CN105742226B - 半导体器件制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体制造方法,采用了TVS模板晶圆与产品晶圆形成三明治结构,其中,TSV模板晶圆中具有分布均匀的TSV结构,用于提供产品晶圆之间的电连接,形成3D互连。通过在TSV模板晶圆上设置连接部件,便于上下两片产品晶圆的互连,降低了对准难度,并且增加了3D器件电连接设计的便利程度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造方法领域,特别地,涉及一种采用了 TSV(ThroughSilicon Via)模板晶圆而形成的3D器件的制造方法。
背景技术
随着半导体工艺的不断进步,集成电路的特征尺寸不断缩小,而用于3D互连的TSV的尺寸也越来越小。TSV的图案化、刻蚀与填充工艺,遭遇到了前所未有的挑战。由于尺寸变小,TSV沟槽的深宽比加大,刻蚀和填充愈发困难。常规的刻蚀和填充工艺,渐渐无法满足业界需求,因此,需要对用于3D互连的TSV结构和制造方法进行改进,以适应技术发展的要求。
发明内容
本发明提出了一种半导体器件制造方法,特别地,涉及一种采用了TSV(ThroughSilicon Via)模板晶圆而形成的3D器件的制造方法。
本发明提供一种半导体器件制造方法,其中,包括如下步骤:
提供具有正面和背面的TSV模板晶圆,通过光刻和刻蚀,在所述TSV模板晶圆上形成若干分布均匀的TSV孔洞;
在所述TSV孔洞中填充导电材料;
对该TSV模板晶圆进行平坦化处理,使上述导电材料仅位于上述TSV孔洞之内;
沉积绝缘层,所述绝缘层覆盖所述TSV模板晶圆的正面和背面;
在所述TSV模板晶圆的正面和背面分别布置一产品晶圆,所述产品晶圆具有至少一个TSV连接部件;
将所述产品晶圆与所述TSV模板晶圆进行接合,形成产品晶圆 -TSV模板晶圆-产品晶圆的三明治结构,产品晶圆的所述TSV连接部件和所述TSV孔洞中的导电材料电连接;
其中,在进行接合之前,去除部分所述绝缘层,以暴露出所述TSV连接部件对应的所述TSV孔洞中的导电材料。
根据本发明的一个方面,所述TSV孔洞的直径为40-200nm,各个孔洞的间距为40-200nm。
根据本发明的一个方面,在上述TSV孔洞中填充的导电材料为 Cu,Al,TiN的一种或多种。
根据本发明的一个方面,产品晶圆的所述TSV连接部件的尺寸大于所述TSV模板晶圆中所述TSV孔洞的尺寸,使得所述TSV连接部件能够对应多个所述TSV孔洞;优选地,单个所述TSV连接部件至少对应4个所述TSV孔洞。
本发明的优点在于:采用了TVS模板晶圆与产品晶圆形成三明治结构,其中,TSV模板晶圆中具有分布均匀的TSV结构,用于提供产品晶圆之间的电连接,形成3D互连。通过在TSV模板晶圆上设置连接部件,便于上下两片产品晶圆的互连,降低了对准难度,并且增加了3D器件电连接设计的便利程度。
附图说明
图1TSV模板晶圆俯视图
图2具有TSV孔洞的模板晶圆截面图
图3填充TSV导电材料
图4准备接合的产品晶圆和模板晶圆
图5完成接合的产品晶圆和模板晶圆
具体实施方式
以下,通过附图中示出的具体实施例来描述本发明。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本发明的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本发明的概念。
本发明提供一种半导体器件制造方法,具体而言,涉及一种采用了TSV模板晶圆而形成的3D器件的制造方法。下面,参见附图1-5,将详细描述本发明提供的半导体器件制造方法。
首先,参见附图1和2(图1为俯视图,图2为截面图),提供具有正面和背面的TSV模板晶圆1,通过光刻和刻蚀,在TSV模板晶圆1上形成若干分布均匀的TSV孔洞2。其中,TSV模板晶圆1 为常规的半导体晶圆,例如硅晶圆。同时,所形成的TSV孔洞2在整个模板晶圆上均匀分布,并且贯穿了TSV模板晶圆1的正面和背面。每个孔洞的直径为40-200nm,各个孔洞的间距为40-200nm。
接着,参见附图3,在TSV孔洞2中填充导电材料3,之后,对TSV模板晶圆1进行平坦化处理,使导电材料3仅位于TSV孔洞2 之内。其中,导电材料3为Cu,Al,TiN的一种或多种。另外,为了便于填充,在具体的填充工艺中,也可以将TSV模板晶圆1浸入熔融状态的Al中,并通过冷却形成导电材料3。
接下来参见附图4,沉积绝缘层(未给出附图标记),绝缘层覆盖TSV模板晶圆1的正面和背面。绝缘层材料例如是SiO2、Si3N4等。通过采用绝缘层覆盖模板晶圆,整个模板晶圆在此状况下对外绝缘。
接着,在TSV模板晶圆1的正面和背面分别布置一产品晶圆11,产品晶圆11具有至少一个TSV连接部件4。其中,TSV连接部件4 采用的材料可以与导电材料3相同或者不同,例如选自Cu,Al,TiN 的一种或多种。
接着,参见附图5,将产品晶圆11与TSV模板晶圆1进行接合,形成产品晶圆-TSV模板晶圆-产品晶圆的三明治结构,产品晶圆11 的TSV连接部件4和TSV孔洞2中的导电材料3电连接。由于模板晶圆1被覆盖了一层绝缘层,因此,在进行接合之前,要去除部分绝缘层,以暴露出TSV连接部件4对应的TSV孔洞2中的导电材料3。值得注意的是,TSV连接部件4的尺寸大于TSV模板晶圆中TSV孔洞2的尺寸,使得单个的TSV连接部件4能够对应多个TSV孔洞2,优选地,单个的TSV连接部件4至少对应也即至少覆盖4个TSV孔洞2。由于TSV连接部件4的尺寸大于TSV孔洞2的尺寸,TSV孔洞2的尺寸很小,具有较高的分布密度,这降低了接合时的对准难度,相比传统的未采用模板晶圆的产品晶圆接合,并不需要刻意地追求 TSV的完全对准,也即本发明中的TSV连接部件4并不需要特别精确地对准模板晶圆1的某一部分,同时,上下两个产品晶圆的TSV 连接部件4也不需要非常精确地对准,只要它们覆盖有相同的TSV孔洞2即可实现电连接。可以看出,在本发明中,采用了原创性的 TSV模板晶圆将两个产品晶圆进行连接,形成三明治结构,简便而又精确地获得了3D器件互连结构,有利于进一步提高了3D器件的集成度和互连效率。
以上参照本发明的实施例对本发明予以了说明。但是,这些实施例仅仅是为了说明的目的,而并非为了限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本发明的范围,本领域技术人员可以做出多种替换和修改,这些替换和修改都应落在本发明的范围之内。
Claims (4)
1.一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供具有正面和背面的TSV模板晶圆,通过光刻和刻蚀,在所述TSV模板晶圆上形成若干分布均匀的TSV孔洞,所述TSV孔洞贯穿所述TSV模板的正面和背面;
在所述TSV孔洞中填充导电材料;
对该TSV模板晶圆进行平坦化处理,使上述导电材料仅位于上述TSV孔洞之内;
沉积绝缘层,所述绝缘层覆盖所述TSV模板晶圆的正面和背面;
在所述TSV模板晶圆的正面和背面分别布置一产品晶圆,所述产品晶圆具有至少一个TSV连接部件;
将所述产品晶圆与所述TSV模板晶圆进行接合,形成产品晶圆-TSV模板晶圆-产品晶圆的三明治结构,产品晶圆的所述TSV连接部件和所述TSV孔洞中的导电材料电连接;
其中,在进行接合之前,去除部分所述绝缘层,以暴露出所述TSV连接部件对应的所述TSV孔洞中的导电材料;
其中,所述产品晶圆的所述TSV连接部件的尺寸大于所述TSV模板晶圆中所述TSV孔洞的尺寸,使得所述TSV连接部件能够对应多个所述TSV孔洞。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述TSV孔洞的直径为40-200nm,各个孔洞的间距为40-200nm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在上述TSV孔洞中填充的导电材料为Cu,Al,TiN的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,单个所述TSV连接部件至少对应4个所述TSV孔洞。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1554116A (zh) * | 2001-09-14 | 2004-12-08 | ���ɶȰ뵼�幫˾ | 形成焊盘的方法以及其结构 |
CN101814453A (zh) * | 2010-04-08 | 2010-08-25 | 复旦大学 | 一种用于硅通孔互连中的硅片对准方法 |
CN102420210A (zh) * | 2010-09-28 | 2012-04-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有硅通孔(tsv)的器件及其形成方法 |
CN102487058A (zh) * | 2010-12-01 | 2012-06-06 | 海力士半导体有限公司 | 半导体芯片、半导体封装件以及半导体芯片的制造方法 |
CN102496579A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-06-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种在转接板上实现电绝缘的方法 |
CN103681360A (zh) * | 2012-09-20 | 2014-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 封装器件及方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9136259B2 (en) * | 2008-04-11 | 2015-09-15 | Micron Technology, Inc. | Method of creating alignment/centering guides for small diameter, high density through-wafer via die stacking |
US8933564B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-01-13 | Intel Corporation | Landing structure for through-silicon via |
-
2014
- 2014-12-09 CN CN201410746074.XA patent/CN105742226B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1554116A (zh) * | 2001-09-14 | 2004-12-08 | ���ɶȰ뵼�幫˾ | 形成焊盘的方法以及其结构 |
CN101814453A (zh) * | 2010-04-08 | 2010-08-25 | 复旦大学 | 一种用于硅通孔互连中的硅片对准方法 |
CN102420210A (zh) * | 2010-09-28 | 2012-04-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有硅通孔(tsv)的器件及其形成方法 |
CN102487058A (zh) * | 2010-12-01 | 2012-06-06 | 海力士半导体有限公司 | 半导体芯片、半导体封装件以及半导体芯片的制造方法 |
CN102496579A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-06-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种在转接板上实现电绝缘的方法 |
CN103681360A (zh) * | 2012-09-20 | 2014-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 封装器件及方法 |
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Publication number | Publication date |
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