WO2023136004A1 - 積層フィルム及び支持片の製造方法 - Google Patents
積層フィルム及び支持片の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2023136004A1 WO2023136004A1 PCT/JP2022/045546 JP2022045546W WO2023136004A1 WO 2023136004 A1 WO2023136004 A1 WO 2023136004A1 JP 2022045546 W JP2022045546 W JP 2022045546W WO 2023136004 A1 WO2023136004 A1 WO 2023136004A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- film
- support piece
- forming film
- adhesive
- piece forming
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Definitions
- the present disclosure relates to a laminated film and a method for manufacturing a support piece.
- Patent Document 1 As one mode of a semiconductor device, there is a structure in which a semiconductor chip is stacked over a controller chip arranged over a substrate.
- the semiconductor assembly described in Patent Document 1 has a structure called a so-called dolmen structure (or tunnel structure).
- This conventional semiconductor assembly includes a package substrate, a controller die disposed on the package substrate, and a memory die disposed above the controller die, with the memory die supported by support members such as pillars.
- Patent Literature 1 In the semiconductor assembly of Patent Literature 1 described above, a resin film with a silicon chip is used as a support member of the dolmen structure using the same process as in the manufacture of ordinary semiconductor chips. However, this method has the problem of using a relatively expensive silicon chip and requiring a wafer polishing process.
- a method of forming support pieces with a dolmen structure by separating the film for forming support pieces into individual pieces without using silicon chips is being investigated.
- a laminated film obtained by laminating an adhesive film and a supporting piece-forming film on one surface of a base film can be used.
- voids may expand between the adhesive film and the supporting piece forming film due to the tension applied to the adhesive film. In the portion where the void occurs, there is a possibility that trouble may occur when picking up the support piece.
- the present disclosure has been made to solve the above problems, and provides a laminated film capable of suppressing expansion of voids between an adhesive film and a film for forming a support piece, and a method for manufacturing a support piece using the same. intended to
- a laminated film according to one aspect of the present disclosure includes a base film, and an adhesive film and a supporting piece-forming film provided on one side of the base film, and the supporting piece-forming film is used to form the supporting piece.
- the supporting piece-forming film is singulated into a plurality of supporting pieces by a cutting pattern extending over the entire thickness of the supporting piece-forming film, and the non-cutting pattern is not formed in at least a partial region of the peripheral edge portion of the supporting piece-forming film.
- a notch is provided.
- the supporting piece-forming film is separated into a plurality of supporting pieces in advance. Therefore, it is possible to omit the dicing of the supporting piece forming film after the laminate of the adhesive film and the supporting piece forming film is fixed to the ring frame.
- the non-cut portion provided in at least a part of the peripheral edge portion of the supporting piece forming film allows the adhesive film and the supporting piece forming film to be separated from each other when the adhesive film is attached to the ring frame. Even if a void occurs between the cut patterns, the expansion of the void can be stopped at the boundary between the cut pattern and the non-cut portion. Therefore, in this laminated film, expansion of voids between the adhesive film and the supporting piece forming film can be suppressed.
- the non-cut portion may be provided over the entire peripheral portion of the support piece forming film.
- the boundary portion between the cut pattern and the non-cut portion can be positioned on the expansion path of the void. Therefore, expansion of voids between the adhesive film and the supporting piece forming film can be suppressed more reliably.
- the supporting piece forming film may include a thermosetting resin layer.
- the laminated film it is possible to enhance the holding performance of the supporting piece-forming film by the base film. Also, it is possible to suitably connect the supporting piece to the substrate of the semiconductor device after being picked up.
- the supporting piece-forming film may further include a resin layer or metal layer having higher rigidity than the thermosetting resin layer. Since the support piece forming film includes a layer with high rigidity, the followability to a pick-up tool such as a suction collet can be improved while the followability to the push-up jig is reduced. When the metal layer is included, the optical contrast between the resin material and the metal material can enhance the visibility of the support piece during pickup.
- thermosetting resin layers may be provided so as to sandwich a resin layer or a metal layer. In this case, even if the thermosetting resin layer is not subjected to a heat curing treatment, it is possible to more sufficiently secure the pick-up property of the supporting piece.
- a method for manufacturing a support piece according to one aspect of the present disclosure is a method for manufacturing a support piece using the above-described laminated film.
- dicing of the support piece forming film after fixing the laminate of the adhesive film and the support piece forming film to the ring frame can be omitted.
- the spread of the voids can be stopped at the boundary between the cut pattern and the non-cut portion. Therefore, expansion of voids between the adhesive film and the support piece-forming film can be suppressed.
- a peeling process for peeling the non-cut portion from the supporting piece forming film may be provided.
- a non-cut portion is a portion where voids may occur in the fixing process.
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor device having a dolmen structure
- FIG. 1 is a schematic plan view showing a laminated film according to one embodiment of the present disclosure
- FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the laminated film shown in FIG. 2
- 4 is a flow chart showing a method of manufacturing a support piece according to an embodiment of the present disclosure
- It is a typical sectional view showing a fixing process.
- It is a typical perspective view which shows a peeling process.
- It is a typical perspective view showing a pick-up process.
- (a) and (b) are schematic plan views showing laminated films according to modifications.
- the "layer” in this specification encompasses both an aspect in which it is formed on the entire surface of the object to be formed and an aspect in which it is formed on a part of the object to be formed when observed as a plan view.
- the “step” used herein is not necessarily limited to an independent step, and may include a step that achieves its intended action even if it cannot be clearly distinguished from other steps.
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor device having a dolmen structure.
- the semiconductor device 1 shown in FIG. and a plurality of wires W electrically connected to each other.
- the controller chip 3 , memory chips 4 , 5 and 6 and wires W are sealed with a sealing material 7 .
- the substrate 2 is, for example, an organic substrate.
- the substrate 2 may be a metal substrate such as a lead frame.
- a plurality of supporting pieces D are arranged around the controller chip 3 .
- An adhesive layer 8 is provided on one side of each of the controller chip 3 and the memory chips 4, 5 and 6, respectively.
- the controller chip 3 is fixed to the surface of the substrate 2 via an adhesive layer 8 .
- the memory chips 4, 5, 6 are stacked in a stepped manner with an adhesive layer 8 interposed therebetween so that a connection space for the wires W is formed.
- the stack of memory chips 4, 5, 6 is supported above the controller chip 3 (on the side opposite to the substrate 2) by a plurality of supporting pieces D via an adhesive layer 8 on one side of the memory chip 4, which is the bottom layer. .
- the wire W is used to connect the substrate 2 and the controller chip 3, but the substrate 2 and the controller chip 3 are bump-connected (for example, Cu bump and solder connection). may be configured.
- FIG. 2 is a schematic plan view showing a laminated film according to an embodiment of the present disclosure
- FIG. 3 is the typical sectional drawing.
- the laminated film 11 includes a base film 12, and an adhesive film 13 and a supporting piece forming film 14 provided on one side of the base film 12.
- FIGS. 2 and 3 are schematic plan views showing a laminated film according to an embodiment of the present disclosure.
- the base film 12 is a long film extending in one direction with a predetermined width.
- the laminate L of the adhesive film 13 and the supporting piece forming film 14 are arranged at predetermined intervals in the extending direction of the base film 12 .
- the base film 12 is a film that serves as a base for the laminated film 11 .
- it is made of a material such as polyethylene terephthalate (PET) or polyolefin.
- PET polyethylene terephthalate
- the base film 12 may have heat shrinkability.
- the adhesive film 13 is a film for fixing the supporting piece forming film 14 to a ring frame 18 (see FIG. 5, etc.) described later.
- the adhesive film 13 includes an adhesive layer and a substrate layer, and is arranged so that the adhesive layer faces the substrate film 12 and the support piece forming film 14 .
- the adhesive film 13 is formed into a circle having a diameter smaller than the width of the base film 12 by processing means such as punching.
- the adhesive film 13 is made of, for example, an ultraviolet-curing adhesive, and has a property that its adhesiveness decreases when irradiated with ultraviolet rays.
- the adhesive layer of the adhesive film 13 may be an ultraviolet curable adhesive or a pressure-sensitive (non-ultraviolet curable) adhesive.
- the adhesive films 13 are further arranged at both ends of the base film 12 in the width direction so as to surround the center adhesive film 13. It is The adhesive films 13 at both ends have the role of eliminating unevenness differences between the center and both ends of the laminated film 11 when the laminated film 11 is formed in a roll form. As a result, even when the number of turns increases, it is possible to avoid the occurrence of problems such as winding misalignment and voids due to unevenness.
- the supporting piece forming film 14 is a film for forming the supporting pieces D (see FIG. 1) in the semiconductor device 1 described above.
- the supporting piece forming film 14 is formed into a circle having a diameter one size smaller than that of the adhesive film 13 by processing means such as punching.
- the supporting piece forming film 14 is made of, for example, a thermosetting resin composition. That is, the supporting piece forming film 14 is composed of the thermosetting resin layer 15 .
- thermosetting resin composition that constitutes the support piece forming film 14 can go through a semi-cured (B stage) state and then become a fully cured (C stage) state by a subsequent curing treatment.
- a thermosetting resin composition includes an epoxy resin, a curing agent, and an elastomer (eg, an acrylic resin).
- the thermosetting resin composition further contains an inorganic filler, a curing accelerator, and the like, if necessary.
- the support piece forming film 14 is separated into a plurality of support pieces D by a cut pattern 16 extending over the entire thickness of the support piece forming film 14 .
- the cut pattern 16 has a lattice shape in plan view of the support piece forming film 14, and the support piece forming film 14 is cut by full cutting of the support piece forming film 14. It is in a state in which the cut reaches from one surface side to the other surface side. This cut may reach one side (adhesive layer) of the adhesive film 13 . Due to the cutting pattern 16 , rectangular supporting pieces D are arranged in advance in a matrix on the supporting piece forming film 14 .
- a non-cut portion 17 in which the cut pattern 16 is not formed is provided in at least a partial region of the peripheral edge portion 14a of the support piece forming film 14. As shown in FIG. In the example of FIG. 2, the non-cut portion 17 is provided over the entire peripheral portion 14a of the film 14 for forming support pieces.
- a laminated body is prepared in which the supporting piece forming film 14 is provided on one side of the base film 12.
- the supporting piece forming film 14 is pre-cut, and the cutting pattern 16 extending over the entire thickness of the supporting piece forming film 14 is used to singulate a plurality of supporting pieces D.
- a non-cut portion 17 in which the cut pattern 16 is not formed is provided in at least a partial region (here, the whole area) of the peripheral edge portion 14a of the support piece forming film 14 .
- the adhesive film 13 is laminated on the base film 12 and the supporting piece forming film 14 . After the adhesive film 13 is laminated, the adhesive film 13 is pre-cut and the surplus portions are peeled off to obtain the laminated film 11 shown in FIGS.
- FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a support piece according to an embodiment of the present disclosure. As shown in FIG. 4, this support piece manufacturing method includes a fixing step (step S01), a peeling step (step S02), and a picking up step (step S03).
- the fixing step is a step of fixing the laminate L of the adhesive film 13 separated from the base film 12 and the support piece forming film 14 to the ring frame 18 by attaching the adhesive film 13 to the ring frame 18 .
- the fixing step is carried out by using a general laminating device 21 used for laminating a dicing film on a semiconductor wafer.
- the lamination device 21 includes a stage 22 on which the ring frame 18 is placed, a suction table 23 and rollers 24 .
- the base film 12 is peeled off from the laminated film 11 .
- the laminated body L of the adhesive film 13 and the supporting piece forming film 14 is placed on the ring frame 18 placed on the stage 22 so that the supporting piece forming film 14 faces the suction table 23 side. .
- the suction table 23 may or may not be in contact with the supporting piece forming film 14 .
- the suction table 23 is adjusted to the same height as the ring frame 18, if the suction mechanism operates and an error (for example, an error indicating that the wafer is not detected) occurs, the height of the suction table 23 is increased.
- the height may be one step lower than the height of the ring frame 18 .
- void V may be generated between the adhesive film 13 and the support piece forming film 14 at the peripheral edge portion 14 a of the support piece forming film 14 .
- voids V are likely to occur on the sticking start position side and the sticking end position side of the adhesive film 13 by the roller 24 , and the voids V that have occurred are caused by the pressure from the roller 24 , and the supporting piece forming film. 14 from the peripheral edge portion 14a toward the central portion side.
- the above-described non-cut portion 17 is provided on the entire peripheral portion 14a of the support piece forming film 14. As shown in FIG. Therefore, even if a void V occurs between the adhesive film 13 and the supporting piece forming film 14, the boundary portion R between the cut pattern 16 and the non-cut portion 17 is positioned on the expansion path of the void V. can be made The expansion of the void V is stopped at the boundary portion R between the cut pattern 16 and the non-cut portion 17, and the expansion of the void V toward the central portion of the support piece forming film 14 is suppressed.
- the peeling step is a step of peeling the non-cut portion 17 from the supporting piece forming film 14 .
- the peeling process is performed between the fixing process and the pick-up process.
- the non-notched portion 17 is peeled off from the peripheral edge portion 14a of the film 14 for supporting piece formation.
- Voids V generated in the fixing process can be removed by peeling off the non-cut portions 17 .
- the non-cut portion 17 may be peeled regardless of the presence or absence of the void V, and the generation of the void V is confirmed by visual recognition or the like, and the non-cut portion 17 where the void V is confirmed is selectively peeled.
- the adhesive film 13 is made of an ultraviolet curable adhesive
- the adhesive film 13 may be irradiated with ultraviolet rays before the non-cut portion 17 is peeled off, depending on the adhesive strength of the adhesive. In this case, for example, by irradiating ultraviolet rays from the back surface of the adhesive film 13 (the substrate layer on the side opposite to the supporting piece forming film 14), the non-notched portions 17 can be peeled off smoothly.
- the pick-up step is a step of sequentially picking up a plurality of support pieces D separated by the cutting pattern 16 from the adhesive film 13 .
- the support piece forming film 14 is separated into a plurality of support pieces D by the cutting pattern 16 in advance, the dicing process before the pick-up process is unnecessary.
- the adhesive film 13 is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive force between it and the support piece forming film 14 .
- the adhesive layer of the adhesive film 13 is a pressure-sensitive (non-ultraviolet curable) adhesive
- the pick-up process can proceed without irradiating ultraviolet rays.
- the support piece D is sucked by the suction collet 25 and the support piece D is picked up.
- the support piece D to be picked up may be pushed up from the adhesive film 13 side by a pushing jig or the like.
- the support piece forming film 14 is separated into a plurality of support pieces D in advance. Therefore, dicing of the support piece forming film 14 after fixing the laminate L of the adhesive film 13 and the support piece forming film 14 to the ring frame 18 can be omitted.
- the non-cut portion 17 provided in at least a partial region of the peripheral edge portion 14a of the supporting piece forming film 14 allows the adhesive film 13 to be attached to the ring frame 18. Even if a void V occurs between the support piece forming film 14 and the film 14 for forming a support piece, the spread of the void V can be stopped at the boundary portion R between the cut pattern 16 and the non-cut portion 17 . Therefore, in the laminated film 11, expansion of the void V between the adhesive film 13 and the supporting piece forming film 14 can be suppressed.
- the supporting piece forming film 14 includes a thermosetting resin layer.
- the laminated film 11 it is possible to enhance the holding performance of the support piece forming film 14 by the base film 12 .
- the connection of the supporting piece D to the substrate 2 of the semiconductor device 1 after being picked up can be preferably carried out.
- dicing of the support piece forming film 14 after fixing the laminate L of the adhesive film 13 and the support piece forming film 14 to the ring frame 18 can be omitted.
- the expansion of the void V is stopped by the boundary portion R between the cut pattern 16 and the non-cut portion 17. be able to. Therefore, expansion of the void V between the adhesive film 13 and the supporting piece forming film 14 can be suppressed.
- the method for manufacturing a support piece according to the present embodiment includes a peeling step for peeling the non-cut portion 17 from the support piece forming film 14 between the fixing step and the pick-up step.
- the non-cut portion 17 is a portion where voids V may occur in the fixing process.
- the non-cut portion 17 is provided over the entire peripheral edge portion 14a of the support piece forming film 14, but the non-cut portion 17 can be any part or a plurality of portions of the support piece forming film 14. It may be provided in a part. Even when the non-cut portion 17 is provided over the entire peripheral portion 14a of the support piece forming film 14, the non-cut portion 17 does not necessarily have a continuous shape.
- a non-cut portion 17 may be provided in a dotted line shape or a broken line shape in the peripheral edge portion 14 a of the support piece forming film 14 .
- the shape may be partially discontinuous, such as, for example, a C shape.
- the supporting piece forming film 14 may further include a resin layer 31 or a metal layer 32 having higher rigidity than the thermosetting resin layer 15, as shown in FIG. 8(a).
- a polyimide layer for example, is used as the resin layer 31 .
- the metal layer 32 for example, a copper layer, an aluminum layer, or the like is used. In this case, since the supporting piece forming film 14 includes a layer with high rigidity, the followability to a pick-up tool such as the suction collet 25 can be improved while the followability to the pushing jig and the like is reduced. .
- the optical contrast between the resin material and the metal material can enhance the visibility of the support piece D during pickup.
- thermosetting resin layer 15 may be provided in a plurality of layers so as to sandwich the resin layer 31 or the metal layer 32 therebetween. Also in this case, the same effects as in the case of FIG. 8A are obtained.
- one thermosetting resin layer 15 is provided on each of one surface side and the other surface side of the resin layer 31 or the metal layer 32.
- a plurality of thermosetting resin layers 15 may be provided on each of the other surfaces.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
積層フィルム11は、基材フィルム12と、基材フィルム12の一面側に設けられた粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14と、を備え、支持片形成用フィルム14は、当該支持片形成用フィルム14の厚さ全体に及ぶ切込パターン16により複数の支持片Dに個片化されており、支持片形成用フィルム14の周縁部14aの少なくとも一部の領域には、切込パターン16が形成されていない非切込部17が設けられている。
Description
本開示は、積層フィルム及び支持片の製造方法に関する。
近年、半導体装置の分野では、高集積化、小型化、高速化の要求が高まっている。半導体装置の一態様として、基板上に配置されたコントローラチップ上に半導体チップを積層した構造がある。特許文献1に記載の半導体アセンブリは、いわゆるドルメン構造(或いはトンネル構造)と称される構造を有している。この従来の半導体アセンブリは、パッケージ基板と、パッケージ基板上に配置されたコントローラダイと、コントローラダイの上方に配置されたメモリダイとを備え、メモリダイが支柱のような支持部材によって支持されている。
上述した特許文献1の半導体アセンブリでは、通常の半導体チップの製造と同様の工程を用いて、シリコンチップ付きの樹脂フィルムをドルメン構造の支持部材としている。しかしながら、この手法では、比較的高価なシリコンチップを用いること、及びウェハの研磨工程が必要になることが課題となっている。
このような課題に対し、シリコンチップを用いず、支持片形成用フィルムを個片化することでドルメン構造の支持片を形成する手法が検討されている。この手法には、例えば基材フィルムの一面に粘着フィルムと支持片形成用フィルムとを積層した積層フィルムを用いることができる。しかしながら、ウェハを伴わない積層フィルムをリングフレームに貼り付ける際に、粘着フィルムに加わる張力に起因して粘着フィルムと支持片形成用フィルムとの間にボイドが拡がることが考えられる。ボイドが生じた部分では、支持片のピックアップの際に不具合が生じるおそれがある。
本開示は、上記課題の解決のためになされたものであり、粘着フィルムと支持片形成用フィルムとの間のボイドの拡がりを抑制できる積層フィルム、及びこれを用いた支持片の製造方法を提供することを目的とする。
本開示の一側面に係る積層フィルムは、基材フィルムと、基材フィルムの一面側に設けられた粘着フィルム及び支持片形成用フィルムと、を備え、支持片形成用フィルムは、当該支持片形成用フィルムの厚さ全体に及ぶ切込パターンにより複数の支持片に個片化されており、支持片形成用フィルムの周縁部の少なくとも一部の領域には、切込パターンが形成されていない非切込部が設けられている。
この積層フィルムでは、支持片形成用フィルムが予め複数の支持片に個片化されている。したがって、粘着フィルム及び支持片形成用フィルムの積層体をリングフレームに固定した後の支持片形成用フィルムのダイシングを省略できる。また、この積層フィルムでは、支持片形成用フィルムの周縁部の少なくとも一部の領域に設けられた非切込部により、粘着フィルムをリングフレームに貼り付ける際に粘着フィルムと支持片形成用フィルムとの間にボイドが生じたとしても、当該ボイドの拡がりを切込パターンと非切込部との境界部分で食い止めることができる。したがって、この積層フィルムでは、粘着フィルムと支持片形成用フィルムとの間のボイドの拡がりを抑制できる。
非切込部は、支持片形成用フィルムの周縁部の全体にわたって設けられていてもよい。この場合、ボイドの起点の位置に関わらず、ボイドの拡がり経路上に切込パターンと非切込部との境界部分を位置させることができる。したがって、粘着フィルムと支持片形成用フィルムとの間のボイドの拡がりをより確実に抑制できる。
支持片形成用フィルムは、熱硬化性樹脂層を含んで構成されていてもよい。この場合、積層フィルムにおいて、基材フィルムによる支持片形成用フィルムの保持性能を高めることが可能となる。また、ピックアップ後の半導体装置の基板への支持片の接続を好適に実施できる。
支持片形成用フィルムは、熱硬化性樹脂層よりも剛性の高い樹脂層又は金属層を更に含んで構成されていてもよい。支持片形成用フィルムが剛性の高い層を含むことで、突上治具への追従性が低下する一方で、吸引コレット等のピックアップツールへの追従性を高めることができる。金属層を含む場合、樹脂材料と金属材料との間の光学的なコントラストにより、ピックアップ時の支持片の視認性を高めることができる。
熱硬化性樹脂層は、樹脂層又は金属層を挟むように複数層設けられていてもよい。この場合、熱硬化性樹脂層に対する熱硬化処理を実施しなくても、支持片のピックアップ性を一層十分に確保できる。
本開示の一側面に係る支持片の製造方法は、上記積層フィルムを用いた支持片の製造方法であって、粘着フィルムをリングフレームに貼り付けることにより、基材フィルムから剥離した粘着フィルム及び支持片形成用フィルムの積層体をリングフレームに固定する固定工程と、切込パターンによって個片化されている複数の支持片を粘着フィルムから順次ピックアップするピックアップ工程と、を備える。
この支持片の製造方法では、粘着フィルム及び支持片形成用フィルムの積層体をリングフレームに固定した後の支持片形成用フィルムのダイシングを省略できる。また、固定工程において粘着フィルムと支持片形成用フィルムとの間にボイドが生じたとしても、当該ボイドの拡がりを切込パターンと非切込部との境界部分で食い止めることができる。したがって、粘着フィルムと支持片形成用フィルムとの間のボイドの拡がりを抑制できる。
固定工程とピックアップ工程との間に、非切込部を支持片形成用フィルムから剥離する剥離工程を備えていてもよい。非切込部は、固定工程においてボイドが生じ得る部分である。ピックアップ工程の実施前に非切込部を剥離しておくことで、ピックアップの際に不具合が生じることを好適に防止できる。
本開示によれば、粘着フィルムと支持片形成用フィルムとの間のボイドの拡がりを抑制できる。
以下、図面を参照しながら、本開示の一側面に係る積層フィルム及び支持片の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
以下の説明では、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。図中の寸法及び寸法割合は便宜的なものであり、必ずしも実際の寸法を反映したものではない。本明細書中、「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む。本明細書において段階的に記載されている数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。
本明細書における「層」は、平面図として観察したときに、被形成物の全面に形成されている態様、及び被形成物の一部に形成されている態様のいずれも包含される。本明細書における「工程」は、必ずしも独立した工程に限られず、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されるものも含まれ得る。
図1は、ドルメン構造を有する半導体装置の一例を示す模式的な断面図である。同図に示す半導体装置1は、基板2と、基板2の一面に配置されたコントローラチップ3と、複数のメモリチップ4,5,6と、これらのチップのそれぞれを基板2上の電極(不図示)と電気的に接続する複数のワイヤWとを備えている。コントローラチップ3、メモリチップ4,5,6、及びワイヤWは、封止材7によって封止されている。
基板2は、例えば有機基板である。基板2は、リードフレーム等の金属基板であってもよい。コントローラチップ3の周囲には、複数の支持片Dが配置されている。コントローラチップ3及びメモリチップ4,5,6の片面には、接着層8がそれぞれ設けられている。コントローラチップ3は、接着層8を介して基板2の表面に固定されている。メモリチップ4,5,6は、ワイヤWの接続スペースが形成されるように、接着層8を介して階段状に積層されている。メモリチップ4,5,6の積層体は、最下層のメモリチップ4の片面の接着層8を介し、複数の支持片Dによってコントローラチップ3の上方(基板2と反対側)で支持されている。
なお、図1の例では、基板2とコントローラチップ3との接続にワイヤWが用いられているが、基板2とコントローラチップ3とがバンプ接続(例えばCuバンプとハンダを用いた接続)された構成となっていてもよい。
次に、上述した支持片Dの製造に用いられる積層フィルムについて説明する。図2は、本開示の一実施形態に係る積層フィルムを示す模式的な平面図である。また、図3は、その模式的な断面図である。図2及び図3に示すように、積層フィルム11は、基材フィルム12と、基材フィルム12の一面側に設けられた粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14とを備えている。
本実施形態では、基材フィルム12は、長尺のフィルムとなっており、所定の幅をもって一方向に延在している。粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14の積層体Lは、基材フィルム12の延在方向に所定の間隔をもって配列されている。基材フィルム12は、積層フィルム11の土台となるフィルムである。例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリオレフィンなどの材料によって形成されている。基材フィルム12は、熱収縮性を有していてもよい。
粘着フィルム13は、支持片形成用フィルム14を後述のリングフレーム18(図5等参照)に固定するためのフィルムである。粘着フィルム13は、粘着層及び基材層を含んで構成され、粘着層が基材フィルム12及び支持片形成用フィルム14を向くように配置されている。粘着フィルム13は、例えばパンチング等の加工手段によって、基材フィルム12の幅よりも小さい直径の円形に形成されている。粘着フィルム13は、例えば紫外線硬化型の粘着剤によって構成され、紫外線の照射によって粘着性が低下する性質を有している。粘着フィルム13の粘着層は、紫外線硬化型の粘着剤のほか、感圧型(非紫外線硬化型)の粘着剤であってもよい。
図2の例では、基材フィルム12の幅方向の中央の円形の粘着フィルム13に加え、基材フィルム12の幅方向の両端部に中央の粘着フィルム13を囲うように粘着フィルム13が更に配置されている。この両端部の粘着フィルム13は、積層フィルム11をロール形態とする場合に、積層フィルム11の中央と両端との凹凸差を解消する役割を有している。これにより、巻き数が増えた場合でも、凹凸差による巻きずれ、ボイド等の不具合の発生を回避できる。
支持片形成用フィルム14は、上述した半導体装置1における支持片D(図1参照)を形成するためのフィルムである。支持片形成用フィルム14は、例えばパンチング等の加工手段によって、粘着フィルム13よりも一回り小さい直径の円形に形成されている。支持片形成用フィルム14は、例えば熱硬化性樹脂組成物によって構成されている。すなわち、支持片形成用フィルム14は、熱硬化性樹脂層15によって構成されている。
支持片形成用フィルム14を構成する熱硬化性樹脂組成物は、半硬化(Bステージ)状態を経て、その後の硬化処理によって完全硬化物(Cステージ)状態となり得る。熱硬化性樹脂組成物には、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマ(例えば、アクリル樹脂)とが含まれる。熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等が更に含まれる。
支持片形成用フィルム14は、当該支持片形成用フィルム14の厚さ全体に及ぶ切込パターン16により複数の支持片Dに個片化されている。図2及び図3の例では、切込パターン16は、支持片形成用フィルム14の平面視において格子状をなしており、支持片形成用フィルム14のフルカットによって、当該支持片形成用フィルム14の一面側から他面側に切り込みが到達した状態となっている。この切り込みは、粘着フィルム13の一面側(粘着層)まで到達していてもよい。切込パターン16により、支持片形成用フィルム14には、矩形の支持片Dが予めマトリクス状に配列された状態となっている。
支持片形成用フィルム14の周縁部14aの少なくとも一部の領域には、図2に示すように、切込パターン16が形成されていない非切込部17が設けられている。図2の例では、非切込部17は、支持片形成用フィルム14の周縁部14aの全体にわたって設けられている。
積層フィルム11の作製にあたっては、基材フィルム12の一面側に支持片形成用フィルム14が設けられた積層体を用意する。支持片形成用フィルム14をプリカットし、当該支持片形成用フィルム14の厚さ全体に及ぶ切込パターン16により複数の支持片Dに個片化する。プリカットの際、支持片形成用フィルム14の周縁部14aの少なくとも一部の領域(ここでは全体)に切込パターン16が形成されていない非切込部17を設ける。
非切込部17の形成の後、支持片形成用フィルム14のうち切込パターン16及び非切込部17が設けられた円形部分を残し、余剰部分を巻き取り等によって剥離する。次に、粘着フィルム13を基材フィルム12及び支持片形成用フィルム14にラミネートする。粘着フィルム13のラミネート後、当該粘着フィルム13をプリカットし、余剰部分を剥離することで、図2及び図3に示した積層フィルム11が得られる。
次に、上述した積層フィルム11を用いた支持片の製造方法について説明する。図4は、本開示の一実施形態に係る支持片の製造方法を示すフローチャートである。図4に示すように、この支持片の製造方法は、固定工程(ステップS01)と、剥離工程(ステップS02)と、ピックアップ工程(ステップS03)とを備えている。
固定工程は、粘着フィルム13をリングフレーム18に貼り付けることにより、基材フィルム12から剥離した粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14の積層体Lをリングフレーム18に固定する工程である。本実施形態では、図5に示すように、半導体ウェハへのダイシングフィルムのラミネートに用いられる一般的なラミネート装置21を流用して固定工程を実施する。
ラミネート装置21は、リングフレーム18が載置されるステージ22と、吸着テーブル23と、ローラ24とを含んで構成されている。粘着フィルム13のラミネートにあたっては、積層フィルム11から基材フィルム12を剥離する。次に、ステージ22上に載置されたリングフレーム18に対し、支持片形成用フィルム14が吸着テーブル23側を向くように、粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14の積層体Lを配置する。
吸着テーブル23は、支持片形成用フィルム14に接していてもよく、接していなくてもよい。吸着テーブル23をリングフレーム18と同レベルの高さに合わせた場合に、吸着機構が作動してエラー(例えばウェハが未検出である旨のエラー)が発生する場合には、吸着テーブル23の高さをリングフレーム18の高さよりも一段低くしておいてもよい。
粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14の積層体Lを配置した後、ローラ24によって圧力を付与し、リングフレーム18に粘着フィルム13の周縁部を貼り付ける。これにより、粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14の積層体Lがリングフレーム18に固定される。
ローラ24によって圧力を付与する際、粘着フィルム13に張力がかかり、粘着フィルム13が吸着テーブル23側に撓むように変形し得る。このため、支持片形成用フィルム14にピール作用が働き、支持片形成用フィルム14の周縁部14aにおいて粘着フィルム13と支持片形成用フィルム14との間にボイドVが生じ得る。図5の例では、ボイドVは、ローラ24による粘着フィルム13の貼付開始位置側及び貼付終了位置側で生じ易く、発生したボイドVは、ローラ24からの圧力に応じて、支持片形成用フィルム14の周縁部14aから中央部側に向かって進行する。
このような現象に対し、積層フィルム11では、支持片形成用フィルム14の周縁部14aの全体に上述した非切込部17が設けられている。このため、粘着フィルム13と支持片形成用フィルム14との間にボイドVが生じたとしても、当該ボイドVの拡がり経路上に切込パターン16と非切込部17との境界部分Rを位置させることができる。ボイドVの拡がりは、切込パターン16と非切込部17との境界部分Rで食い止められ、支持片形成用フィルム14の中央部へのボイドVの拡がりが抑制される。
剥離工程は、非切込部17を支持片形成用フィルム14から剥離する工程である。剥離工程は、固定工程とピックアップ工程との間に実施される。ここでは、図6に示すように、支持片形成用フィルム14の周縁部14aから非切込部17を剥離する。非切込部17の剥離により、固定工程で生じたボイドVを除去することができる。
非切込部17の剥離には、例えば半導体ウェハからバックグラインドテープを剥離するときと同様に、非切込部17に付着させた粘着層を引っ張る手法、熱圧着を用いた手法などを用いることができる。非切込部17は、ボイドVの発生の有無に関わらずに剥離してもよく、ボイドVの発生を視認等によって確認し、ボイドVが確認された非切込部17を選択的に剥離してもよい。粘着フィルム13が紫外線硬化型の粘着剤によって構成されている場合、当該粘着剤の粘着力によっては非切込部17の剥離前に粘着フィルム13への紫外線照射を実施してもよい。この場合、例えば粘着フィルム13の裏面(支持片形成用フィルム14と反対側の基材層)から紫外線を照射することで、非切込部17の剥離をスムーズに行うことができる。
ピックアップ工程は、切込パターン16によって個片化されている複数の支持片Dを粘着フィルム13から順次ピックアップする工程である。本実施形態では、支持片形成用フィルム14が予め切込パターン16によって複数の支持片Dに個片化されているため、ピックアップ工程前のダイシング工程は不要となっている。
ピックアップ工程では、粘着フィルム13に対して紫外線を照射し、支持片形成用フィルム14との間の粘着力を低下させる。粘着フィルム13の粘着層が感圧型(非紫外線硬化型)の粘着剤である場合、紫外線の照射を省略してピックアップ工程を進めることができる。次に、図7に示すように、支持片Dを吸引コレット25で吸引し、支持片Dをピックアップする。吸引コレット25による支持片Dの吸引にあたっては、ピックアップする支持片Dを突上治具等で粘着フィルム13側から突き上げてもよい。
以上説明したように、積層フィルム11では、支持片形成用フィルム14が予め複数の支持片Dに個片化されている。したがって、粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14の積層体Lをリングフレーム18に固定した後の支持片形成用フィルム14のダイシングを省略できる。また、積層フィルム11では、支持片形成用フィルム14の周縁部14aの少なくとも一部の領域に設けられた非切込部17により、粘着フィルム13をリングフレーム18に貼り付ける際に粘着フィルム13と支持片形成用フィルム14との間にボイドVが生じたとしても、当該ボイドVの拡がりを切込パターン16と非切込部17との境界部分Rで食い止めることができる。したがって、積層フィルム11では、粘着フィルム13と支持片形成用フィルム14との間のボイドVの拡がりを抑制できる。
積層フィルム11では、支持片形成用フィルム14が熱硬化性樹脂層を含んで構成されている。これにより、積層フィルム11において、基材フィルム12による支持片形成用フィルム14の保持性能を高めることが可能となる。また、ピックアップ後の半導体装置1の基板2への支持片Dの接続を好適に実施できる。
本実施形態に係る支持片の製造方法では、粘着フィルム13及び支持片形成用フィルム14の積層体Lをリングフレーム18に固定した後の支持片形成用フィルム14のダイシングを省略できる。また、固定工程において粘着フィルム13と支持片形成用フィルム14との間にボイドVが生じたとしても、当該ボイドVの拡がりを切込パターン16と非切込部17との境界部分Rで食い止めることができる。したがって、粘着フィルム13と支持片形成用フィルム14との間のボイドVの拡がりを抑制できる。
本実施形態に係る支持片の製造方法では、固定工程とピックアップ工程との間に、非切込部17を支持片形成用フィルム14から剥離する剥離工程を備えている。非切込部17は、固定工程においてボイドVが生じ得る部分である。ピックアップ工程の実施前に非切込部17を剥離しておくことで、ピックアップの際に不具合が生じることを好適に防止できる。
本開示は、上記実施形態に限られるものではない。例えば上記実施形態では、非切込部17が支持片形成用フィルム14の周縁部14aの全体にわたって設けられているが、非切込部17は、支持片形成用フィルム14の任意の一部分又は複数部分に設けられていてもよい。非切込部17を支持片形成用フィルム14の周縁部14aの全体にわたって設ける場合においても、非切込部17は必ずしも連続した形状でなくてもよい。支持片形成用フィルム14の周縁部14aにおいて、非切込部17が点線状、破線状に設けられていてもよい。また、例えばC字状のように、一部のみを非連続とした形状であってもよい。
支持片形成用フィルム14は、図8(a)に示すように、熱硬化性樹脂層15よりも剛性の高い樹脂層31又は金属層32を更に含んで構成されていてもよい。樹脂層31としては、例えばポリイミド層が用いられる。金属層32としては、例えば銅層、アルミニウム層などが用いられる。この場合、支持片形成用フィルム14が剛性の高い層を含むことで、突上治具等への追従性が低下する一方で、吸引コレット25等のピックアップツールへの追従性を高めることができる。金属層32を含む場合、樹脂材料と金属材料との間の光学的なコントラストにより、ピックアップ時の支持片Dの視認性を高めることができる。
また、図8(b)に示すように、熱硬化性樹脂層15は、樹脂層31又は金属層32を挟むように複数層設けられていてもよい。この場合においても、図8(a)の場合と同様の作用効果が奏される。図8(b)の例では、樹脂層31又は金属層32の一面側及び他面側に熱硬化性樹脂層15が1層ずつ設けられているが、樹脂層31又は金属層32の一面側及び他面側に熱硬化性樹脂層15が複数層ずつ設けられていてもよい。
11…積層フィルム、12…基材フィルム、13…粘着フィルム、14…支持片形成用フィルム、14a…周縁部、15…熱硬化性樹脂層、16…切込パターン、17…非切込部、31…樹脂層、32…金属層、D…支持片、L…積層体。
Claims (7)
- 基材フィルムと、
前記基材フィルムの一面側に設けられた粘着フィルム及び支持片形成用フィルムを備え、
前記支持片形成用フィルムは、当該支持片形成用フィルムの厚さ全体に及ぶ切込パターンにより複数の支持片に個片化されており、
前記支持片形成用フィルムの周縁部の少なくとも一部の領域には、前記切込パターンが形成されていない非切込部が設けられている積層フィルム。 - 前記非切込部は、前記支持片形成用フィルムの周縁部の全体にわたって設けられている請求項1記載の積層フィルム。
- 前記支持片形成用フィルムは、熱硬化性樹脂層を含んで構成されている請求項1又は2記載の積層フィルム。
- 前記支持片形成用フィルムは、前記熱硬化性樹脂層よりも剛性の高い樹脂層又は金属層を更に含んで構成されている請求項3記載の積層フィルム。
- 前記熱硬化性樹脂層は、前記樹脂層又は前記金属層を挟むように複数層設けられている請求項4記載の積層フィルム。
- 請求項1~5のいずれか一項記載の積層フィルムを用いた支持片の製造方法であって、
前記粘着フィルムをリングフレームに貼り付けることにより、前記基材フィルムから剥離した前記粘着フィルム及び前記支持片形成用フィルムの積層体をリングフレームに固定する固定工程と、
前記切込パターンによって個片化されている複数の支持片を前記粘着フィルムから順次ピックアップするピックアップ工程と、を備える支持片の製造方法。 - 前記固定工程と前記ピックアップ工程との間に、前記非切込部を前記支持片形成用フィルムから剥離する剥離工程を備える請求項6記載の支持片の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022002409 | 2022-01-11 | ||
JP2022-002409 | 2022-01-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2023136004A1 true WO2023136004A1 (ja) | 2023-07-20 |
Family
ID=87278785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2022/045546 WO2023136004A1 (ja) | 2022-01-11 | 2022-12-09 | 積層フィルム及び支持片の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW202329390A (ja) |
WO (1) | WO2023136004A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012248607A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンドダイシングシート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2020053453A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 古河電気工業株式会社 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
JP2020181894A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 日立化成株式会社 | ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法 |
WO2021038785A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 支持片の製造方法、半導体装置の製造方法、及び支持片形成用積層フィルム |
-
2022
- 2022-12-09 WO PCT/JP2022/045546 patent/WO2023136004A1/ja active Application Filing
- 2022-12-14 TW TW111147952A patent/TW202329390A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012248607A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンドダイシングシート及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2020053453A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 古河電気工業株式会社 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
JP2020181894A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 日立化成株式会社 | ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法 |
WO2021038785A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 支持片の製造方法、半導体装置の製造方法、及び支持片形成用積層フィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202329390A (zh) | 2023-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7563642B2 (en) | Manufacturing method of a semiconductor device | |
US7294531B2 (en) | Wafer level chip stack method | |
TWI384522B (zh) | 半導體間隙壁結構、用於將一半導體間隙壁晶粒黏著於一支撐表面之方法及用於組合一多晶片半導體封裝之方法 | |
JP4719042B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW200415754A (en) | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device | |
JP2013038214A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3933118B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
WO2015178369A1 (ja) | ダイボンドダイシングシート | |
JP2012186295A (ja) | 積層型半導体装置の製造方法 | |
KR101960982B1 (ko) | 사전 절단되어 웨이퍼상에 도포된 언더필 필름 | |
US9362105B2 (en) | Pre-cut wafer applied underfill film on dicing tape | |
US7306971B2 (en) | Semiconductor chip packaging method with individually placed film adhesive pieces | |
JP4528758B2 (ja) | 転写テープ及びこの転写テープを用いた半導体装置の製造方法 | |
WO2023136004A1 (ja) | 積層フィルム及び支持片の製造方法 | |
JP2005209940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005045023A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JP5598865B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
JP4145804B2 (ja) | 積層型モジュールの製造方法 | |
JP2024034201A (ja) | 積層フィルム巻回体 | |
JP2008085354A (ja) | 半導体製造装置 | |
CN116210358A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP2012084784A (ja) | 半導体装置の製造方法並びにそれに用いるダイボンディングフィルム及びそのダイボンディングフィルムを用いた半導体装置 | |
KR20070070767A (ko) | 적층 칩 패키지 제조 방법 | |
US20050224919A1 (en) | Spacer die structure and method for attaching | |
KR20050038502A (ko) | 적층 칩 패키지 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 22920524 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2023573909 Country of ref document: JP |