CN105589248A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Japan Display Inc
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Abstract

本发明涉及一种显示装置及其制造方法。在将被贴合的母板切断成多个单位液晶显示面板、然后粘贴偏振片的方法中，如果进行边框狭窄化，则偏振片的端部有可能未收纳在边框区域内，而进入显示区域内。一种显示装置的制造方法，具有下述工序：(a)将第一母板和第二母板贴合的工序；(b)在所述第一母板上粘贴第一偏振片的工序；(c)在所述第二母板上粘贴第二偏振片的工序；和(d)将所述第一偏振片、所述第一母板、所述第二母板和所述第二偏振片一并切割的工序。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种显示装置，能够适用于例如具有偏振片的显示装置。
背景技术
通常，液晶显示面板为了实现收率的提高，在大面积的母板上形成多个具有薄膜晶体管的阵列基板，在其他母板上形成多个具有彩色滤光片等的对置基板。之后，向密封材料的内侧滴入适量液晶材料，然后将这两个母板贴合在一起，由此同时形成多个液晶显示面板。对被贴合的母板刻入刻痕(划线)，形成多个液晶显示面板，然后使裂痕扩大，从而切断(断裂)所述被贴合的母板(例如，日本特开2007－183550号公报或者与之相对应的美国专利第7583351号)。以下，将划线断裂简称为划线。
专利文献1：日本特开2007－183550号公报
专利文献2：美国专利第7583351号说明书
发明内容
在将被贴合的母板切断成多个液晶显示面板、然后粘贴偏振片的方法中，如果进行边框狭窄化，即，在显示区域的外侧形成有布线等的周边区域的宽度变窄，则由于偏振片的贴合偏差有可能会导致偏振片的端部未收纳于边框区域内，而进入显示区域内。
从本公开的描述及附图可以明确获知与其他课题相比的新特征。
如果简单地说明本公开中代表性方案的概要，则如下所述。
即，一种显示装置的制造方法，具有下述工序：(a)将第一母板和第二母板贴合的工序；(b)在所述第一母板上粘贴第一偏振片的工序；(c)在所述第二母板上粘贴第二偏振片的工序；和(d)将所述第一偏振片、所述第一母板、所述第二母板和所述第二偏振片一并切割(dicing)的工序。
附图说明
图1是用于说明实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
图2是用于说明实施例的显示装置的俯视图。
图3是图2的A－A’线的剖视图。
图4是用于说明实施例的显示装置的阵列基板的图。
图5是表示图4所示的显示装置中的1个像素的电路结构的一例的电路示意图。
图6是用于说明实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图7是用于说明实施例的显示装置的切断方法的流程图。
图8A是用于说明实施例的显示装置的切断方法的俯视图及侧视图。
图8B是用于说明实施例的显示装置的切断方法的俯视图及侧视图。
图8C是用于说明实施例的显示装置的切断方法的俯视图。
图8D是用于说明实施例的显示装置的切断方法的俯视图。
图8E是用于说明实施例的显示装置的切断方法的俯视图。
图8F是用于说明实施例的显示装置的切断方法的俯视图。
图8G是用于说明实施例的显示装置的切断方法的侧视图。
图8H是用于说明实施例的显示装置的切断方法的侧视图。
图9A是用于说明通过超级切断机(supercutter)仅切断偏振片时的偏振片的截面的图。
图9B是用于说明通过超级切断机仅切断偏振片时的偏振片的截面的图。
图10A是用于说明通过切割将偏振片及母板一并切断时的偏振片的截面的图。
图10B是用于说明通过切割将偏振片及母板一并切断时的偏振片的截面的图。
图11是用于说明变形例的显示装置的切断方法的流程图。
图12A是用于说明变形例的显示装置的切断方法的俯视图及侧视图。
图12B是用于说明变形例的显示装置的切断方法的俯视图。
图12C是用于说明变形例的显示装置的切断方法的俯视图。
图12D是用于说明变形例的显示装置的切断方法的俯视图及侧视图。
图12E是用于说明变形例的显示装置的切断方法的俯视图。
图12F是用于说明变形例的显示装置的切断方法的俯视图。
图12G是用于说明变形例的显示装置的切断方法的侧视图。
图12H是用于说明变形例的显示装置的切断方法的侧视图。
符号说明
1···显示面板
2···驱动IC
3···背光源
10···阵列基板
20···对置基板
30···液晶层
40···密封材料
50A、50A’、50B、50B’···偏振片
100、100A、100B···第一母板
101···虚设区域
200、200A、200B···第二母板
201、202···虚设区域
300···显示装置
500A、500A’、500B、500B’···偏振片
CT···公共电极
DA···显示区域
GC···栅极扫描电路
GL、GLm、GLm+1···扫描信号线
PX···像素电极
SL、SLm、SLm+1···影像信号线
Tr···TFT元件
具体实施方式
以下，针对实施方式、比较例、实施例及变形例，一边参照附图一边进行说明。需要说明的是，公开的内容终究只是一个例子，对于本领域技术人员保留发明主旨而进行的适当变更、能容易想到的方案而言，当然包括在本发明的范围内。此外，附图为了使说明更明确，与实际的方案相比，存在对各部分的宽度、厚度、形状等进行示意性表示的情况，但这只是一个例子，并不限定本发明的说明。此外，在本说明书和各图中，有时对与已出现的图有关并与前文所述的内容相同的要素标注相同的附图标记，并适当省略详细说明。
＜实施方式＞
针对实施方式的显示装置的制造方法，使用图1进行说明。
图1是用于说明实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
在实施方式的显示装置的制造方法中，将形成有多个阵列基板的第一母板和形成有多个对置基板的第二母板贴合在一起(步骤S1)，在第一母板及第二母板上粘贴偏振片(步骤S2)。此处，将第一母板和第二母板被贴合在一起而成的基板称为母板。之后，通过切割将母板切断成多个显示面板(步骤S3)。在横跨多个阵列基板(对置基板)粘贴偏振片的情况下，在切开所述多个阵列基板(对置基板)的边界时采用切割。至少在切开多个阵列基板(对置基板)的各长边侧时采用切割。所谓切割，是指一边向要切断的对象物添加切削液一边使刀刃(blade)旋转、将对象物切断成刀刃的左右2个部分的方法。
切割时，在母板和刀刃之间、偏振片和刀刃之间产生摩擦热。通过所述摩擦热，使偏振片的被切割的截面附近短暂熔融，之后冷却固化，由此形成水分难以从偏振片截面渗透的结构。偏振片通常具有吸湿性。因此，如果在室温大气中进行保存，则与初始状态相比，偏振片内的水分增加20％左右。但是，如果使截面短暂熔融后固化，则在相同条件下可将水分的增加抑制在12％左右。由于偏振片的截面在熔融后固化并变得细密，所以能够抑制来自所述截面的水分的吸收。
需要说明的是，此处所示的水分值根据切割条件、切断后的保存条件等的差异而不同。但是，由于偏振片的截面在熔融后固化并变得细密故能抑制水分吸收的原理是不变的。
此外，通过偏振片(其为多个薄膜的层合结构)的各薄膜的截面熔融而一体化，能够减少如下述那样的现象，即，例如在剥离偏振片所含的保护膜的工序中，偏振片本来的一部分剥落。进而，由于存在因热导致粘贴于偏振片表面的保护膜的端部呈白色的情况，所以在后续工序中剥离保护膜的作业时成为记号，因而能够提高作业效率。
由于将偏振片和母板一并切断，所以能够使阵列基板的端部位置与粘贴在阵列基板上的偏振片的端部位置、及对置基板的端部位置与粘贴在对置基板上的偏振片的端部位置分别基本一致。
实施例
针对实施例的显示装置的结构，使用图2至图5进行说明。
图2是用于说明实施例的显示装置的俯视图。图3是图2的A－A’线的剖视图。图4是用于说明实施例的显示装置的阵列基板的图。图5表示图4所示的显示装置中的1个像素的电路结构的一例的电路示意图。
如图2及图3所示，实施例的显示装置包括显示面板1、驱动IC2和背光源3。显示面板1包括阵列基板10、对置基板20、和在阵列基板10与对置基板20之间封入的液晶材料30。将阵列基板10和对置基板20利用包围显示区域DA的环状密封材料40进行粘接，将液晶材料30密封于由阵列基板10、对置基板20及密封材料40包围的空间内。此外，在阵列基板10及对置基板20的面向外侧的面、即与液晶材料30相对的面的背面，分别设置有偏振片50A及偏振片50B。此外，显示区域DA例如由配置成矩阵状的多个像素的集合构成。
阵列基板10具有驱动IC2、栅极扫描电路GC、多根扫描信号线GL和多根影像信号线SL。驱动IC2在1个硅基板上由CMOS电路构成，并以COG(ChipOnGlass)的方式安装于阵列基板10。栅极扫描电路GC在构成阵列基板10的玻璃基板上由薄膜晶体管(TFT)形成。多根扫描信号线GL为从栅极扫描电路GC输入扫描信号的信号线，多根影像信号线SL为从驱动IC2输入影像信号的信号线。此外，扫描信号线GL和影像信号线SL隔着绝缘层形成，1根影像信号线SL隔着所述绝缘层与多根扫描信号线GL立体交叉。需要说明的是，在图4中，将栅极扫描电路GC配置于扫描信号线GL的两侧，但左右的栅极扫描电路GC可以每侧交替地驱动扫描信号线GL。
此外，虽然在图4中进行了省略，但在构成显示区域DA的各像素中配置有TFT元件。在以对1个像素配置1个TFT元件的比例配置的情况下，例如，如图5所示，对于对由邻接的2根扫描信号线GLn、GLn+1(n为比1大的整数)、和邻接的2根影像信号线SLm、SLm+1(m为比1大的整数)包围的区域(像素)配置的TFT元件Tr而言，栅电极G与扫描信号线GLn连接，源电极S与影像信号线SLm连接。此外，TFT元件Tr的漏电极D与像素电极PX连接。像素电极PX形成公共电极CT(有时也称为对置电极)及液晶层30和像素容量(有时也称为液晶容量)CIc。需要说明的是，在本实施例中，关于TFT元件Tr的漏电极和源电极，将与影像信号线SL连接的一方称为源电极，将与像素电极PX连接的一方称为漏电极，但相反地，也即，有时也将与影像信号线SL连接的一方称为漏电极，将与像素电极PX连接的一方称为源电极。
在构成对置基板20的玻璃基板上具有遮光层、彩色滤光片(着色层)和间隔件等。
针对实施例的显示装置的制造方法，使用图6进行说明。
图6是用于说明实施例的显示装置的制造方法的流程图。
将显示装置的制造工序分成：阵列基板制造工序，在构成第一母板的第一玻璃基板上形成像素元件等；对置基板制造工序，在构成第二母板的第二玻璃基板上形成彩色滤光片等；和单元(cell)制造工序，将第一母板和第二母板贴合在一起。
首先，通过阵列基板制造工序，形成排列于第一母板而定义像素区域的多个扫描信号线及多个影像信号线，在各个像素区域中形成与扫描信号线及影像信号线连接的薄膜晶体管(步骤S11)。此外，通过阵列基板制造工序，形成像素电极及公共电极，所述像素电极及公共电极连接于薄膜晶体管、并经由薄膜晶体管被供给信号，由此驱动液晶层。此处，在制作纵电场方式的液晶显示装置时，公共电极通过对置基板制造工序形成于第二母板(其形成有彩色滤光片)。
此外，通过对置基板制造工序，在第二母板上形成遮光层及由红、绿、蓝的彩色滤光片构成的彩色滤光片层(步骤S21)。此外，通过对置基板制造工序，形成用于维持恒定的单元间隙(cellgap)的间隔件。需要说明的是，也可以在第一母板上形成间隔件。
接着，在向第一母板及第二母板分别涂布取向膜后，为了向在第一母板和第二母板之间形成的液晶层的液晶分子提供取向限制力，对取向膜进行取向处理(步骤S12、S22)。此处，作为取向处理方法，可应用摩擦(rubbing)或光取向的方法。
接着，对结束了取向膜工序的第一母板及第二母板，利用取向膜检查器检查有无取向膜不良(步骤S13)。
在第二母板上用密封材料形成规定的密封图案，并且向第一母板滴入液晶而形成液晶层(步骤S14、S24)。需要说明的是，也可以在第一母板上用密封材料形成规定的密封图案，向第二母板滴入液晶而形成液晶层。所述滴入方式为下述方式：利用分配器(dispenser)，向配置有多个阵列基板的大面积的第一母板、或配置有多个对置基板的第二母板的图像显示区域滴入及分配液晶，通过将第一母板和第二母板贴合在一起的压力使液晶均匀地分布于图像显示区域整体，形成液晶层。因此，利用滴入方式在显示面板上形成液晶层时，将密封图案形成为包围图像显示区域的***的封闭形状，从而能够防止液晶泄漏到图像显示区域的外部。
在将滴入有液晶的第一母板和涂布有密封材料的第二母板排成一列的状态下进行加压，利用密封材料将第一母板和第二母板贴合在一起，并使滴入的液晶在面板整体范围内均匀扩散(步骤S15)。通过这样的工序，在大面积的母板(第一母板及第二母板)上形成多个显示面板(形成有液晶层)。
之后，根据需要进行玻璃基板的研磨等，加工母板，粘贴偏振片，进行切断，从而分离成多个显示面板(步骤S16)。检查各个显示面板，由此制作显示面板(步骤S17)。进而，在显示面板上安装驱动IC、电缆(cable)、背光源等，制造显示组件(显示装置)。
使用图7至图9来说明实施例的显示装置的切断方法(步骤S16)的详情。
图7是用于说明实施例的显示装置的切断方法的流程图。图8A及图8B是用于说明实施例的显示装置的切断方法的俯视图及侧视图。图8A的上左侧是俯视图，上右侧及下侧是侧视图。图8B的上侧是俯视图，下侧是侧视图。图8C至图8F是用于说明实施例的显示装置的切断方法的俯视图。图8G是从图8F的D方向进行观察的侧视图。图8H是从图8F的E方向进行观察的侧视图。
如图8A所示，准备利用蚀刻等对贴合在一起的第一母板100和第二母板200进行研磨而变得较薄的母板。需要说明的是，研磨后，可以在第二母板200上形成ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)膜或带有低反射膜的金属膜。第一母板100具有多个阵列基板10和虚设(dummy)区域101。第二母板200具有多个对置基板20、虚设区域201和虚设区域202。需要说明的是，为了在阵列基板10上搭载驱动IC，虚设区域202为去掉对置基板20的区域。
接下来，如图8B所示，在第一母板100和第二母板200上分别粘贴偏振片500A、500B(步骤S161)。偏振片500A、500B以层合有偏光膜、基板膜、离型膜和保护膜等的方式构成。需要说明的是，粘贴偏振片500A、500B之际，形成规定大小时，可使用超级切断机进行切断。
接下来，如图8C所示，为了切去位于图中上下的虚设区域101、201(由于虚设区域101位于虚设区域201的背侧，所以在图上看不到)，对A－A虚线部分进行划线，从而将其切断(步骤S162)。需要说明的是，由于A－A虚线部分为未粘贴有偏振片500A及偏振片500B的部分，所以通过划线将其切断。
接下来，如图8D所示，为了切开对置基板20(阵列基板10)的各短边侧，对B－B虚线部分进行切割，从而将其切断(步骤S163)。需要说明的是，由于B－B虚线部分为粘贴有偏振片500A及偏振片500B的部分，所以通过切割将其切断。进行切割时，例如以将母板真空吸附于开有孔的橡胶等平台(stage)的方式进行。接下来，如图8E所示，为了切开位于图中左右的虚设区域201(虚设区域101)及对置基板20(阵列基板10)的各长边侧，将C－C虚线部分切割并切断(步骤S163)。需要说明的是，由于C－C虚线部分为粘贴有偏振片500A及偏振片500B的部分，以通过切割将其切断。B－B虚线的箭头及C－C虚线的箭头表示切割行进的方向。
对于步骤S161的偏振片的粘贴和步骤S162的划线而言，顺序可以颠倒。此外，对于步骤S162的划线和步骤S163的切割而言，顺序可以颠倒。但是，步骤S161的偏振片的粘贴和步骤S163的切割必须是上述顺序。在图8E中，切割方向为从上到下，但可以反过来，还可以对每条线改变切割(cut)方向。
如图8F所示，对阵列基板10及对置基板20的各长边侧2边和上短边侧上边进行切割，对阵列基板10及对置基板20的各短边侧下边进行划线，形成长条状态的形状。需要说明的是，通过划线去掉虚设区域202。
如图8G及图8H所示，对于经切割的部分T、R、L而言，阵列基板10的端部位置与偏振片50A的端部位置在±50μm以内至±100μm以内一致，对置基板20的端部位置与偏振片50B的端部位置在±50μm以内至±100μm以内一致。需要说明的是，经切割的部分T是阵列基板10及对置基板20的短边部分，经切割的部分R、L是阵列基板10及对置基板20的长边部分。此外，在经切割的部分中，偏振片50A的端部位置与偏振片50B的端部位置也在±100μm以内一致，但在未切割的部分中，如图8G所示，偏振片50A的端部位置与偏振片50B的端部位置之间的偏差d比经切割的部分的偏差大。通常而言，在第一母板100和第二母板200的贴合中存在偏差，在将第一母板和第二母板贴合在一起而成的母板的表面和背面上划入划线·线时在表面和背面处存在线的位置偏差，向第一母板100粘贴偏振片500A时存在偏差，向第二母板200粘贴偏振片500B时存在偏差等，因此，统计上所求出的偏差的大小比理论上各工序中的偏差大。
如果在向表面和背面这两面粘贴偏振片后切割母板，则切割部分的阵列基板及对置基板的端部位置与表面和背面的偏振片的端部位置基本一致，但由于偏振片的材质比阵列基板及对置基板的主要成分即玻璃柔软，所以结果存在在两偏振片的端部和两基板的端部位置产生少许偏差的情况。但是，即使在上述情况下，其差也在±50μm以内或±100μm以内。在切断母板后粘贴偏振片的情况下，在现有技术中经常存在阵列基板及对置基板的端部位置与偏振片的端部位置未收敛于±100μm以内的情况。即，在现有技术中，难以以3σ收敛于100μm以内的方式粘贴偏振片。需要说明的是，与阵列基板10及对置基板20的长边侧的边框区域相比，阵列基板10及对置基板20的短边侧的边框区域有富余，因此，即使偏差d大于100μm也没有问题。
使用图9A至图10B来说明实施的显示装置的偏振片的状态。
图9A及图9B是用于说明利用超级切断机仅切断偏振片时的偏振片的截面的图。图9A是SEM截面图。图9B是图9A的示意图。图10A及图10B是用于说明利用切割将偏振片及母板一并切断时的偏振片的截面的图。图10A是SEM截面图。图10B是图10A的示意图。
如图9A及图9B所示，通过超级切断机切断的偏振片在与层合面近似平行的方向上开有多个横长的孔(例如，圆圈A中)。需要说明的是，由于在图8F中未通过切割来切断偏振片的下侧短边，所以残留有在粘贴偏振片前通过超级切断机进行切断时的状态。
另一方面，如图10A及图10B所示，对于通过切割而切断的偏振片而言，由于刀刃行进，所以残留有斜的纹理。此外，由于与高速旋转的刀刃的侧面接触，所以产生摩擦热，经摩擦热软化后进行固化，因此，如图9A及图9B所示那样的原本存在的横长的孔被压溃而消失。由此，能抑制水分从偏振片截面的侵入，提高偏振片及显示面板的可靠性。需要说明的是，在图10A及图10B中，看起来像孔的部位是由切割导致的损伤，仅限于表面。
＜变形例＞
在实施例的显示装置的切断方法中，说明了可以更换步骤S161的偏振片的粘贴和步骤S162的划线之间的顺序，但还可以将切割的一部分变更为划线(变形例)。针对变形例的显示装置的切断方法，使用图8A、图11至图12H来进行说明。
图11是用于说明变形例的显示装置的切断方法的流程图。图12A及图12D是用于说明变形例的显示装置的切断方法的俯视图及侧视图。图12A的上左侧为俯视图，上右侧及下侧为侧视图。图12D的上侧为俯视图，下侧为侧视图。图12B及图12C、图12E及图12F是用于说明变形例的显示装置的切断方法的俯视图。图12G是从图12F的D方向进行观察的侧视图。图12H是从图12F的E方向进行观察的侧视图。
与实施例的显示装置的切断方法相同，在变形例的显示装置的切断方法中，准备利用蚀刻等对如图8A所示那样的贴合在一起的第一母板100和第二母板200进行研磨而变得较薄的母板。或者，准备利用蚀刻等对如图12A所示那样的贴合在一起的第一母板100A和第二母板200A进行研磨而变得较薄的母板。需要说明的是，研磨后，可以在第二母板200及第二母板200A上分别形成ITO膜、带低反射膜的金属膜。第一母板100及第一母板100A分别具有多个阵列基板10和虚设区域101。第二母板200及第二母板200A分别具有多个对置基板20、虚设区域201和虚设区域202。在第一母板100及第二母板200上，相对于图8D的B－B虚线轴对称地分别配置有阵列基板10及对置基板20。另一方面，在第一母板100A及第二母板200A上，沿相同方向分别配置有阵列基板10及对置基板20。
接下来，如图12B所示，为了切去位于图中上下的虚设区域101、201，对A－A虚线部分进行划线，从而将其切断，为了切开对置基板20(阵列基板10)的各短边侧，对B－B虚线部分进行划线，从而将其切断(步骤S162A)。得到如图12C所示那样的对置基板20(阵列基板10)的长边侧彼此连接的母板。需要说明的是，由于A－A虚线部分及B－B虚线部分为未粘贴有偏振片500A’及偏振片500B’的部分，所以通过划线来进行切断。
接下来，如图12D所示，在第一母板100B和第二母板200B上分别粘贴偏振片500A’、500B’(步骤S161A)。此处，将如图12C所示那样的通过划线进行切断的第一母板100(第一母板100A)称为第一母板100B，将通过划线进行切断的第二母板200(第二母板200A)称为第二母板200B。偏振片500A’、500B’的大小(平面形状)与偏振片500A、500B不同，但偏振片500A’、500B’与偏振片500A、500B分别为基本相同的偏振片。需要说明的是，在粘贴偏振片500A’、500B’之际，形成规定的大小时，通过超级切断机进行切断。
接下来，如图12E所示，为了切开位于图中左右的虚设区域101、201及对置基板20(阵列基板10)的各长边侧，对C－C虚线部分进行切割，从而将其切断(步骤S163A)。需要说明的是，由于C－C虚线部分为粘贴有偏振片500A’及偏振片500B’的部分，所以通过切割进行切断。C－C虚线的箭头表示切割行进的方向。
可以在步骤S162A的对B－B虚线部分进行划线后，进行步骤S161A的偏振片的粘贴，之后，对A－A虚线部分进行划线。此外，还可以在进行划线前，避开要划线的区域，粘贴偏振片。在图12E中，切割方向为从上到下，但可以反过来，还可以对每条线改变切割(cut)方向。
如图12F所示，对阵列基板10及对置基板20的各长边侧2边进行切割，对阵列基板10及对置基板20的各短边侧2边进行划线，形成长条状态的形状。需要说明的是，通过划线去掉虚设区域202。
如图12G及图12H所示，对于经切割的部分R、L而言，阵列基板10的端部位置与偏振片50A’的端部位置在±50μm以内至±100μm以内一致，对置基板20的端部位置与偏振片50B’的端部位置在±50μm以内至±100μm以内一致。需要说明的是，经切割的部分R、L是阵列基板10及对置基板20的长边部分。另一方面，在未进行切割的部分中，如图12G所示，偏振片50A’的端部位置与偏振片50B’的端部位置之间的偏差d大。此外，阵列基板10的端部位置与偏振片50A’的端部位置之间的偏差d1比经切割的部分R、L的偏差大。对置基板20的端部位置与偏振片50B’的端部位置之间的偏差d2比经切割的部分R、L的偏差大。如果在向表面和背面这两面粘贴偏振片后切割母板，则切割部分的阵列基板及对置基板的端部位置与表面和背面的偏振片的端部位置基本一致，但由于偏振片的材质比阵列基板及对置基板的主要成分即玻璃柔软，所以结果存在在两偏振片的端部和两基板的端部位置产生少许偏差的情况。但是，即使在上述情况下，其差也在±50μm以内或±100μm以内，在切断母板后粘贴偏振片的情况下，经常存在阵列基板及对置基板的端部位置与偏振片的端部位置未收敛于±100μm以内的情况。需要说明的是，与阵列基板10及对置基板20的长边侧的边框区域相比，阵列基板10及对置基板20的短边侧的边框区域有富余，因此，即使偏差d、d1、d2大于100μm也没有问题。
在变形例的显示装置的切断方法中，与实施例的显示装置的切断方法相比，能够减少切割次数。由于与划线相比切割的生产能力(throughput)差，所以通过减少切割次数，能够提高生产能力。此外，在变形例的显示装置的切断方法中，与实施例的显示装置的切断方法相比，能够减小送入切割装置的母板的大小。由此，能够使用较小的切割装置。
需要说明的是，阵列基板和对置基板使用了在玻璃基板上形成有元件、树脂层的基板，但并没有特别限制，可以使用树脂等基板来代替玻璃基板。此外，作为显示面板，记载了液晶显示面板，但可以为像素使用有机EL(OLED)的显示面板。对于像素使用了有机EL的有机EL显示面板而言，有时也在对置基板侧设置彩色滤光片、偏振片。这种情况下可应用本发明。但是，对于***示面板而言，并不限定于在对置基板上设置彩色滤光片的结构，可以为在阵列基板侧设置彩色滤光片的结构，还可以为在任意基板上均不设置彩色滤光片的结构。
此外，偏振片有用保护膜夹持偏振镜的结构，但并不限定于此，作为保护膜，可以为具有相位差的保护膜，除保护膜外，还可以追加设置一层或多层相位差板。此外，在本发明中例举记载了偏振片，但并不限定于此，能够适用于其他光学片材、防护玻璃罩(coverglass)、触摸面板等粘贴于阵列基板、对置基板的部件。需要说明的是，在本说明书中，记载为偏振片，但也可以称为偏光片或偏光膜。

Claims (20)

1.一种显示装置的制造方法，包括下述工序：
(a)将第一母板和第二母板贴合的工序；
(b)在所述第一母板上粘贴第一偏振片的工序；
(c)在所述第二母板上粘贴第二偏振片的工序；和
(d)将所述第一偏振片、所述第一母板、所述第二母板和所述第二偏振片一并切割的工序。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述(d)工序中，一边添加切削液，一边使刀刃旋转，从而进行切断。
3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述(a)工序之后、所述(d)工序之前，
具有对所述第一母板和所述第二母板进行划线的工序。
4.如权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述(b)工序及(c)工序之前，
具有对所述第一母板和所述第二母板进行划线的工序。
5.如权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述(b)工序及(c)工序之后，
具有对所述第一母板和所述第二母板进行划线的工序。
6.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述(a)工序之后、所述(b)工序及(c)工序之前，
具有对所述第一母板和所述第二母板进行研磨的工序。
7.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述(d)工序之后，
具有对所述第一母板和所述第二母板进行划线的工序。
8.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述(d)工序之后，
具有将所述第一偏振片、所述第一母板、所述第二母板和所述第二偏振片一并切割的工序。
9.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一偏振片及所述第二偏振片分别包括保护膜，
在所述(d)工序之后，
具有将所述保护膜剥离的工序。
10.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
在所述(a)工序中，利用滴入法封入液晶。
11.一种显示装置，包括：
俯视下呈矩形的阵列基板；
俯视下呈矩形的对置基板；
夹持于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶层；
设置于所述阵列基板的俯视下呈矩形的第一偏振片；和
设置于所述对置基板的俯视下呈矩形的第二偏振片，
所述第一偏振片及所述第二偏振片分别由层合膜构成，
俯视下，所述阵列基板的第一长边侧的端部与所述第一偏振片的第一长边侧的端部的位置、及所述阵列基板的第二长边侧的端部与所述第一偏振片的第二长边侧的端部的位置分别在±100μm以内一致，
俯视下，所述对置基板的第一长边侧的端部与所述第二偏振片的第一长边侧的端部的位置、及所述对置基板的第二长边侧的端部与所述第二偏振片的第二长边侧的端部的位置分别在±100μm以内一致。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，
俯视下，所述阵列基板的第一长边侧的端部与所述第一偏振片的第一长边侧的端部的位置、及所述阵列基板的第二长边侧的端部与所述第一偏振片的第二长边侧的端部的位置分别在±50μm以内一致，
俯视下，所述对置基板的第一长边侧的端部与所述第二偏振片的第一长边侧的端部的位置、及所述对置基板的第二长边侧的端部与所述第二偏振片的第二长边侧的端部的位置分别在±50μm以内一致。
13.如权利要求11所述的显示装置，其中，
俯视下，所述阵列基板的第一短边侧的端部与所述第一偏振片的第一短边侧的端部的位置在±100μm以内一致，
俯视下，所述对置基板的第一短边侧的端部与所述第二偏振片的第一短边侧的端部的位置在±100μm以内一致。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，
俯视下，所述阵列基板的第一短边侧的端部与所述第一偏振片的第一短边侧的端部的位置在±50μm以内一致，
俯视下，所述对置基板的第一短边侧的端部与所述第二偏振片的第一短边侧的端部的位置在±50μm以内一致。
15.如权利要求11所述的显示装置，其中，
所述第一偏振片的第一长边侧及第二长边侧的各截面的表面为熔融状态，
所述第二偏振片的第一长边侧及第二长边侧的各截面的表面为熔融状态。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中，
所述第一偏振片的第一短边侧的截面的表面为熔融状态，
所述第二偏振片的第一短边侧的截面的表面为熔融状态。
17.如权利要求11所述的显示装置，其中，
在所述阵列基板的第二短边侧与所述对置基板的第二短边侧之间的所述阵列基板上，还具有驱动IC。
18.如权利要求11所述的显示装置，其中，
所述阵列基板具有薄膜晶体管和像素电极。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中，
所述对置基板具有遮光层和彩色滤光片。
20.如权利要求18所述的显示装置，其中，
所述阵列基板具有公共电极。
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