CN103855458A - 在天线中嵌入低k材料 - Google Patents

在天线中嵌入低k材料 Download PDF

Info

Publication number
CN103855458A
CN103855458A CN201310080407.5A CN201310080407A CN103855458A CN 103855458 A CN103855458 A CN 103855458A CN 201310080407 A CN201310080407 A CN 201310080407A CN 103855458 A CN103855458 A CN 103855458A
Authority
CN
China
Prior art keywords
low
dielectric module
dielectric
ground plate
paster
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310080407.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103855458B (zh
Inventor
吕孟升
赖威志
蔡仲豪
谢政宪
叶恩祥
王垂堂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN103855458A publication Critical patent/CN103855458A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103855458B publication Critical patent/CN103855458B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04Resonant antennas
    • H01Q9/0407Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203Reshaping, e.g. forming vias
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • H01L2924/1816Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18162Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

一种器件包括贴片天线,该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。本发明还提供了在天线中嵌入低K材料。

Description

在天线中嵌入低K材料
技术领域
本发明一般地涉及半导体技术领域,更具体地来说,涉及一种天线及其制造方法。
背景技术
内置天线广泛用于诸如手机的移动应用中。通常,利用低温共烧陶瓷(LTCC)形成天线,其中,多个LTCC层用于分离天线的馈线(feeding line)、接地板和贴片。天线的特性与LTCC层的厚度相关。为了增加天线的可用带宽,需要增加LTCC层的数量。这为高频应用带来了问题。由于LTCC层的数量增加,天线的总厚度增加,因而最终应用的厚度增加。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的缺陷,根据本发明的一方面,提供了一种器件,包括:贴片天线,包括:馈线;接地板,位于所述馈线的上方,所述接地板包括位于其中的孔;低k介电模块,位于所述孔的上方并且与所述孔对准;以及贴片,位于所述低k介电模块的上方。
该器件还包括:环绕所述低k介电模块的成型材料。
该器件还包括:在所述成型材料中模制的器件管芯,其中,所述器件管芯与所述贴片天线电连接。
在该器件中,所述成型材料的顶面与所述低k介电模块的顶面基本上齐平,并且所述成型材料的底面与所述低k介电模块的底面基本上齐平。
在该器件中,所述接地板包括顶面,所述顶面包括:第一部分,与所述低k介电模块的底面接触;以及第二部分,与所述成型材料的底面接触。
在该器件中,从上往下看时,所述低k介电模块的区域不同于所述接地板的区域。
该器件还包括:附加贴片天线,包括:附加馈线;附加接地板,位于所述附加馈线的上方并且包括位于其中的附加孔;附加低k介电模块,位于所述附加孔的上方并且与所述附加孔对准;和附加贴片,位于所述附加低k介电模块的上方;以及介电区,位于所述低k介电模块和所述附加低k介电模块之间并且使所述低k介电模块和所述附加低k介电模块分离,所述介电区和所述低k介电模块由不同材料形成。
在该器件中,所述低k介电模块包括选自基本上由膨胀的聚苯乙烯泡沫、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、硬橡胶、和多孔材料所组成的组的材料。
根据本发明的另一方面,提供了一种器件,包括:器件管芯;成型材料,其中模制有所述器件管芯;以及贴片天线,包括:贴片;接地板,所述贴片和所述接地板位于所述成型材料的相对侧;和馈线,与所述器件管芯电连接。
该器件还包括位于所述贴片和所述接地板之间的低k介电模块,其中,所述低k介电模块被所述成型材料环绕。
在该器件中,所述低k介电模块包括选自基本上由泡沫聚苯乙烯、特氟纶、卢塞特树脂、硬橡胶和多孔材料所组成的组的材料。
在该器件中,所述贴片和所述接地板与所述低k介电模块的相对表面接触,并且所述器件管芯的表面与所述成型材料的表面齐平。
在该器件中,所述贴片和所述馈线与所述低k介电模块的相对表面接触,并且所述馈线和所述接地板处于相同水平。
在该器件中,所述贴片和所述馈线与所述低k介电模块的相对表面接触,并且所述低k介电模块和所述接地板位于所述馈线的相对侧。
根据本发明的又一方面,提供了一种方法,包括:在第一载体上方放置器件管芯和低k介电模块;在成型材料中模制所述器件管芯和所述低k介电模块;在所述成型材料的上方形成贴片天线的接地板;在所述接地板的上方形成所述贴片天线的馈线,其中,所述馈线与所述器件管芯电连接;以及在所述低k介电模块的下方形成所述贴片天线的贴片。
在该方法中,模制步骤和形成所述接地板的步骤包括:在所述器件管芯和所述低k介电模块的上方施加所述成型材料,其中,所述成型材料填充在所述器件管芯和所述低k介电模块之间的间隙中;研磨所述成型材料;暴露所述器件管芯的金属连接件;以及形成位于所述成型材料上方并且与所述金属连接件电连接的所述接地板。
该方法还包括:在形成所述接地板和形成所述馈线之后,使所述第一载体与所述成型材料脱离;在形成所述贴片的步骤之前,附接第二载体,其中,将所述第一载体和所述第二载体附接至所述成型材料和所述器件管芯的相对侧;以及在形成所述贴片之后,使所述第二载体与包括所述成型材料的封装件脱离。
在该方法中,形成所述接地板、所述馈线和所述贴片的步骤包括喷镀。
在该方法中,放置所述低k介电模块的步骤包括放置预先形成的介电模块,所述预先形成的介电模块包含选自基本上由泡沫聚苯乙烯、特氟纶、卢塞特树脂、硬橡胶和多孔材料所组成的组的材料。
该方法还包括,在形成所述贴片天线时,同时形成多个贴片天线,其中,所述多个贴片天线中的每一个都包括位于所述成型材料的相对侧的部分。
附图说明
为了更充分地理解实施例及其优点,现在将结合附图所进行的以下描述作为参考,其中:
图1至图12是根据一些示例性实施例制造具有嵌入的低k介电材料的贴片天线的中间阶段的截面图;
图13和图14分别示出利用图1至图12中的工艺步骤所形成的贴片天线的一部分的截面图和俯视图;
图15A和图15B分别示出根据可选实施例的贴片天线的截面图和俯视图,其中,馈线和接地板位于相同层处;以及
图16A和16B分别示出根据又一个可选实施例的贴片天线的截面图和俯视图,其中,馈线位于低k介电模块和接地板之间。
具体实施方式
下面,详细讨论本发明的实施例的制造和使用。然而,应该理解,本实施例提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的构思。所讨论的具体实施例仅仅是示例性的,而不用于限制本发明的范围。
根据各种示例性实施例提供了包括其中含有低k介电材料的天线的封装件及其形成方法。说明了形成封装件的中间阶段。讨论了实施例的变型例。在各个示图和示例性实施例中,类似的参考数字用于指定类似的元件。
图1至图12是根据一些示例性实施例制造包括内置贴片天线(patchantenna)的封装件的中间阶段的截面图。图1示出载体20以及在其上形成的粘合层22。载体20可以是玻璃载体、陶瓷载体等。粘合层22可以由诸如紫外线(UV)胶的粘合剂形成。器件管芯24设置在载体20上方,例如通过粘合层22固定在载体20上。器件管芯24可以是其中包括逻辑晶体管的逻辑器件管芯。在一些示例性实施例中,为移动应用设计器件管芯24。尽管示出了单个管芯24,但是更多管芯可以置于在载体20上方并且相互齐平。
在一些实施例中,预先形成低k介电模块28,然后,放置在粘合层22上。低k介电模块28包括低k介电材料,该低k介电材料的介电常数(k值)小于约3.8、小于约3.0、小于约2.5、小于约2.0或小于约1.5。低k介电模块28的厚度可以等于或稍微大于器件管芯24的厚度。低k介电模块28的材料可以包括(但不限于)膨胀的聚苯乙烯泡沫(总名称为泡沫聚苯乙烯(Styrofoam),道化学公司(Dow Chemical Company)的注册商标)、聚四氟乙烯(PTFE,被称为特氟纶(Teflon),杜邦公司的注册商标)、聚甲基丙烯酸甲酯(也被称为卢塞特树脂(lucite),璐彩特国际公司的注册商标)、硬橡胶(Ebonite)、或其中具有气体空隙(也被称为气孔)的多孔材料。泡沫聚苯乙烯的k值可以等于约1.03。特氟纶可以的k值等于约2.1。卢塞特树脂的k值可以等于约2.5。硬橡胶的k值可以等于约2.7。低k介电模块28的底面基本上与器件管芯24的底面齐平。低k介电模块28可以是具有均一组分的单层模块,或包括由不同材料所形成的多个层。低k介电模块28的俯视图形状包括矩形、六边形、圆形或任何其他形状。在一些实施例中,在图1中的结构的俯视图中,分配多个低k介电模块28作为阵列。低k介电模块28的数量可以大于2、4、6或任何其他数量。
在一些示例性实施例中,将电连接件26(诸如铜柱或金属焊盘)形成为器件管芯24的顶部并且与器件管芯24中的器件(未示出)电连接。在一些实施例中,电连接件26从周围的介电材料的顶面突出。在可选实施例中,电连接件26与周围的介电材料的顶面齐平。
参照图2,在器件管芯24和低k介电模块28上模制成型材料30。成型材料30填充器件管芯24和低k介电模块28之间的间隙,并且可以与粘合层22接触。另外,成型材料30可以包括位于器件管芯24和低k介电模块28上方的部分。成型材料30可以包括模塑料、成型底部填充物、环氧树脂或树脂。成型材料30的k值可以大于约3.5、大于约5.5、或大于约7.5。此外,成型材料30的k值大于低k介电模块28的k值。例如,成型材料30的k值与低k介电模块28的k值之间的差值可以大于约0.5、大于约1.0、或大于约2.0。成型材料30的顶面高于电连接件26和低k介电模块28的顶端。在可选实施例中,其中,电连接件26是突出部件,成型材料30还可以填充电连接件26之间的间隔。
接下来,实施可以包括研磨步骤的减薄步骤以减薄成型材料30。由于减薄步骤,低k介电模块28的顶面28A可以与成型材料30的顶面30A基本上齐平。在随后的步骤中,如图3所示,实施蚀刻步骤以在成型材料30中形成开口32,通过开口32暴露器件管芯24的电连接件26。
接下来,参照图4,例如,通过喷镀在开口32中形成金属凸块34。金属凸块34可以包括铜、铝、钨等。在可选实施例中,其中,电连接件26是突出部件,在成型材料30的模制和成型材料30的减薄之后,电连接件26被暴露,并且与减薄的成型材料30的顶面齐平。因此,在这些实施例中,可以省略蚀刻成型材料30以形成开口32(图3)和喷镀以形成金属凸块34。
接下来,参照图5,再分布线(RDL)42和接地板(ground panel)44在成型材料30的上方形成,并且与电连接件26连接。在一些实施例中,通过沉积金属层,并且图案化该金属层来形成RDL42。在可选实施例中,利用镶嵌工艺来形成RDL42和接地板44。RDL42和接地板44可以包括金属或金属合金,该金属或金属合金包含铝、铜、钨和/或它们的合金。接地板44与低k介电模块28重叠并且接地板44的俯视图尺寸可以大于、等于、或小于低k介电模块28的俯视图尺寸。接地板44在最终的封装件中电接地。接地板44还可以通过RDL42与器件管芯24电连接。每个接地板44可以包括与下面的低k介电模块28对准的孔45。
参照图6,介电层46在RDL42和接地板44的上方形成,并且填充RDL42和接地板44之间的间隙。在一些实施例中,介电层46由低k介电材料形成,该低k介电材料可以具有小于约3.5、3.0、2.5或2.0的介电常数。介电层46还可以由诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的聚合物形成。
图7示出RDL48和馈线50的形成。RDL48和馈线50由导电材料形成,该导电材料可以是包括铝、铜、钨、镍等的金属或金属合金。形成工艺可以包括图案化介电层46以暴露RDL42,并且例如,通过喷镀形成RDL48和馈线50。馈线50与器件管芯24电连接,因此可以从器件管芯24接收信号或为器件管芯24提供所接收的信号。接下来,如图8所示,形成可以包括氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺、PBO等的介电层52以覆盖RDL48和馈线50。在随后的步骤中,可以形成电连接件54(在图7中未示出,参照图13)以电连接RDL48,并且可能电连接接地板44和/或馈线50。根据一些示例性实施例,连接件54的形成可以包括在RDL48的暴露部分上放置焊球,然后对该焊球进行回流。在可选实施例中,连接件54的形成包括实施喷镀步骤以在RDL48上方形成焊料区,然后对该焊料区进行回流。连接件54还可以包括可以通过喷镀形成的金属柱、或金属柱和焊料覆盖件。在整个说明书中,包括器件管芯24、低k介电模块28、成型材料30、和上面的RDL42和48、接地板44、馈线50、和介电层46以及52的组合结构被称为封装件100,封装件100在该步骤可以具有晶圆形式。
参照图9和图10,实施载体转换。使图8中的载体20和相应的粘合层22与封装件100脱离,并且在图9中示出了生成的结构。例如,当粘合层22由UV胶形成时,可以将粘合层22暴露于UV光下,使得粘合层22失去粘附性,因此可以使载体20和粘合层22与封装件100脱离。接下来,如图10所示,将载体56附接至封装件100,其中,将载体20和56附接至封装件100的相对侧。可以通过可以是UV胶、胶带等的粘合剂58将载体56附接至封装件100。
参照图11,在载体转换之后,暴露低k介电模块28、器件管芯24、和成型材料30。在所示的结构中,低k介电模块28的背面28B与器件管芯24的背面24A齐平。低k介电模块28的背面28B也可以与成型材料30的表面30B基本上齐平。然后,在封装件100的背面上形成贴片60。贴片60由导电材料形成,该导电材料可以是包括铝、铜、钨、镍等的金属或金属合金。贴片60的底面可以与低k介电模块28重叠,并且可以与低k介电模块28的底面28B接触。贴片60还可以延伸到成型材料30上并且与成型材料30接触。贴片60的俯视图尺寸可以大于、等于、或小于各自下面的低k介电模块28的俯视图尺寸。
图12示出用于覆盖贴片60和器件管芯24的介电层62的形成。介电层62可以包括氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺、PBO等。在随后的步骤中,使载体56和粘合层58与封装件100脱离。可以切割开相应的晶圆,多个封装件100相互分离。
图13示出封装件100,其中,示意性地示出电连接件54。封装件100包括贴片天线64,根据一些实施例,贴片天线64可以形成天线阵列。每个贴片天线64都包括馈线50中的一条、接地板44中的一个和贴片60中的一个。在成型材料30中形成低k介电模块28,并且低k介电模块28的顶面可以与成型材料30的顶面齐平,并且可以与器件管芯24的背面齐平。低k介电模块28的底面可以与成型材料30的底面齐平。同一天线64的贴片60和接地板44位于低k介电模块28中的同一低k介电模块的相对侧上并且可以与该低k介电模块28中同一低k介电模块接触。接地板44包括与相应的低k介电模块28对准的孔45。
图14示出一个贴片天线64的仰视图。孔45位于接地板44中。馈线50横穿孔45,并且与接地板44间隔开。在天线64运行期间,接地板44电接地。器件管芯24为馈线50提供高频(诸如射频)信号,从而馈线50通过孔45将该信号传送至贴片60。然后,贴片60发射该信号。可选地,贴片60接收信号、将信号传送至馈线59,并且到达器件管芯24。
图15A至16B示出根据可选实施例的贴片天线64的截面图和俯视图。除非另有规定,这些实施例中的元件的材料和形成方法与通过如图1至图14所示的实施例中的类似参考数字指示的类似元件基本上相同。因此,可以在图1至图14中所示的实施例的论述中找到与图15A至16B中所示的元件的形成工艺和材料相关的细节。
参照图15A,贴片天线64包括贴片60、位于贴片60下方的低k介电模块28以及位于低k介电模块28下方的接地板44和馈线50。在一些实施例中,在同一RDL层中形成接地板44和馈线50,除了根据这些实施例的金属图案与图5中示出的金属图案不同之外,该RDL层可以基本上是在图5中形成的同一层。当实施图5所示的步骤之后,同时形成接地板44和馈线50。
图15B示出图15A中的贴片天线64的俯视图。如图15B所示,接地板44包括开口51。馈线50延伸至开口51中并且通过填充有介电材料的空间51与接地板44间隔开。低k介电模块28和贴片天线64可以与馈线50和空间51的至少一些部分重叠。
图16A示出根据又一可选实施例的贴片天线64。除了根据这些实施例的馈线50位于接地板44和低k介电模块28之间之外,这些实施例类似于图13和图14中的实施例。低k介电模块28和贴片天线64可以与馈线50的至少一些部分重叠。在这些实施例中,可以利用图5所示的步骤形成馈线50,并且可以利用图7所示的步骤形成接地板44。图16B示出了图16A所示的贴片天线64的俯视图。
通过利用天线64中低k介电模块28,天线64的可用频率范围增加而不需要增加例如贴片60和接地板44之间的距离。此外,可以通过选择用于低k介电模块28的合适材料来调节天线64的特性。
根据实施例,一种器件包括贴片天线,该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。
根据其他实施例,一种封装件包括:器件管芯;成型材料,器件管芯模制在其中;和贴片天线。贴片天线包括贴片和接地板。贴片和接地板位于成型材料的相对侧上。贴片天线还包括与器件管芯电连接的馈线。
根据又一些实施例,一种方法包括在载体上方放置器件管芯和低k介电模块,以及在成型材料中模制器件管芯和低k介电模块。在成型材料的上方形成贴片天线的接地板。在接地板的上方形成贴片天线的馈线,其中,馈线与器件管芯电连接。在低k介电模块的下方形成贴片天线的贴片。
虽然已经详细地描述了实施例及其优点,但是应该理解,在不背离如通过所附的权利要求限定的实施例的精神和范围的情况下,在本文中可以进行多种变化、替换以及更改。而且,本申请的范围并不是意在受限于说明书中所述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施例。作为本领域普通技术人员根据本发明将很容易地理解,通过本发明,现有的或今后开发的用于执行与根据本发明所采用的所述相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤根据本发明可以被使用。因此,所附权利要求应该包括在这样工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤的范围内。此外,每条权利要求都构成一个单独的实施例,并且多个权利要求和实施例的组合也在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种器件,包括:
贴片天线,包括:
馈线;
接地板,位于所述馈线的上方,所述接地板包括位于其中的孔;
低k介电模块,位于所述孔的上方并且与所述孔对准;以及
贴片,位于所述低k介电模块的上方。
2.根据权利要求1所述的器件,还包括:
环绕所述低k介电模块的成型材料。
3.根据权利要求2所述的器件,还包括:
在所述成型材料中模制的器件管芯,其中,所述器件管芯与所述贴片天线电连接。
4.根据权利要求2所述的器件,其中,所述成型材料的顶面与所述低k介电模块的顶面基本上齐平,并且所述成型材料的底面与所述低k介电模块的底面基本上齐平。
5.根据权利要求2所述的器件,其中,所述接地板包括顶面,所述顶面包括:
第一部分,与所述低k介电模块的底面接触;以及
第二部分,与所述成型材料的底面接触。
6.根据权利要求1所述的器件,其中,从上往下看时,所述低k介电模块的区域不同于所述接地板的区域。
7.根据权利要求1所述的器件,还包括:
附加贴片天线,包括:
附加馈线;
附加接地板,位于所述附加馈线的上方并且包括位于其中的附加孔;
附加低k介电模块,位于所述附加孔的上方并且与所述附加孔对准;和
附加贴片,位于所述附加低k介电模块的上方;以及
介电区,位于所述低k介电模块和所述附加低k介电模块之间并且使所述低k介电模块和所述附加低k介电模块分离,所述介电区和所述低k介电模块由不同材料形成。
8.根据权利要求1所述的器件,其中,所述低k介电模块包括选自基本上由膨胀的聚苯乙烯泡沫、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、硬橡胶、和多孔材料所组成的组的材料。
9.一种器件,包括:
器件管芯;
成型材料,其中模制有所述器件管芯;以及
贴片天线,包括:
贴片;
接地板,所述贴片和所述接地板位于所述成型材料的相对侧;和
馈线,与所述器件管芯电连接。
10.一种方法,包括:
在第一载体上方放置器件管芯和低k介电模块;
在成型材料中模制所述器件管芯和所述低k介电模块;
在所述成型材料的上方形成贴片天线的接地板;
在所述接地板的上方形成所述贴片天线的馈线,其中,所述馈线与所述器件管芯电连接;以及
在所述低k介电模块的下方形成所述贴片天线的贴片。
CN201310080407.5A 2012-11-30 2013-03-13 在天线中嵌入低k材料 Active CN103855458B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/691,250 US9252491B2 (en) 2012-11-30 2012-11-30 Embedding low-k materials in antennas
US13/691,250 2012-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103855458A true CN103855458A (zh) 2014-06-11
CN103855458B CN103855458B (zh) 2016-06-22

Family

ID=50726128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310080407.5A Active CN103855458B (zh) 2012-11-30 2013-03-13 在天线中嵌入低k材料

Country Status (3)

Country Link
US (4) US9252491B2 (zh)
CN (1) CN103855458B (zh)
DE (1) DE102013104369B4 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106374208A (zh) * 2016-10-09 2017-02-01 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 高带宽有机基板天线结构和制作方法
CN107910312A (zh) * 2017-12-07 2018-04-13 中芯长电半导体(江阴)有限公司 具有天线组件的扇出型半导体封装结构及其制备方法
CN109326584A (zh) * 2018-08-07 2019-02-12 清华大学 封装天线及其制造方法
CN110128581A (zh) * 2019-05-23 2019-08-16 成都形水科技有限公司 一种微带贴片天线的灌封工艺
CN111180422A (zh) * 2018-11-13 2020-05-19 欣兴电子股份有限公司 芯片封装结构及其制造方法
CN111653527A (zh) * 2020-06-15 2020-09-11 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 封装天线及其制造方法
CN112074989A (zh) * 2018-10-19 2020-12-11 华为技术有限公司 一种天线封装结构及其制造方法
US11348869B2 (en) 2018-11-07 2022-05-31 Unimicron Technology Corp. Method of manufacturing chip packaging structure
US20230369259A1 (en) * 2017-02-24 2023-11-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated Devices in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9252491B2 (en) 2012-11-30 2016-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Embedding low-k materials in antennas
US9652649B2 (en) * 2014-07-02 2017-05-16 Auden Techno Corp. Chip-type antenna device and chip structure
CN105655258B (zh) * 2014-11-14 2018-07-13 欣兴电子股份有限公司 嵌入式元件封装结构的制作方法
CN107454989B (zh) * 2015-01-27 2020-10-27 奥特斯奥地利科技与***技术有限公司 电子组件和用于制造电子组件的方法
US9449935B1 (en) * 2015-07-27 2016-09-20 Inotera Memories, Inc. Wafer level package and fabrication method thereof
WO2017167987A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Sony Corporation Microwave antenna apparatus, packing and manufacturing method
WO2017186913A1 (en) * 2016-04-28 2017-11-02 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Component carrier with integrated antenna arrangement, electronic apparatus, radio communication method
US10269732B2 (en) * 2016-07-20 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Info package with integrated antennas or inductors
US10332841B2 (en) 2016-07-20 2019-06-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System on integrated chips and methods of forming the same
CN107068659B (zh) * 2017-04-19 2023-11-17 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种扇出型芯片集成天线封装结构及方法
US10685924B2 (en) * 2017-08-24 2020-06-16 Qualcomm Incorporated Antenna-on-package arrangements
US10411328B2 (en) 2017-09-15 2019-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Patch antenna structures and methods
US10700410B2 (en) 2017-10-27 2020-06-30 Mediatek Inc. Antenna-in-package with better antenna performance
US10325786B1 (en) * 2017-12-07 2019-06-18 Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation Double-sided plastic fan-out package structure having antenna and manufacturing method thereof
US11233310B2 (en) * 2018-01-29 2022-01-25 The Boeing Company Low-profile conformal antenna
US11315891B2 (en) * 2018-03-23 2022-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming semiconductor packages having a die with an encapsulant
JP7046723B2 (ja) * 2018-05-31 2022-04-04 加賀Fei株式会社 無線モジュールおよびその製造方法並びに電子装置
US11462419B2 (en) 2018-07-06 2022-10-04 Invensas Bonding Technologies, Inc. Microelectronic assemblies
CN110828962B (zh) 2018-08-09 2021-08-03 财团法人工业技术研究院 天线阵列模块及其制造方法
TWI700802B (zh) 2018-12-19 2020-08-01 財團法人工業技術研究院 射頻電子整合封裝結構及其製法
US11476213B2 (en) 2019-01-14 2022-10-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonded structures without intervening adhesive
US11430750B2 (en) * 2019-05-29 2022-08-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package having an antenna formed over a foaming agent filled cavity in a support layer
KR102593888B1 (ko) * 2019-06-13 2023-10-24 삼성전기주식회사 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자기기
US11228089B2 (en) * 2019-07-22 2022-01-18 Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation Antenna packaging module and making method thereof
US11101541B2 (en) * 2019-10-03 2021-08-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor assembly and method for manufacturing the same
US11276933B2 (en) 2019-11-06 2022-03-15 The Boeing Company High-gain antenna with cavity between feed line and ground plane
CN111446176B (zh) * 2020-05-19 2022-03-15 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 天线集成封装方法及结构
KR20210157595A (ko) 2020-06-22 2021-12-29 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US11631647B2 (en) * 2020-06-30 2023-04-18 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Integrated device packages with integrated device die and dummy element
US11728273B2 (en) 2020-09-04 2023-08-15 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure
US11764177B2 (en) 2020-09-04 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure
FR3134232A1 (fr) * 2022-04-05 2023-10-06 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Dispositif électronique

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716695A (zh) * 2004-06-30 2006-01-04 国际商业机器公司 构建和封装印刷天线装置的设备和方法
CN1784811A (zh) * 2003-03-31 2006-06-07 哈里公司 带有改进的短截线的高效隙缝馈电微带天线
KR20110026815A (ko) * 2009-09-08 2011-03-16 한국산업기술대학교산학협력단 광대역 평판 안테나
US20120162047A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Canon Components, Inc. Flexible printed wiring board and wireless communication module
CN102712520A (zh) * 2010-01-29 2012-10-03 E·I·内穆尔杜邦公司 由低温共烧陶瓷材料制造高频接收和/或发射装置的方法以及由其制造的装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05114811A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Mitsubishi Electric Corp アンテナ装置
US5539414A (en) * 1993-09-02 1996-07-23 Inmarsat Folded dipole microstrip antenna
US5880694A (en) * 1997-06-18 1999-03-09 Hughes Electronics Corporation Planar low profile, wideband, wide-scan phased array antenna using a stacked-disc radiator
JP4684730B2 (ja) * 2004-04-30 2011-05-18 シャープ株式会社 高周波半導体装置、送信装置および受信装置
DE102006023123B4 (de) * 2005-06-01 2011-01-13 Infineon Technologies Ag Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge mit einem Halbleitermodul mit Komponenten für Höchstfrequenztechnik in Kunststoffgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit Komponenten für ein Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge in einem Kunststoffgehäuse
US7504721B2 (en) 2006-01-19 2009-03-17 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for packaging dielectric resonator antennas with integrated circuit chips
US7518229B2 (en) 2006-08-03 2009-04-14 International Business Machines Corporation Versatile Si-based packaging with integrated passive components for mmWave applications
US8077096B2 (en) * 2008-04-10 2011-12-13 Apple Inc. Slot antennas for electronic devices
US7696930B2 (en) 2008-04-14 2010-04-13 International Business Machines Corporation Radio frequency (RF) integrated circuit (IC) packages with integrated aperture-coupled patch antenna(s) in ring and/or offset cavities
US7852281B2 (en) * 2008-06-30 2010-12-14 Intel Corporation Integrated high performance package systems for mm-wave array applications
US7728774B2 (en) 2008-07-07 2010-06-01 International Business Machines Corporation Radio frequency (RF) integrated circuit (IC) packages having characteristics suitable for mass production
US8269671B2 (en) 2009-01-27 2012-09-18 International Business Machines Corporation Simple radio frequency integrated circuit (RFIC) packages with integrated antennas
US8278749B2 (en) 2009-01-30 2012-10-02 Infineon Technologies Ag Integrated antennas in wafer level package
US8256685B2 (en) 2009-06-30 2012-09-04 International Business Machines Corporation Compact millimeter wave packages with integrated antennas
JP5590504B2 (ja) * 2009-08-31 2014-09-17 日立化成株式会社 トリプレート線路層間接続器及び平面アレーアンテナ
US8407890B2 (en) * 2010-01-25 2013-04-02 Freescale Semiconductor Inc. Method of manufacting an electronic device module with integrated antenna structure
TW201232014A (en) * 2010-08-09 2012-08-01 Univ King Abdullah Sci & Tech Gain enhanced LTCC system-on-package for UMRR applications
US8451618B2 (en) 2010-10-28 2013-05-28 Infineon Technologies Ag Integrated antennas in wafer level package
US8988299B2 (en) 2011-02-17 2015-03-24 International Business Machines Corporation Integrated antenna for RFIC package applications
US9252491B2 (en) * 2012-11-30 2016-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Embedding low-k materials in antennas
US10276404B2 (en) * 2017-08-30 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated fan-out package

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1784811A (zh) * 2003-03-31 2006-06-07 哈里公司 带有改进的短截线的高效隙缝馈电微带天线
CN1716695A (zh) * 2004-06-30 2006-01-04 国际商业机器公司 构建和封装印刷天线装置的设备和方法
KR20110026815A (ko) * 2009-09-08 2011-03-16 한국산업기술대학교산학협력단 광대역 평판 안테나
CN102712520A (zh) * 2010-01-29 2012-10-03 E·I·内穆尔杜邦公司 由低温共烧陶瓷材料制造高频接收和/或发射装置的方法以及由其制造的装置
US20120162047A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Canon Components, Inc. Flexible printed wiring board and wireless communication module

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106374208B (zh) * 2016-10-09 2019-06-18 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 高带宽有机基板天线结构和制作方法
CN106374208A (zh) * 2016-10-09 2017-02-01 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 高带宽有机基板天线结构和制作方法
US20230369259A1 (en) * 2017-02-24 2023-11-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated Devices in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same
CN107910312A (zh) * 2017-12-07 2018-04-13 中芯长电半导体(江阴)有限公司 具有天线组件的扇出型半导体封装结构及其制备方法
CN109326584A (zh) * 2018-08-07 2019-02-12 清华大学 封装天线及其制造方法
US11637381B2 (en) 2018-10-19 2023-04-25 Huawei Technologies Co., Ltd. Antenna in package structure and manufacturing method therefor
CN112074989A (zh) * 2018-10-19 2020-12-11 华为技术有限公司 一种天线封装结构及其制造方法
CN112074989B (zh) * 2018-10-19 2021-10-26 华为技术有限公司 一种天线封装结构及其制造方法
US11348869B2 (en) 2018-11-07 2022-05-31 Unimicron Technology Corp. Method of manufacturing chip packaging structure
CN111180422A (zh) * 2018-11-13 2020-05-19 欣兴电子股份有限公司 芯片封装结构及其制造方法
CN111180422B (zh) * 2018-11-13 2022-03-11 欣兴电子股份有限公司 芯片封装结构及其制造方法
CN110128581B (zh) * 2019-05-23 2021-12-31 成都形水科技有限公司 一种微带贴片天线的灌封工艺
CN110128581A (zh) * 2019-05-23 2019-08-16 成都形水科技有限公司 一种微带贴片天线的灌封工艺
CN111653527A (zh) * 2020-06-15 2020-09-11 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 封装天线及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160126634A1 (en) 2016-05-05
DE102013104369B4 (de) 2023-11-30
DE102013104369A1 (de) 2014-06-05
US11984668B2 (en) 2024-05-14
US9252491B2 (en) 2016-02-02
US11050153B2 (en) 2021-06-29
US20210328347A1 (en) 2021-10-21
US10270172B2 (en) 2019-04-23
US20190252783A1 (en) 2019-08-15
CN103855458B (zh) 2016-06-22
US20140152509A1 (en) 2014-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103855458B (zh) 在天线中嵌入低k材料
US9899298B2 (en) Microelectronic packages having mold-embedded traces and methods for the production thereof
US9666930B2 (en) Interface between a semiconductor die and a waveguide, where the interface is covered by a molding compound
US8407890B2 (en) Method of manufacting an electronic device module with integrated antenna structure
CN103779319B (zh) 具有集成天线的半导体封装及其形成方法
US9331029B2 (en) Microelectronic packages having mold-embedded traces and methods for the production thereof
US8482118B2 (en) Integrated circuit micro-module
CN102623438B (zh) 半导体装置
CN109616465A (zh) 封装结构
US20150145108A1 (en) Microelectronic packages having radiofrequency stand-off layers and methods for the production thereof
CN103311213A (zh) 整合屏蔽膜及天线的半导体封装件
CN102324416A (zh) 整合屏蔽膜及天线的半导体封装件
CN106486456B (zh) 具有集成导体元件的电子装置及其制造方法
US9754853B2 (en) Electronic device furnished with a conducting layer and method of fabrication
CN102623427B (zh) 半导体封装方法
CN105897218A (zh) 凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
JP6408561B2 (ja) 集積アンテナ用ホーン様延長部
US8558353B2 (en) Integrated circuit having an uppermost layer comprising landing pads that are distributed thoughout one side of the integrated circuit
CN102254858B (zh) 用于制造半导体器件的方法和包括具有通孔的芯片的半导体器件
CN110649002A (zh) 一种集成天线的扇出型封装结构及其制造方法
CN113808956B (zh) 芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备
CN111446176B (zh) 天线集成封装方法及结构
US20220029271A1 (en) Antenna Apparatus and Fabrication Method
CN111383926B (zh) 半导体封装件及其形成方法
KR20230049090A (ko) 절연층 내에 임베딩된 로컬 고밀도 라우팅 영역을 갖는 패키지들

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant