KR20090111260A - 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치 - Google Patents

접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명에서는 다이싱 공정 시에 버의 발생 또는 칩의 비산 등이 억제되고, 다이본딩 후에는 선경화 공정을 수행하지 않으면서도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서의 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 억제될 수 있는 접착층이 제공될 수 있다. 이에 따라 본 발명에서는 반도체 패키지 공정에서 필름의 매입성 향상, 웨이퍼 또는 배선 기판의 휨 억제 및 생산성의 향상 등이 가능한 접착제 조성물, 이를 이용한 접착 제품 및 반도체 장치 등을 제공할 수 있다.
접착제 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 택 강도, 전단 강도, 에폭시 수지, 저탄성 고분자량 수지, 경화제

Description

접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치{Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same}
본 발명은 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치에 관한 것이다.
근래 휴대전화 또는 모바일 단말기 등에 사용되는 반도체 메모리의 고집적화 및 고기능화에 따라 반도체 기판에 복수 개의 반도체 칩을 적층하는 MCP(Multi Chip Package) 방식이 많이 채용되고 있다. MCP 방식에서 반도체 칩과 반도체 기판의 접합은 기존의 액상 에폭시 페이스트 대신에 필름상의 접착제가 사용된다(일본특허공개공보 평03-192178호 및 일본특허공개공보 평04-234472호 등).
한편, 상기 필름상의 접착제를 사용하는 방법에는 필름 단품 접착 방식과 웨이퍼 이면 접착 방식이 있다. 필름 단품 접착 방식은 필름상의 접착제를 커 팅(cutting)이나 펀칭(punching)하여 칩에 맞게 단품으로 가공한 후, 반도체 기판에 접착하고, 웨이퍼로부터 픽업된 칩을 그 위에 다이 본딩하는 방식이며, 후공정인 선경화(pre-cure), 와이어 본딩 및 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치가 얻어진다(일본특허공개공보 평09-17810호).
웨이퍼 이면 접착 방식은 웨이퍼의 이면에 필름상의 접착제를 부착하고, 웨이퍼 이면과 접착하지 않은 반대면에 점착층이 있는 다이싱 테이프를 추가로 부착한다. 이어서, 상기 웨이퍼를 다이싱하여 개별의 칩으로 분리한 다음, 칩을 픽업하여 반도체용 기판에 다이 본딩하고, 선경화, 와이어 본딩 및 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치를 얻는다. 그러나 상기 웨이퍼 이면 접착 방식은 박형화된 웨이퍼의 이송 곤란, 공정의 증가, 다양한 칩 두께 및 크기에 대한 적응 곤란, 필름의 박막화 곤란 및 고기능 반도체 장치의 신뢰성 부족 등의 문제점이 있었다.
상기 문제를 해결하기 위해서 접착제와 점착제가 하나의 층으로 된 필름을 웨이퍼 이면에 접착하는 방식이 제안되어 있다(일본특허공개공보 평02-32181호, 일본특허공개공보 평08-53655호 및 일본특허공개공보 평10-8001호 등). 상기 방법은 라미네이션 공정을 2번 거치지 않고 1번에 가능하며, 웨이퍼 지지를 위한 웨이퍼 링이 있기 때문에 웨이퍼의 이송 시에 문제가 발생하지 않는다. 또한 상기 특허 문헌의 조성물로 이루어진 점/접착제와 기재로 구성된 다이싱 다이본딩 일체형 필름은 자외선 경화 타입의 점착제와 열경화 타입의 접착제가 혼합되어 있다. 따라서, 상기 점착제는 다이싱 공정에서는 웨이퍼를 지지하는 역할을 하고, 자외선 경화 공정 후에는 점착력을 상실하여 웨이퍼로부터 칩의 픽업을 용이하게 한다. 한 편 상기 접착제는 다이본딩 공정에서 경화하여 칩을 반도체용 기판에 견고하게 접착할 수 있다. 그러나, 상기 다이싱 다이본딩 일체형 필름은 제조부터 사용까지의 사이에 필름 내의 점착제층과 접착제층이 서로 반응하여, 다이싱 후에 반도체 칩을 픽업하는 공정에서 기재와 칩이 잘 박리되지 않은 문제점이 있었다.
상기와 같은 일체형 필름의 문제점을 해소하여, 다이싱 공정에서는 다이싱 테이프의 용도로 사용되고, 다이본딩 공정에서 접착제의 용도로 사용할 수 있도록 점착제와 접착제가 분리된 다이싱 다이본딩 분리형 필름이 제안되어 있다. 상기 다이싱 다이본딩 분리형 필름은 다이싱 공정 후에 자외선 경화나 열을 가함으로써 점착제와 접착제가 용이하게 분리되어 반도체 칩 픽업 공정 시에 문제가 발생하지 않고, 다이 본딩 공정 시 필름 두께를 얇게 할 수 있는 편리함을 제공하고 있다. 그러나 반도체 웨이퍼 이면에 접착제를 라미네이션 하는 공정에서 상온에서 점착제가 붙는 기존 방식과 달리 열을 가하는 공정이 추가되며, 보이드 또한 적지 않게 발생하고 있다. 또한 가열 시 높은 온도로 인해 웨이퍼의 휨 문제가 있었고, 후공정 진행이 어렵우며, 접착제의 접착력이 약하여 다이싱 공정에서 칩이 비산(flying)하는 문제가 있어, 궁극적으로 반도체 패키지 신뢰성에 문제점이 있다.
한편 반도체 패키징 공정에서 다이싱 필름으로부터 박리된 접착층을 포함하는 칩은 배선 기판(ex. 리드프레임 등)에 본딩된 후 몰딩 공정 등이 수행된다. 현재, 상기와 같은 다이 본딩 공정 후에는 고온에서 수행되는 선경화(Pre-cure) 공정이 반드시 실시되고 있는데, 그 이유는 반도체 칩의 배선기판으로부터의 박리, 추 가적인 칩의 적층 시 하부칩의 밀림 현상, 몰딩 공정에서 몰드 수지의 흐름에 의한 칩의 쏠림 등의 불량을 방지하기 위해서이다. 그러나, 상기와 같은 선경화 공정을 수행할 경우, 접착제 경화가 진행되어, 후공정에서 반도체 기판에 대한 매입성이 저하되고, 선경화공정 중의 열로 인해 웨이퍼 또는 기판의 휨 등이 발생하여, 와이어 본딩 시 바운싱(Bouncing) 불량 등이 야기될 수 있기 때문에, 반도체 패키지 신뢰성이 크게 저하된다는 단점이 있다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 고려하여 이루어진 것으로, 다이싱 공정 시에 버의 발생 또는 칩의 비산 등이 억제되고, 다이본딩 후에 선경화 공정이 없이도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서의 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 억제될 수 있는 접착제 조성물, 이를 이용한 접착 제품, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 접착제 조성물을 제공한다.
[일반식 1]
T = 50 gf 내지 150 gf
상기 일반식 1에서 T는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 130℃에서의 택 강도를 나타낸다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서, 기재 필름; 및
상기 기재 필름 상에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착층을 포함하는 접착 필름을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성된 점착부; 및
상기 점착부 상에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착부를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 본 발명에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 접착부가 웨이퍼 일면에 부착되어 있고,
상기 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름이 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼를 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물을 함유하는 접착층; 및
상기 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치를 제공한다.
본 발명에서는 다이싱 공정 시에 버의 발생 또는 칩의 비산 등이 억제되고, 다이본딩 후에 선경화 공정이 없이도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 억제될 수 있는 접착층이 제공될 수 있다. 이에 따라 본 발명에서는 반도체 패키지 공정에서 필름의 매입성 향상, 웨이퍼 또는 배선 기 판의 휨 억제 및 생산성의 향상 등이 가능한 접착제 조성물, 이를 이용한 접착 제품 및 반도체 장치 등을 제공할 수 있다.
본 발명은 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 접착제 조성물에 관한 것이다.
[일반식 1]
T = 50 gf 내지 150 gf
상기 일반식 1에서 T는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 130℃에서의 택 강도(tack force)를 나타낸다.
이하, 본 발명의 접착제 조성물에 대해서 상세히 설명한다.
본 발명의 접착제 조성물은 상기 일반식 1로 표시되는 바와 같이, 접착층으로 제조된 후, 130℃에서의 택 강도(tack force)가 50 gf 내지 150 gf인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는 접착제의 택 강도를 상기와 같은 특정 범위로 제어하여, 반도체 패키징 공정에서 선경화(pre-cure) 공정을 생략하면서도, 칩의 박리 또는 밀림이나, 몰딩 후의 칩의 쏠림 현상 등을 방지할 수 있는 접착 제품을 제공할 수 있으며, 이에 따라, 필름의 매입성 향상, 웨이퍼 휨 등의 불량 감소 및 생산성 증대를 가능하게 할 수 있다. 상기 택 강도가 50 gf 미만이면, 다이본딩 공정에서 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 발생될 우려가 있으며, 150 gf를 초과하면, 공정 중 버(burr)가 다량 발생하거나, 취급성 또는 내열성이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 접착제 조성물은 또한 하기 일반식 2의 조건을 만족하는 것이 바람직하다.
[일반식 2]
S ≥ 4.0 MPa
상기 일반식 2에서 S는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 150℃에서의 전단강도를 나타낸다.
상기 전단강도가 4.0 MPa 미만이면, 반도체 공정 시에 칩의 밀림 현상이 발생하는 등 반도체 패키지의 신뢰성이 떨어질 우려가 있다. 본 발명에서, 상기 전단강도의 상한은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 10 MPa일 수 있다.
본 발명의 접착제 조성물은 전술한 바와 같은 특성을 만족하는 한, 포함되는 성분은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 서로 상이한 탄성을 가지는 2종 이상의 수지를 혼합하여, 접착제 내에 소프트 세그먼트 및 하드 세그먼트가 공존하도록 한 조성물을 사용할 수 있으며, 이를 통하여, 반도체 칩 및 기판의 열팽창 계수의 차이에 따른 휨 현상을 방지할 수 있는 응력완화특성을 가지면서도, 접착력 및 내열성 등의 물성이 우수한 접착제를 제공할 수 있다.
즉, 본 발명에서는 (A) 에폭시 수지, (B) 저탄성 고분자량 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 접착제 조성물을 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 상기 (A) 에폭시 수지에는 이 분야에서 공지된 일반적인 접착제용 에폭시 수지가 포함될 수 있으며, 예를 들면, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 함유하고, 중량평균분자량이 300 내지 2,000인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 위와 같은 에폭시 수지는 경화 공정을 통해 하드한 가교 구조를 형성하여, 탁월한 접착성, 내열성 및 기계적 강도를 나타낼 수 있다. 보다 구체적으로 본 발명에서는 특히 평균 에폭시 당량이 180 내지 1,000인 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 에폭시 당량이 180 미만이면, 가교 밀도가 지나치게 높아져서, 접착 필름이 전체적으로 딱딱한 성질을 나타낼 우려가 있고, 1,000을 초과하면, 내열성이 저하될 우려가 있다.
위와 같은 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 에폭시 수지 등의 이관능성 에폭시 수지; 또는 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 또는 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 3개 이상의 관능기를 가지는 다관능성 에폭시 수지의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서는 특히 상기 (A) 에폭시 수지로서 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에서 사용하는 용어 『다관능성 에폭시 수지』는 3개 이상의 관능기를 가지는 에폭시 수지를 의미한다. 즉, 일반적으로 이관능성 에폭시 수지는 유연성 및 고온에서의 흐름성 등은 우수하나, 내열성 및 경화 속도가 떨어지는 반면, 관능기가 3개 이상인 다 관능성 에폭시 수지는 경화 속도가 빠르고, 높은 가교 밀도로 인해 탁월한 내열성을 보이나, 유연성 및 흐름성이 떨어진다. 따라서, 상기 두 종류의 수지를 적절히 혼합, 사용함으로 해서, 접착층의 탄성률 및 택(tack) 특성을 제어하면서도, 다이싱 공정 시에 칩의 비산이나 버의 발생을 억제할 수 있다.
상기와 같이 이종의 수지를 혼합 사용할 경우에, 이관능성 에폭시 수지는 다관능성 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 50 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량이 10 중량부 미만이면, 택이 낮아져 고온에서의 접착력이 저하될 우려가 있고, 50 중량부를 초과하면, 취급성이 저하되거나, 다이싱 공정 시에 버의 발생이 증가할 우려가 있다.
또한, 본 발명의 접착제 조성물에서 상기 (A) 에폭시 수지는 (B) 저탄성 고분자량 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 200 중량부, 바람직하게는 20 중량부 내지 100 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 10 중량부 미만이면, 내열성 및 취급성이 저하될 우려가 있고, 200 중량부를 초과하면, 작업성 및 신뢰성이 저하될 우려가 있다.
(B) 저탄성 고분자량 수지는 접착제 내에서 소프트 세그먼트를 이루어 고온에서의 응력 완화 특성을 부여하는 역할을 할 수 있다. 본 발명에서는 상기 (B) 성분으로서, (A) 에폭시 수지와 블렌딩되어 필름 형성 시에 부서짐을 유발하지 않고, 가교 구조의 형성 후 점탄성을 나타낼 수 있으며, 다른 성분과의 상용성 및 보관 안정성이 우수한 것이라면, 어떠한 수지 성분도 사용될 수 있다.
예를 들면, 본 발명에서는 유리전이온도가 -20℃ 내지 40℃, 바람직하게는 -10℃ 내지 30℃인 수지를 사용할 수 있다. 상기 유리전이온도가 -20℃ 미만이면, 흐름성이 지나치게 높아져서 취급성이 저하될 우려가 있고, 40℃를 초과하면, 저온에서 웨이퍼와의 부착력이 저하되어 다이싱 공정 중 칩이 비산하거나, 칩 사이로 냉각수가 침투하게 될 우려가 있다.
또한, 상기 (B) 성분은 중량평균분자량이 10만 내지 100만, 바람직하게는 20만 내지 90만일 수 있다. 상기 중량평균분자량이 10만 미만이면, 취급성 및 내열성이 떨어지거나, 회로 충진 시 흐름성의 제어가 어려워질 우려가 있고, 100만을 초과하면, 탄성률의 지나친 상승 등으로 인해 회로 충진성 및 신뢰성 등이 저하될 우려가 있다.
상기 (B) 성분의 구체적인 종류는, 전술한 특성을 만족하는 한, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 (B) 성분은 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 아크릴로니트릴부타디엔 고무 또는 아크릴계 수지 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기에서 아크릴계 수지의 구체적인 예로는 (메타)아크릴산 및 그 유도체를 포함하는 아크릴계 공중합체를 들 수 있으며, 이 때 (메타)아크릴산 및 그 유도체의 예로는 (메타)아크릴산; 메틸 (메타)아크릴레이트 또는 에틸 (메타)아크릴레이트 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 함유하는 알킬 (메타)아크릴레이트; (메타)아크릴로니트릴 또는 (메타)아크릴아미드; 및 기타 공중합성 단량체들이 포함된다.
상기 아크릴계 수지는 또한 글리시딜기, 히드록시기, 카복실기 및 아민기 등의 일종 또는 이종 이상의 관능기를 포함할 수 있으며, 이와 같은 관능기는 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 히드록시 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 카복시 (메타)아크릴레이트 등의 단량체를 공중합시킴으로써 도입할 수 있다.
아크릴계 수지가 관능기를 함유할 경우, 그 함량은 전체 수지 중량에 대하여 0.5 중량부 내지 10 중량부인 것이 바람직하다. 관능기 함량이 0.5 중량부 미만이면, 접착력 확보가 어려워질 우려가 있고, 10 중량부를 초과하면, 작업성이 저하되거나, 겔화가 유발될 우려가 있다.
본 발명의 접착제 조성물에 포함될 수 있는 (C) 경화제는 상기 (A) 에폭시 수지 및/또는 (B) 저탄성 고분자량 수지와 반응하여, 가교 구조를 형성할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 상기 성분 (A) 및 (B)와 동시에 반응하여 가교 구조를 형성할 수 있는 (C) 경화제를 사용할 수 있는데, 이와 같은 경화제는 접착제 내의 소프트 세그먼트 및 하드 세그먼트와 각각 가교 구조를 이루어 내열성을 향상시키는 동시에, 양자의 계면에서 두 세그먼트의 가교제로 작용하여 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서는, 예를 들면, 분자 중에 2개 이상의 수산기를 함유하는 것으로서, 수산기 단량에 100 내지 1,000인 페놀 수지를 사용할 수 있다. 상기 수산기 당량이 100 미만이면, 접착층의 응력 완화 특성이 저하될 우려가 있고, 1,000을 초 과하면, 가교 밀도의 저하로 인해 내열성이 악화될 우려가 있다.
상기 페놀 수지는 또한 연화점이 50℃ 내지 150℃인 것이 바람직하다. 연화점이 50℃ 미만이면, 취급성이 저하될 우려가 있고, 150℃를 초과하면, 접착층 및 웨이퍼와의 부착력이 떨어질 우려가 있다.
이와 같은 수지의 예로는 비스페놀 A 수지, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 다관능성 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 페놀 노볼락 수지, 아미노트리아진 페놀 노볼락 수지, 폴리부타디엔 페놀 노볼락 수지 및 비페닐형 수지의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 접착제 조성물에서 상기 (C) 경화제는 (A) 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 30 중량부 내지 100 중량부, 바람직하게는 50 중량부 내지 90 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 30 중량부 미만이면, 경화 공정 시에 미만응 에폭시 수지의 양이 증가하여, 내열성이 저하되거나 또는 미반응 수지의 경화를 위해 고온 또는 장시간의 공정이 필요할 우려가 있다. 또한, 상기 함량이 100 중량부를 초과하면, 미반응 수산기로 인해 흡습율, 저장 안정성 및 유전 특성 등이 상승할 우려가 있다.
본 발명의 접착제 조성물은 또한 경화 반응의 촉진을 위해 경화 촉진제를 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 경화 촉진제의 예로는 이미다졸 화합물, 트리페닐포스핀(TPP) 또는 3급 아민류 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으며, 이 중 이미다졸 화합물이 바람직하다.
사용될 수 있는 이미다졸 화합물의 예로는 2-메틸이미다졸(2MZ), 2-에틸-4-메틸 이미다졸(2E4MZ), 2-페닐 이미다졸(2PZ), 1-시아노에틸-2-페닐 이미다졸(2PZ-CN), 2-운데실 이미다졸(C11Z), 2-헵타데실 이미다졸(C17Z) 및 1-시아노에틸-2-페닐 이미다졸트리메탈레이트(2PZ-CNS) 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
경화 촉진제는 (A) 에폭시수지 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.2 중량부 내지 5 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 0.1 중량부 미만이면, 내열성 또는 접착력이 저하될 우려가 있고, 10 중량부를 초과하면, 경화 반응이 지나치게 급격히 일어나거나, 보존 안정성이 저하된다.
상기 접착제 조성물은 또한, 취급성, 내열성 및 용융 점도의 조절의 관점에서, 무기 충진제를 추가적으로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 무기 충진제의 예로는 실리카, 수산화 알루미늄, 탄산 칼슘, 수산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 활석 또는 질화 알루미늄 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기와 같은 무기 충진제는 평균 입경이 0.001 ㎛ 내지 10 ㎛, 바람직하게는 0.005 ㎛ 내지 1 ㎛일 수 있다. 평균 입경이 0.001 ㎛ 미만이면, 접착층 내에서 충진제가 응집되거나, 외관 불량이 발생할 우려가 있고, 10 ㎛을 초과하면, 접착층 표면으로의 충진제의 돌출, 열압착 시 칩의 손상 또는 접착성 향상 효과의 저하가 일어날 우려가 있다.
상기 충진제는 접착제 조성물의 전체 수지 100 중량부에 대하여 0.5 중량부 내지 100 중량부, 바람직하게는 5 중량부 내지 50 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 0.5 중량부 미만이면, 충진제 첨가로 인한 내열성 및 취급성 향상 효과가 떨어질 우려가 있고, 100 중량부를 초과하면, 작업성 및 기재 부착성이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 접착제 조성물은 또한 커플링제를 추가로 포함할 수 있으며, 이를 통해 수지 성분과 웨이퍼 또는 충진제와의 계면 밀착성 또는 내습열 특성 등을 개선할 수 있다. 사용될 수 있는 커플링제의 예로는 실란계 커플링제, 티탄계 커플링제 및 알루미늄계 커플링제의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 커플링제는 수지 성분 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 15 중량부, 바람직하게는 0.1 중량부 내지 10 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 0.05 중량부 미만이면, 밀착성 개선 효과가 떨어질 우려가 있고, 15 중량부를 초과하면, 보이드(void)가 발생하거나, 내열성이 저하될 우려가 있다.
본 발명은 또한 기재 필름; 및
상기 기재 필름 상에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착층을 포함하는 접착 필름에 관한 것이다.
상기 접착 필름에 포함되는 기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 폴리프로필렌 또는 폴리에틸렌 등과 같은 올레핀 계열의 필름; 폴리에틸 렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 계열의 필름; 폴리카보네이트 필름; 폴리염화비닐 필름; 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐 공중합체 필름 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름; 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름; 또는 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 이 때 기재 필름의 이종 이상의 혼합이란, 기재 필름이 전술한 각 필름 중 이 이상의 적층 필름으로 구성되거나, 또는 전술한 각 수지의 공중합체로부터 제조되는 필름을 의미한다.
상기와 같은 기재 필름은 또한 표면이 이형 처리되어 있을 수 있으며, 사용될 수 있는 이형제로는 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계를 들 수 있고, 내열성을 가지는 점에서 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 사용이 다소 바람직하다.
상기 접착층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 1 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 5 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다. 상기 두께가 1 ㎛ 미만이면, 고온 응력 완화 효과 및 매립성이 저하될 우려가 있고, 200 ㎛를 초과하면 경제성이 떨어진다.
상기 접착층은 또한 기재 필름의 일면에 형성되어 기재 필름/접착층의 2층 구조를 형성하거나, 접착층/기재필름/접착층 또는 기재필름/접착층/기재필름의 3층 구조를 형성할 수도 있다.
상기와 같은 접착 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 접착제 조성물을 용제에 용해 또는 분산시켜 수지 바니쉬를 제조하는 제 1 단 계; 상기 수지 바니쉬를 기재 필름에 도포하는 제 2 단계; 및
상기 수지 바니쉬가 도포된 기재필름을 가열하여 용제를 제거하는 제 3 단계를 포함하는 방법으로 제조될 수 있으며,
경우에 따라서는 상기 수지 바니쉬를 일단 박리성 기재에 도포하여 접착층을 형성한 후, 이를 기재 필름에 전사하는 방식으로도 제조될 수 있다.
상기 제 1 단계는 본 발명에 따른 접착 수지 조성물을 사용하여 수지 바니쉬를 제조하는 단계로서, 용제로는 통상 메틸에틸케톤(MEK), 아세톤(Acetone), 톨루엔(Toluene), 디메틸포름아미드(DMF), 메틸셀로솔브(MCS), 테트라히드로퓨란(THF), N-메틸피롤리돈(NMP) 또는 에틸 아세테이트 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 사용할 수 있다. 이 때 기재 필름의 내열성을 고려하여 저비점 용제를 사용하거나, 또는 도막성을 향상을 위하여 고비점 용제를 사용할 수도 있다.
상기 제 1 단계에서는 또한 공정 시간의 단축 및 분산성 향상의 관점에서 충진제를 사용할 수 있으며, 이 경우 제 1 단계는, (1) 용제, 충진제 및 커플링제를 혼합하는 단계; (2) 상기 (1) 단계의 혼합물에 에폭시 수지 및 경화제를 첨가하여 혼합하는 단계; 및
(3) 상기 (2) 단계의 혼합물에 저탄성 고분자량 수지 및 경화 촉진제를 혼합하는 단계를 포함할 수 있다.
이 때 사용될 수 있는 충진제의 예로는 볼 밀(Ball Mill), 비드 밀(Bead Mill), 3개 롤(roll) 또는 고속 분산기의 단독 또는 이종 이상의 조합을 사용할 수 있으며, 볼 또는 비드의 재질로는 글래스, 알루미나 또는 지르코늄 등을 들 수 있 고, 특히 입자의 분산성 측면에서는 지르코늄 재질의 볼 또는 비드가 바람직하다.
접착 필름의 제조의 제 2 단계는 제조된 수지 바니쉬를 기재필름(또는 이형 필름)에 도포하는 단계로서, 도포 방법은 특별히 한정되지는 않고, 예를 들면, 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비아 코트법, 커튼 코트법, 콤마 코트법 또는 립 코트법 등을 사용할 수 있다.
접착 필름의 제조의 제 3 단계는 수지 바니쉬가 도포된 기재필름(또는 이형 필름)을 가열하여 용제를 제거하는 단계이다. 이 공정은 70℃ 내지 250℃의 온도에서 5분 내지 20분 동안 수행하는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명은 또한, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성된 점착부; 및
상기 점착부 상에 형성되고, 전술한 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착부를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.
본 발명의 다이싱 다이본딩 필름에 포함되는 기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 이 분야에서 공지된 플라스틱 필름 또는 금속박 등을 사용할 수 있다. 상기에서 플라스틱 필름의 예로는 전술한 접착 필름에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
본 발명에서는 또한 상기 기재 필름으로서, 2축 연신 특성이 유사한 필름을 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로는 수직 방향(MD) 및 수평 방향(TD)의 연신률의 차이가 수직 방향(MD) 연신률의 10% 이내, 바람직하게는 5% 이내인 필름을 사용할 수 있다.
위와 같은 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 10 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 50 ㎛ 내지 180 ㎛의 두께로 형성된다. 상기 두께가 10 ㎛ 미만이면, 다이싱 공정에서 절단 깊이(cut depth)의 조절이 불안해질 우려가 있고, 200 ㎛를 초과하면, 다이싱 공정에서 버(burr)가 다량 발생하게 되거나, 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
위와 같은 기재 필름에는 또한 필요에 따라 매트 처리, 코로나 방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.
또한, 점착부에 자외선 경화형 점착제를 사용하는 경우에 상기 기재 필름은 자외선 투과율이 우수한 것이 바람직하며, 예를 들면, 70% 이상, 바람직하게는 90% 이상의 자외선 투과율을 가질 수 있다.
본 발명의 다이싱 다이본딩 필름에서 점착부를 구성하는 점착제의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 통상의 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 사용할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우, 기재 필름측에서 자외선을 조사함으로써, 점착력을 저하시키며, 열 경화형 점착제의 경우, 적절한 열을 인가하여 점착력을 저하시킨다.
본 발명에서는 픽업 신뢰성 측면에서 자외선 경화형 점착제를 사용할 수 있으며, 이 경우 상기 점착부는 베이스 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제 및 가 교제를 포함할 수 있다.
상기에서 베이스 수지의 예로는 아크릴계 수지를 들 수 있으며, 이러한 아크릴계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만, 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나, 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한, 중량평균분자량이 150만을 초과하면, 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여, 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다.
이러한 아크릴계 수지는 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다.
이 때 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다.
또한, 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있 다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 아크릴계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물이 추가로 포함될 수 있다.
본 발명에서 사용할 수 있는 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 500 내지 300,000 정도인 다관능성 올리고머 화합물(ex. 다관능성 아크릴레이트)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 올리고머를 용이하게 선택할 수 있다.
상기 자외선 경화형 화합물은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며, 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다.
광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나, 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다.
또한 점착부에 포함되어 접착력 및 응집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부, 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 응집력이 부족할 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족하여, 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.
본 발명의 점착부에는 또한 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 적절히 포함될 수 있다.
본 발명의 다이싱 다이본딩 필름은 또한, 상기 접착부 상에 형성된 이형 필름을 추가로 포함할 수 있다.
사용될 수 있는 이형 필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐필름, 폴리부타디엔필름, 염화비닐 공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.
상기와 같은 이형 필름의 표면은 알킬드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계 등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며, 이 중 특히 내열성을 가지는 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다.
이형 필름은 통상 10 ㎛ 내지 500 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 200 ㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이상과 같은 다이싱 다이본딩 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기재 필름 상에 점착부, 접착부 및 이형 필름을 순차로 형성하는 방법, 또는 다이싱 필름(기재 필름+점착부) 및 다이본딩 필름 또는 접착부가 형성된 이형 필름을 별도로 제조한 후, 이를 라미네이션시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며, 핫 롤 라미네이트 또는 적층 프레스법을 사용할 수 있고, 이 중 연속 공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫 롤 라미네이트법이 바람직하다. 핫 롤 라미네이트법은 10℃ 내지 100℃의 온도에서 0.1 Kgf/cm2 내지 10 Kgf/cm2의 압력으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명은 또한, 상기 본 발명에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 접착부가 웨이퍼 일면에 부착되어 있고,
상기 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름이 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼에 관한 것이다.
상기와 같은 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 다이본딩 필름의 접착부를 온도 0℃ 내지 180℃ 조건에서 웨이퍼 이면에 부착(라미네이션)하고, 상기 기재 필름을 웨이퍼 링 프레임에 고정시켜 제조할 수 있다.
본 발명은 또한, 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물을 함유하는 접착층; 및
상기 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
상기와 같은 반도체 장치는 이하의 과정을 거쳐 제조될 수 있다. 즉, 전술한 다이싱 다이본딩 필름이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱 기기를 이용하여 완전히 절단하여 개개의 칩으로 분할한다. 그 후, 자외선 조사 또는 열의 인가 등의 수단을 통해 점착부를 경화시킨다. 상기와 같이 자외선 또는 열에 의해 경화된 점 착제는 접착제의 밀착력이 저하되어서 후 공정에서 칩의 픽업이 쉬워지게 된다. 이 때 필요에 따라서, 다이싱 다이본딩 필름을 인장하는 익스펜딩 공정을 실시하여, 칩간의 간격이 확정시키고, 접착부 및 점착부 계면에 어긋남을 발생시켜 픽업을 용이하게 할 수 있다.
위와 같은 상태에서 칩의 픽업을 실시하면, 반도체 웨이퍼 및 접착부가 점착부로부터 박리되어 접착층만이 부착된 칩을 얻을 수 있다. 수득한 상기 접착제층이 부착된 칩을 반도체용 기판에 부착한다. 칩의 부착 온도는 통상 100℃ 내지 180℃이며, 부착 시간은 0.5초 내지 3초, 부착 압력은 0.5 kgf/cm2 내지 2 kgf/cm2이다.
상기 공정을 진행한 후에 와이어 본딩과 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치가 얻어진다. 본 발명에서는 특히 다이본딩용 접착제의 택 강도 등의 최적화를 통하여, 상기 다이본딩 후에는 선경화 공정을 수행하지 않으면서도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 억제될 수 있다.
반도체 장치의 제조방법은 상기 공정에 한정되는 것이 아니고, 임의의 공정을 포함시킬 수도 있고, 공정의 순서를 바꿀 수도 있다. 예컨대, 자외선 경화 → 다이싱 → 익스팬딩 공정으로 진행할 수도 있고, 다이싱 → 익스팬딩 → 자외선 경화 공정으로도 진행할 수 있다. 칩 부착 공정 이후에 추가로 가열 또는 냉각 공정을 포함할 수도 있다.
이하, 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
제조예 1. 저탄성 고분자량 수지의 제조
부틸 아크릴레이트 100 중량부, 에틸 아크릴레이트 100 중량부, 아크릴로니트릴 70 중량부, 글리시딜 메타크릴레이트 8 중량부, 아크릴산 4 중량부 및 탈이온화된 증류수 750 중량부를 교반기, 질소 치환기 및 온도계가 구비된 4구 3L 반응기에 넣었다. 이어서, 현탁화제로서 물에 4%로 희석한 폴리비닐알코올(상품명: NH-17, Nippon ghosei(제)) 2중량부 및 분자량 조절제로서 도데실 메르캅탄(dodecyl mercaptan) 0.3 중량부를 투입하여 혼합물을 제조하였다. 제조된 혼합물에 1 시간 정도 질소 치환을 행한 다음, 55℃로 승온하여 설정온도에 이르렀을 때, 개시제로서 에틸 아세테이트에 2%로 희석한 디에틸헥실 퍼옥시디카보네이트(상품명: Trigonox EHP, Akzo Nobel(제)) 2 중량부를 넣어 중합반응을 개시시켰다. 반응개시 후 4 시간이 경과한 시점에서 반응을 종결시키고, 탈이온화된 증류수로 수회 세척한 후, 원심 분리기와 진공 오븐을 사용하여 건조시켜, 중합체 비드(polymer bead)를 수득하였다. 수율은 90%였으며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 중량평균분자량은 75만이고, 분자량 분포는 4.0이며, 유리전이온도(Tg)는 10℃였다. 제조된 중합체 비드는 메틸에틸케톤에 1일간 충분히 녹여서 사용하였다.
실시예 1.
다이싱 필름(점착 필름)의 제조
2-에틸헥실 아크릴레이트, 메틸 아크릴레이트 및 메틸 메타크릴레이트를 공중합하여 제조된 중량평균분자량이 80만이고, 유리전이온도가 10℃인 아크릴계 공중합체 100 중량부, 이소시아네이트 경화제 5 중량부 및 중량평균분자량이 2만인 다관능성 올리고머 10 중량부를 포함하는 혼합물에 광개시제로서 다로커 TPO(Darocur TPO)를 상기 다관능성 올리고머 100 중량부 대비 7 중량부의 양으로 혼합하여 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조하였다. 이어서, 제조된 자외선 경화성 점착제를 이형 처리된 두께 38 ㎛의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 10 ㎛이 되도록 도포하고, 110℃에서 3분간 건조하였다. 이어서, 건조된 점착층을 두께가 100 ㎛인 폴리올레핀 필름에 라미네이트하여 다이싱 필름을 제조하였다.
다이싱 다이본딩 필름의 제조
에폭시 수지로서 YDCN-500-1P(국도화학(제), 크레졸 노볼락 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 200, 연화점 = 52℃) 75 중량부, YD-128(국도화학(제), 비스페놀 A 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 187) 25 중량부, 페놀 수지(KPH-F2001, 코오롱유화(제), 페놀 노볼락 수지: 수산기 당량 = 106, 연화점 = 88℃) 60 중량부, 제조예 1에서 제조된 저탄성 고분자량 수지 200 중량부, 2-페닐 이미다졸(2PZ, 시코쿠 화성(제)) 0.5 중량부, 실란 커플링제(KBM-403, 신에츠화학(제), γ-글리시독시프로필트리메톡시실란) 2 중량부 및 구상 실리카 충진제(UFP-30, 덴카(제), 평균 입경 = 150 nm) 30 중량부를 메틸에틸케톤(MEK)에 교반혼합하여 수지 바니쉬를 제조하였다. 제조된 바니쉬를 두께 38 ㎛의 기재필름(SKC, RS-21G, 실리콘 이형 PET 필름)에 도포하고, 110℃에서 5분간 건조하여, 도막 두께가 20 ㎛인 다이본딩용 접착층을 제조하였다. 제조된 접착층을 핫 롤 라미네이터를 이용하여, 상기 제조된 자외선 경화형 점착층을 포함하는 다이싱 필름과 40℃, 5kgf/cm2으로 5초간 라미네이션하여 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.
실시예 2
에폭시 수지로서 KDCP-100(국도화학(제), 디시클로펜타디엔 변성 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 260, 연화점 = 60℃) 90 중량부 및 YDF-170(국도화학(제), 비스페놀 F 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 170) 10 중량부의 혼합 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다.
실시예 3
에폭시 수지로서 KDPN-110(국도화학(제), 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 210, 연화점 = 65℃) 85 중량부 및 YD-115(국도화학(제), 비스페놀 A 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 185) 15 중량부의 혼합 수지를 사용한 것을 제외하 고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다.
비교예 1
에폭시 수지로서 YDCN-500-1P(국도화학(제), 크레졸 노볼락 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 200, 연화점 = 52℃) 100 중량부를 단독으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다.
비교예 2
에폭시 수지로서 YDCN-500-1P(국도화학(제), 크레졸 노볼락 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 200, 연화점 = 52℃) 50 중량부 및 YD-128(국도화학(제), 비스페놀 A 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 187) 50 중량부의 혼합 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다.
비교예 3
경화 촉진제를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 다이싱 다이본딩 필름의 접착층의 조성, 택 강도 및 전단 강도를 하기 표 1에 정리하여 기재하였다. 이 때 접착층의 택 강도 및 전단 강도는 하기 방법에 따라 측정하였다.
1. 택 강도(tack force)의 측정
표면 온도가 130℃인 핫 플레이트 위에 샘플(접착층)을 올려 놓고, 직경 1인치의 볼 타입 프로브(probe)를 사용하여 택 강도를 측정하였다. 이 때 프로브에 인가되는 힘은 800 gf, 접촉 시간은 0.1초, 프로브를 떼어내는 측정 속도는 0.1 mm/sec였으며, 측정에 사용된 기기는 Texture Analyzer(TA)(SMS사(제))였다.
2. 전단강도의 측정
5 mm × 5 mm 크기의 칩을 600 ㎛ 내지 700 ㎛ 크기의 웨이퍼 경면(mirror)에 다이본딩 필름을 사용하여 60℃로 라미네이션한 다음, 웨이퍼 칩의 크기만큼 다이본딩 필름을 잘라서 샘플을 제조하였다. 이어서, SUS 플레이트 위에 130℃에서 일정한 힘과 시간으로 다이본딩 필름을 가지는 웨이퍼 칩을 부착한 후, 상온에서 30분 동안 방치하였다. 그 후, DAGE사의 series 4000을 이용하여, 플레이트의 온도를 150℃로 유지한 상태에서 0.1 mm/sec의 속도로 칩을 밀면서, 칩이 떨어질 때의 힘을 측정하였다.
[표 1]
실시예 비교예
1 2 3 1 2
조 성 다관능 에폭시 수지 75 90 85 100 50
이관능 에폭시 수지 25 10 15 - 50
경화제 60 60 60 60 60
저탄성 고분자량 수지 200 200 200 200 200
경화 촉진제 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
커플링제 2 2 2 2 2
충진제 30 30 30 30 30
Tack force(gf) 130 60 100 35 200
전단강도(MPa) 5.2 4.5 4.9 3.2 5.0
다관능 에폭시 수지: YDCN-500-1P, KDCP-100, KDPN-110 이관능 에폭시 수지: YD-128, YDF-170, YD-115 경화제: KPH-F2001 경화 촉진제: 2PZ 커플링제: KBM-403 충진제: UFP-30
상기와 같이 제조된 실시예 및 비교예의 다이싱 다이본딩 필름에 대하여, 하기 제시된 방법으로 물성을 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
(1) 버(Burr) 특성 평가
100㎛ 웨이퍼 및 웨이퍼 링에 마운터를 이용하여 50℃에서 다이싱 다이본딩 필름을 라미네이션한 후, 다이싱 장비(Disco社(제), DAD-640)를 이용하여 다이싱 공정(Rpm = 40K, speed = 50 mm/sec, 칩 크기 = 5 mm × 5 mm)을 수행한 후에, 칩 상에서 버가 발생된 개수를 %로 환산하여, 환산치가 5% 이하인 경우를 양호한 것으로 평가하였다.
(2) 패키지 신뢰성
칩과 접착층을 PCB 기판에 부착(부착 조건 = 130℃, 1.5 kg, 1초) 한 후에, 접착층의 선경화(precure) 공정을 수행하지 않고, 몰드 수지로 기판의 칩이 장착된 측을 소정의 형상으로 몰드한 다음, 175℃에서 6시간 동안 수지를 경화시켜 고압 밀봉하였다. 이어서, 제조된 반도체 패키지를 초음파 현미경을 이용하여 관찰하여, 칩의 밀림 또는 쏠림 현상의 발생 여부를 관찰하였다. 칩의 밀림, 쏠림 또는 칩의 크랙 등의 파괴가 발생하지 않은 것을 양호, 상기 중 어느 하나라도 발생한 것을 불량으로 판정하였다.
[표 2]
실시예 비교예
1 2 3 1 2
버(burr)(%) 4.0 3.0 2.5 1.5 20
패키지 신뢰성 양호 양호 양호 밀림 양호
상기 표 2의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 경우, 버 특성 및 패키지 신뢰성이 모두 우수하게 나타났으며, 특히 선경화 공정을 생략하였음에도, 탁월한 패키지 신뢰성을 나타내었다.
반면, 택 강도 및 전단 강도가 본 발명의 범위에 미달하는 비교예 1의 경우, 버 특성은 어느 정도 우수하였으나, 패키지 내에서 칩의 밀림 현상 등이 크게 발생하여, 패키지의 신뢰성이 매우 떨어졌으며, 택 강도가 지나치게 높은 비교예 1의 경우, 패키지 신뢰성 측면에서는 어느 정도 만족할 수 있었으나, 다이싱 공정 중에 버(burr)가 다량 발생하는 문제점이 나타났다.

Claims (23)

  1. 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 접착제 조성물:
    [일반식 1]
    T = 50 gf 내지 150 gf
    상기 일반식 1에서 T는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 130℃에서의 택 강도를 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    하기 일반식 2의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물:
    [일반식 2]
    S ≥ 4.0 MPa
    상기 일반식 2에서 S는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 150℃에서의 전단강도를 나타낸다.
  3. 제 1 항에 있어서,
    (A) 에폭시 수지, (B) 저탄성 고분자량 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서,
    (A) 에폭시 수지가 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  5. 제 3 항에 있어서,
    (A) 에폭시 수지는 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 수지인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    혼합 수지는 다관능성 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 50 중량부의 이관능성 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  7. 제 3 항에 있어서,
    (A) 에폭시 수지는 (B) 저탄성 고분자량 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 200 중량부의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  8. 제 3 항에 있어서,
    (B) 저탄성 고분자량 수지는 유리전이온도가 -20℃ 내지 40℃이며, 중량평균분자량이 10만 내지 100만인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  9. 제 3 항에 있어서,
    (B) 저탄성 고분자량 수지는 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 아크릴로니트릴부타디엔 고무 및 아크릴계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  10. 제 3 항에 있어서,
    (C) 경화제는 수산기 당량이 100 내지 1,000인 페놀 수지인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  11. 제 10 항에 있어서,
    페놀 수지는 비스페놀 A 수지, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 다관능성 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 페놀 노볼락 수지, 아미노트리아진 페놀 노볼락 수지, 폴리부타디엔 페놀 노볼락 수지 및 비페닐형 수지로 이루어지 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  12. 제 3 항에 있어서,
    (C) 경화제는 (A) 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 30 중량부 내지 100 중량부의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  13. 제 3 항에 있어서,
    (A) 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 10 중량부의 경화 촉진제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  14. 제 13 항에 있어서,
    경화 촉진제가 이미다졸 화합물, 트리페닐포스핀 또는 3급 아민류인 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  15. 제 3 항에 있어서,
    무기 충진제 또는 커플링제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
  16. 기재 필름; 및
    상기 기재 필름 상에 형성되고, 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착층을 포함하는 접착 필름.
  17. 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성된 점착부; 및
    상기 점착부 상에 형성되고, 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착부를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름.
  18. 제 17 항에 있어서,
    기재 필름은 두께가 10 ㎛ 내지 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.
  19. 제 17 항에 있어서,
    기재 필름은 자외선 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.
  20. 제 17 항에 있어서,
    점착부는 베이스 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제 및 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.
  21. 제 17 항에 있어서,
    접착부 상에 형성된 이형 필름을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.
  22. 제 17 항에 다이싱 다이본딩 필름의 접착부가 웨이퍼 일면에 부착되어 있고,
    상기 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름이 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼.
  23. 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 형성되고, 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 접착제 조성물로부터 형성된 접착층; 및
    상기 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101147841B1 (ko) * 2010-06-08 2012-05-21 도레이첨단소재 주식회사 전자부품 제조용 점착테이프
US20120270381A1 (en) * 2009-10-16 2012-10-25 Lg Chem, Ltd. Die attach film
WO2012173325A1 (ko) * 2011-06-14 2012-12-20 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름
KR20170094782A (ko) * 2010-07-26 2017-08-21 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 접착제 조성물 및 접착 필름
KR20170105640A (ko) * 2012-03-08 2017-09-19 히타치가세이가부시끼가이샤 접착시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN112513217A (zh) * 2018-08-03 2021-03-16 昭和电工材料株式会社 胶黏剂组合物、膜状胶黏剂、胶黏剂片及半导体装置的制造方法
CN114496349A (zh) * 2022-02-09 2022-05-13 浙江荣泰电工器材股份有限公司 一种超长耐高温云母带及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI304835B (en) * 2003-06-10 2009-01-01 Hitachi Chemical Co Ltd Film adhesive and manufacturing method thereof,adhesive sheet and semiconductor device
KR100657027B1 (ko) * 2005-02-07 2006-12-13 재단법인서울대학교산학협력재단 온도감지기능이 있는 개선된 포장점착테이프
JPWO2007018120A1 (ja) 2005-08-05 2009-02-19 日立化成工業株式会社 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR101023841B1 (ko) 2006-12-08 2011-03-22 주식회사 엘지화학 접착제 수지 조성물 및 이를 이용한 다이싱 다이 본딩 필름

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120270381A1 (en) * 2009-10-16 2012-10-25 Lg Chem, Ltd. Die attach film
KR101147841B1 (ko) * 2010-06-08 2012-05-21 도레이첨단소재 주식회사 전자부품 제조용 점착테이프
KR20170094782A (ko) * 2010-07-26 2017-08-21 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 접착제 조성물 및 접착 필름
WO2012173325A1 (ko) * 2011-06-14 2012-12-20 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름
KR20170105640A (ko) * 2012-03-08 2017-09-19 히타치가세이가부시끼가이샤 접착시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN112513217A (zh) * 2018-08-03 2021-03-16 昭和电工材料株式会社 胶黏剂组合物、膜状胶黏剂、胶黏剂片及半导体装置的制造方法
CN114496349A (zh) * 2022-02-09 2022-05-13 浙江荣泰电工器材股份有限公司 一种超长耐高温云母带及其制备方法
CN114496349B (zh) * 2022-02-09 2023-09-26 浙江荣泰电工器材股份有限公司 一种超长耐高温云母带及其制备方法

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