CN107162438A - 一种tft‑lcd玻璃基板双面镀膜的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种TFT‑LCD玻璃基板双面镀膜的方法，包括以下步骤：(1)用磁控溅射镀膜的方法，在TFT‑LCD玻璃基板的一面上依次形成第一五氧化二铌膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化二铌膜层及第二二氧化硅膜层，以形成第一增透膜层；(2)采用磁控溅射镀膜的方法，在TFT‑LCD玻璃基板的另一面上依次形成第三五氧化二铌膜层、第三二氧化硅膜层、第四五氧化二铌膜层及第四二氧化硅膜层，以形成第二增透膜层；(3)采用磁控溅射镀膜的方法，在第二增透膜层上形成ITO膜层，即得双面镀膜玻璃。

Description

一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法
技术领域
本发明涉及TFT-LCD技术领域，具体涉及一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法。
背景技术
目前大部分液晶显示用玻璃镀膜产品所镀的膜层为SiO2+ITO膜层，这样镀膜出来的产品，在550nm处透过率约为90％，镀膜前后透过率的比值为97％左右，视觉效果较差，大部分液晶显示用玻璃厂家都可以做到这种质量的触摸屏产品，由于技术指标较低，在日益激烈的触摸屏行业竞争处于越来越不利的地位，随着人们对视觉品质的不断追求，生产更高透过率的触摸屏产品将拥有更大得市场。
发明内容
本发明旨在提供了一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法。
本发明提供如下技术方案：
一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法，包括以下步骤：
(1)用磁控溅射镀膜的方法，在TFT-LCD玻璃基板的一面上依次形成第一五氧化二铌膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化二铌膜层及第二二氧化硅膜层，以形成第一增透膜层；
(2)采用磁控溅射镀膜的方法，在TFT-LCD玻璃基板的另一面上依次形成第三五氧化二铌膜层、第三二氧化硅膜层、第四五氧化二铌膜层及第四二氧化硅膜层，以形成第二增透膜层；
(3)采用磁控溅射镀膜的方法，在第二增透膜层上形成ITO膜层，即得双面镀膜玻璃。
所述第一五氧化二铌膜层及所述第三五氧化二铌膜层的厚度为15-18nm；所述第二五氧化二铌膜层及所述第四五氧化二铌膜层的厚度为90-96nm；所述第一二氧化硅膜层及所述第三二氧化硅膜层的厚度为28-32nm；所述第二二氧化硅膜层的厚度为80-90nm；所述第四二氧化硅膜层的厚度为60-68nm；所述ITO膜层的厚度为16-24nm。
所述第一增透膜层及所述第二增透膜层的磁控溅射镀膜工艺包括：将磁控溅射镀膜的镀膜箱抽真空，后向所述镀膜箱内充入氩气及氧气至真空度为1.4Pa-1.8Pa，在25-30℃下进行镀膜。
所述步骤(3)中ITO膜层的磁控溅射镀膜工艺包括：将磁控溅射镀膜的镀膜箱抽真空，后向所述镀膜箱内充入氩气及氧气至真空度为0.4Pa-0.6Pa，在温度60℃-80℃下进行镀膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用光的波动性及干涉原理，设计出提高双面镀膜玻璃透过率的膜系；在TFT-LCD玻璃基板镀有五氧化二铌及二氧化硅材料，该双面镀膜玻璃不容易老化泛黄，光反射小，透过率高，画面图像清晰；同时，上述双面镀膜TFT-LCD玻璃基板在420nm-660nm波段的透过率达到96.5％以上，镀膜前后透过率的比值达到108％以上，对紫外线和红外线部分有一定的防护作用，该双面镀膜TFT-LCD玻璃基板的透过率较高，能够更好地应用到市场。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法，包括以下步骤：
(1)用磁控溅射镀膜的方法，在TFT-LCD玻璃基板的一面上依次形成第一五氧化二铌膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化二铌膜层及第二二氧化硅膜层，以形成第一增透膜层；
(2)采用磁控溅射镀膜的方法，在TFT-LCD玻璃基板的另一面上依次形成第三五氧化二铌膜层、第三二氧化硅膜层、第四五氧化二铌膜层及第四二氧化硅膜层，以形成第二增透膜层；
(3)采用磁控溅射镀膜的方法，在第二增透膜层上形成ITO膜层，即得双面镀膜玻璃。
所述第一五氧化二铌膜层及所述第三五氧化二铌膜层的厚度为15-18nm；所述第二五氧化二铌膜层及所述第四五氧化二铌膜层的厚度为90-96nm；所述第一二氧化硅膜层及所述第三二氧化硅膜层的厚度为28-32nm；所述第二二氧化硅膜层的厚度为80-90nm；所述第四二氧化硅膜层的厚度为60-68nm；所述ITO膜层的厚度为16-24nm。
所述第一增透膜层及所述第二增透膜层的磁控溅射镀膜工艺包括：将磁控溅射镀膜的镀膜箱抽真空，后向所述镀膜箱内充入氩气及氧气至真空度为1.4Pa-1.8Pa，在25-30℃下进行镀膜。
所述步骤(3)中ITO膜层的磁控溅射镀膜工艺包括：将磁控溅射镀膜的镀膜箱抽真空，后向所述镀膜箱内充入氩气及氧气至真空度为0.4Pa-0.6Pa，在温度60℃-80℃下进行镀膜。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (4)

1.一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)用磁控溅射镀膜的方法，在TFT-LCD玻璃基板的一面上依次形成第一五氧化二铌膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化二铌膜层及第二二氧化硅膜层，以形成第一增透膜层；
(2)采用磁控溅射镀膜的方法，在TFT-LCD玻璃基板的另一面上依次形成第三五氧化二铌膜层、第三二氧化硅膜层、第四五氧化二铌膜层及第四二氧化硅膜层，以形成第二增透膜层；
(3)采用磁控溅射镀膜的方法，在第二增透膜层上形成ITO膜层，即得双面镀膜玻璃。
2.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法，其特征在于：所述第一五氧化二铌膜层及所述第三五氧化二铌膜层的厚度为15-18nm；所述第二五氧化二铌膜层及所述第四五氧化二铌膜层的厚度为90-96nm；所述第一二氧化硅膜层及所述第三二氧化硅膜层的厚度为28-32nm；所述第二二氧化硅膜层的厚度为80-90nm；所述第四二氧化硅膜层的厚度为60-68nm；所述ITO膜层的厚度为16-24nm。
3.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法，其特征在于：所述第一增透膜层及所述第二增透膜层的磁控溅射镀膜工艺包括：将磁控溅射镀膜的镀膜箱抽真空，后向所述镀膜箱内充入氩气及氧气至真空度为1.4Pa-1.8Pa，在25-30℃下进行镀膜。
4.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD玻璃基板双面镀膜的方法，其特征在于：所述步骤(3)中ITO膜层的磁控溅射镀膜工艺包括：将磁控溅射镀膜的镀膜箱抽真空，后向所述镀膜箱内充入氩气及氧气至真空度为0.4Pa-0.6Pa，在温度60℃-80℃下进行镀膜。
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