CN108587502B - 一种半导体晶圆加工用胶带及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体晶圆加工用胶带，所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材包括聚乙烯、聚丙烯、乙烯‑丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯‑醋酸乙烯酯共聚物、乙烯‑丙烯酸酯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚胺甲酸乙酯、苯乙烯‑乙烯‑丁烯共聚物中的一种。

Description

一种半导体晶圆加工用胶带及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体领域技术领域，具体地，本发明涉及一种半导体晶圆加工用胶带。
背景技术
半导体晶圆或基板在形成电路之后贴合在胶带上，然后分割(切割)成元件小片，转移至胶带的延展、从胶带上剥离(拾取、Pickup)元件小片等各个步骤。在这些步骤中所使用的胶带(切割胶带)优选在切割时对被切割的元件小片(晶片)具有充分的粘合力，同时在拾取时粘合力减小至不产生残胶的程度。
作为胶带，在对紫外线和电子束两者或紫外线和电子束中的任一活性光线具有透射性的基材膜上涂布有由紫外线等引起聚合固化反应的粘结剂层。该胶带使用于拾取步骤，亦即在切割步骤后对粘结剂层照射紫外线等，使粘结剂层聚合固化而使粘合力降低后，拾取切割后得到的晶片的步骤。
近年来，随着电子部件的小型化、薄型化，晶片尺寸的小型化逐步发展，在半导体晶圆或基板的切断步骤中容易发生晶片飞散以及崩裂(晶片的缺损)，成为成品率降低的主要原因。此外在拾取步骤中，由针脚突起而引发的胶带粘结剂层发生破损的情况。粘结剂层破损后，破损的粘结剂层附着在晶片(残胶)上，构成污染，对组装步骤造成不良影响。
另外，在半导体封装过程中产生的大多数缺陷是由于在水分吸收后的回流过程中基板和粘合剂之间的层离导致的。
因此，针对上述问题，本发明提供一种半导体晶圆加工用胶带，其具有减小基板、粘合剂和半导体芯片之间的应力、提高水分耐受性；在高温和/或高湿条件下，具有优异的粘附性、耐久性。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供一种半导体晶圆加工用胶带，所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材包括聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚胺甲酸乙酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物中的一种。
在一种实施方式中，所述粘结膜包括聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、聚氨基甲酸乙酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂中一种。
在一种实施方式中，按重量份计算，所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物20-100份、环氧树脂10-30份、固化剂1-10份、引发剂1-10份。
在一种实施方式中，所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸(CAS:331-39-5)。
在一种实施方式中，所述丙烯酸酯聚合物的制备原料中所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：(0.2-0.5)：(0.3-0.7)：(0.1-0.5)。
在一种实施方式中，所述聚合性化合物包括2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、4，4-二苯基甲烷二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯中一种或多种。
在一种实施方式中，所述环氧树脂包括双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、溴化的双酚环氧树脂、酚醛环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂中一种或多种。
在一种实施方式中，所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂。
在一种实施方式中，所述固化剂包括1，3-苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基二异氰酸酯、1，4-苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4’-甲苯胺二异氰酸酯中一种或多种。
在一种实施方式中，所述引发剂包括苯乙酮二甲基缩酮、苄基二甲基缩酮、苄基二苯基硫醚、偶氮二异丁腈中一种或多种。
参考以下详细说明更易于理解本申请的上述以及其他特征、方面和优点。
具体实施方式
参选以下本发明的优选实施方法的详述以及包括的实施例可更容易地理解本发明的内容。除非另有限定，本文使用的所有技术以及科学术语具有与本发明所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时，以本说明书中的定义为准。
如本文所用术语“由…制备”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。
连接词“由…组成”排除任何未指出的要素、步骤或组分。如果用于权利要求中，此短语将使权利要求为封闭式，使其不包含除那些描述的材料以外的材料，但与其相关的常规杂质除外。当短语“由…组成”出现在权利要求主体的子句中而不是紧接在主题之后时，其仅限定在该子句中描述的要素；其它要素并不被排除在作为整体的所述权利要求之外。
当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，当公开了范围“1至5”时，所描述的范围应被解释为包括范围“1至4”、“1至3”、“1至2”、“1至2和4至5”、“1至3和5”等。当数值范围在本文中被描述时，除非另外说明，否则该范围意图包括其端值和在该范围内的所有整数和分数。
单数形式包括复数讨论对象，除非上下文中另外清楚地指明。“任选的”或者“任意一种”是指其后描述的事项或事件可以发生或不发生，而且该描述包括事件发生的情形和事件不发生的情形。
说明书和权利要求书中的近似用语用来修饰数量，表示本发明并不限定于该具体数量，还包括与该数量接近的可接受的而不会导致相关基本功能的改变的修正的部分。相应的，用“大约”、“约”等修饰一个数值，意为本发明不限于该精确数值。在某些例子中，近似用语可能对应于测量数值的仪器的精度。在本申请说明书和权利要求书中，范围限定可以组合和/或互换，如果没有另外说明这些范围包括其间所含有的所有子范围。
此外，本发明要素或组分前的不定冠词“一种”和“一个”对要素或组分的数量要求(即出现次数)无限制性。因此“一个”或“一种”应被解读为包括一个或至少一个，并且单数形式的要素或组分也包括复数形式，除非所述数量明显旨指单数形式。
“聚合物”意指通过聚合相同或不同类型的单体所制备的聚合化合物。通用术语“聚合物”包含术语“均聚物”、“共聚物”、“三元共聚物”与“共聚体”。
“共聚体”意指通过聚合至少两种不同单体制备的聚合物。通用术语“共聚体”包括术语“共聚物”(其一般用以指由两种不同单体制备的聚合物)与术语“三元共聚物”(其一般用以指由三种不同单体制备的聚合物)。其亦包含通过聚合更多种单体而制造的聚合物。“共混物”意指两种或两种以上聚合物通过物理的或化学的方法共同混合而形成的聚合物。
本发明提供一种半导体晶圆加工用胶带，所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材包括聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚胺甲酸乙酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物中的一种。
优选地，所述基材为聚乙烯。
在一种实施方式中，所述基材的厚度为50～300μm；优选地，所述基材的厚度为120μm。
在一种实施方式中，所述粘结膜包括聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、聚氨基甲酸乙酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂中一种。
优选地，所述粘结膜为聚酰亚胺树脂。
在一种实施方式中，所述粘结膜的厚度为5-100μm；优选地，所述粘结膜的厚度为40μm。
粘结剂，可以在基材膜上涂布黏接剂而制造。作为粘结剂没有特别限制，只要是具有在展开时粘结膜及半导体晶圆不剥离的程度之保持性，或收取时具有容易与粘结膜剥离的特性。
在一种实施方式中，按重量份计算，所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物20-100份、环氧树脂10-30份、固化剂1-10份、引发剂1-10份；优选地，所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物30-90份、环氧树脂10-25份、固化剂2-8份、引发剂1-7份；最优选地，所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份。
在一种实施方式中，所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸(CAS:331-39-5)。
在一种实施方式中，所述丙烯酸酯聚合物的制备原料中所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：(0.2-0.5)：(0.3-0.7)：(0.1-0.5)；优选地，所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.3：0.5：0.2。
所述丙烯酸酯聚合物的制备方法包括以下步骤：
按重量份向反应器中加入丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸，升温至80℃，加入偶氮二异丁腈、PEDOT：PSS(CAS号：155090-83-8)，保温反应8h，降温至室温，得到所述丙烯酸酯聚合物；所述丙烯酸甲酯与所述偶氮二异丁腈、所述PEDOT：PSS的重量比为1：0.01：0.03。
本发明中，所述丙烯酸酯聚合物中丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸在偶氮二异丁腈、PEDOT：PSS进行反应，3,4-二羟基苯乙烯酸的引入，由于存在着化学交联点，不仅促进丙烯酸酯聚合物形成网络结构，进一步提高成膜性、耐磨性。
在一种实施方式中，所述聚合性化合物包括2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、4，4-二苯基甲烷二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯中一种或多种；优选地，所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯。
本发明中，如果聚合性化合物的混合量少于20份，则光照射后粘合片的剥离性下降，容易发生半导体晶片拾取不良。如果光聚合性化合物的混合量多于100份，则光照射步骤会引起粘合剂的弹性率过高，拾取步骤中发生胶裂，导致生产率降低。
本发明中所述聚合性化合物的重均分子量为1000-5000。如果聚合性化合物的重均分子量小于1000，则切割时粘合剂被带起，在晶片上发生残胶；如果光聚合性化合物的重均分子量大于5000，则紫外线固化造成弹性率过高，拾取时发生晶片松动。
在一种实施方式中，所述环氧树脂包括双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、溴化的双酚环氧树脂、酚醛环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂中一种或多种。
在一种实施方式中，所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂。
所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法包括以下步骤：
(1)将高岭土加入料桶温度为60℃高速混合机中，按重量比加入丙烯酸及BPO，搅拌2h后，出料，把高速混合机料桶温度升至120℃后，将上述物料倒回高速混合机中，高速搅拌1h后出料，得到丙烯酸高岭土；所述高岭土与所述丙烯酸、所述BPO的重量比为100：16：0.15；
(2)将步骤(1)中丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸加入料桶温度为120℃高速混合机中，高速搅拌1h后出料，得到丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸复合物；所述丙烯酸高岭土与所述N-(4-羟苯基)甘氨酸的重量比为1：0.5；
(3)向反应器中加入丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸复合物、N，N-二甲基乙酰胺，升温至80℃，搅拌2h，加入双酚A型环氧树脂，保温8h，加入70℃的去离子水，用萃取部分N，N-二甲基乙酰胺，将萃取之后的混合物于80℃真空除气泡10h，加入戊二酸酐、十八烷基三甲基氯化铵，继续80℃真空除气泡2h，然后常压下在80℃固化2h，100℃固化2h，110℃固化3h，得所述改性双酚A型环氧树脂；所述丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸复合物与所述N，N-二甲基乙酰胺的重量比为1：3；所述丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸复合物与所述双酚A型环氧树脂的重量比为0.18：1；所述双酚A型环氧树脂与所述戊二酸酐、所述十八烷基三甲基氯化铵的重量比为1：0.4：0.2。
双酚A环氧树脂结构中的苯环富含双键，在大气及紫外线环境下容易断裂，会加速制品老化，使得双酚A环氧树脂存在耐候性差的缺点，通过N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土改性环氧树脂(富含双键)，得到高度交联的环氧树脂。
在一种实施方式中，所述固化剂包括1，3-苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基二异氰酸酯、1，4-苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4’-甲苯胺二异氰酸酯中一种或多种；优选地，所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯。
在一种实施方式中，所述引发剂包括苯乙酮二甲基缩酮、苄基二甲基缩酮、苄基二苯基硫醚、偶氮二异丁腈中一种或多种；优选地，所述引发剂为偶氮二异丁腈。
在一种实施方式中，所述粘结剂的制备方法包括以下步骤：
按重量份将丙烯酸酯聚合物、环氧树脂、聚合性化合物、加入到反应釜中，升温至35℃，搅拌0.5h，加入填料，继续搅拌0.5h，然后加入固化剂、引发剂，搅拌3h，得到所述粘结剂。
本发明中，通过基材、粘结剂、粘结膜之间的协同作用，得到的半导体晶圆加工用胶带，其具有减小基板、粘合剂和半导体芯片之间的应力、提高水分耐受性；在高温和/或高湿条件下，具有优异的粘附性、耐久性。
下面通过实施例对本发明进行具体描述。有必要在此指出的是，以下实施例只用于对本发明作进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，该领域的专业技术人员根据上述本发明的内容做出的一些非本质的改进和调整，仍属于本发明的保护范围。
另外，如果没有其它说明，所用原料都是市售的。
实施例1
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.3：0.5：0.2；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法包括以下步骤：
按重量份将丙烯酸酯聚合物、环氧树脂、聚合性化合物、加入到反应釜中，升温至35℃，搅拌0.5h，加入填料，继续搅拌0.5h，然后加入固化剂、引发剂，搅拌3h，得到所述粘结剂。
所述丙烯酸酯聚合物的制备方法包括以下步骤：
按重量份向反应器中加入丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸，升温至80℃，加入偶氮二异丁腈、PEDOT：PSS，保温反应8h，降温至室温，得到所述丙烯酸酯聚合物；所述丙烯酸甲酯与所述偶氮二异丁腈、所述PEDOT：PSS的重量比为1：0.01：0.03。
所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法包括以下步骤：
(1)将高岭土加入料桶温度为60℃高速混合机中，按重量比加入丙烯酸及BPO，搅拌2h后，出料，把高速混合机料桶温度升至120℃后，将上述物料倒回高速混合机中，高速搅拌1h后出料，得到丙烯酸高岭土；所述高岭土与所述丙烯酸、所述BPO的重量比为100：16：0.15；
(2)将步骤(1)中丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸加入料桶温度为120℃高速混合机中，高速搅拌1h后出料，得到丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸复合物；所述丙烯酸高岭土与所述N-(4-羟苯基)甘氨酸的重量比为1：0.5；
(3)向反应器中加入丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸复合物、N，N-二甲基乙酰胺，升温至80℃，搅拌2h，加入双酚A型环氧树脂，保温8h，加入70℃的去离子水，用萃取部分N，N-二甲基乙酰胺，将萃取之后的混合物于80℃真空除气泡10h，加入戊二酸酐、十八烷基三甲基氯化铵，继续80℃真空除气泡2h，然后常压下在80℃固化2h，100℃固化2h，110℃固化3h，得所述改性双酚A型环氧树脂；所述丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸复合物与所述N，N-二甲基乙酰胺的重量比为1：3；所述丙烯酸高岭土与N-(4-羟苯基)甘氨酸复合物与所述双酚A型环氧树脂的重量比为0.18：1；所述双酚A型环氧树脂与所述戊二酸酐、所述十八烷基三甲基氯化铵的重量比为1：0.4：0.2。
实施例2
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物60份、环氧树脂25份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.3：0.5：0.2；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法、所述丙烯酸酯聚合物的制备方法、所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法同实施例1。
实施例3
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物75份、环氧树脂10份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.3：0.5：0.2；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法、所述丙烯酸酯聚合物的制备方法、所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法同实施例1。
实施例4
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.2：0.3：0.5；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法、所述丙烯酸酯聚合物的制备方法、所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法同实施例1。
实施例5
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.5：0.4：0.1；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法、所述丙烯酸酯聚合物的制备方法、所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法同实施例1。
对比例1
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.3：0.5：0.2；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸改性双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法、所述丙烯酸酯聚合物的制备方法同实施例1。
所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法如下：
向反应器中加入N-(4-羟苯基)甘氨酸、N，N-二甲基乙酰胺，升温至80℃，搅拌2h，加入双酚A型环氧树脂，保温8h，加入70℃的去离子水，用萃取部分N，N-二甲基乙酰胺，将萃取之后的混合物于80℃真空除气泡10h，加入戊二酸酐、十八烷基三甲基氯化铵，继续80℃真空除气泡2h，然后常压下在80℃固化2h，100℃固化2h，110℃固化3h，得所述改性双酚A型环氧树脂；所述N-(4-羟苯基)甘氨酸与所述N，N-二甲基乙酰胺的重量比为1：3；所述N-(4-羟苯基)甘氨酸与所述双酚A型环氧树脂的重量比为0.18：1；所述双酚A型环氧树脂与所述戊二酸酐、所述十八烷基三甲基氯化铵的重量比为1：0.4：0.2。
对比例2
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.3：0.5：0.2；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为丙烯酸高岭土改性双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法、所述丙烯酸酯聚合物的制备方法同实施例1。
所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法如下：
向反应器中加入丙烯酸高岭土、N，N-二甲基乙酰胺，升温至80℃，搅拌2h，加入双酚A型环氧树脂，保温8h，加入70℃的去离子水，用萃取部分N，N-二甲基乙酰胺，将萃取之后的混合物于80℃真空除气泡10h，加入戊二酸酐、十八烷基三甲基氯化铵，继续80℃真空除气泡2h，然后常压下在80℃固化2h，100℃固化2h，110℃固化3h，得所述改性双酚A型环氧树脂；所述丙烯酸高岭土与所述N，N-二甲基乙酰胺的重量比为1：3；所述丙烯酸高岭土与所述双酚A型环氧树脂的重量比为0.18：1；所述双酚A型环氧树脂与所述戊二酸酐、所述十八烷基三甲基氯化铵的重量比为1：0.4：0.2。
对比例3
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：0.3：0.5：0.2；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法、所述丙烯酸酯聚合物的制备方法同实施例1。
对比例4
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯的摩尔比为1：0.5：0.5；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法、所述改性双酚A型环氧树脂的制备方法同实施例1。
所述丙烯酸酯聚合物的制备方法包括以下步骤：
按重量份向反应器中加入丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯，升温至80℃，加入偶氮二异丁腈、PEDOT：PSS，保温反应8h，降温至室温，得到所述丙烯酸酯聚合物；所述丙烯酸甲酯与所述偶氮二异丁腈、所述PEDOT：PSS的重量比为1：0.01：0.03。
对比例5
所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材为聚乙烯，所述基材的厚度为120μm；所述粘结膜为聚酰亚胺树脂，所述粘结膜的厚度为40μm；
所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物70份、环氧树脂15份、固化剂7份、引发剂5份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯；所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯的摩尔比为1：0.5：0.5；所述聚合性化合物为六亚甲基二异氰酸酯；所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂；所述固化剂为2，4-甲苯二异氰酸酯；所述引发剂为偶氮二异丁腈；
所述粘结剂的制备方法同实施例1。
所述丙烯酸酯聚合物的制备方法同对比例4。
性能测试：
崩裂、晶片保持性、拾取性和污染性的评价
将半导体加工用粘合胶带贴合于形成有虚拟电路图案的直径8英寸×厚度0.15mm的硅晶片和环形框，进行切割、拾取。
1、崩裂
随机选择崩裂所拾取的50晶片，用500倍的显微镜观察观察晶片背面的4条边，按如下基准评价最大缺欠的大小。
◎(优)：最大缺欠的大小小于25μm；
○(良)：最大缺欠的大小为25μm以上且小于50μm；
×(差)：最大缺欠的大小为50μm以上。
2、晶片保持性
晶片保持性根据切割步骤后半导体晶片保持于切割胶带的半导体晶片的残留率，按如下基准进行评价。
◎(优)：晶片飞散低于5％；
○(良)：晶片飞散为5％以上且低于10％；
×(差)：晶片飞散为10％以上。
3、拾取性
拾取性根据拾取步骤中可拾取半导体晶片的比例，按如下基准进行评价。
◎(优)：晶片的拾取成功率为95％以上；
○(良)：晶片的拾取成功率为80％以上且低于95％；
×(差)：晶片的拾取成功率低于80％。
4、污染性
将粘合片贴附于矽制镜面晶片，20分钟后使用高压汞灯照射150mJ/cm2的紫外线后，将粘合片剥离。使用颗粒计数器测定矽制镜面晶片的贴附面上残留的0.28μm以上的粒子数。
◎(优)：粒子数为500个以下；
○(良)：粒子数为501个以上且小于2000个；
×(差)：粒子数为2000个以上。
5、晶片松动
晶片松动根据拾取步骤中要拾取半导体晶片相邻的半导体晶片因针销顶起的冲击而松动的比例，按如下基准进行评价。
◎(优)：晶片松动低于1％；
○(良)：晶片松动为1％以上且低于3％；
×(差)：晶片松动为3％以上。
表1性能测试结果
崩裂 晶片保持性 拾取性 污染性 晶片松动
实施例1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
实施例2 ◎ ○ ◎ ◎ ○
实施例3 ◎ ○ ○ ◎ ○
实施例4 ◎ ○ ◎ ◎ ○
实施例5 ◎ ○ ◎ ◎ ○
对比例1 ○ ○ ○ ○ ○
对比例2 ○ ○ ○ ○ ○
对比例3 ○ ○ ○ × ○
对比例4 ○ × ○ ○ ×
对比例5 ○ × ○ × ×
从上述数据可以看出，本发明提供的一种半导体晶圆加工用胶带，其具有减小基板、粘合剂和半导体芯片之间的应力、提高水分耐受性；在高温和/或高湿条件下，具有优异的粘附性、耐久性。
上述的实例仅是说明性的，用于解释本发明的特征的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围，且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此，申请人的用意是所附的权利要求不被说明本发明的特征的示例的选择限制，而且在科技上的进步将形成由于语言表达的不准确的原因而未被目前考虑的可能的等同物或子替换，且这些变化也应在可能的情况下被解释为被所附的权利要求覆盖。

Claims (6)

1.一种半导体晶圆加工用胶带，其特征在于，所述半导体晶圆加工用胶带包括基材、粘结剂、粘结膜，所述基材与所述粘结膜通过粘结剂进行连接；所述基材包括聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚胺甲酸乙酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物中的一种；按重量份计算，所述粘结剂的制备原料包括丙烯酸酯聚合物100份、聚合性化合物20-100份、环氧树脂10-30份、固化剂1-10份、引发剂1-10份；所述丙烯酸酯聚合物的制备原料包括丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸-2-乙基己酯、3,4-二羟基苯乙烯酸；所述环氧树脂为改性双酚A型环氧树脂，所述改性双酚A型环氧树脂为N-(4-羟苯基)甘氨酸和丙烯酸高岭土复合物改性双酚A型环氧树脂。
2.根据权利要求1所述半导体晶圆加工用胶带，其特征在于，所述粘结膜包括聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、聚氨基甲酸乙酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂中一种。
3.根据权利要求1所述半导体晶圆加工用胶带，其特征在于，所述丙烯酸酯聚合物的制备原料中所述丙烯酸甲酯与所述丙烯酸、所述丙烯酸-2-乙基己酯、所述3,4-二羟基苯乙烯酸的摩尔比为1：(0.2-0.5)：(0.3-0.7)：(0.1-0.5)。
4.根据权利要求1所述半导体晶圆加工用胶带，其特征在于，所述聚合性化合物包括2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、4，4-二苯基甲烷二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯中一种或多种。
5.根据权利要求1所述半导体晶圆加工用胶带，其特征在于，所述固化剂包括1，3-苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基二异氰酸酯、1，4-苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4’-甲苯胺二异氰酸酯中一种或多种。
6.根据权利要求1所述半导体晶圆加工用胶带，其特征在于，所述引发剂包括苯乙酮二甲基缩酮、苄基二甲基缩酮、苄基二苯基硫醚、偶氮二异丁腈中一种或多种。
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