CN107025955B - 一种导电膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种柔性导电膜，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，包含如下步骤：S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；S3，在所述第一硬化层表面溅射二氧化硅层；S4，在所述二氧化硅层表面溅射导电层。该制备方法能有效解决以COP为基材的导电膜在涂布和溅射时出现的收卷和放卷过程中COP基材断裂的技术问题，通过上述方法能有效的在涂布和溅射过程中用保护膜的柔韧性来对基材进行保护。

Description

一种导电膜的制备方法
技术领域：
本发明涉及导电膜领域，具体涉及导电膜的制备方法。
背景技术：
ITO导电膜主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产、薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域，通产采用涂布加磁控溅射的方法生产得到。
传统的高分子基材ITO膜虽然能够弯曲，但需要折射率调整层和光学调整层进行高低折射率匹配后再与高折射率的ITO层进行折射率匹配，且消影效果相对于OGS结构差，且多增加了一层光学调整层其透过率也相应降低。传统保护膜的作用是对成品的膜面进行保护，不会在涂布工艺过程中来防护基材的断裂，通常直接在基材表面设置保护层，设置的该保护层会导致成品导电膜的透过率变差。
发明内容：
本发明的目的提供了一种ITO膜的制备方法，能有效解决基材在涂布和溅射过程中出现的收卷和放卷过程中断裂的技术问题，在涂布和溅射时用保护膜的柔韧性来对基材进行保护。
为实现上述目的，本发明的技术方案为：
一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：
S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；
S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；
S3，在所述第一硬化层表面溅射二氧化硅层；
S4，在所述二氧化硅层表面溅射导电层。
一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：
S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；
S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；
S3，在所述第一硬化层表面与第二保护膜贴合；
S4，撕除所述第一保护膜，在所述第一光学面上涂布第二硬化胶水，UV固化后形成第二硬化层；
S5，在第二硬化层上贴合第三保护膜；
S6，撕除所述第二保护膜在所述第一硬化层表面溅射二氧化硅层；
S7，在所述二氧化硅层表面溅射导电层。
一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：
S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；
S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；
S3，在所述第一硬化层表面与第二保护膜贴合；
S4，撕除所述第一保护膜，在所述第一光学面上涂布第二硬化胶水，UV固化后形成第二硬化层；
S5，在第二硬化层上贴合第三保护膜；
S6，撕除所述第二保护膜在所述第一硬化层表面溅射第一二氧化硅层；
S7，在所述二氧化硅层表面溅射第一导电层。
S8，撕除第三保护膜，在所述第二硬化层上溅射第二二氧化硅层；
S9，在所述二氧化硅层上溅射第二导电层。
进一步地，所述第一保护膜、第二保护膜及第三保护膜的厚度范围为30-150 μm。
进一步地，所述基材层为COP基材。
进一步地，所述贴合方式为卷对卷。
进一步地，所述第一硬化层的厚度范围为1-1.5μm。
进一步地，所述第二硬化层的厚度范围为1-3μm。
进一步地，所述第二硬化层的折射率范围为1.45-1.55。
有益效果：
本发明克服了传统涂布过程中基材折断的技术问题，能有效解决基材在涂布和溅射过程中出现的收卷和放卷过程中断裂，在涂布和溅射时选用保护膜的柔韧性来对基材进行保护，通过贴合，剥离反复保证了产品在制成过程中的断裂。
具体实施方式：
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层为100μmCOP 基材，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：将50μm的第一保护膜与所述第一光学面通过卷对卷的方式贴合；在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成1.2μm的第一硬化层；在所述第一硬化层表面溅射厚度为30μm的二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面溅射25nm的导电层。
实施例2
一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层为50μmCOP基材，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：
将50μm的第一保护膜与所述第一光学面采用卷对卷的方式贴合；在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成1.1μm的第一硬化层；在所述第一硬化层表面与50μm第二保护膜通过卷对卷贴合；撕除所述第一保护膜，在所述第一光学面上涂布第二硬化胶水，UV固化后形成2μm的第二硬化层；撕除所述第二保护膜在所述第一硬化层表面溅射厚度为30nm的二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面溅射30nm的导电层。
实施例3
一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层为100μmCOP基材，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其制备方法包含如下步骤：
将100μm第一保护膜与所述第一光学面采用卷对卷的方式贴合；在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成1.2μm第一硬化层；在所述第一硬化层表面与第二保护膜通过卷对卷的方式贴合；撕除所述第一保护膜，在所述第一光学面上涂布第二硬化胶水，UV固化后形成2μm的第二硬化层；在第二硬化层上通过卷对卷的方式贴合厚度为100μm的第三保护膜；撕除所述第二保护膜在所述第一硬化层表面溅射25nm的二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面溅射25nm 的导电层。
上述实施例中，采用基材和保护膜的厚度相等或者相近，可以防止膜层翘曲的技术问题。
以上所述仅为发明的较佳实施例，并不限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。企图据以对本发明作任何形式上之限制，是以，凡有在相同之发明精神下所作有关本发明之任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护之范畴。

Claims (9)

1.一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其特征在于制备方法包含如下步骤：
S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；
S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；
S3，在所述第一硬化层表面溅射二氧化硅层；
S4，在所述二氧化硅层表面溅射导电层，
所述基材层的厚度与保护膜的厚度相等或相近。
2.一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其特征在于制备方法包含如下步骤：
S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；
S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；
S3，在所述第一硬化层表面与第二保护膜贴合；
S4，撕除所述第一保护膜，在所述第一光学面上涂布第二硬化胶水，UV固化后形成第二硬化层；
S5，在第二硬化层上贴合第三保护膜；
S6，撕除所述第二保护膜在所述第一硬化层表面溅射二氧化硅层；
S7，在所述二氧化硅层表面溅射导电层，
所述基材层的厚度与保护膜的厚度相等或相近。
3.一种导电膜的制备方法，所述导电膜包含基材层，所述基材层具有第一光学面和第二光学面，其特征在于制备方法包含如下步骤：
S1，将第一保护膜与所述第一光学面贴合；
S2，在所述第二光学面涂布第一硬化胶水，固化形成第一硬化层；
S3，在所述第一硬化层表面与第二保护膜贴合；
S4，撕除所述第一保护膜，在所述第一光学面上涂布第二硬化胶水，UV固化后形成第二硬化层；
S5，在第二硬化层上贴合第三保护膜；
S6，撕除所述第二保护膜在所述第一硬化层表面溅射第一二氧化硅层；
S7，在所述二氧化硅层表面溅射第一导电层；
S8，撕除第三保护膜，在所述第二硬化层上溅射第二二氧化硅层；
S9，在所述第二二氧化硅层上溅射第二导电层，
所述基材层的厚度与保护膜的厚度相等或相近。
4.根据权利要求1-3任一项所述导电膜的制备方法，其特征在于，所述第一保护膜、第二保护膜及第三保护膜的厚度范围为30-150μm。
5.根据权利要求1-3任一项所述导电膜的制备方法，其特征在于，所述基材层为COP基材。
6.根据权利要求1-3任一项所述导电膜的制备方法，其特征在于，所述贴合方式为卷对卷。
7.根据权利要求1-3任一项所述导电膜的制备方法，其特征在于，所述第一硬化层的厚度范围为1-1.5μm。
8.根据权利要求2-3任一项所述导电膜的制备方法，其特征在于，所述第二硬化层的厚度范围为1-3μm。
9.根据权利要求2-3任一项所述导电膜的制备方法，其特征在于，所述第二硬化层的折射率范围为1.45-1.55。
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