CN104769704A - 半导体晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

在晶片的加工方法中，在刚对晶片进行切片之后，同时对晶片的双面进行平坦化加工，所述晶片的加工方法将对使用线切割装置对半导体单晶锭进行切片而得到的晶片的一个面整个表面涂敷固化性材料后的平坦的表面作为基准面来对晶片的另一个面进行平面磨削，将平面磨削后的晶片的另一个面作为基准面来对晶片的一个面进行平面磨削。

Description

半导体晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片的加工方法，特别是对半导体晶片的表面进行平坦化的加工方法。再有，本国际申请基于在2013年2月19日申请的日本国专利申请第029719号（特愿2013–029719）要求优先权，并将特愿2013–029719的全部内容引用于本国际申请。
背景技术
历来，关于半导体晶片，为了利用照相制版来制作微小的图案，要求晶片的表面的平坦化。特别地，被称为“纳米形貌（nanotopography）”的表面波纹是具有波长λ=0.2~20mm的成分且PV值（Peak to Valley值：峰谷值）为0.1~0.2μm以下的波纹，最近，提出了用于通过减少该纳米形貌来使半导体晶片的平坦度提高的技术。作为这样的晶片的平坦化加工方法，公开了包含如下工序的加工方法（例如，专利文献1）：在将从锭切片后的晶片的第一面吸引保持在工作盘（chuck table ）的水平保持面上来对晶片的第二面进行磨削之后、将晶片的第二面吸引保持在上述水平保持面上来对晶片的第一面进行磨削的一次磨削工序；接着一次磨削工序用树脂覆盖晶片的第二面整个表面的树脂涂敷工序；以及接着该树脂涂敷工序将晶片的第二面作为基准面并吸引保持在上述水平保持面上来对晶片的第一面进行磨削而在除掉树脂之后、将晶片的第一面作为基准面来对晶片的第二面进行磨削的工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011–249652号公报（权利要求1、段落[0008]、[0028]、图2）。
发明内容
发明要解决的课题
在上述专利文献1所示的一次磨削工序中，为了除去切片时的变形成分，将晶片吸引保持在保持面上，由此，在精心制作了强制性地矫正在切片工序中产生的大的波纹后的平坦的基准面的状态下，进行非吸附面侧的晶片表面的磨削。因此，当在晶片弹性变形的状态下进行磨削并在磨削之后释放吸引保持时，未被施行磨削处理的吸附面侧的晶片表面的波纹回到吸附保持前的状态，该波纹被转印到通过磨削而被平坦化的非吸附面侧的晶片表面，结果，波纹的大部分残留在晶片表面。
以往，即使在晶片表面残留有波纹，由于之后为了除去波纹而在利用在树脂涂敷工序中涂敷于晶片表面的树脂来精心制造平坦的基准面的状态下进行磨削处理，所以，关于树脂涂敷工序前的晶片的表面状态，不被视为问题。然而，根据本发明者们的实验，认识到：即使进行在专利文献1中记载的那样的组合了树脂涂敷处理和磨削处理的处理（树脂粘贴磨削），在树脂涂敷工序前的晶片表面的波纹大的情况下，镜面研磨处理后的晶片表面的纳米形貌品质也不是充分的。
此外，在切片工序中利用线切割（wire saw）对单晶锭进行切片的情况下，通常一边向往返移动中的线（wire）列供给包含浮悬磨粒的浆（加工液）一边将半导体锭切断加工成多个半导体晶片，但是，如果使用在外周面固定有磨粒的固定磨粒线，则与使用浮悬磨粒的情况相比，能够高速地切断单晶锭。但是，认识到：在使用固定磨粒线的情况下，加工损害变大，在切断后的晶片表面产生的波纹也非常大，因此，存在纳米形貌更加恶化的问题。
本发明的目的在于，通过在二次磨削工序中对在一次磨削工序中波纹被减轻的晶片进行平面磨削来制造纳米形貌特性优越（值小）的半导体晶片。
用于解决课题的方案
本发明者们为了达成上述目的而进行专心讨论的结果是，认识到根据涂敷软质材料来进行平面磨削之前的晶片的表面状态（波纹的大小）而最终得到的半导体晶片的纳米形貌品质变化较大而完成了本发明。具体地，在于，在刚切片之后进行研磨、双端面磨削等不具有基准面的双面同时平坦化加工来预先缓和特定的波长区域（10~100mm）中的波纹成分之后涂敷软质材料来进行平面磨削，由此，除去切片波纹图案来改善晶片的纳米形貌的品质水平。
本发明的第一观点是，其中，设置了如下工序：切片工序，使用线切割装置对半导体单晶锭进行切片而得到薄圆板状的晶片；双面平坦化加工工序，同时对切片工序后的晶片的双面进行平坦化加工；涂敷层形成工序，对双面平坦化加工工序后的晶片的一个面整体涂敷固化性材料来形成平坦的涂敷层；第一平面磨削工序，以平坦化后的晶片的一个面抵接于磨削装置的台的基准面的方式将晶片载置于台，接着利用磨削装置对晶片的另一个面进行平面磨削；涂敷层除去工序，从晶片的一个面除去平面磨削工序后的涂敷层；以及第二平面磨削工序，以被除去涂敷层后的晶片的另一个面抵接于磨削装置的台的基准面的方式将晶片载置于台，接着利用磨削装置对晶片的一个面进行平面磨削。
本发明的第二观点是基于第一观点的发明，其中，线切割装置采用使用了固定磨粒线的切片方式。
本发明的第三观点是基于第一观点的发明，其中，在双面平坦化加工工序中采用双面研磨处理或者双端面磨削处理。
本发明的第四观点是基于第一观点的发明，所述涂敷层形成工序中的涂敷于所述晶片表面的涂敷层的厚度为10~40μm。
本发明的第五观点是基于第一观点的发明，在对双面平坦化加工工序后的所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围。
本发明的第六观点是基于第二观点的发明，在对双面平坦化加工工序后的所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围。
本发明的第七观点是基于第三观点的发明，在对双面平坦化加工工序后的所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围。
本发明的第八观点是基于第四观点的发明，在对双面平坦化加工工序后的所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围。
发明效果
根据本发明的半导体晶片的加工方法，通过同时对切片后的晶片的双面进行平坦化加工，从而能够尽可能地减少对纳米形貌品质赋予影响的波长范围的波纹，能够进行纳米形貌品质优越的半导体晶片的提供。
特别地，即使在使用用固定磨粒方式的线切割装置而被切断的波纹大的晶片的情况下，也能够尽可能地减少波纹，能够进行纳米形貌品质优越的半导体晶片的提供。
附图说明
图1是用于说明本发明的实施方式的晶片加工方法的概略工序的图。
图2是示出本发明的实施方式的从切片后的晶片到平面磨削后的晶片之间的晶片的状态和在各工序中使用的装置的一个例子的示意图。
图3是示出本发明的实施例的各工序中的晶片的状态的示意图。
图4是示出比较例1的各工序中的晶片的状态的示意图。
图5是实施例和比较例1、2的镜面研磨后的纳米形貌。
图6是示出实施例和比较例1、2的镜面研磨后的纳米形貌的图。
图7是示出实施例和比较例1、2的镜面研磨前的频率解析结果的图。
图8是示出实施例和比较例1、2的镜面研磨后的频率解析结果的图。
具体实施方式
接着基于附图来说明用于实施本发明的方式。
本发明是如图1（a）~（f）所示那样利用如下工序加工半导体晶片来对半导体晶片的表面进行平坦化的加工方法的改良：使用线切割装置对半导体单晶锭进行切片而得到薄圆板状的晶片的切片工序；同时对切片工序后的晶片的双面进行平坦化加工的双面平坦化加工工序；对双面平坦化加工工序后的晶片的一个面整体涂敷固化性材料来形成平坦的涂敷层的涂敷层形成工序；以平坦化后的晶片的一个面抵接于磨削装置的台的基准面的方式将晶片载置于台，接着利用磨削装置对晶片的另一个面进行平面磨削的第一平面磨削工序；从晶片的一个面除去平面磨削工序后的涂敷层的涂敷层除去工序；以及以被除去涂敷层后的晶片的另一个面抵接于磨削装置的台的基准面的方式将晶片载置于台，接着利用磨削装置对晶片的一个面进行平面磨削的第二平面磨削工序。再有，虽然未特别示出对半导体晶片的外缘上进行倒角的工序，但是，倒角的工序在从图1（a）之后到（f）之后的期间哪个工序之间进行都可。
本发明的具有特征的结构在于，如图1（a）~（c）所示那样在涂敷层形成工序之前设置有同时对切片工序后的晶片的两个表面进行平坦化加工的双面平坦化加工工序。通过在涂敷层形成工序之前施行不具有基准面的双面同时平坦化加工，从而同时除去晶片两个表面的凸部分，尽可能地减轻100mm以下的波长区域的波纹成分。由此，能够使晶片表面的纳米形貌特性提高起来，也能够减轻涂敷层形成工序中的涂敷于晶片表面的涂敷层的厚度。
参照图2详细地说明本发明的实施方式。在图2（a）中示出了刚切片之后的晶片200的状态。在切片中能够使用未图示的公知的多线切割（multi-wire saw）装置来从锭一次制造多个晶片200。在多线切割装置中，跨越设置有多个对线进行引导的槽的引导辊和用于使线旋转的辊而缠绕有多条极细钢线的线。是使辊高速旋转、将被切断物按压至在引导辊和辊之间露出的多条线来将被切断物切断成多个的装置。在线切割装置中，根据用于切断的磨粒的使用方法有固定磨粒方式和浮悬磨粒方式。在固定磨粒方式中，将通过蒸镀等使金刚石（diamond）磨粒等附着的钢线用作线。在浮悬磨粒方式中，一边对线浇上混合了磨粒和油剂的浆一边使用。关于固定磨粒方式，由于粘着有磨粒的线自身对被切断物进行切断，所以，切断时间短而生产率优越。此外，由于未使用浆，所以，不需要废弃混有切断后的切屑的浆，因此，对环境和善并且经济。在本发明中使用哪种方式都是可能的，但是，优选在环境方面、经济方面有利的固定磨粒方式。再有，在使用固定磨粒线切割的情况下，对晶片表面赋予的加工损害变大，在切断后的晶片表面产生的波纹也变大，因此，存在纳米形貌更加恶化的问题，但是，通过使用本发明的加工方法，从而能够制造纳米形貌特性优越（值小）的半导体晶片。
在图2（a）中示出通过固定磨粒线切割切断的刚切片之后的晶片200的状态。在切片后的晶片200中，由于线切割切断加工而产生加工变形（加工损害层）201、周期性波动那样的凹凸的波纹202、弯曲203。为了方便，将作为晶片200的弯曲203的凸面侧的图2（a）的上表面设为第一面204，将作为晶片200的弯曲203的凹面侧的图2（a）的下表面设为第二面205。
图2（b）是示出了在双面平坦化加工的研磨（lapping）中使用的研磨装置210的一个例子的图。设置在加工载体211的晶片200被研磨装置210的2个平台夹持，一边将包含磨粒的浆214供给到上平台212和下平台213之间并用上下平台进行加压一边使设置在上平台212的上部和下平台213的下部的轴215、216分别沿相反方向旋转，由此，利用浆214所包含的磨粒同时对第一面204和第二面205进行平坦化加工。
在研磨之后，将晶片200从平台取下，从加工载体211取下。
关于经过研磨工序（双面平坦化工序）的晶片200，之后通过平面磨削工序（第一平面磨削和第二平面磨削）再次对晶片200的双面进行平坦化，因此，关于研磨工序中的对晶片200的加工量（加工余量），不需要施行直到将在切片工序中产生的晶片200的加工变形201全部除去的平坦化加工，根据在后面叙述的实施例明显可知，只要以在对研磨后的晶片200的表面高度进行频率解析的情况下100mm以下的波长区域中的波纹的振幅成为1.0μm以下的方式来施行研磨处理即可。
再有，双面同时平坦化加工并不限定于上述的研磨处理。虽然未特别图示，但是，也可以使用将晶片200装配在加工载体211并用设置在该晶片200的上下的平面磨削的磨具同时对晶片200的两个表面进行磨削的公知的双端面磨削处理、在研磨装置210的上下的平台装配包含固定磨粒的垫而在使用或不使用浆214的情况下利用固定磨粒同时对晶片200的两个表面进行磨削的公知的固定磨粒研磨处理。
在图2（c）中示出在涂敷层形成工序中使用的保持、按压装置220的一个例子。首先，在保持、按压装置220的被高平坦化的平板222上落下成为涂敷层的固化性材料221。另一方面，关于晶片200，将晶片200的第一面204吸引保持在保持单元223的按压台224，使按压台224移动到下方来将晶片200的第二面205按压到固化性材料221。之后，解除按压台224的压力，以不对残留在晶片200的弯曲203、波纹202赋予弹性变形的状态在晶片200的第二面205使固化性材料221固化。利用该工序，与平板222接触的固化性材料221的面成为被高平坦化的面，能够将晶片200的第一面205作为磨削时的基准面225。
关于在晶片200涂敷固化性材料221的方法，在通过将晶片200的第二面205作为上表面而使固化性材料221落下到第二面205上并旋转晶片200而将固化性材料221扩散到第二面205整个表面的旋涂法或者在第二面205设置网版（screen）膜并将固化性材料221载于网版膜之上而用刮板（squeegee）塞入的网版印刷的方法、进而利用电喷射沉积（electric spray deposition）法对第二面205整个表面进行喷射的方法等进行涂敷之后将涂敷面接触、按压于被高平坦化的平板222上的方法之外，不限于上述方法，还能够应用利用固化性材料221对晶片200的一面进行高平坦化的方法。关于固化性材料221，由于加工后的容易剥离的方面优选热固化性树脂、热可逆性树脂、感光性树脂等软质材料。特别地，感光性树脂由于不施加由热造成的应力的方面也是优选的。在本实施例中，作为固化性材料221，使用利用UV固化的树脂。此外，作为其他的具体的固化性材料221的材质，可举出合成橡胶、粘着剂（蜡等）等。
关于涂敷于晶片200的固化性材料221的厚度，晶片200表面的凸部分越大（100mm以下的波长区域的波纹成分越大），则越必须使涂敷于晶片200的固化性材料221的厚度增大，已知通常设定在50~150μm的范围内，但是，固化性材料221是高价的，存在由于固化性材料221的使用量变多而招致制造成本的上升的问题。
在本发明中，由于在涂敷层形成工序之前施行不具有基准面的双面同时平坦化加工，所以，晶片200两个表面的凸部分被同时除去，100mm以下的波长区域的波纹成分被减轻。其结果是，能够降低涂敷于晶片200的固化性材料221的厚度，在本发明的情况下，能够将固化性材料221的厚度设定在10~40μm的范围内。再有，在固化性材料221的厚度不足10μm时，受到晶片200表面的凸部分的影响，纳米形貌品质恶化。
在图2（d）中示出在第一平面磨削工序中使用的平面磨削装置230的一个例子。首先，将在涂敷层平坦化工序中制作的固化性材料221的基准面225设置并吸引保持于平面磨削装置230的真空工作盘231的被高平坦化的基准面232。接着，在所设置的晶片200的上表面设置有将磨具233设置在一个面的平台234。接着，晶片200的第一面204与磨具233接触，平台234的上部的轴235和设置在真空工作盘231的下部的轴236进行旋转，磨具233与晶片200的第一面204的接触点旋转接触，由此，对晶片200的第一面204进行磨削来对第一面204进行高平坦化。
在图2（e）中示出涂敷层除去工序。从晶片200剥下在第一平面磨削工序中晶片200的第一面204被高平坦化的晶片200的第二面205所涂敷的固化性材料221。作为涂敷层的固化性材料221的除去也可以使用溶剂来化学性地除去。
在图2（f）中示出第二平面磨削工序的一个例子。平面磨削的装置是与在第一平面磨削工序中使用的平面磨削装置230相同的装置。将在第一平面磨削工序中被高平坦化的晶片200的第一面204作为基准面251，设置并吸引保持在真空工作盘231的被高平坦化的基准面232。与第一平面磨削工序同样地对晶片200的第二面205进行磨削直到被高平坦化。如图2（g）所示，晶片200的双面都被高平坦化。
实施例
接着，将本发明的实施例与比较例一起详细地说明。再有，关于用于实施例、比较例1、2的晶片200，使用用固定磨粒方式线切割装置在同一条件下从硅单晶锭切片的直径300mm的晶片200。
<实施例>
在图3中示出本发明的实施例。基于图3说明实施例的加工工序。通过对切片后的晶片200（图3（a））进行研磨来同时磨削晶片200的双面，减轻了波纹202（图3（b））。将UV固化性树脂321涂敷于波纹202被减轻后的晶片200的第二面205，将厚度35μm的固化后的树脂的面作为基准面225（图3（c））。将树脂的面作为基准面225来对被吸引保持的晶片200的第一面204进行平面磨削直到波纹202消失（直到虚线331的面）（图3（d））。接着，剥下树脂（图3（e）），将平面磨削后的晶片200的第一面204作为基准面251来对被吸引保持的晶片200的第二面205进行平面磨削直到虚线351的面（图3（f））。结束全部工序，得到了晶片的双面都被高平坦化的晶片200。将该晶片200作为实施例的晶片200（图3（g））。
<比较例1>
在图4中示出比较例1。基于附图说明比较例1的加工工序。将UV固化性树脂321涂敷于切片后的晶片200（图4（a））的第二面205，将厚度70μm的固化后的树脂的面作为基准面225（图4（b））。将树脂的面作为基准面225来对被吸引保持的晶片200的第一面204进行平面磨削直到虚线421的面（图4（c））。剥下树脂（图4（d）），将晶片200的第一面204作为基准面251来对被吸引保持的晶片200的第二面205进行平面磨削直到虚线451的面（图4（e））。将该状态的晶片200作为比较例1的晶片200（图4（f））。
<比较例2>
关于比较例2，将在实施例的图3（b）中示出的研磨后的晶片200作为比较例2的晶片200。
<评价试验1>
调查了在实施例和比较例1、2中得到的各晶片200的表面形状对在之后进行的镜面研磨处理后的晶片表面上的纳米形貌赋予怎样的影响。具体地，首先，针对在实施例和比较例1、2中得到的各晶片200的每一个使用双面研磨装置对各晶片的表面和背面施行同一条件的粗研磨处理来作为共同的镜面研磨处理，之后，使用单面研磨装置对各晶片表面施行同一条件的精加工研磨处理，制作各晶片200的表面被镜面研磨后的晶片。图5是使用光学干涉式的平坦度测定装置（KLA Tencor公司：Wafersight2）对镜面研磨后的各晶片表面测定各晶片表面的高度分布（高低差）的纳米形貌图，是在对镜面研磨处理后的各晶片的测定结果进行滤波处理来除去长波长成分之后用浓淡颜色对纳米形貌的测定结果进行图示化后的图。图5（d）是表示图5（a）~（c）所示的纳米形貌的高低差的图，越是浓的颜色高度越低，最浓的部分为从中心高度–20nm，越是淡的颜色高度越高，最淡的部分为从中心高度+20nm。从最低高度到最高高度的高低差为40nm。再有，纳米形貌的测定是固定晶片的外缘的任意的3点来测定的。因此，在纳米形貌图中，使晶片在非吸附状态下表示出表面的高低差。
在图5（a）中示出实施例的结果。为大致均匀的浓度，可知整个表面高低差少。其理由能够考虑到，即使在对晶片200的第一面204进行磨削而晶片200的第一面204成为高平坦面之后剥下树脂，也通过研磨来减轻波长范围100mm以下的特别是50mm以下的波纹202，因此，晶片200的第一面204维持高平坦面，即使将晶片200的第一面204作为基准面251而吸附而对晶片200的第二面205进行平面磨削，在对晶片200的第一面204进行吸附时也不对晶片200施加弹性变形，因此，在晶片200的第一面204的吸附释放后的晶片200的第二面205不产生波纹202。
在图5（b）中示出比较例1的结果。图5（b）的中央部分被若干平坦化，但是，残留有波纹202。其理由被考虑到，虽然在图4（c）中在刚对晶片200的第一面204进行平面磨削之后晶片200的第一面204被高平坦化，但是，施加到第一面204的由波纹202造成的应力消失而在剥下树脂之后与由残留在晶片200的第二面205的波纹202造成的应力的平衡瓦解，因此，第一面204发生变形。而且能够考虑到，当将晶片200的第一面204作为基准面251而吸附时，由于吸附对晶片200施加弹性变形，之后即使对第二面205进行平面磨削而成为被高平坦化的面，当从吸附释放晶片200时，晶片200的第一面204的由吸附造成的弹性变形被释放而在晶片200的第二面205出现波纹202。
在图5（c）中示出比较例2的结果。在整体残留有波纹202。
<评价试验2>
与评价试验1同样地调查各晶片200的表面形状对镜面研磨处理后的晶片表面的纳米形貌赋予怎样的影响。在本试验中，分别制造多个与实施例、比较例1、2相同条件的晶片200，针对该多个晶片200的每一个施行与评价试验1相同条件的镜面研磨处理（使用双面研磨装置的粗研磨处理+使用单面研磨装置的精加工研磨处理），制作各晶片200的表面被镜面研磨后的晶片。图6是使用光学干涉式的平坦度测定装置（KLA Tencor公司：Wafersight2）对镜面研磨后的各晶片表面测定各晶片表面的纳米形貌并表示在各个图表中的图。具体地，是对镜面研磨后的各晶片表面按照以直径2mm的圆形区域分割的每个位置（site）计算最大PV值而将在各位置的每一个计算的最大PV值中的最大的PV值作为代表值来绘图的图。
根据图6明显可知，在实施例中高低差为5.4~7.2nm的范围，在比较例1中为9.0~10.7nm的范围，在比较例2中为9.8~13.0nm的范围。实施例的晶片能够得到表面整体的纳米形貌为8nm以下的高平坦的面。
<评价试验3>
接着，对施行镜面研磨处理之前的各晶片200的表面高度进行频率解析，调查波纹成分的波长的振幅。在图7中示出其结果。
图7示出了使用静电电容方式的形状测定装置（股份有限公司KOBELCO科研：SBW）对在图3（a）中示出的切片后的晶片（A）、在图4（f）中示出的在切片后进行了树脂粘贴磨削（比较例1）的晶片（B）、在图3（b）中示出的研磨后（比较例2）的晶片（C）、以及在图3（g）中示出的在研磨后进行了树脂粘贴磨削（实施例）的晶片（D）的每一个进行晶片表面高度的频率解析后的结果。在解析方法中，在晶片表面高度测定数据中切掉短波长周期成分不足10mm、长波长周期成分超过100mm的波长带来进行带通滤波处理，求取10mm~100mm的波长范围中的波纹成分的波长的振幅。
根据图7明显可知，在切片后的晶片（A）中观察到最大1.7μm的振幅并且观察到超过1μm的振幅发生区域，与此对应地，在研磨处理后（比较例2）的晶片（C）中，即使最大也为0.4μm并且在全部100mm以下的波长范围中为1μm以下的振幅，可知能够利用研磨处理来大幅度降低振幅。此外，可知在研磨后进行了树脂粘贴磨削（实施例）的晶片（D）与在切片后进行了树脂粘贴磨削（比较例1）的晶片（B）相比，幅度进一步被降低。
<评价试验4>
接着，在针对各晶片200的每一个施行与在评价试验1中进行的镜面研磨处理同样的镜面研磨处理之后，对镜面研磨后的各晶片200的表面高度进行频率解析，调查波纹成分的波长的振幅。在图8中示出其结果。
图8示出了使用光学干涉式的形状测定装置（KLA Tencor公司：Wafersight2）对在图4（f）中示出的在切片后进行了树脂粘贴磨削（比较例1）的晶片（B）、在图3（b）中示出的研磨后（比较例2）的晶片（C）、以及在图3（g）中示出的在研磨后进行了树脂粘贴磨削（实施例）的晶片（D）的每一个进行镜面研磨后的晶片表面高度的频率解析后的结果。在解析方法中，在晶片表面高度测定数据中通过截止值20mm的高斯滤波处理切除波纹的长波长周期成分，对滤波后的晶片表面高度进行傅里叶变换，求取100mm以下的波长范围中的波纹成分的波长的振幅。
根据图8明显可知，在使用在研磨后进行了树脂粘贴磨削（实施例）的晶片（D）的情况下，在镜面研磨处理后的晶片表面的频率解析的结果中，10~100mm的波长范围的波纹的振幅极其良好到0.4nm以下，与此相对地，在使用在切片后进行了树脂粘贴磨削（比较例1）的晶片（B）的情况下观察到最大为1.7nm的振幅，在使用研磨处理后（比较例2）的晶片（C）的情况下观察到最大为2nm的振幅。
产业上的可利用性
本发明的半导体晶片的加工方法能够利用于对将硅、镓等锭切片后的晶片的表面进行平坦化的工序。
附图标记的说明
200 晶片
221 固化性材料
232 基准面。

Claims (8)

1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，包含：
切片工序，使用线切割装置对半导体单晶锭进行切片而得到薄圆板状的晶片；
双面平坦化加工工序，同时对所述切片工序后的所述晶片的双面进行平坦化加工；
涂敷层形成工序，对所述双面平坦化加工工序后的所述晶片的一个面整体涂敷固化性材料来形成平坦的涂敷层；
第一平面磨削工序，以所述平坦化后的晶片的一个面抵接于磨削装置的台的基准面的方式将所述晶片载置于所述台，接着利用所述磨削装置对所述晶片的另一个面进行平面磨削；
涂敷层除去工序，从所述晶片的一个面除去所述平面磨削工序后的所述涂敷层；以及
第二平面磨削工序，以被除去所述涂敷层后的所述晶片的另一个面抵接于所述磨削装置的台的基准面的方式将所述晶片载置于所述台，接着利用所述磨削装置对所述晶片的一个面进行平面磨削。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述线切割装置为使用了固定磨粒线的切片方式。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述双面平坦化加工工序是双面研磨处理或者双端面磨削处理。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述涂敷层形成工序中的涂敷于所述晶片表面的涂敷层的厚度为10~40μm。
5.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，在对所述双面平坦化加工工序后的所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围。
6.根据权利要求2所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，在对所述双面平坦化加工工序后的所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围。
7.根据权利要求3所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，在对所述双面平坦化加工工序后的所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围。
8.根据权利要求4所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，在对所述双面平坦化加工工序后的所述晶片的表面高度进行频率解析的情况下，100mm以下的波长区域中的波纹的振幅为1.0μm以下的范围。
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