择性地移除所述嵌段共聚物的任一嵌段之后蚀刻所述基底。
Applications Claiming Priority (27)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0131964 | 2014-09-30 | ||
KR20140131964 | 2014-09-30 | ||
KR10-2014-0175406 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175400 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175414A KR101780100B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175412 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175402A KR101832025B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 단량체 및 블록 공중합체 |
KR1020140175411A KR101762487B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175402 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175413 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175401A KR101763008B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175415 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175407 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175410 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175410A KR101768290B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020140175415A KR101780101B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020140175400A KR101780097B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020140175412A KR101768291B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175414 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175413A KR101780099B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175411 | 2014-12-08 | ||
KR10-2014-0175401 | 2014-12-08 | ||
KR1020140175406A KR101780098B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020140175407A KR101763010B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR1020150079469A KR20160038702A (ko) | 2014-09-30 | 2015-06-04 | 패턴화 기판의 제조 방법 |
KR10-2015-0079469 | 2015-06-04 | ||
PCT/KR2015/010330 WO2016053007A1 (ko) | 2014-09-30 | 2015-09-30 | 패턴화 기판의 제조 방법 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107077066A CN107077066A (zh) | 2017-08-18 |
CN107077066B true CN107077066B (zh) | 2021-04-02 |
CN107077066B9 CN107077066B9 (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=55630958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580059713.8A Active CN107077066B9 (zh) | 2014-09-30 | 2015-09-30 | 制造图案化基底的方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10370529B2 (zh) |
EP (1) | EP3203497B1 (zh) |
JP (1) | JP6633062B2 (zh) |
CN (1) | CN107077066B9 (zh) |
WO (1) | WO2016053007A1 (zh) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015084126A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084125A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
EP3078692B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN105899556B (zh) | 2013-12-06 | 2019-04-19 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
US10087276B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-02 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN105916904B (zh) | 2013-12-06 | 2018-11-09 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
EP3078689B1 (en) | 2013-12-06 | 2020-12-02 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227437B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP6361893B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2018-07-25 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
EP3078694B1 (en) * | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN105899557B (zh) * | 2013-12-06 | 2018-10-26 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
EP3078693B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN105980342B (zh) | 2013-12-06 | 2019-02-15 | 株式会社Lg化学 | 单体和嵌段共聚物 |
JP6347356B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-06-27 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
EP3202802B1 (en) * | 2014-09-30 | 2022-11-23 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10377894B2 (en) * | 2014-09-30 | 2019-08-13 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10287429B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3214102B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-05 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN107075052B (zh) | 2014-09-30 | 2020-05-29 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
EP3202797B1 (en) | 2014-09-30 | 2021-07-07 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10295908B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-21 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10633533B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-04-28 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
KR101946775B1 (ko) | 2016-11-30 | 2019-02-12 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
CN109996840B (zh) | 2016-11-30 | 2022-03-29 | 株式会社Lg化学 | 聚合物组合物 |
US11174360B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-11-16 | Lg Chem, Ltd. | Laminate for patterned substrates |
KR102191611B1 (ko) * | 2017-09-13 | 2020-12-15 | 주식회사 엘지화학 | 패턴화 기판의 제조 방법 |
KR20200034020A (ko) | 2018-09-12 | 2020-03-31 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 및 그의 제어 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101837950A (zh) * | 2010-05-24 | 2010-09-22 | 山东大学 | 两嵌段共聚物直接组装纳米结构的装置和方法 |
CN101977839A (zh) * | 2008-03-21 | 2011-02-16 | 美光科技公司 | 以离子性液体改良嵌段共聚物膜自组装的长程有序的方法 |
WO2014050905A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成用自己組織化組成物、それを用いたブロックコポリマーの自己組織化によるパターン形成方法、及びパターン |
Family Cites Families (157)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE576615A (zh) | 1958-03-13 | |||
US3976672A (en) | 1974-12-26 | 1976-08-24 | Uniroyal Inc. | (Hydrocarbylphenylsulfonyl)alkyltrimethylstannanes |
DE3230516C3 (de) | 1981-08-20 | 2000-09-14 | Mitsubishi Petrochemical Co | Verfahren zur Herstellung eines Vernetzungsprodukts |
AU603489B2 (en) | 1987-10-08 | 1990-11-15 | Idemitsu Kosan Company Limited | Styrenic polymer and process for its production |
JPH01260360A (ja) | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 逆相クロマトグラフィー用充填剤 |
US5115056A (en) | 1989-06-20 | 1992-05-19 | Ciba-Geigy Corporation | Fluorine and/or silicone containing poly(alkylene-oxide)-block copolymers and contact lenses thereof |
ATE138668T1 (de) | 1990-11-21 | 1996-06-15 | Idemitsu Kosan Co | Styrol-copolymer und seine herstellung |
US5234604A (en) | 1991-02-26 | 1993-08-10 | Betz Laboratories, Inc. | Water soluble block copolymers and methods of use therof |
JP3121116B2 (ja) | 1992-05-21 | 2000-12-25 | 出光興産株式会社 | スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法 |
JPH0665333A (ja) | 1992-08-21 | 1994-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単分散性共重合体及びその製造方法 |
US5728431A (en) | 1996-09-20 | 1998-03-17 | Texas A&M University System | Process for forming self-assembled polymer layers on a metal surface |
US5783614A (en) | 1997-02-21 | 1998-07-21 | Copytele, Inc. | Polymeric-coated dielectric particles and formulation and method for preparing same |
JP3392687B2 (ja) | 1997-02-21 | 2003-03-31 | 信越化学工業株式会社 | ブロック−グラフト共重合体およびこれを用いて作製した高分子固体電解質 |
JP3396390B2 (ja) | 1997-03-04 | 2003-04-14 | 信越化学工業株式会社 | ブロック−グラフト共重合体およびこれを用いて作製した自己架橋型高分子固体電解質並びにその製造方法 |
JP3569612B2 (ja) | 1997-07-25 | 2004-09-22 | 信越化学工業株式会社 | ブロック−グラフト共重合体およびこれを用いて作製した自己架橋型高分子固体電解質ならびにその製造方法 |
CA2265345A1 (en) | 1998-03-25 | 1999-09-25 | The Lubrizol Corporation | Vinyl aromatic-(vinyl aromatic-co-acrylic) block copolymers prepared by stabilized free radical polymerization |
JP4132265B2 (ja) | 1998-08-04 | 2008-08-13 | 株式会社クラレ | ブロック共重合体およびその成形品 |
EP1141056B1 (en) | 1998-12-30 | 2010-08-25 | Lubrizol Advanced Materials, Inc. | Branched/block copolymers for treatment of keratinous substrates |
CA2352155A1 (en) | 1998-12-31 | 2000-07-13 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Pigment composition containing atrp polymers |
JP4288440B2 (ja) | 1999-01-29 | 2009-07-01 | 信越化学工業株式会社 | 架橋型高分子固体電解質の製造方法 |
JP4458213B2 (ja) | 1999-01-29 | 2010-04-28 | 信越化学工業株式会社 | 架橋型高分子固体電解質の製造方法 |
JP2000300682A (ja) | 1999-04-23 | 2000-10-31 | Hisamitsu Pharmaceut Co Inc | イオントフォレーシス用デバイス |
JP2012036078A (ja) | 1999-06-07 | 2012-02-23 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
US6314225B1 (en) | 1999-11-23 | 2001-11-06 | Corning Incorporated | Halogen and perhalo-organo substituted N-phenyl (or biphenyl) maleimide |
JP2001294617A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プロトン導電性高分子電解質 |
FR2809829B1 (fr) | 2000-06-05 | 2002-07-26 | Rhodia Chimie Sa | Nouvelle composition photosensible pour la fabrication de photoresist |
JP4625901B2 (ja) | 2000-11-08 | 2011-02-02 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | シンジオタクチック芳香族ビニル系ブロック共重合体およびその製造方法 |
US6486257B1 (en) | 2001-04-10 | 2002-11-26 | University Of Akron | Block copolymers of lactone and lactam, compatabilizing agents, and compatibilized polymer blends |
KR100425243B1 (ko) | 2001-11-14 | 2004-03-30 | 주식회사 엘지화학 | 선형의 블록 공중합체의 제조방법 |
US20030143343A1 (en) | 2001-12-19 | 2003-07-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Wall-structured body and process for manufacturing the same |
US8362151B2 (en) | 2002-05-31 | 2013-01-29 | Elsicon, Inc. | Hybrid polymer materials for liquid crystal alignment layers |
JP2004026688A (ja) | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Asahi Glass Co Ltd | ポリフルオロアルキル基含有重合性化合物およびその重合体 |
AU2003242731A1 (en) | 2002-07-01 | 2004-01-19 | Merck Patent Gmbh | Polymerizable, luminescent compounds and mixtures, luminescent polymer materials and their use |
CA2489168A1 (en) | 2002-07-03 | 2004-01-15 | The Procter & Gamble Company | Radiation curable low stress relaxation elastomeric materials |
US7750059B2 (en) | 2002-12-04 | 2010-07-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure |
US8036960B2 (en) * | 2003-02-12 | 2011-10-11 | Emars, Inc. | System and method for coordinating the collection, analysis and storage of payroll information provided to government agencies by government contractors |
JP4147143B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2008-09-10 | 電気化学工業株式会社 | ブロック共重合体及び樹脂組成物 |
JP4300902B2 (ja) | 2003-06-23 | 2009-07-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ブロック共重合体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び光源 |
JP2005097442A (ja) | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Ube Ind Ltd | パターン表面とその製造方法 |
JP4453814B2 (ja) | 2003-11-12 | 2010-04-21 | Jsr株式会社 | 重合性化合物および混合物ならびに液晶表示素子の製造方法 |
US8061533B2 (en) * | 2004-03-19 | 2011-11-22 | University Of Tennessee Research Foundation | Materials comprising polydienes and hydrophilic polymers and related methods |
JP4604743B2 (ja) | 2005-02-01 | 2011-01-05 | セイコーエプソン株式会社 | 機能性基板の製造方法、機能性基板、微細パターンの形成方法、導電膜配線、電子光学装置および電子機器 |
US7341788B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-03-11 | International Business Machines Corporation | Materials having predefined morphologies and methods of formation thereof |
JP2007070453A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Nippon Soda Co Ltd | ブロック共重合体の製造方法 |
JP5014605B2 (ja) | 2005-09-14 | 2012-08-29 | ライオン株式会社 | 易洗浄性皮膜形成用組成物 |
CN101361170B (zh) | 2005-11-14 | 2010-06-16 | 国立大学法人东京工业大学 | 纳米多孔基板及其制造方法 |
US7538159B2 (en) | 2005-12-16 | 2009-05-26 | Bridgestone Corporation | Nanoparticles with controlled architecture and method thereof |
US20070166648A1 (en) | 2006-01-17 | 2007-07-19 | International Business Machines Corporation | Integrated lithography and etch for dual damascene structures |
JP2007246600A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 自己組織化高分子膜材料、自己組織化パターン、及びパターン形成方法 |
US8193285B2 (en) | 2006-05-16 | 2012-06-05 | Nippon Soda Co., Ltd. | Block copolymers |
JP5340530B2 (ja) | 2006-09-01 | 2013-11-13 | リンテック株式会社 | ミクロ相分離構造物の製造方法 |
DE112006004092T5 (de) | 2006-10-23 | 2009-08-13 | Cynthia Trempel Batchelder | Vorrichtung und Verfahren zum Messen von Oberflächenenergien |
KR100810682B1 (ko) | 2006-11-08 | 2008-03-07 | 제일모직주식회사 | 전도성 고분자 중합체, 전도성 고분자 공중합체 조성물,전도성 고분자 공중합체 조성물막, 및 이를 이용한 유기광전 소자 |
JP2008150470A (ja) | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Sumitomo Chemical Co Ltd | プロピレン系ブロック共重合体 |
US7964107B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-06-21 | Micron Technology, Inc. | Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning |
JP5546719B2 (ja) | 2007-03-28 | 2014-07-09 | 日東電工株式会社 | ミクロ相分離構造を有する高分子体の製造方法ならびにミクロ相分離構造を有する高分子体 |
US8097175B2 (en) | 2008-10-28 | 2012-01-17 | Micron Technology, Inc. | Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure |
US8168213B2 (en) | 2007-05-15 | 2012-05-01 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical devices having coating with improved adhesion |
JP5332052B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2013-11-06 | シャープ株式会社 | レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 |
US8147914B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-04-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Orientation-controlled self-assembled nanolithography using a block copolymer |
US8714088B2 (en) | 2007-06-21 | 2014-05-06 | Fujifilm Corporation | Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method |
WO2009008252A1 (ja) | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Maruzen Petrochemical Co., Ltd. | Aba型トリブロック共重合体及びその製造方法 |
KR101291223B1 (ko) | 2007-08-09 | 2013-07-31 | 한국과학기술원 | 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
JP4403238B2 (ja) | 2007-09-03 | 2010-01-27 | 国立大学法人東京工業大学 | ミクロ相分離構造膜、及びその製造方法 |
JP5081560B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-11-28 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
CN101215362B (zh) | 2008-01-08 | 2010-08-25 | 厦门大学 | 一种具有低表面能的硅丙三嵌段共聚物及其制备方法 |
JP2009203439A (ja) | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | ブロック共重合体、ブロック共重合体組成物及びそれを含有する絶縁シート |
KR100935863B1 (ko) | 2008-07-02 | 2010-01-07 | 연세대학교 산학협력단 | 용매 어닐링과 디웨팅을 이용한 블록공중합체의 나노구조의패턴화방법 |
US8211737B2 (en) * | 2008-09-19 | 2012-07-03 | The University Of Massachusetts | Method of producing nanopatterned articles, and articles produced thereby |
US8518837B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-08-27 | The University Of Massachusetts | Method of producing nanopatterned articles using surface-reconstructed block copolymer films |
US8658258B2 (en) * | 2008-10-21 | 2014-02-25 | Aculon, Inc. | Plasma treatment of substrates prior to the formation a self-assembled monolayer |
JP2010116466A (ja) | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Nippon Oil Corp | ミクロ相分離構造膜、ナノ多孔質膜、およびそれらの製造方法 |
JP2010115832A (ja) | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Panasonic Corp | ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法 |
JP2010145158A (ja) | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | ミクロ相分離構造の確認方法 |
EP2199854B1 (en) | 2008-12-19 | 2015-12-16 | Obducat AB | Hybrid polymer mold for nano-imprinting and method for making the same |
KR101212672B1 (ko) | 2008-12-26 | 2012-12-14 | 제일모직주식회사 | 전도성 고분자, 전도성 고분자 조성물, 전도성 고분자 유기막 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
JP5399098B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-01-29 | 東ソー株式会社 | ブロック共重合体及びその製造方法 |
CN101492520A (zh) | 2009-03-04 | 2009-07-29 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 含有全氟环丁基芳基醚嵌段的两嵌段聚合物、制备方法及用途 |
JP5170456B2 (ja) | 2009-04-16 | 2013-03-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR101101767B1 (ko) | 2009-05-07 | 2012-01-05 | 한국과학기술원 | 코일―빗형 블록 공중합체 및 이를 이용한 나노 구조체의 제조방법 |
JP5679253B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2015-03-04 | 国立大学法人東京工業大学 | 自立性高分子薄膜 |
KR20110018678A (ko) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 연세대학교 산학협력단 | 기능성 말단기를 가진 폴리스티렌을 이용한 실린더 나노구조체의 수직배향 조절법 |
EP2330136B1 (en) | 2009-12-07 | 2013-08-28 | Borealis AG | Process for the preparation of an unsupported, solid metallocene catalyst system and its use in polymerization of olefins |
WO2011105822A2 (ko) | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 이화여자대학교 산학협력단 | 자기 조립 이중블록 공중합체와 졸-겔 공정을 이용한 산화아연 나노링 구조체의 제조방법 |
KR101238827B1 (ko) | 2010-03-12 | 2013-03-04 | 한국과학기술원 | 열안전성이 우수한 코어쉘 구조의 나노 입자 블록공중합체 복합체의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 열안전성이 우수한 코어쉘 구조의 나노 입자 블록공중합체 복합체 |
KR20110112501A (ko) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 한국과학기술원 | 높은 종횡비를 가지는 나노구조물 제조용 블록공중합체 및 그 제조방법 |
JP5505371B2 (ja) | 2010-06-01 | 2014-05-28 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP5598970B2 (ja) | 2010-06-18 | 2014-10-01 | 凸版印刷株式会社 | 微細構造体の製造方法、複合体 |
US8426691B2 (en) * | 2010-07-08 | 2013-04-23 | Monsanto Technology Llc | Soybean variety A1016011 |
KR101290057B1 (ko) | 2010-07-19 | 2013-07-26 | 주식회사 엘지화학 | 코팅성과 재코팅성이 우수한 열경화성 보호막 조성물 |
US8541162B2 (en) | 2010-09-01 | 2013-09-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | High resolution, solvent resistant, thin elastomeric printing plates |
JP2012093699A (ja) | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Canon Inc | エレクトロクロミック素子 |
JP5254381B2 (ja) | 2011-02-23 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
CN102172491B (zh) | 2011-03-09 | 2014-09-03 | 无锡市恒创嘉业纳米材料科技有限公司 | 一种含氟表面活性剂及其制备方法 |
US8760040B2 (en) | 2011-04-01 | 2014-06-24 | Korea Institute Of Science And Technology | Polymer blend composition and tunable actuators using the same |
CN103562245B (zh) | 2011-04-22 | 2015-11-25 | Lg化学株式会社 | 新的二嵌段共聚物、其制备方法以及使用其形成纳米图案的方法 |
US20130048488A1 (en) | 2011-08-29 | 2013-02-28 | Miasole | Impermeable PVD Target Coating for Porous Target Materials |
KR20140090595A (ko) | 2011-09-06 | 2014-07-17 | 코넬 유니버시티 | 블럭 공중합체 및 그것을 사용한 리소그래피 패턴화 |
WO2013040483A1 (en) | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Directed assembly of block copolymer films between a chemically patterned surface and a second surface |
US8691925B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-04-08 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Compositions of neutral layer for directed self assembly block copolymers and processes thereof |
JP5795221B2 (ja) | 2011-09-26 | 2015-10-14 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
WO2013069544A1 (ja) | 2011-11-09 | 2013-05-16 | Jsr株式会社 | パターン形成用自己組織化組成物及びパターン形成方法 |
JP6019524B2 (ja) | 2011-12-09 | 2016-11-02 | 国立大学法人九州大学 | 生体適合性材料、医療用具及び生体適合性材料の製造方法 |
US8697810B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Block copolymer and methods relating thereto |
JP2015507065A (ja) | 2012-02-10 | 2015-03-05 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | 高度xジブロックコポリマーの製造、精製及び使用 |
US20130209755A1 (en) | 2012-02-15 | 2013-08-15 | Phillip Dene Hustad | Self-assembled structures, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP6118573B2 (ja) | 2012-03-14 | 2017-04-19 | 東京応化工業株式会社 | 下地剤、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 |
JP2013219334A (ja) | 2012-03-16 | 2013-10-24 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | フィルム状モールドを用いた基板の製造方法及び製造装置 |
KR101891761B1 (ko) | 2012-04-06 | 2018-08-24 | 주식회사 동진쎄미켐 | 가이드 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 |
WO2013158527A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | Brewer Science Inc. | Silicon hardmask layer for directed self-assembly |
JP5710546B2 (ja) | 2012-04-27 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
WO2013160027A1 (en) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Methods and compositions for providing spaced lithography features on a substrate by self-assembly of block copolymers |
US9127113B2 (en) | 2012-05-16 | 2015-09-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Polystyrene-polyacrylate block copolymers, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP2014012807A (ja) | 2012-06-05 | 2014-01-23 | Asahi Kasei E-Materials Corp | パターン形成用樹脂組成物及びパターン形成方法 |
KR101529646B1 (ko) | 2012-09-10 | 2015-06-17 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체 |
KR101490405B1 (ko) | 2012-10-19 | 2015-02-06 | 주식회사 엘지화학 | 금속 나노와이어 또는 금속 나노메쉬의 금속 나노구조체의 형성 방법 |
JP6088800B2 (ja) | 2012-11-07 | 2017-03-01 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
US9223214B2 (en) | 2012-11-19 | 2015-12-29 | The Texas A&M University System | Self-assembled structures, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
CN102967918B (zh) | 2012-12-05 | 2014-12-31 | 河海大学常州校区 | 新型太阳能聚光碟片 |
WO2014090178A1 (en) | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Toray Advanced Materials Research Laboratories (China) Co., Ltd. | Multi-block copolymer and polymer electrolyte |
JP6194371B2 (ja) | 2013-02-14 | 2017-09-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ブロック共重合体の自己組織化により基板上に間隔をあけて配置されるリソグラフィフィーチャを提供する方法 |
JP6467121B2 (ja) | 2013-02-20 | 2019-02-06 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造を含む構造体の製造方法 |
JP6107216B2 (ja) | 2013-02-22 | 2017-04-05 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | コンピュータ、薬剤分包装置、およびその制御方法とプログラム。 |
JP6027912B2 (ja) | 2013-02-22 | 2016-11-16 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造を含む構造体の製造方法、及びパターン形成方法、並びにトップコート材料 |
JP2015000896A (ja) | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 富士フイルム株式会社 | 組成物ならびにそれを用いたミクロ相分離構造膜およびその製造方法 |
US9493593B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-11-15 | Lg Chem, Ltd. | Elastic diene terpolymer and preparation method thereof |
US9109067B2 (en) | 2013-09-24 | 2015-08-18 | Xerox Corporation | Blanket materials for indirect printing method with varying surface energies via amphiphilic block copolymers |
JP5764185B2 (ja) | 2013-11-22 | 2015-08-12 | 株式会社Joled | El表示装置 |
WO2015084126A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
EP3078689B1 (en) | 2013-12-06 | 2020-12-02 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN105916904B (zh) | 2013-12-06 | 2018-11-09 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
WO2015084125A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
EP3078692B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227437B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3078694B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN105980342B (zh) | 2013-12-06 | 2019-02-15 | 株式会社Lg化学 | 单体和嵌段共聚物 |
JP6347356B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-06-27 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
JP6361893B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-07-25 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
KR101768291B1 (ko) | 2013-12-06 | 2017-08-17 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
CN105899557B (zh) | 2013-12-06 | 2018-10-26 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
EP3078693B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN105899556B (zh) | 2013-12-06 | 2019-04-19 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
FR3014888B1 (fr) | 2013-12-13 | 2017-05-26 | Arkema France | Procede permettant la creation de structures nanometriques par l'auto-assemblage de copolymeres a blocs |
KR20150114633A (ko) | 2014-04-01 | 2015-10-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
US10377894B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-13 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10633533B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-04-28 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
EP3202797B1 (en) | 2014-09-30 | 2021-07-07 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3214102B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-05 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10295908B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-21 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN107075055B (zh) | 2014-09-30 | 2019-08-27 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
KR101835092B1 (ko) | 2014-09-30 | 2018-04-19 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
CN107075052B (zh) | 2014-09-30 | 2020-05-29 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
EP3202802B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-11-23 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287429B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3296335B1 (en) | 2015-06-04 | 2021-02-24 | LG Chem, Ltd. | Laminate with neutral layer composition |
-
2015
- 2015-09-30 US US15/514,929 patent/US10370529B2/en active Active
- 2015-09-30 CN CN201580059713.8A patent/CN107077066B9/zh active Active
- 2015-09-30 EP EP15846126.9A patent/EP3203497B1/en active Active
- 2015-09-30 WO PCT/KR2015/010330 patent/WO2016053007A1/ko active Application Filing
- 2015-09-30 JP JP2017517268A patent/JP6633062B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101977839A (zh) * | 2008-03-21 | 2011-02-16 | 美光科技公司 | 以离子性液体改良嵌段共聚物膜自组装的长程有序的方法 |
CN101837950A (zh) * | 2010-05-24 | 2010-09-22 | 山东大学 | 两嵌段共聚物直接组装纳米结构的装置和方法 |
WO2014050905A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成用自己組織化組成物、それを用いたブロックコポリマーの自己組織化によるパターン形成方法、及びパターン |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3203497A1 (en) | 2017-08-09 |
JP2018502437A (ja) | 2018-01-25 |
EP3203497B1 (en) | 2023-11-29 |
JP6633062B2 (ja) | 2020-01-22 |
CN107077066B9 (zh) | 2021-05-14 |
WO2016053007A1 (ko) | 2016-04-07 |
CN107077066A (zh) | 2017-08-18 |
US20170210938A1 (en) | 2017-07-27 |
EP3203497A4 (en) | 2018-10-24 |
US10370529B2 (en) | 2019-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107077066B (zh) | 制造图案化基底的方法 | |
CN107078026B (zh) | 图案化基底的制备方法 | |
TWI577703B (zh) | 製造圖案化基材之方法 | |
CN107075052B (zh) | 嵌段共聚物 | |
CN107075054B (zh) | 嵌段共聚物 | |
CN107075055B (zh) | 嵌段共聚物 | |
CN107075028B (zh) | 嵌段共聚物 | |
JP6451966B2 (ja) | ブロック共重合体 | |
TWI596119B (zh) | 嵌段共聚物 | |
CN110023384B (zh) | 层合体 | |
CN110023383B (zh) | 层合体 | |
CN110024081B (zh) | 图案化基底的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CI03 | Correction of invention patent |
Correction item: Description Correct: Specification submitted on June 16, 2020 False: Specification submitted on May 3, 2017 Number: 14-02 Page: ?? Volume: 37 |
|
CI03 | Correction of invention patent |