CN203607405U - 发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板。能够简单地制得多个发光装置。发光装置集合体包括多个连续的发光装置，该发光装置包括：基板；光半导体元件，其安装于基板的表面；密封层，其以密封光半导体元件的方式形成于基板的表面；以及电极，其以与光半导体元件电连接的方式形成于基板的表面。在基板上形成有用于将彼此相邻配置的发光装置分隔的脆弱区域。

Description

发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板
技术领域
本实用新型涉及发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板，详细而言，涉及发光装置、具有多个该发光装置的发光装置集合体以及用于制造该发光装置的带有电极的基板。。
背景技术
公知发光装置包括：基板；发光二极管元件(LED)，其安装于基板之上；密封层，其用于密封该发光二极管元件；以及电极，其设于基板之上，用于与LED相连接并且将电源和LED连接起来。
例如，提出有一种发光装置，该发光装置包括：绝缘基板；发光元件，其安装于该绝缘基板的中央部之上；密封体，其形成于绝缘基板之上，并以内含发光元件的方式密封发光元件；以及正电极外部连接盘和负电极外部连接盘，在绝缘基板之上，该正电极外部连接盘和负电极外部连接盘以与密封体的外侧隔开间隔的方式配置于密封体的外侧(例如，参照日本特开2008－227412号公报。)。
然而，日本特开2008－227412号公报所记载的发光装置是通过利用切割等将具有多个发光装置的集合体单片化而得到的，从降低制造成本或降低工作量的观点考虑，要求更简单地制造单片化后的发光装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供能够容易地制造发光装置的带有电极的基板和发光装置集合体以及由发光装置集合体制得的发光装置。
本实用新型的发光装置集合体的特征在于，该发光装置集合体包括多个连续的发光装置，该发光装置包括：基板；光半导体元件，其安装于上述基板的表面；密封层，其以密封上述光半导体元件的方式形成于上述基板的表面；以及电极，其以与上述光半导体元件电连接的方式形成于上述基板的表面，在上述基板上形成有用于将彼此相邻配置的上述发光装置分隔的脆弱区域。
采用该发光装置集合体，由于在基板上形成有脆弱区域，因此，通过沿着该脆弱区域切断发光装置集合体的基板，能够简单地制得多个发光装置。
另外，在本实用新型的发光装置集合体中，优选的是，在上述基板上还形成有密封区域和电极区域，该密封区域包含上述光半导体元件，且由上述密封层划分，该电极区域由上述电极的自上述密封层暴露的部分划分，在上述基板上仅形成有上述脆弱区域、上述密封区域以及电极区域。
在该发光装置集合体中，在基板上仅形成有脆弱区域、密封区域以及电极区域。也就是说，基板的除了脆弱区域和密封区域以外的区域均形成为电极区域，因此，电极区域的导热性优异，所以能够谋求提高发光装置集合体的散热性。另外，由于基板的除了脆弱区域和密封区域以外的区域均为电极区域，因此电极区域比较大，所以能够容易且可靠地谋求配线与电极区域的连接。
其结果，该发光装置集合体在散热性和与配线的连接性这两方面优异。
另外，能够谋求该发光装置集合体的小型化。
另外，在本实用新型的发光装置集合体中，优选在上述脆弱区域形成有切痕。
在该发光装置集合体中，由于在脆弱区域形成有切痕，因此能够进一步可靠地减弱脆弱区域的强度，因此能够进一步容易且可靠地沿着脆弱区域实施基板的切断。
另外，在本实用新型的发光装置集合体中，优选的是，上述密封层以使彼此相邻配置的上述发光装置隔开分离区域的方式密封彼此相邻配置的上述发光装置，在上述分离区域形成有上述脆弱区域。
在该发光装置集合体中，由于在分离区域形成有脆弱区域，因此，只要沿着该脆弱区域切断基板，则能够可靠且高效地制得发光装置。
另外，在本实用新型的发光装置集合体中，优选的是，上述密封层包括用于将彼此相邻配置的上述发光装置连续地密封的连续区域，在上述连续区域中，以将彼此相邻配置的上述发光装置分隔的方式形成有上述脆弱区域。
采用该发光装置集合体，沿着用于将彼此相邻配置的发光装置连续地密封的连续区域中的脆弱区域，能够容易地将基板和密封层切断而制得发光装置。因此，能够可靠且高效地制得发光装置。
另外，本实用新型的发光装置是通过切断发光装置集合体而制得的，该发光装置集合体包括多个连续的发光装置，该发光装置包括：基板；光半导体元件，其安装于上述基板的表面；密封层，其以密封上述光半导体元件的方式形成于上述基板的表面；以及电极，其以与上述光半导体元件电连接的方式形成于上述基板的表面，其中，该发光装置是通过将在上述基板上形成有用于将彼此相邻配置的上述发光装置分隔的脆弱区域的上述发光装置集合体沿着上述脆弱区域切断而制得的。
该发光装置能够通过简单的工序由发光装置集合体制得。
另外，本实用新型的带有电极的基板，其包括：基板，在该基板上形成有用于安装光半导体元件的元件安装区域和用于形成以密封上述光半导体元件的方式形成的密封层的密封层形成区域；以及电极，其以能够与上述光半导体元件电连接的方式形成于上述基板的表面，该带有电极的基板的特征在于，在上述带有电极的基板上形成有用于将与上述光半导体元件以及上述密封层相对应的多个光半导体装置分别分隔的脆弱区域。
在该带有电极的基板中，只要将光半导体元件安装于基板的元件安装区域、且将密封层以密封光半导体元件的方式形成于密封层形成区域，则形成有用于将与光半导体元件以及密封层相对应的多个光半导体装置分别分隔的脆弱区域，因此，通过沿着脆弱区域切断带有电极的基板，能够简单地制得多个发光装置。
本实用新型的发光装置集合体以及带有电极的基板能够简单地制得多个发光装置。
本实用新型的发光装置能够通过简单的工序由发光装置集合体制得。
附图说明
图1表示本实用新型的发光装置集合体的第1实施方式的俯视图。
图2表示图1所示的发光装置集合体的放大俯视图。
图3是图2所示的发光装置集合体的放大剖视图，其中，图3(a)表示A－A剖视图，图3(b)表示B－B剖视图。
图4是用于说明图3所示的发光装置集合体的制造方法的剖视图，其中，图4(a)表示准备基板的工序，图4(b)表示形成电极的工序，图4(c)表示将光半导体元件安装于基板的工序，图4(d)表示利用引线将电极之间以及电极和光半导体元件之间电连接的工序。
图5是用于接着图4继续说明图3所示的发光装置集合体的制造方法的剖视图，其中，图5(e)表示利用密封层密封光半导体元件和引线的工序，图5(f)表示在基板上形成切痕的工序，图5(g)表示将发光装置集合体单片化为各发光装置的工序。
图6表示本实用新型的发光装置集合体的第1实施方式的变形例的放大剖视图。
图7表示本实用新型的发光装置集合体的第1实施方式的变形例的放大剖视图。
图8表示本实用新型的发光装置集合体的第2实施方式的俯视图。
图9表示图8所示的发光装置集合体的C－C放大剖视图。
图10表示本实用新型的发光装置集合体的第3实施方式的俯视图。
图11表示图10所示的发光装置集合体的D－D放大剖视图。
图12是用于说明本实用新型的发光装置集合体的第4实施方式的发光装置集合体的制造方法的剖视图，其中，图12(a)表示准备基板的工序，图12(b)表示形成电极的工序，图12(c)表示在基板上形成切痕而制造带有电极的基板的工序，图12(d)表示将光半导体元件安装于基板的工序。
图13是接着图12继续说明本实用新型的发光装置集合体的第4实施方式的发光装置集合体的制造方法的剖视图，其中，图13(e)表示利用引线将电极之间以及电极和光半导体元件之间电连接的工序，图13(f)表示利用密封层密封光半导体元件和引线的工序，图13(g)表示将发光装置集合体单片化为各发光装置的工序。
具体实施方式
第1实施方式
图1中的方向以图1的箭头方向为基准，以纸面的左右方向作为左右方向(横向、即第1方向)、以纸面的上下方向作为前后方向(纵向、即与第1方向正交的第2方向)、以纸面的进深方向作为上下方向(厚度方向、即与第1方向和第2方向这两个方向正交的第3方向)，图2之后的各图以图1的方向为基准。此外，在图1中，由于后述的LED3和引线6被后述的密封层5覆盖，因此在俯视时不可视，但为了清楚地表示LED3及引线6与后述的密封层5之间的相对配置，权宜利用实线表示了LED3和引线6。并且，在图1和图2中，由于后述的切痕11位于基板2的底面侧，因此在俯视时不可视，但为了清楚地表示该切痕11与LED3及电极4之间的相对配置，权宜利用粗虚线表示了切痕11。
在图1中，该发光装置集合体1沿前后方向和左右方向延伸，呈在左右方向上较长的俯视大致矩形形状，该发光装置集合体1是通过多个(例如20个)发光装置10连续成一体而形成的。在发光装置集合体1中，多个发光装置10分别沿左右方向和前后方向排列配置，具体而言，多个发光装置10在左右方向上彼此相邻地并列配置有10列，并在前后方向上彼此相邻地并列配置有两列。各发光装置10以用粗虚线表示的脆弱区域7(后述的)为边界，形成于俯视大致矩形形状的区域。
如图1和图3所示，该发光装置集合体1包括：基板2；LED3，其作为光半导体元件而安装于基板2的上表面(表面)；以及电极4，其以与LED3电连接的方式形成于基板2的上表面(表面)。
基板2形成为在俯视时与发光装置集合体1的外形形状相同的形状的俯视大致矩形的平板形状。
LED3形成为俯视大致矩形的平板形状，并在发光装置集合体1中设有多个。LED3以能够确保用于形成接下来说明的电极4和切痕11的区域的方式配置于基板2的上表面，也就是说，LED3设于基板2上的、除了前端部、前后方向中央部以及后端部以外的区域。即，LED3设于基板2的上表面的、前半分部分的前后方向中央部和后半分部分的前后方向中央部。
另外，在基板2的上表面，多个LED3沿左右方向和前后方向互相隔开间隔地排列配置成交错状。具体而言，如图2所示，对于每个发光装置10设有多个(例如12个)LED3。在各发光装置10中，LED3沿左右方向互相隔开间隔地设有多列(例如两列)，各列的LED3沿前后方向互相隔开间隔地设有多个(例如6个)。并且，左列的LED3X和排列在左列的LED3X的右侧的右列的LED3Y以在沿左右方向进行投影时在前后方向上错开的方式配置。具体而言，左列的LED3X以在沿左右方向进行投影时相对于右列的LED3Y向前侧错开的方式配置。换言之，左列的LED3X相对于右列的LED3Y配置于左侧斜前方。
另外，如图2和图3所示，发光装置集合体1在各发光装置10中具有用于将多个LED3互相电连接的引线6。
具体而言，各发光装置10中的多个(例如12个)LED3由多个(例如11个)引线6以串联的方式电连接。具体而言，在发光装置10中，各引线6将左列的各个LED3X和右列的各个LED3Y交替地电连接，由此，由LED3和引线6构成的串联排列构成为沿着前后方向的锯齿状。具体而言，在各发光装置10的前侧部分，左列的最前侧的LED3X、引线6、右列的最前侧的LED3Y、引线6以及在左列中的、与最前侧的LED3X相邻地配置于其后侧的LED3X以串联的方式电连接，这样的连接以自前侧起朝向后侧去重复的方式配置。另外，在各发光装置10的后侧部分，右列的最后侧的LED3Y、引线6、左列的最后侧的LED3X、引线6以及在右列中的、与最后侧的右列的LED3Y相邻地配置于其前侧的LED3Y以串联的方式电连接，这样的连接以自后侧起朝向前侧去重复的方式配置。
如图1所示，分别在基板2的前端部、前后方向中央部以及后端部形成有沿左右方向延伸的俯视大致矩形形状(或俯视大致直线形状)的多个电极4。在发光装置集合体1中，前端部的电极4A、后端部的电极4B以及前后方向中央部的电极4C分别被纵向脆弱区域27(后述)以能沿左右方向被分断成多个(例如10个)的方式分隔。即，在各发光装置10中，前端部的电极4A、后端部的电极4B以及前后方向中央部的电极4C分别以在左右方向上连续的方式形成。另外，如图3(a)所示，前端部的电极4A的前端面和基板2的前端面以在俯视时配置于相同位置方式、也就是说在俯视时两者平齐的方式形成。另外，后端部的电极4B的后端面和基板2的后端面以在俯视时配置于相同位置的方式、也就是说在俯视时两者平齐的方式形成。前后方向中央部的电极4C包括：前侧部分41，其设于前列的发光装置10A；以及后侧部分42，其设于后列的发光装置10B，该后列的发光装置10B与前列的发光装置10A隔开间隔地相对配置于前列的发光装置10A的后侧。上述前侧部分41和后侧部分42沿前后方向互相隔开间隔地配置，且以横向脆弱区域17(后述)为交界而被以能沿前后方向(一方向)分断的方式分隔。
另外，如图2和图3所示，电极4借助引线6与LED3电连接起来。具体而言，在位于前列的各发光装置10A中，前端部的电极4A通过引线6与左列的最前侧的LED3X电连接，而前后方向中央部的电极4C的前侧部分41通过引线6与右列的最后侧的LED3Y电连接。另一方面，在后列的发光装置10B中，前后方向中央部的电极4C的后侧部分42通过引线6与左列的最前侧的LED3X电连接，而后端部的电极4B通过引线6与右列的最后侧的LED3Y电连接。
此外，前端部的电极4A在其上表面的后端缘与引线6相连接，且后端部的电极4B在其上表面的前端缘与引线6相连接。另外，前后方向中央部的电极4C的前侧部分41在其上表面的前端缘与引线6相连接，且前后方向中央部的电极4C的后侧部分42在其上表面的后端缘与引线6相连接。
另外，该发光装置集合体1包括密封层5。
密封层5以密封多个LED3的方式形成于基板2之上，具体而言，密封层5以沿左右方向(一方向)延伸的方式连续地形成于基板2的前侧部分的上表面(表面)和后侧部分的上表面(表面)。
具体而言，密封层5以在前后方向上隔开间隔的方式设有多个(例如两个)，如图1所示，各密封层5以沿左右方向(一方向)延伸的方式连续地形成。
详细而言，在密封层5中，前侧的密封层5A和后侧的密封层5B以使在前后方向上彼此相邻配置的前列的发光装置10A和后列的发光装置10B隔开间隔(分离区域)的方式密封该前列的发光装置10A和后列的发光装置10B。另外，前侧的密封层5A和后侧的密封层5B分别形成将在左右方向上彼此相邻配置的发光装置10连续地密封的连续区域。
更具体而言，前侧的密封层5A呈在左右方向上连续地延伸的俯视大致矩形形状，且形成为连续地覆盖前列的各发光装置10A、各发光装置10的LED3以及引线6。如图3所示，前侧的密封层5A形成为覆盖前列的发光装置10A的各LED3的上表面和侧面(前表面、后表面、右侧面以及左侧面)以及电极4的至少内侧面(也就是说，由图1和图2的细虚线所示的前端部的电极4A的后端面和前后方向中央部的电极4C的前端面)。
另外，前侧的密封层5A形成为覆盖前端部的电极4A的上表面的后端缘且使前端部的电极4A的上表面的前端缘和前后方向中央部暴露。并且，前侧的密封层5A形成为覆盖前后方向中央部的电极4C的前侧部分41的上表面的前端缘且使前后方向中央部的电极4C的前侧部分41的上表面的后端缘和前后方向中央部暴露。
也就是说，如图2和图3所示，前侧的密封层5A的前端面以在沿厚度方向进行投影时与前端部的电极4A的前后方向途中部分(略靠后侧的部分)重叠且沿左右方向延伸的方式形成，另外，前侧的密封层5A的后端面以在沿厚度方向进行投影时与前后方向中央部的电极4C的前侧部分41的前后方向途中部分重叠且沿左右方向延伸的方式形成。
由此，前列的发光装置10A中的所有的LED3和所有的引线6均被前侧的密封层5A覆盖。
如图1所示，后侧的密封层5B呈在左右方向上连续地延伸的俯视大致矩形形状，且形成为连续地覆盖后列的各发光装置10B、各发光装置10的LED3以及引线6。如图3所示，后侧的密封层5B形成为覆盖后列的发光装置10B的各LED3的上表面和侧面(前表面、后表面、右侧面以及左侧面)以及电极4的至少内侧面(也就是说，由图1和图2的细虚线所示的、后端部的电极4B的前端面和前后方向中央部的电极4C的后端面)。
另外，后侧的密封层5B形成为覆盖后端部的电极4B的上表面的前端缘且使后端部的电极4B的上表面的后端缘和前后方向中央部暴露。并且，后侧的密封层5B形成为覆盖前后方向中央部的电极4C的后侧部分42的上表面的后端缘且使前后方向中央部的电极4C的后侧部分42的上表面的前端缘和前后方向中央部暴露。
也就是说，后侧的密封层5B的后端面以沿厚度方向进行投影时与后端部的电极4B的前后方向途中部分(略靠前侧的部分)重叠且沿左右方向延伸的方式形成，另外，后侧的密封层5B的前端面以沿厚度方向进行投影时在前侧的密封层5A的后端面的后方与前后方向中央部的电极4C的后侧部分42的前后方向途中部分重叠且沿左右方向延伸的方式形成。
由此，后列的发光装置10B中的所有的LED3和所有的引线6均被后侧的密封层5B覆盖。
并且，在该发光装置集合体1的基板2上形成有密封区域8和电极区域9。
如图1和图2所示，密封区域8是在俯视时至少包含LED3的区域、具体而言是包含所有的LED3和所有的引线6且由密封层5划分的而成的、形成于基板2的区域。也就是说，密封区域8在俯视时由密封层5的周端缘划分。
即，密封区域8由与前侧的密封层5A相对应的前侧的密封区域8A和与后侧的密封层5B相对应的后侧的密封区域8B形成，前侧的密封区域8A和后侧的密封区域8B以在前后方向上隔开间隔地分割成多个(例如两个)的方式被划分，前侧的密封区域8A和后侧的密封区域8B被分别被划分为以沿左右方向延伸的方式连续的俯视大致矩形形状。
另一方面，电极区域9是基板2上的、除了密封区域8和后述的脆弱区域7以外的所有区域，具体而言，电极区域9是俯视时由电极4的自密封层5暴露的部分划分的区域。
具体而言，电极区域9由与前端部的电极4A的自密封层5暴露的部分相对应的前端部的电极区域9A、与后端部的电极4B的自密封层5暴露的部分相对应的后端部的电极区域9B以及与前后方向中央部的电极4C的自密封层5暴露的部分相对应的前后方向中央部的电极区域9C形成。
前端部的电极区域9A和后端部的电极区域9B分别被后述的多个纵向脆弱区域27以沿左右方向分断成多个的方式分隔，被纵向脆弱区域27分隔的前端部的多个电极区域9A和后端部的多个电极区域9B分别被划分为沿左右方向延伸的俯视大致矩形形状。
前后方向中央部的电极区域9C被后述的多个纵向脆弱区域27以沿左右方向分断成多个的方式分隔且被单个横向脆弱区域17以沿前后方向分断成两个的方式分隔，被纵向脆弱区域27和横向脆弱区域17分隔的多个电极区域9C分别被划分为沿左右方向延伸的俯视大致矩形形状。
由此，在发光装置集合体1的基板2上形成有多个(例如40(=4列(前后方向)×10列(左右方向))个)电极区域9和多个(例如20(=两列(前后方向)×10列(左右方向))个)密封区域8的图案。
并且，在该发光装置集合体1的基板2上还形成有脆弱区域7。
如图1所示，脆弱区域7是基板2上的俯视大致网格状的区域，其以将各发光装置集合体1分隔的方式形成，例如，脆弱区域7以将各发光装置集合体1沿左右方向分隔成10列的发光装置10和沿前后方向分隔成两列的发光装置10的方式形成。具体而言，脆弱区域7以每一个由各发光装置10中的左列的LED3X和右列的LED3Y构成的单元就进行分隔的方式沿着前后方向形成，并以沿着左右方向横穿前侧的密封层5A和后侧的密封层5B之间的电极4(前后方向中央部的电极4C)的前后方向中央部的方式沿着左右方向形成。具体而言，脆弱区域7由沿前后方向延伸且在左右方向上隔开间隔地形成有多列(例如9列)的纵向脆弱区域27和沿左右方向延伸的俯视大致直线状的横向脆弱区域17形成。
纵向脆弱区域27形成为将由前侧的密封层5A(前侧的密封区域8A)连续地密封的前列的各发光装置10A沿左右方向分隔且形成为将由后侧的密封层5B(后侧的密封区域8B)连续地密封的后列的发光装置10B沿左右方向分隔。在纵向脆弱区域27中，虽然在基板2的上表面形成有密封层5，但在基板2上形成有后述的切痕11，因此，与纵向脆弱区域27的周围相比、具体而言与纵向脆弱区域27的左右方向两侧部分相比，纵向脆弱区域27的机械强度形成得较弱。
另一方面，在纵向脆弱区域27的前端部、后端部以及前后方向中央部，基板2分别自前端部的电极4A(前端部的电极区域9A)、后端部的电极4B(后端部的电极区域9B)以及前后方向中央部的电极4C(前后方向中央部的电极区域9C)暴露。
横向脆弱区域17配置在沿前后方向互相隔开间隔地相邻的前侧的密封层5A与后侧的密封层5B之间，更具体而言，横向脆弱区域17是在前后方向中央部的电极4C的前侧部分41与后侧部分42之间将前侧部分41和后侧部分42分隔的区域。
另外，如图3(a)所示，在基板2的下表面(底面)，在脆弱区域7形成有切痕11，该切痕11被切除成下方敞开的截面大致V字形状。因此，与基板2的位于脆弱区域7的周围的部分相比，脆弱区域7的机械强度形成得较弱。
如图3(b)所示，在脆弱区域7中，切痕11沿着脆弱区域7的长度方向断续地形成。具体而言，纵向脆弱区域27中的切痕11沿前后方向断续地形成，而横向脆弱区域17中的切痕11沿左右方向断续地形成。
并且，在该基板2上仅形成有脆弱区域7、密封区域8以及电极区域9。也就是说，在基板2上，不存在除了脆弱区域7、密封区域8以及电极区域9以外的区域。在基板2上，在与发光装置10相对应的部分，沿前后方向依次排列有电极区域9A、密封区域8A、前侧的电极区域9C、横向脆弱区域17、后侧的电极区域9C、密封区域8B以及电极区域9B。另外，在基板2上，在与发光装置10相对应的部分，沿左右方向交替地排列有各密封区域8和各脆弱区域7，具体而言，沿左右方向依次排列有密封区域8、脆弱区域7、...、脆弱区域7和密封区域8。
接下来，参照图4和图5说明该发光装置集合体1的制造方法。
在该方法中，如图4(a)所示，首先，准备基板2。
作为基板2，可列举出通常应用于光半导体装置的基板，例如氧化铝等陶瓷基板、聚酰亚胺等树脂基板以及对芯体使用了金属板的金属芯体基板等。
接着，该方法中，如图4(b)所示，将电极4形成为上述图案。
作为用于构成电极4的材料，可列举出银、金、铜、铁、铂、上述金属的合金等导体材料等。优选列举出银。
为了形成电极4，可列举出例如电镀、涂敷以及导体层的贴合等，优选列举出涂敷。涂敷包含印刷，涂敷(包含印刷)含有上述导体材料的导体糊剂(优选含有银的银浆)，之后，根据需要而进行干燥，将电极4形成为上述图案。此外，导体层的贴合包含以下方法：例如，在基板2由金属芯体基板等具有导体部分的基板构成的情况下，将绝缘层(未图示)以与电极4相同的图案层叠于基板2的上表面，之后，将预先成形为电极4的形状的导体层粘贴在绝缘层之上。
能够适当选择电极4的尺寸，前端部的电极4A、后端部的电极4B、前后方向中央部的电极4C的前侧部分41以及后侧部分42的宽度(前后方向长度)W1例如为0.3mm以上，优选为1mm以上，并且例如为5mm以下，优选为3mm以下。
前后方向中央部的电极4C的前侧部分41与后侧部分42之间的间隔D11例如为0.1mm以上，优选为0.25mm以上，并且例如为3mm以下，优选为2mm以下。
电极4的厚度例如为1μm以上，优选为5μm以上，并且例如为100μm以下，优选为50μm以下。
由此，制得包括基板2和形成于基板2的上表面(表面)的电极4的带有电极的基板102。
接着，在该方法中，如图4(c)所示，将LED3以上述配置安装于基板2。
各LED3的尺寸和间距能够根据发光装置10的用途和目的而适当设定，具体而言，与各发光装置10相对应的左列的各LED3X的前后方向上的距离(间隔)D1和各右列的LED3Y的前后方向上的距离(间隔)D2例如为0.3mm以上，优选为0.5mm以上，并且例如为5mm以下，优选为3mm以下。
另外，如参照图2那样，在各发光装置10中，在沿前后方向进行投影时的、左列的LED3X与右列的LED3Y之间的左右方向上的距离(间隔)D3例如为0.3mm以上，优选为0.5mm以上，并且例如为5mm以下，优选为3mm以下。
另外，在各发光装置10的前侧部分，左列的最前侧的LED3X与前端部的电极4A之间的距离(间隔)D5以及右列的最后侧的LED3Y与前后方向中央部的电极4C的前侧部分41之间的距离(间隔)D6例如为0.3mm以上，优选为0.5mm以上，并且例如为10mm以下，优选为5mm以下。另外，在各发光装置10的后侧部分，左列的最前侧的LED3X与前后方向中央部的电极4C的后侧部分42之间的距离(间隔)D7以及右列的最后侧的LED3Y与后端部的电极4B之间的距离(间隔)D8例如为0.3mm以上，优选为0.5mm以上，并且例如为10mm以下，优选为5mm以下。
LED3的前后方向长度和左右方向长度并没有特别限制，而能够根据作为目标的发光装置10的照度来决定。
另外，LED3的厚度例如为1μm以上，优选为100μm以上，并且例如为500μm以下，优选为200μm以下。
接着，在该方法中，如图4(d)所示，例如利用超声波接合等以使多个LED3之间以及LED3与电极4之间成为上述排列的方式使用引线6将多个LED3之间以及LED3与电极4之间电连接。引线6的高度、也就是说引线6的上端部与基板2的上表面之间的距离例如为0.01mm以上，优选为0.1mm以上，并且例如为1.0mm以下，优选为0.6mm以下。
接着，在该方法中，如图5(e)所示，将密封层5形成为上述图案。
为了将密封层5形成为上述图案，例如，预先形成由包含密封树脂的密封树脂组合物制备的密封片12(假想线)，接着，以使密封片12内含电极4的一部分、LED3以及引线6的方式将密封片12层叠于基板2之上。
作为密封树脂，可列举出：例如能够通过加热而塑化的热塑性树脂，例如通过加热而固化的热固性树脂，例如通过活性能量射线(例如紫外线、电子束等)的照射而固化的活性能量射线固化性树脂等。
作为热塑性树脂，可列举出例如醋酸乙烯酯树脂、乙烯·醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、氯乙烯树脂、EVA·氯乙烯树脂共聚物等。
作为热固性树脂以及活性能量射线固化性树脂，可列举出例如硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂以及不饱和聚酯树脂等。
作为上述密封树脂，可优选列举出热固性树脂，更优选列举出硅树脂。
另外，作为包含密封树脂即硅树脂的密封树脂组合物，可列举出例如2阶段固化型硅树脂组合物、1阶段固化型硅树脂组合物等热固性硅树脂组合物等。
2阶段固化型硅树脂组合物是指，具有2阶段的反应机理，在第1阶段的反应中B阶段化(半固化)，在第2阶段的反应中C阶段化(完全固化)的热固性硅树脂组合物。另一方面，1阶段固化型硅树脂是指，具有1阶段的反应机理，在第1阶段的反应中完全固化的热固性硅树脂。
另外，B阶段是热固性硅树脂组合物在液状的A阶段与完全固化的C阶段之间的状态，是固化以及凝胶化只进行一点点、弹性模量小于C阶段的弹性模量的状态。
作为2阶段固化型硅树脂组合物的未固化体(第1阶段的固化前)，可列举出例如缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物。
缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物是通过加热能够进行缩合反应以及加成反应的热固性硅树脂组合物，更具体而言，是指，通过加热而进行缩合反应，能变为B阶段(半固化)，然后通过进一步的加热，进行加成反应(具体而言，例如氢化硅烷化反应)，能变成C阶段(完全固化)的热固性硅树脂组合物。
作为这样的缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，可举出：例如第1缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，其含有硅醇两末端聚硅氧烷、含烯基三烷氧基硅烷，有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂；例如第2缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，其含有硅醇基两末端聚硅氧烷、含乙烯系不饱和烃基的硅化合物(以下称乙烯系硅化合物。)、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及加成催化剂(氢化硅烷化催化剂)；例如第3缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，其含有两末端硅醇型硅油、含烯基二烷氧基硅烷、有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂；例如第4缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，其含有在1分子中具有至少2个烯基甲硅烷基的有机聚硅氧烷、在1分子中具有至少2个氢化硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂和固化延迟剂；例如第5缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，其含有1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第1有机聚硅氧烷、不包含乙烯系不饱和烃基且1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂、以及氢化硅烷化抑制剂；例如第6缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，其含有1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个硅醇基的第1有机聚硅氧烷、不包含乙烯系不饱和烃基且1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化抑制剂、以及氢化硅烷化催化剂；例如第7缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，其含有硅化合物、以及硼化合物或铝化合物；例如第8缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，其含有聚铝硅氧烷以及硅烷偶联剂；等。
上述缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物能够单独使用或并用两种以上。
作为缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物，可优选列举出第2缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物。
在第2缩合反应·加成反应固化型硅树脂组合物中，硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物以及含环氧基硅化合物是缩合原料(供给至缩合反应的原料)，乙烯系硅化合物及有机氢硅氧烷是加成原料(供给至加成反应的原料)。
作为1阶段固化型硅树脂组合物，可列举出例如加成反应固化型硅树脂组合物等。
加成反应固化型硅树脂组合物含有例如作为主剂的含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷、和作为交联剂的有机氢硅氧烷。
作为含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷，可列举出例如含有烯基的聚二甲基硅氧烷、含有烯基的聚甲基苯基硅氧烷、含有烯基的聚二苯基硅氧烷等。
在加成反应固化型硅树脂组合物中，通常，含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷和有机氢硅氧烷以分开的密封来提供。具体而言，以含有主剂(含有乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷)的A液、和含有交联剂(有机氢硅氧烷)的B液的这两种液体的形式提供。需要说明的是，两者的加成反应所必需的公知的催化剂添加在含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷中。
对于这样的加成反应固化型硅树脂组合物，将主剂(A液)和交联剂(B液)混合而制备混合液，在由混合液成形为密封片12的形状的工序中，含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷与有机氢硅氧烷进行加成反应，加成反应固化型硅树脂组合物固化，形成有机硅弹性体(固化体)。
另外，根据需要能够在密封树脂组合物中以适当的比例含有荧光体、填充剂。
作为荧光体，可列举出例如能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体等。作为这样的荧光体，可列举出例如在复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂例如铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子而得到的荧光体。
具体而言，作为荧光体，可列举出：例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12:Ce等具有石榴石型晶体构造的石榴石型荧光体；例如(Sr,Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体；例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体；例如ZnS:Cu，Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体；例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化合物荧光体；例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物荧光体；例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物系荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体，进一步优选列举出Y3Al5O12:Ce。
作为填充剂，可列举出例如有机硅微粒、玻璃、氧化铝、二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅、超微粉无定形二氧化硅、疏水超微粉二氧化硅等)、氧化钛、氧化锆、滑石、粘土、硫酸钡等，上述填充剂能够单独使用或并用两种以上。优选列举出有机硅微粒、二氧化硅。
另外，在密封树脂组合物中，能够以适当的比例添加例如改性剂、表面活性剂、染料、颜料、防变色剂、紫外线吸收剂等公知的添加物。
进而，密封片12由例如完全固化前或完全固化后的热固性硅树脂组合物构成，优选由完全固化前的热固性硅树脂组合物构成。
进一步优选的是，在热固性硅树脂组合物为2阶段固化型硅树脂组合物时，密封片12由2阶段固化型硅树脂组合物的1阶段固化体构成，或在热固性硅树脂组合物为1阶段固化型硅树脂组合物时，密封片12由1阶段固化型硅树脂组合物的未固化体(固化前)构成。
特别优选的是，密封片12由2阶段固化型硅树脂组合物的1阶段固化体构成。
在形成密封片12时，例如通过铸造、旋涂、辊涂等方法在未图示的剥离薄膜上以上述图案涂覆适当的厚度的上述密封树脂组合物(根据需要而含有荧光剂、填充剂等)，并根据需要而进行加热。在密封片12含有2阶段固化型硅树脂组合物的情况下，使密封片12B阶段化(半固化)。
由此，形成上述图案(也就是说，与前侧的密封层5A和后侧的密封层5B相对应的图案)的片状的密封片12。
密封片12的硬度为以下那样的硬度：其压缩弹性模量为例如0.01MPa以上，优选为0.04MPa以上，并且例如为1.0MPa以下，优选为0.2MPa以下。
另外，密封片12的厚度并不特别限定，例如为100μm以上，优选为300μm以上，并且例如2000μm以下，优选为1000μm以下。
并且，在形成密封层5时，如图5(e)的假想线所示，使密封片12在上下方向上与LED3以及引线6隔开间隔地相对，接下来，如箭头所示，使密封片12下降(压下)而利用密封片12来覆盖LED3以及引线6。
接着，将密封片12压接于基板2。此外，压接优选在减压环境下实施。压接的温度例如为0℃以上，优选为15℃以上，并且例如为40℃以下，优选为35℃以下。在压接中，虽未图示，但使用公知的压力机。
之后，例如，在密封片12含有热固性树脂的情况下，利用加热使密封片12固化而形成为密封层5。具体而言，在密封片12含有2阶段固化型硅树脂组合物的情况下，使密封片12C阶段化(完全固化)。更具体而言，固化条件是在2阶段固化型硅树脂组合物含有缩合·加成反应固化型硅树脂组合物的情况下进行加成反应(氢化硅烷化反应)的条件。
具体而言，加热温度例如为80℃以上，优选为100℃以上，并且例如为200℃以下，优选为180℃以下，加热时间例如为0.1小时以上，优选为1小时以上，并且例如为20小时以下，优选为10小时以下。
由此，能够形成密封层5，利用该密封层5来密封电极4的一部分、LED3以及引线6。
通过形成该密封层5，在基板2上划分出密封区域8和电极区域9。
从散热性和配线13(后述)的连接性(具体而言为锡焊性)的观点考虑，前端部的电极4A的自前侧的密封层5A暴露的宽度和后端部的电极4B的自后侧的密封层5B暴露的宽度(前后方向长度)W3(也就是说，前端部的电极区域9A和后端部的电极区域9B的宽度(前后方向长度)W3)例如为0.5mm以上，优选为0.75mm以上，并且例如为5mm以下，优选为3mm以下。前侧部分41的自密封层5暴露的宽度W7和后侧部分42的自密封层5暴露的宽度W7例如为0.5mm以上，优选为0.75mm以上，并且例如为5mm以下，优选为3mm以下。另外，从散热性和配线13(后述)的连接性(具体而言为锡焊性)的观点考虑，前后方向中央部的电极区域9C的宽度(前后方向长度)的合计值W4例如为1.0mm以上，优选为1.5mm以上，并且例如为10mm以下，优选为6mm以下。
之后，如图5(f)所示，在基板2上形成切痕11。
在基板2上形成切痕11时，使用例如激光加工、蚀刻法等。优选使用激光加工。
切痕11的深度D4例如为100μm以上，优选为200μm以上，并且例如为700μm以下，优选为500μm以下。另外，切痕11的宽度W5例如为20μm以上，优选为40μm以上，并且例如为200μm以下，优选为150μm以下。如参照图3(b)那样，各切痕11的长度L1例如为100μm以上，优选为200μm以上，并且例如为700μm以下，优选为500μm以下。
由此，在基板2上划分出形成有切痕11的脆弱区域7。
由此，能够制造发光装置集合体1。
接下来，说明由制得的发光装置集合体1来获得发光装置10的方法。
为了获得发光装置10，如图5(g)所示，沿着切痕11切断发光装置集合体1，以便将光装置集合体1单片化为各发光装置10。在切断发光装置集合体1时，例如，沿着切痕11弯折基板2(例如，断裂、具体而言，巧克力式断裂(日文：チョコレートブレーク))。
由此，如图5(g)所示，制得多个(例如20个)发光装置10。
之后，如图5(g)的假想线所示，通过例如超声波接合等将配线13的一端部与制得的发光装置10的电极4电连接。此外，配线13的另一端部与未图示的电源电连接，由此，LED3经由电极4和配线13与未图示的电源相连接。自未图示的电源经由配线13向该发光装置10供给电力，由此使LED3发光。
并且，采用该发光装置集合体1，由于在基板2上形成有脆弱区域7，因此，通过沿着该脆弱区域7将发光装置集合体1的基板2切断，能够简单地制得多个发光装置10。
另外，在该发光装置集合体1中，由于在脆弱区域7形成有切痕11，因此能够进一步可靠地减弱脆弱区域7的强度，因此能够进一步容易且可靠地沿着脆弱区域7实施基板2的切断。
另外，在该发光装置集合体1中，由于在用于隔开间隔地密封发光装置10的作为分离区域而形成的前侧的密封层5A和后侧的密封层5B之间形成有横向脆弱区域17，因此，只要沿着该横向脆弱区域17切断基板2，则能够可靠且高效地制得发光装置10。
然而，在以往的发光装置集合体中，正电极外部连接盘和负电极外部连接盘分别通过内部电极等与发光元件电连接。另外，通过将上述正电极外部连接盘以及负电极外部连接盘分别与外部连接配线相连接，从而将正电极外部连接盘以及负电极外部连接盘与电源电连接。
然而，在包含发光装置的发光装置集合体中，会伴随着LED的发光而发热，因此，温度易于上升，因此要求优异的散热性。在上述以往的发光装置集合体中，通过将发光元件的发热经由内部电极自正电极外部连接盘和负电极外部连接盘向外部散热。但是，由于正电极外部连接盘和负电极外部连接盘在发光装置中形成得比较小，因此，谋求提高散热性的程度存在限度。
另一方面，对于发光装置集合体，还要求外部连接配线的与正电极外部连接盘以及负电极外部连接盘之间的优异的连接性。然而，在以往的发光装置中，由于正电极外部连接盘和负电极外部连接盘形成得比较小，因此，谋求提高连接性的程度也有存在限度。
对于上述问题，在该发光装置集合体1中，在基板2上仅形成有脆弱区域7、密封区域8以及电极区域9。也就是说，基板2的除了脆弱区域7和密封区域8以外的区域均形成为电极区域9，因此，电极区域9的导热性优异，所以能够谋求提高发光装置集合体1的散热性。另外，基板2的除了脆弱区域7和密封区域8以外的区域均为电极区域9，因此电极区域9比较大，所以能够容易且可靠地谋求配线13与电极区域9的连接。
其结果，该发光装置集合体1在散热性和与配线的连接性这两方面优异。
另外，能够谋求该发光装置集合体1的小型化。
另外，采用该发光装置10，在将彼此相邻配置的发光装置10连续地密封的作为连续区域而形成的前侧的密封层5A和后侧的密封层5B中，能够容易地沿着纵向脆弱区域27将基板2和密封层5切断而制得发光装置10。因此，能够可靠且高效地制得发光装置10。
另外，该发光装置10能够通过简单的工序由发光装置集合体1制得。
变形例
在图6和图7中，对于与第1实施方式相同的构件，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在第1实施方式中，如图3(a)所示，在横向脆弱区域17中，在基板2的下表面进行切除而将切痕11形成为下方敞开的截面大致V字形状，但如图6所示，例如也可以在基板2的上表面进行切除而将切痕11形成为上方敞开的截面大致V字形状。
此外，在纵向脆弱区域27中，也能够将切痕11形成为上述形状，但在该情况下，预先将基板2加工成上述形状，之后，在基板2的上表面上形成密封层5。
在第1实施方式中，如图3(a)所示，使基板2自前后方向中央部的电极4C的前侧部分41和后侧部分42暴露，但如图7所示，例如也可以是，在前后方向上连续地形成前后方向中央部的电极4C的前侧部分41和后侧部分42，由此覆盖基板2的位于纵向脆弱区域27的部分。
在该情况下，纵向脆弱区域27成为由切痕11划分的区域。
优选的是，如第1实施方式那样，纵向脆弱区域27使基板2自前后方向中央部的电极4C的前侧部分41和后侧部分42暴露。由此，能够可靠地减弱脆弱区域7的强度。
另外，在第1实施方式中，如图3(b)所示，在脆弱区域7中，断续地设有切痕11，但是，虽未图示，例如也可以将切痕11连续地形成至基板2的厚度方向途中。具体而言，也可以是，沿着前后方向连续地形成纵向脆弱区域27中的切痕11，和/或沿着左右方向连续地形成横向脆弱区域17中的切痕11。
另外，在第1实施方式中，如图1所示，以每一个由左列的LED3X和右列的LED3Y构成的1个单元就进行分隔的方式形成了沿着前后方向的纵向脆弱区域27，但是，虽未图示，例如也能够以每多个单元就进行分隔的方式形成沿着前后方向的纵向脆弱区域27。
另外，在第1实施方式中，在各发光装置10中，利用引线6将多个LED3之间电连接，但是，虽未图示，例如也可以是，在基板2上设置内部电极，利用基板2的内部电极将各LED3之间电连接，而不经由引线6。
并且，在第1实施方式中，在各发光装置10中，利用引线6将电极4和LED3电连接，但是，虽未图示，例如也可以是，在基板2上设置内部电极，利用基板2的内部电极将电极4和LED3电连接，而不经由引线6。
另外，在第1实施方式中，在各发光装置10中，将LED3配置为在左右方向上两列、在前后方向上6列(2×6列)，但LED3的数量和配置并不限定于上述的数量和配置。虽未图示，例如也可以是，在各发光装置10中，仅设置1个LED3。
并且，在第1实施方式中，密封层5由图5(e)的假想线所示的密封片12形成，但是，例如也可以通过对上述密封树脂组合物进行灌注密封等而形成密封层5。此外，在灌注密封中，在不形成密封层5的区域(具体而言为电极区域9)预先设置阻挡构件(未图示)等保护构件，在一边保护电极区域9一边形成密封层5之后，去除保护构件。
优选密封层5由密封片12形成。若密封层5由密封片12形成，则不需要设置和去除保护构件的工序，从而能够相应地简单地形成密封层5。
另外，在第1实施方式中，如图4所示，设置电极4(参照图4(b))，之后，依次设置LED3和引线6(参照图4(c)和图4(d))，但该顺序并不特别限定，虽未图示，例如也可以是，依次设置LED3和引线6，之后设置电极4。
另外，在第1实施方式中，作为本实用新型的光半导体元件，例示出了LED3而进行了说明，但是，例如也可以采用LD(激光二极管)3。
第2实施方式
在图8和图9中，对于与第1实施方式相同的构件，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
如图8和图9所示，也可以将由LED3和引线6构成的串联排列形成为沿着前后方向的大致直线状。
在各发光装置10中，沿前后方向串联排列的LED3在宽度方向上隔开间隔地配置有多列(例如5列)。
通过第2实施方式，也能够发挥与第1实施方式相同的作用效果。
另一方面，在第1实施方式中，如图1和图2所示，LED3呈交错状排列，具体而言，左列的LED3X以在沿左右方向进行投影时相对于右列的LED3Y错开的方式配置。因此，与图8所示的、LED3沿着前后方向和左右方向排列的第2实施方式相比，在第1实施方式中，能够降低每个LED3的热负荷，也就是说，能够提高自LED3散热的散热性。因此，与第2实施方式相比，第1实施方式是优选的实施方式。
变形例
在第2实施方式中，如图8所示，使各发光装置10配置有多列(例如5列)沿前后方向串联排列的LED3，但是，虽未图示，例如也可以使各发光装置10配置有最小列数、具体而言为1列的沿前后方向串联排列的LED3。
第3实施方式
在图10和图11中，对于与第1实施方式以及第2实施方式相同的构件，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在第1实施方式和第2实施方式中，如图1和图8所示，将电极4形成为沿左右方向延伸的俯视大致矩形形状(或俯视大致直线形状)，但在第3实施方式中，也可以将电极4形成为俯视大致梳状。
另外，在第2实施方式中，沿着前后方向形成了由LED3和引线6构成的串联排列，但在第3实施方式中，也可以沿着左右方向形成上述串联排列。
如图10和图11所示，在各发光装置10中，沿左右方向串联排列的LED3在前后方向上隔开间隔地配置有多列(例如5列)。
前端部的电极4A和前后方向中央部的电极4C(与前列的发光装置10A相对应的部分)分别形成为梳状，具体而言，前端部的电极4A和前后方向中央部的电极4C包括沿左右方向延伸的基体部分14和自基体部分14沿前后方向延伸的伸出部分15(细虚线)，该基体部分14和伸出部分15形成为一体。另外，前端部的电极4A和前后方向中央部的电极4C以在前后方向上隔开间隔的方式设置。并且，前端部的电极4A和前后方向中央部的电极4C呈互相龃龉状(日文：齟齬状)配置。也就是说，伸出部分15在左右方向上隔开间隔地相对配置，具体而言，前端部的电极4A的伸出部分15和前后方向中央部的电极4C的伸出部分15沿左右方向交替地配置。
后端部的电极4B和前后方向中央部的电极4C(与后列的发光装置10B相对应的部分)分别形成为梳状，具体而言，后端部的电极4B和前后方向中央部的电极4C包括沿左右方向延伸的基体部分14和自基体部分14沿前后方向延伸的伸出部分15(细虚线)，该基体部分14和伸出部分15形成为一体。另外，后端部的电极4B和前后方向中央部的电极4C以在前后方向上隔开间隔的方式设置。并且，后端部的电极4B和前后方向中央部的电极4C呈互相龃龉状配置。也就是说，伸出部分15在左右方向上隔开间隔地相对配置，具体而言，后端部的电极4B的伸出部分15和前后方向中央部的电极4C的伸出部分15沿左右方向交替地配置。
此外，各伸出部分15以被纵向脆弱区域27沿左右方向分断成两个的方式形成。另外，基体部分14以被横向脆弱区域17沿前后方向分断成两个的方式形成。
并且，在各发光装置10中，最右侧的LED3以及最左侧的LED3经由引线6与电极4(具体而言为前端部的电极4A或后端部的电极4B)的伸出部分15相连接。
通过第3实施方式，也能够发挥与第1实施方式和第2实施方式相同的作用效果。
另一方面，在第3实施方式中，如图10所示，电极4形成为包含伸出部分15的俯视大致梳形状，因此，与电极4不包含上述伸出部分15而形成为图1和图8所示的俯视大致直线形状的第1实施方式以及第2实施方式相比，在第3实施方式中，用于安装LED3的空间变狭窄，因此，各列中的LED3之间的距离(间隔)形成得较短。
因此，与第3实施方式相比，第1实施方式和第2实施方式中的各LED3的散热性优异，因此是优选的实施方式。
变形例
在第3实施方式中，如图10所示，使各发光装置10配置有多列(例如5列)沿左右方向串联排列的LED3，但是，虽未图示，例如也可以使各发光装置10配置有最小列数、具体而言为1列的沿左右方向串联排列的LED3。
第4实施方式
在图12和图13中，对于与第1实施方式～第3实施方式相同的构件，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在第1实施方式中，如图4和图5所示，首先，在依次形成了LED3和密封层5之后，在基板2上形成切痕11，但是，例如也可以是，如图12和图13所示，首先，在基板2上形成切痕11，之后，依次形成LED3和密封层5。
首先，如图12(a)所示，先准备基板2。
接着，如图12(b)所示，在基板2上形成电极4。
接着，如图12(c)所示，在形成有电极4的基板2上形成切痕11。
由此，制造包括电极4和形成有切痕11的基板2的带有电极的基板102。
此外，在带有电极的基板102的基板2上形成有用于安装LED3(参照图12(d))的区域来作为元件安装区域，另外，还形成有用于形成以密封LED3的方式形成的密封层5(参照图13(f))的区域来作为密封层形成区域。
接着，如图12(d)所示，将LED3安装于基板2的元件安装区域。
接着，如图13(e)所示，利用引线6将多个LED3之间以及LED3和电极4之间电连接。
接着，如图13(f)所示，在基板2的密封层形成区域形成密封层5。
由此，制造包括带有电极的基板102、LED3以及密封层5的发光装置集合体1。
之后，如图13(g)所示，沿着带有电极的基板102的切痕11切断发光装置集合体1。由此，制得与带有电极的基板102、LED3以及密封层5相对应的、包括带有电极的基板102、LED3以及密封层5的发光装置10。
并且，在该带有电极的基板102中，若将LED3安装于基板2的元件安装区域、且将密封层5以密封LED3的方式形成在密封层形成区域，则形成有用于将与LED3以及密封层5相对应的多个发光装置10分别分隔的切痕11，因此，通过沿着切痕11切断带有电极的基板102，能够简单地制得多个发光装置10。
此外，虽然作为本实用新型的例示的实施方式提供了上述说明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员容易得出的本实用新型的变形例包括在本实用新型的权利要求书中。

Claims (7)

1.一种发光装置集合体，其特征在于，
该发光装置集合体包括多个连续的发光装置，
该发光装置包括：
基板；
光半导体元件，其安装于上述基板的表面；
密封层，其以密封上述光半导体元件的方式形成于上述基板的表面；以及
电极，其以与上述光半导体元件电连接的方式形成于上述基板的表面，
在上述基板上形成有用于将彼此相邻配置的上述发光装置分隔的脆弱区域。
2.根据权利要求1所述的发光装置集合体，其特征在于，
在上述基板上还形成有密封区域和电极区域，该密封区域包含上述光半导体元件，且由上述密封层划分，该电极区域由上述电极的自上述密封层暴露的部分划分，
在上述基板上仅形成有上述脆弱区域、上述密封区域以及电极区域。
3.根据权利要求1所述的发光装置集合体，其特征在于，
在上述脆弱区域形成有切痕。
4.根据权利要求1所述的发光装置集合体，其特征在于，
上述密封层以使彼此相邻配置的上述发光装置隔开分离区域的方式密封上述彼此相邻配置的上述发光装置，
在上述分离区域形成有上述脆弱区域。
5.根据权利要求1所述的发光装置集合体，其特征在于，
上述密封层包括用于将彼此相邻配置的上述发光装置连续地密封的连续区域，
在上述连续区域中，以将彼此相邻配置的上述发光装置分隔的方式形成有上述脆弱区域。
6.一种发光装置，其是通过切断发光装置集合体而制得的，该发光装置集合体包括多个连续的发光装置，该发光装置包括：基板；光半导体元件，其安装于上述基板的表面；密封层，其以密封上述光半导体元件的方式形成于上述基板的表面；以及电极，其以与上述光半导体元件电连接的方式形成于上述基板的表面，其特征在于，
该发光装置是通过将在上述基板上形成有用于将彼此相邻配置的上述发光装置分隔的脆弱区域的上述发光装置集合体沿着上述脆弱区域切断而制得的。
7.一种带有电极的基板，其包括：基板，在该基板上形成有用于安装光半导体元件的元件安装区域和用于形成以密封上述光半导体元件的方式形成的密封层的密封层形成区域；以及电极，其以能够与上述光半导体元件电连接的方式形成于上述基板的表面，该带有电极的基板的特征在于，
在上述带有电极的基板上形成有用于将与上述光半导体元件以及上述密封层相对应的多个光半导体装置分别分隔的脆弱区域。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103872031A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 日东电工株式会社 发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
CN105762255B (zh) * 2016-04-06 2018-11-09 卓广实业（上海）有限公司 一种高品质照明应用的大功率led点光源
CN106015966A (zh) * 2016-06-29 2016-10-12 饶彬 一种超高光效的新型led灯
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
US10360962B1 (en) 2017-12-28 2019-07-23 Spin Memory, Inc. Memory array with individually trimmable sense amplifiers
JP6819645B2 (ja) * 2018-04-10 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 基板及びそれを用いた発光装置の製造方法
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US10600478B2 (en) 2018-07-06 2020-03-24 Spin Memory, Inc. Multi-bit cell read-out techniques for MRAM cells with mixed pinned magnetization orientations
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108341A (ja) * 2004-10-05 2006-04-20 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び金型
JP4753904B2 (ja) 2007-03-15 2011-08-24 シャープ株式会社 発光装置
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
JP5302117B2 (ja) * 2009-06-22 2013-10-02 スタンレー電気株式会社 発光装置の製造方法、発光装置および発光装置搭載用基板
TWI411092B (en) * 2009-06-24 2013-10-01 Led package structure with external lateral cutting beveled edges and method for manufacturing the same
JP5010693B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
US8328910B2 (en) * 2010-01-29 2012-12-11 Spiderman Mulholland Method for building remediation caused by defective drywall
US9735198B2 (en) * 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
JP5891133B2 (ja) * 2012-07-12 2016-03-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2014135470A (ja) * 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 発光装置、発光装置集合体および電極付基板
KR20140094758A (ko) * 2013-01-22 2014-07-31 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 스트립

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103872031A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 日东电工株式会社 发光装置、发光装置集合体以及带有电极的基板

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