CN104968724B - 电子束固化性树脂组合物、反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置、及成形体的制造方法 - Google Patents

电子束固化性树脂组合物、反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置、及成形体的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明为一种电子束固化性树脂组合物、及使用有该树脂组合物的反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置、及使用有该树脂组合物的成形方法，所述电子束固化性树脂组合物含有烯烃树脂和交联处理剂，交联处理剂具有饱和或不饱和的环结构，形成至少1个环的原子中的至少1个原子与烯丙基、甲基烯丙基、隔着连接基团的烯丙基及隔着连接基团的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基键合，相对于烯烃树脂100质量份，交联处理剂的配合量高于15质量份且为40质量份以下。

Description

电子束固化性树脂组合物、反射器用树脂框架、反射器、半导 体发光装置、及成形体的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子束固化性树脂组合物、反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置及成形体的制造方法。
背景技术
目前，作为使电子零件安装于基板等的方法，可采用在规定的场所预先点有焊剂的基板上临时固定电子零件之后，将该基板通过红外线、热风等手段进行加热而使焊剂熔融并固定电子零件的方法(回流焊法)。通过该方法可以提高基板表面上的电子零件的安装密度。
但是，目前所使用的电子零件，其耐热性不能说充分，特别是在利用红外线加热的回流焊工序中，存在零件表面的温度局部地升高且产生变形等问题，期望耐热性(特别是耐热变形性)更优异的树脂组合物及电子零件。
另外，作为半导体发光装置之一的LED元件为小型且长寿命、省电性优异，因此，作为显示灯等的光源被广泛利用。而且，近年来，比较廉价地制造亮度更高的LED元件，因此，正在研究作为荧光灯及白热灯泡的替代光源的利用。适用于这种光源的情况下，为了得到大的照度，多采用表面安装型LED包封件，即铝等金属制的基板(LED安装用基板)上配置多个LED元件、在各LED元件的周围配设使光以规定方向反射的反射器(反射体)的方式。
但是，由于LED元件在发光时伴有发热，因此，在这种方式的LED照明装置中，反射器因LED元件发光时的温度上升而劣化，其反射率降低，由此亮度降低，导致LED元件的短寿命化等。因此，要求反射器具有耐热性。
为了适应上述耐热性的要求，在专利文献1中提出了由具有碳-氢键的氟树脂(A)及氧化钛(B)制成的树脂组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-195709号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，对专利文献1中记载的树脂组合物，没有进行与耐热变形性有关的研究。
如上所述，本发明的目的在于，提供一种即使在制成成形体的情况下也可以发挥优异的耐热变形性的电子束固化性树脂组合物、使用有该树脂组合物的反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置、及使用有该树脂组合物的成形方法。
用于解决课题的技术方案
本发明人为了实现上述目的，反复进行了潜心研究，结果发现，利用下述发明可以实现该目的。即，本发明如下所述。
[1]一种电子束固化性树脂组合物，其含有烯烃树脂和交联处理剂，所述交联处理剂具有饱和或不饱和的环结构，形成至少1个环的原子中的至少1个原子与烯丙基、甲基烯丙基、隔着连接基团的烯丙基、及隔着连接基团的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基键合，相对于烯烃树脂100质量份，所述交联处理剂的配合量为高于15质量份且40质量份以下。
[2]如[1]所述的电子束固化性树脂组合物，其中，形成所述交联处理剂的1个环的原子中的至少2个原子分别独立地与所述烯丙基类取代基键合。
[3]如[2]所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述交联处理剂的环为6元环，形成该环的原子中的至少2个原子分别独立地与所述烯丙基类取代基键合，且相对于键合有1个烯丙基类取代基的原子，在间位的原子上键合其它烯丙基类取代基。
[4]如[1]～[3]的任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述交联处理剂用下述式(1)表示。
(式(1)中，R1～R3分别独立地为烯丙基、甲基烯丙基、隔着酯键的烯丙基、及隔着酯键的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基。)
[5]如[1]～[3]的任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述交联处理剂用下述式(2)表示。
(式(2)中，R1～R3分别独立地为烯丙基、甲基烯丙基、隔着酯键的烯丙基、及隔着酯键的甲基烯丙基的任一种烯丙基类取代基。)
[6]如[1]～[5]的任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其含有白色颜料和除所述白色颜料以外的无机粒子，它们的总量相对于烯烃树脂100质量份为200～700质量份。
[7]如[6]所述的电子束固化性树脂组合物，其中，除所述白色颜料以外的无机粒子为二氧化硅粒子和/或玻璃纤维。
[8]如[1]～[7]的任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述烯烃树脂为使降冰片烯衍生物开环易位聚合而成的树脂、或其氢化物、聚乙烯、聚丙烯及聚甲基戊烯中的任一种。
[9]一种反射器用树脂框架，其由[1]～[8]的任一项所述的电子束固化性树脂组合物的固化物制成。
[10]如[9]所述的反射器用树脂框架，其厚度为0.1～3.0mm。
[11]一种反射器，其由[1]～[8]的任一项所述的电子束固化性树脂组合物的固化物制成。
[12]一种半导体发光装置，其在基板上具有光半导体元件、和设置于该光半导体元件的周围且使来自该光半导体元件的光向规定方向反射的反射器，所述反射器的光反射面的至少一部分由[1]～[8]的任一项所述的电子束固化性树脂组合物的固化物制成。
[13]一种成形体的制造方法，该方法包括：对于[1]～[8]的任一项所述的电子束固化性树脂组合物，在注射温度200～400℃、模具温度20～150℃下进行注射成形的注射成形工序；在注射成形工序之前或之后，实施电子束照射处理的电子束照射工序。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种即使在制成成形体的情况下也可以发挥优异的耐热变形性的电子束固化性树脂组合物、使用有该树脂组合物的反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置、及使用有该树脂组合物的成形方法。
附图说明
图1是示出本发明的半导体发光装置的一例的概略剖面图。
图2是示出本发明的半导体发光装置的一例的概略剖面图。
标记说明
10···光半导体元件
12···反射器
14···基板
15···绝缘部
16···引线
18···透镜
具体实施方式
[1.电子束固化性树脂组合物]
本发明的电子束固化性树脂组合物含有烯烃树脂和特定的交联处理剂而成。
作为烯烃树脂，可举出例如使降冰片烯衍生物开环易位聚合而形成的树脂或其氢化物、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯等。其中，优选聚甲基戊烯。
在烯烃树脂中，聚甲基戊烯的折射率为1.46，与二氧化硅粒子的折射率非常接近，因此，即使在混合时也能够抑制对透射率或反射率等光学特性的影响。考虑到该方面时，优选例如作为半导体发光装置的反射器使用。
但是，相对于回流焊工序中的耐热性，有时不充分。针对该问题，在本发明中，通过在聚甲基戊烯中含有特定的交联处理剂并照射电子束，能够制成即使在回流焊工序中也可以发挥充分的耐热性的树脂组合物。由此，即使在制成反射器时也可以防止树脂的融解导致的反射器的变形。
聚甲基戊烯具有熔点高达232℃、在加工温度的280℃左右也不分解、分解温度为300℃左右的特性。另一方面，由于一般不存在具有这样的特性的有机过氧化物或光聚合引发剂，因此，不能进行利用有机过氧化物的交联或利用紫外光的交联。
另外，即使对聚甲基戊烯照射电子束(例如吸收线量：200kGy)，由于在交联的同时进行分子链的切断，因此，在树脂单体中也难以发生有效的交联。但是，通过含有本发明所述的交联处理剂，通过电子束照射有效地发生交联反应，因此，即使在回流焊工序中也可以防止树脂的溶解导致的变形。
这种交联处理剂具有饱和或不饱和的环结构，具有形成至少1个环的原子中的至少1个原子与烯丙基、甲基烯丙基、隔着连接基团的烯丙基、及隔着连接基团的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基键合而成的结构。通过含有具有所述结构的交联处理剂，可以发挥良好的电子束固化性，可以制成具有优异的耐热性的树脂组合物。
作为饱和或不饱和的环结构，可举出环状化合物(シクロ環)、杂环、芳香环等。形成环结构的原子数优选为3～12，更优选为5～8，进一步优选为6元环。
另外，本发明所述的交联处理剂的分子量优选为1000以下，更优选为500以下，进一步优选为300以下。通过分子量为1000以下，可以防止树脂组成中的分散性变低，可以引起电子束照射导致的有效的交联反应。
另外，环结构数优选为1～3，更优选为1或2，进一步优选为1。
交联处理剂的熔点优选为使用的烯烃树脂的熔点以下，例如优选为200℃以下。
只要是如上所述的交联处理剂，则在加工时流动性优异，因此，可以使热塑性树脂的加工温度降低并减轻热负荷，或减轻加工时的摩擦，或增加无机成分的填充量。
在此，作为本发明所述的交联处理剂中的连接基团，可举出酯键、醚键、亚烷基、(杂)亚芳基等。不与形成环的原子中的烯丙基类取代基键合的原子可以为键合有氢、氧、氮等的状态、或键合有各种取代基的状态。
本发明的交联处理剂优选形成该交联处理剂的1个环的原子中的至少2个原子分别独立地与烯丙基类取代基键合。另外，环结构为6元环的情况下，形成该环的原子中的至少2个原子分别独立地与烯丙基类取代基键合，优选相对于键合有1个烯丙基类取代基的原子，在间位的原子上键合其它烯丙基类取代基。
进一步优选本发明所述的交联处理剂用下述式(1)或(2)表示。
(式(1)中，R1～R3分别独立地为烯丙基、甲基烯丙基、隔着酯键的烯丙基、及隔着酯键的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基。)
(式(2)中，R1～R3分别独立地为烯丙基、甲基烯丙基、隔着酯键的烯丙基、及隔着酯键的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基。)
作为上述式(1)表示的交联处理剂，可举出：三烯丙基异氰脲酸酯、甲基二烯丙基异氰脲酸酯、单缩水甘油基异氰脲酸二烯丙酯、单烯丙基二缩水甘油基异氰脲酸酯、三甲基烯丙基异氰脲酸酯等。
作为上述式(2)表示的交联处理剂，可举出邻苯二甲酸的二烯丙基酯、间苯二甲酸的二烯丙基酯等。
本发明的交联处理剂相对于聚甲基戊烯100质量份配合高于15质量份且40质量份以下，优选配合15～30质量份，更优选配合16～20质量份。通过配合高于15质量份且40质量份以下，可以有效地进行交联而不发生渗出。
作为聚甲基戊烯，优选4-甲基戊烯-1的均聚物，也可以为4-甲基戊烯-1与其它α-烯烃(例如乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十八碳烯、1-二十碳烯、3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯等碳原子数2～20的α-烯烃)的共聚物且为含有4-甲基-1-戊烯90摩尔％以上的以4-甲基戊烯-1为主体的共聚物。
就4-甲基戊烯-1的均聚物的分子量而言，用凝胶渗透色谱法测定的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw为1,000以上，特别优选5,000以上。
在本发明的电子束固化性树脂组合物中，优选含有白色颜料。通过含有白色颜料，可以供于反射器等用途。
作为本发明的白色颜料，可以将氧化钛、硫化锌、氧化锌、硫化钡、钛酸钾等单独使用或混合使用，其中，优选氧化钛。
就白色颜料的含量而言，相对于烯烃树脂100质量份，优选设为200～500质量份，更优选为300～480质量份，进一步优选为350～450质量份。通过设为200～500质量份，可以良好地保持制品性能(例如反射器的光反射率、强度、成形翘曲)。另外，可以防止无机成分多且不能加工，或即使可以加工，成形状态也差，干干巴巴，制品性能(例如反射器的光反射率)降低。
关于白色颜料的平均粒径，考虑到成形性，且从得到高的反射率的观点出发，优选初级粒度分布为0.10～0.50μm，更优选为0.10～0.40μm，进一步优选为0.21～0.25μm。平均粒径可以作为利用激光衍射法的粒度分布测定中的质量平均值D50求出。
另外，优选含有白色颜料以外的无机粒子。作为该白色颜料以外的无机粒子，通常可以将配合于热塑性树脂组合物及环氧树脂、丙烯酸树脂、有机硅树脂之类的热固化树脂组合物中的粒子单独使用或混合使用。无机粒子的形状及粒径没有特别限定。例如，可以使用粒子状及纤维状、异形剖面纤维状、凹凸差大的形状、厚度薄的薄片状之类的形状的物质。
具体而言，可举出二氧化硅粒子、玻璃纤维等。这种电子束固化性树脂组合物特别适于反射器用途。
就本发明所述的无机粒子而言，通常可以将配合于热塑性树脂组合物及环氧树脂、丙烯酸树脂、有机硅树脂之类的热固化树脂组合物中的粒子单独使用或混合使用。
就无机粒子的含量而言，相对于烯烃树脂100质量份，优选为10～300质量份，更优选为30～200质量份，进一步优选为50～120质量份。
本发明的电子束固化性树脂组合物可以将已述的烯烃树脂及交联处理剂、根据需要的二氧化硅粒子、玻璃纤维等至少任一种无机粒子和白色颜料以已述那样的规定比混合而制作。作为混合方法，可以适用2根辊或3根辊、均质机、流星式搅拌机等搅拌机、polylabsystem或LABOPLASTOMILL等熔融混炼机等公知的手段。这些方法可以在常温、冷却状态、加热状态、常压、减压状态、加压状态的任一种状态下进行。
需要说明的是，只要不损害本发明的效果，可以含有各种添加剂。例如，可以以改善树脂组合物的性质的目的配合各种晶须、硅酮粉末、热塑性弹性体、有机合成橡胶、脂肪酸酯、甘油酸酯、硬脂酸锌、硬脂酸钙等内部脱模剂、或二苯甲酮类、水杨酸类、氰基丙烯酸酯类、异氰脲酸酯类、草酸酰替苯胺类、苯甲酸酯类、受阻胺类、苯并***类、酚类等抗氧化剂、或受阻胺类、苯甲酸酯类等光稳定剂之类的添加剂。
另外，可以配合硅烷偶联剂之类的分散剂。
作为硅烷偶联剂，可举出例如：六甲基二硅氮烷等二硅氮烷；环状硅氮烷；三甲基硅烷、三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、烯丙基二甲基氯硅烷、三甲氧基硅烷、苄基二甲基氯硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、羟基丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、正十六烷基三甲氧基硅烷、正十八烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基硅烷、及乙烯基三乙酰氧基硅烷等烷基硅烷化合物；γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(2-氨基乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)3-氨基丙基三甲氧基硅烷、及N-β-(N-乙烯基苄基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷等氨基硅烷化合物等。
通过使用本发明的电子束固化性树脂组合物，可以将各种成形体进行成形，也可以制作厚度更薄的成形体(例如反射器)。
这种成形体优选通过本发明的成形方法来制造。即，优选通过包含下述工序的成形方法来制造：对于本发明的电子束固化性树脂组合物、在汽缸温度200～400℃、模具温度20～150℃下进行注射成形的注射成形工序；和在注射成形工序之前或之后、实施电子束照射处理的电子束照射工序。
需要说明的是，只要不损害成形性，就可以在成形前进行利用电子束照射的交联反应。
关于电子束的加速电压，可以根据使用的树脂或层的厚度适当选定。例如，厚度为1mm左右的成型物的情况下，通常优选在加速电压250～3000kV左右使未固化树脂层固化。需要说明的是，在电子束的照射下，加速电压越高，透射能力越增加，因此，在使用因电子束而劣化的基材作为基材的情况下，通过选定加速电压使得电子束的透射深度和树脂层的厚度实质上相等，可以抑制多余的电子束向基材的照射，可以将过量电子束导致的基材的劣化控制在最小限度。另外，照射电子束时的吸收线量根据树脂组合物的组成而适当设定，优选树脂层的交联密度饱和的量，照射线量优选为50～600kGy。
进而，作为电子束源，没有特别限制，可以使用例如Cockroft-Walton型、VanDeGraft型、共振变压器型、绝缘芯变压器型、或直线型、高频高压(Dynamitron)型、高频型等各种电子束加速器。
如上所述的本发明的电子束固化性树脂组合物可以作为涂布于基材上并固化的复合材料、电子束固化性树脂组合物的固化物适用于各种用途。例如，可以用于耐热性绝缘膜、耐热性脱模片、耐热性透明基材、太阳能电池的光反射片或以LED为代表的照明或电视机用的光源的反射器。
[2.反射器用树脂框架]
本发明的反射器用树脂框架由将已述的本发明的电子束固化性树脂组合物成形而成的固化物制成。具体而言，通过将本发明的电子束固化性树脂组合物制成颗粒，利用注射成形制成所期望的形状的树脂框架，来制造本发明的反射器用树脂框架。反射器用树脂框架的厚度优选为0.1～3.0mm，更优选为0.1～1.0mm，进一步优选为0.1～0.8mm。
在本发明的电子束固化性树脂组合物中，与使用例如玻璃纤维制作的树脂框架相比，可以制作厚度更小的树脂框架。具体而言，可以制作0.1～3.0mm厚度的树脂框架。另外，这样成形而成的本发明的反射器用树脂框架即使缩小厚度，也不产生起因于含有玻璃纤维等填料的翘曲，因此，形态稳定性或适用性也优异。
本发明的反射器用树脂框架通过其中载置LED芯片并进一步利用公知的密封剂进行密封，可以进行管芯键合并设为所期望的形状，可以制成半导体发光装置。需要说明的是，本发明的反射器用树脂框架作为反射器起作用，但也作为支撑半导体发光装置的框起作用。
[3.反射器]
本发明的反射器由将已述的本发明的电子束固化性树脂组合物固化而成的固化物制成。
该反射器既可以与后述的半导体发光装置组合使用，也可以与由其它材料制成的半导体发光装置(LED安装用基板)组合使用。
本发明的反射器主要具有使来自半导体发光装置的LED元件的光向透镜(出光部)的方向反射的作用。关于反射器的详细，与适用于本发明的半导体发光装置的反射器(后述的反射器12)相同，因此，在此省略。
[4.半导体发光装置]
如图1中所例示，本发明的半导体发光装置在基板14上具有光半导体元件(例如LED元件)10、和设置在该光半导体元件10的周围且使来自光半导体元件10的光向规定方向反射的反射器12。而且，反射器12的光反射面的至少一部分(图1的情况为全部)由已述的本发明的反射器组合物的固化物制成。
光半导体元件10为具有将放出放射光(一般而言，在白色光LED中为UV或蓝色光)的、利用n型及p型的包覆层夹持由例如AlGaAs、AlGaInP、GaP或GaN制成的活性层的双异质结构的半导体芯片(发光体)，例如，形成一边的长度为0.5mm左右的六面体的形状。而且，在管芯键合安装的形态的情况下，通过引线16与未图示的电极(连接端子)连接。
需要说明的是，连接有光半导体元件10和引线16的上述电极利用由树脂等形成的绝缘部15保持电绝缘。
反射器12的形状根据透镜18的端部(接合部)的形状，通常为方形、圆形、椭圆形等筒状或轮状。在图1的概略剖面图中，反射器12为筒状体(轮状体)，反射器12的全部端面与基板14的表面接触、固定。
需要说明的是，为了提高来自光半导体元件10的光的指向性，反射器12的内面可以以锥形在上方扩展(参照图1)。
另外，在将透镜18侧的端部加工成与该透镜18的形状相应的形状的情况下，反射器12也可以作为透镜架起作用。
如图2所示，反射器12可以仅将光反射面侧设为由本发明的电子束固化性树脂组合物制成的光反射层12a。该情况下，从降低热电阻等观点出发，光反射层12a的厚度优选设为500μm以下，更优选设为300μm以下。形成光反射层12a的部件12b可以由公知的耐热性树脂制成。
如上所述，在反射器12上设置有透镜18，但其通常为树脂制，有时根据目的、用途等而采用各种结构并被着色。
由基板14、反射器12和透镜18形成的空间部既可以为透明密封部，也可以根据需要为空隙部。该空间部通常为填充有赋予透光性及绝缘性的材料等的透明密封部，在管芯键合安装中，通过与引线16直接接触而施加的力、及间接地施加的振动、冲击等，可以防止因引线16从与光半导体元件10的连接部和/或与电极的连接部偏离、或切断、或短路而导致的电连接不良。另外，可以同时保护光半导体元件10免受湿气、尘埃等影响，可以长时间保持可靠性。
作为赋予该透光性及绝缘性的材料(透明密封剂组合物)，通常可举出有机硅树脂、环氧有机硅树脂、环氧类树脂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚碳酸酯树脂等。其中，从耐热性、耐候性、低收缩性及耐变色性的观点出发，优选有机硅树脂。
以下，对图1所示的半导体发光装置的制造方法的一例进行说明。
首先，将上述本发明的反射材树脂组合物通过使用备有规定形状的空腔空间的模具的传递成形、压缩成形、注射成形等成形为规定形状的反射器12。其后，将另外准备的光半导体元件10、电极及引线16利用粘接剂或接合部件固定于基板14，进一步将反射器12固定于基板14上。接着，向由基板14及反射器12形成的凹部注入含有有机硅树脂等的透明密封剂组合物，通过加热、干燥等而固化，形成透明密封部。其后，在透明密封部上配设透镜18，得到图1所示的半导体发光装置。
需要说明的是，在透明密封剂组合物为未固化的状态下载置透镜18后，可以使组合物固化。另外，在各工序的任意阶段设置绝缘部15。
实施例
下面，通过实施例对本发明进一步详细地进行说明，但本发明并不受这些实例任何限定。
需要说明的是，本实施例1～16及比较例1～3中使用的材料如下所述。
(A)树脂
·树脂(1)
聚甲基戊烯树脂：TPX RT18(三井化学(株)制)
·树脂(2)
聚乙烯：ADMER SF731(三井化学(株)制)
·树脂(3)
聚丙烯：WF836DG3(住友化学(株)制)
·树脂(4)
环烯烃聚合物(COP)：降冰片烯聚合物ZEONOR 1600(日本Zeon(株)制)
·树脂(5)
氟树脂：RP4020(大近工业(株)制)
(B)交联处理剂
关于交联处理剂，如下所述。另外，关于下述交联处理剂的结构，示于下述表1及化学式。
·交联处理剂1
TAIC(三烯丙基异氰脲酸酯)日本化成社制
·交联处理剂2
MeDAIC(甲基二烯丙基异氰脲酸酯)四国化成社制
·交联处理剂3
DA-MGIC(二烯丙基单缩水甘油基异氰脲酸)四国化成社制
·交联处理剂4
MA-DGIC(单烯丙基二缩水甘油基异氰脲酸酯)四国化成社制
·交联处理剂5
TMAIC(三甲基烯丙基异氰脲酸酯)日本化成社制
[表1]
表1
表示表1中的结构的式(1)如下所述。
(C)白色颜料
氧化钛粒子：PF-691(石原产业(株)制金红石型结构平均粒径0.21μm)
(D)无机粒子
·玻璃纤维：PF70E-001(日东纺(株)制、纤维长70μm)
(E)添加剂
·硅烷偶联剂：KBM-3063(信越化学(株)制)
·脱模剂：SZ-2000(界化学(株)制)
·初级抗氧化剂：IRGANOX1010(BASF·日本(株)制)
·次级抗氧化剂：PEP-36(ADEKA(株)制)
[实施例1～16、比较例1～3]
如下述表2-1～表2-4所示，将各种材料进行配合、混炼，得到树脂组合物。
需要说明的是，就树脂组合物而言，配合各种材料，使用挤出机(日本placon(株)MAX30：模具直径3.0mm)和造粒机((株)东洋精机制作所MPETC1)而进行，得到树脂组合物。
对这些组合物，在250℃、30秒、20MPa的条件下以750mm×750mm×厚度0.2mm进行加压成形，制作成形体(1)。
另外，将上述得到的树脂组合物使用注射成形机SodickTR40ERSodick(预塑式)、在镀银框架(厚度：250μm)上以成为厚度：700μm、外形尺寸：35mm×35mm、开口部：2.9mm×2.9mm的方式进行成形，得到反射器用树脂框架成形体(2)。注射成形机条件设为：汽缸温度：260℃、模具温度：70℃、注射速度：200mm/秒、保压力：100MPa、保压时间：1秒、冷却时间：15秒。
对这些成形体(1)及(2)，在加速电压800kV下以400kGy的吸收线量照射电子束。评价下述这些各种特性。将结果示于下述表2-1～表2-4。
(评价1)
·熔体流动速率(MFR)的测定
树脂组合物的MFR利用按照JISK7210:1999热塑性塑料的MFR中记载的方法进行测定。具体而言，以试验温度280℃、试验荷重2.16kg、60秒进行。作为测定装置，使用CEAST社制熔体流动试验机。
(评价2)
·贮藏弹性模量
将成形体(1)的试样利用RSAIII(TAINSTRUMENTS制)、在测定温度25～400℃、升温速度5℃/min、Strain0.1％的条件下进行测定。将260℃下的贮藏弹性模量示于下述表2-1～表2-4。
(评价3)
·回流焊耐热性
将成形体(2)的试样在设定为表面温度265℃/320℃的电热板上加热20秒，由尺寸变化率(纵向的变化率和横向的变化率之和)评价变形的有无。将结果示于下述表2-1～表2-4。
(评价4)
·反射率(长期耐热)
将成形体(1)的试样在150℃下放置24小时、500小时之前和放置24小时、500小时之后，使用反射率测定装置MCPD-9800(大塚电子(株))测定波长230～780nm处的光反射率。表2-1～表2-4表示波长450nm的结果。
[表2]
表2-1
*“初期”是指在150℃下放置之前。以下同样。
[表3]
表2-2
[表4]
表2-3
[表5]
表2-4
由上述实施例的结果得知：通过含有烯烃树脂和规定的交联处理剂，相对于烯烃树脂100质量份配合高于15质量份且40质量份以下的该交联处理剂，可以制成即使在为成形体的情况下也能够发挥优异的耐热变形性的树脂组合物。
由以上内容，可以说本发明的树脂组合物对反射器或半导体发光装置用的反射材料是有用的。

Claims (13)

1.一种电子束固化性树脂组合物，其含有烯烃树脂、交联处理剂、白色颜料和所述白色颜料以外的无机粒子，
所述交联处理剂具有饱和或不饱和的环结构，形成至少1个环的原子中的至少1个原子与烯丙基、甲基烯丙基、隔着连接基团的烯丙基、及隔着连接基团的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基键合，
所述白色颜料和所述白色颜料以外的无机粒子的合计量相对于烯烃树脂100质量份为200～700质量份，
相对于烯烃树脂100质量份，所述白色颜料的含量为200质量份～500质量份，
相对于烯烃树脂100质量份，所述交联处理剂的配合量高于15质量份且为40质量份以下。
2.如权利要求1所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述交联处理剂的形成1个环的原子中的至少2个原子分别独立地与所述烯丙基类取代基键合。
3.如权利要求2所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述交联处理剂的环为6元环，形成该环的原子中的至少2个原子分别独立地与所述烯丙基类取代基键合，且相对于键合有1个烯丙基类取代基的原子，在间位的原子上键合其它烯丙基类取代基。
4.如权利要求1～3中任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述交联处理剂用下述式(1)表示，
式(1)中，R1～R3分别独立地为烯丙基、甲基烯丙基、隔着酯键的烯丙基、及隔着酯键的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基。
5.如权利要求1～3中任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述交联处理剂用下述式(2)表示，
式(2)中，R1～R3分别独立地为烯丙基、甲基烯丙基、隔着酯键的烯丙基、及隔着酯键的甲基烯丙基中的任一种烯丙基类取代基。
6.如权利要求1～3中任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其中，除所述白色颜料以外的无机粒子为二氧化硅粒子和/或玻璃纤维。
7.如权利要求1～3中任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述白色颜料的平均粒径以初级粒度分布计为0.10～0.50μm。
8.如权利要求1～3中任一项所述的电子束固化性树脂组合物，其中，所述烯烃树脂为聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、使降冰片烯衍生物开环易位聚合而成的树脂或使降冰片烯衍生物开环易位聚合而成的树脂的氢化物中的任一种。
9.一种反射器用树脂框架，其由权利要求1～8中任一项所述的电子束固化性树脂组合物的固化物制成。
10.如权利要求9所述的反射器用树脂框架，其厚度为0.1～3.0mm。
11.一种反射器，其由权利要求1～8中任一项所述的电子束固化性树脂组合物的固化物制成。
12.一种半导体发光装置，其在基板上具有光半导体元件、和设置于该光半导体元件周围且使来自该光半导体元件的光向规定方向反射的反射器，
所述反射器的光反射面的至少一部分由权利要求1～8中任一项所述的电子束固化性树脂组合物的固化物制成。
13.一种成形体的制造方法，该方法包括：
在注射温度200～400℃、模具温度20～150℃下，对权利要求1～8中任一项所述的电子束固化性树脂组合物进行注射成形的注射成形工序；
在注射成形工序之前或之后，实施电子束照射处理的电子束照射工序。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9112003B2 (en) 2011-12-09 2015-08-18 Asm International N.V. Selective formation of metallic films on metallic surfaces
TWI661072B (zh) 2014-02-04 2019-06-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沈積
US10047435B2 (en) 2014-04-16 2018-08-14 Asm Ip Holding B.V. Dual selective deposition
JP2016132759A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 大日本印刷株式会社 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム及び半導体発光装置
JP2016139798A (ja) * 2015-01-22 2016-08-04 大日本印刷株式会社 半導体発光装置、反射体形成用樹脂組成物及びリフレクター付きリードフレーム
US9490145B2 (en) 2015-02-23 2016-11-08 Asm Ip Holding B.V. Removal of surface passivation
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US10695794B2 (en) 2015-10-09 2020-06-30 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US11081342B2 (en) 2016-05-05 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition using hydrophobic precursors
US10373820B2 (en) 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
JP6655484B2 (ja) * 2016-06-28 2020-02-26 信越ポリマー株式会社 導電性高分子分散液及びその製造方法、並びに導電性フィルムの製造方法
US11430656B2 (en) 2016-11-29 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Deposition of oxide thin films
US10623846B2 (en) * 2016-12-06 2020-04-14 Bose Corporation Earpieces employing viscoelastic materials
JP7169072B2 (ja) 2017-02-14 2022-11-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US11501965B2 (en) 2017-05-05 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films
CN115233183A (zh) 2017-05-16 2022-10-25 Asm Ip 控股有限公司 电介质上氧化物的选择性peald
WO2020004082A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 キヤノン株式会社 反射防止塗料、反射防止膜が設けられた光学部材、光学機器および撮像装置
JP2020056104A (ja) 2018-10-02 2020-04-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US11965238B2 (en) 2019-04-12 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of metal oxides on metal surfaces
JPWO2021065620A1 (zh) * 2019-09-30 2021-04-08
US11139163B2 (en) 2019-10-31 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of SiOC thin films
JP7331662B2 (ja) * 2019-11-27 2023-08-23 住友電装株式会社 センサ装置
TW202140832A (zh) 2020-03-30 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積
TW202204658A (zh) 2020-03-30 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料
TW202140833A (zh) 2020-03-30 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206092A (en) * 1988-02-24 1993-04-27 Showa Denko K.K. Electron beam-curable composition for release material and process for preparation of release material
EP0704476A1 (en) * 1993-04-01 1996-04-03 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plastic foam material composed of a polyolefin based resin composition and method for making same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2513255C2 (de) * 1975-03-26 1982-10-14 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Stabile organische, schwundarm härtbare Dispersionen auf Basis ungesättigter Polyesterharze und thermoplastischer Polymerer
JPS5959712A (ja) * 1982-09-29 1984-04-05 Dainichi Nippon Cables Ltd ４−メチルペンテン−１重合体組成物
JPS61228045A (ja) * 1985-03-30 1986-10-11 Mitsubishi Cable Ind Ltd 樹脂組成物
JPH0218033A (ja) * 1988-07-07 1990-01-22 Mitsubishi Cable Ind Ltd ホース製造用マンドレルの製造方法
JP3775441B2 (ja) * 1995-12-27 2006-05-17 株式会社ブリヂストン 接着性を有する光散乱体
US6022550A (en) * 1996-09-18 2000-02-08 Daicel Chemical Industries, Ltd. Crosslinkable polymer composition, molded article therefrom, process for the preparation thereof, crosslinked nonwoven cloth, and process for the preparation thereof
JP3409648B2 (ja) * 1997-06-16 2003-05-26 東洋インキ製造株式会社 紫外線硬化型樹脂組成物
EP1621312A3 (en) * 2000-06-22 2009-09-30 Mitsui Chemicals, Inc. Thermoplastic resin foam product
EP1326905A2 (en) * 2000-10-18 2003-07-16 Ciba SC Holding AG Low chroma, dark photo-curable compositions
ATE541871T1 (de) * 2002-03-14 2012-02-15 Daikin Ind Ltd Härtbare fluorcopolymerzusammensetzung und gehärteter gegenstand
WO2011096477A1 (ja) * 2010-02-08 2011-08-11 日本化成株式会社 架橋性エラストマー用架橋剤およびその応用
CN102741235B (zh) * 2010-02-17 2015-09-09 日本化成株式会社 三嗪衍生物及其应用
WO2011102230A1 (ja) * 2010-02-17 2011-08-25 日本化成株式会社 架橋性エラストマー用架橋剤およびその応用
JP2012054313A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Dainippon Printing Co Ltd 放熱シートおよびその製造方法
JP5699329B2 (ja) * 2011-02-28 2015-04-08 大日本印刷株式会社 リフレクター用樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、及び半導体発光装置
CN104169359A (zh) * 2012-01-17 2014-11-26 大日本印刷株式会社 电子束固化性树脂组合物、反射器用树脂框架、反射器、半导体发光装置、及成形体的制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206092A (en) * 1988-02-24 1993-04-27 Showa Denko K.K. Electron beam-curable composition for release material and process for preparation of release material
EP0704476A1 (en) * 1993-04-01 1996-04-03 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plastic foam material composed of a polyolefin based resin composition and method for making same

Also Published As

Publication number Publication date
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