JP6111893B2 - 半導体ウェーハの加工プロセス - Google Patents
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Description
本発明の実施例1−1、1−2に係る各工程でのウェーハの状態を図3に示す。図3を基に実施例の加工工程を説明する。スライス後のウェーハ200(図3(a)スライス工程)を第1の塗布層形成工程によってウェーハ200の第2面205にUV硬化性樹脂321を塗布し、硬化させた樹脂の面を基準面225aとした(図3(b)第1の塗布層形成工程)。塗布面を第2面205としたが、最初に、第1面204を塗布面としてもかまわない。塗布面を第1面204とした場合は、以下の文面で、第2面205と第1面204を入れ替えることとする。樹脂の面を基準面225aとして吸引保持したウェーハ200の第一面204を1回目の取代分として実施例1−1で30μm、実施例1−2で20μm(破線301の面)まで平面研削した(図3(c)第1の平面研削工程)。次に、樹脂を引き剥がし(図3(d)第1の塗布層除去工程)、平面研削したウェーハ200の第一面204を基準面225bとして吸引保持したウェーハ200の第二面205を2回目の取代分として実施例1−1で30μm、実施例1−2で20μm(破線302の面)まで平面研削した(図3(e)第2の平面研削工程)。以上を第1の樹脂貼り工程として、以下、第2の樹脂貼り工程として、第2の塗布層形成工程(図3(f))、第3の平面研削工程(3回目の取代分として実施例1−1で20μm、実施例1−2で15μm(図3(g)))、第2の塗布層除去工程(図3(h))、第4の平面研削工程(4回目の取代分として実施例1−1で20μm、実施例1−2で15μm(図3(i)))を繰り返し行った。先に示したように、第2の塗布層工程は、第1面204からでも第2面205からでもかまわない。全工程を終了し、ウェーハの両面ともに高平坦化されたウェーハ200が得られた。このウェーハ200を実施例1−1、1−2のウェーハ200とした(図3(i))。
比較例1に係る各工程でのウェーハの状態を図4に示す。比較例1は実施例1−1、1−2で行った第1の樹脂貼り工程のみを行ったものである。図3(a)から図3(f)は、第2の樹脂貼り工程を行わない以外、図4(a)から図4(f)に対応する。取代は、第1の平面研削工程で50μm、第2の平面研削工程で50μmとして研削した。この状態のウェーハ200を比較例1のウェーハ200とした(図4(f))。
比較例2に係る各工程でのウェーハの状態を図5に示す。比較例2は樹脂貼りを行わない平面研削をした後に樹脂貼り研削をしたものである。スライス後のウェーハ200(図5(a))の第1面204を平面研削し(図5(b))、第2面205を平面研削した(図5(c))。平面研削後に樹脂貼り研削を行った(図5(d)から図5(g))。なお、図5(d)から図5(g)による樹脂貼り研削は、実施例1−1、1−2の樹脂貼り研削の図3(f)から図3(i)に対応する。この状態のウェーハ200を比較例2のウェーハ200とした(図5(g))。
比較例3に係る各工程でのウェーハの状態を図6に示す。比較例3はラッピングをした後に樹脂貼りを行わない平面研削をしたものである。
実施例1−1、1−2と比較例1、2、3で得られた各ウェーハ200の表面形状が、その後に行われる鏡面研磨処理後のウェーハ表面におけるナノトポグラフィーにどのような影響を与えるのかを調査した。具体的には、まず、実施例1−1、1−2と比較例1、2、3で得られた各ウェーハ200それぞれに対して、共通の鏡面研磨処理として、両面研磨装置を用いて各ウェーハの表裏面に同一条件の粗研磨処理を施した後、片面研磨装置を用いて各ウェーハ表面に同一条件の仕上げ研磨処理を施して、各ウェーハ200の表面が鏡面研磨されたウェーハを作成した。図7は、鏡面研磨された各ウェーハ表面を光学干渉式の平坦度測定装置(KLA Tencor社:Wafersight2)を用いて各ウェーハ表面の高さ分布(高低差)を測定したナノトポグラフィーマップであり、鏡面研磨処理後の各ウェーハの測定結果をフィルタリング処理して長波長成分を除去した後、ナノトポグラフィーの測定結果を濃淡色で図示化したものである。図7に記載される高低差の図は、ナノトポグラフィーの高低差を表す図であって、濃い色になるほど高度が低く、一番濃い部分は中心高度から−20nmになり、薄い色になるほど高度は高く、一番薄い部分は中心高度から+20nmになっている。最低高度から最高高度までの高低差は40nmとなる。なお、ナノトポグラフィーの測定は、ウェーハの外縁の任意の3点を固定して測定した。従って、ナノトポグラフィーマップは、ウェーハを非吸着の状態での表面の高低差を表している。
評価試験1と同様に、各ウェーハ200の表面形状が鏡面研磨処理後のウェーハ表面のナノトポグラフィーにどのような影響を与えるのかを調査した。本試験では、実施例1−1、1−2、比較例1、2、3と同条件のウェーハ200をそれぞれ複数枚製造し、その複数のウェーハ200それぞれについて、評価試験1と同条件の鏡面研磨処理(両面研磨装置を用いた粗研磨処理+片面研磨装置を用いた仕上げ研磨処理)を施して、各ウェーハ200の表面が鏡面研磨されたウェーハ200を作成した。図8、9は、鏡面研磨された各ウェーハ200の表面を光学干渉式の平坦度測定装置(KLA Tencor社:Wafersight2)を用いて各ウェーハ200の表面のウィンドウサイズ10mmのナノトポグラフィーを測定し、個々のグラフに表したものである。
次に、鏡面研磨処理を施す前の各ウェーハ200の表面高さを周波数解析し、うねり成分の波長の振幅を調査した。その結果を図10、11に示す。
図10は直径300mmのウェーハ200であって、
図3(i)で示す樹脂貼り研削2回後のウェーハ200(実施例1−1)、
図4(f)で示す樹脂貼り研削1回後のウェーハ200(比較例1)、
図11は直径450mmのウェーハ200であって、
図3(i)で示す樹脂貼り研削2回後のウェーハ200(実施例1−1)、
図4(f)で示す樹脂貼り研削1回後のウェーハ200(比較例1)、
それぞれについて、静電容量方式の形状測定装置(株式会社コベルコ科研:SBW)を用いてウェーハ200の表面高さの周波数解析を行った結果を示している。解析方法は、ウェーハ200の表面高さ測定データに短波長周期成分10mm未満、長波長周期成分100mm超の波長帯域をカットオフしてバンドパスフィルタリング処理し、10mm〜100mmの波長領域におけるうねり成分の波長の振幅を求めた。
221 硬化性材料
232 基準面
Claims (4)
- 半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置を用いてスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程から得られたウェーハを研削する工程を含む半導体ウェーハの加工プロセスであって、
(i) 前記スライス工程後の前記ウェーハの一方の面全体に硬化性材料を塗布して平坦な塗布層を形成する塗布層形成工程と、
(ii) 前記平坦化したウェーハの一方の面が研削装置のテーブルの基準面に当接するように前記ウェーハを前記テーブルに載置し続いて前記研削装置により前記ウェーハの他方の面を平面研削する第1の平面研削工程と、
(iii) 前記第1の平面研削工程後の前記塗布層を前記ウェーハの一方の面から除去する塗布層除去工程と、
(iv) 前記塗布層が除去された前記ウェーハの他方の面が前記研削装置のテーブルの基準面に当接するように前記ウェーハを前記テーブルに載置し続いて前記研削装置により前記ウェーハの一方の面を平面研削する第2の平面研削工程と
を含み、
前記(i)の塗布層形成工程から前記(iv)の第2の平面研削工程までを繰り返し行い、
先に行われた前記硬化性材料が塗布されたウェーハ表面の研削工程での研削量が後に行われた前記硬化性材料が塗布されたウェーハ表面の研削工程での研削量と同じかより大きい研削量であることを特徴とする半導体ウェーハの加工プロセス。 - 先に行われた前記硬化性材料が塗布されたウェーハ表面の研削工程での研削量と後に行われた前記硬化性材料が塗布されたウェーハ表面の研削工程での研削量の合計を100とするときに先に行われた前記樹脂貼り研削工程での研削量が50〜80であって、後に行われた前記樹脂貼り研削工程での研削量が20〜50である請求項1記載の半導体ウェーハの加工プロセス。
- 前記ワイヤーソー装置が固定砥粒ワイヤーを用いたスライス方式である請求項1又は2記載の半導体ウェーハの加工プロセス。
- 前記半導体ウェーハの直径が300mm以上である請求項1ないし3いずれか1項に記載の半導体ウェーハの加工プロセス。
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