CN205241512U - 一种消影导电玻璃 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层；采用Nb2O5膜层或TiO2膜层作为高折射率膜层，在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影，保证显示效果；由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本；另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及触摸屏领域，具体是一种用于电容式触摸屏的消影导电玻璃。
背景技术
公知的，电容式触摸屏所使用的ITO玻璃是一种透明导电玻璃，一般是在玻璃基板上加一层透明导电膜构成，其生产工艺是在超薄玻璃基板上通过物理沉积的方式沉积ITO透明导电膜。液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层SiO2阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。
通常电容式触摸屏使用单面ITO镀膜玻璃，经过刻蚀将ITO导电膜做成透明电极。但是由于ITO导电膜的折射率与玻璃基板的折射率不同，ITO导电膜折射率一般为1.9～2.0，而玻璃基板的折射率约为1.5，这样就会导致显示区内电极与缝隙的反射与透射有较大区别，使电极与缝隙清晰可见，影响显示效果和外观；而且触摸屏尺寸越大，ITO导电膜层厚度和电极宽度就越大，电极与缝隙的视觉差距就越明显；另外，在光线比较明亮的环境中，特别是背后有窗户、灯光的环境中，屏幕会由于ITO电极的反射光太强而无法看清。
目前，通常有两种方法来解决上述问题，第一种是采用减少缝隙的方法来降低电极与缝隙之间的视觉差距，这种消影方法受光刻设备的限制，一般适用于小尺寸的触摸屏，对于20英寸以上屏幕的触摸屏如采用微小缝隙的方法，设备投资与制造成本高、产品合格率低。第二种方法是先将Nb2O5或TiO2等高折射率材料通过磁控溅射镀到玻璃基板表面，然后再覆上SiO2等低折射率材料层，最后再覆上ITO层。实际制作过程中，在镀完高折射率材料后，通过微调ITO方阻值的方法来获得较好的消影效果，但是这样极易造成消影效果合格时，ITO的方阻值不达标；或者是ITO的方阻值达标时，消影效果不合格，也就是电容式触摸屏无法兼顾ITO方阻值和消影效果，良品率低，不能满足市场需求。
为了解决第二种方法存在的缺点，《一种电容触摸屏用的消影结构》（公告号CN203689494U）的专利文件公开了一种消影结构，在玻璃基板上依次堆叠SiO2膜层、ITO膜层和Si3N4膜层；制作时，先将ITO膜层布置于玻璃基板上，保证了ITO的方阻值一定，然后再根据ITO方阻和成膜效果去调节Si3N4膜层的消影效果，从而使得ITO上的线路不明显。但是在实际生产中，沉积SiO2膜和Si3N4膜，通入的是氧气和氮气两种不同的反应气体，所以需要两个以上的腔室来沉积相应的膜层，或者沉积SiO2膜后，先抽干O2，再通入N2，这样就会造成消影导电玻璃制作成本的增加。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种消影导电玻璃，该消影导电玻璃在保证显示效果的前提下，能够降低工艺难度，减少生产成本，提高生产效率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层。
进一步的，所述玻璃基板采用钠钙基基片玻璃或硅硼基基片玻璃，玻璃基板的厚度为0.3mm～1.1mm。
进一步的，所述Nb2O5膜层或TiO2膜层的厚度为5nm～30nm。
进一步的，所述SiO2膜层的厚度为10nm～100nm。
进一步的，所述ITO膜层的厚度为10nm～50nm。
本实用新型的有益效果是，采用Nb2O5膜层或TiO2膜层作为高折射率膜层，在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影，保证显示效果；由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本；另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型提供一种消影导电玻璃，包括玻璃基板1，玻璃基板1顶面由下至上依次设有SiO2膜层2、ITO膜层3与高折射率膜层4，所述高折射率膜层4为Nb2O5膜层或TiO2膜层。作为优选的，玻璃基板1采用钠钙基基片玻璃或硅硼基基片玻璃，玻璃基板1的厚度为0.3mm～1.1mm；所述Nb2O5膜层或TiO2膜层的厚度可以为5nm～30nm；SiO2膜层2的厚度为10nm～100nm；ITO膜层3的厚度为10nm～50nm。SiO2膜层2、ITO膜层3与高折射率膜层4均采用磁控溅射方式沉积，在实际制作中，先将ITO膜层3制备于SiO2膜层2上，保证ITO的方阻值达标，然后再根据ITO方阻和成膜效果去调节Nb2O5或TiO2膜的消影效果，从而有效消除刻蚀阴影。由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本；另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。
Claims (5)
1.一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层，其特征在于，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层。
2.根据权利要求1所述的一种消影导电玻璃，其特征在于，所述玻璃基板采用钠钙基基片玻璃或硅硼基基片玻璃，玻璃基板的厚度为0.3mm～1.1mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种消影导电玻璃，其特征在于，所述Nb2O5膜层或TiO2膜层的厚度为5nm～30nm。
4.根据权利要求3所述的一种消影导电玻璃，其特征在于，所述SiO2膜层的厚度为10nm～100nm。
5.根据权利要求4所述的一种消影导电玻璃，其特征在于，所述ITO膜层的厚度为10nm～50nm。
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN105541124A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-04 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种消影导电玻璃 |
| CN107129158A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-09-05 | 张家港市铭斯特光电科技有限公司 | 一种具有消影功能的导电玻璃及其制备方法 |
| CN115528144A (zh) * | 2022-10-13 | 2022-12-27 | 通威太阳能(金堂)有限公司 | 一种太阳电池及其制备方法 |
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