CN105765462A - 使用光学投影的基板调整***和方法 - Google Patents

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Abstract

本文中的技术包括提供将光空间控制地或基于像素地投影到基板上以调整各种基板属性的***和方法。投影到基板表面的给定的基于像素的图像可以基于基板信号。基板信号可以在空间上表示跨基板的表面的非均匀性。这种非均匀性可以包括能量、热、临界尺寸、光刻曝光剂量等。这样的基于像素的光投影可以用于调整基板的各种属性，包括调整临界尺寸、加热均匀性、蒸发冷却以及产生感光剂。将这样的基于像素的光投影与光刻图案化工艺和/或加热过程相结合提高了处理的均匀性并且减少了缺陷。实施方式可以包括使用数字光处理(DLP)芯片、光栅光阀(GLV)或其他的基于网格的微投影技术。

Description

使用光学投影的基板调整***和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年11月27日提交的题为“OpticalProjectionTunedHotPlate”的美国临时专利申请第61/909,714号的权益，其全部内容通过引用并入本文中。本申请还要求2014年1月27日提交的题为“SystemandMethodforShiftingCriticalDimensionsofPatternedFilms”的美国临时专利申请第61/932,005号的权益，其全部内容通过引用并入本文中。
背景技术
本公开内容一般性涉及包括半导体基板(如硅晶片)的基板的图案化。本公开内容还涉及与包括作为半导体器件制造的一部分的在基板上涂覆膜和对膜进行显影的光刻有关的工艺。本公开内容具体地涉及作为光刻和图案化工艺的一部分的控制图案化特征的尺寸和精度。
光刻包括使用对电磁(EM)辐射敏感的膜对基板进行涂覆，将这些膜曝光于EM辐射的图案，以限定膜内的隐性图案，然后显影掉所述膜中的一些以显露基板上的物理图案或凹凸图案。这样的膜的制备和显影可以包括热处理或烘烤。例如，最新应用的膜可能需要施加后烘烤(PAB)，以蒸发溶剂以及/或者增加结构刚度或抗蚀刻性。另外，可以执行曝光后烘烤(PEB)，以设置给定的图案以防止进一步溶解。用于对基板进行涂覆和显影的制造工具典型地包括可以用于添加膜、添加抗蚀剂以及对基板进行显影的许多模块。
发明内容
半导体制造工艺经常对用于热处理基板的***指定精确的温度容差。这样的***典型地被构造为在处理室中的热板。典型地热板可以包括一个或更多个加热元件或加热区域，以用于均匀地加热定位于其上的基板。这种热板和常规***可以将基板加热至跨基板的表面在约0.1摄氏度内的温度均匀性。例如，特定的温度可以保持在0.1摄氏度内，以增强蚀刻前的抗蚀剂结构。不利地，具有0.1℃的容差或温度波动可能不足以防止半导体制造工艺中的缺陷。随着半导体器件继续缩小至更小的尺寸，防止缺陷变得越来越重要。
然而，本文所公开的技术可以提供约0.02摄氏度内的温度均匀性。这样的温度均匀性的提高减少了缺陷，并且使得半导体器件能够继续按比例缩小(scaling)。
本文中的技术包括提供将光或电磁(EM)辐射空间控制地投影至到基板上的***和方法。使这样的空间光投影与热板加热相结合可以实现跨基板的表面的温度均匀性的显著提高。指向目标的400nm至700nm波长的光、紫外光(UV)、红外光或任何波长可以在投影光的撞击点上产生热。随着在基板上的特定点处的总能量增加，该点的温度将增加，直至该点的温度达到稳定状态的值为止。可以使用光源(例如灯)的范围内的不同强度和波长来改变和控制基板上的稳定状态温度。给定的投影图像可以包括多个强度和各种波长，其可以被设置成在多个基板上同时改变和保持许多不同的稳定状态条件。换句话说，基板保持器热源与特定的空间热信号的投影光图像相结合可以增加跨基板的表面的温度均匀性。
在一个实施方式中，相机/检测器和投影仪指向基板。投影仪利用光照射基板(至少部分被照射)，这可以基于从红外检测相机检测到的热信号。然后，该基板可以利用许多光图案和强度具有高空间分辨率的调制温度。在相机(或传感器阵列/传感器机构)检测到热信号的情况下，对应的像素化图像可以被投影到基板表面上，以修改表面温度。因此，热信号可以通过像素来控制，也就是说，通过基板表面上的点或网格点位置来控制。投影图像可以被调节成所期望的具体结果。例如，如果需要温度均匀性，那么投影图像可以与热信号相反，以基本上加热冷却区和/或冷却或保持温暖区。因此，对热板的精细和粗略控制的结合可以提供显著地较好的均匀性。因为光是热的，所以可以利用一定量的光照射需要空间温度调节的区域。因为光可以改变某些材料(例如光致抗蚀剂)的材料属性，所以现有的曝光可以增强为向上或向下偏离。因此，另外的实施方式包括使用基于像素的投影光图案来调整膜性能。
这样的***和方法使得半导体制造商能够满足设计要求。半导体制造的设计规格通过向工程师强加目前的技术不可避免的一组参数来限制开发和生产半导体的工艺。这些设计规格中的一个涉及半导体生产的烘烤步骤。当烘烤基板时，基板在具体的温度下均匀地烘烤一定的时间。能够用可变的温度代替均匀的温度的常量给工艺控制者提供了更多的灵活性并且提高了半导体生产的效率。
注意，本公开内容不限于光刻中的热处理。本公开内容还解决了用于空间上改变基板的温度的技术，并且可以适用于包括沉积***、蚀刻***(湿式和干式)的半导体、平板显示器和光伏***中的真空和非真空处理***。例如，基于像素的投影光图案可以校正临界尺寸、光刻曝光非均匀性、步进曝光延迟时间等。
当然，为了清楚起见，已经呈现出如本文描述的不同的步骤的讨论顺序。在一般情况下，这些步骤可以以任意适当的顺序进行。另外，尽管本文中的不同的特征、技术、构造等中的每个都可以在本公开内容的不同地方进行讨论，但是旨在每个概念可以彼此独立或彼此结合执行。因此，本发明可以以许多不同的方式实施和查看。
注意，本发明内容部分并不指定本公开内容或所要求保护的发明的每个实施方式和/或增加的新颖的方面。相反，本发明内容仅提供不同的实施方式的初步讨论和相应的与常规技术相比的新颖点。对于本发明和实施方式的附加的细节和/或可能的方面，读者被引导至如以下进一步描述的本公开内容的详细描述部分和对应的附图。
附图说明
结合附图考虑，通过参考以下详细描述，本发明的各种实施方式的更完整的理解及其许多附带的优点将变得易于明显。附图不一定按比例绘制，而是将重点放在示出特征、原理和概念上。
图1是用于调整基板的示例性图像投影***的示意性透视图。
图2是用于调整基板的示例性图像投影***的示意性侧视图。
图3是表示空间上变化的属性的示例性基板信号的图。
图4是用于调整基板的示例性图像投影***的示意性侧视图。
图5是跨基板横截面的示例性简化热信号的图。
图6是表示补偿给定的热信号的投影图像的图。
图7是跨基板横截面的示例性简化热信号的图。
图8是示出可用于调整基板的灰度和频率输出的图。
具体实施方式
本文中的技术包括提供空间控制地或基于像素地将光投影至基板上以调整各种基板属性的***和方法。这样的基于像素的光投影可以用于调整基板的各种属性，包括调整临界尺寸、加热均匀性、蒸发冷却、光刻闪耀(flare)、光栅延迟和感光剂产生。将这样的基于像素的光投影与基于接触的加热(例如，热板)相结合可以实现跨基板的表面上的温度均匀性上的显著提高。将这样的基于像素的光投影与光刻图案化工艺相结合可以提高工艺均匀性并且减少缺陷。
在一个实施方式中，与光源耦合的数字光处理(DLP)芯片、光栅光阀(GLV)或其他的基于网格的微投影技术可以使图像(可选地使用透镜)聚焦到基板上，并且校正或调节温度和其他的非均匀性。投影图像可以被改变成使经聚焦的图像的温度输出变化。例如，利用可见光谱灯投影到板上的实心白色图像将使板加热到该特定灯的给定的最高温度。每个投影的像素的温度可以通过使用由该光源产生的所有波长的光、没有波长的光或一些波长的光来调节。这种技术提供了对半导体的给定的烘烤工艺的极其精确的控制，足以使半导体烘烤至1nm内。DLP芯片可以将图像投影到基板上，并且改变基板上的任意一个或多个特定点处的加热量。注意，调节空间温度的非均匀性可以起到加热或冷却基板的作用。例如，如果基板被冷却，那么投影的光图像可以通过对与基板上被冷却的其他点相比被冷却过快的点进行稍微加温来有助于均匀冷却。
常规的烘烤板仅能保持精确至0.1摄氏度，这可能部分由于基板的临界尺寸。典型的热板可以有加热区，但是加热区的尺寸与基板上需要温度调节的区域的大小相比要大若干个数量级。因此，常规地，在每个单独的区所需的热量无法被调节到期望的规格。然而，如本文所公开的投影图像可以取决于由选择的DLP与入射区所支持的许多像素来改变输出至每个单独原子的热量。也就是说，使用微镜投影可实现的热量控制可以如微镜投影的最大投影分辨率那样灵活或精细调整。
在一个实施方式中，基于像素的光投影***连接至烘烤设备、曝光室、分散室、热板等的控制计算机。基于像素的光投影***可以通过透镜***聚焦至对准基板的曝光室。然后，投影到基板的光或在基板处的光将基板的期望的区域加热或调节至期望的温度。这样的方法和***具有多种用途。一个应用是保持温度均匀性。另一个应用是减少半导体制造的烘烤工艺的临界尺寸要求。
图1示出了光投影调整的热板的示例性实施方式。可以将处理室108的尺寸制造成接纳基板，例如硅晶片、平板等。处理室108可以为相对最小尺寸(基于基板的尺寸)，以用于最大化热量保持并且用于保护免受有害的光波长的影响。基板对准***107可以用于使图像对准到基板上的可工作区，其可以在0.1纳米内。基板105可以定位在基板保持器和/或热板上。基板105可以是具有任何类型的涂层的常规的反射或非反射硅磁盘。
所述***包括光源102，光源102可以位于处理室108内、与处理室108相邻或远离处理室108。光源102可以是数个光源例如可见光源、红外光源、UV光源或产生其他波长的光的灯中的任意一个。光源的特性可以被定制成(或选择为)针对所处理的具体基板和具体的调整应用。对于一些基板，60瓦(或等同量)的光源可能是足够的，具有400nm至700nm的波长范围和1080p的DLP分辨率(逐行扫描具有1080条水平线的垂直分辨率)。其他的应用可能需要更高的功率和更高的分辨率。光源可以基于所需的一个或更多个具体波长来选择。例如，可以选择紫外光源用于特定的应用，而可以选择白色或红外线源用于其他应用。光源选择可以基于具体的基板和/或膜的吸收特性。可以使用由DLP、GLV或其他光阀技术支持的任意分辨率。
光投影设备103可以实施为DLP芯片、光栅光阀(GLV)或其他光阀技术。常规可用的是DLP芯片和GLV。透镜***104可以用于生成当投影到基板105上时与基板105的尺寸具有最小像差的图像。投影线106表示朝向基板105投影的图像区或视频。所述视频或图像可以基于期望的热输出和/或来自空间温度传感器(例如红外相机)的动态反馈来进行设计。给定的图像可以从视频处理器输入到DLP。项101示出了基板105(被加热)上的具有与基板的其他位置的温度不同的温度的示例性位置。投影图像109以项101中的之一的形状来投影光。如果项101恰好处于比基板105的其余表面区域的温度较低的温度下，那么投影图像109可以增加局部表面温度，以跨整个基板105产生均匀的温度。
因此，本文中的这样的***结合了用于热板温度控制的精细和粗略控制***—热板对应于(相对地)粗略控制而光投影***对应于(相对地)精细控制。因此，利用来自DLP控制回路的基于位置的高分辨率能力来增强常规的温度控制。通过将光投影到基板表面上来将热能传递至热板表面。因此，可以打开或关闭投影像素的每个位置成为可以具有热量、温度、CD校正和光反应的精细调整的区域。
例如，在图像投影被用于产生均匀的温度的实施方式中，卡盘(基板保持器)和/或基板的热信号可以被识别，以用于更精确的校正。处于平衡状态的基板的期望值在基板上的每一个点处应该为0.00X℃。然后与0.00X℃的任何偏差为基板的当前的热信号。当基板放置在热板上时，热板在0.00X℃处不均匀，并且产生与期望的产生的热信号的平衡之间的偏差。常规的热板可以产生具有0.1摄氏度的空间偏差的基板表面温度。
本文中的技术，当应用于基板加热应用时，可以均匀地增加温度。从给定的投影图像输出的热量取决于其强度、图案和/或颜色。例如，没有光投影的点位置将具有0％的热量增加，接纳灰色光的空间可以具有50％的相对热量增加，而具有全光投影的区域导致可用的热量可能100％的增加。
图5是示出对于给定的基板的简化示例性热信号的图。这可以是跨基板的横截面的热信号。在该示例性热信号中，存在19个用于测量相对热量的点位置。该图的顶部表示相对较冷的温度，在该图中温度增加向下移动，使得该图的底部表示相对较高的温度。例如，点位置1是相对热的点，而点位置2比较冷，点3和点4适度温暖。注意，跨基板存在温度变化，其中，平面位置的温度变化是热信号的一个实施方式。
图6是示出校正来自图5中示出的热信号的热量变化的投影图像的图。换句话说，投影图像补偿具有温度波动的热信号。例如，注意图5中的热信号中的点1、点9、点10、点17和点18是相对热的点。注意，图6中的投影图像在这些位置处没有光投影，这会导致没有热量增加。图5中的热信号中的点位置2和点位置12相对冷，因此在图6的图像投影中，这些点位置示出为白色，其表示全光曝光以引起最大的热量增加(基于对应光源的强度可能的最大的温度变化)。其他的点位置被示出为不同的灰色深浅度，其表示用可变的光投影对温度的适度波动进行类似地校正。图7示出了将图6中的投影图像应用至图5的热信号而导致的经修改的热信号。注意，与图5的热信号相比，大多数的温度已被修改，使得基本上存在较小温度变化。
在图5中所示的基板信号是简化的线形信号。基板通常是平面的，因而均匀性波动可以基于基板上的平面或X、Y位置而变化。图3是描绘出示例性临界尺寸信号的视图。此临界尺寸信号被映射为如在微制造工艺中使用的给定的基板(例如晶片)的表面上的点位置。注意，在CD信号视图上的不同点在暗度或亮度的程度上变化。在CD信号视图上的点位置处的这些相对差异表示CD均匀性的相对差异。例如，完全黑暗的点位置可以表示具有太小的CD的区域，然而完全照亮或较亮的点位置可以表示具有太大的CD的区域。CD信号可以基于所观察的和/或所测量的尺寸来产生。
在图3中示出的基板信号还可以表示给定的光投影在被处理的基板上可能呈现出的样子。在阴影线图案的黑暗变化可以表示光的强度、振幅和/或频率。因此，在基板表面上的接受全投影光的强度的点位置可以包括视图中的浅色的区域或白色的区域。同样地，具有较少的空白的点位置可以具有投影在这些位置处的光的中等强度或部分强度。在该视图中显示为黑方块的点位置可能不接受光或相对较少的光曝光。注意，基板信号可以基于信号类型或不均匀性而在视觉表示上变化。例如，CD信号可能显示为具有对应于划道、信号的一些可感知的线。示出光栅延迟的不均匀性的基板信号可以示出跨基板的表面的给定的步进/扫描器的进展的证据。对于加热不均匀的基板信号可以具有圆形图案或示出在加热区界面处的差异。
图4类似于图1并且示出了光学投影调整基板105的示例性实施方式。基板105可以包括膜115以及底层110，膜115可以是光致抗蚀剂膜，底层110可以成为硬掩模层或其他图案化层或用于图形传递的记忆层。光投影设备103或附带的控制器可以接收基于像素的图像以在基板105上进行投影。用投影图像109示出该基于像素的图像的投影。注意，基板105的一部分被照射而其他部分没有被照射。代替用于光刻曝光的基于掩模的光投影，使用基于像素的图像投影。在投影期间，投影图像可以例如响应于实时反馈或其他的调整目标而改变或变化。
投影的具体的图像或视频可以基于在加热/处理工艺之前(静态调节)或在用于动态调节的加热/处理工艺期间可以收集数据的一个或更多个传感器。在反馈回路中，给定的传感器或传感器阵列可以收集数据(例如，热信号)，并且然后将该所收集的数据发送到控制器。然后，控制器可以基于所收集的数据以及/或者基于是否是所需要的热或光校正来计算图像以投影到基板上。比例积分微分控制器(PID控制器)可以用来实现热信号的反馈。投影的图像可以基于跨基板的任何温度波动(例如从中心到边缘的振荡)而改变。
注意，光的强度或振幅可以基于基板表面上的材料的类型来调节。例如，一些聚合物可以具有低反射率，而其他材料(如硅和金属)可以有最大反射率值。在一个具体的示例性材料(即铜)中，反射率可以是45％至99％，但是，当光入射到铜上，铜表面仍然会升温。因此，本文中的技术可以应用于大多数的基板材料。
图2是改进的基板处理的示例性***的侧视图。基板105放在基板保持器130上，基板保持器130可以被实施为热卡盘或包括热卡盘。各种常规技术可以用于包括液体回路和加热区的基于卡盘的加热。在基板上方(面对被处理的基板的一侧)，可以定位有DLP投影仪等，以将图像投影到作为光投影设备103的一部分的基板表面。投影仪的位置可以基于给定室内的空间可用性进行变化。例如，微制造工具的许多加热模块相对短。在这些实施方式中，各种孔径135和/或透镜***可以用于在基板上方的任何有限的垂直空间内投影图像。示出了示例高度和宽度测量，但这些都是非限制性的，并且只为示出一个具体的实施方式。
专用的光投影***可以被制造成在这种基板调整或加热模块中使用。可替选地，可以使用常规的DLP投影仪。对于常规的DLP投影仪的使用，去除滤色器可以增加可用于投影到每个基板位置上的光(热)的强度。在许多光投影仪中，由光源产生的白光在白光行进到DLP芯片的表面时穿过滤色器。这意味着大多数波长在离开投影仪之前被吸收。除了去除任何滤色器之外，还可以根据具体的设计规格来增加灯强度。
其他实施方式可以使用用于投影到单个基板上的光的不同波长的灯。这些灯都可以有助于光投影，或者被选择性地激活。同样地，每个热板可以使用多个投影仪。在其他实施方式中，光投影可以具有用于例如利用3D图形来更精细的调整的基于频率的输出。除了基于图像的光投影仪之外，热成像相机143可以考虑到基板105来进行定位以实时识别给定的热信号，以用于基于投影的图像来动态调节热信号。在另一实施方式中，传感器阵列可以安装在热板内并且连接至PID控制器的反馈回路。
投影到基板上的给定的光图像可以基于强度(灰度)和/或频率(打开和关闭)。可用的DLP镜可以以超过一千灰度阶每秒打开和关闭高达上万次。图8示出基于光投影的灰度和频率可以如何用于实现在基板上的点位置处的期望的温度变化。注意，温度变化潜力取决于给定的光源的输出或强度。在没有光投影到给定的点的情况下，表面温度将没有变化。在全光投影到给定的点的情况下，基于给定的灯的强度并且基于被加热的材料的类型，温度将会增加，可用的可能的温度变化为100％。0％至100％之间的温度变化通常将正比于灰度强度。基于频率的光投影可以在全光强度投影和无光投影之间进行循环投影。在给定的点上的光投影之间的间隔越短，对应的局部温度可以增加的越多。
如果需要精细控制光/热投影，则可以将灰度投影与基于频率的投影相结合。例如，一些常规的DLP芯片可以以1024灰度阶在1700Hz下运行。通过结合灰度和基于频率的投影，可以产生每秒总共1739776个输出水平。
将基于热信号的图像投影到定位在热板上的基板上只是本文中的***和方法的一个实施方式。在半导体制造的各阶段处，存在用于处理基板的许多附加的应用和实施方式。因此，应用不限于光刻。在另一实施方式中，可以在基板的涂覆(例如，用光致抗蚀剂涂覆)期间使用投影的光-热技术。在液体的涂覆期间将图像投影到旋转的基板上可以有助于减轻蒸发冷却的影响。益处是需要较少的分散量，同时提供更好的涂覆均匀性。如果在旋转室中存在阻碍光投影的不透明物体，则因为基板的旋转，所以光至少可以投影到基板的一部分上，其将是基本上基于频率的投影(这是在给定的点处恰好只有径向段可以被照射的实施方式)。
在其他实施方式中，光图像投影可以用于施加后烘烤(PAB)和曝光后烘烤(PEB)两者。光图像投影可以用于复杂的边缘球状物去除(EBR)清除—可以“绘制”或投影区域，以用于边缘球状物去除。光图像投影可以用于以印刷阵列的方式限定嵌段共聚物的定向自组装的区域。也就是说，可以充分地促进曝光至可以以阵列印刷定向自组装(DSA)的区域，而其余区域没有曝光使得嵌段共聚物将不使用切割掩模而自组装，这节省了在一些制造工艺中的工艺步骤。
本文中的实施方式可以使用湿式或干式基板清洗***。利用湿式清洗***，投影光图像可以有助于中心到边缘的温度均匀性。在液体被分散在旋转基板上的一些工艺中，与边缘的膜的厚度相比，朝向基板中心的膜的厚度较大。然而，本文中的技术甚至可以有助于径向温度的均匀性。取决于分散喷嘴和分散臂的位置，投影到分散室中的图像基本上可以是部分图像(例如，饼形图)。投影到基板的仅一部分上仍然可以是有效的，特别是旋转基板，因为所有的表面都可以被照射或穿过投影图像。使用UV光投影图像还可以有助于化学品的反应，以改进这样的化学品的径向反应作为空间光增强技术，该技术可以与例如直接提供大部分照射的UV灯结合。注意，对于UV光增强和投影，应该选择使得UV能够透射的光学器件，例如石英、氟化钙或其他透明导电介质。
如应当明显的是，存在本文所公开的***和方法的许多实施方式和各种实施方式。
一个实施方式包括处理基板的方法。该方法包括将基板定位在基板保持器上。定位基板可以包括将基板接纳在半导体制造工具的模块中。该半导体制造工具可以包括在基板上分散光致抗蚀剂的至少一个模块。这样的制造工具可以包括用于将基板在在处理模块之间自动移动的基板操作机构。然后，光经由被配置成由位置改变投影的振幅的基于网格的光投影***而被投影到基板的表面上。使用阻挡一部分光的掩模或标线来执行典型的光刻曝光，使得光的图案到达基板表面。与此相反，基于网格的光投影***将光投影为点的阵列或矩阵，其中，每个投影点都可以以频率或振幅来打开或关闭/或者以频率或振幅来变化。然后，投影的光根据基板上的位置通过在基板的表面上的基于基板信号变化的振幅而变化。将光投影到基板的表面上可以包括经由数字光处理(DLP)设备将图像投影到基板上。具体的投影图像可以基于对应于基板的预定能量信号。这种能量信号可以包括热信号、光反射信号、表面能、X射线、微波等。生成的图像可以基于对应于基板的预定的临界尺寸(CD)信号，或对应于基板的预定的光刻曝光信号，这可以是光栅延迟或耀斑的结果。这样的信号可以补偿光栅扫描/曝光延迟和极紫外(EUV)耀斑。
处理基板可以包括使用位于基板的顶表面下方的热源(例如通过使用热板)来加热基板。因此，定位基板可以包括将基板接纳在半导体制造工具的烘烤模块的热板上，半导体制造工具可以被配置为烘烤涂覆在基板上的抗蚀剂材料，并且还可以包括常规的气流和排放部件。然后，可以使用热成像设备(例如红外相机)来识别基板的表面的空间热信号。然后，基于热信号来计算温度校正图像。然后，将温度校正图像投影到基板的表面上，使得温度校正图像减小跨基板的表面的平均温度差。因此，加热均匀性得到显著提高。空间热信号可以具有彼此变化高达约0.1摄氏度或更多的空间温度。接着将图像投影到表面上使表面温度变化降低到差小于约0.02摄氏度。在可替选的实施方式中，处理基板可以包括识别在基板的表面上的基板属性的空间变化，然后基于所识别的空间变化来计算基于像素的图像。注意，给定的基板信号可以根据由特定工具、成套工具处理过的先前基板和/或处理顺序来识别。换句话说，可以针对被处理的基板实时计算基板信号，或根据给定的微制造工艺的信号的重复图案计算/观察基板信号。这种重复图案可能是由于所使用的特定工具和/或材料的制品。基板属性可以包括光学属性、电学属性、机械属性、结构高度、膜厚度、温度等。
在一些实施方式中，数字光处理设备被配置成将独立可寻址像素的图像投影到基板的表面上。数字光处理设备可以被配置成改变每个独立可寻址像素的光的强度。光的强度可以通过DLP芯片和/或光源而改变。一些方法可以包括使用位于基板的顶表面的下方的散热器来冷却基板。
另一实施方式包括一种处理基板的方法。基板被定位在处理室内的基板保持器上。在基于基板信号生成基于像素的图像的情况下，基于像素的图像经由数字控制的微镜投影设备被投影到基板的表面上。基板可以包括具有光反应剂的层，使得所投影的基于像素的图像使光反应剂在基板的给定的点位置处基于投影的光的振幅和/或波长针对基于像素的图像起化学反应。换句话说，投影的光的图案可以有助于引起光反应剂产生酸、碱或其他的溶解度变化的材料。基板信号可以对应于在基板表面上的温度的预定的热信号。投影基于像素的图像可以包括通过每个投影像素改变光的强度、持续时间和波长。
在另一实施方式中，处理基板的方法包括：将基板定位在半导体制造工具的基板保持器上；使用位于基板保持器内的加热机构对基板保持器上的基板进行加热；以及通过使用数字控制微镜投影设备将基于像素的图像投影到基板上来对基板的表面温度进行空间调节。基于像素的图像通过独立可寻址像素来改变光的振幅，并且投影的基于像素的图像基于基板的热信号。
另一实施方式包括用于处理基板的***或装置。该***包括按尺寸制造和配置为接纳用于处理的基板的室。基板保持器被定位于该室内并且被配置成保持基板。该***包括被配置成当基板在室中时将图像投影到基板的上表面上(即被处理的表面)的图像投影***。图像投影***使用微镜投影设备来投影图像。微镜设备可以包括具有对应于被投影的图像中的像素的微镜阵列的设备。该***包括控制器，其被配置成控制图像投影***并且使得图像投影***将基于像素的图像投影到基板的上表面上。图像投影***包括光源，并且可以使用基于像素的投影***。每个投影的像素可以通过选自由光波长、光强度、光频率、以及光振幅所组成的组中的参数进行改变。图像投影***可以被配置成基于预定的基板信号来投影图像，该预定的基板信号可以是改变的表面属性(热、曝光剂量、临界尺寸的变化)的基于像素的表示。
该处理***还可以包括考虑到基板的上表面(即被处理的表面)来进行定位并且被配置成捕获基板的基于像素的热信号的热成像***。图像投影***可以使用数字光处理(DLP)设备或光栅光阀(GLV)设备来将图像投影到基板的上表面上。该***可以包括被配置成将液体组合物分散在同一个处理室中的基板的表面上的分散***。该室可以定位在半导体制造工具内，所述半导体制造工具包括将液体分散在旋转基板上的至少一个模块，并且包括具有用于加热基板的加热机构的至少一个模块。这样的工具有时被称为涂覆机/显影机。在另一实施方式中，该室被定位在半导体制造工具内，所述半导体制造工具包括：被配置成将光致抗蚀剂分散在基板上的至少一个模块；被配置成将显影化学品分散在基板上的至少一个模块；以及被配置成烘烤基板的至少一个模块。其他***可以被实施为包括微镜投影***或基于像素的投影***的扫描仪/步进工具。这样的实施方式可以配置有处理室，该处理室是光刻曝光堆叠的单独的模块，或定位成在光刻曝光期间将图像投影到基板表面上。
另一实施方式包括用于处理基板的处理***。该处理***包括：按尺寸制造和配置成接纳用于处理的基板的室，以及定位于该室内的热板。热板包括被配置成支持基板并且将热传递到基板的上表面。气体注入***被配置成使热板和/或基板的上表面暴露于惰性气体流。加热器被配置成用于加热热板。图像投影***被配置成将图像投影到基板的上表面上，图像投影***包括微镜投影设备。该***还可以包括控制器，其被配置用于监视热板的温度、控制气体注入***、控制加热器并且控制图像投影***。图像投影***可以使用基于像素的投影***，并且可以包括光源。每个投影的像素可以在光强度、光频率、以及光振幅中的至少一个上被改变。给定的图像可以被投影成光点的网格。每个投影的像素的强度可以基于基板的空间热信号。在一些实施方式中，图像投影***使用数字光处理(DLP)设备或光栅光阀(GLV)设备来将图像投影到基板的上表面上。可选地，热成像***可以考虑到基板的上表面进行定位并且被配置成识别基板的基于网格的温度。热板可以包括用于在基板的背面加热的多个加热区。图像投影***可以包括被配置成从被投影到基板的上表面上的光中排除特定波长的光的光过滤***。
在另一实施方式中，处理***包括：按尺寸制造的室，其被配置成接纳用于处理的基板；冷却板，其包括被配置成支持基板并且从基板中去除热的上表面。散热器被配置成冷却所述冷却板，并且图像投影***被配置成将图像投影到基板的上表面上。图像投影***包括微镜投影设备。控制器被配置成监测冷却板的温度、控制散热器并且控制图像投影***。
另一实施方式包括：接纳具有利用嵌段共聚物的定向自组装的膜的基板。使用数字光投影将图像投影到基板膜上，使得图像根据空间投影图像来修改膜。施加嵌段共聚物的膜，并且自组装被激活或启动，使得共聚物组装成基于空间投影的(基于像素的)图像的图案。
在前面的描述中，已经阐述了具体的细节，例如处理***的具体几何形状和其中使用的各种组件和过程的描述。然而，应当理解的是，本文中的技术可以以脱离这些具体的细节的其他实施方式进行实践，而这些细节是为了说明而不是限制的目的。本文所公开的实施方式已经参照附图进行了描述。类似地，为了说明的目的，已经对具体的标记、材料和配置进行了阐述，以便提供透彻的理解。然而，实施方式可以在没有这些具体细节的情况下实施。基本上具有相同的功能结构的部件由相同的附图标记来表示，因而可以省略任何多余的描述。
各种技术已经被描述为多个分立操作，以有助于理解各种实施方式。描述的顺序不应该被解释为暗示这些操作一定是顺序相关的。实际上，这些操作不必以所呈现的顺序执行。所描述的操作可以以与所描述的实施方式不同的顺序来执行。在附加的实施方式中可以执行各种附加的操作以及/或者可以省略所描述的操作。
如本文使用的“基板”或“目标基板”一般地指根据本发明的正在被处理的物体。基板可以包括设备的任何材料部分或结构，特别是半导体或其他的电子设备，并且可以例如是基底基板结构，如半导体晶片、中间掩模或在基底基板结构上或覆盖基底基板结构的层(如薄膜)。因此，基板不限于任何特定的基板结构、底层或上层、图案化或未图案化的，而是设想到包括任何这样的层或基板结构，以及层和/或基板结构的任意组合。描述可以参考特定类型的基板，但是这仅是为了说明的目的。
本领域的技术人员还将理解，在仍实现本发明的相同的目的的情况下，可以存在对以上说明的这些技术的操作进行的许多变型。这样的变型旨在由本公开内容的范围覆盖。因此，本发明的实施方式的前述描述并不只在限制。相反，对本发明的实施方式的任何限制呈现在所附的权利要求中。

Claims (40)

1.一种处理基板的方法，所述方法包括：
将基板定位在基板保持器上；
经由基于网格的光投影***将光投影到所述基板的表面上，所述基于网格的光投影***被配置成根据位置改变投影的光的振幅；以及
基于基板信号根据位置来改变投影在所述基板的表面上的光的振幅。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将光投影到所述基板的表面上包括：经由数字光处理设备将图像投影到所述基板上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述图像是基于与所述基板对应的预定能量信号而生成的。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述图像是基于与所述基板对应的预定临界尺寸(CD)信号而生成的。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述图像是基于与所述基板对应的预定光刻曝光信号而生成的。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：使用位于所述基板的顶表面下方的热源对所述基板进行加热。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
使用热成像设备识别所述基板的表面的空间热信号；
基于所述热信号计算温度校正图像；以及
将所述温度校正图像投影到所述基板的表面上，使得所述温度校正图像减小跨所述基板的表面的平均温度差。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述空间热信号具有彼此变化高达约0.1摄氏度的空间温度，并且其中，将所述图像投影到所述表面上使表面温度变化降低到差小于约0.02摄氏度。
9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
识别在所述基板的表面上的基板属性的空间变化；
基于所识别的空间变化计算基于像素的图像。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述数字光处理设备被配置成将独立可寻址像素的图像投影到所述基板的表面上。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述数字光处理设备被配置成改变每个独立可寻址像素的光强度。
12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：使用位于所述基板的顶表面下方的散热器来冷却基板。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，定位所述基板包括：将所述基板接纳在半导体制造工具的烘烤模块的热板上。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述模块被配置成烘烤涂覆在所述基板上的抗蚀剂材料。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，定位所述基板包括：将所述基板接纳在半导体制造工具的模块中，所述半导体制造工具还包括将光致抗蚀剂分散至基板上的至少一个模块。
16.一种处理基板的方法，所述方法包括：
将基板定位在处理室内的基板保持器上；
经由数字控制的微镜投影设备将基于像素的图像投影到所述基板的表面上；以及
基于基板信号生成所述基于像素的图像。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述基板包括具有光反应剂的层，其中，所投影的基于像素的图像使所述光反应剂在所述基板上的给定的点位置处基于所投影的光的振幅针对所述基于像素的图像起化学反应。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述基板信号对应于在所述基板表面上的温度的预定的热信号。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，投影所述基于像素的图像包括：根据每个投影的像素改变光强度、持续时间和波长。
20.一种处理基板的方法，所述方法包括：
将基板定位在半导体制造工具的基板保持器上；
使用位于所述基板保持器内的加热机构对在所述基板保持器上的基板进行加热；以及
通过使用数字控制的微镜投影设备将基于像素的图像投影到所述基板上来对所述基板的表面温度进行空间调节，其中，所述基于像素的图像通过独立可寻址像素来改变光振幅，所投影的基于像素的图像基于所述基板的热信号。
21.一种用于处理基板的处理***，所述处理***包括：
按尺寸制造并且被配置成接纳用于处理的基板的室；
定位于所述室中并且被配置成保持所述基板的基板保持器；
图像投影***，其被配置成当所述基板在所述室中时，将图像投影到所述基板的上表面上，所述图像投影***使用微镜投影设备来投影所述图像；以及
控制器，其被配置成控制所述图像投影***并且使得所述图像投影***将基于像素的图像投影到所述基板的上表面上。
22.根据权利要求21所述的处理***，其中，所述图像投影***包括光源。
23.根据权利要求21所述的处理***，其中，所述图像投影***使用基于像素的投影***。
24.根据权利要求23所述的处理***，其中，可以通过选自由光强度、光频率以及光振幅所组成的组中的参数来改变每个投影的像素。
25.根据权利要求23所述的处理***，其中，所述图像投影***被配置成基于预定的基板信号来投影图像。
26.根据权利要求25所述的处理***，进一步包括：
热成像***，其考虑到所述基板的上表面来进行定位，并且被配置成捕获所述基板的基于像素的热信号。
27.根据权利要求21所述的处理***，其中，所述图像投影***使用数字光处理(DLP)设备或光栅光阀(GLV)设备以将所述图像投影到所述基板的上表面上。
28.根据权利要求21所述的处理***，进一步包括分散***，其被配置成将液体组合物分散在所述基板的表面上。
29.根据权利要求21所述的处理***，其中，所述室被定位在半导体制造工具内，所述半导体制造工具包括将液体分散在旋转基板上的至少一个模块，并且包括具有用于加热基板的加热机构的至少一个模块。
30.根据权利要求21所述的处理***，其中，所述室被定位在半导体制造工具内，所述半导体制造工具包括：
被配置为将光致抗蚀剂分散在基板上的至少一个模块；
被配置成将显影化学品分散在基板上的至少一个模块；以及
被配置成烘烤基板的至少一个模块。
31.一种用于处理基板的处理***，所述处理***包括：
按尺寸制造并且被配置成接纳用于处理的基板的室；
被定位于所述室中的热板，所述热板包括被配置成支持基板并且将热传递至所述基板的上表面；
气体注入***，其被配置用于将所述热板的上表面暴露于惰性气体流；
加热器，其被配置用于加热所述热板；
图像投影***，其被配置成将图像投影到所述基板的上表面上，所述图像投影***包括微镜投影设备；以及
控制器，其被配置用于监视所述热板的温度、控制所述气体注入***、控制所述加热器并且控制所述图像投影***。
32.根据权利要求31所述的处理***，其中，所述图像投影***使用基于像素的投影***，并且其中，所述图像投影***包括光源。
33.根据权利要求32所述的处理***，其中，每个投影的像素可以在光强度、光频率以及光振幅中的至少一个中进行改变。
34.根据权利要求32所述的处理***，其中，所述图像投影***将图像投影为光点的网格。
35.根据权利要求32所述的处理***，其中，每个投影的像素的强度基于所述基板的空间热信号。
36.根据权利要求31所述的处理***，其中，所述图像投影***使用数字光处理(DLP)设备或光栅光阀(GLV)设备以将所述图像投影到所述基板的上表面上。
37.根据权利要求31所述的处理***，进一步包括：
热成像***，其考虑到所述基板的上表面来进行定位，并且被配置成识别所述基板的基于网格的温度。
38.根据权利要求31所述的处理***，其中，所述热板包括用于所述基板的背面加热的多个加热区。
39.根据权利要求31所述的处理***，其中，所述图像投影***包括光过滤***，其被配置成排除特定波长的光被投影到所述基板的上表面上。
40.一种用于处理基板的处理***，所述处理***包括：
按尺寸制造并且被配置成接纳用于处理的基板的室；
冷却板，其包括配置成支持基板并且从所述基板中去除热的上表面；
散热器，其被配置用于冷却所述冷却板；
图像投影***，其被配置成将图像投影到所述基板的上表面上，所述图像投影***包括微镜投影设备；以及
控制器，其被配置用于监视所述冷却板的温度、控制所述散热器并且控制所述图像投影***。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107802243A (zh) * 2017-09-29 2018-03-16 武汉昊博科技有限公司 基于点热源模型的生物体内部热源强度和温度分布的分析方法与装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9645391B2 (en) * 2013-11-27 2017-05-09 Tokyo Electron Limited Substrate tuning system and method using optical projection
CN108292093B (zh) * 2015-08-31 2023-01-31 利赛奥谱特科技责任有限公司 用于使用针对膜或表面改性的扫描光束的装置和方法
JP6797627B2 (ja) * 2015-11-24 2020-12-09 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
TWI640837B (zh) * 2015-12-18 2018-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 使用光學投影之基板調整系統及方法
KR102315304B1 (ko) * 2016-03-22 2021-10-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 시스템 내의 온도 제어를 위한 시스템 및 방법
JP2018060001A (ja) 2016-10-04 2018-04-12 東京エレクトロン株式会社 補助露光装置及び露光量分布取得方法
DE102016221261A1 (de) * 2016-10-28 2018-05-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente
US10684173B2 (en) 2017-04-26 2020-06-16 Marco Pinter Interactive artistic presentation system with thermographic imagery
US10447946B2 (en) 2017-04-26 2019-10-15 Marco Pinter Interactive artistic presentation system with thermographic imagery
TWI627440B (zh) * 2017-05-17 2018-06-21 力晶科技股份有限公司 影像亮度重配模組及影像亮度重配方法
US10274836B2 (en) * 2017-06-23 2019-04-30 International Business Machines Corporation Determination of lithography effective dose uniformity
US11014103B2 (en) * 2017-07-26 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2020069346A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 Tokyo Electron Limited Method for globally adjusting spacer critical dimension using photo-active self-assembled monolayer
MX2022001141A (es) * 2019-07-29 2022-02-16 Basf Coatings Gmbh Dispositivo y metodo para monitorear el proceso de secado/curado de recubrimientos.
US11637031B2 (en) * 2019-11-04 2023-04-25 Tokyo Electron Limited Systems and methods for spin process video analysis during substrate processing

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020113056A1 (en) * 1997-04-02 2002-08-22 Hitachi, Ltd. Substrate temperature control system and method for controlling temperature of substrate
CN1577082A (zh) * 2003-06-30 2005-02-09 株式会社东芝 加热处理装置的温度校正方法、显影处理装置的调整方法和半导体器件的制造方法
US20050213067A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1723541A (zh) * 2002-12-10 2006-01-18 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
US20060132746A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
US20110018167A1 (en) * 2009-07-27 2011-01-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography apparatus and method
CN102299047A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 热处理装置和热处理方法
US20120015305A1 (en) * 1998-06-04 2012-01-19 Garner Harold R Digital optical chemistry micromirror imager

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3146028B2 (ja) * 1991-09-24 2001-03-12 株式会社東芝 光応用基板処理装置
US5580471A (en) * 1994-03-30 1996-12-03 Panasonic Technologies, Inc. Apparatus and method for material treatment and inspection using fiber-coupled laser diode
US6248168B1 (en) * 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
JP4503828B2 (ja) 1998-02-11 2010-07-14 ユニバーシティー オブ ヒューストン 光生成試薬を用いる化学反応および生化学反応のための方法および装置
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
WO1999050893A1 (fr) * 1998-03-30 1999-10-07 Nikon Corporation Procede d'exposition et systeme d'exposition
JP4734376B2 (ja) * 1998-07-02 2011-07-27 株式会社東芝 加熱装置の評価方法とパターン形成方法及び加熱装置の制御方法
US6174651B1 (en) * 1999-01-14 2001-01-16 Steag Rtp Systems, Inc. Method for depositing atomized materials onto a substrate utilizing light exposure for heating
JP2000260687A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Tokyo Electron Ltd 加熱処理方法及び加熱処理装置
US6303411B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-16 Vortek Industries Ltd. Spatially resolved temperature measurement and irradiance control
US6235439B1 (en) * 1999-05-19 2001-05-22 International Business Machines Corporation Method for controlling image size of integrated circuits on wafers supported on hot plates during post exposure baking of the wafers
JP3792986B2 (ja) * 2000-04-11 2006-07-05 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
JP3702194B2 (ja) * 2000-04-13 2005-10-05 東京エレクトロン株式会社 加熱装置
US6479820B1 (en) 2000-04-25 2002-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Electrostatic charge reduction of photoresist pattern on development track
US6573480B1 (en) 2000-10-24 2003-06-03 Advanced Micro Devices, Inc. Use of thermal flow to remove side lobes
JP3696156B2 (ja) * 2000-12-26 2005-09-14 株式会社東芝 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法
JP3825277B2 (ja) 2001-05-25 2006-09-27 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
US7095484B1 (en) * 2001-06-27 2006-08-22 University Of South Florida Method and apparatus for maskless photolithography
JP2004265957A (ja) 2003-02-26 2004-09-24 Nikon Corp 最適位置検出式の検出方法、位置合わせ方法、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス
JP4033809B2 (ja) * 2003-06-16 2008-01-16 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP4290579B2 (ja) * 2004-01-19 2009-07-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
US6960775B1 (en) * 2004-04-13 2005-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
WO2005106932A1 (ja) 2004-04-28 2005-11-10 Nikon Corporation 解析方法、露光装置及び露光装置システム
US7462429B2 (en) * 2005-10-12 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Method and arrangement for correcting thermally-induced field deformations of a lithographically exposed substrate
US7534627B2 (en) 2006-08-07 2009-05-19 Sokudo Co., Ltd. Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools
JP2008250139A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 露光装置における露光方法及び露光装置
JP5331580B2 (ja) 2008-07-02 2013-10-30 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置及びそれに用いる部品
US8406859B2 (en) * 2008-08-10 2013-03-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Digital light processing hyperspectral imaging apparatus
KR20110119666A (ko) 2009-01-26 2011-11-02 나노잉크, 인크. 기판 온도 조절을 포함하는 넓은 면적의 균일한 어레이 제작
WO2011035408A1 (en) * 2009-09-22 2011-03-31 La Corporation De L'ecole Polytechnique De Montreal B.R.C.D.T. Method and system for optical data acquisition and tomography imaging of a turbid medium object
JP5041009B2 (ja) * 2010-01-14 2012-10-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP5107372B2 (ja) * 2010-02-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2012119536A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Tokyo Electron Ltd 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体
JP5658083B2 (ja) * 2011-05-11 2015-01-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 温度変更システム
JP5638477B2 (ja) * 2011-07-19 2014-12-10 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、現像処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5852374B2 (ja) * 2011-09-07 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置および描画方法
JP2013074217A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP5964626B2 (ja) * 2012-03-22 2016-08-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020113056A1 (en) * 1997-04-02 2002-08-22 Hitachi, Ltd. Substrate temperature control system and method for controlling temperature of substrate
US20120015305A1 (en) * 1998-06-04 2012-01-19 Garner Harold R Digital optical chemistry micromirror imager
CN1723541A (zh) * 2002-12-10 2006-01-18 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
CN1577082A (zh) * 2003-06-30 2005-02-09 株式会社东芝 加热处理装置的温度校正方法、显影处理装置的调整方法和半导体器件的制造方法
US20050213067A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060132746A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
US20110018167A1 (en) * 2009-07-27 2011-01-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography apparatus and method
CN102299047A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 热处理装置和热处理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107802243A (zh) * 2017-09-29 2018-03-16 武汉昊博科技有限公司 基于点热源模型的生物体内部热源强度和温度分布的分析方法与装置
CN107802243B (zh) * 2017-09-29 2020-11-03 武汉昊博科技有限公司 基于点热源模型的生物体内部热源强度和温度分布的分析方法与装置

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