JP4570164B2 - 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4570164B2 JP4570164B2 JP2006179726A JP2006179726A JP4570164B2 JP 4570164 B2 JP4570164 B2 JP 4570164B2 JP 2006179726 A JP2006179726 A JP 2006179726A JP 2006179726 A JP2006179726 A JP 2006179726A JP 4570164 B2 JP4570164 B2 JP 4570164B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- pattern
- substrate
- processing
- target value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 90
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 123
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 71
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 69
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 63
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 102
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 42
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
- G03F7/3071—Process control means, e.g. for replenishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
さらに、フォトリソグラフィ工程後は、前記レジストパターンをマスクとして、ウエハ上の下地膜、例えば酸化膜を除去するエッチング処理が行われ、所定のパターンが形成される。
しかしながら、前記熱処理板の各加熱領域の温度調整を全て同じ設定温度で行うと、例えば各加熱領域の熱抵抗などの相違により、熱処理板上のウエハ面内の温度がばらつくことがある。このため、従来から、熱処理板の各加熱領域には、ウエハの面内温度を微調整するための温度補正値(オフセット値)が設定され、熱処理板の各加熱領域の設置温度には、熱処理温度を各温度補正値で補正したものが用いられている(特許文献1参照)。
しかしながら、フォトリソグラフィ工程後にレジストパターンの線幅(CD)やサイドウォールアングル(SWA)の均一なウエハが得られたとしても、その後のエッチング処理においてレジスト下の酸化膜が除去されると、(エッチング)ガス流量などのエッチング工程での処理条件のばらつきにより前記各加熱領域に対応したウエハ領域間でエッチング処理の進行度に差異が生じ、最終的なパターンの線幅(CD)やサイドウォールアングル(SWA)が不均一になるという問題があった。
尚、前記第一の熱処理装置及び第二の熱処理装置での加熱処理の条件は、少なくとも熱処理温度と、熱処理時間と、昇降温温度とを含むことが好ましい。
また、前記補正において、前記現像処理後のパターン状態の目標値と前記第一の検査結果との差分を、加熱処理での補正値へ換算する際には、現像処理までのプロセス条件のみを考慮すればよいため、エッチング処理工程での条件を考慮して作成する必要がなく、その換算処理をより容易にすることができる。
また、前記制御手段は、前記熱処理板の複数の加熱領域の夫々について、加熱処理の条件設定を行うことが好ましい。
或いは、前記検査装置により検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅及び/またはパターンのサイドウォールアングルであって、前記制御部は、パターンの線幅が、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第一の熱処理装置での加熱処理の条件設定と、パターンのサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第二の熱処理装置での加熱処理の条件設定の少なくとも一方を実施することが望ましい。
或いは、前記検査装置により検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅またはパターンのサイドウォールアングルであって、前記制御部は、パターンの線幅またはサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように前記第一の熱処理装置及び前記第二の熱処理装置での加熱処理の条件設定を行うことが望ましい。
尚、前記第一の加熱処理及び第二の加熱処理の条件は、少なくとも熱処理温度と、熱処理時間と、昇降温温度とを含むことが好ましい。
また、前記補正において、前記現像処理後のパターン状態の目標値と前記第一の検査結果との差分を、加熱処理での補正値へ換算する際には、現像処理までのプロセス条件のみを考慮すればよいため、エッチング処理工程での条件を考慮して作成する必要がなく、その換算処理をより容易にすることができる。
或いは、前記検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅及び/またはパターンのサイドウォールアングルであって、前記第一の加熱処理及び前記第二の加熱処理での条件設定を行うステップにおいて、パターンの線幅が、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第一の加熱処理の条件設定と、パターンのサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第二の加熱処理の条件設定の少なくとも一方を実施することが望ましい。
或いは、前記検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅またはパターンのサイドウォールアングルであって、前記第一の加熱処理及び前記第二の加熱処理での条件設定を行うステップにおいて、前記パターンの線幅またはパターンのサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように前記第一の加熱処理及び前記第二の加熱処理の条件設定を行うことが望ましい。
また、前記した課題を解決するために、本発明にかかる基板処理プログラムは、前記基板処理装置において、前記基板処理方法をコンピュータに実行させることに特徴を有し、本発明にかかる基板処理プログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録される。
図1のパターン形成装置1は、被処理基板である半導体ウエハへのレジスト液塗布、加熱処理、現像処理等を行う塗布現像装置100と、ウエハへの露光処理を行う露光装置200と、現像処理後に基板に対して所定のエッチング処理を行うエッチング装置300とを備える。
さらに、エッチング装置300によるエッチング処理後にパターン線幅(CD)やサイドウォールアングル(SWA)を測定検査する検査装置400を備え、前記各装置は、演算部(CPU)や記憶部(メモリ)を備える汎用コンピュータである制御部500により全体制御がなされる。
図1に示すように、塗布現像装置100は、例えば25枚のウエハWをカセット単位で外部から搬入出したり、カセットCに対してウエハWを搬入出したりするカセットステーション2と、フォトリソグラフィ工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各処理ユニットを多段に配置している処理ステーション3と、この処理ステーション3に隣接して設けられ、露光装置200との間でウエハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
処理ステーション3において、図1中の下側に、カセットステーション2側から第1の処理装置群G1、第2の処理装置群G2が順に配置されている。また、図1中の上側に、カセットステーション2側から第3の処理装置群G3、第4の処理装置群G4及び第5の処理装置群G5が順に配置されている。
また、第1の処理装置群G1及び第2の処理装置群G2の最下段には、各処理装置群G1、G2内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室(CHM)35、36がそれぞれ設けられている。
また、第2の搬送装置11のX方向正方向側には、例えばウエハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット(WEE)94が配置されている。
この熱処理板140は、図示するように複数、例えば5つの加熱領域R1、R2、R3、R4、R5に区画されている。熱処理板140は、例えば平面から見て中心部に位置し、円形の加熱領域R1と、その周囲を円弧状に4等分した加熱領域R2〜R5に区画されている。
露光装置200における露光条件は、露光強度、露光時間、露光焦点、露光合わせ位置とで決定されるが、それらのパラメータは、制御部500からの指令に基づき、露光装置200全体の制御を行うコントローラ210により制御されるようになされている。
先ず、カセットステーション2において、未処理のウエハWを収容したカセットCから1枚のウエハWが、ウエハ搬送体7により第3の処理装置群G3のトランジションユニット(TRS)61に搬送される。そこでウエハWは、位置合わせが行われた後、アドヒージョンユニット(AD)90、91へ搬送され疎水化処理が行われる。次いで高精度温調ユニット(CPL)62〜64にて所定の冷却処理が行われ、第1の処理装置群G1のレジスト塗布処理ユニット(COT)20〜22に搬送されて、ウエハ表面上へのレジスト塗布処理が行われる。尚、トラジション装置61からレジスト塗布装置20〜22までのウエハWの搬送は第1の搬送装置10により行われる。
そしてバッファカセット42に一時的に保持されたウエハWは、ウエハ搬送体41により取り出され、露光装置200に引き渡され、そこで所定の露光処理が行われる。
次いでウエハWは、第2の搬送装置11により第2の処理装置群G2の現像処理装置30〜34に搬送されて現像処理が行われ、次いで第4の処理装置群G4のポストベーキングユニット(POST)75〜79に搬送されて、そこで、現像処理後の加熱処理が行われる。そしてウエハWは、第3の処理装置群G3の高精度温調ユニット(CPL)62〜64で冷却処理が行われ、ウエハ搬送体7によりカセットCに戻される。
また、エッチング装置300におけるエッチング条件は、エッチング時間やエッチングガスの組成比とで決定されるが、前記エッチング時間とは、ウエハWにエッチングガスを供給している時間であり、エッチングガス組成比はエッチングガスの種類や量で決定される。これらパラメータは、制御部500からの指令に基づき、エッチング装置300全体の制御を行うコントローラ310により制御される。
検査装置400は、図1に示すように、筐体401内に、例えばウエハWを収納したカセットを搬入出するための搬入出ステージ403と、検査ユニット402と、この搬入出ステージ403と検査ユニット402との間でウエハWを搬送するための専用の補助基板搬送手段をなす、昇降自在、X、Y方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成された補助アーム404とを備えている。
また、検査装置400に搬送されるウエハWは、前記搬入出ステージ403のカセットに収納されるよう構成されている。
前記CD検査装置402a、SWA検査装置402bは、例えばCCDカメラによる撮像により前記所定の検査を行うものであり、これら装置の一例について図6に基づいて説明する。
前記コンピュータ409は、CCDカメラ407の移動を制御する機能や、制御部500に測定データを送信する機能を有している。尚、CCDカメラ407は固定されていて、ウエハWの載置台406側がX、Y、Z方向に移動できる構成であってもよい。
尚、図7に示されたウエハWの領域A1〜A5は、図4に示したプリベーキングユニット(PAB)71〜74やポストエクスポージャベーキングユニット(PEB)84〜89が備える熱処理板140の加熱領域R1〜R5に夫々対応した領域である。
尚、制御部500において、プログラムP、サブプログラムSP等が記録される記憶手段502は、ハードディスク、不揮発メモリ、抜き差し可能な記録媒体(例えば光ディスク、メモリカード)等のいずれの記録媒体であってもよい。
尚、検査ユニット402で測定されるパターン線幅(CDp、CDe)や、目標パターン線幅(目標CDp)等は、TCDとBCDのいずれか一方が適用できるが、本実施の形態ではBCDを適用するものとし説明する。
この参照テーブルTには、前記差分ΔCDp及びΔSWApに対する最適な温度オフセット値等の加熱処理条件の各補正値(オフセット値)が、プリベーキングユニット(PAB)71〜74或いはポストエクスポージャベーキングユニット(PEB)84〜89における各加熱領域R1〜R5の夫々について予め設定されている。
尚、加熱処理の条件としては、少なくとも熱処理温度と、熱処理時間と、昇降温温度とを含んでいる。
即ち、これらオフセット値が適用されることにより、フォトリソグラフィ工程後のウエハWの各領域A1〜A5夫々において、目標パターン線幅(目標CDp)及び目標サイドウォールアングル(目標SWAp)に近似したレジストパターンを得ることができる。
或いは、逆にΔCDpに基づく温度オフセット値等の各補正値(オフセット値)がポストエクスポージャベーキングユニット(PEB)84〜89に対して適用される場合には、ΔSWApに基づく温度オフセット値等の各補正値(オフセット値)がプリベーキングユニット(PAB)71〜74に対して適用される。
先ず、プログラムPが実行され、フォトリソグラフィ工程が開始される(図10のステップS1)。
フォトリソグラフィ工程終了後、レジストパターンが形成されると、ウエハWは検査装置400に搬送され、そこでパターン線幅(CDp)及びサイドウォールアングル(SWAp)が測定される(図10のステップS2)。また、測定されたデータは、制御部500に出力される。
そして、ウエハWは、再び検査装置400に搬送され、そこでパターン線幅(CDe)及びサイドウォールアングル(SWAe)が測定される(図10のステップS4)。また、測定されたデータは、制御部500に出力される。
一方、領域A1〜A5のいずれかにおいて、前記スペック外のΔCDe、ΔSWAeが存在する場合、その領域については次回のフォトリソグラフィ工程において補正が行われるよう熱処理の各補正値(オフセット値)が求められる(図10のステップS6)。
この相関式1は、予めフォトリソグラフィ工程後のパターン線幅(CDp)及びサイドウォールアングル(SWAp)と、エッチング処理後のパターン線幅(CDe)及びサイドウォールアングル(SWAe)との間の相関関係を示すものであり、例えば次式で表される。
尚、ここで求められたフォトリソグラフィ工程後の目標値は、ウエハWの各領域A1〜A5間で均一の値になっているとは限らない。
そして、目標CDp及び目標SWApと、ステップS2で測定したCDp及びSWApとの差分ΔCDp及びΔSWApが算出される(図10のステップS8)。
次いで、差分ΔCDp及びΔSWApに基づき、参照テーブルTから温度オフセット値等の各補正値(オフセット値)が夫々導出される(図10のステップS9)。
そして、オフセット値として設定可能な範囲の値であれば、サブプログラムSPにより、各補正値がパラメータとして温度制御装置142に出力され、プログラムが終了する。尚、熱処理板140における各加熱領域R1〜R5においては、各補正値(オフセット値)に基づき、温度設定等が変更される(図10のステップS11)。
また、前記補正において、ΔCDp、ΔSWApから温度等のオフセット値へ換算するための参照テーブルTは、フォトリソグラフィ工程でのプロセス条件のみを考慮して作成すればよいため、エッチング処理工程での条件を考慮して作成する必要がなく、その作成をより容易にすることができる。
即ち、ΔCDpに基づく温度オフセット値等の各補正値(オフセット値)のみをプリベーキングユニット(PAB)71〜74、またはポストエクスポージャベーキングユニット(PEB)84〜89の少なくとも一方に適用するよう制御する。このようにすれば、その後のエッチング処理において、パターンの線幅(CDe)をウエハ面内で均一にすることができる。
即ち、ΔSWApに基づく温度オフセット値等の各補正値(オフセット値)のみがプリベーキングユニット(PAB)71〜74、またはポストエクスポージャベーキングユニット(PEB)84〜89の少なくとも一方に対して適用するよう制御する。このようにすれば、その後のエッチング処理の後において、パターンのサイドウォールアングル(SWAe)をウエハ面内で均一にすることができる。
また、前記実施の形態においては、図1に示すように検査装置400と制御部500とを、塗布現像装置100に対し夫々独立させた配置構成とした。しかしながら、その形態に限定されず、検査装置400と制御部500とを、必要に応じて塗布現像装置100の中に組み込んだ構成としてもよい。そのような構成とすれば、クリーンルーム内に配置される装置が占める面積(フットプリント)を縮小することができる。
また、前記実施の形態においては、被処理基板として半導体ウエハを例としたが、本発明における基板は、半導体ウエハに限らず、LCD基板、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
71〜74 プリベーキングユニット(第一の熱処理装置)
84〜89 ポストエクスポージャベーキングユニット(第二の熱処理装置)
100 塗布現像装置
200 露光装置
300 エッチング装置
400 検査装置
500 制御部(コンピュータ)
502 記憶手段(記録媒体)
A1〜A5 基板領域
CD パターン線幅
P プログラム
R1〜R5 加熱領域
SP サブプログラム
SWA サイドウォールアングル
W ウエハ(基板)
Claims (14)
- 下地膜が成膜された基板にレジスト液を塗布する塗布処理と、塗布処理後の基板を加熱処理する第一の加熱処理と、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理と、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる第二の加熱処理と、露光されたレジスト膜を現像する現像処理と、現像処理後に形成されたレジストパターンをマスクとして下地膜を除去するエッチング処理とを一連の処理として実行し、前記基板に所定のパターンを形成する基板処理装置であって、
前記現像処理後に前記基板に形成されたレジストパターンの状態を測定検査し第一の検査結果を出力すると共に、前記エッチング処理後に前記基板に形成されたパターンの状態を測定検査し第二の検査結果を出力する検査装置と、
前記第一の検査結果と前記第二の検査結果から求められた相関式を記録した記憶手段と、
前記相関式に基づき、前記エッチング処理後のパターン状態の目標値から前記現像処理後のパターン状態の目標値を求め、前記現像処理後のパターン状態の目標値と前記第一の検査結果との差分に基づいて、前記第一の加熱処理及び/または前記第二の加熱処理での条件設定を行う制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第一の加熱処理を行う第一の熱処理装置と、前記第二の加熱処理を行う第二の熱処理装置とを備え、
前記第一の熱処理装置と前記第二の熱処理装置とは夫々、
複数の加熱領域に区画され、前記複数の加熱領域上に前記基板が載置される熱処理板と、前記複数の加熱領域の夫々を独立して加熱する加熱手段とを有し、
前記検査装置は、前記複数の加熱領域の夫々において加熱処理された前記基板の各基板領域に対して、前記現像処理後とエッチング処理後の夫々におけるパターンの状態を測定検査することを特徴とする請求項1に記載された基板処理装置。 - 前記制御手段は、前記熱処理板の複数の加熱領域の夫々について、加熱処理の条件設定を行うことを特徴とする請求項2に記載された基板処理装置。
- 前記検査装置により検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅及び/またはパターンのサイドウォールアングルであって、
前記制御部は、
パターンの線幅が、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第二の熱処理装置での加熱処理の条件設定と、
パターンのサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第一の熱処理装置での加熱処理の条件設定の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された基板処理装置。 - 前記検査装置により検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅及び/またはパターンのサイドウォールアングルであって、
前記制御部は、
パターンの線幅が、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第一の熱処理装置での加熱処理の条件設定と、
パターンのサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第二の熱処理装置での加熱処理の条件設定の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された基板処理装置。 - 前記検査装置により検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅またはパターンのサイドウォールアングルであって、
前記制御部は、パターンの線幅またはサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように前記第一の熱処理装置及び前記第二の熱処理装置での加熱処理の条件設定を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された基板処理装置。 - 前記第一の熱処理装置及び第二の熱処理装置での加熱処理の条件は、少なくとも熱処理温度と、熱処理時間と、昇降温温度とを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載された基板処理装置。
- 下地膜が成膜された基板にレジスト液を塗布する塗布処理と、塗布処理後の基板を加熱処理する第一の加熱処理と、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理と、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる第二の加熱処理と、露光されたレジスト膜を現像する現像処理と、現像処理後に形成されたレジストパターンをマスクとして下地膜を除去するエッチング処理とを一連の処理として実行し、前記基板に所定のパターンを形成する基板処理方法であって、
前記現像処理後に前記基板に形成されたレジストパターンの状態を測定検査し第一の検査結果を出力するステップと、
前記エッチング処理後に前記基板に形成されたパターンの状態を測定検査し第二の検査結果を出力するステップと、
前記第一の検査結果と前記第二の検査結果から求められた相関式に基づき、前記エッチング処理後のパターン状態の目標値から前記現像処理後のパターン状態の目標値を求めるステップと、
前記現像処理後のパターン状態の目標値と前記第一の検査結果との差分に基づいて、前記エッチング処理後の前記基板のパターンの状態が基板面内で均一になるよう、前記第一の加熱処理及び/または前記第二の加熱処理での条件設定を行うステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。 - 前記検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅及び/またはパターンのサイドウォールアングルであって、
前記第一の加熱処理及び前記第二の加熱処理での条件設定を行うステップにおいて、
パターンの線幅が、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第二の加熱処理の条件設定と、
パターンのサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第一の加熱処理の条件設定の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項8に記載された基板処理方法。 - 前記検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅及び/またはパターンのサイドウォールアングルであって、
前記第一の加熱処理及び前記第二の加熱処理での条件設定を行うステップにおいて、
パターンの線幅が、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第一の加熱処理の条件設定と、
パターンのサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように行う前記第二の加熱処理の条件設定の少なくとも一方を実施することを特徴とする請求項8に記載された基板処理方法。 - 前記検査測定されるパターンの状態は、パターンの線幅またはパターンのサイドウォールアングルであって、
前記第一の加熱処理及び前記第二の加熱処理での条件設定を行うステップにおいて、
前記パターンの線幅またはパターンのサイドウォールアングルが、前記現像処理後の目標値に近似するように前記第一の加熱処理及び前記第二の加熱処理の条件設定を行うことを特徴とする請求項8に記載された基板処理方法。 - 前記第一の加熱処理及び第二の加熱処理の条件は、少なくとも熱処理温度と、熱処理時間と、昇降温温度とを含むことを特徴とする請求項8乃至請求項11のいずれかに記載された基板処理方法。
- 前記請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記請求項8乃至請求項12のいずれかに記載の基板処理方法を、コンピュータに実行させることを特徴とする基板処理プログラム。
- 前記請求項13に記載の基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006179726A JP4570164B2 (ja) | 2005-09-15 | 2006-06-29 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR1020087003969A KR101072282B1 (ko) | 2005-09-15 | 2006-09-13 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 프로그램 및 그 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
PCT/JP2006/318129 WO2007032372A1 (ja) | 2005-09-15 | 2006-09-13 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US12/065,782 US7867673B2 (en) | 2005-09-15 | 2006-09-13 | Substrate-processing apparatus, substrate-processing method, substrate-processing program, and computer-readable recording medium recorded with such program |
TW095134342A TW200729280A (en) | 2005-09-15 | 2006-09-15 | Substrate treating apparatus, method and program, and computer-readable recording medium for recording the program |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005268192 | 2005-09-15 | ||
JP2006179726A JP4570164B2 (ja) | 2005-09-15 | 2006-06-29 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007110079A JP2007110079A (ja) | 2007-04-26 |
JP4570164B2 true JP4570164B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=37864964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006179726A Active JP4570164B2 (ja) | 2005-09-15 | 2006-06-29 | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7867673B2 (ja) |
JP (1) | JP4570164B2 (ja) |
KR (1) | KR101072282B1 (ja) |
TW (1) | TW200729280A (ja) |
WO (1) | WO2007032372A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4891139B2 (ja) | 2007-04-20 | 2012-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理板の温度設定方法、熱処理板の温度設定装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP4969304B2 (ja) | 2007-04-20 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理板の温度設定方法、熱処理板の温度設定装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US8688254B2 (en) | 2007-06-15 | 2014-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multiple tools using a single data processing unit |
JP5258082B2 (ja) | 2007-07-12 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20090069603A (ko) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 장치의 작업 파일 제어 방법 |
JP5160920B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2013-03-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び製造プログラム |
JP5599754B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
JP2014003164A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに半導体装置の製造システム |
US10409171B2 (en) * | 2017-01-25 | 2019-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Overlay control with non-zero offset prediction |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07311630A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Fujitsu Ltd | クロック切り替え回路および本回路を有するプリンタ装置 |
JP2001143850A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板の加熱処理装置,基板の加熱処理方法,基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2002190446A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-07-05 | Tokyo Electron Ltd | レジストパターン形成装置及びその方法 |
JP2002324744A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003045767A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-02-14 | Infineon Technologies Sc300 Gmbh & Co Kg | レジスト処理における温度を調節する方法 |
JP2005026362A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | 加熱処理装置の温度校正方法、現像処理装置の調整方法、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07211630A (ja) * | 1994-01-26 | 1995-08-11 | Sony Corp | パターン形成方法及びその装置 |
JP3644315B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2005-04-27 | ダイキン工業株式会社 | インバータ装置 |
US6402509B1 (en) * | 1999-09-03 | 2002-06-11 | Tokyo Electron, Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2006
- 2006-06-29 JP JP2006179726A patent/JP4570164B2/ja active Active
- 2006-09-13 US US12/065,782 patent/US7867673B2/en active Active
- 2006-09-13 WO PCT/JP2006/318129 patent/WO2007032372A1/ja active Application Filing
- 2006-09-13 KR KR1020087003969A patent/KR101072282B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-15 TW TW095134342A patent/TW200729280A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07311630A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Fujitsu Ltd | クロック切り替え回路および本回路を有するプリンタ装置 |
JP2001143850A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板の加熱処理装置,基板の加熱処理方法,基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2002190446A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-07-05 | Tokyo Electron Ltd | レジストパターン形成装置及びその方法 |
JP2002324744A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003045767A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-02-14 | Infineon Technologies Sc300 Gmbh & Co Kg | レジスト処理における温度を調節する方法 |
JP2005026362A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | 加熱処理装置の温度校正方法、現像処理装置の調整方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101072282B1 (ko) | 2011-10-11 |
US7867673B2 (en) | 2011-01-11 |
WO2007032372A1 (ja) | 2007-03-22 |
KR20080049017A (ko) | 2008-06-03 |
TWI305932B (ja) | 2009-02-01 |
JP2007110079A (ja) | 2007-04-26 |
TW200729280A (en) | 2007-08-01 |
US20090162759A1 (en) | 2009-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4570164B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP4509820B2 (ja) | 熱処理板の温度設定方法,熱処理板の温度設定装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
KR102434669B1 (ko) | 열처리 장치, 열처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP4666380B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP4636555B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2008270542A (ja) | 熱処理板の温度設定方法、熱処理板の温度設定装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP2006228820A (ja) | 熱処理板の温度設定方法,熱処理板の温度設定装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP4796476B2 (ja) | 熱処理板の温度設定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置 | |
JP2008084886A (ja) | 基板の測定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板の測定システム | |
US7420650B2 (en) | Method of setting processing condition in photolithography process, apparatus for setting processing condition in photolithography process, program, and computer readable recording medium | |
JP2006222354A (ja) | 熱処理板の温度設定方法,熱処理板の温度設定装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP5258082B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4664233B2 (ja) | 熱処理板の温度設定方法,プログラム,プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置 | |
JP4920317B2 (ja) | 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板の処理システム | |
JP5186264B2 (ja) | 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム | |
JP4969304B2 (ja) | 熱処理板の温度設定方法、熱処理板の温度設定装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
WO2011099221A1 (ja) | 基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100809 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100809 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4570164 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |