KR101072330B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents
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- 하지막이 성막된 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 처리와, 도포 처리 후의 기판을 가열 처리하는 제1 가열 처리와, 제1 가열 처리 후에 레지스트막을 미리 결정된 패턴으로 노광하는 노광 처리와, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 제2 가열 처리와, 제2 가열 처리 후에 레지스트막을 현상하는 현상 처리와, 현상 처리 후에 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하지막을 제거하는 에칭 처리를 일련의 처리로서 실행하여, 상기 기판에 미리 결정된 하지막 패턴을 형성하는 기판 처리 장치로서,상기 에칭 처리 후에, 상기 기판에 형성된 패턴의 사이드 월 앵글 및 선폭을 측정 검사하는 검사 장치와,상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리에서의 처리 조건의 설정을 행하는 제어부를 구비하고,상기 제어부는,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글의 상기 검사 장치에 의해 취득된 검사 결과에 기초하여 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글이 기판면 내에서 균일하게 되도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 어느 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하고,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭의 상기 검사 장치에 의해 취득된 검사 결과에 기초하여 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭이 기판면 내에서 균일하게 되도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 다른 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 가열 처리를 행하는 제1 열처리 장치와, 상기 제2 가열 처리를 행하는 제2 열처리 장치를 구비하고,상기 제1 열처리 장치와 상기 제2 열처리 장치는 각각복수의 가열 영역으로 구획되며, 상기 복수의 가열 영역 상에 상기 기판이 적재되는 열처리판과, 상기 복수의 가열 영역의 각각을 독립적으로 가열하는 가열 수단을 가지며,상기 검사 장치는, 상기 복수의 가열 영역의 각각에서 가열 처리된 상기 기판의 각 기판 영역에 대하여 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴을 측정 검사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 각 기판 영역에서 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴이 균일하게 되도록,상기 열처리판의 복수의 가열 영역 각각에 대해, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 각각에서의 상기 처리 조건의 설정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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- 하지막이 성막된 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 처리와, 도포 처리 후의 기판을 가열 처리하는 제1 가열 처리와, 제1 가열 처리 후에 레지스트막을 미리 결정된 패턴으로 노광하는 노광 처리와, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 제2 가열 처리와, 제2 가열 처리 후에 레지스트막을 현상하는 현상 처리와, 현상 처리 후에 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하지막을 제거하는 에칭 처리를 일련의 처리로서 실행하여, 상기 기판에 미리 결정된 하지막 패턴을 형성하는 기판 처리 장치로서,상기 에칭 처리 후에, 상기 기판에 형성된 패턴의 사이드 월 앵글 및 선폭을 측정 검사하는 검사 장치와,상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리에서의 처리 조건의 설정을 행하는 제어부를 구비하고,상기 제어부는,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글의 목표값과 상기 상기 검사 장치에 의한 사이드 월 앵글의 검사 결과와의 차분에 기초하여, 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글이 상기 사이드 월 앵글의 목표값에 근사하도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 어느 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하고,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭의 목표값과 상기 검사 장치에 의한 선폭의 검사 결과와의 차분에 기초하여, 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭이 상기 선폭의 목표값에 근사하도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 다른 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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- 하지막이 성막된 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 처리와, 도포 처리 후의 기판을 가열 처리하는 제1 가열 처리와, 제1 가열 처리 후에 레지스트막을 미리 결정된 패턴으로 노광하는 노광 처리와, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 제2 가열 처리와, 제2 가열 처리 후에 레지스트막을 현상하는 현상 처리와, 현상 처리 후에 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하지막을 제거하는 에칭 처리를 일련의 처리로서 실행하여, 상기 기판에 미리 결정된 하지막 패턴을 형성하는 기판 처리 방법으로서,상기 에칭 처리 후에, 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 단계와,상기 에칭 처리 후에, 상기 하지막 패턴의 선폭을 측정 검사하는 단계와,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 단계에 의해 취득된 검사 결과에 기초하여, 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글이 기판면 내에서 균일하게 되도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 어느 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하는 단계와,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭을 측정 검사하는 단계에 의해 취득된 검사 결과에 기초하여, 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭이 기판면 내에서 균일하게 되도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 다른 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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- 하지막이 성막된 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 처리와, 도포 처리 후의 기판을 가열 처리하는 제1 가열 처리와, 제1 가열 처리 후에 레지스트막을 미리 결정된 패턴으로 노광하는 노광 처리와, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 제2 가열 처리와, 제2 가열 처리 후에 레지스트막을 현상하는 현상 처리와, 현상 처리 후에 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하지막을 제거하는 에칭 처리를 일련의 처리로서 실행하여, 상기 기판에 미리 결정된 하지막 패턴을 형성하는 기판 처리 방법으로서,상기 에칭 처리 후에, 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 단계와,상기 에칭 처리 후에, 상기 하지막 패턴의 선폭을 측정 검사하는 단계와,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글의 목표값과 상기 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 단계에 의한 사이드 월 앵글의 검사 결과와의 차분에 기초하여, 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글이 상기 사이드 월 앵글의 목표값에 근사하도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 어느 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하는 단계와,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭의 목표값과 상기 선폭을 측정 검사하는 단계에 의한 선폭의 검사 결과와의 차분에 기초하여, 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭이 상기 선폭의 목표값에 근사하도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 다른 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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- 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서,하지막이 성막된 기판에 레지스트액을 도포하는 도포 처리와, 도포 처리 후의 기판을 가열 처리하는 제1 가열 처리와, 제1 가열 처리 후에 레지스트막을 미리 결정된 패턴으로 노광하는 노광 처리와, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 제2 가열 처리와, 제2 가열 처리 후에 레지스트막을 현상하는 현상 처리와, 현상 처리 후에 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하지막을 제거하는 에칭 처리를 일련의 처리로서 실행하여, 상기 기판에 미리 결정된 하지막 패턴을 형성하는 기판 처리 장치에 사용되며,상기 기판 처리 프로그램은 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치를 제어하며,상기 에칭 처리 후에, 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 단계와,상기 에칭 처리 후에, 상기 하지막 패턴의 선폭을 측정 검사하는 단계와,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글을 측정 검사하는 단계에 의해 취득된 검사 결과에 기초하여, 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 사이드 월 앵글이 기판면 내에서 균일하게 되도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 어느 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하는 단계와,상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭을 측정 검사하는 단계에 의해 취득된 검사 결과에 기초하여, 다음 회의 처리에서의 상기 에칭 처리 후의 상기 하지막 패턴의 선폭이 기판면 내에서 균일하게 되도록, 상기 제1 가열 처리 및 상기 제2 가열 처리 중 다른 하나에서의 열처리 온도와, 열처리 시간과, 승온 및 강온 온도를 포함하는 처리 조건의 설정을 행하는 단계를 포함하는 시퀀스를 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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