CN105264033B - 切割膜和切割晶片粘合膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。

Description

切割膜和切割晶片粘合膜
技术领域
本发明涉及一种切割膜(dicing film)和切割晶片粘合膜(dicing die-bondingfilm)，更具体而言，涉及一种能够改善在半导体封装工艺的切割过程中的拾取能力并防止薄型化的半导体晶片受损的切割膜，包括该切割膜的切割晶片粘合膜，以及使用该切割晶片粘合膜的半导体晶圆(wafer)的切割方法。
背景技术
一般而言，制备半导体晶片的工艺包括在晶圆形成微细图案的工艺，并抛光晶圆以满足最终装置规格而进行的工艺。所述封装工艺包括：晶圆检测工艺，检测半导体晶片(chip)的不良；切割晶圆以分离为单个的晶片的切割工艺；将分离的晶片附着至电路膜(circuit film)或引线框架(lead frame)的安装板的晶片粘合工艺(die bondingprocess)；引线接合工艺，通过电连接构件(如导线)来将装配在半导体晶片上的晶片衬垫(chip pad)和引线框架连接；模塑工艺，使用密封材料来覆盖半导体晶片的外部以保护半导体晶片的内部电路和其他组件；修整工艺，切割连接引线的堤坝杠(dambar)；成型(forming)工艺，将引线弯曲成所期望的形状；成品检测工艺，用于检测所完成的封装的不良，等。
通过切割过程来制造彼此从由多个晶片所形成的半导体晶圆分离的单个晶片。从广义上说，所述切割工艺是，研磨(grinding)半导体晶圆的背面，并沿着晶片之间的切割线切割半导体晶圆，由此制造多个彼此分离的单个晶片的工艺。
同时，根据电子器件的微型化和存储容量的增加，近来，已大量使用半导体晶片垂直堆叠的多晶片封装(MCP，multi-chip package)技术，并且为了堆叠更多晶片，各个晶片需要具有薄的厚度。
根据上述半导体晶圆的薄型化，当粘合层和粘合层分离时施加过大的力的情况下，存在的问题是薄型化的晶片会受到损害，从而在切割工艺中的拾取能力降低。
发明内容
技术目的
本发明提供一种能够改善在半导体封装工艺的切割过程中的拾取能力并防止薄型化的半导体晶片受损的切割膜、包括该切割膜的切割晶片粘合膜、以及使用该切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。
技术方案
本发明的示例性实施方案提供一种切割膜，其包括：基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，且粘合层的交联度为80％至99％。
粘合层的储能模量在80℃下可为1.0*105Pa以上，或1.0*105Pa至4.0*105Pa。
粘合层可包含粘结树脂、光引发剂和交联剂。
粘结树脂可包含玻璃化转变温度为-28℃至-58℃的(甲基)丙烯酸酯类树脂。在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯可包含丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。
交联剂可包含选自异氰酸酯类化合物、氮丙啶(aziridine)类化合物、环氧类化合物和金属螯合物类化合物中的一种以上的化合物。
粘合层可包含0.1至20重量份的光引发剂和0.1至40重量份的交联剂，基于100重量份的粘结树脂计。
基底膜可为选自聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜，以及乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的一种聚合物膜。
基底膜的厚度可为10μm至200μm，且粘合层的厚度可为5μm至100μm。
本发明的另一示例性实施方案提供一种切割晶片粘合膜，其包括：如上所述的切割膜；以及形成于切割膜的至少一个表面的粘合层。
粘合层可包含热塑性树脂、环氧树脂和固化剂。
热塑性树脂可包含选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烃、聚氯乙烯、苯氧基树脂(phenoxy)、反应性丁二烯丙烯腈共聚物橡胶和(甲基)丙烯酸酯类树脂中的一种以上聚合物树脂。
固化剂可包含选自酚醛树脂、胺类固化剂和酸酐类固化剂中的一种以上的化合物。
粘合层可包含10至1000重量份的热塑性树脂和10至700重量份的固化剂，基于100重量份的环氧树脂计。
粘合层还可包含选自磷类化合物、硼类化合物、磷-硼类化合物和咪唑类化合物中的一种以上固化催化剂。
粘合层的厚度可为1μm至300μm。
此外，本发明的另一示例性实施方案提供一种半导体晶圆的切割方法，其包括：通过对包括切割晶片粘合膜和层压于切割晶片粘合膜的至少一面的晶圆的半导体晶圆进行部分预处理，从而使得半导体晶圆被完全切割或可切割；向已预处理的半导体晶圆的基底膜照射紫外线，并拾取通过半导体晶圆的切割来分离的单个晶片。
有益效果
根据本发明，可以提供一种能够改善在半导体封装工艺的切割过程中的拾取能力和防止薄型化的半导体晶片受损的切割膜，包括所述切割膜的切割晶片粘合膜，以及使用切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。
由于半导体晶圆厚度薄，当粘合层和粘合层分离时施加过大的力的情况下，薄型化的晶片会受损且拾取能力会降低。然而，根据切割膜、切割晶片粘合膜、半导体晶圆的切割方法，可改善拾取能力，从而可以顺利地进行拾取工艺，并可防止薄型化的半导体晶片的受损。
具体实施方式
在下文中，将更详细地描述本发明示例性实施方案的切割膜、切割晶片粘合膜和半导体晶圆的切割方法。
根据本发明的示例性实施方案，可以提供一种切割膜，其包括：基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3*105至4*106Pa，且粘合层的交联度为80％至99％。
本发明人对改善拾取能力和防止薄半导体晶片的受损进行了研究，并通过实验证实了如果使用包含具有特定储能模量和交联度的粘合层的切割膜，则可改善在半导体封装工艺的切割过程中的拾取能力并防止薄型化的半导体晶片的受损，从而完成了本发明。
在相关技术中，已尝试了降低切割膜的粘合层的粘合力以增加拾取能力的方法；然而，简单地通过只降低粘合层的粘合力来改善拾取能力存在一定限度，并且有可能会降低拾取能力。因此，本发明人应用上述具有特定储能模量和交联度的粘合层，从而解决了所述问题。
如上所述，粘合层的储能模量在30℃下可为3*105至4*106Pa。当粘合层的储能模量在30℃下低于3*105Pa时，当分离粘合层和粘合层时，需要大的力，且在切割过程中薄型化的半导体晶片会受损。此外，当粘合层的储能模量在30℃下超过4*106Pa时会增加粘合层的强度，从而使得拾取能力降低。
此外，粘合层的交联度可为80％至99％，或85％至98％。当粘合层的交联度低于80％时，会增加粘结剂和粘合剂之间的锚定(anchoring)，从而会增加粘结剂和粘合剂分离时所需的能量，因此有可能会降低半导体晶圆的拾取能力。此外，当粘合层的交联度超过99％时，粘合层的粘合力会很大程度地降低，使得在切割工艺中可能会发生晶片飞溅的现象等。
此外，为了增加使用切割膜时的半导体晶圆的拾取能力，粘合层的储能模量在30℃下可为3*105至4*106Pa，粘合层的储能模量在80℃下可为1.0*105Pa以上，或1.0*105Pa至4.0*106Pa。
粘合层的具体组成除了上述内容以外没有很大的限制，例如，粘合层可包括粘结树脂、光引发剂和交联剂。
交联剂可包含选自异氰酸酯类化合物、氮丙啶类化合物、环氧类化合物和金属螯合物化合物中的一种以上化合物。所述粘合层可包含0.1至40重量份的交联剂，基于100重量份的粘结树脂计。当交联剂的含量过小时，粘合层的粘结性会不足，且当交联剂的含量过大时，在光固化之前，不能充分地确保粘合层的粘合力，可能会发生晶片飞溅的现象等。
光引发剂的具体实例没有限制，但可包括本领域通常已知的光引发剂。此外，粘合层可包含0.1至20重量份的光引发剂，基于100重量份的粘结树脂计。
基底膜的种类没有特别的限制，只要其为通常使用的基底膜即可，例如，基底膜可为选自聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜和乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的一种聚合物膜。
基底膜的厚度可为10μm至200μm，粘合层的厚度可为5μm至100μm。
具体而言，粘结树脂可包含玻璃化转变温度为-28℃至-58℃，或-30℃至-55℃的(甲基)丙烯酸酯类树脂。在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯可是指均包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。
例如，(甲基)丙烯酸酯类树脂可为(甲基)丙烯酸酯类单体和含有可交联的官能团的单体的共聚物。在本文中，(甲基)丙烯酸酯类单体的实例可为(甲基)丙烯酸烷基酯，更具体而言，可包括C1至C12烷基单体，即，(甲基)丙烯酸戊基酯、(甲基)丙烯酸正丁基酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸正辛基酯、(甲基)丙烯酸异辛基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯或(甲基)丙烯酸癸基酯中的一种或其两种以上的混合物。
含有可交联官能团的单体的实例，可包括含羟基单体、含羧基单体、或含氮单体中的一种或其两种以上的混合物。
含羟基化合物的实例，可包括(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙二醇酯等。
含有羧基化合物的实例，可包括(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚体、衣康酸、马来酸、马来酸酐等。
含氮单体的实例，可包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等。
在(甲基)丙烯酸酯类树脂中还可包含乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等，以改善其他功能性如相容性等。
粘合层还可包含紫外线可固化化合物。
紫外线可固化化合物的种类没有特别的限制，但例如，可使用重均分子量约为500至300,000的多官能化合物(例如，多官能聚氨酯丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯单体或低聚物等)。本领域技术人员可根据所需用途容易地选择合适的化合物。紫外线可固化化合物的含量可为1至400重量份，优选5至200重量份，基于100重量份的上述粘结树脂计。当紫外线可固化化合物的含量低于1重量份时，固化后粘合力的降低可能会不足，从而使得拾取能力降低；而当紫外线可固化化合物的含量超过400重量份时，在紫外线照射之前粘结剂的粘结性可能会不足，或会不易实现与离型膜等的分离。
紫外线可固化粘结剂可为碳-碳双键连接在丙烯酸类共聚物支链的末端或主链的化合物以及添加的紫外线可固化化合物。即，(甲基)丙烯酸类共聚物还可包含连接包括(甲基)丙烯酸酯类单体和含有可交联的官能团的单体的主链的支链的紫外线可固化化合物。
紫外线可固化化合物的种类没有特别的限制，只要其每个分子具有1至5个，优选1或2个光固化官能团(例如，紫外线可聚合的碳-碳双键)，且其具有能够与包含于主链上的可交联官能团反应的官能团。在本文中，能够与主链上的可交联的官能团反应的官能团的实例可包括异氰酸酯基团、环氧基等，但本发明不限于此。
包含能与包含于主链中的羟基反应的官能团的紫外线可固化化合物的具体实例，可包括(甲基)丙烯酰氧基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰氧基甲基异氰酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基异氰酸酯、4-(甲基)丙烯酰氧基丁基异氰酸酯、间丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯，或烯丙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸2-羟乙酯反应获得的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、多元醇化合物和(甲基)丙烯酸2-羟乙酯反应获得的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；或包含能与包含于主链中的羟基反应的官能团的紫外线可固化化合物的具体实例可包括(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等的一种以上，但本发明不限于此。
包含于紫外线可固化化合物主链中的可交联官能团可以以5mol％至90mol％的量被取代，且可包含于基底树脂的支链中。当取代的量低于5mol％时，基于紫外照射的剥离力的下降会不足；当取代的量超过90mol％时，粘结剂在紫外线照射之前的粘结性会降低。
粘合层可适当地包含增粘剂，如松香树脂、萜烯(terpene)树脂、苯酚树脂、苯乙烯树脂、脂族石油树脂、芳族石油树脂、或脂族芳族共聚物石油树脂等。
在基底膜上形成粘合层的方法没有特别的限制，例如，可使用将本发明的粘结剂组合物直接涂布至基底膜上而形成粘合层的方法，或将粘结剂组合物涂布至离型基材上而制造粘合层，然后使用离型基材来将粘合层转印至基底膜上的方法等。
对粘结剂组合物的涂布或干燥方法没有具体的限制，例如，可使用以下方法：通过已知的方法，如逗号涂布机(comma coater)、凹版涂布机(gravure coater)、铸模涂布机(die coater)、反向涂布机(reverse coater)等施加包含各自组分本身的组合物或施加包含在合适的有机溶剂中稀释的各个组分的组合物，然后在60℃至200℃的温度下干燥溶剂10秒至30分钟。此外，在这种情况下，可进一步进行充分进行粘结剂的交联反应的老化过程。
同时，根据本发明的另一示例性实施方案，提供一种包括切割膜和形成于切割膜的至少一个表面的粘合层的切割晶片粘合膜。
粘合层可包含热塑性树脂、环氧树脂和固化剂。
热塑性树脂可包含选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烃、聚氯乙烯、苯氧基树脂、反应性丁二烯丙烯腈共聚物橡胶和(甲基)丙烯酸酯类树脂中的一种以上的聚合物树脂。
环氧树脂可包含作为本领域已知的粘合剂的一般的环氧树脂，例如，可使用在一个分子内含有两个以上环氧基且其重均分子量为100至2,000的环氧树脂。
环氧树脂可通过固化工艺来形成牢固的交联结构，以表现出优异的粘合性质、耐热性和机械强度。更具体而言，环氧树脂优选具有100至1,000的平均环氧当量。当环氧树脂的环氧当量低于100时，交联度会过度增加，从而使得粘合膜会完全硬化；当环氧树脂的环氧当量超过1,000时，耐热性会降低。
环氧树脂的实例，可包括双官能环氧树脂，如双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂等；具有3个以上官能团的一种或两种以上多官能环氧树脂，如甲酚酚醛环氧树脂、苯酚酚醛环氧树脂、4-官能环氧树脂、联苯型的环氧树脂、三酚甲烷型的环氧树脂、烷基改性的三酚甲烷型的环氧树脂、萘型的环氧树脂、二环戊二烯型的环氧树脂、二环戊二烯改性的酚型的环氧树脂等，但本发明不限于此。
此外，环氧树脂优选使用双官能环氧树脂和多官能环氧树脂的混合树脂。在本说明书中使用的术语『多官能环氧树脂』意指，具有3个以上官能团的环氧树脂。即，双官能环氧树脂一般具有优异的柔性、高温流动性等，但具有较差的耐热性和固化速度。同时，具有3个或多个官能团的多官能环氧树脂由于高的交联度而具有快的固化速度和优异的耐热性，但柔性和流动性低下。因此，通过适当的混合和使用两种树脂，可控制粘合层的弹性模量和粘性(tack)特性，且可防止在切割过程中晶片飞溅或毛边(burrs)。
包含于粘合层中的固化剂没有特别的限制，只要其与环氧树脂和/或热塑性树脂反应而形成交联结构即可，例如，固化剂可包含选自酚醛树脂、胺类固化剂和酸酐类固化剂中的一种以上的化学物。
粘合层可包含10至1,000重量份的热塑性树脂和10至700重量份的固化剂，基于100重量份的环氧树脂计。
固化催化剂可以起到用于促进固化剂的作用或固化树脂组合物用于粘合在半导体上，可使用已知用于制造半导体粘合膜等的固化催化剂而没有特别的限制。例如，固化催化剂可使用选自磷类化合物、硼类化合物、磷-硼类化合物和咪唑类化合物中的一种以上。可考虑最终制得的粘合膜的物理性质等适当地选择所使用的固化催化剂的量，例如，固化催化剂可以以0.5至10重量份的量使用，基于100重量份的环氧树脂、(甲基)丙烯酸酯类树脂和苯酚树脂计。
此外，切割晶片粘合膜还可包括形成于粘合层上的离型膜。可使用的离型膜的实例，可包括一种或两种以上的塑料膜，如聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚酰亚胺膜等。
上述离型膜的表面可以以醇酸类、硅酮类、不饱和的酯类、聚烯烃类和蜡类材料中的一种或多种进行剥离处理，具体而言，在它们之中，优选为具有耐热性的离型剂，如醇酸类、硅酮类、氟类材料等。
离型膜的厚度通常可约为5μm至500μm，优选约10μm至200μm，但本发明不限于此。
切割晶片粘合膜的制造方法没有特别的限制，例如，可使用在基底膜上依次形成粘结部分、粘合部分和离型膜的方法，或分别制造切割膜(基底膜+粘结部分)和晶片粘合膜或其上形成有粘合部分的离型膜，之后进行层压的方法等。
层压方法没有特别的限制，但可使用热辊(hot-roll)层压法或层压法，且在它们之中，在考虑连续工艺的可能性和效率性的方面，优选热辊层压法。热辊层压法可在10℃至100℃的温度下以0.1kgf/cm2至10kgf/cm2压力进行，但本发明不限于此。
根据本发明的另一示例性实施方案，提供一种半导体晶圆的切割方法，其包括：通过对包括切割晶片粘合膜和层压于切割晶片粘合膜的至少一面的晶圆的半导体晶圆进行部分预处理，从而使得半导体晶圆被完全切割或可切割；向已预处理的半导体晶圆的基底膜照射紫外线，并拾取通过半导体晶圆的切割来分离的单个晶片。
在本示例性实施方案中，可包括所有上文中关于切割晶片粘合膜的说明。
除了上述切割方法的详细步骤的内容以外，可使用通常已知的半导体晶圆的切割方法中使用的设备、方法等而没有特别的限制。
由于使用包含切割膜的切割晶片粘合膜，可改善在半导体封装工艺的切割过程中的拾取能力且可防止薄半导体晶片受损。
在以下实施例中将更详细地描述本发明的具体实施方案。提供以下实施例仅用于说明本发明的实施方案，本发明的范围不限于以下实施例。
[制备实施例：(甲基)丙烯酸酯类树脂的制备]
制备实施例1
如以下表1所示的组成，将由68.5重量份的丙烯酸2-乙基己基酯(2-EHA)、8.5重量份的丙烯酸甲酯(MA)和23重量份的丙烯酸羟乙酯(HEA)组成的单体的混合物加入至配有冷却***的反应器中，以实现氮气回流和易于温度控制。
然后，向其中加入作为链转移剂(CTA)的400ppm的n-DDM和作为溶剂的100重量份的乙酸乙酯(EAc)，基于100重量份的单体混合物计，并且为除去反应器中的氧气而注入氮气的同时在30℃下彼此充分混合了30分钟以上。之后，升高温度并保持在62℃，向反应器中加入作为反应引发剂的300ppm的V-60(偶氮二异丁腈)，并引发反应，然后聚合6小时而制备了初始反应物。
将24.6重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)(以初始反应物中的HEA计，为80mol％)和1重量％的催化剂(二月桂酸二丁基锡：DBTDL)(基于MOI计)混合于初始反应物中，之后在40℃下反应了24小时，以制备(甲基)丙烯酸酯基聚合物树脂，其中紫外线固化基团被引入初始反应物中的聚合物树脂(玻璃化转变温度-38.2℃)的支链上。
[制备实施例2至5]
通过与制备实施例1相同的方法制备(甲基)丙烯酸酯基聚合物树脂，不同在于使用示于下表1中的组成。
[表1]
2-EHA：丙烯酸2-乙基己基酯
MA：丙烯酸甲酯
EHMA：甲基丙烯酸2-乙基己基酯
HEA：丙烯酸羟乙酯
MOI：2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯
[制备实施例：切割膜、晶片粘合膜和切割晶片粘合膜的制造]
实施例1
(1)晶片粘合膜的制造
将由90g的高分子量丙烯酸酯类树脂(Tg 20℃，重均分子量为850,000)和30g的环氧树脂(酚醛环氧树脂，软化点为94℃)、20g的作为环氧树脂的固化剂的苯酚树脂(苯酚酚醛树脂，软化点为94℃)、0.1g的中温引发固化加速剂(2-甲基咪唑)、0.5g的高温引发固化加速剂(2-苯基-4-甲基咪唑)、20g的作为填料的二氧化硅(平均粒径为75mm)组成的组合物，与甲基乙基酮搅拌混合。
将混合后的组合物涂布于已离型处理的厚度为38μm的PET，并在110℃下干燥3分钟，由此制造了涂层厚度为20μm的晶片粘合膜。
(2)切割膜的制造
将7g的TDI类异氰酸酯固化剂和3g的光引发剂(Irgacure 184)与制备实施例1的100g的(甲基)丙烯酸酯基聚合物树脂混合，由此制备了粘结剂组合物。
将粘结剂组合物涂布于已离型处理的厚度为38μm的PET，并在110℃下干燥3分钟，由此形成了厚度为10μm的粘结剂层。将形成的粘结剂层层压在厚度为100μm的聚烯烃类材膜，之后进行老化，由此制造了切割膜。
此外，将形成于已离型处理的厚度为38μm的PET的粘结剂层层压在相同的已离型处理的PET，之后进行老化，并使用在测量粘结剂的储能模量上。
(3)切割晶片粘合膜的制造
将切割成圆形的晶片粘合膜通过在5kgf/cm2的条件下的层压来至制造的切割膜，由此制造了切割晶片粘合膜。
实施例2至5和对比实施例1至4
通过与实施例1相同的方法制造切割晶片粘合膜，不同指出在于，当制造切割膜时，使用以下表2所示的(甲基)丙烯酸酯基聚合物树脂。
[表2]
实验实施例
对于实施例和对比实施例的切割晶片粘合膜的物理性能，通过下述方法来评估，其结果示于下表3中。
[实验实施例1：粘结剂的储能模量]
如在实施例和对比实施例的[切割膜的制造]的描述，将形成于已离型处理的PET膜(厚度为38μm)的、厚度为10μm的各粘结剂，层压在已离型处理的PET膜(厚度为38μm)，之后使用已老化的样品来堆叠几张粘合层，由此制造了厚度为1mm的粘结剂样品。
将上述制造的厚度为1mm的测试样品切割成矩形形状(17mm×5mm)，之后在频率为1Hz、预负载力为0.01N和升温速率为10℃/min的条件下，使用动态机械分析仪(DynamicMechanical Analysis，DMA:TA instrument公司)来测量了从30℃至150℃的储能模量。在30℃和80℃下测量的粘结剂的各储能模量(Pa)示于下表3中。
[实验实施例2：粘结剂的交联度]
将从样品中取出，所述样品是通过如下方式获得的：将形成于已离型处理且厚度为10um的粘结剂层层压于已离型处理的PET的粘结剂层，之后进行老化，从该样品中仅取出0.5g的(a)粘结剂层，并将其浸入于溶剂(200g的乙酸乙酯)中一天。然后，在测量筛目线网(mesh wire net)的重量后，将含有粘结剂层的溶剂通过200筛目线网(c)过滤，并在80℃下干燥1小时，然后测量了干燥后溶剂和筛目线网的重量(b)。
接着，通过以下方程式测量交联度，并示于下表3中。
交联度(％)＝[(干燥后粘结剂和纤维的重量b-线网的重量c)/(初始重量a)]×100
[实验实施例3：粘合力的测量]
将在实施例和对比实施例中所制造的切割晶片粘合膜切割成宽度为25mm，然后将强度为300mJ/cm2(照度为70mW/cm2)的紫外线照射于切割膜的基底表面，由此制造了测量粘合力的样品。
从制备的样品，测定了在切割过程中以180度的角度和300mm/s的速度的条件剥离晶片粘合膜时所需的能量(gf/25mm)，其结果示于下表3中。
[实验实施例4：拾取能力]
将在实施例和对比实施例中所制造的切割晶片粘合膜的离型膜剥离后，在60℃下将晶片结合表面安装于镜面晶圆(8寸，厚度为80μm)中，然后在下列条件下进行切割过程，以具有10mm×10mm的晶片尺寸。
通过强度为300mJ/cm2(照度为70mW/cm2)紫外线照射于已切割的切割膜的基底表面，由此制造了测量拾取能力的样品。
通过使用SPA-400(SHINKAWA)设备来在下列条件下拾取了所制备的样品，并测量其成功率，然后测量其结果，示于下表3中。
-切割条件-
设备：DFD-650(DISCO)
刀片类型：27HEBB(DISCO)
切割刀片高度(切割深度)：80μm
切割速度：50mm/s
刀片速度：40,000rpm
-拾取条件-
设备：SPA-400(SHINKAWA)
扩展高度：3mm
针数：10
针插高度：0.2mm
针插速度：10mm/s
[表3]
从上表3中可以确认，实施例1至5的粘合层在30℃下的储能模量为3.0*105至2.0*106Pa，在80℃下的储能模量为1.0*105Pa以上，交联度为80％至99％，因此，当剥离粘合层和粘合层时，薄型化的晶片没有受损且拾取能力提高。
同时可以确认到，对比实施例1和2的粘合层具有过低的粘结剂的交联度(对比实施例1)，在30℃下具有过高的储能模量(对比实施例2)，从而使得拾取的成功率为70％以下。

Claims (12)

1.一种切割膜，其包含：基底膜；和粘合层，其中：
所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，
所述粘合层的储能模量在80℃下为1.0*105Pa以上，并且
所述粘合层的交联度为85％至98％，
其中，所述粘合层包含粘结树脂、光引发剂和交联剂，并且
所述粘结树脂包括玻璃化转变温度为-28℃至-58℃的(甲基)丙烯酸酯类树脂，
其中，所述粘合层还包含1至400重量份的紫外线可固化化合物，基于100重量份的所述粘结树脂计；并且包含于所述紫外线可固化化合物主链中的可交联官能团以5mol％至90mol％的量被取代，
其中所述粘合层包含0.1至20重量份的光引发剂和0.1至40重量份的交联剂，基于100重量份的粘结树脂计。
2.权利要求1所述的切割膜，其中：
所述交联剂包括选自异氰酸酯类化合物、氮丙啶类化合物、环氧类化合物和金属螯合物类化合物中的一种以上化合物。
3.权利要求1所述的切割膜，其中：
所述基底膜为选自聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜，以及乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的一种聚合物膜。
4.权利要求1所述的切割膜，其中：
所述基底膜的厚度为10μm至200μm，
所述粘合层的厚度为5μm至100μm。
5.一种切割晶片粘合膜，其包括：
权利要求1所述的切割膜；以及形成于所述切割膜的至少一个表面的粘合层。
6.权利要求5所述的切割晶片粘合膜，其中：
所述粘合层包含热塑性树脂、环氧树脂和固化剂。
7.权利要求6所述的切割晶片粘合膜，其中：
所述热塑性树脂包括选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烃、聚氯乙烯、苯氧基树脂、反应性丁二烯丙烯腈共聚物橡胶和(甲基)丙烯酸酯类树脂中的一种以上聚合物树脂。
8.权利要求6所述的切割晶片粘合膜，其中：
所述固化剂包含选自酚醛树脂、胺类固化剂和酸酐类固化剂中的一种以上化合物。
9.权利要求6所述的切割晶片粘合膜，其中：
所述粘合层包含10至1000重量份的热塑性树脂和10至700重量份的固化剂，基于100重量份的环氧树脂计。
10.权利要求6所述的切割晶片粘合膜，其中：
所述粘合层可包含选自磷类化合物、硼类化合物、磷-硼类化合物和咪唑类化合物中的一种以上固化催化剂。
11.权利要求5所述的切割晶片粘合膜，其中：
所述粘合层的厚度为1μm至300μm。
12.一种半导体晶圆的切割方法，其包括：
通过对包括权利要求5的切割晶片粘合膜和堆叠在所述切割晶片粘合膜的至少一个表面的晶圆的所述半导体晶圆进行部分预处理，从而使得半导体晶圆被完全切割或可切割；
向已预处理的半导体晶圆的基底膜照射紫外线，并拾取通过半导体晶圆的切割来分离的单个晶片。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101722137B1 (ko) * 2014-01-03 2017-03-31 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
EP3433876B1 (de) * 2016-03-24 2023-09-13 Siltectra GmbH Ein splitting-verfahren
KR102313586B1 (ko) * 2016-03-30 2021-10-15 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공용 시트
CN107162400A (zh) * 2017-06-20 2017-09-15 同济大学 一种基于热屏蔽膜的无微裂纹曲面玻璃热丝切割方法
JP7041476B2 (ja) * 2017-07-04 2022-03-24 日東電工株式会社 ダイシングテープおよびダイシングダイボンドフィルム
CN107964346A (zh) * 2017-12-27 2018-04-27 苏州研姿材料科技有限公司 一种复合材料及其制作方法
CN110093115A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 东莞市澳中电子材料有限公司 一种用于锂电池包装的uv减粘保护膜及其制备方法
KR102487552B1 (ko) * 2018-02-05 2023-01-11 삼성전자주식회사 보호막 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법
JP6909171B2 (ja) * 2018-02-12 2021-07-28 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
WO2019172438A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法
CN108587502B (zh) * 2018-05-02 2019-09-03 广东硕成科技有限公司 一种半导体晶圆加工用胶带及其制备方法
WO2019220599A1 (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法
JP7176919B2 (ja) * 2018-10-05 2022-11-22 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
CN109825200B (zh) * 2019-01-25 2022-02-22 南京工业大学 侧乙烯基型共聚丙烯酸酯uv减粘胶及其制备方法
CN109760394A (zh) * 2019-02-26 2019-05-17 上海百卡新材料科技有限公司 一种用于晶圆加工中的环保型底材
JP2020145392A (ja) * 2019-03-08 2020-09-10 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び接着フィルム付きダイシングテープ
WO2021060707A1 (ko) * 2019-09-26 2021-04-01 주식회사 엘지화학 다이싱 테이프용 점착조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
KR102426260B1 (ko) * 2019-09-26 2022-07-29 주식회사 엘지화학 다이싱 테이프용 점착조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
KR102426261B1 (ko) 2019-09-26 2022-07-29 주식회사 엘지화학 다이싱 테이프용 점착조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
WO2021060960A1 (ko) * 2019-09-26 2021-04-01 주식회사 엘지화학 다이싱 테이프용 점착조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
CN111500206A (zh) * 2020-04-27 2020-08-07 广东硕成科技有限公司 一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法
KR102660802B1 (ko) * 2021-08-11 2024-04-26 (주)이녹스첨단소재 웨이퍼 처리용 점착 필름
CN114196354B (zh) * 2021-12-20 2023-05-12 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种含羧基减粘胶组合物及其制备方法和用途
CN115353811A (zh) * 2022-08-31 2022-11-18 江苏斯迪克新材料科技股份有限公司 紫外光固化胶黏剂原胶、紫外光固化胶黏剂

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1906737A (zh) * 2004-08-03 2007-01-31 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
CN101506948A (zh) * 2006-09-12 2009-08-12 日东电工株式会社 切割/芯片焊接膜
CN101675137A (zh) * 2007-04-30 2010-03-17 Lg化学株式会社 粘合剂树脂组合物及采用该组合物制得的切割模片粘结膜
CN102015953A (zh) * 2008-04-25 2011-04-13 Lg化学株式会社 环氧基组合物、粘合膜、切割模片粘合膜和半导体器件
CN102533147A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 第一毛织株式会社 切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置
WO2012173325A1 (ko) * 2011-06-14 2012-12-20 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765621B1 (ko) 2005-06-03 2007-10-09 엘에스전선 주식회사 반도체용 다이싱 다이 접착필름
KR100800214B1 (ko) * 2006-12-13 2008-02-01 제일모직주식회사 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 접착 필름
CN101772831B (zh) 2007-07-19 2011-12-21 积水化学工业株式会社 切割和芯片接合用带以及半导体芯片的制造方法
JP2009049400A (ja) * 2007-07-25 2009-03-05 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2009064975A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シート及びダイシング方法
JP5184161B2 (ja) * 2008-03-17 2013-04-17 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
KR101266217B1 (ko) 2008-04-21 2013-05-21 주식회사 엘지화학 점착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 패키징 방법
EP2151860A2 (en) * 2008-08-04 2010-02-10 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
JP2011060848A (ja) 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
US20120270381A1 (en) * 2009-10-16 2012-10-25 Lg Chem, Ltd. Die attach film
JP5513866B2 (ja) * 2009-12-11 2014-06-04 リンテック株式会社 電子部品加工用粘着シート
JP2011187571A (ja) 2010-03-05 2011-09-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5503342B2 (ja) 2010-03-10 2014-05-28 古河電気工業株式会社 ダイシング・ダイボンディングテープ
US20130003389A1 (en) * 2010-03-16 2013-01-03 Nitto Denko Corporation Optical sheet with adhesive layer, method for producing optical sheet with adhesive layer, light source using optical sheet with adhesive layer, and image display device using optical sheet with adhesive layer
KR101178712B1 (ko) 2010-09-28 2012-08-30 주식회사 케이씨씨 반도체 제조용 접착제 조성물 및 필름
JP2012089630A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置
KR20120104450A (ko) 2011-03-08 2012-09-21 (주)엘지하우시스 웨이퍼 가공 필름용 점착제 조성물
JP5872798B2 (ja) 2011-06-14 2016-03-01 日東電工株式会社 再剥離用粘着テープおよびその製造方法
JP5828706B2 (ja) 2011-08-03 2015-12-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5184685B1 (ja) * 2011-09-26 2013-04-17 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ加工用テープ
JP6018747B2 (ja) * 2011-12-06 2016-11-02 リンテック株式会社 ウエハ加工用粘着シート、該シートを用いた半導体ウエハの加工方法
JP2013157470A (ja) 2012-01-30 2013-08-15 Sekisui Chem Co Ltd 半導体部品の製造方法
JP2013155295A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Nitto Denko Corp 伸長性加熱剥離型粘着シート
JP2013197390A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Lintec Corp ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
KR101722137B1 (ko) * 2014-01-03 2017-03-31 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1906737A (zh) * 2004-08-03 2007-01-31 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
CN101506948A (zh) * 2006-09-12 2009-08-12 日东电工株式会社 切割/芯片焊接膜
CN101675137A (zh) * 2007-04-30 2010-03-17 Lg化学株式会社 粘合剂树脂组合物及采用该组合物制得的切割模片粘结膜
CN102015953A (zh) * 2008-04-25 2011-04-13 Lg化学株式会社 环氧基组合物、粘合膜、切割模片粘合膜和半导体器件
CN102533147A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 第一毛织株式会社 切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置
WO2012173325A1 (ko) * 2011-06-14 2012-12-20 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름

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KR101722137B1 (ko) 2017-03-31
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