CN104178080B - 一种高强度igbt大功率模块封装硅胶及其封装工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶及其封装工艺,该封装胶强度高,可以抵抗外部的冲击,耐候性佳,与IGBT功率模块具有很好的兼容和粘附强度。有效的起到对IGBT功率模块的保护和绝缘作用。满足在大功率、高频率、高电压、大电流的IGBT功率模块封装要求。本发明的硅胶,为双组份加热固化型胶黏剂,由A组分和B组分按照1:1混合而成。
Description
技术领域
本发明涉及有机硅封装硅胶技术领域,具体涉及一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶及其封装工艺。
背景技术
IGBT(InsulatedGateBipolarTransisitor)是绝缘栅双极型晶体管的英文缩写,是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件,功率MOSFET易于驱动,控制简单,开关频率高,功率晶体管的导通电压低,通态电流大,损耗小。在中、高频率应用中,实现主导地位。作为一种新型的功率器件,IGBT最大的特点就是节能和高能效,已经在节能市场领域获得较为广泛的应用。
在中国IGBT行业中,中端技术已有突破,基本形成从芯片设计到芯片封装,目前需要解决的是“进口替代”,做到IGBT关键原料的国产化。这样才能拥有较好的IGBT的产业规模,使智能电网、高铁建设、新能源汽车以及家电节能等本土市场快速发展。
应用在IGBT功率模块封装上的有机硅封装胶具有更为高的要求才能满足并实现IGBT的逆变功能,实现直流电变为可控的交流电的转换。目前国内的有机硅市场上,开始陆续出现IGBT功率模块封装用的有机硅胶的一些报导,针对该应用领域提出更为苛刻的要求。目前的硅胶的问题是耐候性和抗冲击效果差,不能较好的与模块兼容和粘附,极易透水和透氧,造成模块的快速老化,只能适用中低频率的器件。而可以满足大功率、高频率、高电压、大电流的IGBT功率模块封装硅胶暂时还没有报道。
发明内容
本发明提供一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶及其封装工艺,该封装胶强度高,可以抵抗外部的冲击,耐候性佳,与IGBT功率模块具有很好的兼容和粘附强度。有效的起到对IGBT功率模块的保护和绝缘作用。满足在大功率、高频率、高电压、大电流的IGBT功率模块封装要求。
本发明的技术方案是:一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶,为双组份加热固化型胶黏剂,包括A组分和B组分,其中;
a)A组分:
甲基乙烯基聚硅氧烷树脂40~50份
甲基乙烯基硅油23~50份
冲击改性剂5~15份
耐候剂1~5份
粘附力剂3~6份
催化剂0.1~1份
b)B组分:
甲基乙烯基聚硅氧烷树脂30~50份
甲基乙烯基硅油30~50份
交联剂5~20份
抑制剂0.1~0.5份;
A组分和B组分的质量比为1:1。
由于本发明摒弃了常规的有机硅封装硅胶,解决了常规封装硅胶强度低,与IGBT模块兼容性和粘附强性差,抗冲击效果差,耐候性不佳,极易透水和透氧等缺陷,与现有技术相比,具有更高的强度和抗冲击的性能,耐候性,兼容和粘附性,具有较低的吸水率和吸氧率,而且对其封装工艺进行了探讨,这样更有效的保护器件模块,保证在IGBT功率模块工艺条件下稳定运行。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进:针对本发明中出现的Me为甲基,Vi为乙烯基,Ph为苯基。
本发明的甲基乙烯基聚硅氧烷树脂为液体的乙烯基树脂。
进一步,所述甲基乙烯基聚硅氧烷树脂为以下结构式(1)和结构式(2)中的一种或二者的混合;
(Me3SiO0.5)a(ViMe2SiO0.5)b(SiO2)(1)
其中,a=0.6~1.2,b=0.6~1.2
(Me3SiO0.5)c(ViMe2SiO0.5)d(Me2SiO)(MeSiO1.5)(2)
其中,c=0.7~1.2,d=0.4~1.3。
进一步,所述甲基乙烯基硅油为以下结构式(3)和结构式(4)中的一种或二者的混合;
(ViMe2SiO0.5)(Me2SiO)e(ViMe2SiO0.5)(3)
其中,e=50~200
(ViMe2SiO0.5)(Me2SiO)f(ViMeSiO)g(ViMe2SiO0.5)(4)
其中,f=30~200,g=60~100。
进一步,所述交联剂为以下结构式(5)和结构式(6)中的一种或二者的混合;
(HMe2SiO0.5)(Me2SiO)i(HMe2SiO0.5)(5)
其中,i=4~20
(Me3SiO0.5)(Me2SiO)j(HMeSiO)k(Me3SiO0.5)(6)
其中,j=6~18,k=2~10。
进一步,所述冲击改性剂的结构式如通式(7)所示:
其中,x=5~20,y=5~20,z=10~50。
采用上述进一步方案的有益效果是:增加封装硅胶对高低温,冷热环境以及外部的压力等的抗冲击能力。
进一步,所述耐候剂的结构式如通式(8)所示:
其中,m=4~10,n=8~20。
采用上述进一步方案的有益效果是:提高封装硅胶的耐候性和使用寿命,满足IGBT功率模块在各种恶劣环境和气候条件下的安全运行。
进一步,所述粘附力剂的结构式如通式(9)所示:
其中,h=5~20。
采用上述进一步方案的有益效果是:增加与IGBT功率器件的键合,兼容和粘附。防止水分和氧气等的进入,避免老化开裂和分层。
进一步,所述催化剂为铂系催化剂。
优选的,所示催化剂为铂-甲基乙烯基聚硅氧烷配合物,铂含量为3000~7000ppm。
进一步,所述抑制剂为炔醇类物质。
优选的,所述抑制剂为3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇中的任意一种。
更优选的,所述抑制剂为3-甲基-1-丁炔-3-醇。
本发明第二方面公开了制备前述高强度IGBT大功率模块封装硅胶的方法,包括以下步骤:
A组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂40~50份、甲基乙烯基硅油23~50份、冲击改性剂5~15份、耐候剂1~5份、粘附力剂3~6份、催化剂0.1~1份依次加入双行星高速分散机中,充分搅拌混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
B组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂30~50份、甲基乙烯基硅油30~50份、交联剂5~20份、抑制剂0.1~0.5份依次加入双行星高速分散机中,充分搅拌混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
优选的,A组分的制备过程中搅拌时间为2h,B组分的制备过程中搅拌时间为2h。
本发明还公开了前述高强度IGBT大功率模块封装硅胶在IGBT功率模块封装工艺中的应用。
本发明所述的封装硅胶应用在IGBT功率模块上的封装工艺步骤,包括:对来料检验,芯片焊接,检验焊接空洞,等离子清洗,铝线邦定,电参数测试,焊接铜底板和DBC,将A组分和B组分按1:1的重量配比混合均匀,真空脱泡,灌注IGBT功率模块器件上,安装外壳,100~150℃加热0.4~2小时固化,最后安装盖板。
有益效果:本发明的封装胶强度高,可以抵抗外部的冲击,具有较低的吸水率和吸氧率,耐候性佳,与IGBT功率模块具有很好的兼容和粘附强度,有效的起到对IGBT功率模块的保护和绝缘作用。
附图说明
图1为本发明高强度IGBT模块封装硅胶的应用示意图;
①母排端子;②树脂;③本发明封装硅胶;④焊层;⑤紧固件;⑥超声引线缝合;⑦散热器;⑧导热胶;⑨基板;⑩铜;衬板;芯片。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
A组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂如结构式(1),其中,a=0.6,b=1.2,取40份;甲基乙烯基硅油如结构式(3),其中e=50,取50份;冲击改性剂,如结构式(7),其中,x=5,y=5,z=10,取5份;耐候剂,如结构式(8),其中,m=4,n=8,取1份;粘附力剂,如结构式(9),其中,h=5,取3份;催化剂,铂-甲基乙烯基聚硅氧烷配合物,铂含量为3000ppm,取1份,依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
B组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂如结构式(2),其中,c=0.7,d=1.3,取50份;甲基乙烯基硅油如结构式(4)f=30,g=60,取30份;交联剂如结构式(5),其中,i=4,取5份,交联剂如结构式(6),其中其中,j=6,k=10,取15份;抑制剂,3-甲基-1-丁炔-3-醇,取0.1份;依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
对来料检验,芯片焊接,检验焊接空洞,等离子清洗,铝线邦定,电参数测试,焊接铜底板和DBC,将A组分和B组分按1:1的重量配比混合均匀,真空脱泡,灌注IGBT功率模块器件上,安装外壳,150℃加热0.4小时固化,最后安装盖板。
实施例2
A组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚氧烷树脂如结构式(2),其中,c=1.2,d=0.4,取50份;甲基乙烯基硅油如结构式(4),其中f=200,g=100,取23份;冲击改性剂,如结构式(7),其中,x=20,y=20,z=50,取15份;耐候剂,如结构式(8),其中,m=10,n=20,取5份;粘附力剂,如结构式(9)其中,h=20,取6份;催化剂,铂-甲基乙烯基聚硅氧烷配合物,铂含量为7000ppm,取0.1份,依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
B组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂如结构式(1),其中,a=1.2,b=0.6,取30份;甲基乙烯基硅油如结构式(3)其中e=200,取50份;交联剂如结构式(5),其中,i=20,取2份,交联剂如结构式(6),其中,j=18,k=2,取3份;抑制剂,3-甲基-1-戊炔-3-醇,取0.5份;依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
对来料检验,芯片焊接,检验焊接空洞,等离子清洗,铝线邦定,电参数测试,焊接铜底板和DBC,将A组分和B组分按1:1的重量配比混合均匀,真空脱泡,灌注IGBT功率模块器件上,安装外壳,100℃加热2小时固化,最后安装盖板。
实施例3:
A组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚氧烷树脂如结构式(1),其中,a=1.0,b=0.8,取45份;甲基乙烯基硅油如结构式(3),其中e=100,取40份;冲击改性剂,如结构式(7),其中,x=12,y=14,z=22,取10份;耐候剂,如结构式(8),其中,m=8,n=12,取3份;粘附力剂,如结构式(9),其中,h=10,取5份;催化剂,铂-甲基乙烯基聚硅氧烷配合物,铂含量为5000ppm,取0.5份,依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
B组分的制备:室温下,称量如结构式(1)所示的甲基乙烯基聚硅氧烷树脂20份,其中,a=1.0,b=0.8;称量如结构式(2)所示的甲基乙烯基聚硅氧烷树脂20份,其中,c=0.8,d=0.9;称量结构式如式(3)所示的甲基乙烯基硅油20份,其中e=100,称量结构式如式(4)所示的甲基乙烯基硅油20份,其中f=80,g=70;交联剂如结构式(6),其中,j=9,k=7,取18份;抑制剂,3,5-二甲基-1-己炔-3-醇,取0.3份;依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
对来料检验,芯片焊接,检验焊接空洞,等离子清洗,铝线邦定,电参数测试,焊接铜底板和DBC,将A组分和B组分按1:1的重量配比混合均匀,真空脱泡,灌注IGBT功率模块器件上,安装外壳,120℃加热0.6小时固化,最后安装盖板。
对比例1
对比例1的封装硅胶的组成与实施例1基本相同,仅缺乏冲击改性剂,具体如下:
A组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂如结构式(1),其中,a=0.6,b=1.2,取40份;甲基乙烯基硅油如结构式(3),其中e=50,取50份;耐候剂,如结构式(8),其中,m=4,n=8,取1份;粘附力剂,如结构式(9),其中,h=5,取3份;催化剂,铂-甲基乙烯基聚硅氧烷配合物,铂含量为3000ppm,取1份,依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
B组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂如结构式(2),其中,c=0.7,d=1.3,取50份;甲基乙烯基硅油如结构式(4)f=30,g=60,取30份;交联剂如结构式(5),其中,i=4,取5份,交联剂如结构式(6),其中,j=6,k=10,取15份;抑制剂,3-甲基-1-丁炔-3-醇,取0.1份;依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
对来料检验,芯片焊接,检验焊接空洞,等离子清洗,铝线邦定,电参数测试,焊接铜底板和DBC,将A组分和B组分按1:1的重量配比混合均匀,真空脱泡,灌注IGBT功率模块器件上,安装外壳,150℃加热0.4小时固化,最后安装盖板。
对比例2
对比例2的封装硅胶的组成与实施例2基本相同,仅缺乏耐候剂,具体如下:
A组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚氧烷树脂如结构式(2),其中,c=1.2,d=0.4,取50份;甲基乙烯基硅油如结构式(4),其中f=200,g=100,取23份;冲击改性剂,如结构式(7),其中,x=20,y=20,z=50,取15份;粘附力剂,如结构式(9)其中,h=20,取6份;催化剂,铂-甲基乙烯基聚硅氧烷配合物,铂含量为7000ppm,取0.1份,依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
B组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂如结构式(1),其中,a=1.2,b=0.6,取30份;甲基乙烯基硅油如结构式(3)其中e=200,取50份;交联剂如结构式(5),其中,i=20,取2份,交联剂如结构式(6),其中,j=18,k=2,取3份;抑制剂,3-甲基-1-戊炔-3-醇,取0.5份;依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
对来料检验,芯片焊接,检验焊接空洞,等离子清洗,铝线邦定,电参数测试,焊接铜底板和DBC,将A组分和B组分按1:1的重量配比混合均匀,真空脱泡,灌注IGBT功率模块器件上,安装外壳,100℃加热2小时固化,最后安装盖板。
对比例3
对比例3的封装硅胶的组成与实施例3基本相同,仅缺乏粘附力剂,具体如下:
A组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚氧烷树脂如结构式(1),其中,a=1.0,b=0.8,取45份;甲基乙烯基硅油如结构式(3),其中e=100,取40份;冲击改性剂,如结构式(7),其中,x=12,y=14,z=22,取10份;耐候剂,如结构式(8),其中,m=8,n=12,取3份;催化剂,铂-甲基乙烯基聚硅氧烷配合物,铂含量为5000ppm,取0.5份,依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
B组分的制备:室温下,称量如结构式(1)所示的甲基乙烯基聚硅氧烷树脂20份,其中,a=1.0,b=0.8;称量如结构式(2)所示的甲基乙烯基聚硅氧烷树脂20份,其中,c=0.8,d=0.9;称量结构式如式(3)所示的甲基乙烯基硅油20份,其中e=100,称量结构式如式(4)所示的甲基乙烯基硅油20份,其中f=80,g=70;交联剂如结构式(6),其中,j=9,k=7,取18份;抑制剂,3,5-二甲基-1-己炔-3-醇,取0.3份;依次加入行星高速分散机中,充分搅拌2小时,混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
对来料检验,芯片焊接,检验焊接空洞,等离子清洗,铝线邦定,电参数测试,焊接铜底板和DBC,将A组分和B组分按1:1的重量配比混合均匀,真空脱泡,灌注IGBT功率模块器件上,安装外壳,120℃加热0.6小时固化,最后安装盖板。
对实施例1-3及对比例1-3获得的封装硅胶的性能进行检测及比较,试验结果如表1所示。
表1封装硅胶性能检测结果
使用本发明的硅胶封装对IGBT大功率模块进行封装,在功率模块正反面间加电压(≥6500V),测量其放电量,即进行绝缘局放测试实验,放电量小于10P库,则认为测试通过。测试结果如下表2所示。
表2绝缘局放测试实验结果
实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 对比例1 | 对比例2 | 对比例3 | |
pc6500V | 1.72 | 1.02 | 1.69 | 10.33 | 11.28 | 12.69 |
测试结果 | 合格 | 合格 | 合格 | 失效 | 失效 | 失效 |
从表中可以看出,与实施例1-3相比,对比实施例1的抗冲击强度明显不足,对比实施例2的耐候性差,对比实施例3的粘附力不足。对比实施例1-3缺少其中的任何一个(冲击改性剂,耐候剂,粘附力剂)都会影响其的透水性和透氧率,并且对比实施例1-3的IGBT功率模块的测试结果表明均为失效状态,不能适用。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶,包括A组分和B组分,其中,
A组分:
B组分:
A组分和B组分的质量比为1:1;
所述冲击改性剂的结构式如通式(7)所示,其中,x=5~20,y=5~20,z=10~50,
所述耐候剂的结构式如通式(8)所示,其中,m=4~10,n=8~20,
所述粘附力剂的结构式如通式(9)所示,其中,h=5~20,
2.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶,其特征在于,所述甲基乙烯基聚硅氧烷树脂为以下结构式(1)和结构式(2)中的一种或二者的混合;
(Me3SiO0.5)a(ViMe2SiO0.5)b(SiO2)(1)
其中,a=0.6~1.2,b=0.6~1.2
(Me3SiO0.5)c(ViMe2SiO0.5)d(Me2SiO)(MeSiO1.5)(2)
其中,c=0.7~1.2,d=0.4~1.3。
3.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶,其特征在于,所述甲基乙烯基硅油为以下结构式(3)和结构式(4)中的一种或二者的混合;
(ViMe2SiO0.5)(Me2SiO)e(ViMe2SiO0.5)(3)
其中,e=50~200
(ViMe2SiO0.5)(Me2SiO)f(ViMeSiO)g(ViMe2SiO0.5)(4)
其中,f=30~200,g=60~100。
4.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶,其特征在于,所述交联剂为以下结构式(5)和结构式(6)中的一种或二者的混合;
(HMe2SiO0.5)(Me2SiO)i(HMe2SiO0.5)(5)
其中,i=4~20
(Me3SiO0.5)(Me2SiO)j(HMeSiO)k(Me3SiO0.5)(6)
其中,j=6~18,k=2~10。
5.根据权利要求1所述的一种高强度IGBT大功率模块封装硅胶,其特征在于,所述催化剂为铂系催化剂;所述抑制剂选自3-甲基-1-丁炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、以及3,5-二甲基-1-己炔-3-醇中的任意一种。
6.权利要求1-5任一权利要求所述的高强度IGBT大功率模块封装硅胶在IGBT功率模块封装工艺中的应用。
7.权利要求1-5任一权利要求所述的高强度IGBT大功率模块封装硅胶的制备方法,包括以下步骤:
1)A组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂40~50份、甲基乙烯基硅油23~50份、冲击改性剂5~15份、耐候剂1~5份、粘附力剂3~6份、催化剂0.1~1份依次加入双行星高速分散机中,充分搅拌混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成;
2)B组分的制备:室温下,称量甲基乙烯基聚硅氧烷树脂30~50份、甲基乙烯基硅油30~50份、交联剂5~20份、抑制剂0.1~0.5份依次加入双行星高速分散机中,充分搅拌混合均匀,抽真空后灌装并密封保存完成。
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