CN105190857A - 密封片和其制造方法 - Google Patents
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Abstract
密封片的制造方法是具有在第1方向上彼此隔开间隔地配置的多个密封构件的密封片的制造方法。密封片的制造方法包括：密封层形成工序，在该密封层形成工序中，以在第1方向上连续的方式形成含有颗粒的密封层；切断工序，在密封层形成工序之后，在该切断工序中，以将密封层在第1方向上分割成多个的方式将密封层切断，从而形成多个密封构件；以及配置工序，在切断工序之后，在该配置工序中，将多个密封构件配置为在第1方向上彼此隔开间隔。
Description
技术领域
本发明涉及密封片和其制造方法，详细而言，涉及密封片的制造方法和利用该密封片的制造方法制造的密封片。
背景技术
以往，公知的是，利用密封片来密封发光二极管(LED)等光半导体元件。
例如，提出如下一种方法：利用将含有荧光体、二氧化硅等颗粒的密封树脂层以在纵长方向上连续的方式层叠于纵长状的剥离片而得到的密封片，将密封树脂层相对配置于在纵长方向上隔开间隔地配置的多个LED，从而将LED密封(例如，参照下述专利文献1。)。
专利文献1：日本特开2012－142364号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，位于距各光半导体元件较近的位置的密封树脂层(即，密封区域)通过将光半导体元件的上表面和侧面覆盖等而有助于光半导体元件的密封。另一方面，位于距各光半导体元件较远的位置的密封树脂层、具体而言位于相邻的光半导体元件之间的中央(纵长方向上的中途)的密封树脂层(即，非密封区域)实质上并不有助于光半导体元件的密封。因此，将光半导体元件密封时，非密封区域的密封树脂层成为不需要的区域，由此使含有所述颗粒的密封树脂层的出成率相应地降低。其结果，存在使密封片的制造成本增大这样的不良。
另一方面，还尝试在暂时形成密封树脂层之后将所述非密封区域去除的方法，但由于密封树脂层不仅含有所述颗粒，还含有树脂、添加物，因此，难以自去除后的非密封区域仅回收并再利用颗粒。因此，仍存在如下不良：因形成非密封区域而引起密封树脂层的出成率的降低和不能防止由此引起的密封片的制造成本的增大。
本发明的目的在于，提供一种能够提高密封层的出成率而降低密封片的制造成本的、密封片的制造方法和利用该密封片的制造方法制造的密封片。
用于解决问题的方案
为了实现所述目的，本发明提供一种密封片的制造方法，该密封片具有在第1方向上彼此隔开间隔地配置的多个密封构件，该密封片的制造方法的特征在于，该密封片的制造方法包括：密封层形成工序，在该密封层形成工序中，以在所述第1方向上连续的方式形成含有颗粒的密封层；切断工序，在所述密封层形成工序之后，在该切断工序中，以将所述密封层在所述第1方向上分割成多个的方式将所述密封层切断，从而形成多个所述密封构件；以及配置工序，在所述切断工序之后，在该配置工序中，将多个所述密封构件配置为在所述第1方向上彼此隔开间隔。
在该密封片的制造方法中，以将密封层在第1方向上分割成多个的方式将密封层切断，从而形成多个密封构件，之后，将多个密封构件配置为在第1方向上彼此隔开间隔。因此，利用简单的方法将切断后的多个密封构件配置为在第1方向上彼此隔开间隔，因而，能够有效地利用以在第1方向上连续的方式形成的密封层。因此，能够提高密封层的出成率而降低密封片的制造成本。
另外，在本发明的密封片的制造方法中，优选的是，在所述密封层形成工序中，通过将所述密封层形成于在所述第1方向上连续的第1基材片的表面，从而形成具有所述密封层和所述第1基材片的层叠片，在所述切断工序中，以将所述层叠片在所述第1方向上分割成多个的方式将所述层叠片切断，从而由所述密封层和所述第1基材片形成所述密封构件。
采用该密封片的制造方法，在密封层形成工序中，形成包括密封层和第1基材片的层叠片，因此能够利用第1基材片来支承密封层，接着，在切断工序中，将层叠片切断，因此能够形成提高密封层的处理性并提高切断工序中的密封层的切断精度。
另外，在本发明的密封片的制造方法中，优选的是，在所述配置工序中，将多个所述密封构件以在所述第1方向上彼此隔开间隔的方式配置于在所述第1方向上连续地形成的第2基材片的表面。
在该密封片的制造方法中，将多个密封构件配置于第2基材片的表面，因此能够提高多个密封构件的配置精度。因此，能够利用多个密封构件来精度良好地密封多个光半导体元件。
另外，在本发明的密封片的制造方法中，优选的是，颗粒含有荧光体。
在该密封片的制造方法中，能够提高含有荧光体的颗粒的出成率。
本发明提供一种密封片的制造方法，其特征在于，该密封片的制造方法包括：密封层形成工序，在该密封层形成工序中，以在第1方向上彼此隔开间隔且沿着与所述第1方向相交叉的第2方向的方式形成含有颗粒的密封层；以及切断工序，在该切断工序中，以将所述密封层在所述第2方向上分割成多个的方式将所述密封层切断。
在该密封片的制造方法中，由于以在第1方向上彼此隔开间隔且沿着与第1方向交叉的第2方向的方式形成含有颗粒的密封层，因此，之后，若使密封层对在第1方向上彼此隔开间隔地配置的密封对象进行密封，则能够有效地利用密封层。因此，能够提高密封层的出成率而降低密封片的制造成本。
在本发明的密封片的制造方法中，优选的是，在所述密封层形成工序中，通过沿着所述第2方向涂敷密封组合物而形成所述密封层。
在该密封片的制造方法的密封层形成工序中，由于通过沿着第2方向涂敷密封组合物而形成密封层，因此能够高效地形成沿着第2方向的密封层。
并且，在该方法中，在沿着第2方向涂敷密封组合物的密封层形成工序之后，实施以将密封层在第2方向上分割成多个的方式将密封层切断的切断工序，因此能够提高第2方向上的密封层的出成率而降低密封片的制造成本。
优选的是，本发明的密封片的制造方法还包括如下工序：以将与密封对象相对应的密封区域分隔开的方式将所述密封层切断；以及将所述密封层的位于所述密封区域的外侧的部分去除。
在该密封片的制造方法中，由于以将与密封对象相对应的密封区域分隔开的方式将密封层切断，并将密封层的位于密封区域的外侧的部分去除，因此能够进一步有效地利用密封层。
在本发明的密封片的制造方法中，优选的是，颗粒含有荧光体。
在该密封片的制造方法中，由于颗粒含有荧光体，因此能够提高含有荧光体的颗粒的出成率。
优选的是，本发明的密封片的制造方法还包括在所述第1方向上连续地形成不含有颗粒的不含荧光体密封层的工序，在所述密封层形成工序中，将所述密封层层叠于所述不含荧光体密封层，在所述切断工序中，以将所述不含荧光体密封层在所述第2方向上分割成多个的方式将所述不含荧光体密封层连同所述密封层一起切断。
由于不含荧光体密封层不含有荧光体，因此，即使在第1方向上连续地形成不含荧光体密封层，也能够以低成本制造不含荧光体密封层。因此，若形成该不含荧光体密封层并将密封层层叠于该不含荧光体密封层，则能够构成具有各种物理性质的密封片。
另外，本发明提供一种密封片，其特征在于，该密封片包括：第2基材片，其以在第1方向上连续的方式形成；以及多个密封构件，其在所述第1方向上彼此隔开间隔地配置于所述第2基材片的表面，多个所述密封构件具有：第1基材片，其层叠于所述第2基材片的表面；以及密封层，其层叠于所述第1基材片的表面且含有颗粒。
在该密封片中，能够利用以在第1方向上连续的方式形成的第2基材片并借助在第1方向上彼此隔开间隔地配置的第1基材片来支承密封层。因此，能够降低制造成本并利用第1基材片和第2基材片来灵活地支承密封层。
本发明提供一种密封片，其特征在于，该密封片包括：基材片，其在第1方向上连续；以及多个密封构件，其在所述第1方向上彼此隔开间隔地配置，多个所述密封构件具有：不含荧光体密封层，其层叠于所述基材片的表面；以及密封层，其层叠于所述不含荧光体密封层的表面并含有颗粒。
在该密封片中，能够利用不含荧光体密封层和密封层而具有各种物理性质。
发明的效果
在本发明的密封片的制造方法中，能够通过提高密封层的出成率而降低密封片的制造成本。
本发明的密封片能够降低制造成本并利用第1基材片和第2基材片来灵活地支承密封层。另外，能够构成具有各种物理性质的密封构件。
附图说明
图1表示本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的密封层形成工序，图1A表示立体图，图1B表示侧剖视图。
图2表示本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的第1切断工序，图2A表示立体图，图2B表示侧剖视图。
图3表示本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的剥离工序，图3A表示立体图，图3B表示侧剖视图。
图4表示本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的载置工序，图4A表示立体图，图4B表示侧剖视图。
图5表示本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的第2切断工序，图5A表示立体图，图5B表示侧剖视图。
图6表示本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的去除工序，图6A表示立体图，图6B表示侧剖视图。
图7表示本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的第3切断工序，图7A表示立体图，图7B表示侧剖视图，图7C表示俯视图。
图8表示本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的回收工序，图8A表示立体图，图8B表示正剖视图，图8C表示侧剖视图，图8D表示俯视图。
图9表示利用图8的密封片来密封光半导体元件的方法，图9A表示将密封片相对配置于安装有光半导体元件的基板的工序，图9B表示利用密封片来密封光半导体元件的工序，图9C表示将第2基材片、粘接剂层以及第1基材片去除的工序。
图10是利用本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的变形例(要设置定位标记的实施方式)制造的密封片的俯视图。
图11是利用本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的变形例(要设置定位标记的实施方式)制造的密封片的俯视图。
图12是利用本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的变形例(密封层为大致椭圆形状的形态)制造的密封片的俯视图。
图13是利用本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的变形例(密封层为大致六边形的形态)制造的密封片的俯视图。
图14是利用本发明的密封片的制造方法的第1实施方式的变形例(密封层为大致矩形形状的形态)制造的密封片的俯视图。
图15表示本发明的密封片的制造方法的第2实施方式的第3切断工序，图15A表示立体图，图15B表示侧剖视图，图15C表示俯视图。
图16表示本发明的密封片的制造方法的第2实施方式的回收工序，图16A表示立体图，图16B表示正剖视图，图16C表示侧剖视图，图16D表示俯视图。
图17是本发明的密封片的制造方法的第3实施方式的第1切断工序和剥离工序的立体图。
图18是本发明的密封片的制造方法的第3实施方式的载置工序的立体图。
图19是本发明的密封片的制造方法的第3实施方式的第2切断工序和去除工序的立体图。
图20是本发明的密封片的制造方法的第3实施方式的第3切断工序和回收工序的立体图。
图21是本发明的密封片的制造方法的第4实施方式的制造工序图(立体图)，图21A表示密封层形成工序(准备基材片的工序)，图21B表示密封层形成工序(设置密封层的工序)，图21C表示切断工序。
图22是对利用第4实施方式的密封片来密封光半导体元件的方法进行说明的工序图(侧剖视图)，其中，图22A表示准备已安装有光半导体元件的基板的工序和将各密封层以与光半导体元件相对的方式配置的工序，图22B表示利用密封片来密封光半导体元件的工序，图22C表示将基材片自密封层剥下的工序。
图23是第4实施方式的变形例的立体图，其中，图23A表示将密封层切断成大致圆形状的工序，图23B表示将密封层的位于密封区域的外侧的部分去除的工序，图23C表示切断工序。
图24表示本发明的密封片的制造方法的第5实施方式的制造工序图(立体图)，其中，图24A表示不含荧光体密封层形成工序(准备基材片的工序)，图24B表示不含荧光体密封层形成工序(设置不含荧光体密封层的工序)，图24C表示密封层形成工序，图24D表示切断工序。
图25是对利用第5实施方式的密封片来密封光半导体元件的方法进行说明的工序图(侧剖视图)，其中，图25A表示准备已安装有光半导体元件的基板的工序和将各密封层以与光半导体元件相对的方式配置的工序、图25B表示利用密封片来密封光半导体元件的工序，图25C表示将基材片自不含荧光体密封层剥下的工序。
图26是第5实施方式的变形例的立体图，其中，图26A表示将密封层切断成大致圆形状的工序，图26B表示将密封层的位于密封区域的外侧的部分去除的工序，图26C表示切断工序。
图27是对利用第5实施方式的密封片的变形例来密封光半导体元件的方法进行说明的工序图(侧剖视图)，其中，图27A表示准备已安装有光半导体元件的基板的工序和将各密封层以与光半导体元件相对的方式配置的工序，图27B表示利用密封片来密封光半导体元件的工序，图27C表示将基材片自不含荧光体密封层剥下的工序。
具体实施方式
第1实施方式
图1A的箭头所示的前后方向(或纵向)是第1方向的一个例子，图1A的箭头所示的左右方向(或横向)是与第1方向正交的第2方向的一个例子，图1A的箭头所示的上下方向是与第1方向和第2方向均正交的第3方向的一个例子(或厚度方向)。对于图1A以外的附图，只要没有特别记载，其均以图1A的方向为基准。
如图1～图8所示，作为本发明的第1实施方式的密封片1的制造方法包括密封层形成工序(参照图1)、作为切断工序的第1切断工序(参照图2)、配置工序(参照图3和图4)、第2切断工序(参照图5)、去除工序(参照图6)、第3切断工序(参照图7)、以及回收工序(参照图8)。
密封层形成工序
在密封层形成工序中，如参照图1A和图1B那样，首先，准备层叠基材片2。
层叠基材片2形成为沿前后方向(纵向)和左右方向(横向)延伸的大致矩形的平板形状。层叠基材片2包括第1基材片3、层叠于第1基材片3的下表面的粘接剂层4、以及层叠于粘接剂层4的下表面的脱模片5。
第1基材片3构成层叠基材片2的俯视时的外形形状，具体而言，形成为在前后方向和左右方向上连续的大致矩形的平板形状。第1基材片3由能够支承如下说明的密封层6的材料形成，作为这样的材料，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯的聚酯、以及例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃等树脂材料等。另外，作为材料，还可列举出例如陶瓷片、以及例如金属箔等。第1基材片3的厚度例如为0.03mm以上，优选为0.05mm以上，而且，第1基材片3的厚度例如为2mm以下，优选为1mm以下。另外，第1基材片3的尺寸能够通过如下说明的密封层6的尺寸来适当调节，具体而言，第1基材片3的1边的长度例如为10mm以上，优选为20mm以上，而且，第1基材片3的1边的长度例如为300mm以下，优选为250mm以下。
粘接剂层4设于第1基材片3的整个下表面。粘接剂层4由例如丙烯酸系压敏粘接剂、聚氨酯系压敏粘接剂等粘接剂等形成。粘接剂层4的厚度例如为0.1mm以上，优选为0.2mm以上，而且，粘接剂层4的厚度例如为1mm以下，优选为0.5mm以下。
脱模片5是为了防止粘接剂层4的下表面被污染而设于粘接剂层4的整个下表面的。作为脱模片5，可列举出例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜、例如陶瓷片、以及例如金属箔等。优选可列举聚合物膜。另外，也可以对脱模片5的表面实施氟处理等剥离处理。脱模片5的厚度例如为0.3mm以上，优选为0.5mm以上，而且，脱模片5的厚度例如为2mm以下，优选为1mm以下。
在制作层叠基材片2时，例如，首先，准备第1基材片3，接着，将粘接剂层4层叠于第1基材片3的下表面，之后，将脱模片5层叠于粘接剂层4的下表面。此外，层叠基材片2也可以使用市售的层叠基材片。
层叠基材片2的厚度例如为0.6mm以上，优选为1mm以上，而且，层叠基材片2的厚度例如为5mm以下，优选为3mm以下。
在准备层叠基材片2之后，如图1A和图1B所示，将密封层6设于层叠基材片2的上表面。
在要将密封层6设于层叠基材片2的上表面时，例如，首先，准备密封组合物。
密封组合物含有作为必须成分的颗粒，具体而言，含有颗粒和树脂。
作为颗粒，可列举出例如荧光体、填充剂等。
荧光体具有波长转换功能，可列举出例如能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光转换成红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，可列举出例如(Ba，Sr，Ca)2SiO4：Eu、(Sr，Ba)2SiO4：Eu(原硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如Y3Al5O12：Ce(YAG(钇·铝·石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(铽·铝·石榴石)：Ce)等具有石榴石型晶体构造的石榴石型荧光体、例如Ca－α－SiAlON等氮氧化物荧光体等。作为红色荧光体，可列举出例如CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物荧光体等。作为荧光体的形状，可列举出例如球状、板状、针状等。从流动性的观点考虑，优选列举为球状。荧光体的最大长度的平均值(在为球状的情况下为其平均粒径)例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，而且，荧光体的最大长度的平均值例如为200μm以下，优选为100μm以下。荧光体能够单独使用或组合使用。相对于100质量份的树脂，荧光体的配合比例例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，而且，荧光体的配合比例例如为80质量份以下，优选为50质量份以下。
作为填充剂，可列举出例如有机硅颗粒等有机微粒、例如二氧化硅、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机微粒。另外，填充剂的最大长度的平均值(在为球状的情况下为其平均粒径)例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，而且，填充剂的最大长度的平均值例如为200μm以下，优选为100μm以下。填充剂能够单独使用或组合使用。相对于100质量份的树脂，填充剂的配合比例例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，而且，填充剂的配合比例例如为70质量份以下，优选为50质量份以下。
相对于100质量份的树脂，颗粒的配合比例例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，而且，颗粒的配合比例例如为80质量份以下，优选为60质量份以下。
作为树脂，可列举出例如能够通过加热而塑化的热塑性树脂、例如通过加热而固化的热固化性树脂，例如通过照射活性能量射线(例如紫外线、电子束等)而固化的活性能量射线固化性树脂等。作为热塑性树脂，可列举出例如乙酸乙烯酯树脂、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、氯乙烯树脂、EVA·氯乙烯树脂共聚物等。作为热固化性树脂，可列举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等。作为树脂，优选可列举出热固化性树脂和活性能量射线固化性树脂等固化性树脂。
作为固化性树脂，可列举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等。作为固化性树脂，可列举出例如两阶段固化性树脂、一阶段固化性树脂等，优选为两阶段固化性树脂。
两阶段固化性树脂具有两个阶段的反应机理，在第一阶段的反应中实现B阶段化(半固化)、在第二阶段的反应中实现C阶段化(最终固化)。另一方面，一阶段固化性树脂具有一个阶段的反应机理，在第一阶段的反应中实现完全固化。另外，B阶段为固化性树脂在液状的A阶段和完全固化后的C阶段之间的状态，为固化和凝胶化只进行了一点点且压缩弹性模量比C阶段的弹性模量小的状态。
在制备密封组合物时，将颗粒和树脂配合。此外，在树脂为固化性树脂的情况下，配合时的树脂为A阶段。
接着，在该方法中，将制备好的密封组合物涂敷在层叠基材片2之上。具体而言，通过例如浇铸、旋涂、辊涂等方法在第1基材片3的上表面上以所述图案涂敷适当的厚度的密封组合物而形成覆膜7。具体而言，使覆膜7形成为在俯视时比第1基材片3小的图案，详细而言，使覆膜7形成为使第1基材片3的上表面的周端部暴露的大致矩形形状的图案。换言之，覆膜7形成为至少在前后方向上连续的图案。
之后，根据需要，在树脂为固化性树脂的情况下，对覆膜7进行加热和/或照射活性能量射线。更具体而言，在树脂含有两阶段固化性树脂的情况下，通过加热和/或照射活性能量射线来使密封层6实现B阶段化(半固化)。
由此，使片状的密封层6在第1基材片3的上表面上形成为所述图案。
或者，也可以是，将密封组合物涂敷在未图示的脱模片上而形成覆膜7，之后，根据需要，对覆膜7进行加热和/或照射活性能量射线而形成密封层6，之后，将密封层6转印到第1基材片3的上表面上。
密封层6的尺寸能够根据其用途和目的而适当调节，具体而言，密封层6的1边的长度例如为5mm以上，优选为10mm以上，而且，密封层6的1边的长度例如为300mm以下，优选为250mm以下。
由此，形成包括层叠基材片2和密封层6的第1层叠片8。
第1切断工序
在该方法中，在图1所示的密封层形成工序之后实施图2所示的第1切断工序。在第1切断工序中，以将第1层叠片8在前后方向(第1方向的一个例子)上分割成多个(具体而言为5个)的方式将第1层叠片8切断。
例如以如下方式将第1层叠片8切断：将第1层叠片8分隔成位于密封层6的外侧的外侧部分13和具有密封层6且被外侧部分13包围的内侧部分12，且将位于内侧部分12的密封层6在前后方向上分割成多个(具体而言为5个)。通过将第1层叠片8切断，从而形成由多个沿着左右方向延伸的第1横切断线9和第1纵切断线10构成的第1切断线17，该第1纵切断线10分别与多个切断线9的左右方向两端部相连续。
多个第1横切断线9在前后方向上彼此隔开间隔地并列配置。多个第1横切断线9中的、位于最前侧的第1横切断线9A形成为在俯视时与密封层6的前端缘相重叠。另外，多个第1横切断线9中的、位于最后侧的第1横切断线9B形成为在俯视时与密封层6的后端缘相重叠。
第1纵切断线10以沿着前后方向的方式形成，且以在左右方向上彼此隔开间隔地相对的方式形成1对。第1纵切断线10隔开间隔地形成在密封层6的左右方向两外侧。
利用第1切断线17中的位于外侧的切断线、具体而言位于最前侧和最后侧的第1横切断线9A和第1横切断线9B、以及1对第1纵切断线10来形成俯视大致矩形形状并将第1层叠片8分隔成外侧部分13和内侧部分12。
在将第1层叠片8切断时，能够使用例如采用圆盘状的切割锯(切割刀片)的切割装置、采用裁切刀的裁切装置、激光照射装置、采用汤姆逊刀的汤姆逊刀切断机等。
通过切断工序而形成多个具有密封层6和与密封层6相对应的层叠基材片2(具体而言，层叠有多个密封层6的每个密封层6的多个层叠基材片2)的密封构件11。详细而言，通过将内侧部分12在前后方向上分割成多个，从而在前后方向上排列地形成有多个密封构件11。多个密封构件11分别形成为沿左右方向延伸的俯视大致矩形的矩形条状。
密封构件11中的左右方向两端部由第1基材片3、粘接剂层4以及脱模片5构成，另外，第1基材片3的左右方向两端部自密封层6暴露。也就是说，在密封构件11中，密封层6形成于第1基材片3的左右方向中途。
各密封构件11的在前后方向上的长度例如为5mm以上，优选为8mm以上，而且，各密封构件11的在前后方向上的长度例如为100mm以下，优选为50mm以下。
配置工序
接着，在该方法中，在图2所示的第1切断工序之后实施图3和图4所示的配置工序。配置工序包括图3所示的剥离工序和图4所示的载置工序。
剥离工序
在剥离工序中，如图3A和图3B所示，首先，将各密封构件11依次自外侧部分13提起。具体而言，例如，通过利用手将各密封构件11剥离，从而将各密封构件11提起。
载置工序
在图3A和图3B所示的剥离工序之后接着进行的载置工序中，如图4A和图4B所示，将多个密封构件11配置在第2基材片14之上。
具体而言，将多个密封构件11以在前后方向上彼此隔开间隔的方式配置在第2基材片14的上表面上。详细而言，首先，如图3A和图3B的假想线所示，将密封构件11的脱模片5自粘接剂层4剥离，接着，将图4A和图4B所示的粘接剂层4载置在第2基材片14的上表面上，将第1基材片3和第2基材片14借助粘接剂层4粘接起来。
第2基材片14形成为在前后方向和左右方向上延伸的大致矩形的平板形状。第2基材片14由与第1基材片3相同的材料形成。另外，第2基材片14形成得大于密封层6(参照图1A)，具体而言，第2基材片14的至少在前后方向上的长度形成得长于切断前的密封层6(参照图1A)的在前后方向上的长度。另外，第2基材片14的在左右方向上的长度形成得长于密封构件11的在左右方向上的长度。第2基材片14的尺寸能够通过其用途和目的而适当调节，具体而言，第2基材片14的在前后方向上的长度例如为20mm以上，优选为40mm以上，而且，第2基材片14的在前后方向上的长度例如为300mm以下，优选为200mm以下。另外，第2基材片14的在左右方向上的长度例如为20mm以上，优选为50mm以上，而且，第2基材片14的在左右方向上的长度例如为300mm以下，优选为200mm以下。
另外，所配置的密封构件11的在前后方向上的间隔L1能够通过如下说明的光半导体元件15的间距等而适当设定，具体而言，密封构件11的在前后方向上的间隔L1例如为1mm以上，优选为3mm以上，而且，密封构件11的在前后方向上的间隔L1例如为20mm以下，优选为10mm以下。另外，密封构件11之间的间距L2、即，所述间隔L1和密封构件11的在前后方向上的长度的总长度L2例如为5mm以上，优选为10mm以上，而且，该总长度L2例如为100mm以下，优选为50mm以下。
由此，构成包括多个密封构件11和第2基材片14的第2层叠片28。
第2切断工序
在该方法中，在图4所示的配置工序之后实施图5所示的第2切断工序。第2切断工序中，如图5A和图5B所示，以将与后述的光半导体元件15(参照图9A)相对应的密封区域16分隔开的方式将密封层6切断。
具体而言，以使各密封区域16呈俯视大致圆形状的方式将密封层6切断。
在将密封层6切断时，能够使用例如采用圆盘状的切割锯(切割刀片)的切割装置、采用裁切刀的裁切装置、激光照射装置、采用汤姆逊刀的汤姆逊刀切断机等。
此外，如图5B所示，以层叠基材片2在厚度方向上不被切断的方式、具体而言以第1基材片3在厚度方向上不被切断的方式将密封层6切断。详细而言，使在第2切断工序中在厚度方向上形成的切断线完全不形成于第1基材片3，而形成于密封层6。
去除工序
在该方法中，在图5所示的第2切断工序之后实施图6所示的去除工序。在去除工序中，如图6A和图6B所示，将密封层6的位于密封区域16的外侧的部分去除。
在将密封层6的位于密封区域16的外侧的部分去除时，例如，将密封层6的位于密封区域16的外侧的部分自第1基材片3剥离。在将密封层6的位于密封区域16的外侧的部分剥离时，能够使用公知的剥离装置。具体而言，能够使用吸附装置等。
由此，圆形状的密封层6构成实质上并不有助于光半导体元件15的密封的密封区域16。
例如，密封区域16的直径例如为5mm以上，优选为8mm以上，而且，密封区域16的直径例如为50mm以下，优选为30mm以下。
第3切断工序
在该方法中，在图6A和图6B所示的去除工序之后实施图7所示的第3切断工序。在第3切断工序中，如图7A～图7C所示，以将密封构件11在左右方向上分割成多个(具体而言为5个)的方式将第2层叠片28切断。另外，在将密封构件11分割的同时，在第2基材片14的前后方向两端部形成通孔24。
通过将第2层叠片28切断来形成由多个沿着前后方向延伸的第2纵切断线19和第2横切断线20构成的第2切断线18，该第2横切断线20分别与多个第2纵切断线19的前后方向两端部相连续。
多个第2纵切断线19在左右方向上彼此隔开间隔地并列形成。第2纵切断线19以将第1基材片3、粘接剂层4以及第2基材片14沿左右方向分割且使多个密封层6单片化的方式形成。利用第2横切断线19使密封层6在前后方向上排成多列(具体而言为4列)。此外，位于左右方向两外侧的第2纵切断线19C以将第1基材片3、粘接剂层4及第2基材片14的与密封层6相对应的部分(即，左右方向内侧部分)、以及第1基材片3、粘接剂层4及第2基材片14的不与密封层6相对应的部分(即，左右方向外侧部分)分隔开的方式形成。
第2横切断线20以沿着左右方向的方式形成，且在前后方向上彼此隔开间隔地形成有1对。1对第2横切断线20隔开间隔地形成于比最前侧的密封构件11靠前侧的位置和比最后侧的密封构件11靠后侧的位置。
此外，通过第2切断线18中的位于外侧的切断线、具体而言位于左右方向两外侧的1对第2纵切断线19C和1对第2纵切断线20来形成俯视大致矩形形状且形成为包括多个密封层6。
通孔24以在厚度方向上贯穿第2基材片14的位于第1基材片3和粘接剂层4的前后方向两外侧的部分的方式形成。通孔24相对于被第2纵切断线20分隔成多列的第2基材片14的各1列而设有1对，各通孔24形成为俯视大致圆形状。
回收工序
在该方法中，在图7所示的第3切断工序之后实施图8所示的回收工序。在回收工序中，如图8A～图8D所示，将被第2切断线18分隔的、具有密封构件11的第2层叠片28(参照图7)回收。
通过该回收而获得包括以在前后方向上连续的方式形成的第2基材片14和在前后方向上彼此隔开间隔地配置于第2基材片14的上表面(表面)的多个密封构件11的密封片1。另外，在密封片1中，多个密封构件11包括：多个粘接剂层4，其以在前后方向上隔开间隔地层叠于第2基材片14的上表面；多个第1基材片3，其分别粘接于多个粘接剂层4各自的上表面；以及多个密封层6，其分别层叠于多个第1基材片3各自的上表面。另外，多个密封层6分别划分出密封区域16。
之后，通过将设于输送容器的销等固定构件(未图示)***密封片1的通孔24，能够一边将密封片1固定于输送容器，一边将密封片1输送到例如光半导体装置制造工厂等。
接下来，参照图9A～图9C说明利用密封片1来密封光半导体元件15的方法。
在该方法中，如图9A所示，首先，准备已安装有作为密封对象的光半导体元件15的基板21。
基板21形成为至少沿前后方向延伸的大致矩形的平板状。基板21包括例如硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、以及将绝缘层层叠于金属基板而成的层叠基板等绝缘基板。
另外，在基板21的上表面上形成有包括用于与光半导体元件15的端子(未图示)电连接的电极(未图示)和与该电极相连续的配线的导体图案(未图示)。导体图案由例如金、铜、银、镍等导体形成。
基板21的俯视时的尺寸能够适当选择，具体而言，基板21的在前后方向上的长度例如为5mm以上，优选为10mm以上，而且，基板21的在前后方向上的长度例如为200mm以下，优选为150mm以下。基板21的厚度例如为100μm以上，优选为500μm以上，而且，基板21的厚度例如为5000μm以下，优选为3000μm以下。
光半导体元件15是将电能转换成光能的光半导体元件，光半导体元件15例如形成为厚度比面方向上的长度(与厚度方向正交的方向上的长度、具体而言为前后方向上的长度和左右方向上的长度)短的截面大致矩形形状。另外，光半导体元件15形成为俯视大致矩形形状。
作为光半导体元件15，可列举出例如能发出蓝色光的蓝色LED等LED(发光二极管元件)、LD(激光二极管)等。光半导体元件15的尺寸能够根据用途和目的而适当设定，具体而言，光半导体元件15的厚度例如为10μm～1000μm，光半导体元件15的俯视时的前后方向上的长度和/或左右方向上的长度例如为0.01mm以上，优选为0.1mm以上，而且，光半导体元件15的俯视时的前后方向上的长度和/或左右方向上的长度例如为15mm以下，优选为20mm以下。
光半导体元件15以在前后方向上隔开间隔的方式整齐排列地配置。各光半导体元件15之间的间隔(前后方向上的间隔)L3例如为3mm以上，优选为5mm以上，而且，各光半导体元件15之间的间隔L3例如为150mm以下，优选为70mm以下。另外，光半导体元件15之间的间距L4、即所述间隔L3和光半导体元件15的长度的总长度L4与所述密封构件11之间的间距L2相同，具体而言，总长度L4例如为5mm以上，优选为10mm以上，而且，总长度L4例如为100mm以下，优选为50mm以下。
将光半导体元件15以例如倒装法安装于基板21。或者，利用引线接合的方式将光半导体元件15与基板21的电极(未图示)相连接。
接着，在该方法中，以使各密封层6在厚度方向上与光半导体元件15相对的方式配置密封片1。
在该方法中，接着，如图9B所示，利用密封片1来密封光半导体元件15。具体而言，将密封片1相对于基板21相对地下压。由此，多个密封层6分别覆盖并密封多个光半导体元件15的每个光半导体元件15。也就是说，多个密封层6分别将多个光半导体元件15的每个光半导体元件15埋设。之后，在密封层6含有固化性树脂的情况下，使密封层6实现C阶段化(完全固化)。
之后，在该方法中，如图9C所示，将第2基材片14、粘接剂层4以及第1基材片3自密封层6剥下。
由此，获得包括基板21、多个光半导体元件15以及多个密封层6的光半导体装置22。
在光半导体装置22中，多个密封层6在前后方向上隔开间隔地设置并构成密封区域16。多个密封层6分别密封多个光半导体元件15的每个光半导体元件15。具体而言，密封区域16覆盖光半导体元件15的上表面和侧面。
之后，根据需要，如图9C的虚线所示，将与各光半导体元件15相对应的基板21切断而使其单片化。由此，获得包括基板21、单个光半导体元件15以及单个密封层6的光半导体装置22。
并且，在该密封片1的制造方法中，以将密封层6在前后方向上分割成多个的方式将密封层6切断，从而形成多个密封构件11，之后，将多个密封构件11配置为在前后方向上彼此隔开间隔(参照图4A)。因此，利用简单的方法将切断后的多个密封构件11配置为在前后方向上彼此隔开间隔，因而，能够有效地利用以在前后方向上连续的方式形成的密封层6(参照图1A)。因此，能够提高密封层6的出成率而降低密封片的制造成本。
另外，采用该方法，在图1所示的密封层形成工序中，形成包括密封层6和第1基材片3的第1层叠片8，因此能够利用第1基材片3来支承密封层6，接着，在图2所示的第1切断工序中，将第1层叠片8切断，因此能够形成提高密封层6的处理性并提高第1切断工序中的密封层6的切断精度。
在该密封片1的制造方法中，如图4所示，将多个密封构件11配置于第2基材片14的上表面，因此能够提高多个密封构件11的配置精度。因此，能够利用多个密封构件11来精度良好地密封多个光半导体元件15。
在该密封片1的制造方法中，能够提高含有荧光体的颗粒的出成率。
在该密封片1中，能够利用以在前后方向上连续的方式形成的第2基材片14并借助在前后方向上彼此隔开间隔地配置的第1基材片3来支承密封层6。因此，能够降低密封片1的制造成本并利用第1基材片3和第2基材片14来灵活地支承密封层6。
第1实施方式的变形例
如图10和图11所示，也可以在密封片1上设置定位标记23。
定位标记23是在图7所示的第3切断工序中在形成第2切断线18的同时形成的。
如图10和图11所示，定位标记23形成于密封层6的外侧。另外，定位标记23以与各密封层6相对应的方式设有1对。1对定位标记23以隔着各密封层6的方式设置，一个定位标记23设置在密封层6的后侧且右侧，另外，另一个定位标记23设置在密封层6的前侧且左侧。
各定位标记23形成为沿厚度方向贯穿密封片1的俯视大致圆形状的通孔。
在图10所示的变形例中，定位标记23形成于第1基材片3和粘接剂层4的外侧、具体而言前后方向两外侧，且以贯穿第2基材片14的方式形成。此外，设于多个密封层6之间的定位标记23以在左右方向上相对的方式形成。
另一方面，在图11所示的变形例中，定位标记23以贯穿第1基材片3、粘接剂层4以及第2基材片14的方式形成在密封层6的外侧且第1基材片3的周缘的内侧。详细而言，1对定位标记23形成在大致矩形形状的第1基材片3的对角线上。
此外，在图10和图11中，设于最前侧的定位标记23以与前侧的通孔24隔开间隔的方式形成于前侧的通孔24的左方斜后侧。另一方面，设于最后侧的定位标记23以与后侧的通孔24隔开间隔的方式形成于后侧的通孔24的右方斜前侧。
如图8C所示，使各密封层6的密封区域16形成为大致圆形状，但其形状并未特别限定，也可以是，使各密封层6的密封区域16形成为例如图12所示那样的在前后方向上较长的大致椭圆形状、例如图13所示那样的大致六边形、例如图14所示那样的大致矩形形状。
另外，也可以是，在图2所示的第1切断工序后或在第1切断工序的同时实施图5所示的第2切断工序。
从密封层6的相对于后述的光半导体元件15的定位精度的观点考虑，优选的是，在图4所示的配置工序之后实施图5所示的第2切断工序。
另外，也可以是，不实施图5所示的第1切断工序，而是在图4所示的载置工序之后，利用例如干蚀刻等蚀刻来实施图6的去除工序，从而形成密封层6的密封区域16。
并且，如图1A所示，在层叠基材片2中设置了粘接剂层4，但也可以是，不设置粘接剂层4，而由第1基材片3和脱模片5构成层叠基材片2。在该情况下，优选的是，第1基材片3具有粘接性，在第1基材片3的下表面上层叠有脱模片5。
另外，在图1所示的密封层形成工序中，将密封层6形成在层叠基材片2之上，接着，在如图2所示的第1切断工序中，将密封层6连同层叠基材片2一起切断，但也可以是，例如，不将层叠基材片2切断，而仅将密封层6切断，接着，在载置工序中，如参照图4那样，仅将粘接剂层4载置于第2基材片14，对此没有图示。并且，也可以是，不将密封层6形成在层叠基材片2之上，而是可将密封层6单独地形成为片状，并将该密封层6切断，之后，将切断后的密封层6载置于第2基材片14。
另外，在第1切断工序中，在不将层叠基材片2切断、而仅将密封层6切断的情况下，在载置工序中，也可以是，仅将切断后的密封层6自层叠基材片2暂时剥离，将切断后的密封层6以在前后方向上隔开间隔的方式再次载置(再配置)于层叠基材片2的上表面。
在第1实施方式中，在图1A和图1B的密封层形成工序中，将粘接剂层4设于第1基材片3和脱模片5之间，另外，在利用图8A和图8B的回收工序回收的密封构件11中，将粘接剂层4设于第2基材片14与第1基材片3之间。然而，虽然没有在图1A和图1B中图示，但在密封层形成工序中，也可以不设置粘接剂层4，而由第1基材片3和脱模片5构成层叠基材片2，另外，虽然没有在图8A和图8B中图示，但也可以由利用回收工序回收的第2基材片14、第1基材片3以及密封层6构成密封构件11。也就是说，在密封构件11中，也可以将第1基材片3直接层叠于第2基材片14的上表面。
另外，也可以同时实施图5的第2切断工序和图7的第3切断工序。在该方法中，在第2切断工序和第3切断工序中，以将密封区域16分隔开的方式将密封层6切断，并以将密封构件11分割成多个的方式将第2层叠片28切断。
在第2切断工序和第3切断工序之后，实施图6的去除工序。即，在该去除工序中，将密封层6的位于密封区域16的外侧的部分去除。
采用该方法，由于同时实施第2切断工序和第3切断工序，因此能够提高密封片1中的密封层6的位置精度。
第2实施方式
参照图1～图4、图15以及图16说明本发明的密封片和其制造方法的第2实施方式。
在图15和图16中，对于与第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在第1实施方式中，实施了图5所示的第2切断工序和图6所示的去除工序，但也可以是，不实施第2切断工序和去除工序，而在图4所示的配置工序之后实施图15所示的第3切断工序。
也就是说，作为本发明的第2实施方式的密封片1的制造方法包括密封层形成工序(参照图1)、第1切断工序(参照图2)、配置工序(参照图3和图4)、第3切断工序(参照图15)、以及回收工序(参照图16)，这些各工序依次实施。
如图16所示，回收工序后的密封层6呈俯视大致矩形形状且在前后方向上彼此隔开间隔地相对配置。
采用第2实施方式，能够起到与第1实施方式相同的作用效果，并且，由于不实施第2切断工序(参照图5)和去除工序(参照图6)，因此能够削减制造工时，从而能够进一步降低制造成本。
第3实施方式
参照图17～图20说明本发明的密封片和其制造方法的第3实施方式。
在图17～图20中，对于与第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
第1切断工序
在第1切断工序中，如图17所示，以将第1层叠片8在前后方向和左右方向上分割成多个的方式将第1层叠片8切断。通过将第1层叠片8切断，第1切断线17形成为俯视大致棋盘格状。具体而言，第1纵切断线10在左右方向上彼此隔开间隔地并列配置。
配置工序
剥离工序
在配置工序中的剥离工序中，如图17的箭头所示，将密封构件11提起。
载置工序
接着，在载置工序中，如图18的箭头所示，将多个密封构件11以在前后方向和左右方向上彼此隔开间隔的方式配置于第2基材片14的上表面。
第2切断工序和去除工序
如图19所示，在第2切断工序中，将密封层6切断，接着，如图19的箭头所示，在去除工序中，将密封层6的位于密封区域16的外侧的部分去除。
第3切断工序
如图20所示，以将密封构件11在左右方向上分割成多列(具体而言为4列)的方式将第2基材片14切断。
具体而言，以通过在左右方向上相邻的第1基材片3和粘接剂层4之间的方式形成第2切断线18的第2纵切断线19。
在由此获得的密封片1中，第1基材片3和粘接剂层4形成于各第2基材片14的左右方向中央(中途)。也就是说，第2基材片14的周端部的上表面自第1基材片3暴露。
通过第3实施方式，也能够起到与第1实施方式相同的作用效果，并且，如图17所示，第1切断工序中，以将第1层叠片8也在左右方向上分割成多个的方式将第1层叠片8切断，接着，如图18所示，以将多个密封构件11也在左右方向上彼此隔开间隔的方式配置于第2基材片14，因此能够进一步提高密封层6的出成率而降低密封片1的制造成本。
第4实施方式
在图21、图23、图24、图26以及图27中，箭头所示的左右方向(或横向)是第1方向的一个例子，图21～图27的箭头所示的前后方向(或纵向)是第2方向的一个例子。
参照图21～图23说明本发明的密封片的制造方法的第4实施方式。
在图21～图23中，对于与第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
如图21所示，作为本发明的第3实施方式的密封片1的制造方法包括密封层形成工序(参照图21A和图21B)和切断工序(参照图21C)。
密封层形成工序
如图21A所示，首先，准备基材片31。基材片31形成为沿前后方向和左右方向延伸的大致矩形的平板形状并与第1实施方式的第1基材片3同样地构成。
接着，如图21B所示，将密封层6设于基材片31的上表面。具体而言，将多个密封层6以在左右方向上彼此隔开间隔且沿着前后方向的方式设于基材片31的上表面。如参照图22A那样，能够利用作为密封对象的光半导体元件15(参照图22A)的间距等来适当设定各密封层6的间隔L5，具体而言，间隔L5例如为1mm以上，优选为3mm以上，而且，间隔L5例如为20mm以下，优选为10mm以下。多个密封层6之间的间距L6、即所述间隔L5和密封层6的在前后方向上的长度的总长度L6例如为5mm以上，优选为10mm以上，而且，总长度L6例如为100mm以下，优选为50mm以下。
在将密封层6设于基材片31的上表面时，可列举出例如将所述密封组合物涂敷于基材片31的方法、以及例如将所述密封组合物在左右方向上彼此隔开间隔地暂时涂敷在另外准备的剥离片(未图示)之上而形成密封层6、之后将该密封层6转印到基材片31的方法。从降低制造工序数的观点考虑，优选将密封组合物涂敷于基材片31。
在将密封组合物涂敷于基材片31的方法中，将密封组合物在左右方向上彼此隔开间隔地以在前后方向上连续的图案涂敷于基材片31的上表面上的比基材片31小的区域中而形成覆膜7。
之后，根据需要，在树脂为固化性树脂的情况下，对覆膜7进行加热和/或照射活性能量射线。更具体而言，在树脂含有两阶段固化性树脂的情况下，通过加热和/或照射活性能量射线来使密封层6实现B阶段化(半固化)。
由此，将片状的密封层6在左右方向上彼此隔开间隔地设于基材片31的上表面。
另外，获得由基材片31和多个密封层6构成的层叠片32。
切断工序
在切断工序中，如图21C所示，以将层叠片32在前后方向上分割成多个的方式将层叠片32切断。
具体而言，以将多个密封层6的每个密封层6在前后方向上分割成多个的方式将密封层6连同基材片31一起切断。
由此，获得包括沿左右方向延伸的基材片31和在左右方向上彼此隔开间隔地配置于基材片31的上表面的密封层6的密封片1。
接下来，参照图22A～图22C说明利用密封片1来密封光半导体元件15的方法。
在该方法中，如图22A所示，首先，准备已安装有光半导体元件15的基板21。
接着，在该方法中，以使各密封层6在厚度方向上与光半导体元件15相对的方式配置密封片1。
在该方法中，接着，如图22B所示，利用密封片1来密封光半导体元件15。具体而言，将密封片1相对于基板21相对地下压。由此，多个密封层6分别覆盖并密封多个光半导体元件15的每个光半导体元件15。也就是说，多个密封层6分别将多个光半导体元件15的每个光半导体元件15埋设。之后，在密封层6含有固化性树脂的情况下，使密封层6实现C阶段化(完全固化)。
之后，在该方法中，如图22C所示，将基材片31自密封层6剥下。
由此，获得包括基板21、多个光半导体元件15以及多个密封层6的光半导体装置22。
之后，根据需要，如图22C的虚线所示，将与各光半导体元件15相对应的基板21切断而使其单片化。由此，获得包括基板21、单个光半导体元件15以及单个密封层6的光半导体装置22。
并且，在该密封片1的制造方法中，由于以在左右方向上彼此隔开间隔且沿着前后方向的方式形成含有颗粒的密封层6，因此，之后，能够使密封层6密封在左右方向上彼此隔开间隔地配置的光半导体元件15。因此，能够有效地利用密封层6。其结果，能够提高密封层6的出成率而降低密封片1的制造成本。
另外，在该密封片1的制造方法的密封层形成工序中，由于通过沿着前后方向涂敷密封组合物而形成密封层6，因此能够高效地形成沿着前后方向的密封层6。
并且，在该方法中，在沿着前后方向涂敷密封组合物的密封层形成工序之后，实施以将密封层6在前后方向上分割成多个的方式将密封层6切断的切断工序，因此能够提高前后方向上的密封层6的出成率而降低密封片1的制造成本。
在该密封片1的制造方法中，若颗粒含有荧光体，则能够提高含有荧光体的颗粒的出成率。
第4实施方式的变形例
如图23A所示，也可以是，在进行所述切断工序(参照图21C)之前，将图21B所示的密封层6切断成规定形状。详细而言，以不将基材片31切断的方式将密封层6切断成大致圆形状。具体而言，能够使用例如采用圆盘状的切割锯(切割刀片)的切割装置、采用裁切刀的裁切装置、激光照射装置、采用汤姆逊刀的汤姆逊刀切断机等。
由此，构成由密封层6形成的大致圆形状的密封区域16。
接着，如图23B所示，将密封层6的位于密封区域16的外侧的部分去除。
由此，获得包括形成于基材片31的上表面的密封区域16的密封片1。
之后，如图23C所示，实施切断工序。
第5实施方式
参照图24～图26说明本发明的密封片和其制造方法的第5实施方式。
在图24～图26中，对于与第4实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在第4实施方式中，如图21B所示，在密封片1中，在基材片31之上仅设置了密封层6，但也可以是，例如，如图24C所示，在基材片31之上还进一步设置不含荧光体密封层33。
如图24和图25所示，作为本发明的第4实施方式的密封片1的制造方法包括不含荧光体密封层形成工序(参照图24A和图24B)、密封层形成工序(参照图24C)、切断工序(参照图24D)。
不含荧光体密封层形成工序
如图24A所示，首先，准备基材片31。
接着，如图24B所示，将不含荧光体密封层33设于基材片31的上表面。具体而言，由不含有荧光体的密封组合物在基材片31的上表面形成不含荧光体密封层33。由此，形成比基材片31略小的俯视大致矩形形状的不含荧光体密封层33。也就是说，使不含荧光体密封层33形成为使基材片31的外周端部暴露的图案。
密封层形成工序
接着，如图24C所示，将密封层6形成于不含荧光体密封层33的上表面。
在用于形成密封层6的密封组合物中，颗粒优选含有荧光体。
通过密封层形成工序而获得由基材片31、不含荧光体密封层33以及密封层6构成的层叠片32。
切断工序
在切断工序中，以将层叠片32在前后方向上分割成多个的方式将层叠片32切断。更具体而言，以将不含荧光体密封层33的每个不含荧光体密封层33和密封层6的每个密封层6在前后方向上分割成多个的方式将不含荧光体密封层33和密封层6连同基材片31一起切断。
由此，获得包括沿左右方向延伸的基材片31、在左右方向上连续地形成于基材片31的上表面的不含荧光体密封层33、以及在左右方向上彼此隔开间隔地配置于不含荧光体密封层33的上表面的密封层6的密封片1。
接下来，参照图25A～图25C说明利用密封片1来密封光半导体元件15的方法。
在该方法中，如图25A所示，首先，准备已安装有光半导体元件15的基板21。
接着，在该方法中，以使各密封层6在厚度方向上与光半导体元件15相对的方式配置密封片1。
在该方法中，接着，如图25B所示，利用密封片1来密封光半导体元件15。具体而言，将密封片1相对于基板21相对地下压。由此，多个密封层6分别覆盖并密封多个光半导体元件15的每个光半导体元件15。也就是说，多个密封层6分别将多个光半导体元件15的每个光半导体元件15埋设。另外，不含荧光体密封层33的自密封层6暴露的部分将多个密封层6之间的间隙填充。之后，在密封层6和/或不含荧光体密封层33含有固化性树脂的情况下，使密封层6和/或不含荧光体密封层33实现C阶段化(完全固化)。
之后，在该方法中，如图25C所示，将基材片31自不含荧光体密封层33剥下。
由此，获得包括基板21、多个光半导体元件15、单个不含荧光体密封层33以及多个密封层6的光半导体装置22。
之后，根据需要，如图25C的虚线所示，将与各光半导体元件15相对应的基板21和不含荧光体密封层33切断而使其单片化。由此，获得包括基板21、单个光半导体元件15、单个不含荧光体密封层33以及单个密封层6的光半导体装置22。
并且，该密封片1的制造方法中，由于不含荧光体密封层33不含有荧光体，因此，即使以在左右方向上连续的图案形成不含荧光体密封层33，也能够以低成本制造不含荧光体密封层33。因此，若形成该不含荧光体密封层33并将密封层6层叠于该不含荧光体密封层33，则能够构成具有各种物理性质的密封片1。
另外，在该密封片1中，能够利用不含荧光体密封层33和密封层6而具有各种物理性质。
第5实施方式的变形例
如图26A所示，也可以是，在进行切断工序(参照图24D)之前，将图24C所示的密封层6和不含荧光体密封层33切断成规定形状。详细而言，以不将基材片31切断的方式将密封层6和不含荧光体密封层33切断成大致圆形状。
由此，构成由密封层6和不含荧光体密封层33构成的大致圆形状的密封区域16。
接着，如图26B所示，将密封层6的位于密封区域16的外侧的部分和不含荧光体密封层33去除。
由此，获得包括形成于基材片31的上表面的密封区域16的密封片1。
之后，如图26C所示，实施切断工序。
然后，如图27A和图27B所示，若利用该密封片1来密封光半导体元件15，则获得包括基板21、多个光半导体元件15、多个不含荧光体密封层33以及多个密封层6的光半导体装置22。
之后，根据需要，如图27C的虚线所示，将与各光半导体元件15相对应的基板21和不含荧光体密封层33切断而使其单片化。由此，获得包括基板21、单个光半导体元件15、单个不含荧光体密封层33以及单个密封层6的光半导体装置22。
此外，虽然作为本发明的例示实施方式提供了所述说明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员所清楚的本发明的变形例包括在本发明的权利要求书中。
产业上的可利用性
密封片的制造方法能够应用于制造密封片。
附图标记说明
1、密封片；3、第1基材片；6、密封层；8、层叠片；11、密封构件；14、第2基材片；15、光半导体元件；16、密封区域；31、基材片；33、不含荧光体密封层。
Claims (11)
1.一种密封片的制造方法，该密封片具有在第1方向上彼此隔开间隔地配置的多个密封构件，该密封片的制造方法的特征在于，
该密封片的制造方法包括：
密封层形成工序，在该密封层形成工序中，以在所述第1方向上连续的方式形成含有颗粒的密封层；
切断工序，在所述密封层形成工序之后，在该切断工序中，以将所述密封层在所述第1方向上分割成多个的方式将所述密封层切断，从而形成多个所述密封构件；以及
配置工序，在所述切断工序之后，在该配置工序中，将多个所述密封构件配置为在所述第1方向上彼此隔开间隔。
2.根据权利要求1所述的密封片的制造方法，其特征在于，
在所述密封层形成工序中，通过将所述密封层形成于在所述第1方向上连续的第1基材片的表面，从而形成具有所述密封层和所述第1基材片的层叠片，
在所述切断工序中，以将所述层叠片在所述第1方向上分割成多个的方式将所述层叠片切断，从而由所述密封层和所述第1基材片形成所述密封构件。
3.根据权利要求所述的密封片的制造方法，其特征在于，
在所述配置工序中，将多个所述密封构件以在所述第1方向上彼此隔开间隔的方式配置于在所述第1方向上连续地形成的第2基材片的表面。
4.根据权利要求1所述的密封片的制造方法，其特征在于，
颗粒含有荧光体。
5.一种密封片的制造方法，其特征在于，
该密封片的制造方法包括：
密封层形成工序，在该密封层形成工序中，以在第1方向上彼此隔开间隔且沿着与所述第1方向相交叉的第2方向的方式形成含有颗粒的密封层；以及
切断工序，在该切断工序中，以将所述密封层在所述第2方向上分割成多个的方式将所述密封层切断。
6.根据权利要求5所述的密封片的制造方法，其特征在于，
在所述密封层形成工序中，通过沿着所述第2方向涂敷密封组合物而形成所述密封层。
7.根据权利要求5所述的密封片的制造方法，其特征在于，
该密封片的制造方法还包括如下工序：
以将与密封对象相对应的密封区域分隔开的方式将所述密封层切断；以及
将所述密封层的位于所述密封区域的外侧的部分去除。
8.根据权利要求5所述的密封片的制造方法，其特征在于，
颗粒含有荧光体。
9.根据权利要求8所述的密封片的制造方法，其特征在于，
该密封片的制造方法还包括在所述第1方向上连续地形成不含有颗粒的不含荧光体密封层的工序，
在所述密封层形成工序中，将所述密封层层叠于所述不含荧光体密封层，
在所述切断工序中，以将所述不含荧光体密封层在所述第2方向上分割成多个的方式将所述不含荧光体密封层连同所述密封层一起切断。
10.一种密封片，其特征在于，
该密封片包括：
第2基材片，其以在第1方向上连续的方式形成；以及
多个密封构件，其在所述第1方向上彼此隔开间隔地配置于所述第2基材片的表面，
多个所述密封构件具有：
第1基材片，其层叠于所述第2基材片的表面；以及
密封层，其层叠于所述第1基材片的表面且含有颗粒。
11.一种密封片，其特征在于，
该密封片包括：
基材片，其在第1方向上连续；以及
多个密封构件，其在所述第1方向上彼此隔开间隔地配置，
多个所述密封构件具有：
不含荧光体密封层，其层叠于所述基材片的表面；以及
密封层，其层叠于所述不含荧光体密封层的表面并含有颗粒。
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