CN104221072A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够容易地进行密封物的检查的显示装置。本发明是具备第1和第2基板以及密封物的显示装置，第1基板包含：单片地形成在绝缘基板上的移位寄存器；以及多个总线，移位寄存器包含多级连接的多个单位电路，多个单位电路各自包含：时钟端子；输出端子；输出晶体管，其源极和漏极中的一方连接到时钟端子，另一方连接到输出端子；以及自举电容器，其第1端子连接到输出晶体管的栅极，第2端子连接到输出端子，自举电容器包含第1电极、第1电极上的绝缘层以及绝缘层上的第2电极，在第1电极中设置有第1切口部和/或第1开口部，在第2电极中设置有与第1切口部和/或第1开口部相对的第2切口部和/或第2开口部。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。更具体地，涉及具备移位寄存器的显示装置。
背景技术
有源矩阵型显示装置例如有源矩阵型液晶显示器通常是按行单位选择矩阵状排列的像素，向选出的像素写入与显示数据相应的电压，从而显示图像。为了按行单位选择像素，在栅极总线用的驱动电路(以下，也称为栅极驱动器。)内设置基于时钟信号按顺序切换输出信号(扫描信号)的移位寄存器。
栅极驱动器有时是使用用于形成像素内的薄膜晶体管(TFT)的制造工艺而与像素内的TFT同时形成的。例如，在使用非晶硅形成像素内的TFT的情况下，为了削减制造成本，优选栅极驱动器所包含的移位寄存器也是使用非晶硅形成的。这样，近来有时将栅极驱动器单片地形成在阵列基板上。
另外，近年来，作为向液晶显示器的液晶面板内填充液晶材料的方法，已开发出滴下注入法(ODF法)。通过滴下注入法，能够同时进行将2个基板贴合的工序和将液晶材料封入于2个基板之间的工序。
作为关于栅极驱动器的单片形成的技术，可举出以下技术。
已公开以下显示装置(例如，参照专利文献1。)，在该显示装置中，显示面板包括设置有多个栅极线和多个数据线的第1基板、与第1基板相对的第2基板以及将第1基板和第2基板结合的密封材料，栅极驱动部包括从外部接收多个信号的配线部和响应多个信号而输出驱动信号的电路部，在配线部中，为了将密封材料固化而设置有使通过第1基板的背面入射的光透射过的开口部。专利文献1记载了利用密封材料使第1基板和第2基板的结合力提高的技术。
已公开以下驱动单元(例如，参照专利文献2。)，该驱动单元包含电路部和配线部，电路部包括级联连接的多级，与多个控制信号相应地输出驱动信号，配线部包含从外部接收多个控制信号的输入的第1信号配线和第2信号配线、使第1信号配线连接到多级的第1连接配线以及使第2信号配线连接到多级的第2连接配线，第1信号配线、第1连接配线和第2连接配线配置于与第2信号配线不同的层。
已公开以下显示基板(例如，参照专利文献3。)，该显示基板包含栅极配线、驱动电路部、信号配线部、连接配线部以及接触部，栅极配线形成于显示区域，与源极配线交叉，驱动电路部形成于包围显示区域的周边区域，向栅极配线输出栅极信号，信号配线部与驱动电路部相邻地形成，在源极配线的延伸方向延伸，传递驱动信号，连接配线部包含重叠在信号配线部上的一端部和与驱动电路部电连接的另一端部，接触部形成在信号配线部上，将连接配线部的一端部与信号配线部电连接。
已公开以下驱动电路(例如，参照专利文献4。)，该驱动电路包括多个驱动级和虚拟级，多个驱动级通过使各级的输出端子连接到前级的控制端子而相互级联连接，向与形成在以矩阵方式排列的各个像素上的开关元件连接的多个驱动信号线依次输出开关元件驱动信号，虚拟级的虚拟输出端子分别连接到多个驱动级中的最后一级的控制端子和自身的虚拟控制端子。
已公开以下液晶显示装置(例如，参照专利文献5。)，在该液晶显示装置中，将现有的第1辅助电容干配线的宽度形成得较细，还新设第2辅助电容干配线并将其配置于最接近基板外缘部的位置。在专利文献5的第5实施方式和图13中记载了以下结构：在第2辅助电容干配线440和驱动信号供应干配线420中的宽度最大的直流电压VSS用配线420a中设置有狭缝状的开口部。
已公开以下TFT(例如，参照专利文献6。)，该TFT具备由第1和第2电容电极形成的第1电容、由第3和第4电容电极形成的第2电容、第1引出配线、连接到栅极电极的第2引出配线、第3引出配线、第4引出配线、第1配线以及第2配线。
已公开以下移位寄存器(例如，参照专利文献7。)，该移位寄存器是将单位电路多级连接而构成的移位寄存器，单位电路构成为包含：输出晶体管，其设置在时钟端子和输出端子之间，根据栅极电位来切换是否使时钟信号通过；以及1个以上的控制晶体管，其一方导通端子连接到输出端子的栅极，在输出晶体管为导通状态而时钟信号为高电平的期间，输出晶体管的栅极电位比时钟信号的高电平电位高，在控制晶体管中包含与输出晶体管相比沟道长度较长的晶体管。
已公开以下移位寄存器(例如，参照专利文献8。)，该移位寄存器是以具备多个移位寄存器级级联连接的构成的方式形成在基板上的移位寄存器，移位寄存器级具备第1晶体管，第1晶体管具备在与栅极电极相反的一侧在膜厚方向与2个源极/漏极电极的至少一方相对的电容电极，电容电极和与电容电极相对的源极/漏极电极之一与移位寄存器级的输出晶体管的控制电极电连接。
作为关于滴下注入法的技术，可举出以下技术。
已公开以下液晶显示面板(例如，参照专利文献9。)，该液晶显示面板具备：TFT基板；CF基板，其与TFT基板相对配置；密封材料，其被TFT基板和CF基板夹持，形成于两基板的周边部；以及液晶层，其介于TFT基板和CF基板之间，在该液晶显示面板中，CF基板在设置密封材料的周边部具有遮光层，遮光层与TFT基板的配线在重叠的区域具有间隙。
已公开以下液晶显示面板(例如，参照专利文献10。)，该液晶显示面板具备：相互相对配置的有源矩阵基板和相对基板；以及设置在两基板之间的液晶层，该液晶显示面板中规定有显示区域及其周围的非显示区域，在非显示区域中，在两基板之间具有宽度较小的线状部分和宽度比线状部分的宽度大的宽幅部分，设置有包括光固化性材料的框状的密封物部，在有源矩阵基板上图案化而形成有遮光性的显示用配线，在相对基板上设置有黑矩阵，该黑矩阵沿着密封物部的内周端形成，在与宽幅部分对应的位置具有切口部分。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2006-39524号公报
专利文献2：特开2006-79041号公报
专利文献3：特开2008-26865号公报
专利文献4：特表2005-522734号公报
专利文献5：国际公开2011/067963号
专利文献6：国际公开2009/150862号
专利文献7：国际公开2010/137197号
专利文献8：国际公开2011/135873号
专利文献9：国际公开2006/098475号
专利文献10：特开2007-65037号公报
发明内容
发明要解决的问题
在液晶显示器等显示装置的制造工序中，有时进行用于将相互相对的基板间密封的密封物的检查工序。更具体地说，有时使用放大镜，显微镜等观察设备检查密封物是否形成于合适之处、是否充分确保了密封物的宽度、密封物是否未间断、密封材料是否充分固化等。另外，在产品出厂后，在发生了显示的故障时，有时也会为了调查其原因而进行密封物的检查。此外，当密封物的宽度较细时，有时粘接强度不充分而无法确保可靠性。另外，当密封物露出到显示区域时，有时会在显示区域的端部发生显示异常。另外，当密封材料未充分固化时，在液晶显示器中，有时密封材料会渗出到液晶层，在显示区域的端部发生显示异常。
然而，在具备单片地形成在阵列基板上的移位寄存器的显示装置中，在边框区域变窄的情况下，有时无法容易地进行密封物的检查。以下，说明其原因。移位寄存器包含TFT等各种元件，其中，连接到总线的输出晶体管的尺寸较大。另外，移位寄存器通常包含连接到输出晶体管的自举电容器，该自举电容器的尺寸也较大。特别是，在使用非晶硅的情况下、在分辨率或者面板尺寸变大的情况下，输出晶体管和自举电容器的尺寸会变大。另外，这些TFT和电容器通常包含遮光性的电极，因此会作为遮光部件发挥功能。另外，在液晶显示器中，与阵列基板相对的相对基板一般具有黑矩阵(BM)，但在边框区域变窄的情况下，BM有时与边框区域中尤其是配置移位寄存器的区域相对地形成。因此，在边框区域变窄的情况下，有时密封物接近显示区域，配置在BM等遮光部件与输出晶体管及自举电容器之间。因此，有时从阵列基板侧和相对基板侧中的任一侧都无法容易地观察密封物的状态。
本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于，提供能够容易地进行密封物的检查的显示装置。
用于解决问题的方案
发明的发明人对能够容易地进行密封物的检查的显示装置进行了种种研究，关注于自举电容器的结构。并且发现，在自举电容器中设置透光部，更详细地说，将第1切口部和/或第1开口部形成于自举电容器的第1电极，将与第1切口部和/或第1开口部相对的第2切口部和/或第2开口部形成于自举电容器的第2电极，由此，即使在相对基板上配置有BM等遮光部件，也能够从阵列基板侧通过透光部确认密封物的状态，从而想到能够很好地解决上述问题，达到了本发明。
即，本发明的一方面是显示装置(以下，也称为“本发明所涉及的显示装置”。)，该显示装置具备第1基板、与上述第1基板相对的第2基板以及设置在上述第1基板和上述第2基板之间的密封物，上述第1基板包含：绝缘基板；单片地形成在上述绝缘基板上的移位寄存器；以及多个总线，上述移位寄存器包含多级连接的多个单位电路，上述多个单位电路各自包含：时钟端子，其被输入时钟信号；输出端子，其连接到对应的总线，将输出信号输出；晶体管(输出晶体管)，其源极和漏极中的一方连接到上述时钟端子，上述源极和上述漏极中的另一方连接到上述输出端子；以及电容器(自举电容器)，其第1端子连接到上述晶体管的栅极，第2端子连接到上述输出端子，上述电容器包含第1电极、上述第1电极上的绝缘层以及上述绝缘层上的第2电极，在上述多个单位电路中的至少一个中，在上述第1电极中设置有第1切口部和/或第1开口部，在上述第2电极中设置有与上述第1切口部和/或上述第1开口部相对的第2切口部和/或第2开口部。
作为本发明所涉及的显示装置的构成，只要是必须形成上述的构成要素即可，对其它构成要素没有特别限制。
以下，说明本发明所涉及的显示装置的优选实施方式。此外，以下的优选实施方式可以适当相互组合，将以下的2个以上的优选实施方式相互组合而得到的实施方式也是优选实施方式之一。
上述相对基板可以包含与上述移位寄存器相对的遮光部件，也可以不包含。在前一情况下，能够特别显著地起到能够容易地进行密封物的检查的效果。另外，在后一情况下，与自举电容器不设置透光部的情况相比更容易观察密封物，因此能够起到上述效果。
上述密封物可以包含具有光固化性的材料的固化物。由此，在制造工序中，能够通过透光部对具有光固化性的密封材料照射光，能够抑制密封材料产生未固化部。因此，能够将基板彼此更牢固地贴合。另外，在液晶显示器的情况下，能够抑制因未固化部的密封材料成分而导致的显示质量的下降。
上述材料可以还具有热固化性。这样，通过使用具有光固化性和热固化性的密封材料，即使是在仅进行光照射则密封材料会产生未固化部的情况下，也能够通过热处理使密封材料更可靠地固化。因此，能够将基板彼此非常牢固地贴合。另外，在液晶显示器的情况下，能够有效地抑制因未固化部的密封材料成分而导致的显示质量的下降。
也可以是上述晶体管配置在上述电容器与上述第1基板的显示区域之间的区域内，在上述晶体管上未配置上述密封物。由此，能够以与输出晶体管不重叠的方式容易地配置密封物。因此，能够更可靠地进行密封物的检查。另外，在使用具有光固化性的密封材料的情况下，能够更可靠地防止密封材料产生未固化部。
也可以是上述电容器配置在上述晶体管与上述第1基板的显示区域之间的区域内，上述晶体管被上述密封物覆盖，上述电容器的至少一部分配置在上述密封物之下。由此，即使在使用具有光固化性的密封材料而在输出晶体管上产生了密封材料的未固化部的情况下，也能够使其与显示区域侧相邻的部分充分固化。因此，能够抑制未固化部对显示区域带来不利影响。另外，与将输出晶体管配置在自举电容器和显示区域之间的区域内的情况相比，能够使密封物更接近显示区域，因此能够使边框区域进一步变窄。
也可以是上述电容器还包含上述第2电极上的第2绝缘层和上述第2绝缘层上的透明电极，上述透明电极连接到上述第1电极。由此，能够使自举电容器的容量变大，因此能够使边框区域进一步变窄。
上述总线的种类没有特别限制，但优选下述实施方式(A)～(C)。此外，上述多个总线通常共同连接到一行或者一列的像素电路。
在实施方式(A)中，上述第1基板包含设置在显示区域内的多个像素电路，上述多个像素电路各自包含像素用晶体管和连接到上述像素用晶体管的像素电极，上述多个总线与多个像素用晶体管的栅极各自对应地连接。该实施方式适于将本发明所涉及的显示装置应用于液晶显示器的情况。
在实施方式(B)中，上述第1基板包含设置在显示区域内的多个像素电路，上述多个像素电路各自包含像素用晶体管和连接到上述像素用晶体管的电致发光(EL)元件，上述多个总线与多个像素用晶体管的栅极各自对应地连接。该实施方式适于将本发明所涉及的显示装置应用于有机EL显示器的情况。
在实施方式(C)中，上述多个总线是多个第1总线，上述第1基板包含：设置在显示区域内的多个像素电路；以及多个数据总线，上述多个像素电路各自包含：第1像素用晶体管；连接到对应的数据总线的第2像素用晶体管；以及连接到上述第1像素用晶体管的电致发光(EL)元件，上述多个第1总线与多个第2像素用晶体管的栅极各自对应地连接。该实施方式适于将本发明所涉及的显示装置应用于有机EL显示器的情况。
上述晶体管可以包含氧化物半导体。
上述氧化物半导体可以包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)以及氧(O)。
发明效果
根据本发明，能够实现能够容易地进行密封物的检查的显示装置。
附图说明
图1是实施方式1的液晶显示器所包含的液晶面板的俯视示意图。
图2是图1的A-B线的截面示意图。
图3是实施方式1的液晶显示器所包含的液晶面板的俯视示意图。
图4是示出实施方式1的液晶显示器的构成的框图。
图5是示出实施方式1的移位寄存器的构成的框图。
图6是实施方式1的移位寄存器所包含的单位电路的电路图。
图7示出实施方式1的移位寄存器的时序图。
图8示出实施方式1的移位寄存器的时序图。
图9是示出实施方式1的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
图10是示出实施方式1的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
图11是图9的C-D线的截面示意图。
图12是图9的E-F线的截面示意图。
图13是示出实施方式1的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
图14是实施方式2的液晶显示器的自举电容器的俯视示意图。
图15是图14的J-K线的截面示意图。
图16是示出实施方式3的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
图17是实施方式1～7的液晶显示器的自举电容器的俯视示意图。
图18是实施方式1～7的液晶显示器的自举电容器的俯视示意图。
图19是实施方式1～7的液晶显示器的自举电容器的俯视示意图。
图20是示出实施方式8的有源矩阵型有机EL显示器所包含的单位像素(像素或者子像素)的电路构成的电路图。
图21是实施方式8的有源矩阵型有机EL显示器所包含的有机EL基板的俯视示意图。
图22是示出实施方式4的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
图23是图22的M-N线的截面示意图。
图24是示出实施方式5的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
图25是示出实施方式6的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
图26是图25的P-Q线的截面示意图。
图27是示出实施方式7的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
具体实施方式
以下，列举实施方式，参照附图更详细地说明本发明，但本发明不限于这些实施方式。
(实施方式1)
参照图1～13来说明实施方式1的液晶显示器。首先，参照图1～3来说明本实施方式的液晶显示器的整体的结构。图1是实施方式1的液晶显示器所包含的液晶面板的俯视示意图。图2是图1的A-B线的截面示意图。图3是实施方式1的液晶显示器所包含的液晶面板的俯视示意图。
本实施方式的液晶显示器是有源矩阵驱动方式且透射型的液晶显示器，具备：液晶面板1；背光源(未图示)，其配置在液晶面板1的后方；控制部(未图示)，其对液晶面板1和背光源单元进行驱动和控制；以及柔性基板(未图示)，其将液晶面板1连接到控制部。
液晶面板1包含显示图像的显示部2，在显示部2中，多个像素3矩阵状配置。此外，各像素3可以包括多种颜色(例如，红、绿以及蓝三色)的子像素，图3示出这一情况。另一方面，本实施方式的液晶显示器也可以是单色液晶显示器，在该情况下，不需要将各像素3分割为多个子像素。
液晶面板1具有：阵列基板(有源矩阵基板)10，其对应于上述第1基板；相对基板50，其对应于上述第2基板，与阵列基板10相对；设置在基板10、50之间的液晶层(显示用介质)61和密封物62；设置在阵列基板10的液晶层61侧的表面上的取向膜(未图示)；设置在相对基板50的液晶层61侧的表面上的取向膜(未图示)；以及安装在阵列基板10上的源极驱动器5。另外，液晶面板1、阵列基板10以及相对基板50包含对应于显示部2的区域(显示区域)7和显示区域7的周围的区域(边框区域)8。此外，源极驱动器5是后述的源极总线用的驱动电路。
密封物62以包围显示区域7的方式形成在边框区域8内。另外，密封物62将基板10、50相互粘接，并且将液晶层61密封于基板10、50之间。
阵列基板10设置在液晶显示器的背面侧，相对基板50设置在观察者侧。在各基板10、50的与液晶层61相反一侧的表面上贴附有偏振板(未图示)。这些偏振板通常是正交尼科尔配置。源极驱动器5利用COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)技术安装于阵列基板10的与相对基板50不相对的区域即从相对基板50露出的区域(以下，也称为伸出区域。)。
阵列基板10具有：单片地形成于显示区域7左右的栅极驱动器6a、6b；形成在伸出区域内的端子26、27、28、29、30；以纵贯显示区域7的方式设置的源极总线(数据信号线)12；以横贯显示区域7的方式设置的栅极总线(扫描信号线)13和共用总线17；分别形成在边框区域8内的引出线18、19；以包围显示区域7的方式形成在边框区域8内的配线(以下，也称为共用干配线。)16；以及形成在边框区域8内的输入配线25。栅极总线13包含连接到左侧的栅极驱动器6a的输出端子的栅极总线13和连接到右侧的栅极驱动器6b的输出端子的栅极总线13，它们交替地配置。栅极总线13相当于上述实施方式(A)中的总线。在设置有端子26、28、30的区域(图3中被粗的双点划线包围的区域)中安装有柔性基板。各源极总线12经由对应的引出线18和端子27连接到源极驱动器5的输出部。各种信号和电源电压从控制部经由柔性基板、端子28、输入配线25以及端子29输入到源极驱动器5的输入部。共用信号从控制部经由柔性基板和端子30输入到共用干配线16。此外，所谓共用信号，是共同施加到所有像素的信号。共用总线17在边框区域8内连接到共用干配线16，共用信号从共用干配线16施加到共用总线17。
各种信号和电源电压从控制部经由柔性基板、端子26以及引出线19供应到栅极驱动器6a、6b。详细情况后述。栅极驱动器6a、6b可以包括称为栅极单片、无栅极驱动器、面板内置栅极驱动器、面板内栅极、栅极导通阵列等的所有栅极驱动器。此外，也可以不是设置2个栅极驱动器6a、6b，而是改为仅设置发挥与2个栅极驱动器6a、6b同样的功能的1个栅极驱动器。
相对基板50具有：玻璃基板等透明的绝缘基板51；作为遮光部件发挥功能的黑矩阵(BM)52；以及多个柱状的间隔物(未图示)。BM52以将边框区域8和与总线相对的区域遮光的方式形成。此外，在图2中，在显示区域7内省略了BM52的图示。在各像素3包括多种颜色的子像素的情况下，相对基板50可以具有多种颜色的彩色滤光片(未图示)。各彩色滤光片设置在显示区域7内，以覆盖被BM52划分出的区域即BM52的开口的方式形成。相对基板50可以具有保护涂层膜，保护涂层膜可以覆盖所有的彩色滤光片。柱状的间隔物配置在BM52上的遮光区域内。
此外，本实施方式的液晶显示器的液晶模式没有特别限制。在TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式等利用纵电场的液晶模式的情况下，相对基板50具有被施加共用信号的相对电极，阵列基板10具有连接到共用干配线16的共用转移用电极14，两电极经由导通部件相互连接。作为导通部件，例如可举出混入于密封物62而涂布有金等金属的树脂、碳糊等。
接着，参照图4～8来说明本实施方式的液晶显示器的电路构成和动作。图4是示出实施方式1的液晶显示器的构成的框图。图5是示出实施方式1的移位寄存器的构成的框图。图6是实施方式1的移位寄存器所包含的单位电路的电路图。图7和8示出实施方式1的移位寄存器的时序图。
如图4所示，本实施方式的液晶显示器具备：像素阵列71；设置在控制部内的显示控制电路72；源极驱动器5；以及栅极驱动器6a、6b。
像素阵列71包含：对应于上述栅极总线13的n条栅极总线G1～Gn；对应于上述源极总线12的m条源极总线S1～Sm；以及分别形成于上述像素3的(m×n)个像素电路Pij。n和m为2以上的整数，i为1以上n以下的整数，j为1以上m以下的整数。栅极总线G1～Gn相互平行地配置，源极总线S1～Sm以与栅极总线G1～Gn正交的方式相互平行地配置。在栅极总线Gi与源极总线Sj的交点附近配置有像素电路Pij。这样，(m×n)个像素电路Pij在行方向配置有m个，在列方向配置有n个，从而配置为二维状。栅极总线Gi共同连接到配置于第i行的像素电路Pij，源极总线Sj共同连接到配置于第j列的像素电路Pij。另外，在像素电路Pij中各自设置有：作为开关元件的像素用TFT4；以及像素电极9，TFT4的栅极连接到栅极总线Gi，TFT4的漏极和源极中的一方连接到源极总线Sj，另一方连接到像素电极9。
在本实施方式的液晶显示器中，从其外部供应水平同步信号HSYNC、垂直同步信号VSYNC等控制信号和图像信号DAT。显示控制电路72基于这些信号，对栅极驱动器6a输出时钟信号CK1、CK2和起始脉冲SP1，对栅极驱动器6b输出时钟信号CK3、CK4和起始脉冲SP2，对源极驱动器5输出控制信号SC和数字视频信号DV。
栅极驱动器6a包含移位寄存器73a，移位寄存器73a包含多级连接的多个单位电路SR1、SR3、···、SRn-1。单位电路SR1、SR3、···、SRn-1连接到奇数编号的栅极总线G1、G3、···、Gn-1。
栅极驱动器6b包含移位寄存器73b，移位寄存器73b包含多级连接的多个单位电路SR2、SR4、···、SRn。单位电路SR2、SR4、···、SRn连接到偶数编号的栅极总线G2、G4、···、Gn。
移位寄存器73a、73b将输出信号SROUT1～SROUTn逐个地依次控制为高电平(表示选择状态)。输出信号SROUT1～SROUTn分别提供给栅极总线G1～Gn。由此，栅极总线G1～Gn逐一地依次被选择，1行的像素电路Pij统一被选择。即，1行的像素电路Pij的像素用TFT4成为导通状态。
源极驱动器5基于控制信号SC和数字视频信号DV，对源极总线S1～Sm施加与数字视频信号DV相应的电压。由此，将与数字视频信号DV相应的电压写入(施加)到被选出的1行像素电路Pij。这样，本实施方式的液晶显示器显示图像。
如图5所示，各单位电路SR1～SRn具有：输入端子Ina、INb；时钟端子CKA、CKB；电源端子VSS；以及输出端子OUT。
起始脉冲SP1、结束脉冲EP1、两相的时钟信号CK1、CK2以及低电平电位VSS(方便起见，标注了与电源端子相同的附图标记。)供应到移位寄存器73a。起始脉冲SP1输入到移位寄存器73a内第一级的单位电路SR1的输入端子INa。结束脉冲EP1输入到移位寄存器73a内最后一级的单位电路SRn-1的输入端子INb。时钟信号CK1输入到移位寄存器73a内第奇数级的单位电路的时钟端子CKA和移位寄存器73a内第偶数级的单位电路的时钟端子CKB。时钟信号CK2输入到移位寄存器73a内第偶数级的单位电路的时钟端子CKA和移位寄存器73a内第奇数级的单位电路10的时钟端子CKB。低电平电位VSS输入到移位寄存器73a内的所有的单位电路的电源端子VSS。从单位电路SR1、SR3、···、SRn-1的输出端子OUT分别输出输出信号SROUT1、SROUT3、···、SROUTn-1，输出信号SROUT1、SROUT3、···、SROUTn-1分别输出到栅极总线G1、G3、···、Gn-1。另外，各输出信号输入到二级后(当在移位寄存器73a内考虑时为一级后)的单位电路的输入端子Ina和四级前(当在移位寄存器73a内考虑时为二级前)的单位电路的输入端子INb。
起始脉冲SP2、结束脉冲EP2、两相的时钟信号CK3、CK4以及低电平电位VSS供应到移位寄存器73b。起始脉冲SP2输入到移位寄存器73b内第一级的单位电路SR2的输入端子INa。结束脉冲EP2输入到移位寄存器73b内最后一级的单位电路SRn的输入端子INb。时钟信号CK3输入到移位寄存器73b内第奇数级的单位电路的时钟端子CKA和移位寄存器73b内第偶数级的单位电路的时钟端子CKB。时钟信号CK4输入到移位寄存器73b内第偶数级的单位电路的时钟端子CKA和移位寄存器73b内第奇数级的单位电路10的时钟端子CKB。低电平电位VSS输入到移位寄存器73b内的所有的单位电路的电源端子VSS。从单位电路SR2、SR4、···、SRn的输出端子OUT分别输出输出信号SROUT2、SROUT4、···、SROUTn，输出信号SROUT2、SROUT4、···、SROUTn分别输出到栅极总线G2、G4、···、Gn。另外，各输出信号输入到二级后(当在移位寄存器73b内考虑时为一级后)的单位电路的输入端子Ina和四级前(当在移位寄存器73b内考虑时为二级前)的单位电路的输入端子INb。
此外，从使n沟道型TFT可靠地成为截止状态的观点出发，优选低电平电位VSS是负的电位，但在将p沟道型TFT用作像素用TFT4的情况下，也可以是正的电位。
如图6所示，各单位电路包含：作为n沟道型TFT的晶体管Tr1～Tr4；以及电容器(以下，也称为自举电容器。)CAP。以下，还将晶体管Tr1称为输出晶体管Tr1。
输出晶体管Tr1的漏极连接到时钟端子CKA，源极连接到输出端子OUT。晶体管Tr2的漏极和栅极连接到输入端子INa，源极连接到输出晶体管Tr1的栅极。自举电容器CAP设置在输出晶体管Tr1的栅极和源极之间，第1端子连接到输出晶体管Tr1的栅极，第2端子连接到输出端子OUT。晶体管Tr3的漏极连接到输出端子OUT，栅极连接到时钟端子CKB，源极连接到电源端子VSS。晶体管Tr4的漏极连接到输出晶体管Tr1的栅极，栅极连接到输入端子INb，源极连接到电源端子VSS。
输出晶体管Tr1设置在时钟端子CKA与输出端子OUT之间，作为根据栅极电位切换是否使时钟信号通过的晶体管(传输门)发挥功能。另外，输出晶体管Tr1的栅极与输出端子OUT侧的导通端子(源极)进行电容耦合。因此，如后所述，在输出晶体管Tr1为导通状态而输入到时钟端子CKA的时钟信号CK1或者CK3(以下，也称为时钟信号CKA。)成为高电平的期间，输出晶体管Tr1的栅极电位比时钟信号CKA的高电平电位高。以下，将输出晶体管Tr1的栅极所连接的节点称为netA。
图7和8示出移位寄存器73a、73b的时序图。图7图示出各移位寄存器内第奇数级的单位电路的输入输出信号和节点netA的电压变化。
如图5所示，在各移位寄存器内第奇数级的单位电路中，经由时钟端子CKA输入时钟信号CK1或者CK3，经由时钟端子CKB输入时钟信号CK2或者CK4。如图8所示，各时钟信号CK1～CK4的电位为高电平的期间与1/2周期大致相同。时钟信号CK2是使时钟信号CK1延迟了1/2周期的信号，时钟信号CK3是使时钟信号CK1延迟了1/4周期的信号，时钟信号CK4是使时钟信号CK2延迟了1/4周期的信号。
起始脉冲SP1和SP2分别在移位动作开始前仅在与时钟信号CK2和CK4的电位为高电平的期间相同的长度的时间内成为高电平。结束脉冲EP1和EP2(图7和8中未图示)分别在移位动作结束后仅在与时钟信号CK2和CK4的电位为高电平的期间相同的长度的时间内成为高电平。
参照图7来说明各移位寄存器内第奇数级的单位电路的动作。
首先，当输入到输入端子Ina的信号(起始脉冲SP1、SP2或者二级前(当在各移位寄存器内考虑时为一级前)的单位电路的输出信号。以下，也称为输入信号INa。)从低电平变为高电平时，经由连接成二极管的晶体管Tr2，节点netA的电位也变为高电平，输出晶体管Tr1成为导通状态。
接着，当输入信号INa变为低电平时，晶体管Tr2成为截止状态，节点netA成为浮动状态，但输出晶体管Tr1保持导通状态。
接着，当时钟信号CKA(时钟信号CK1或者CK3)从低电平变为高电平时，自举电容器CAP被充电，利用自举效应，节点netA的电位上升至时钟信号CKA的振幅Vck(＝(高电平电位VGH)-(低电平电位VGL))的2倍程度。由于输出晶体管Tr1的栅极电位足够高，因此，输出晶体管Tr1的源极/漏极间的电阻变小，时钟信号CKA会无电压降地通过输出晶体管Tr1。
在时钟信号CKA为高电平的期间，节点netA的电位为Vck的2倍程度，输出信号SROUT为高电平。
接着，当时钟信号CKA变为低电平时，节点netA的电位成为高电平。同时，输入到时钟端子CKB的时钟信号CK2或者CK4(以下，也称为时钟信号CKB。)变为高电平，从而晶体管Tr3成为导通状态，低电平电位VSS施加到输出端子OUT。结果是，输出信号SROUT成为低电平。
接着，当输入到输入端子INb的信号(结束脉冲EP1、EP2或者四级后(当在各移位寄存器内考虑时为二级后)的单位电路的输出信号。以下，也称为输入信号INb。)从低电平变为高电平时，晶体管Tr4成为导通状态。当晶体管Tr4成为导通状态时，低电平电位VSS施加到节点netA，节点netA的电位变为低电平，输出晶体管Tr1成为截止状态。
接着，当输入信号INb变为低电平时，晶体管Tr4成为截止状态。此时，节点netA成为浮动状态，但输出晶体管Tr1保持截止状态。在到输入信号Ina成为下一高电平为止，理想的是，输出晶体管Tr1保持截止状态，输出信号SROUT保持低电平。
然后，晶体管Tr3在时钟信号CKB为高电平时成为导通状态。因此，每当时钟信号CKB成为高电平时，低电平电位VSS施加到输出端子OUT。这样，晶体管Tr3具有将输出端子OUT反复设定为低电平电位VSS，使输出信号SROUT稳定化的功能。
第偶数级的单位电路也是与第奇数级的单位电路同样地进行动作。
以上的结果是，如图8所示，栅极脉冲依次输出到栅极总线G1、G2、G3、···。
接着，参照图9～13来说明本实施方式的液晶显示器的边框区域的构成。图9、10以及13是示出实施方式1的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。图11是图9的C-D线的截面示意图。图12是图9的E-F线的截面示意图。
如图9所示，在各栅极驱动器内设置有在与上述的栅极总线13正交的方向延伸的配线组78。配线组78包含：被设定为低电平电位VSS的配线74；传输时钟信号CK1或者CK3的配线75；以及传输时钟信号CK2或者CK4的配线76。在各配线内形成有狭缝状的开口部。
各移位寄存器73a、73b设置在配线组78和显示区域之间的区域内，输出晶体管Tr1和自举电容器CAP相互相邻地配置。晶体管Tr2～Tr4相互相邻地配置。配置有晶体管Tr2～Tr4的区域(以下，也称为控制元件区域。)77位于配线组78和自举电容器CAP之间。
如图10所示，密封物62形成在被粗的虚线夹着的带状的区域(以下，也称为密封物涂布区域。)63内，密封物涂布区域63的一个边缘设定在配线组78与阵列基板10的边缘10a之间，另一边缘设定在自举电容器CAP和输出晶体管Tr1之间。
各晶体管Tr1～Tr4是底栅型薄膜晶体管，其中，输出晶体管Tr1的尺寸较大，具有梳齿状的源极/漏极结构。由此，确保了较大的例如数十μm～数百mm程度的沟道宽度。
如图11所示，阵列基板10包含玻璃基板等透明的绝缘基板11，输出晶体管Tr1具有：绝缘基板11上的栅极电极41；栅极电极41上的栅极绝缘膜42；栅极绝缘膜42上的i层(半导体活性层)43；i层43上的n+层44；以及分别设置在n+层44上的源极电极45和漏极电极46。源极电极45和漏极电极46各自具有多个梳齿部，源极电极45和漏极电极46以梳齿部相互啮合的方式相对配置。
如图12所示，自举电容器CAP具有：绝缘基板11上的第1电极31；设置在第1电极31上而与输出晶体管Tr1共用的栅极绝缘膜42；以及栅极绝缘膜42上的第2电极32。第1电极31连接到第1端子、输出晶体管Tr1的栅极(栅极电极41)以及节点netA，第2电极32连接到第2端子、输出晶体管Tr1的源极(源极电极45)以及输出端子OUT。
栅极电极41和第1电极31由包含钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、它们的合金等材料的相同导电膜形成。栅极电极41和第1电极31也可以由这些导电膜的层叠膜形成。栅极绝缘膜42由包含氮化硅、氧化硅等无机绝缘材料的透明的绝缘膜形成。栅极绝缘膜42也可以使用这些绝缘膜的层叠膜形成。i层(半导体活性层)43由非晶硅形成，n+层44由含有杂质(例如磷)的非晶硅形成。源极电极45、漏极电极46以及第2电极32由包含Mo、Ti、Al、Cu、它们的合金等材料的相同导电膜形成。源极电极45、漏极电极46以及第2电极32也可以由这些导电膜的层叠膜形成。
在源极电极45、漏极电极46以及第2电极32上形成有作为钝化膜发挥功能的透明的绝缘膜47。绝缘膜47由氮化硅膜、氧化硅膜等无机绝缘膜形成。此外，绝缘膜47也可以使用这些无机绝缘膜的层叠膜形成。在绝缘膜47上形成有作为平坦化膜发挥功能的透明的绝缘膜48。绝缘膜48由有机绝缘膜形成。作为有机绝缘膜的材料，可举出感光性丙烯酸树脂等感光性树脂。
此外，晶体管Tr2～Tr4与输出晶体管Tr1仅在平面结构上不同，它们的截面结构与输出晶体管Tr1的截面结构是同样的。另外，在各图中，附带斜线的部件与栅极电极41和第1电极31是由相同导电膜形成的，附带点状图案的部件与源极电极45、漏极电极46以及第2电极32是由相同导电膜形成的。而且，在各图中，配置在附带斜线的部件与附带点状图案的部件相互重叠的区域内的涂白的四边形的区域表示用于将两部件相互连接的接触孔。
另外，像素用TFT4与晶体管Tr1～Tr4同样地是底栅型薄膜晶体管，经过相同工序与晶体管Tr1～Tr4一起形成。
本实施方式的一大特征点是，在自举电容器CAP内设置有透光部(光透射部)。更详细地说，在第1电极31中至少形成有一个开口部，在第2电极32中与该开口部对应地至少形成有一个开口部。例如，如图9所示，在第1电极31中形成有相互平行的狭缝状的多个开口部31a，在第2电极32中与开口部31a对应地形成有狭缝状的多个开口部32a。开口部32a相互平行地配置，各开口部32a与对应的开口部31a相对。因此，能够使光透射过这些开口部。
因此，在本实施方式中，能够通过自举电容器CAP的透光部容易地确认密封物62是否形成于合适之处、密封物62是否已可靠地固化等密封物62的状态。如上所述，与阵列基板10的边框区域8、尤其是配置移位寄存器73a、73b的晶体管的区域相对地配置BM52。因此，从相对基板50侧检查密封物62的状态是困难的，通常无法检查。而另一方面，根据本实施方式，能够从阵列基板10侧容易地检查密封物62的状态。
接着，说明本实施方式的液晶显示器的制造方法。
本实施方式的液晶显示器能够利用一般的方法来制造，更详细地说，首先，利用通常的方法分别制作阵列基板10和相对基板50。
接着，进行基板贴合工序和液晶注入工序。在这些工序中，一般利用滴下注入法(ODF法)或者真空注入法。
在利用滴下注入法的情况下，如下所示。
首先，利用丝网印刷法、分配器描画法等方法，对阵列基板10和相对基板50中的任一方涂布固化前的密封物的材料(在本说明书中也称为密封材料。)。密封材料涂布为闭合的环状。另外，将液晶材料滴下到涂布密封材料后的基板或者未涂布密封材料的基板上。
在利用滴下注入法的情况下，密封材料的种类没有特别限制，能够使用一般的密封材料，例如可举出不具有光固化性但具有热固化性的密封材料(以下，也称为热固化型密封材料。)、不具有热固化性但具有光固化性(例如紫外线固化性)的密封材料(以下，也称为光固化型密封材料。)、具有光固化性(例如紫外线固化性)和热固化性的密封材料(以下，也称为光/热并用型密封材料。)。其中，优选光固化型密封材料和光/热并用型密封材料。密封材料一般包含丙烯酸树脂和/或环氧树脂。作为光/热并用型密封材料的具体例子，例如可举出以环氧丙烯酸类树脂为主成分的富特勒克(PHOTOLEC)S系列(积水化学工业公司制造)。
接着，在真空中将阵列基板10与相对基板50贴合。从使边框区域8变窄的观点出发，密封材料位于与BM52重叠之处。最后，进行光照射和/或热处理使密封材料固化。在使用光/热并用型密封材料的情况下，首先，从阵列基板10侧照射光。这是由于，在相对基板50上形成有BM52。然后，进行热处理使密封材料正式固化。光照射和热处理的条件能够按照密封材料的特性适当设定，在使用富特勒克S系列的情况下，例如照射10J程度的紫外线，以120℃进行60分钟热处理。
在利用真空注入法的情况下，如下所示。
首先，利用丝网印刷法、分配器描画法等方法，对阵列基板10和相对基板50中的任一方涂布密封材料。密封材料除了形成液晶注入口的区域以外，涂布为环状。
在利用真空注入法的情况下，密封材料的种类没有特别限制，能够使用一般的密封材料，例如可举出热固化型密封材料、光固化型密封材料、光/热并用型密封材料。其中，优选热固化型密封材料。
接着，将阵列基板10与相对基板50贴合。从使边框区域8变窄的观点出发，密封材料位于与BM52重叠之处。接着，进行光照射和/或热处理使密封材料固化。此时，在未涂布密封材料的部分形成作为开口部的液晶注入口。接着，在真空中将液晶注入口浸泡于液晶材料中，其后，返回到大气压下通过液晶注入口将液晶材料注入到阵列基板10和相对基板50之间。最后，将液晶注入口密封。
一般来说，当液晶面板的边框区域变窄时，密封物涂布区域会接近显示区域，有时在移位寄存器上也形成密封物。另外，连接到栅极总线的输出晶体管和自举电容器的尺寸较大。因此，当在该输出晶体管和自举电容器上涂布光固化型密封材料或者光/热并用型密封材料时，有可能由于光被输出晶体管和电容器遮住而使得密封物产生未固化部。当产生未固化部时，阵列基板和相对基板之间的结合力(粘接强度)会下降。另外，有可能未固化部的密封材料成分扩散到显示区域，而使得显示质量下降。即，在显示区域的端部，发生显示异常的可能性变高。
另一方面，在本实施方式中，使输出晶体管Tr1尽可能远离密封物62而尽可能接近显示区域7。相反地，使自举电容器CAP尽可能远离显示区域7而尽可能接近密封物62。因此，自举电容器CAP配置在离显示区域7较远之处(离阵列基板10的边缘10a较近之处)，输出晶体管Tr1配置在离显示区域7较近之处。另外，输出晶体管Tr1配置在自举电容器CAP的显示区域7侧，配置在自举电容器CAP和显示区域7之间的区域内。而且，如上所述，自举电容器CAP设置有透光部。据此，能够使光固化型密封材料或者光/热并用型密封材料可靠地固化。其结果是，能够抑制基板间的结合力的下降和因未固化部的密封材料成分向显示区域的扩散而导致的显示质量的下降，而且，能够使边框区域8变窄。
此外，也可以考虑对输出晶体管Tr1设置透光部或将输出晶体管Tr1分割为多个部分，但从透光部绕入的光会导致截止漏电流增加等，从TFT的特性的稳定性的观点出发，不是优选的。
另外，在本实施方式中，只要密封物62配置在密封物涂布区域63内且能够确保希望的粘接力即可，其配置位置和宽度的大小没有特别限制。如图10所示，密封物62可以与自举电容器CAP不重叠，如图13所示，还可以与自举电容器CAP的一部分或者全部重叠。另一方面，优选密封物62以与输出晶体管Tr1不重叠的方式形成。
此外，自举电容器CAP的面积变大透光部这部分的量。然而，如上所述，能够将密封物涂布区域63扩展到自举电容器CAP上为止，并且能够将密封物62到显示区域7的附近为止。因此，即使自举电容器CAP的面积增加了，也能够使边框区域8的宽度变小。
(实施方式2)
实施方式2的液晶显示器除了自举电容器的结构不同以外，与实施方式1的液晶显示器实质上相同。图14是实施方式2的液晶显示器的自举电容器的俯视示意图。图15是图14的J-K线的截面示意图。
如图14和15所示，在本实施方式中，自举电容器CAP还具有绝缘膜48上的第3电极33。
第3电极33以覆盖第1电极31和第2电极32的方式形成，在第1电极31上通过贯通栅极绝缘膜42、绝缘膜47以及绝缘膜48的接触孔34连接到第1电极31。并且，第1电极31和第3电极33以夹着第2电极32的方式配置。因此，在第2电极32和第3电极33之间也形成有电容。
第3电极33由包含铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)等透明导电材料的透明导电膜形成。因此，光能够透射过第3电极33。此外，第3电极33也可以使用这些透明导电膜的层叠膜形成。另外，第3电极33也可以由与像素电极9和/或辅助电容电极相同的导电膜形成。另外，在采用IPS(In Plane Switching：面内开关)模式、FFS(Fringe Field Switching：边缘场开关)模式等利用横电场的液晶模式的情况下，第3电极33也可以由与共用电极相同的导电膜形成。
根据本实施方式，不但能够维持实施方式1中说明的效果例如能够容易地检查密封物的状态的效果、使密封材料充分固化的效果，而且在较窄的区域中也能够使自举电容器CAP的容量变大。因此，能够使自举电容器CAP变小，能进一步窄边框化。
此外，在本实施方式中，在采用例如TN模式、VA模式等利用纵电场的液晶模式的情况下，相对基板50具有相对电极，因此，优选密封材料中不混入导通材料(例如，涂布有金等金属的树脂颗粒)。这是由于，当密封材料包含导电材料时，相对电极与第3电极31有可能漏电。因此，在上述的情况下，优选密封材料中不混入导通材料，仅在共用转移用电极14上选择性地涂布导通材料。例如，可以利用注射器向共用转移用电极14上涂布碳糊。
另外，在第3电极33中，通常不需要设置开口部，但也可以与透光部对应地形成有至少一个开口部和/或切口部。
(实施方式3)
实施方式3的液晶显示器除了移位寄存器中的元件的布局不同以外，与实施方式1的液晶显示器实质上相同。图16是示出实施方式3的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
如图16所示，在本实施方式中，输出晶体管Tr1和自举电容器CAP配置在配线组78和控制元件区域77之间。
并且，在本实施方式中，输出晶体管Tr1相对于自举电容器CAP配置在阵列基板10的边缘10a侧，即配置在自举电容器CAP和边缘10a之间的区域内。另外，输出晶体管Tr1配置在密封物62之下。而且，自举电容器CAP配置在输出晶体管Tr1和显示区域之间的区域内，在自举电容器CAP中，如上所述，形成有至少一个开口部(透光部)。这样，由于用密封物62将输出晶体管Tr1覆盖，因此，在与输出晶体管Tr1对应的区域中密封物62有可能产生未固化部。然而，光会通过自举电容器CAP的透光部照射未固化部的显示区域侧的部分，因此能够稳定地固化。因此，能够防止未固化部的密封材料成分扩散到显示区域内。另外，在本实施方式中，与实施方式1相比，能够将密封物62配置在更接近显示区域的位置，因此能够使边框区域进一步变窄。
(实施方式4)
实施方式4的液晶显示器除了移位寄存器中的元件的布局不同以外，与实施方式1的液晶显示器实质上相同。图22是示出实施方式4的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。图23是图22的M-N线的截面示意图。
如图22所示，在本实施方式中，自举电容器CAP分割为2个以上的部分，例如分割为电容器部分CAP(1)和电容器部分CAP(2)。在各电容器部分CAP(1)、CAP(2)形成有透光部。并且，其中之一例如电容器部分CAP(2)与其它电容器部分相比配置在远离显示区域的位置，配置在配线组78和控制元件区域77之间。由此，与实施方式1相比能使控制元件区域77更接近显示区域，阵列基板的边缘10a至晶体管Tr2～Tr4的距离扩大。因此，能够确保针对因来自外部的水分侵入等而导致的晶体管Tr2～Tr4的特性劣化的余量。
电容器部分CAP(1)与实施方式1中说明的自举电容器CAP仅在平面结构上不同，其截面结构与实施方式1中说明的自举电容器CAP的截面结构是同样的。即，电容器部分CAP(1)具有：绝缘基板11上的第1电极31；第1电极31上的栅极绝缘膜42；以及栅极绝缘膜42上的第2电极32。第1电极31连接到第1端子、输出晶体管Tr1的栅极(栅极电极)以及节点netA，第2电极32连接到第2端子、输出晶体管Tr1的源极(源极电极)以及输出端子OUT。
如图23所示，电容器部分CAP(2)具有：绝缘基板11上的第1电极35；第1电极35上的栅极绝缘膜42；以及栅极绝缘膜42上的第2电极36。在第1电极35中，形成有相互平行的狭缝状的多个开口部35a，在第2电极36中，与开口部35a对应地形成有狭缝状的多个开口部36a。开口部36a相互平行地配置，各开口部36a与对应的开口部35a相对。因此，光能够透射过这些开口部。
电极35和36中的一方经由第1电极31连接到第1端子、输出晶体管Tr1的栅极(栅极电极)以及节点netA，电极35和36中的另一方经由第2电极32连接到第2端子、输出晶体管Tr1的源极(源极电极)以及输出端子OUT。连接到节点netA的电极和连接到输出端子OUT的电极的配置位置在电容器部分CAP(1)和CAP(2)之间，也可以上下相互对调。在电容器部分CAP(1)中，下层的第1电极31连接到节点netA，上层的第2电极32连接到输出端子OUT，但在电容器部分CAP(2)中，上层的第2电极36可以连接到节点netA，下层的第1电极35可以连接到输出端子OUT。关于各电极31、32、35以及36的连接目标，考虑到控制元件区域77的布局，能够适当选择输出端子OUT和节点netA中的较容易连接的一方。
从窄边框化的观点出发，优选使将电容器部分CAP(1)和CAP(2)相互连接的2条配线配置于控制元件区域77内的空闲空间，在该情况下，优选上述2条配线各自根据控制元件区域77内的立体配线结构，在存在电极31和35的下方电极层与存在电极32和36的上方电极层之间转接。
(实施方式5)
实施方式5的液晶显示器除了电容器部分CAP(2)的平面结构不同以外，与实施方式4的液晶显示器实质上相同。图24是示出实施方式5的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
如图24所示，在本实施方式中，在电容器部分CAP(2)未形成透光部，在电容器部分CAP(2)的第1电极35和第2电极36未形成开口部。本实施方式适于各电极35、36的宽度充分小的情况、例如10μm以下的情况。
(实施方式6)
实施方式6的液晶显示器除了移位寄存器中的元件的布局不同以外，与实施方式1的液晶显示器实质上相同。图25是示出实施方式6的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。图26是图25的P-Q线的截面示意图。
如图25所示，在本实施方式中，自举电容器CAP分割为2个以上的部分，例如分割为电容器部分CAP(1)和电容器部分CAP(2)。在电容器部分CAP(2)形成有透光部，但在电容器部分CAP(1)未形成透光部。并且，形成有透光部的电容器部分CAP(2)与电容器部分CAP(1)相比配置在远离显示区域的位置，配置在配线组78和控制元件区域77之间。由此，与实施方式1相比能使控制元件区域77进一步靠近显示区域，阵列基板的边缘10a至晶体管Tr2～Tr4的距离扩大。因此，能够确保针对因来自外部的水分侵入等而导致的晶体管Tr2～Tr4的特性劣化的余量。
电容器部分CAP(1)与实施方式1中说明的自举电容器CAP仅在平面结构上不同，其截面结构与实施方式1中说明的自举电容器CAP的截面结构是同样的。即，电容器部分CAP(1)具有：绝缘基板11上的第1电极31；第1电极31上的栅极绝缘膜42；以及栅极绝缘膜42上的第2电极32。第1电极31连接到第1端子、输出晶体管Tr1的栅极(栅极电极)以及节点netA，第2电极32连接到第2端子、输出晶体管Tr1的源极(源极电极)以及输出端子OUT。不过，在第1电极31和第2电极32中未形成开口部。
如图26所示，电容器部分CAP(2)具有：绝缘基板11上的第1电极35；第1电极35上的栅极绝缘膜42；以及栅极绝缘膜42上的第2电极36。在第1电极35中形成有相互平行的狭缝状的多个开口部35a，在第2电极36中与开口部35a对应地形成有狭缝状的多个开口部36a。开口部36a相互平行地配置，各开口部36a与对应的开口部35a相对。因此，光能够透射过这些开口部。
第1电极35经由第1电极31连接到第1端子、输出晶体管Tr1的栅极(栅极电极)以及节点netA，第2电极36经由第2电极32连接到第2端子、输出晶体管Tr1的源极(源极电极)以及输出端子OUT。图25示出了连接到节点netA的电极和连接到输出端子OUT的电极的相互的上下配置关系在电容器部分CAP(1)和CAP(2)之间相同的例子，但这些配置关系也可以根据控制元件区域77内的空闲空间的形状和/或大小，如实施方式4中说明的那样对调。
(实施方式7)
实施方式7的液晶显示器除了移位寄存器中的元件的布局不同以外，与实施方式6的液晶显示器实质上相同。图27是示出实施方式7的液晶显示器的边框区域的构成的俯视示意图。
如图27所示，在本实施方式中，输出晶体管Tr1和电容器部分CAP(1)的配置位置相互对调，输出晶体管Tr1和控制元件区域77配置在电容器部分CAP(1)和CAP(2)之间。由此，与实施方式6的情况相比，能将输出晶体管Tr1配置在与连接到输出晶体管Tr1的配线75更接近的位置。因此，能够确保电容器部分CAP(1)的大小，另外，能够抑制电容器部分CAP(1)与将输出晶体管Tr1连接到配线75的配线之间发生短路。
以下，说明实施方式1～7的各种变形例。图17～19是实施方式1～7的液晶显示器的自举电容器的俯视示意图。图17～19分别示出自举电容器CAP、电容器部分CAP(1)或者电容器部分CAP(2)。
在实施方式1～7中，形成于自举电容器的开口部的形状和排列没有特别限制，例如，如图17所示，开口部31a、32a、35a以及36a可以上下和左右地排列。另外，在第1电极31、35中，可以形成有至少一个切口部，在第2电极32、36中，可以与该切口部对应地形成有至少一个切口部。例如，如图18和19所示，在第1电极31、35中，可以形成有相互平行的狭缝状的多个切口部31b、35b，在第2电极32、36中，可以与切口部31b、35b对应地形成有狭缝状的多个切口部32b、36b。切口部32b、36b相互平行地配置，各切口部32b、36b与对应的切口部31b、36b相对。另外，在自举电容器中，可以混杂有开口部和切口部。而且，开口部和切口部可以相互相对。
各开口部和切口部的数量和尺寸以及第1和第2电极的各线状部分的宽度没有特别限制，能够适当设定。不过，从使光固化型密封材料和光/热并用型密封材料充分固化的观点出发，优选各开口部和切口部的宽度为5μm以上，更优选10μm以上，优选各线状部分的宽度为40μm以下，更优选10μm以下。
另外，在实施方式1～7中，说明了在输出晶体管Tr1与自举电容器CAP或者电容器部分CAP(1)之间设置有间隙而用较短的配线将它们相互连接的结构，但根据密封物和密封物涂布区域的边缘的位置的不同，它们之间也可以没有间隙，它们可以相互一体地形成。例如栅极电极41与第1电极31之间可以没有间隙，第2电极32和与其相邻的源极电极45的梳齿部之间也可以没有间隙。根据前一结构，能够按间隙的量确保透光部的面积，因此能够更有效地起到实施方式1中说明的效果例如能够容易地检查密封物的状态的效果、使密封材料充分固化的效果。另一方面，根据后一结构，能进一步窄边框化。
另外，各TFT的半导体材料没有特别限制，能够适当选择。例如可举出硅等第14族元素的半导体、氧化物半导体等。而且，各TFT的半导体材料的结晶性没有特别限制，可以是单结晶、多结晶、非晶质或者微结晶，也可以是包含它们之中的2种以上的结晶结构。然而，在输出晶体管包含非晶硅的情况下，从使其驱动能力变大的观点出发，输出晶体管的沟道宽度和自举电容器的尺寸尤其会变大。因此，在输出晶体管包含非晶硅的情况下，能够显著地发挥能够容易地检查密封物的状态的效果、使密封材料充分固化的效果。此外，优选氧化物半导体包含从包括铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)以及硅(Si)的组中选出的至少一种元素以及氧(O)，更优选包含In、Ga、Zn以及O。
另外，在实施方式1～7中，形成透光部(开口部和/或切口部)的自举电容器的数量和配置位置没有特别限制，能够适当设定。即，只要至少一个自举电容器形成有透光部即可，可以是所有的自举电容器包含透光部，也可以是仅一部分的自举电容器包含透光部。不过，从特别有效地发挥上述的效果的观点出发，优选所有的自举电容器均形成有透光部(开口部和/或切口部)。
另外，在实施方式1～7中，各栅极驱动器的元件和配线的种类除了输出晶体管和自举电容器以外没有特别限制，能够适当决定。
另外，在实施方式1～7中，说明了液晶显示器，但本发明所涉及的显示装置只要是具备包含输出晶体管和自举电容器的移位寄存器的显示装置即可，不特别限于液晶显示器。例如也可以是微胶囊型电泳方式的电子纸、有机或者无机EL显示器等。
(实施方式8)
以下，示出有源矩阵型有机EL显示器所涉及的实施方式8。
图20是示出实施方式8的有源矩阵型有机EL显示器所包含的单位像素(像素或者子像素)的电路构成的电路图。如图20所示，在该像素电路中设置有6个像素用晶体管Tr11～Tr16和1个有机EL元件161。晶体管Tr13相当于上述实施方式(C)的第2像素用晶体管，晶体管Tr16相当于上述实施方式(B)的像素用晶体管和上述实施方式(C)的第1像素用晶体管。
晶体管Tr11响应从总线(以下，也称为初始化信号线。)115输入的信号(初始化信号)，经由被设定为规定的电位的配线(以下，也称为初始化电压线。)120使电容器C的电荷放电。其结果是，晶体管Tr14的栅极电压被初始化。
晶体管Tr12补偿晶体管Tr14的阈值电压的偏差。
晶体管Tr13响应从栅极总线113输入的栅极信号(扫描信号)，进行从数据总线112输入的数据信号的切换。栅极总线113相当于上述实施方式(C)的第1总线。此外，所谓数据信号，是基于从外部输入的图像信号而由显示器或者数据驱动器生成的信号，包含单位像素的灰度级数据。
晶体管Tr14响应经由晶体管Tr13输入的数据信号，控制供应到有机EL元件161的电流量。
晶体管Tr15响应从总线(以下，也称为发光控制线。)121输入的信号，进行从被设定为规定的电位的配线(以下，也称为阳极侧电源线。)122供应到晶体管Tr14的电流的切换。发光控制线121相当于上述实施方式(B)的总线。
晶体管Tr16响应从发光控制线121输入的信号，进行经由晶体管Tr14供应到有机EL元件161的电流的切换。
电容器C是为了保持施加到晶体管Tr14的栅极电压而设置的。
有机EL元件161以与经由晶体管Tr15、晶体管Tr14以及晶体管Tr16供应的电流对应的亮度发光。有机EL元件161的阳极连接到晶体管Tr16的漏极，有机EL元件161的阴极连接到被设定为规定的电位的配线(以下，也称为阴极侧电源线。)123。作为有机EL元件161，能够利用一般的有机EL元件。
此外，在本实施方式中，作为晶体管Tr11～Tr6，示出了使用p沟道型TFT的例子。
图21是实施方式8的有源矩阵型有机EL显示器所包含的有机EL基板的俯视示意图。有机EL基板对应于上述第1基板。如图21所示，初始化电压线120、栅极总线113以及发光控制线121在行方向延伸。阳极侧电源线122和数据总线112在列方向延伸。此外，在行方向相邻的阳极侧电源线122也可以在显示区域107内相互连接。
在显示区域107外设置有栅极总线113用的驱动电路和发光控制线121用的驱动电路。例如，如图21所示，可以在显示区域107的左侧设置栅极总线113用的驱动电路113D，在显示区域107的右侧设置发光控制线121用的驱动电路121D。另外，也可以在显示区域107的左右两侧分别设置栅极总线113用的驱动电路，在它们外侧(即远离显示区域107的位置)分别设置发光控制线121用的驱动电路。在该情况下，发光控制线121通过栅极总线113用的驱动电路内而连接到发光控制线121用的驱动电路。
初始化信号线115虽然在图21中未图示出，但与初始化电压线120等总线相同地在行方向延伸，可以连接到相邻的行的像素用的栅极总线113，也可以连接到设置为初始化信号线115专用的驱动电路(以下，也称为初始化信号线用驱动电路。)。
上述的驱动电路可以各自包含将多个单位电路多级连接而构成的移位寄存器。
初始化电压线120和阳极侧电源线122分别在显示区域107外连接到配线(初始化电压线用干配线)120W和配线(阳极电源线用干配线)122W。所有的有机EL元件161的阴极在显示区域107内相互连接，在显示区域107外连接到阴极侧电源线123。
接着，说明本实施方式的有源矩阵型有机EL显示器的驱动方法。
在各行的像素中，在1帧中按以下顺序设置有初始化期间、写入期间以及发光期间三个期间(阶段)。
首先，在初始化期间，根据从初始化信号线115输入的导通信号使晶体管Tr11成为导通状态，经由初始化电压线120使电容器C的电荷放电。由此，将晶体管Tr14的栅极电压初始化。
接着，在写入期间，根据从栅极总线113输入的导通信号，将从数据总线112输入的灰度级数据写入晶体管Tr14。此时，晶体管Tr14的栅极电压成为如下值：其比从数据总线112输入的电压低了晶体管Tr14的阈值电压这部分的量。另外，还向电容器C充入与晶体管Tr14的栅极电位对应的电荷。
在发光期间，根据从发光控制线121输入的导通信号使晶体管Tr15和晶体管Tr16成为导通状态，将与晶体管Tr14的栅极电压相应的电流量的电流供应到有机EL元件161。其结果是，有机EL元件161发光。
按每一行重复以上三个阶段从而进行显示。
一般的有机EL元件会由于水分、氧等而容易劣化。因此，为了保护有机EL元件161，设置有对应于上述第2基板而与有机EL基板相对的相对基板，另外，在有机EL基板与相对基板之间设置有密封物。由此，将两基板之间密封。作为密封物的材料，例如可举出低熔点玻璃等。而且，从提高两基板的粘接强度的观点出发，密封物也可以包含低熔点玻璃固化而成的部分和树脂固化而成的部分。该树脂部分设置在低熔点玻璃部分的内侧和外侧(即，显示区域侧和基板的边缘侧)中的任一侧或者两侧。作为树脂的具体例子，例如可举出光固化性和/或热固化性环氧树脂、光固化性和/或热固化性丙烯酸树脂、包含这样的树脂的组合物等。
本发明所涉及的显示装置的移位寄存器能应用于上述的栅极总线113用的驱动电路、发光控制线121用的驱动电路以及初始化信号线用驱动电路。即，这些驱动电路能够包含实施方式1～7中说明的输出晶体管和形成有透光部(开口部和/或切口部)的自举电容器。因此，在本实施方式中，也能够起到实施方式1中说明的效果例如能够容易地检查密封物的状态的效果、使密封材料充分固化的效果。
此外，实施方式1～8也可以相互组合，例如可以将不同结构的自举电容器形成在相同移位寄存器内，多个移位寄存器也可以包含结构相互不同的自举电容器。
另外，也可以将实施方式1～7的变形例应用于实施方式8。例如，在实施方式8中，设置于自举电容器的各开口部和切口部的宽度可以是5μm或者10μm以上，各线状部分的宽度可以是40μm或者10μm以下。另外，各TFT的半导体材料没有特别限制，例如可举出硅等第14族元素的半导体、氧化物半导体等。另外，各TFT的半导体材料的结晶性没有特别限制，可以是单结晶、多结晶、非晶质或者微结晶，也可以包含其中的2种以上的结晶结构。另外，从与实施方式1～7同样的观点出发，在实施方式8中，输出晶体管也可以包含非晶硅。另外，优选氧化物半导体包含从包括In、Ga、Zn、Al以及Si的组中选出的至少一种元素以及O，更优选包含In、Ga、Zn以及O。而且，在实施方式8中，形成透光部(开口部和/或切口部)的自举电容器的数量和配置位置也没有特别限制，例如，可以是所有的自举电容器均包含透光部，也可以是仅一部分的自举电容器包含透光部。
附图标记说明
1：液晶面板
2：显示部
3：像素
4：像素用TFT
5：源极总线用的驱动电路(源极驱动器)
6a、6b：栅极总线用的驱动电路(栅极驱动器)
7、107：显示区域
8：边框区域
9：像素电极
10：阵列基板
10a：边缘
11：绝缘基板
12、S1～Sm：源极总线
13、113、G1～Gn：栅极总线
14：共用转移用电极
16：共用干配线
17：共用总线
18、19：引出线
25：输入配线
26、27、28、29、30：端子
31、35：第1电极
31a、32a、35a、36a：开口部
31b、32b、35b、36b：切口部
32、36：第2电极
33：第3电极
34：接触孔
41：栅极电极
42：栅极绝缘膜
43：i层(半导体活性层)
44：n+层
45：源极电极
46：漏极电极
47、48：绝缘膜
50：相对基板
51：绝缘基板
52：黑矩阵(BM)
61：液晶层
62：密封物
63：密封物涂布区域
71：像素阵列
72：显示控制电路
73a、73b：移位寄存器
74～76：配线
77：控制元件区域
78：配线组
112：数据总线
113D：栅极总线用的驱动电路
115：初始化信号线
120：初始化电压线
120W：初始化电压线用干配线
121：发光控制线
121D：发光控制线用的驱动电路
122：阳极侧电源线
122W：阳极电源线用干配线
123：阴极侧电源线
161：有机EL元件
Pij：像素电路
SR1～SRn：单位电路
Ina、INb：输入端子
CKA、CKB：时钟端子
VSS：电源端子
OUT：输出端子
Tr1～Tr4、Tr11～Tr16：晶体管
CAP：自举电容器
CAP(1)、CAP(2)：电容器部分
C：电容器

Claims (11)

1.一种显示装置，
具备第1基板、与上述第1基板相对的第2基板以及设置在上述第1基板和上述第2基板之间的密封物，上述显示装置的特征在于，
上述第1基板包含：绝缘基板；单片地形成在上述绝缘基板上的移位寄存器；以及多个总线，
上述移位寄存器包含多级连接的多个单位电路，
上述多个单位电路各自包含：时钟端子，其被输入时钟信号；输出端子，其连接到对应的总线，将输出信号输出；晶体管，其源极和漏极中的一方连接到上述时钟端子，上述源极和上述漏极中的另一方连接到上述输出端子；以及电容器，其第1端子连接到上述晶体管的栅极，第2端子连接到上述输出端子，
上述电容器包含第1电极、上述第1电极上的绝缘层以及上述绝缘层上的第2电极，
在上述多个单位电路中的至少一个中，在上述第1电极中设置有第1切口部和/或第1开口部，在上述第2电极中设置有与上述第1切口部和/或上述第1开口部相对的第2切口部和/或第2开口部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述密封物包含具有光固化性的材料的固化物。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
上述材料还具有热固化性。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述晶体管配置在上述电容器与上述第1基板的显示区域之间的区域内，
在上述晶体管上未配置上述密封物。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述电容器配置在上述晶体管与上述第1基板的显示区域之间的区域内，
上述晶体管被上述密封物覆盖，
上述电容器的至少一部分配置在上述密封物之下。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述电容器还包含上述第2电极上的第2绝缘层和上述第2绝缘层上的透明电极，
上述透明电极连接到上述第1电极。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述第1基板包含设置在显示区域内的多个像素电路，
上述多个像素电路各自包含像素用晶体管和连接到上述像素用晶体管的像素电极，
上述多个总线与多个像素用晶体管的栅极各自对应地连接。
8.根据权利要求1～6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述第1基板包含设置在显示区域内的多个像素电路，
上述多个像素电路各自包含像素用晶体管和连接到上述像素用晶体管的电致发光元件，
上述多个总线与多个像素用晶体管的栅极各自对应地连接。
9.根据权利要求1～6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述多个总线是多个第1总线，
上述第1基板包含：设置在显示区域内的多个像素电路；以及多个数据总线，
上述多个像素电路各自包含：第1像素用晶体管；连接到对应的数据总线的第2像素用晶体管；以及连接到上述第1像素用晶体管的电致发光元件，
上述多个第1总线与多个第2像素用晶体管的栅极各自对应地连接。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述晶体管包含氧化物半导体。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
上述氧化物半导体包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)以及氧(O)。
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