CN203812218U - 一种触控面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种触控面板，所述的触控面板包括：基板层及透明导电膜层，所述透明导电膜层的其中一面设有至少一层SiON薄膜消影层。本实用新型的触控面板采用SiON薄膜消影层，透明导电膜层刻蚀区与非刻蚀区在可见光下的反射率一致，使得透明导电膜刻划痕迹视而不见，改善了触控面板显示效果。

Description

一种触控面板

技术领域

本实用新型涉及触控面板领域，特别是涉及一种具有消影结构的触控面板。

背景技术

随着智能手机在全球的不断普及，随之而来带动了电容式触摸屏的兴起。目前，电容式触摸屏已被广泛应用于智能手机、平板电脑、媒体播放器、数码相机、汽车导航等电子产品领域。未来，触摸屏将在更多领域投入应用，如一体化电脑、公共信息广告牌、教育与培训等领域，这对触摸屏的产能构成了严峻的考验。

目前，电容式触摸屏的制备通常是在基板上形成透明导电膜层，然后在透明导电膜上刻蚀形成电极，最后完成触控面板的制作。由于透明导电膜层具有一定的厚度，且透明导电膜是一种弱吸收的光学薄膜材料，通过刻蚀后的透明导电膜就会与基板区产生色差，在外观上表现为可以清晰观察到刻蚀痕迹，这影响了触控面板外观。

目前，电容式触摸屏采用Nb2O5/SiO2或TiO2/SiO2复合薄膜作为触控面板消影层,该复合膜消影层通常采用PVD法磁控溅射镀制。但是，PVD磁控溅射法镀制消影层存在薄膜沉积速率低的问题，如PVD镀制较厚的消影层时，基板玻璃往往需要重复镀制多次才能达到预设厚度。这种方法大大降低了生产线的效率，导致产品成本无法降低。因此，需要开发一种应用于工业生产的高效率镀制消影层薄膜。

实用新型内容

本实用新型目的在于克服现有技术中存在的问题，提供一种触控面板，所述触控面板采用SiON薄膜消影层，解决了触控面板生产效率低下的问题。

所述触控面板包括：基板层及透明导电膜层，所述透明导电膜层的其中一面设有至少一层SiON薄膜消影层。

较佳的，所述SiON薄膜消影层为多层，且为折射率不同的多层SiON薄膜消影层叠合。

较佳的，所述透明导电膜层的双面均设有至少一层SiON薄膜消影层。

较佳的，所述SiON薄膜消影层设于基板层及透明导电膜层之间，形成在所述基板层上。

较佳的，所述SiON薄膜消影层设于透明导电膜层相对基板层朝外的一面，形成在所述透明导电膜层上。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型通过设置SiON薄膜消影层，所述SiON薄膜可以通过等离子体化学气相沉积法形成在触控面板基板层上或透明导电膜层上，提高了触控面板生产效率；采用本实用新型的触控面板消除了由于光学反射率差导致的刻蚀痕迹可见问题。

附图说明

图1是本实用新型实施例1触控面板基板层上形成单层SiON薄膜消影层的示意图；

图2是是本实用新型实施例1触控面板基板层上形成多层SiON薄膜消影层的示意图；

图3是本实用新型实施例2触控面板透明导电膜层上形成单层SiON薄膜消影层的示意图；

图4是本实用新型实施例2触控面板导电透明膜层上形成多层SiON薄膜消影层的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供一种触控面板，该触控面板采用SiON薄膜作为消影层，所述触控面板包括：基板层1、SiON薄膜消影层2及透明导电膜层3，所述透明导电膜层3的其中一面设有至少一层SiON薄膜消影层2。下面结合附图具体阐述本实用新型。

在本实用新型的具体实施例中，所述SiON薄膜消影层2为多层，且为折射率不同的多层SiON薄膜消影层叠合（参见图2、4），如图2、4中所示SiON化合物薄膜消影层为高折射率的SiON薄膜与低折射率的SiON薄膜叠合的多层膜。

在本实用新型的具体实施例中，所述透明导电膜层3的其中一面设有至少一层SiON薄膜消影层2，见图2、4所示。

在本实用新型的具体实施例中，所述SiON薄膜消影层2设于基板层1及透明导电膜层3之间，形成在所述基板层1上，见图1-2。

在本实用新型的具体实施例中，所述SiON薄膜消影层2设于透明导电膜层3相对基板层1朝外的一面，形成在所述透明导电膜层3上，见图3-4。

具体的，本实用新型的SiON薄膜消影层2是一种在可见光400-700nm波长范围内折射率n为1.4-2.2的SiON薄膜，通过等离子体化学气相沉积法形成在基板层上或者透明导电膜层上，由于采用化学气相沉积法生成该SiON薄膜，可以实现单腔室多层沉积，沉积速率快，相比于采用磁控溅射法生成消影层大大提高了触控面板生产效率。

具体的，透明导电膜材料可以是FTO(SnO2：F)、AZO(ZnO:Al)、BZO(ZnO:B)、GZO(ZnO:Ga)、ITO(In2O3：SnO2)中的一种，但不限于以上材料。应用时可以根据透明导电膜的厚度和折射率匹配相应折射率的SiON薄膜或者是采用高折射率SiON薄膜与低折射率SiON薄膜多层叠合的多层膜构成消影层，使得透明导电膜层刻蚀区与非刻蚀区在可见光下的反射率一致，从而以实现触控面板刻划痕迹视而不见的效果。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种触控面板，其特征在于，包括：基板层及透明导电膜层，所述透明导电膜层的其中一面设有至少一层SiON薄膜消影层。

2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述SiON薄膜消影层为多层，且为折射率不同的多层SiON薄膜消影层叠合。

3.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述透明导电膜层的双面均设有至少一层SiON薄膜消影层。

4.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述SiON薄膜消影层设于基板层及透明导电膜层之间，形成在所述基板层上。

5.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述SiON薄膜消影层设于透明导电膜层相对基板层朝外的一面，形成在所述透明导电膜层上。