CN104024359B - 切割芯片接合膜和用于在该切割芯片接合膜上形成切口的方法 - Google Patents

切割芯片接合膜和用于在该切割芯片接合膜上形成切口的方法 Download PDF

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Abstract

本文公开了能够防止粘合剂层从环形框架分离以改善可加工性的切割芯片接合膜。更具体地，该切割芯片接合膜具有在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成的凹槽，以使得在半导体制造工艺中提供的水和/或空气能够通过该凹槽排出，从而防止环形框架的粘附性的劣化，以及粘合剂层从该环形框架分离。

Description

切割芯片接合膜和用于在该切割芯片接合膜上形成切口的方法
技术领域
本发明总体上涉及能够防止粘合剂层从环形框架分离以改善可加工性的切割芯片接合膜。更具体地，本发明涉及一种非-UV型切割芯片接合膜，其具有在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成的凹槽，以使得在半导体制造工艺中提供的水和/或空气能够通过该凹槽排出，从而防止对环形框架粘附性的劣化，以及粘合剂层从该环形框架分离。
背景技术
用于半导体制造工艺的切割芯片接合膜可分为需要UV暴露的UV型膜和排除UV暴露的非-UV型膜。
UV型膜在光固化之前表现出优异的粘附性，因此提供了优异的切割可加工性。然而，UV型膜需要UV暴露，以在切割过程后进行拾取过程，从而使得制造工艺复杂化。在半导体封装的制造中，在拾取过程之前进行的UV暴露过程花费较长时间并且会显著影响半导体封装生产率的改善。另外，在UV暴露过程中UV辐照器故障的情况下，布置在一个组(lot)中的一些晶圆接收到不足的UV能量，从而导致拾取失败，使得锯开的半导体芯片在拾取过程中不能从切割膜层(粘合剂层)分离。
为了解决这样的问题，需要一种能够拾取过程之前排除UV暴露的非-UV型膜。
然而，由于粘结强度低，该非-UV型膜具有膜的粘合剂层容易地从环形框架分离的问题。
发明内容
【技术问题】
为了解决这个问题，发明人开发了一种能够控制粘合剂层从环形框架分离的非-UV型切割芯片接合膜，其通过在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成凹槽，使得切割水能够通过所述凹槽排出，以防止所述切割芯片接合膜渗水。
本发明的一个方面提供了一种切割芯片接合膜，其包括在将粘贴到所述环形框架的所述粘合剂层区域中的所述凹槽，以防止所述切割芯片接合膜受到切割水的渗水的影响，从而控制所述粘合剂层从所述环状框架分离。
【技术方案】
本发明的一个方面提供了一种切割芯片接合膜，包括：a)基膜；b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；以及c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层，其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域和不与所述接合层交叠的第二区域，所述第二区域包括邻近所述第一区域的第三区域和邻近所述第三区域且其中形成有凹槽的第四区域。
在一个实施方式中，环形框架粘贴到所述粘合剂层的所述第四区域。
在另一个实施方式中，所述凹槽在所述第三区域和所述第四区域之间的界面处具有最高点。
本发明的另一方面提供了一种切割芯片接合膜，包括：a)基膜；b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层；以及d)堆叠在所述接合层或粘合剂层上的离型膜，其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域和围绕所述第一区域且不与接合层交叠的第二区域，并且其中穿过所述基膜和所述第二区域形成至少一个凹槽。
在一个实施方式中，所述凹槽不穿透所述离型膜。
在另一个实施方式中，环形框架粘贴到所述第二区域内的部分。
在又一个实施方式中，所述凹槽之间的距离在1mm至15mm的范围内。
在又一个实施方式中，所述凹槽是通过沿着连接第一点至第三点的线切割所述切割芯片接合膜而形成的，所述第一点至第三点以所述第一点、所述第三点和所述第二点的顺序或以所述第二点、所述第三点和所述第一点的顺序位于所述粘合剂层内的不同位置。这里，所述第一点、所述第二点和所述粘合剂层的中心点没有共线地位于一条直线上；并且，从所述粘合剂层的中心点至所述第一点的距离(a)、从所述粘合剂层的中心点至所述第二点的距离(b)以及从所述粘合剂层的中心点至所述第三点的距离(c)满足以下关系：c<a且c<b。
在又一个实施方式中，距离(a)等于距离(b)。
在又一个实施方式中，所述第一点和所述第二点之间的距离在1mm至15mm的范围内。
在又一个实施方式中，所述第一点和所述第二点之间延伸的直线到所述第三点的垂直距离在1mm至10mm的范围内。
在又一个实施方式中，凹槽具有选自由和组成的组中的一种形状。
本发明的再一方面提供了用于在切割芯片接合膜中形成凹槽的方法，所述切割芯片接合膜包括：a)基膜；b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；c)堆叠在所述粘合剂层的中心部分上的接合层；以及d)堆叠在所述接合层或所述粘合剂层上的离型膜。所述方法包括将刀片从所述基膜***到所述切割芯片接合膜中至穿透上面没有堆叠所述接合层的所述粘合剂层区域的深度，而不穿透所述离型膜。
【有益效果】
根据本发明，所述切割芯片接合膜为非-UV型膜，并且能够防止在半导体制造工艺中粘合剂层从环形框架分离。
具体地，所述切割芯片接合膜具有在将粘贴到所述环形框架的所述粘合剂层区域中形成的凹槽，使得在锯切过程中提供的切割水能够通过所述凹槽排出，以防止所述粘合剂层和所述环形框架之间的结合区渗水，从而防止所述粘合剂层对环形框架的粘附性的劣化。
另外，根据本发明的切割芯片接合膜使在锯切过程后的干燥过程中提供的空气通过所述凹槽排出，从而防止空气被引入到所述粘合剂层和所述环状框架之间的结合界面中。
此外，防止了根据本发明的切割芯片接合膜从所述环状框架分离，从而改善了拾取可加工性。
附图说明
图1显示了位于凹槽切掉部分的相对端的第一点和第二点以及位于凹槽的切掉部分上特定位置处的第三点。
图2为显示切割芯片接合膜上图1的三个点之间位置关系的示意图。
图3a和图3b是根据本发明的一个实施方式的其中形成有凹槽的切割芯片接合膜的示意图。
图4是在对比例2中制备的切割芯片接合膜的示意图。
图5a、图5b和图5c是图示用于在切割芯片接合膜中形成凹槽的方法的截面图。
具体实施方式
将参照附图更加详细地描述本发明的实施方式。出于清楚的目的，省略了对于本领域技术人员而言显而易见的细节描述。
本发明的一个方面提供了切割芯片接合膜，其包括：a)基膜；b)堆叠在该基膜上的粘合剂层；以及c)堆叠在该粘合剂层上的接合层，其中，粘合剂层包括与该接合层交叠的第一区域和不与该接合层交叠的第二区域，其中，第二区域包括邻近第一区域的第三区域和邻近第三区域且其中形成有凹槽的第四区域。
对于基膜、粘合剂层、接合层和离型膜没有特别的限制，并且可以是半导体封装领域中通常使用的任何常用结构。
如本文中所使用的，术语凹槽是指沿着某一开放环形成的切掉部分。这里，该开放环是与封闭环的相对的概念，并且意思是其起点不连接至其终点的线。
可通过沿着连接第一点至第三点的线切割粘合剂层的第三区域来形成凹槽，所述第一点至第三点以所述第一点、所述第三点和所述第二点的顺序或以所述第二点、所述第三点和所述第一点的顺序位于所述粘合剂层的第三区域上的不同位置，所述第一点、所述第二点和所述粘合剂层的中心点没有共线地位于一条直线上，并且，从所述粘合剂层的中心点至所述第一点的距离(a)、从所述粘合剂层的中心点至所述第二点的距离(b)以及从所述粘合剂层的中心点至所述第三点的距离(c)满足以下关系：c<a且c<b。
在图1中，可通过沿着以第一点-第三点-第二点的顺序或者以第二点-第三点-第一点的顺序连接第一点、第二点和第三点的特定线切割粘合剂层而形成凹槽。当连接这三个点时，第一点并不直接连接于第二点，没有通过第三点。对于连接这些点的线的形状没有特别的限制，并且可以包括直线、曲线、波浪线、起伏线等等，不限于此。
在图1中，第一点至第三点全部位于粘合剂层的第三区域内。
具体而言，参见图3a和图3b，切割芯片接合膜的粘合剂层通常被分为与接合层交叠的第一区域130和不与接合层交叠且粘贴到环状框架的第二区域。此外，该第二区域被分为邻近第一区域130的第三区域120和邻近第三区域120且具有其上面形成的凹槽的第四区域110。第四区域110通常位于切割芯片接合膜的粘合剂层的最外侧部分，并且将粘贴到第四区域110的环形框架可具有，例如约20mm的厚度。因此，第四区域110可对应于切割芯片接合膜的粘合剂层的最外侧部分的约20mm内的区域。
如果第一点至第三点之一位于粘合剂层的第四区域110之外，则凹槽300在粘合剂层的第四区域之外形成(参见图4)，使得在半导体制造工艺中该粘合剂层能够从环形框架分离，从而导致工艺失败或在该过程中损坏该粘合剂层。
只要两个点均位于粘合剂层的第四区域110内，则对于第一点和第二点之间的距离没有特别限制，且优选在1mm至15mm的范围内。在该范围内，凹槽300具有合适的尺寸，使得通过其有效排出切割水和/或空气，并且考虑到与第三点的关系能够在粘合剂层的第四区域110的内部形成。
参见图1，只要第一点、第二点和第三点全部位于粘合剂层的第四区域110内，对点A和第三点之间的距离没有特别限制，且优选从1mm至10mm的范围。如果两点之间的距离小于1mm，则凹槽基本上为线形而不是多边形，因而不能适当地发挥功能。如果这两点之间的距离大于10mm，则第一点、第二点和第三点均位于粘合剂层的第四区域110之外。
参见图2，从粘合剂层的中心点至第一点的距离(a)、从粘合剂层的中心点至第二点的距离(b)和从粘合剂层的中心点至第三点的距离(c)满足以下关系：c<a且c<b。
只要该第一点和第二点均位于粘合剂层的第四区域110内，那么对距离(a)和(b)没有特别限制，并且可以彼此不同。优选地，距离(a)和(b)相同。
凹槽300可以具有任意形状而没有特别限制。当取通过第一点和第二点的虚直线作为图1中的下面时，凹槽300的示例性形状可以包括半圆形、U-形、椭圆形、三角形、矩形、五边形和其它多边形(例如，)。
优选地，凹槽300为半圆形、三角形、矩形和五边形。
只要所有的凹槽300都位于粘合剂层的第四区域110内，对凹槽300之间的距离没有特别限制，并且优选从1mm至15mm的范围。在该范围内，可能防止由于半导体制造工艺中邻近的凹槽300之间的连接造成粘合剂层破碎，并且可以形成合适数目的凹槽300，以使得切割水和/或空气能够通过其有效排出。
对在粘合剂层的第四区域100内形成的凹槽300的数目没有特别限制。
尽管凹槽300可以位于粘合剂层的第四区域100内的任意位置，而不限于特定位置，但优选该凹槽300位于第四区域110内的内部区域(邻近粘合剂层的中心部分)。这种排列在除去切割水或空气方面是有利的。优选地，可设置凹槽300使其在第三区域和第四区域之间的界面处具有最高点。如本文中使用，术语“凹槽的最高点”是指最接近于粘合剂层中心部分的凹槽的轮廓点。
在向基膜上的粘合剂层涂覆结合剂之后将切割芯片接合膜切成标准晶圆形状和大小的过程中，可使用具有对应于凹槽的形状的椎尖(pinnacle)来形成凹槽300。
切割芯片接合膜可以是非-UV型膜。
切割芯片接合膜可以是包括粘合剂层的预固化非-UV型膜，其由可光固化粘着组合物形成，并经UV辐照。
切割芯片接合膜可以是包括粘合剂层的非-可光固化的非-UV型膜，该粘合剂层由非-可光固化粘着组合物形成。
图3a和图3b示出了根据实施方式的切割芯片接合膜。
尽管在图3a中凹槽具有形状，并且在图3b中凹槽具有形状，但该凹槽并不具体地限定为特定形状。例如，凹槽可具有各种形状，例如
注意到，在图3a和图3b中没有数值计算粘合剂层和接合层的面积，凹槽300的形状、尺寸和数目，以及凹槽在粘合剂层的第四区域110中的位置，并且图3a和图3b示意性地说明了根据本发明的实施方式的大体构造。因此，本发明不应以任何方式被解释为限于图3a和图3b。
本发明的另一方面提供了切割芯片接合膜，其包括a)基膜；b)堆叠在该基膜上的粘合剂层；c)堆叠在该粘合剂层上的接合层；以及d)堆叠在该接合层或粘合剂层上的离型膜，其中，粘合剂层包括与接合层交叠的第一区域和围绕第一区域且不与接合层交叠的第二区域，并且其中，穿过基膜和第二区域形成至少一个凹槽。
对于基膜、粘合剂层、接合层和离型膜没有特别限制，并且可具有半导体封装领域中通常使用的任何通常的结构。
接合层具有小于粘合剂层的面积，并且在粘合剂层的中心部分形成(参见图5a)。
如本文中所使用，表述“通过…形成”或其派生的意思是形成凹槽完全穿透相应的层(或膜)。
形成凹槽从基膜的外表面穿透粘合剂层而不完全穿透堆叠在该粘合剂层上的离型膜。即，凹槽可以从基膜的外表面形成并穿过粘合剂层到达粘合剂层和离型膜之间的界面，或者到达离型膜的内部部分(图5a)。这里，应该理解，并不是完全穿透离型膜到达离型膜的外表面形成凹槽(图5c)。
如果形成的凹槽到达离型膜的外表面，则在装配过程中剥离离型膜时，粘合剂层的凹槽的开放切割部分与离型膜一起被提起并且向内粘合，从而导致工艺失败。
除非形成的凹槽未完全穿透离型膜，可从粘合剂层和离型膜之间的界面形成凹槽至离型膜的某一深度。优选地，穿过粘合剂层从基膜至粘合剂层和离型膜之间的界面形成凹槽(图5b)。
图5a显示了通过将刀片从基膜***到对应于离型膜内部的切割芯片接合膜的深度，以在具有基膜、粘合剂层、接合层和离型膜的四层结构的切割芯片接合膜中形成凹槽的方法。
图5b显示了通过将刀片从基膜***到对应于粘合剂层和离型膜之间的界面的切割芯片接合膜的深度，以在具有基膜、粘合剂层、接合层和离型膜的四层结构的切割芯片接合膜中形成凹槽的方法。
对于凹槽的形状、尺寸和数量没有特别限制。
优选所形成的凹槽位于粘合剂层的第四区域110中。
本发明的另一方面提供了用于在切割芯片接合膜中形成凹槽的方法，该切割芯片接合膜包含：a)基膜；b)堆叠在该基膜上的粘合剂层；c)堆叠在该粘合剂层的中心部分上的接合层；以及d)堆叠在该接合层或粘合剂层上的离型膜。该方法包括：将刀片从基膜***到切割芯片接合膜中至穿透上面没有堆叠接合层的粘合剂层区域的深度，而不穿透离型膜。
可以通过将刀片穿过粘合剂层从基膜至离型膜内部***到切割芯片接合膜中(图5a)，优选从基膜至对应于粘合剂层和离型膜之间的界面的深度(图5b)来形成凹槽。
接下来，将参照一些实施例更加具体地描述本发明。这里，提供这些实施例仅仅用于说明，而不应以任何方式解释为限制本发明的范围。
实施例1
将粘贴到环状框架的粘合剂层区域中凹槽的形成
在具有可光固化粘合剂层的常规切割芯片接合膜(从第一毛织有限公司获得)和具有非-可光固化粘合剂层的常规切割芯片接合膜(从第一毛织有限公司获得)的每个中，在将粘贴到环状框架的粘合剂层区域中形成凹槽，如图3a所示。
在将结合剂涂覆到基膜上的粘合剂层之后，在切割芯片接合膜切成标准晶圆形状和尺寸的过程中，使用具有对应于凹槽形状的椎尖形成该凹槽。
在实施例1中，使用用于具有对于8-英寸晶圆的250mm内径的环形框架的切割芯片接合膜(从第一毛织有限公司获得)。在设定从粘合剂层的中心至第三点的距离为128mm，设定第一点和第二点之间的距离为5mm，设定粘合剂层的中心至第一点的距离以及粘合剂层的中心至第二点的距离为132mm，并且设定凹槽之间的距离为5mm的条件下，在将粘贴环状框架的粘合剂层区域中形成凹槽。
实施例2
将粘贴到环状框架的粘合剂层区域中凹槽的形成
除了使用用于具有对于12-英寸晶圆的350mm的内径的环形框架的切割芯片接合膜(从第一毛织有限公司获得)，设定从粘合剂层的中心至第三点的距离为178mm，并且设定从粘合剂层的中心至第一点的距离以及从粘合剂层的中心至第二点的距离为182mm之外，以与实施例1相同的方式形成凹槽。
对比例1
切割在粘合剂层上无凹槽的芯片粘接膜
制备普通的具有非-可光固化粘合剂层的切割芯片接合膜(与实施例1中所使用的切割芯片接合膜相同，但其上没有凹槽)。
对比例2
切割在将粘贴到环状框架的粘合剂层的外部区域具有凹槽的芯片粘接膜
除了设定从粘合剂层的中心至第三点的距离为115mm，设定从粘合剂层的中心至第一点的距离以及从粘合剂层的中心至第二点的距离为119mm，并且凹槽放置在将粘贴到环状框架的粘合剂层的区域之外，并且形成在接合层未放置在上面的粘合剂层区域上之外，以与实施例1相同的方式形成凹槽(图4)。
实验例1
对从环形框架分离和在锯切过程中渗水的评价
将在实施例1和2以及对比例1和2中制备的每个切割芯片接合膜粘贴到环形框架并经锯切处理，以评价渗水和从环形框架的分离。
在锯切速度为10mm/sec，转速为50,000rpm，液压为1.6MPa，且供水速率为1.5L/min的条件下，使用DISCODFD-6361进行锯切处理之后，通过肉眼观察渗水和从环形框架分离。具体而言，将粘贴到环形框架的粘合剂层区域的总面积等分为12个部分。当在两个或更多个部分发生渗水和从环形框架分离时，将结果评价为“差”，而当在0或1个部分发生渗水和从环形框架分离时，将结果评价为“好”。
实验例2
拾取成功率的测量
拾取过程是指在锯切晶圆的过程后将晶圆芯片安装在PCB或其他芯片上的过程。
在根据实验例1的方法锯切晶圆之后，使用晶片焊接机SDB-1000M(Secron有限公司)对放置在锯切的晶圆的中心部分处的100个芯片进行拾取测试，并测量拾取成功率(％)。
表1中显示了实验例1和2的结果。
表1
实施例1 实施例2 对比例1 对比例2
渗水和从环状框架分离 好 好 差 差
拾取成功率(％) 100 100 0(无法评价) 0(无法评价)
参见表1，尽管对比例1和2的切割芯片接合膜具有与实施例1和2相同的粘结强度和粘附性，但对比例1的切割芯片接合膜(其没有形成凹槽)和对比例2切割芯片接合膜(其在粘贴到环状框架的粘合剂层区域之外形成了凹槽)均由切割水而受到严重渗水，导致其易于从环状框架分离。因此，对比例1和2的切割芯片接合膜被评价为缺陷膜，由于拾取失败而无法评价其拾取成功率。
相反，尽管实施例1和2的切割芯片接合膜具有与对比例1和2相同的粘结强度和粘附性，但实施例1和2的切割芯片接合膜均在粘贴于环形框架的粘合剂层的区域中均具有凹槽，以使得切割水通过其排出，并且因此基本上不受到引起其从环状框架分离的渗水。因此，实施例1和2的切割芯片接合膜被评价为良好的膜。另外，这两种切割芯片接合膜均具有100％的拾取成功率。
[附图标记的说明]
110：围绕接合层并且将被粘贴到环状框架的粘合剂层区域
120：围绕接合层并且将不被粘贴到环状框架的粘合剂层区域
130：接合层堆叠于其上的粘合剂层区域
300：凹槽

Claims (12)

1.一种切割芯片接合膜，包括：
a)基膜；
b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；以及
c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层，
其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域以及不与所述接合层交叠的第二区域，所述第二区域包括邻近所述第一区域的第三区域以及邻近所述第三区域且其中形成有凹槽的第四区域。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合膜，其中，环形框架粘贴到所述第四区域。
3.根据权利要求1所述的切割芯片接合膜，其中，所述凹槽在所述第三区域和所述第四区域的界面处具有最高点。
4.一种切割芯片接合膜，包含：
a)基膜；
b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；
c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层；以及
d)堆叠在所述接合层或所述粘合剂层上的离型膜，
其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域和围绕所述第一区域且不与所述接合层交叠的第二区域，
其中，穿过所述基膜和所述第二区域形成至少一个凹槽，并且
其中，所述凹槽不穿透所述离型膜。
5.根据权利要求4所述的切割芯片接合膜，其中，环形框架被粘贴到所述第二区域内的部分。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的切割芯片接合膜，其中，所述凹槽之间的距离在1mm至15mm的范围内。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的切割芯片接合膜，其中，所述凹槽是通过沿着连接第一点至第三点的线切割所述切割芯片接合膜而形成的，所述第一点至第三点以所述第一点、所述第三点和所述第二点的顺序或以所述第二点、所述第三点和所述第一点的顺序位于所述粘合剂层内的不同位置，所述第一点、所述第二点和所述粘合剂层的中心点没有共线地位于一条直线上，并且其中，从所述粘合剂层的中心点至所述第一点的距离a、从所述粘合剂层的中心点至所述第二点的距离b以及从所述粘合剂层的中心点至所述第三点的距离c满足以下关系：c<a且c<b。
8.根据权利要求7所述的切割芯片接合膜，其中，所述距离a等于所述距离b。
9.根据权利要求7所述的切割芯片接合膜，其中，所述第一点和所述第二点之间的距离在1mm至15mm的范围内。
10.根据权利要求7所述的切割芯片接合膜，其中，在所述第一点和所述第二点之间延伸的直线到所述第三点的垂直距离在1mm至10mm的范围内。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的切割芯片接合膜，其中，所述凹槽具有选自由和组成的组中的一种形状。
12.一种用于在切割芯片接合膜中形成凹槽的方法，所述切割芯片接合膜包括：a)基膜；b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；c)堆叠在所述粘合剂层的中心部分上的接合层；以及d)堆叠在所述接合层或所述粘合剂层上的离型膜，所述方法包括：
将刀片从所述基膜***到所述切割芯片接合膜中至穿透上面没有堆叠所述接合层的所述粘合剂层区域的深度，而不穿透所述离型膜。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110581100B (zh) * 2019-09-29 2021-12-31 潍坊歌尔微电子有限公司 一种传感器的划切方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4687693A (en) * 1985-06-13 1987-08-18 Stauffer Chemical Company Adhesively mountable die attach film
CN1423304A (zh) * 2001-12-03 2003-06-11 株式会社迪斯科 一种处理半导体晶片的方法和所用的半导体晶片的衬底
JP2005116790A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ
WO2006040945A1 (ja) * 2004-10-14 2006-04-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2007019151A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープおよびそれを用いたチップの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200161481Y1 (en) * 1995-11-22 1999-11-15 Hyundai Electronics Ind Adhesive tape
JP2004217757A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Hitachi Chem Co Ltd 緩衝性カバーフィルムを備えた接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP5058428B2 (ja) * 2003-01-15 2012-10-24 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP4444619B2 (ja) * 2003-10-10 2010-03-31 リンテック株式会社 マウント装置及びマウント方法
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011199008A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Sekisui Chem Co Ltd 粘接着シート、ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着シート付き半導体チップの製造方法
JP5439264B2 (ja) * 2010-04-19 2014-03-12 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5546985B2 (ja) * 2010-07-28 2014-07-09 日東電工株式会社 半導体装置製造用フィルム、半導体装置製造用フィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法。
KR101351622B1 (ko) * 2010-12-29 2014-01-15 제일모직주식회사 다이싱 다이 본딩 필름

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4687693A (en) * 1985-06-13 1987-08-18 Stauffer Chemical Company Adhesively mountable die attach film
CN1423304A (zh) * 2001-12-03 2003-06-11 株式会社迪斯科 一种处理半导体晶片的方法和所用的半导体晶片的衬底
JP2005116790A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ
WO2006040945A1 (ja) * 2004-10-14 2006-04-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2007019151A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープおよびそれを用いたチップの製造方法

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