JP5332052B2 - レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5332052B2 JP5332052B2 JP2007146396A JP2007146396A JP5332052B2 JP 5332052 B2 JP5332052 B2 JP 5332052B2 JP 2007146396 A JP2007146396 A JP 2007146396A JP 2007146396 A JP2007146396 A JP 2007146396A JP 5332052 B2 JP5332052 B2 JP 5332052B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- layer
- altered
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 44
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N hydrochloric acid Substances Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
- G03F7/343—Lamination or delamination methods or apparatus for photolitographic photosensitive material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、半導体ウェハ、液晶パネルの基板、電子回路基板など、レジストを用いてパターン形成を行う基板において、パターン形成後のレジストを基板から除去する方法及び装置に関する。
上記した各種基板のうち、半導体ウェハを例にとり製造工程を説明すると、基板表面に化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）、酸化法あるいはスパッタリング法などで薄膜（酸化膜）を形成し、その薄膜上にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像処理してレジストのパターンを形成する。そのレジストパターンを保護膜としてエッチングを行い、不要な薄膜を除去した後、イオン注入を行う。イオン注入後、不要となったレジストを除去するのであるが、従来の除去方法では、酸（例えば硫酸）と過酸化物の混合液、あるいは有機溶剤など、種々の薬液でレジストを分解または溶解して除去するのが一般的であった。高濃度のイオン注入により甚だしく変質し、薬液のみでは除去できないレジストについては、低圧プラズマアッシング処理を併用することもあった。
薬液によるレジスト除去は、薬液の管理に十分な注意を払う必要がある。薬液として硫酸などの強酸を使用するケースでは、薬液自体が危険物であるため、安全に作業を行い、安全に管理を行うため、特に配慮が必要である。また使用後の薬液の廃液処理も、それによる環境汚染を考えた場合、厄介な問題である。そのため、安全性や環境保全の見地から、薬液を使用しないレジスト除去が望まれている。
薬液を使用しないレジスト除去の一例として、オゾン（Ｏ3）を用いる方法がある。これは、オゾンガスやオゾン溶解液に基板を曝してレジストを酸化分解させるものであり、廃液の処理が容易で、安全性の確保、環境保全といった要請に十分応えられる。
しかしながら、オゾンによるレジスト除去には時間がかかる。時間がかかるばかりでなく、熱重合や架橋反応などによりレジストが極度に変質していると、オゾンの洗浄作用では力不足で、全く除去できないこともある。そこで、レジスト除去手法をいくつか組み合わせ、薬液不使用という枠組みを守りつつ、除去能力を高めようとする種々の提案がなされている。
特許文献１に記載の方法では、大気圧近傍の圧力下で、プラズマ処理した処理ガスをレジストに照射し、そのレジストにスチームを接触させ、基板からレジストを剥離させて除去する。
特許文献２に記載の方法では、ドライアッシングの後、基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウェット剥離する。
特許文献３に記載の方法では、第１の圧力におけるプラズマ処理によりレジストの表面変質層を除去し、その後、第１の圧力よりも高い第２の圧力におけるプラズマ処理でレジストの未変質部を除去する。
特許文献４に記載の方法では、プラズマ処理でレジストをアッシングして除去した後、より高い温度のアッシングでドーパントを含む残渣を除去する。
特開２００６−４９７１２号公報
特開２００２−３５３１９６号公報
特開２００５−２３６０１２号公報
特開２０００−２８６２４８号公報
上記従来型の薬液不使用レジスト除去方法は、次の点で満足できるものではなかった。特許文献１記載の方法では、イオン注入によりレジスト表面に形成された変質層の表面改質ができず、改質できたとしても多大の時間を要する。そのため、後の分解が進まず、実用的な時間ではレジスト除去を完了できず、後処理が必要になる。特許文献２記載の方法では、ドライアッシングの熱でレジストが変質し、残留しやすくなる。また、オゾン水活性化のための紫外線発生装置が必要となる。特許文献３記載の方法では、低圧プラズマ処理後の残渣除去に高圧プラズマ処理を行う際、フッ素を含む環境負荷の大きなガスの添加が必要である。
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、薬液を使用せず、環境に与える影響の小さいレジスト除去方法及び装置であって、表面が変質したレジストの基板からの除去を、実用的、合理的に実現できるものを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、表面が変質したレジストを基板から除去するレジスト除去方法であって、窒素、酸素、水素、及び水蒸気のいずれか、あるいはそれらの混合ガスを低圧力下でプラズマ処理して生成したラジカルを前記基板に接触させてレジスト除去を行う工程と、前記基板にオゾン水を接触させてレジスト除去を行う工程と、を含むことを特徴としている。
この構成によると、ラジカルとオゾン水を併用することにより、表面が変質したレジストを、変質層と未変質層を含めて、基板から効果的に除去できる。
また本発明は、表面が変質したレジストを基板から除去するレジスト除去方法であって、
水素原子を含有する分子のガスを低圧力下でプラズマ処理して生成したラジカルを前記基板に接触させてレジスト除去を行う工程と、前記基板にオゾン水を接触させてレジスト除去を行う工程と、を含むことを特徴としている。
水素原子を含有する分子のガスを低圧力下でプラズマ処理して生成したラジカルを前記基板に接触させてレジスト除去を行う工程と、前記基板にオゾン水を接触させてレジスト除去を行う工程と、を含むことを特徴としている。
この構成によると、プラズマ処理によりＨラジカルやＯＨラジカルが生成されるので、そのラジカルとオゾン水を併用して、表面が変質したレジストを、変質層と未変質層を含めて、基板から効果的に除去できる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記ラジカルによるレジスト除去工程の後に、前記オゾン水によるレジスト除去工程を配したことを特徴としている。
この構成によると、レジスト表面の変質層の除去に効果がある、ラジカルによるレジスト除去工程の後に、レジスト内部の未変質層の除去に効果がある、オゾン水によるレジスト除去工程を配したので、表面が変質したレジストを、変質層と未変質層を含めて、合理的に除去できる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記ラジカルによるレジスト除去工程では主としてレジスト表面の変質層を除去し、前記オゾン水によるレジスト除去工程では主としてレジスト内部の未変質層を除去することを特徴としている。
この構成によると、ラジカルとオゾン水の特性の違いを利用して、表面が変質したレジストを、変質層と未変質層を含めて、基板から効果的に除去できる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記ラジカルによるレジスト除去工程で、レジスト表面の変質層の形成条件に応じラジカルの接触時間を制御して前記未変質層の大部分を残すことを特徴としている。
この構成によると、ラジカルの接触時間を無意味に延ばさず、工程の時間効率を高めることができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記ラジカルによるレジスト除去工程で、レジスト除去中に排出される反応ガスの分析結果に応じて工程制御を行い、前記未変質層の大部分を残すことを特徴としている。
この構成によると、ラジカルの接触を丁度良いタイミングで止め、工程の時間効率を高めることができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記ラジカルによるレジスト除去工程で、前記基板の温度を、前記変質層のラジカルによる除去を可能とする活性化エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持することを特徴としている。
この構成によると、ポッピングを発生させることなくレジストの除去を促進することができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記ラジカルによるレジスト除去工程で、前記プラズマ処理部と前記基板の間にイオン遮断板を配置し、生成したプラズマ中のイオンが基板に接触するのを防止することを特徴としている。
この構成によると、イオンの接触による基板の温度上昇を抑え、ポッピングの発生を防止することができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記ラジカルによるレジスト除去工程で、前記基板とラジカルの接触時圧力を６．６Ｐａ以上とすることを特徴としている。
この構成によると、ラジカルを効果的に作用させ、変質層除去能力を高めることができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記ラジカルによるレジスト除去工程で、前記基板とラジカルの接触時圧力を６６７Ｐａ以下とすることを特徴としている。
この構成によると、ラジカルを効果的に作用させ、変質層除去能力を高めることができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去方法において、前記オゾン水によるレジスト除去工程で、オゾン水を加温して用いることを特徴としている。
この構成によると、オゾン水の活性を高め、未変質層を効果的に除去できる。
また本発明は、上記レジスト除去方法を実施した前記基板をフッ化水素で洗浄して拡散工程に送ることを特徴とする半導体製造方法であることを特徴としている。
この構成によると、薬液使用量の少ない、環境に与える影響の小さい半導体製造方法とすることができる。
また本発明は、表面が変質したレジストを基板から除去するレジスト除去装置であって、
窒素、酸素、水素、及び水蒸気のいずれか、あるいはそれらの混合ガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理してラジカルを生成させるプラズマ処理部と、前記ラジカルを基板に接触させ、主としてレジスト表面の変質層を除去する変質層除去部と、オゾン水生成部と、前記オゾン水生成部から供給されたオゾン水を前記基板に接触させ、主としてレジストの未変質層を除去する未変質層除去部と、を備えることを特徴としている。
窒素、酸素、水素、及び水蒸気のいずれか、あるいはそれらの混合ガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理してラジカルを生成させるプラズマ処理部と、前記ラジカルを基板に接触させ、主としてレジスト表面の変質層を除去する変質層除去部と、オゾン水生成部と、前記オゾン水生成部から供給されたオゾン水を前記基板に接触させ、主としてレジストの未変質層を除去する未変質層除去部と、を備えることを特徴としている。
この構成によると、ラジカルとオゾン水を併用し、両者の特性に応じた使い分けをすることにより、表面が変質したレジストを、変質層と未変質層を含めて、基板から効果的に除去できる。
また本発明は、表面が変質したレジストを基板から除去するレジスト除去装置であって、
水素原子を含有する分子のガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理してラジカルを生成させるプラズマ処理部と、前記ラジカルを基板に接触させ、主としてレジスト表面の変質層を除去する変質層除去部と、オゾン水生成部と、前記オゾン水生成部から供給されたオゾン水を前記基板に接触させ、主としてレジストの未変質層を除去する未変質層除去部と、を備えることを特徴としている。
水素原子を含有する分子のガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理してラジカルを生成させるプラズマ処理部と、前記ラジカルを基板に接触させ、主としてレジスト表面の変質層を除去する変質層除去部と、オゾン水生成部と、前記オゾン水生成部から供給されたオゾン水を前記基板に接触させ、主としてレジストの未変質層を除去する未変質層除去部と、を備えることを特徴としている。
この構成によると、プラズマ処理により生成されたＨラジカルや、ＯＨラジカルとオゾン水を併用し、両者の特性に応じた使い分けをすることにより、表面が変質したレジストを、変質層と未変質層を含めて、基板から効果的に除去できる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去装置において、前記変質層除去部の動作を、レジスト表面の変質層の形成条件に応じラジカルの接触時間を制御することにより、または変質層除去中に排出される反応ガスの分析結果に応じて工程制御を行うことにより、制御することを特徴としている。
この構成によると、変質層除去部の動作を合理的に制御し、装置の稼働効率を高めることができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去装置において、前記変質層除去部での前記基板の温度を、前記変質層のラジカルによる除去を可能とする活性化エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持することを特徴としている。
この構成によると、ポッピングを発生させることなくレジストの除去を促進することができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去装置において、前記変質層除去部の前記プラズマ処理部と前記基板の間にイオン遮断板を配置し、生成したプラズマ中のイオンが基板に接触するのを防止することを特徴としている。
この構成によると、イオンの接触による基板の温度上昇を抑え、ポッピングの発生を防止することができる。
また本発明は、上記構成のレジスト除去装置において、前記未変質層除去部に供給するオゾン水の温度調節を行う温度調節装置を備えることを特徴としている。
この構成によると、オゾン水の活性を高め、未変質層を効果的に除去できる。
本発明によると、従来用いられていた薬剤、例えば加熱硫酸のように使用にも保存にも危険を伴い、環境負荷の大きい薬剤を使用することなく、またフッ素を含有する環境負荷の大きいガスを使用することなく、表面が変質したレジストを短時間で効率良く基板から除去することができる。
以下本発明の実施形態を図に基づき説明する。図１はレジスト除去工程の概念図、図２はレジスト除去装置の概念図、図３はイオン遮断板の平面図である。
図１（ａ）は基板１の表面にレジスト２が形成された状況を示す。レジスト２の表面は変質層２ａとなっており、その内側に未変質層２ｂがある。このレジスト２から図１（ｂ）のように変質層２ａを除去し、次いで図１（ｃ）のように未変質層２ｂも除去する。
レジスト除去工程を実施するレジスト除去装置１０は、図２に示すように、変質層除去ユニット１１と未変質層除去ユニット１２により構成される。以下、変質層除去ユニット１１の構成と未変質層除去ユニット１２の構成を個別に説明する。
変質層除去ユニット１１は真空チャンバー２０を備える。真空チャンバー２０には真空ポンプ２１が、ガス分析器２２を介して接続されている。真空チャンバー２０の天面にはガス導入口２３が設けられる。ガス導入口２３は図示しないガス供給部に接続されている。
真空チャンバー２０の内部はイオン遮断板２４により上下に仕切られる。図３に示すイオン遮断板２４は、石英製の板に幅２mm程度のスリット状のラジカル通過口２５を多数並
列に形成したものである。ラジカル通過口２５同士の間隔も２mm程度とされる。イオン遮
断板２４より上の空間がプラズマ処理部２６となり、イオン遮断板２４より下の空間が変質層除去部２７となる。
列に形成したものである。ラジカル通過口２５同士の間隔も２mm程度とされる。イオン遮
断板２４より上の空間がプラズマ処理部２６となり、イオン遮断板２４より下の空間が変質層除去部２７となる。
プラズマ処理部２６の周囲を高周波コイル２８が取り巻く。高周波コイル２８は高周波電源２９より所定周波数の電流を供給される。
高周波以外のラジカル生成メカニズムを採用することも可能である。例えばＥＣＲ（
Electron Cyclotron Resonance）プラズマ、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）プラズマ、ヘリコン波プラズマなどである。
Electron Cyclotron Resonance）プラズマ、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）プラズマ、ヘリコン波プラズマなどである。
変質層除去部２７の底部には基板温度調節部３０が設けられる。基板温度調節部３０は温度制御用の温水／冷水生成部３１から供給される温水で加熱、または冷水で冷却されるものであり、その上に載置された基板１の温度を所定値にする。
未変質層除去ユニット１２は未変質層除去部４０を備える。未変質層除去部４０は、基板１を載置するテーブル４１と、テーブル４１上の基板１にオゾン水を滴下するオゾン水供給ノズル４２を備える。オゾン水供給ノズル４２にはオゾン水生成部４３が、オゾン水温度調節部４４を介して接続されている。
レジスト除去装置１０において、レジスト除去工程は次のように遂行される。まず変質層除去ユニット１１の変質層除去部２７に基板１を入れる。基板１としては、本実施形態では半導体ウェハが想定されている。基板１に形成されたレジスト２は、前工程のレジスト注入工程で表面が変質し、変質層２ａを生じている。
イオンを注入し変質層２ａが生じたレジスト２を、レジストパターン形成時に脱ガスのため行われるベーク工程の温度以上の温度にすると、未変質層２ｂ内の有機溶媒の蒸気により変質層２ａが破裂（ポッピング）する。すると変質層２ａがフレーク状に飛散し、陥没が生じる。図４はレジストパターンに生じたポッピングの実例写真である。この例ではレジストパターン形成時に１１０℃でベークし、リンのイオンを５０ｋｅＶ、５．０×１０15ｉｏｎｓ／cm2で注入した後、変質層除去を行った。同図の（ａ）は６０℃で変質層除
去を行ったときの写真、（ｂ）は８０℃で変質層除去を行ったときの写真、（ｃ）は１００℃で変質層除去を行ったときの写真である。１００℃でポッピングが発生していることがわかる。ポッピングが発生すると未変質層まで露出し、変質層のみ選択的に除去するということができなくなる。
去を行ったときの写真、（ｂ）は８０℃で変質層除去を行ったときの写真、（ｃ）は１００℃で変質層除去を行ったときの写真である。１００℃でポッピングが発生していることがわかる。ポッピングが発生すると未変質層まで露出し、変質層のみ選択的に除去するということができなくなる。
ラジカルによる変質層除去は化学反応によるものであり、温度が高い方が反応の進行が速いが、温度が高すぎると前述のようにポッピングが発生する。そこで基板温度調節部３０は、その上に載置された基板１を、変質層２ａのラジカルによる除去を可能とする活性化エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持する。ポッピングを起こさないためには、レジストパターン形成時のベーク温度未満にする必要がある。ベーク温度は一般的には１１０℃〜１２０℃であるが、温度上昇によるレジスト垂れでパターンシフトが生じるのを防ぐためにこれより低温でベークする場合もあり、一義的には決まらない。
基板１の温度が所定範囲となったところでガス導入口２３からガスを入れ、同時に高周波コイル２８に通電してガスをプラズマ処理する。導入するガスは窒素、酸素、水素、及び水蒸気のいずれか、あるいはそれらの混合ガスである。プラズマ処理は低圧力下で行う。
プラズマ処理で生成されたイオンはイオン遮断板２４で遮断され、変質層除去部２７に入らない。このため、イオンの接触による基板１の温度上昇を抑え、ポッピングの発生を防止することができる。
図５は真空チャンバー内の真空度と基板温度の関係を示すグラフである。イオン遮断板が有るときの方が、無いときよりも基板の温度が良くコントロールされていることが見てとれる。高真空側だとイオンが基板に到達しやすいうえ、熱伝導が悪いので基板の温度が上昇しやすいのであるが、この高真空側における温度上昇抑制効果が特に顕著である。
プラズマ処理で生成されたラジカルはイオン遮断板２４のラジカル通過口２５を通り抜けて変質層除去部２７に入り、基板１に接触する。ラジカルはレジスト２の変質層２ａを除去する。プラズマ処理対象として水素原子を含有する分子のガスを選択すれば、Ｈラジカルが生成され、変質層２ａが効果的に除去される。変質層２ａ除去後の処理ガスは図示しない排気口より真空チャンバー２０外に排出される。
ラジカルの接触時間は変質層２ａの形成条件に応じて制御する。そして未変質層２ｂの大部分を残すものとする。変質層２ａの除去中に排出される反応ガスをガス分析器２２で分析し、その分析結果に応じて工程制御を行い、未変質層２ｂの大部分を残すこととしてもよい。
ラジカルによる変質層除去は、ラジカルを基板１に接触させるときの圧力（真空度）によって除去レートが変わり、これにより処理能力も変わってくる。圧力が低すぎると（真空度が高すぎると）ラジカルが真空ポンプ２１に引かれて変質層除去部２７のラジカル密度が低下し、変質層２ａの除去が進まない。反対に圧力が高すぎると（真空度が低すぎると）、プラズマ処理部２６から基板１まで移動する間にラジカルが他の物質と反応し、除去レートが悪くなる。実験では６．６Ｐａから６６７Ｐａでプラズマが生成され、ラジカルによる変質層２ａの除去が可能であった。最適圧力は１３３．３Ｐａ程度であった。ちなみに、６．６Ｐａは真空度では５０ｍｔｏｒｒに相当し、６６７Ｐａは同じく５ｔｏｒｒに相当し、１３３．３Ｐａは同じく１ｔｏｒｒに相当する。
基板１は、変質層２ａを除去し終わり、未変質層２ｂの大部分が残った状態で変質層除去ユニット１１から取り出し、未変質層除去ユニット１２に移す。未変質層除去部４０のテーブル４１の上に基板１を載置した後、オゾン水供給ノズル４２よりオゾン水を基板１に滴下する。このオゾン水により未変質層２ｂが除去される。
オゾン水の活性を高めて未変質層２ｂを短時間で除去するため、オゾン水温度調節部４４でオゾン水を加温する。図６はオゾン水の温度と未変質層の除去時間の関係を示すグラフである。７０℃〜８０℃が最適範囲となる。
図７に示すのは変質層と未変質層の除去状況の実例写真である。（ａ−１）に見られる変質層を選択除去しないまま未変質層を除去すると、（ｂ−１）のように残渣が生じる。（ａ−２）のように変質層を選択除去し、その上で未変質層を除去すると、（ｂ−２）に見られるように残渣は発生しない。
本発明を使用しない、一般的な半導体製造工程では、レジスト除去後、アンモニア過酸化水素水洗浄（ＡＰＭ洗浄、ＳＣ１洗浄）による異物除去の過程や塩酸過酸化水洗浄（ＨＰＭ洗浄、ＳＣ２洗浄）による金属分除去の過程を経てフッ化水素（ＨＦ）による洗浄工程へ、さらに拡散工程へと進む。本発明の方法により、残渣のない状態でレジスト除去を完了できれば、直接フッ化水素による洗浄工程から拡散工程へと進むことができ、薬液使用量の少ない、環境に与える影響の小さい半導体製造方法とすることができる。
図８に示すのは本発明を実施した装置によるレジスト除去実験の写真である。実験で用いた基板は半導体用シリコンウェハであり、その表面にレジストパターンを形成し、31Ｐ+、５０ｋｅＶ、５．０×１０15ｉｏｎｓ／cm2という高濃度のイオン注入を施したもので
ある。このような高濃度のイオン注入がなされたレジスト表面は硬く変質しており、最も除去困難とされている。レジスト除去前の状態を示すのが図８の（ａ−１）と（ａ−２）である。（ａ−１）はレジストの断面写真、（ａ−２）はレジストパターンの平面写真である。
ある。このような高濃度のイオン注入がなされたレジスト表面は硬く変質しており、最も除去困難とされている。レジスト除去前の状態を示すのが図８の（ａ−１）と（ａ−２）である。（ａ−１）はレジストの断面写真、（ａ−２）はレジストパターンの平面写真である。
プラズマ処理用ガスとして用いたのはＮ2にＨ2を４％混合した、Ｈ2とＮ2の混合ガスである。基板温度は１００℃、真空チャンバーの圧力は１３３．３Ｐａ、プラズマパワーは２０００Ｗとし、イオン遮断板の存在のもと、変質層除去作業を３６０秒行った。この工程を経た後の状態を示すのが図８の（ｂ−１）と（ｂ−２）である。（ｂ−１）はレジストの断面写真、（ｂ−２）はレジストパターンの平面写真である。変質層の除去はそれだけを選択的に、ポッピングを生じさせることなく行われる。
変質層除去後、８０℃、９０ｐｐｍのオゾン水に基板を１８０秒接触させ、未変質層を除去した。未変質層除去後の状態を示すのが図８の（ｃ−１）と（ｃ−２）である。（ｃ−１）はレジストの断面写真、（ｃ−２）はレジストパターンの平面写真である。未変質層は残渣を残すことなく除去されている。
Ｈ2とＮ2の混合ガスでなく、ＨeにＨ2を４％混合した、Ｈ2とＨeの混合ガスを用いて実験を行っても、上記と同様の結果が得られた。
図９に示すのは本発明を実施した装置で水蒸気を用いて行ったレジスト除去実験の写真である。変質層除去条件は、純水の水蒸気を１００ｍｌ／ｍｉｎの割合で生成し、それを真空チャンバーの圧力１３３．３Ｐａ、プラズマパワー２０００Ｗで、イオン遮断板の存在の下にプラズマ処理した。生成されたラジカルを温度４０℃の基板に１８０秒接触させ、変質層を除去した。図９の（ａ）は変質層除去前の状態、（ｂ）は変質層除去後の状態である。（ｂ）より、未変質層がポッピングを生じることなく残っているのがわかる。写真を欠くが、未変質層は残渣を残すことなく除去される。
以上、本発明の実施形態につき説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えて実施することができる。
本発明は基板からレジストを除去する工程に広く利用可能である。
１ 基板
２ レジスト
２ａ 変質層
２ｂ 未変質層
１０ レジスト除去装置
１１ 変質層除去ユニット
１２ 未変質層除去ユニット
２０ 真空チャンバー
２１ 真空ポンプ
２２ ガス分析器
２６ プラズマ処理部
２７ 変質層除去部
３０ 基板温度調節部
４０ 未変質層除去部
４２ オゾン水供給ノズル
４３ オゾン水生成部
４４ オゾン水温度調節部
２ レジスト
２ａ 変質層
２ｂ 未変質層
１０ レジスト除去装置
１１ 変質層除去ユニット
１２ 未変質層除去ユニット
２０ 真空チャンバー
２１ 真空ポンプ
２２ ガス分析器
２６ プラズマ処理部
２７ 変質層除去部
３０ 基板温度調節部
４０ 未変質層除去部
４２ オゾン水供給ノズル
４３ オゾン水生成部
４４ オゾン水温度調節部
Claims (16)
- 表面が変質したレジストを基板から除去するレジスト除去方法であって、
窒素と水素との混合ガスを低圧力下でプラズマ処理して生成したラジカルを前記基板に接触させてレジストの表面の変質層を除去する第１工程と、
第１工程の後に前記基板にオゾン水を接触させて前記変質層の内側の未変質層を除去する第２工程と、
を含むことを特徴とするレジスト除去方法。 - 表面が変質したレジストを基板から除去するレジスト除去方法であって、
水素原子を含有する分子のガスと窒素との混合ガスを低圧力下でプラズマ処理して生成したラジカルを前記基板に接触させてレジストの表面の変質層を除去する第１工程と、
第１工程の後に前記基板にオゾン水を接触させて前記変質層の内側の未変質層を除去する第２工程と、
を含むことを特徴とするレジスト除去方法。 - 第１工程で、前記変質層の形成条件に応じラジカルの接触時間を制御して前記未変質層の大部分を残すことを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト除去方法。
- 第１工程で、レジスト除去中に排出される反応ガスの分析結果に応じて工程制御を行い、前記未変質層の大部分を残すことを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト除去方法。
- 第１工程で、前記基板の温度を、前記変質層のラジカルによる除去を可能とする活性化エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のレジスト除去方法。
- 第１工程で、前記混合ガスをプラズマ処理してラジカルを生成させるプラズマ処理部と前記基板との間にイオン遮断板を配置し、生成したプラズマ中のイオンが前記基板に接触するのを防止することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のレジスト除去方法。
- 第１工程で、前記基板とラジカルの接触時圧力を６．６Ｐａ以上とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のレジスト除去方法。
- 第１工程で、前記基板とラジカルの接触時圧力を６６７Ｐａ以下とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のレジスト除去方法。
- 第２工程で、オゾン水を加温して用いることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のレジスト除去方法。
- 請求項１〜９のいずれか１項に記載のレジスト除去方法を実施した前記基板をフッ化水素で洗浄して拡散工程に送ることを特徴とする半導体製造方法。
- 表面が変質したレジストを基板から除去するレジスト除去装置であって、
窒素と水素との混合ガスを供給するガス供給部と、
前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理してラジカルを生成させるプラズマ処理部と、
前記ラジカルを前記基板に接触させ、主としてレジスト表面の変質層を除去する変質層除去部と、
オゾン水生成部と、
前記オゾン水生成部から供給されたオゾン水を前記基板に接触させ、主としてレジストの未変質層を除去する未変質層除去部と、
を備えることを特徴とするレジスト除去装置。 - 表面が変質したレジストを基板から除去するレジスト除去装置であって、
水素原子を含有する分子のガスと窒素との混合ガスを供給するガス供給部と、
前記ガス供給部から供給されたガスをプラズマ処理してラジカルを生成させるプラズマ処理部と、
前記ラジカルを前記基板に接触させ、主としてレジスト表面の変質層を除去する変質層除去部と、
オゾン水生成部と、
前記オゾン水生成部から供給されたオゾン水を前記基板に接触させ、主としてレジストの未変質層を除去する未変質層除去部と、
を備えることを特徴とするレジスト除去装置。 - 前記変質層除去部の動作を、前記変質層の形成条件に応じラジカルの接触時間を制御することにより、または前記変質層の除去中に排出される反応ガスの分析結果に応じて工程制御を行うことにより、制御することを特徴とする請求項１１または１２に記載のレジスト除去装置。
- 前記変質層除去部での前記基板の温度を、前記変質層のラジカルによる除去を可能とする活性化エネルギーを供与できる温度以上、且つポッピング発生温度未満に維持することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。
- 前記変質層除去部の前記プラズマ処理部と前記基板の間にイオン遮断板を配置し、生成したプラズマ中のイオンが前記基板に接触するのを防止することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。
- 前記未変質層除去部に供給するオゾン水の温度調節を行う温度調節装置を備えることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007146396A JP5332052B2 (ja) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 |
| US12/601,913 US20100216312A1 (en) | 2007-06-01 | 2008-05-23 | Resist removing method, semiconductor manufacturing method, and resist removing apparatus |
| KR1020097027436A KR20100027178A (ko) | 2007-06-01 | 2008-05-28 | 레지스트 제거 방법, 반도체 제조 방법 및 레지스트 제거 장치 |
| PCT/JP2008/059786 WO2008146834A1 (ja) | 2007-06-01 | 2008-05-28 | レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 |
| TW097120366A TW200913009A (en) | 2007-06-01 | 2008-05-30 | Resist removing method, semiconductor manufacturing method, and resist removing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007146396A JP5332052B2 (ja) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008300704A JP2008300704A (ja) | 2008-12-11 |
| JP5332052B2 true JP5332052B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=40075071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007146396A Active JP5332052B2 (ja) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100216312A1 (ja) |
| JP (1) | JP5332052B2 (ja) |
| KR (1) | KR20100027178A (ja) |
| TW (1) | TW200913009A (ja) |
| WO (1) | WO2008146834A1 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193096B2 (en) | 2004-12-13 | 2012-06-05 | Novellus Systems, Inc. | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry |
| US8129281B1 (en) | 2005-05-12 | 2012-03-06 | Novellus Systems, Inc. | Plasma based photoresist removal system for cleaning post ash residue |
| US8435895B2 (en) | 2007-04-04 | 2013-05-07 | Novellus Systems, Inc. | Methods for stripping photoresist and/or cleaning metal regions |
| JP2009218548A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | Tsukuba Semi Technology:Kk | 高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
| JP2010132512A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Sasakura Engineering Co Ltd | オゾン水供給装置、及び、洗浄装置 |
| KR101770008B1 (ko) | 2009-12-11 | 2017-08-21 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 고주입량 주입 박리 전에 실리콘을 보호하기 위한 개선된 패시베이션 공정 |
| US20110143548A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | David Cheung | Ultra low silicon loss high dose implant strip |
| US9613825B2 (en) * | 2011-08-26 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist strip processes for improved device integrity |
| US9786471B2 (en) | 2011-12-27 | 2017-10-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Plasma etcher design with effective no-damage in-situ ash |
| CN105873969B (zh) | 2013-12-06 | 2018-09-04 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
| US10239980B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
| EP3078654B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-07-07 | LG Chem, Ltd. | Monomer and block copolymer |
| EP3078694B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
| CN106459326B (zh) | 2013-12-06 | 2019-08-13 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
| WO2015084127A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
| WO2015084123A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
| CN105899560B (zh) | 2013-12-06 | 2018-01-12 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
| EP3078690B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
| EP3078689B1 (en) | 2013-12-06 | 2020-12-02 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
| CN105934455B (zh) | 2013-12-06 | 2019-01-18 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
| EP3078692B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
| JP6361893B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-07-25 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
| US10087276B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-02 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
| US9514954B2 (en) * | 2014-06-10 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films |
| CN107075050B (zh) | 2014-09-30 | 2019-08-13 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
| WO2016053007A1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 패턴화 기판의 제조 방법 |
| EP3214102B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-05 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
| US10703897B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-07-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
| US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
| CN107075051B (zh) | 2014-09-30 | 2019-09-03 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
| EP3202798B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-12 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
| JP6538158B2 (ja) | 2014-09-30 | 2019-07-03 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
| EP3202801B1 (en) | 2014-09-30 | 2021-08-18 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
| EP3202797B1 (en) | 2014-09-30 | 2021-07-07 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
| JP7236583B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2023-03-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | レジスト除去方法およびレジスト除去装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04291719A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Hitachi Ltd | ウエーハ処理終点判定方法 |
| EP0940846A1 (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-08 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method for stripping ion implanted photoresist layer |
| US6417080B1 (en) * | 1999-01-28 | 2002-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of processing residue of ion implanted photoresist, and method of producing semiconductor device |
| JP2002100613A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Nec Kyushu Ltd | アッシング方法およびアッシング装置 |
| US6534921B1 (en) * | 2000-11-09 | 2003-03-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for removing residual metal-containing polymer material and ion implanted photoresist in atmospheric downstream plasma jet system |
| US6524936B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-02-25 | Axcelis Technologies, Inc. | Process for removal of photoresist after post ion implantation |
| JP3893447B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2007-03-14 | 松下電器産業株式会社 | レジスト剥離方法及びレジスト剥離装置 |
| US6848455B1 (en) * | 2002-04-22 | 2005-02-01 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species |
| JP4078875B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2008-04-23 | ソニー株式会社 | 有機膜パターンの形成方法及び固体撮像素子の製造方法 |
| KR20040013170A (ko) * | 2002-08-01 | 2004-02-14 | 삼성전자주식회사 | 애싱 장치 |
| JP4078935B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2008-04-23 | 松下電器産業株式会社 | プラズマアッシング方法 |
| JP2004241414A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Sharp Corp | 剥離洗浄装置 |
| JP2004356598A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Seiko Epson Corp | 基板処理方法及び電気光学装置の製造方法 |
| US7371691B2 (en) * | 2004-07-29 | 2008-05-13 | Texas Instruments Incorporated | Silicon recess improvement through improved post implant resist removal and cleans |
| JP2006270004A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Osaka Univ | レジスト膜の除去方法および除去装置 |
| JP2007073564A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Fujitsu Ltd | アッシング装置 |
| JP2008085231A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sharp Manufacturing System Corp | 基板上の残留有機物除去方法 |
-
2007
- 2007-06-01 JP JP2007146396A patent/JP5332052B2/ja active Active
-
2008
- 2008-05-23 US US12/601,913 patent/US20100216312A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-28 KR KR1020097027436A patent/KR20100027178A/ko active Search and Examination
- 2008-05-28 WO PCT/JP2008/059786 patent/WO2008146834A1/ja active Application Filing
- 2008-05-30 TW TW097120366A patent/TW200913009A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200913009A (en) | 2009-03-16 |
| WO2008146834A1 (ja) | 2008-12-04 |
| JP2008300704A (ja) | 2008-12-11 |
| KR20100027178A (ko) | 2010-03-10 |
| US20100216312A1 (en) | 2010-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5332052B2 (ja) | レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 | |
| JP5888652B2 (ja) | 方法、装置および製造方法 | |
| JP5770740B2 (ja) | 高ドーズインプラントストリップの前に行われる、シリコンを保護するためのパッシベーションプロセスの改善方法およびそのための装置 | |
| US9941108B2 (en) | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry | |
| KR102013959B1 (ko) | 개선된 디바이스 무결성을 위한 포토레지스트 스트립 공정들 | |
| US11107693B2 (en) | Method for high aspect ratio photoresist removal in pure reducing plasma | |
| JP2010512650A (ja) | 乾燥フォトレジスト除去プロセスと装置 | |
| TWI423323B (zh) | 光阻剝離室及蝕刻基材上光阻之方法 | |
| TW201405656A (zh) | 具有高選擇性之多晶矽及原生氧化層的移除 | |
| WO2002049078A2 (en) | Method for cleaning post-etch residues from a substrate | |
| CN1495861B (zh) | 水蒸汽作为处理气，用于离子注入后抗蚀剂剥离中硬壳、抗蚀剂和残渣的去除 | |
| US9514954B2 (en) | Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films | |
| JP2009170554A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN103092009B (zh) | 用作等离子注入的掩蔽层的光刻胶的去除方法 | |
| JP5586077B2 (ja) | 水素ベースの化学反応による高用量注入後の剥離（ｈｄｉｓ） | |
| US9216609B2 (en) | Radical etching apparatus and method | |
| US6955177B1 (en) | Methods for post polysilicon etch photoresist and polymer removal with minimal gate oxide loss | |
| JP2008085231A (ja) | 基板上の残留有機物除去方法 | |
| WO2010021020A1 (ja) | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 | |
| KR100404956B1 (ko) | 반도체 집적소자 제조공정 및 장치 | |
| JP2009140944A (ja) | 酸化膜エッチング方法 | |
| KR100780290B1 (ko) | 포토레지스트 제거 공정구현 설비 | |
| KR20030049086A (ko) | 기판 건식 세정 장치 및 방법 | |
| JP2008103431A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| KR20040064743A (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 애싱장치 및 애싱 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120810 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130618 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130712 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5332052 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |