KR101319977B1 - 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역이 정의된 기판 상의 상기 표시영역의 중앙부에 일 방향으로 연장하며 구비된 공통배선과; 상기 기판 상에 상기 공통배선을 기준으로 이의 상측 및 하측으로 일정간격 이격하며 형성된 게이트 배선과; 게이트 절연막을 개재하여 상기 게이트 배선 및 공통배선과 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 데이터 배선과; 상기 각 화소영역에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 데이터 배선을 덮으며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 대응하여 제 1 홀이 구비되며 상기 공통배선에 대응하여 제 2 홀이 구비된 것을 특징으로 하는 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터에 대응하여 제 1 개구를 가지며, 상기 제 2 홀 내부에 제 2 개구가 구비된 공통전극과; 상기 공통전극 위로 형성된 제 3 보호층과; 상기 제 3 보호층 위로 상기 드레인 전극과 접촉하며 각 화소영역 별로 형성되며, 각 화소영역 내에서 상기 제 3 보호층을 노출시키는 바 형태의 다수의 제 3 개구가 구비된 화소전극을 포함하며, 상기 제 1 홀에 대응하는 상기 제 1 및 제 3 보호층이 제거되어 드레인 콘택홀을 이루며, 상기 제 2 홀 내부에는 상기 제 3 보호층이 제거되어 상기 공통전극을 노출시키는 제 1 공통콘택홀과 상기 제 3 및 제 1 보호층과 상기 게이트 절연막이 제거되어 상기 공통배선을 노출시키는 제 2 공통콘택홀이 구비되며, 상기 제 3 보호층 상부에는 상기 화소전극과 이격하며 상기 제 1 및 제 2 공통콘택홀을 통해 상기 공통배선 및 공통전극과 동시에 접촉하는 연결패턴이 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 액정표시장치용 어레이 기판에 관한 것으로, 특히 포토아크릴을 일 보호층으로 하며 마스크 공정수를 저감시키며 동시에 개구율을 향상시킬 수 있는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
액정표시장치(liqudi crystal display device: LCD)는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 표시소자로, 휴대 전자기기의 표시부나, 컴퓨터의 모니터 또는 텔레비전 등에 널리 사용된다.
액정은 가늘고 긴 분자구조를 가지고 있어, 배향에 방향성을 가지며 전기장 내에 놓일 경우 그 크기 및 방향에 따라 분자배열 방향이 변화된다. 따라서, 액정표시장치는 전계생성전극이 각각 형성된 두 기판 사이에 액정층이 위치하는 액정패널을 포함하며, 두 전극 사이에 생성되는 전기장의 변화를 통해서 액정분자의 배열방향을 인위적으로 조절하고, 이에 따른 광 투과율을 변화시켜 여러 가지 화상을 표시한다.
일반적으로, 액정표시장치는 다수의 배선과 스위칭 소자 및 화소전극이 형성된 어레이 기판과, 컬러필터 및 공통전극이 형성된 컬러필터 기판을 포함하며, 두 기판 사이의 액정분자는 화소전극과 공통전극 사이에 유도되는 전기장, 즉, 기판에 대해 수직한 방향의 수직 전계에 의해 구동된다.
그러나, 수직 전계에 의해 액정을 구동하는 방식은 시야각 특성이 우수하지 못한 문제가 있다.
이러한 문제를 극복하기 위해, 횡전계형 액정표시장치가 제안되었다. 횡전계형 액정표시장치에서는 화소전극과 공통전극이 동일 기판 상에 엇갈리게 형성되어, 두 전극 사이에 기판에 대해 평행한 방향의 수평 전계가 유도된다. 따라서, 액정분자는 수평 전계에 의해 구동되어, 기판에 대해 평행한 방향으로 움직이며, 이러한 횡전계형 액정표시장치는 향상된 시야각을 가진다.
하지만, 이러한 횡전계형 액정표시장치는 개구율 및 투과율이 낮은 단점이 있다.
따라서, 횡전계형 액정표시장치의 단점을 개선하기 위하여, 프린지 필드(fringe field)에 의해 액정을 구동하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(fringe field switching mode LCD)가 제안되었다.
도 1은 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 하나의 화소영역에 대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 일 방향을 따라 게이트 배선(3)과 공통배선(7)이 일정간격 이격하며 형성되어 있으며, 게이트 배선(3)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(30)이 형성되어 있다.
또한 각 화소영역(P)에는 스위칭 소자로서 게이트 배선(3) 및 데이터 배선(30)과 연결되는 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(5)과, 게이트 절연막(미도시)과, 반도체층(미도시), 소스 전극(33) 및 드레인 전극(36)을 포함한다.
상기 박막트랜지스터(Tr) 위로 상기 기판(1) 전면에는 상기 공통배선(7)을 노출시키는 공통콘택홀(55)이 구비된 제 1, 2 보호층(미도시)이 구비되고 있으며, 상기 제 2 보호층(미도시) 위로 공통전극(60)이 상기 공통콘택홀(55)을 통해 상기 공통배선(7)과 접촉하며 형성되고 있다.
또한, 상기 공통전극(60) 위로 제 3 보호층(미도시)이 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(36)을 노출시키는 드레인 콘택홀(68)을 가지며 형성되고 있으며, 상기 제 3 보호층(미도시) 위로 상기 드레인 콘택홀(68)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(36)과 접촉하며 각 화소영역(P) 별로 분리된 화소전극(70)이 형성되고 있다. 이때, 각 화소전극(70)에는 각 화소영역(P) 내에서 일정간격 이격하며 바(bar) 형태를 갖는 다수의 개구(op)가 구비되고 있다.
도 2는 도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이며, 도 3은 도 1을 절단선 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(5) 및 공통배선(7)이 형성되어 있고, 이들 구성요소의 상부로 게이트 절연막(10)이 전면에 형성되고 있다.
상기 게이트 전극(5)에 대응하는 상기 게이트 절연막(10) 상부에는 반도체층(20)이 형성되어 있으며, 이의 상부에는 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(33, 36)이 형성되어 있다.
그리고. 상기 게이트 절연막(10) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(30)이 형성되어 있다.
또한, 상기 데이터 배선(30)과 소스 및 드레인 전극(33, 36) 위에는 무기절연물질로 이루어진 제 1 보호층(40)과 유기절연물질로 이루어지며 평탄한 표면을 갖는 제 2 보호층(50)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 보호층(40, 50)에는 상기 공통배선(7)을 노출시키는 공통콘택홀(55)이 구비되고 있다.
상기 제 2 보호층(50) 위로는 상기 공통콘택홀(55)을 통해 상기 공통배선(7)과 접촉하며 투명한 도전성 물질로 이루어진 공통전극(60)이 형성되고 있다.
상기 공통전극(60) 위로는 무기절연물질로 이루어진 제 3 보호층(65)이 구비되고 있다. 이때, 상기 제 3 보호층(65)과 제 2 보호층(50) 및 제 1 보호층(40)에는 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(36)을 노출시키는 드레인 콘택홀(68)이 구비되고 있다.
또한, 상기 제 3 보호층(65) 위로는 투명 도전성 물질로 이루어지며 상기 드레인 콘택홀(68)을 통해 상기 드레인 전극(36)과 접촉하며 각 화소영역(P) 별로 화소전극(70)이 형성되고 있으며, 이러한 각 화소전극(70)에는 각 화소영역(P) 내에서 일정간격 이격하며 바(bar) 형태를 갖는 다수의 개구(op)가 구비되고 있다.
이러한 구성을 갖는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(1)을 형성하는 데에는 총 7회의 마스크 공정을 진행하고 있다.
간단히 전술한 구성을 갖는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대해 도 1, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
우선, 제 1 마스크 공정을 진행하여 기판(1) 상에 게이트 배선(3)과 공통배선(7) 및 게이트 전극(5)을 형성한다.
이후, 상기 게이트 배선(3)과 공통배선(7) 및 게이트 전극(5) 위로 전면에 게이트 절연막(10)을 형성한다.
다음, 제 2 마스크 공정을 진행하여 게이트 절연막(10)의 상부로 데이터 배선(30)과 반도체층(20) 및 상기 반도체층(20) 상부에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(33, 36)을 형성한다.
그리고, 상기 데이터 배선(30)과 소스 및 드레인 전극(33, 36) 위로 무기절연물질로 이루어진 제 1 보호층(40)을 형성한다.
이후, 상기 제 1 보호층(40) 위로 유기절연물질로 이루어진 평탄한 표면을 갖는 제 2 보호층(50)을 형성하고, 이에 대해 제 3 마스크 공정을 진행하여 상기 드레인 전극(36)과 공통배선(7)에 대응하여 각각 상기 제 1 보호층(40)을 노출시키는 제 1 및 제 2 홀(미도시)을 형성한다.
다음, 상기 제 2 홀(미도시)에 대응되는 상기 제 1 보호층(40)에 대해 제 4 마스크 공정을 진행하여 선택적으로 상기 제 2 홀(미도시)에 대응하는 부분의 제 1 보호층(40)을 제거함으로서 상기 공통배선(7)을 노출시키는 공통콘택홀(55)을 형성한다.
다음, 제 5 마스크 공정을 진행하여 상기 제 2 보호층(50) 위로 상기 공통콘택홀(55)을 통해 상기 공통배선(7)과 접촉하는 공통전극(60)을 형성한다.
이후 상기 공통전극(60) 위로 제 3 보호층(65)을 형성하고, 제 6 마스크 공정을 진행하여 상기 제 1 홀(미도시)에 대응하는 부분의 상기 제 3 보호층(65) 및 제 1 보호층(40)을 제거함으로서 상기 드레인 전극(36)을 노출시키는 드레인 콘택홀(68)을 형성한다.
다음, 제 7 마스크 공정을 진행하여 상기 제 3 보호층(65) 위로 각 화소영역(P) 별로 상기 드레인 콘택홀(68)을 통해 상기 드레인 전극(36)과 접촉하며 일정간격 이격하는 바(bar) 형태의 다수의 개구(op)를 갖는 화소전극(70)을 형성함으로서 어레이 기판(1)을 완성한다.
한편, 마스크 공정은 어레이 기판의 제조를 위해서는 필수적으로 진행하여야 하지만, 증착, 노광, 현상, 식각 등의 단위 공정을 포함하며 이러한 마스크 공정을 1회 진행시는 재료비가 상승되며, 이러한 마스크 공정을 1회 더 진행하는 것은 단위 시간당 생산성이 저하됨으로서 제품의 가격 경쟁력이 저하되는 요인이 되고 있다.
따라서, 전술한 바와같이 7회의 마스크 공정을 진행하여 완성되는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은 제품의 가격 경쟁력을 향상시키기 위해 그 제조 방법이 개선되어야 하는 문제가 야기되고 있다.
본 발명은 이러한 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 마스크 공정 횟수를 줄여 재료비를 저감시키는 동시에 단위 시간당 생산성을 향상시켜 최종적으로 제품의 가격 경쟁력을 향상시키는 것을 그 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역이 정의된 기판 상의 상기 표시영역의 중앙부에 일 방향으로 연장하며 구비된 공통배선과; 상기 기판 상에 상기 공통배선을 기준으로 이의 상측 및 하측으로 일정간격 이격하며 형성된 게이트 배선과; 게이트 절연막을 개재하여 상기 게이트 배선 및 공통배선과 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 데이터 배선과; 상기 각 화소영역에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 데이터 배선을 덮으며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 대응하여 제 1 홀이 구비되며 상기 공통배선에 대응하여 제 2 홀이 구비된 것을 특징으로 하는 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터에 대응하여 제 1 개구를 가지며, 상기 제 2 홀 내부에 제 2 개구가 구비된 공통전극과; 상기 공통전극 위로 형성된 제 3 보호층과; 상기 제 3 보호층 위로 상기 드레인 전극과 접촉하며 각 화소영역 별로 형성되며, 각 화소영역 내에서 상기 제 3 보호층을 노출시키는 바 형태의 다수의 제 3 개구가 구비된 화소전극을 포함하며, 상기 제 1 홀에 대응하는 상기 제 1 및 제 3 보호층이 제거되어 드레인 콘택홀을 이루며, 상기 제 2 홀 내부에는 상기 제 3 보호층이 제거되어 상기 공통전극을 노출시키는 제 1 공통콘택홀과 상기 제 3 및 제 1 보호층과 상기 게이트 절연막이 제거되어 상기 공통배선을 노출시키는 제 2 공통콘택홀이 구비되며, 상기 제 3 보호층 상부에는 상기 화소전극과 이격하며 상기 제 1 및 제 2 공통콘택홀을 통해 상기 공통배선 및 공통전극과 동시에 접촉하는 연결패턴이 형성된 것이 특징이다.
이때, 상기 게이트 절연막과 제 1 및 제 2 보호층은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지며, 상기 제 2 보호층은 유기절연물질인 포토아크릴로 이루어진 것이 특징이다.
그리고, 상기 박막트랜지스터는 상기 공통배선을 기준으로 이의 상측에 위치하는 각 화소영역에 있어서는 각 화소영역 내부에서 상측에 위치하며 상기 공통배선을 기준으로 이의 하측에 위치하는 각 화소영역에 있어서는 각 화소영역 내부에서 하측에 위치하는 것이 특징이다.
또한, 상기 제 2 홀은 상기 공통배선과 인접한 각 화소영역에 대응하여 하나씩 형성되거나, 또는 상기 공통배선의 연장 방향으로 인접하는 복수개의 화소영역을 하나의 그룹으로 하여 각 그룹에 하나씩 형성될 수 있다.
또한, 상기 화소전극에 형성된 바(bar) 형태의 다수의 제 3 개구는, 각 화소영역 내에서 상기 데이터 배선과 평행하거나 또는 소정의 각도를 가지며 기울어진 직선 형태를 이루거나, 또는 각 화소영역의 중앙부를 기준으로 대칭적으로 꺾인 형태를 이루는 것이 특징이다.
본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법은, 스위칭 영역이 각각 구비된 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역이 정의된 기판 상의 상기 표시영역의 중앙부에 일 방향으로 연장하며 구비된 공통배선을 형성하고, 동시에 상기 기판 상에 상기 공통배선을 기준으로 이의 상측 및 하측으로 일정간격 이격하며 형성된 게이트 배선과, 상기 각 스위칭 영역에 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 공통배선과 게이트 배선 및 게이트 전극 위로 게이트 절연막을 전면에 형성하고, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선 및 공통배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 각 게이트 전극에 대응하여 순차 적층된 반도체층과 서로 이격하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선과 소스 전극 및 드레인 전극 위로 제 1 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 보호층 위로 상기 드레인 전극과 상기 공통배선에 대응하여 각각 상기 제 1 보호층을 노출시키는 제 1 홀 및 제 2 홀이 각각 구비된 제 2 보호층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 보호층 위로 상기 스위칭 영역에 대응하여 제 1 개구를 가지며, 상기 제 2 홀 내부에 제 2 개구를 갖는 공통전극을 형성하는 단계와; 상기 공통전극 위로 제 3 보호층을 형성하고, 상기 제 1 홀에 대응하는 상기 제 1 및 제 3 보호층을 제거하여 드레인 콘택홀을 형성하며, 상기 제 2 홀 내부에는 상기 제 3 보호층을 제거하여 상기 공통전극을 노출시키는 제 1 공통콘택홀(167)을 형성하며 상기 제 3 및 제 1 보호층과 상기 게이트 절연막을 제거하여 상기 공통배선을 노출시키는 제 2 공통콘택홀(169)을 형성하는 단계와; 상기 제 3 보호층 위로 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 각 화소영역 내에서 상기 제 3 보호층을 노출시키는 바 형태의 다수의 제 3 개구가 구비된 화소전극을 각 화소영역 별로 형성하고, 동시에 상기 제 3 보호층 위로 상기 화소전극과 이격하며 상기 제 1 및 제 2 공통콘택홀(167, 169)을 통해 상기 공통배선 및 공통전극과 동시에 접촉하는 연결패턴을 형성하는 것이 특징이다.
이때, 상기 게이트 절연막과 제 1 및 제 2 보호층은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지며, 상기 제 2 보호층은 유기절연물질인 포토아크릴로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 2 홀은 상기 공통배선과 인접한 각 화소영역에 대응하여 하나씩 형성하거나, 또는 상기 공통배선의 연장 방향으로 인접하는 복수개의 화소영역을 하나의 그룹으로 하여 각 그룹에 하나씩 형성할 수 있다.
상기 화소전극에 형성된 바(bar) 형태의 다수의 제 3 개구는, 각 화소영역 내에서 상기 데이터 배선과 평행하거나 또는 소정의 각도를 가지며 기울어진 직선 형태를 이루도록 형성하거나, 또는 각 화소영역의 중앙부를 기준으로 대칭적으로 꺾인 형태를 이루도록 형성하는 것이 특징이다.
본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은 공통배선과 공통전극의 전기적 연결을 위한 방식을 변경하여 공통콘택홀 형성을 위한 1회의 마스크 공정을 생략하여 총 6회의 마스크 공정을 통해 제조됨으로서 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 대비 1회의 마스크 공정을 줄임으로서 재료비를 저감시키는 동시에 단위 시간당 생산성을 향상시켜 최종적으로 제품의 가격 경쟁력을 향상시키는 효과가 있다.
나아가 각 화소라인 별로 형성되는 공통배선을 표시영역의 중앙부에 대해서만 형성함으로서 개구율을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 하나의 화소영역에 대한 평면도.
도 2는 도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 3은 도 1을 절단선 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에 있어 표시영역 중앙부를 기준으로 이의 상부 및 하부에 위치하는 4개의 화소영역에 대한 평면도.
도 5는 도 4를 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 6은 도 4를 절단선 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 화소전극에 구비되는 제 3 개구의 다양한 형태를 간략히 나타낸 도면.
도 10a 내지 도 10f는 도 4를 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
도 11a 내지 도 11f는 도 4를 절단선 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
도 2는 도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 3은 도 1을 절단선 Ⅲ-Ⅲ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에 있어 표시영역 중앙부를 기준으로 이의 상부 및 하부에 위치하는 4개의 화소영역에 대한 평면도.
도 5는 도 4를 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 6은 도 4를 절단선 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 화소전극에 구비되는 제 3 개구의 다양한 형태를 간략히 나타낸 도면.
도 10a 내지 도 10f는 도 4를 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
도 11a 내지 도 11f는 도 4를 절단선 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에 있어 표시영역 중앙부를 기준으로 이의 상부 및 하부에 위치하는 화소영역에 대한 평면도이며, 도 5는 도 4를 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이며, 도 6은 도 4를 절단선 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 각 화소영역(P)에 있어 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 부분을 스위칭 영역(TrA)이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 제 1 방향으로 연장하며 저저항 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금(MoTi) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어진 게이트 배선(103)이 형성되고 있으며, 상기 어레이 기판(101)의 표시영역 중앙부에 대응해서는 상기 게이트 배선(103)과 나란하게 공통배선(107)이 형성되어 있다.
그리고 각 화소영역(P) 내의 스위칭 영역에 있어서는 상기 게이트 배선(103)과 연결된 게이트 전극(105)이 형성되어 있다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)의 특성 상, 상기 공통배선(107)을 기준으로 각 화소영역(P)의 장축의 길이만큼 이격하며 상기 게이트 배선(103)이 형성되는 것이 특징이다.
그리고, 상기 게이트 배선(103)과 공통배선(107) 및 게이트 전극(105) 위로 게이트 절연막(110)이 구비되고 있으며, 상기 게이트 절연막(110) 위로 상기 게이트 배선(103) 및 공통배선(107)과 교차하며 데이터 배선(130)이 형성되고 있다. 이때, 상기 게이트 배선(103)과 데이터 배선(130)이 교차하여 포획되는 영역이 화소영역(P)이 되고 있으며, 상기 공통배선(107)과 최 인접하여 이의 상측 및 하측에 위치하는 화소영역(P)은 게이트 배선(103)과 공통배선(107) 및 데이터 배선(130)으로 포획된 영역이 화소영역(P)이 되고 있다.
그리고, 각 스위칭 영역(TrA)에는 상기 게이트 절연막(미도시) 위로 상기 게이트 전극(105)에 대응하여 반도체층(미도시)이 구비되고 있으며, 상기 반도체층(미도시) 위에서 서로 이격하며 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)이 형성되고 있다. 이때, 상기 소스 전극(133)은 상기 데이터 배선(130)과 연결되고 있다.
상기 각 스위칭 영역(TrA)에 순차 적층된 게이트 전극(105)과 게이트 절연막(미도시)과 반도체층(미도시)과 서로 이격하는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)의 특성 상 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 표시영역 중앙부에 위치하는 공통배선(107)을 기준으로 이의 상측에 위치하는 화소영역(P)에 대해서는 각 화소영역(P)의 상측에 위치하는 게이트 배선(103)과 연결되고 있으며, 상기 공통배선(107)의 하측에 위치하는 화소영역(P)에 있어서는 각 화소영역(P)의 하측에 위치하는 게이트 배선(103)과 연결되고 있는 것이 특징이다.
한편, 상기 데이터 배선과 박막트랜지스터(Tr) 위로는 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제 1 보호층(140)과 유기절연물질 예를들면 포토아크릴로 이루어진 제 2 보호층(150)이 평탄한 표면을 이루며 구비되고 있다.
이때, 상기 제 2 보호층(150)에는 상기 공통배선(107)이 형성된 부분에 대응하여 각 화소영역(P) 별로 또는 게이트 배선(103)의 연장방향으로 이웃한 복수의 화소영역(P)을 하나의 그룹으로 하여 각 그룹 별로 하나의 제 1 홀(153)이 구비되고 있는 것이 특징이다.
그리고, 상기 제 2 보호층(150) 상부에는 투명도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 공통전극(160)이 구비되고 있다.
이때, 상기 공통전극(160)은 표시영역 전면에 구비되며 각 화소영역(P) 내의 스위칭 영역(TrA)을 노출시키는 제 1 개구(op1)를 갖는 것이 특징이며, 나아가 상기 공통배선(107)이 형성된 부분 중 상기 제 1 홀(153)이 형성된 부분에 대응하여 그 일부에 대해 제 2 개구(op2)가 구비된 것이 특징이다.
그리고, 상기 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)를 갖는 공통전극(160) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제 3 보호층(163)이 형성되고 있다.
이때, 상기 제 3 보호층(163)과 제 2 및 제 1 보호층(150, 140)에는 상기 각 스위칭 영역(TrA)에 대응하여 각 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(165)이 구비되고 있으며, 상기 공통배선(107) 형성된 부분 중 상기 제 1 홀(153)이 형성된 부분에 대응하여 상기 제 3 보호층(163)이 제거되어 상기 제 1 홀(153) 내부에 형성된 공통전극(160)을 노출시키는 제 1 공통콘택홀(167)이 구비되고 있으며, 상기 제 2 개구(op2)가 형성된 부분에 대응하여 상기 제 3 보호층(163) 및 제 1 보호층(140)이 제거되어 상기 공통배선(107)을 노출시키는 제 2 공통콘택홀(169)이 구비되고 있는 것이 특징이다.
그리고, 상기 드레인 콘택홀(165)과 제 1 및 제 2 공통콘택홀(167, 169)이 구비된 상기 제 3 보호층(163) 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지며 상기 드레인 콘택홀(165)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하는 화소전극(170)이 각 화소영역(P) 내에 구비되고 있다.
이때, 상기 각 화소전극(170)은 각 화소영역(P) 내에서 일정간격 이격하며 바(bar) 형태를 갖는 다수의 제 3 개구(op3)가 구비되고 있는 것이 특징이다.
이러한 화소전극(170) 내에 구비되는 다수의 제 3 개구(op3)는 각 화소영역(P)의 중앙부를 기준으로 상하로 대칭적으로 꺾인 구조를 이룰 수도 있으며, 또는 서로 상하로 위치하는 화소영역(P) 간에 상기 게이트 배선(103)을 기준으로 대칭 꺾인 구조를 이룰 수도 있다.
즉, 도 7 내지 도 9(본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 화소전극에 구비되는 제 3 개구의 다양한 형태를 나타낸 도면으로서, 하나, 둘 또는 이웃한 4개의 화소영역(P)에 있어서의 화소전극만을 간략히 도시함.)에 도시한 바와같이, 다수의 제 3 개구(op3)는 각 화소영역(P) 내에서 상하로 꺾인 구성을 가짐으로서 각 화소영역 내에 서로 다른 두 개의 도메인이 구현(도 7 참조)되도록 형성될 수도 있으며, 또는 각 화소영역(P) 내에서는 동일한 직선의 바(bar) 형태를 이루지만, 상기 데이터 배선(미도시)을 기준으로 시계방향 또는 반시계 방향으로 소정의 각도를 가지며 기울어지도록 형성됨으로서 상하로 이웃한 2개의 화소영역(P) 또는 서로 상하좌우로 이웃한 4개의 화소영역(P)에서 각각 서로 다른 도메인이 구현(도 8 및 도 9 참조)될수록 형성될 수도 있다.
그리고, 도 4, 5, 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)에 있어 가장 특징적인 구성 중 하나로서 상기 화소전극(170)을 이루는 동일한 물질로 이루어지며 상기 공통배선(107)이 형성된 부분에 대응하여 상기 제 1 공통콘택홀(167)을 통해 노출된 공통전극(160)과 상기 제 2 공통콘택홀(169)을 통해 노출된 공통배선(107)과 동시에 접촉하는 연결패턴(175)이 형성되고 있는 것이 특징이다.
이러한 구성에 의해 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 총 6회의 마스크 공정에 의해 제조됨으로서 7회의 마스크 공정을 통해 제조되는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)대비 1회의 마스크 공정을 저감시킬 수 있다.
나아가 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 각 화소라인 별로 형성되는 공통배선(107)을 생략하고 표시영역의 중앙부에 대응하여 하나의 공통배선(107)을 구비하며 이러한 공통배선(107) 또한 게이트 배선이 형성되어야 할 부분에 대응하여 형성됨으로서 개구율을 향상시키는 효과가 있다.
이후에는 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 10a 내지 도 10f는 도 4를 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도이며, 도 11a 내지 도 11f는 도 4를 절단선 Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다. 설명의 편의를 위해 각 화소영역(P)에 있어 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 부분을 스위칭 영역(TrA)이라 정의한다.
우선, 도 9a와 도 10a에 도시한 바와같이, 투명한 절연기판(101) 상에 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(MoTi) 중 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질을 증착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성한 후, 이에 대해 포토레지스트의 도포, 노광 마스크를 이용한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상, 식각 및 스트립 등의 단위 공정을 포함하는 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 추후 표시영역을 이루는 부분의 중앙부에 제 1 방향으로 연장하는 하나의 공통배선(107)을 형성한다.
그리고, 상기 공통배선(107)을 형성함과 동시에 상기 공통배선(107)을 기준으로 이의 상측 및 하측으로 상기 공통배선(107)과 나란하며 일정간격 이격하며 연장하는 다수의 게이트 배선(미도시)을 형성하고, 나아가 상기 스위칭 영역(TrA)에 상기 게이트 배선(미도시)과 연결된 게이트 전극(105)을 형성한다.
이후, 상기 게이트 배선(미도시)과 게이트 전극(105) 및 공통배선(107) 위로 상기 기판(101) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 절연막(110)을 형성한다.
다음, 도 9b와 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(117) 위로 순수 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)과 제 2 금속물질층(미도시)을 형성하고, 이들을 회절노광 또는 하프톤 노광을 포함하는 1회의 마스크 공정을 통해 동시에 패터닝함으로써 상기 화소영역(P) 내의 스위칭 영역(TrA)에 상기 게이트 전극(110)에 대응하여 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과, 상기 액티브층(120a) 위로 서로 소정간격 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)과, 상기 오믹콘택층(120b) 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 형성한다.
이때, 이 단계에서 상기 스위칭 영역(TrA)에 순차 적층된 상기 게이트 전극(110)과, 게이트 절연막(117)과, 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
그리고, 동시에 상기 게이트 절연막(110) 위로 상기 게이트 배선(109) 및 공통배선(107)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)을 형성한다.
이때, 소스 및 드레인 전극(133, 136)과 반도체층(120)을 1회의 마스크 공정을 통해 형성하게 됨으로서 상기 데이터 배선(130)의 하부에도 상기 액티브층(120a) 및 오믹콘택층(120b)을 이루는 동일한 물질로 이루어진 제 1 및 제 2 더미패턴(121a, 121b)이 형성된다.
다음, 도 9c와 도 10c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(133, 136) 위로 상기 기판(101) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착함으로써 제 1 보호층(140)을 형성한다.
이러한 무기절연물질로 이루어지는 제 1 보호층(140)은 추후 공정에서 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 제 2 보호층(150)을 형성하는 경우 상기 소스 및 드레인 전극 사이로 노출되는 액티브층이 유기물질인 포토아크릴과 직접 접촉함으로서 오염될 수 있으므로 이를 방지하고, 나아가 포토아크릴로 이루어진 제 2 보호층(150)을 패터닝하게 되는 과정에서 노출되는 드레인 전극(136) 등이 유기물질에 오염되어 접촉 불량을 발생시키는 것을 방지하기 위함이다.
이후, 상기 제 1 보호층(140) 위로 유기절연물질 예를들면 저 유전율 값을 갖는 포토아크릴(photo acryl)로 이루어지며 1㎛ 내지 3㎛ 정도의 두께를 가져 하부의 구성요소에 의한 단차를 극복하여 평탄한 표면을 갖는 제 2 보호층(150)을 형성하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극에 대응하는 상기 제 1 보호층(140)을 노출시키는 제 1 홀(152)과 상기 공통배선(107)에 대응하는 상기 제 1 보호층(140)을 노출시키는 제 2 홀(153)을 형성한다.
이때, 상기 제 2 홀(153)은 각 화소영역(P)마다 형성할 수도 있으며, 또는 상기 공통배선(107)이 연장하는 방향으로 서로 이웃한 복수개의 화소영역(P)을 하나의 그룹으로 하여 각 그룹마다 1개씩 형성할 수도 있다.
상기 제 2 보호층(150)에 상기 제 1 및 제 2 홀(152, 153)을 형성하기 위한 마스크 공정은 타 마스크 공정 대비 간략히 진행될 수 있다. 상기 포토아크릴은 그 자체로 감광성 특성을 가지므로 별도의 포토레지스트를 도포할 필요가 없으며, 상기 제 2 보호층(150)을 형성한 후 노광 마스크를 이용한 노광과 현상 공정을 진행함으로서 간단히 상기 제 1 및 제 2 홀(152, 153)이 형성될 수 있다.
다음, 도 9d와 도 10d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 홀(152, 153)이 구비된 상기 제 2 보호층(150) 위로 전면에 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하여 제 1 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성한다.
이후, 상기 제 1 투명 도전성 물질층(미도시)에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 각 스위칭 영역(TrA)에 대응해서 제 1 개구(op1)를 가지며, 상기 제 2 홀(153) 내부에 제 2 개구(op2)를 갖는 공통전극(160)을 표시영역에 대응하여 형성한다.
다음, 도 9e와 도 10e에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)를 구비한 공통전극(160) 위로 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 전면에 증착하여 제 3 보호층(163)을 형성한다.
이후, 상기 제 3 보호층(163)에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 상기 제 2 홀(153) 내부에서 상기 공통전극(160)을 노출시키는 제 1 공통콘택홀(167)을 형성한다.
이때, 상기 제 3 보호층(163)에 적용되는 마스크 공정 진행 시 상기 제 2 보호층(150)에 구비된 제 1 홀(도 10d의 152)에 대응해서는 상기 제 3 보호층(163)과 더불어 동일한 무기절연물질로 이루어진 제 1 보호층(140)까지 함께 식각함으로서 상기 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(165)을 형성하고, 동시에 상기 제 2 홀(153) 내부의 상기 제 2 개구(op2)에 대응하는 부분에 대해서는 상기 제 3 보호층(163)과 더불어 제 2 보호층(150)과 이의 하부에 위치하는 게이트 절연막(110)까지 함께 식각함으로서 상기 공통배선(107)을 노출시키는 제 2 공통콘택홀(169)을 형성한다.
다음, 도 9f와 도 10f에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 공통콘택홀(167, 169)이 구비된 상기 제 3 보호층(163) 상부로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 전면에 증착하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 각 화소영역(P) 별로 판 형태를 가지며 형성되며, 상기 드레인 콘택홀(165)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하며, 각 화소영역(P) 내에서 일정간격 이격하는 바(bar) 형태의 다수의 제 3 개구(op2)를 갖는 화소전극(170)을 형성한다. 이때 상기 바(bar) 형태의 다수의 제 3 개구(op3)는 도 6, 7, 8을 통해 설명한 바와같이, 그 평면 형태가 다양하게 형성될 수 있다. 이러한 제 3 개구의 평면 형태는 앞서 도 6, 7, 8을 통해 상세히 설명했으므로 이하 설명은 생략한다.
동시에 상기 공통배선(107)에 대응해서는 상기 제 3 보호층(163) 위로 상기 화소전극(170)과 이격하며 상기 제 2 홀(153) 내부에서 상기 제 1 및 제 2 공통콘택홀(167, 169)을 통해 각각 노출된 상기 공통전극(160) 및 공통배선(107)과 동시에 접촉하는 연결패턴(175)을 형성함으로서 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)을 완성한다.
이러한 방법에 의해 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 총 6회의 마스크 공정을 통해 제조될 수 있으므로 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 1) 대비 1회의 마스크 공정을 생략할 수 있으므로 단위 시간당 생산성을 향상시키는 동시에 재료비 절감에 의해 제조 비용을 저감시키는 효과가 있다.
나아가, 공통배선(107)을 표시영역의 중앙부에 대해서만 제 2 보호층(150)에 구비되는 제 2 홀(153)을 형성할 수 있을 정도의 폭을 갖도록 형성함으로서 종래의 각 화소라인 별로 공통배선을 형성하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 대비 공통배선(107)이 다수 생략됨으로서 개구율이 향상되는 효과가 있으며, 더욱이 표시영역의 중앙부에 형성되는 공통배선(107) 또한 이를 기준으로 상측과 하측에 위치하는 화소영역(P)에서의 스위칭 영역(TrA)을 달리하는 구성을 이루는 바 실질적으로 공통배선(107)이 화소영역(P)을 관통하는 형태를 이루지 않고 화소영역(P)의 경계에 형성됨으로서 더욱더 개구율을 향상시키는 효과를 갖는다.
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
101 : 어레이 기판 103 : 게이트 배선
105 : 게이트 전극 107 : 공통배선
130 : 데이터 배선 133 : 소스 전극
136 : 드레인 전극 136 드레인 전극
153 : 제 2 홀 165 : 드레인 콘택홀
167 : 제 1 공통콘택홀 169 : 제 2 공통콘택홀
170 : 화소전극 175 : 연결패턴
op1, op2, op3 : 제 1, 2, 3 개구
P : 화소영역 Tr : 박막트랜지스터
TrA : 스위칭 영역
105 : 게이트 전극 107 : 공통배선
130 : 데이터 배선 133 : 소스 전극
136 : 드레인 전극 136 드레인 전극
153 : 제 2 홀 165 : 드레인 콘택홀
167 : 제 1 공통콘택홀 169 : 제 2 공통콘택홀
170 : 화소전극 175 : 연결패턴
op1, op2, op3 : 제 1, 2, 3 개구
P : 화소영역 Tr : 박막트랜지스터
TrA : 스위칭 영역
Claims (9)
- 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역이 정의된 기판 상의 상기 표시영역의 중앙부에 일 방향으로 연장하며 구비된 공통배선과;
상기 기판 상에 상기 공통배선을 기준으로 이의 상측 및 하측으로 일정간격 이격하며 형성된 게이트 배선과;
게이트 절연막을 개재하여 상기 게이트 배선 및 공통배선과 교차하여 화소영역을 정의하며 형성된 데이터 배선과;
상기 각 화소영역에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와;
상기 박막트랜지스터와 데이터 배선을 덮으며 형성된 제 1 보호층과;
상기 제 1 보호층 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 대응하여 제 1 홀이 구비되며 상기 공통배선에 대응하여 제 2 홀이 구비된 것을 특징으로 하는 제 2 보호층과;
상기 제 2 보호층 위로 형성되며 상기 박막트랜지스터에 대응하여 제 1 개구를 가지며, 상기 제 2 홀 내부에 제 2 개구가 구비된 공통전극과;
상기 공통전극 위로 형성된 제 3 보호층과;
상기 제 3 보호층 위로 상기 드레인 전극과 접촉하며 각 화소영역 별로 형성되며, 각 화소영역 내에서 상기 제 3 보호층을 노출시키는 바 형태의 다수의 제 3 개구가 구비된 화소전극
을 포함하며, 상기 제 1 홀에 대응하는 상기 제 1 및 제 3 보호층이 제거되어 드레인 콘택홀을 이루며, 상기 제 2 홀 내부에는 상기 제 3 보호층이 제거되어 상기 공통전극을 노출시키는 제 1 공통콘택홀과 상기 제 3 및 제 1 보호층과 상기 게이트 절연막이 제거되어 상기 공통배선을 노출시키는 제 2 공통콘택홀이 구비되며, 상기 제 3 보호층 상부에는 상기 화소전극과 이격하며 상기 제 1 및 제 2 공통콘택홀을 통해 상기 공통배선 및 공통전극과 동시에 접촉하는 연결패턴이 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,
상기 게이트 절연막과 제 1 및 제 2 보호층은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지며, 상기 제 2 보호층은 유기절연물질인 포토아크릴로 이루어진 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,
상기 박막트랜지스터는 상기 공통배선을 기준으로 이의 상측에 위치하는 각 화소영역에 있어서는 각 화소영역 내부에서 상측에 위치하며 상기 공통배선을 기준으로 이의 하측에 위치하는 각 화소영역에 있어서는 각 화소영역 내부에서 하측에 위치하는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 홀은 상기 공통배선과 인접한 각 화소영역에 대응하여 하나씩 형성되거나, 또는 상기 공통배선의 연장 방향으로 인접하는 복수개의 화소영역을 하나의 그룹으로 하여 각 그룹에 하나씩 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,
상기 화소전극에 형성된 바(bar) 형태의 다수의 제 3 개구는,
각 화소영역 내에서 상기 데이터 배선과 평행하거나 또는 소정의 각도를 가지며 기울어진 직선 형태를 이루거나,
또는 각 화소영역의 중앙부를 기준으로 대칭적으로 꺾인 형태를 이루는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
- 스위칭 영역이 각각 구비된 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역이 정의된 기판 상의 상기 표시영역의 중앙부에 일 방향으로 연장하며 구비된 공통배선을 형성하고, 동시에 상기 기판 상에 상기 공통배선을 기준으로 이의 상측 및 하측으로 일정간격 이격하며 형성된 게이트 배선과, 상기 각 스위칭 영역에 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 공통배선과 게이트 배선 및 게이트 전극 위로 게이트 절연막을 전면에 형성하고, 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선 및 공통배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 각 게이트 전극에 대응하여 순차 적층된 반도체층과 서로 이격하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;
상기 데이터 배선과 소스 전극 및 드레인 전극 위로 제 1 보호층을 형성하는 단계와;
상기 제 1 보호층 위로 상기 드레인 전극과 상기 공통배선에 대응하여 각각 상기 제 1 보호층을 노출시키는 제 1 홀 및 제 2 홀이 각각 구비된 제 2 보호층을 형성하는 단계와;
상기 제 2 보호층 위로 상기 스위칭 영역에 대응하여 제 1 개구를 가지며, 상기 제 2 홀 내부에 제 2 개구를 갖는 공통전극을 형성하는 단계와;
상기 공통전극 위로 제 3 보호층을 형성하고, 상기 제 1 홀에 대응하는 상기 제 1 및 제 3 보호층을 제거하여 드레인 콘택홀을 형성하며, 상기 제 2 홀 내부에는 상기 제 3 보호층을 제거하여 상기 공통전극을 노출시키는 제 1 공통콘택홀(167)을 형성하며 상기 제 3 및 제 1 보호층과 상기 게이트 절연막을 제거하여 상기 공통배선을 노출시키는 제 2 공통콘택홀(169)을 형성하는 단계와;
상기 제 3 보호층 위로 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 각 화소영역 내에서 상기 제 3 보호층을 노출시키는 바 형태의 다수의 제 3 개구가 구비된 화소전극을 각 화소영역 별로 형성하고, 동시에 상기 제 3 보호층 위로 상기 화소전극과 이격하며 상기 제 1 및 제 2 공통콘택홀(167, 169)을 통해 상기 공통배선 및 공통전극과 동시에 접촉하는 연결패턴을 형성하는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 게이트 절연막과 제 1 및 제 2 보호층은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지며, 상기 제 2 보호층은 유기절연물질인 포토아크릴로 이루어진 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 홀은 상기 공통배선과 인접한 각 화소영역에 대응하여 하나씩 형성하거나, 또는 상기 공통배선의 연장 방향으로 인접하는 복수개의 화소영역을 하나의 그룹으로 하여 각 그룹에 하나씩 형성하는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 화소전극에 형성된 바(bar) 형태의 다수의 제 3 개구는,
각 화소영역 내에서 상기 데이터 배선과 평행하거나 또는 소정의 각도를 가지며 기울어진 직선 형태를 이루도록 형성하거나,
또는 각 화소영역의 중앙부를 기준으로 대칭적으로 꺾인 형태를 이루도록 형성하는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
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| CN201310557583.3A CN103809340B (zh) | 2012-11-13 | 2013-11-11 | 边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150068065A (ko) * | 2013-12-11 | 2015-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조방법 |
| KR20150073752A (ko) * | 2013-12-23 | 2015-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20160025669A (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 그의 제조방법 |
| US9568790B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-02-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having contact holes adjacently disposed in thin film transistor forming region |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160053262A (ko) * | 2014-10-31 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN104617039A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN105467696A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN105870195B (zh) * | 2016-04-18 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 半导体器件及其制作方法、阵列基板、显示器件 |
| KR102503705B1 (ko) * | 2016-05-19 | 2023-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
| CN106449666B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
| TWI605284B (zh) * | 2016-12-30 | 2017-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
| WO2018138784A1 (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 表示パネル及び表示装置 |
| CN107272265A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-10-20 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 液晶显示装置 |
| KR102168876B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2020-11-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN109752891B (zh) * | 2019-01-14 | 2021-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN112864233B (zh) * | 2019-11-12 | 2023-04-07 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
| CN112987416A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010108836A (ko) * | 2000-05-31 | 2001-12-08 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 액정표시장치 |
| KR20020029817A (ko) * | 2000-10-14 | 2002-04-20 | 윤종용 | 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20090056696A (ko) * | 2007-11-30 | 2009-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001020591A1 (en) * | 1999-09-11 | 2001-03-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display device |
| KR101068019B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2011-09-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101157223B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2012-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR101244547B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2013-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치, 그 제조 방법 및 액정패널의구동방법 |
| KR101279189B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2013-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 인가형 액정 표시장치 및 그 제조 방법 |
| JP5500712B2 (ja) * | 2009-09-02 | 2014-05-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示パネル |
| KR20130011856A (ko) * | 2011-07-22 | 2013-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 그 제조방법 |
-
2012
- 2012-11-13 KR KR1020120127997A patent/KR101319977B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-10-21 US US14/059,138 patent/US9768275B2/en active Active
- 2013-11-11 CN CN201310557583.3A patent/CN103809340B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010108836A (ko) * | 2000-05-31 | 2001-12-08 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 액정표시장치 |
| KR20020029817A (ko) * | 2000-10-14 | 2002-04-20 | 윤종용 | 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20090056696A (ko) * | 2007-11-30 | 2009-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150068065A (ko) * | 2013-12-11 | 2015-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조방법 |
| KR102140644B1 (ko) * | 2013-12-11 | 2020-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조방법 |
| KR20150073752A (ko) * | 2013-12-23 | 2015-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR102102155B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2020-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| US9568790B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-02-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having contact holes adjacently disposed in thin film transistor forming region |
| KR20160025669A (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 그의 제조방법 |
| KR102232258B1 (ko) * | 2014-08-27 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 그의 제조방법 |
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