CN103672771A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种使用了发光二极管的比现有装置廉价的发光装置及其制造方法。所述发光装置具备基体、固定在基体上的电线、安装在电线上的多个发光二极管。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
近年来，使用了LED照明(例如参照非专利文献1)等的发光二极管的发光装置开始普及。
非专利文献1：“搭载有直管形LED灯的照明器具的说明”、[在线]、2010年2月28日、松下电工、[2012年8月5日检索]、网址<URL：http://www.hkd.meti.go.jp/hokne./h22enematch/2data05.pdf>
然而，使用了发光二极管的发光装置与白炽灯、荧光灯等现有的发光装置相比还是价格高，为了扩大使用了发光二极管的发光装置的普及，需要实现进一步的低价格化。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种使用了发光二极管的比现有装置廉价的发光装置。
根据本发明，上述课题通过如下的手段来解决。即，本发明涉及的发光装置的特征在于，该发光装置具备：基体；固定在所述基体上的电线；安装在所述电线上的多个发光二极管，所述多个发光二极管为LED芯片，所述多个发光二极管利用密封构件密封。
本发明涉及的另一方案的发光装置的特征在于，该发光装置具备：具有多个贯通孔的基体；设置在所述基体的背面侧的电线；多个发光二极管，设置在所述基体的背面侧的电线的多个部位在所述基体所具有的多个贯通孔中通到所述基体的表面侧，所述多个发光二极管分别安装在所述电线的通到所述基体的表面侧的各部位上。
在上述发光装置中，在所述基体的背面侧的电线上还安装有发光二极管及/或保护元件。
本发明的发光装置的制造方法的特征在于，该发光装置的制造方法包括：准备具有多个贯通孔的基体的工序；以多个部位在所述基体所具有的多个贯通孔中通到所述基体的表面侧的方式在所述基体的背面侧设置电线的工序；在所述电线的通到所述基体的表面侧的各部位分别安装多个发光二极管的工序。
在上述发光装置的制造方法中，还包括将发光二极管及/或保护元件安装在所述基体的背面侧的电线上的工序。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的发光装置的简要结构图。
图2是本发明的第二实施方式涉及的发光装置的简要结构图。
图3是本发明的第三实施方式涉及的发光装置的简要结构图。
图4是本发明的第四实施方式涉及的发光装置的简要俯视图。
图5是本发明的第五实施方式涉及的发光装置的简要俯视图。
图6是表示本发明的第六实施方式涉及的发光装置的简要结构的图。
图7是表示本发明的第七实施方式涉及的发光装置的简要结构的图。
图8是表示本发明的第八实施方式涉及的发光装置的简要结构的图。
图9是表示在电线8上形成电极的方法的一例(其一)的简要俯视图。
图10是表示在电线8上形成电极的方法的一例(其二)的简要俯视图。
图11是表示在电线8上形成电极的方法的一例(其三)的图。
图12是表示在电线8上形成电极的方法的一例(其四)的图。
图13是表示本发明的实施例6涉及的发光装置的制造方法的发光装置的局部放大图。
图14是表示本发明的实施例7涉及的发光装置的制造方法的发光装置的局部放大图。
图15是表示本发明的实施例8涉及的发光装置的制造方法的发光装置的局部放大图。
符号说明
4 基体；6 绝缘膜；8 电线；81 覆层；82 芯线；10 发光二极管；12 粘接剂；14 密封构件；16 堤部；18 槽；20 连接构件；22 短路电线；42 贯通孔。
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。
[本发明的第一实施方式涉及的发光装置]
图1是本发明的第一实施方式涉及的发光装置的简要结构图，图1(a)是立体图，图1(b)是将图1(a)中的A所示的部分放大而得到的局部放大图，图1(c)是将图1(b)中的B-B截面局部示出的图。
如图1所示，本发明的第一实施方式涉及的发光装置具备基体4、使用粘接剂12在基体4上隔开规定间隔地固定的多个电线8、以使多个电线8成为一根直线状的方式安装在电线8上的多个发光二极管10。根据本发明的第一实施方式涉及的发光装置，通过使用了基体4和电线8的简单的结构，由此能够廉价地提供多个发光二极管10串联连接而成的发光装置。需要说明的是，使用粘接剂12进行的固定是固定电线8的手段的一例。
[本发明的第二实施方式涉及的发光装置]
图2是本发明的第二实施方式涉及的发光装置的简要结构图，图2(a)是立体图，图2(b)是将图2(a)中的A所示的部分放大而得到的局部放大图，图2(c)是表示图2(b)中的B-B截面的图。
如图2所示，本发明的第二实施方式涉及的发光装置具备基体4、使用粘接剂12固定在基体4上的两根电线8、在两根电线8上分别接合正负的电极而安装成的多个发光二极管10。根据本发明的第二实施方式涉及的发光装置，通过使用了基体4和电线8的简单的结构，由此能够廉价地提供多个发光二极管10并联连接而成的发光装置。需要说明的是，使用粘接剂12进行的固定是固定电线8的手段的一例。
[本发明的第三实施方式涉及的发光装置]
图3是表示本发明的第三实施方式涉及的发光装置的简要结构的图，图3(a)是立体图，图3(b)是将图3(a)中的A所示的部分放大而得到的局部放大图，图3(c)是表示图3(b)中的B-B截面的图。
如图3所示，本发明的第三实施方式涉及的发光装置具备基体4、通过卷绕固定在基体4上的一根电线8、安装在一根电线8上的多个发光二极管10。根据本发明的第三实施方式涉及的发光装置，通过使用了基体4和电线8的简单的结构，由此能够廉价地提供多个发光二极管10串联连接而成的发光装置。卷绕所进行的固定是固定电线8的手段的一例。需要说明的是，电线8可以在通过卷绕固定在基体4上后，使用粘接剂12粘接到基体4(绝缘膜6)上。
[本发明的第四实施方式涉及的发光装置]
图4是本发明的第四实施方式涉及的发光装置的简要俯视图。
如图4所示，本发明的第四实施方式涉及的发光装置具备两个基体4(由于在基体4的表面上设有后述的绝缘膜6，因此图4中没有显现出基体4)、使用固定用的胶带固定在基体4上的多个电线8、以构成串并联电路的方式使多个电线8短路的短路电线22、安装在多个电线8上的多个发光二极管10。根据本发明的第四实施方式涉及的发光装置，通过使用了基体4和电线8的简单结构，由此能够廉价地提供多个发光二极管10串并联连接而成的发光装置。需要说明的是，使用胶带进行的固定是固定电线8的手段的一例。
[本发明的第五实施方式涉及的发光装置]
图5是本发明的第五实施方式涉及的发光装置的简要俯视图。
如图5所示，本发明的第五实施方式涉及的发光装置具备基体4(由于在基体4的表面上设有后述的绝缘膜6，因此在图5中没有显现出基体4)、使用粘接剂固定在基体4上的多个电线8、以构成并串联电路的方式使多个电线8短路的短路电线22、安装在多个电线8上的多个发光二极管10。根据本发明的第五实施方式涉及的发光装置，通过使用了基体4和电线8的简单结构，由此能够廉价地提供多个发光二极管10并串联连接而成的发光装置。需要说明的是，使用粘接剂进行的固定是固定电线8的手段的一例。
根据以上说明的本发明的第一～第五实施方式涉及的发光装置，无需印制基板、引线框等比较高价的构件，通过使用了基体4、电线8等比较廉价的构件的简单结构就能够向多个发光二极管10通电，因此能够提供使用了发光二极管10的比现有装置廉价的发光装置。
[本发明的第六实施方式涉及的发光装置]
图6是表示本发明的第六实施方式涉及的发光装置的简要结构的图，图6(a)是立体图，图6(b)是将图6(a)中的A所示的部分放大而得到的局部放大图，图6(c)是表示图6(b)中的B-B截面的图。
如图6所示，本发明的第六实施方式涉及的发光装置具备具有多个贯通孔42的基体4、设于基体4的背面侧的电线8、多个发光二极管10。
这里，电线8由阳极用的电线8a和阴极用的电线8b这一对电线构成。另外，阳极用的电线8a和阴极用的电线8b的供多个发光二极管10安装的各部位以从基体4的背面侧穿过贯通孔42向基体4的表面侧暂时突出后、再次穿过贯通孔42向基体4的背面侧返回的方式弯曲。并且，多个发光二极管10设置在基体4的表面侧，其正负的电极分别与阳极用的电线8a和阴极用的电线8b连接。
因而，根据本发明的第六实施方式涉及的发光装置，设于基体4的背面侧的电线8的多个部位在基体4所具有的多个贯通孔42中通到基体4的表面侧。并且，设于基体4的表面侧的多个发光二极管10分别安装于通到基体4的表面侧的电线8的各部位。
根据本发明的第六实施方式涉及的发光装置，无需使用导致现有的发光装置高价的因素之一的印制配线板、引线框就能够向多个发光二极管10通电，因此能够提供使用了发光二极管10的比现有装置廉价的发光装置。因而，能廉价且高效率地实现以通常照明器具为代表的各种照明。
另外，根据本发明的第六实施方式涉及的发光装置，由于电线8设置在基体4的背面侧，因此配线·配置的自由度得以提高。因而，能够容易地形成用于分别独立地驱动或通过任意的组合驱动多个发光二极管10的复杂的电路，能廉价地实现发光装置的高功能化。
[本发明的第七实施方式涉及的发光装置]
图7是表示本发明的第七实施方式涉及的发光装置的简要结构的图，图7(a)是立体图，图7(b)是将图7(a)中的A所示的部分放大而得到的局部放大图，图7(c)是表示图7(b)中的B-B截面的图。
如图7所示，本发明的第七实施方式涉及的发光装置中，电线8由多根(电线8a、电线8b、电线8c、电线8d…)构成。各电线8(电线8a、电线8b、电线8c、电线8d…)的一端和另一端从基体4的背面侧穿过贯通孔42向基体4的表面侧突出后，朝向基体4的表面折叠。多个发光二极管10设置在基体4的表面侧，其正负的电极分别与多个电线8中的一个电线(例如电线8a)的一端和另一个电线(例如电线8b)的另一端连接。
根据本发明的第七实施方式涉及的发光装置，也与本发明的第六实施方式涉及的发光装置的情况同样，设于基体4的背面侧的电线8的多个部位在基体4所具有的多个贯通孔42中通到基体4的表面侧，设于基体4的表面侧的多个发光二极管10分别安装于通到基体4的表面侧的电线8的各部位。
需要说明的是，根据本发明的第六实施方式涉及的发光装置，能够将多个发光二极管10并联连接，相对于此，根据本发明的第七实施方式涉及的发光装置，能够将多个发光二极管10串联连接。进而，若将本发明的第六、七实施方式涉及的发光装置组合，则能够将多个发光二极管10串并联连接或并串联连接等。
[本发明的第八实施方式涉及的发光装置]
图8是表示本发明的第八实施方式涉及的发光装置的简要结构的图，图8(a)是立体图，图8(b)是将图8(a)中的A所示的部分放大而得到的局部放大图，图8(c)是表示图8(b)中的B-B截面的图。
如图8所示，本发明的第八实施方式涉及的发光装置中，电线8由阳极用的电线8a和阴极用的电线8b这一对构成。阳极用的电线8a和阴极用的电线8b在基体4的背面侧横穿贯通孔42的开口面。多个发光二极管10设置在贯通孔42内，其正负的电极分别与阳极用的电线8a和阴极用的电线8b连接。
根据本发明的第八实施方式涉及的发光装置，也与本发明的第六实施方式涉及的发光装置的情况同样，设于基体4的背面侧的电线8的多个部位在基体4所具有的多个贯通孔42中通到基体4的表面侧。并且，设于基体4的表面侧的多个发光二极管10分别安装于通到基体4的表面侧的电线8的各部位。
以上，对本发明的第六～第八实施方式涉及的发光装置进行了说明，根据上述实施方式涉及的发光装置，不需要在制造印制配线板时必须的抗蚀剂、蚀刻材料、抗蚀剂剥离材料、镀敷液及它们的回收装置(参照添加法、腐蚀法等)，而且，也不需要使用了引线框的发光装置所必须的拉杆部等，因此能够减少在制造发光装置时产生的废弃物，能够提供环境性优异的发光装置。
需要说明的是，在本发明的第六～第八实施方式涉及的发光装置中，也可以在基体4的背面侧将发光二极管10或齐纳二极管等保护元件、连接器等安装在电线8上。这样，由于基体4的表面侧的凹凸减少，因此能够减薄绝缘膜6，能够降低绝缘膜6的成本，另外，能够实现宽的配光角。
以下，对各构件进行说明。
[基体4]
基体4可以是使用了例如铝、铜、铁、它们的合金、其它的材料(玻璃、木头、塑料等)的板状、片状(带状、膜状)、棒状、管状、线状等的构件。作为基体4的俯视的形状，例如可以举出长条形、矩形、多边形、圆形、扇形、圆环型等作为一例。
如上所述，根据本发明的实施方式，无需使用印制基板作为基体4，因此能够提供使用了发光二极管10的比现有装置廉价的发光装置。
需要说明的是，具有圆形等曲线的印制基板例如通过从四边形状等的印制基板切出而制作成，因此切出时被废弃的部分多，比四边形状等的印制基板高价。然而，根据本发明的实施方式，能够将铝、铜、铁、它们的合金或其它的材料(玻璃、木头、塑料等)等廉价的构件用作基体4，因此即使基体4具有圆形等曲线，也能够提供廉价的发光装置。
基体4的大小可以根据使用发光装置的用途不同而做成各种各样的尺寸，因此没有特别限定。例举一例的话，在将发光装置用作代替直管型荧光灯的照明装置的光源的情况下，作为基体4，可以使用例如宽度方向为30mm～50mm且长度方向为300mm～1200mm的矩形的构件。
优选基体4使用具有挠性的构件(例如膜、片形状等的构件)。这样，由于能够利用辊到辊方式来制造发光装置，因此能够提供更廉价的发光装置。另外，通过弯曲基体4，由此能够用于圆形荧光灯等。
具有挠性的构件可以使用例如厚度10μm至300μm的绝缘性膜。作为该绝缘性膜的材料，可以举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、聚酰亚胺(PI)等树脂膜作为一例。其中，若使用低价格的PET或PEN等，则能够提供更廉价的发光装置。另外，若将耐热性高的PI用作绝缘性膜的材料，则能够使用焊锡材料等来将发光二极管10安装在基体4上，因此能够提供更廉价的发光装置。
另外，树脂膜可以是透明或有色的构件，但优选是混合了光反射材料而成的构件或经由了微细发泡加工而成的构件等对可见光的光反射率提高了的构件。
基体4的导电性、挠性(柔性)、透明性等没有特别限定，但优选基体4的伸缩性小或没有伸缩性。这样，在基体4上设置电线8之后，能够确保基体4与电线8的密接性，从而抑制基体4中的翘曲的产生。另外，能够避免对电线8的连接有发光二极管10的部位施加因基体4的伸缩所产生的应力。
需要说明的是，作为基体4的伸缩性小的情况的一例，例如可以举出基体4和电线8的伸缩性大致相等的情况。例如，基体4使用铜的薄板且电线8使用铜线的情况、基体4使用铝板且电线8使用铜包铝线的情况等是基体4和电线8的伸缩性大致相等的一例。
优选基体4的表面的一部分由通过在以Ag、Al为代表的光反射率高的金属或硅酮树脂中含有氧化钛而成的白色抗蚀剂或金属-氧化物复合膜等覆盖。这样，能够提高发光装置的发光效率。
需要说明的是，也可以在基体4或后述的绝缘膜6等上设置槽18。这样，能够将电线8卡挂在槽18中来保持。因而，能够将电线8以埋入基体4中的方式固定，因此制造变得容易，能够提供更廉价的发光装置。
[绝缘膜6]
在基体4具有导电性的情况下，优选在基体4的设置电线8的表面上设置绝缘膜6。绝缘膜6只要能够进行绝缘即可，可以是任意的构件，但优选具有高的光反射率的构件。由此，能够由基体4的表面使从发光二极管10发出的光高效地反射。作为具有这样高的光反射率的绝缘膜6，例如可以使用含有白色填料或白色粉末等的绝缘膜6，更具体而言，除了含有TiO2的硅酮树脂、抗蚀剂等以外，还可以使用通过在硅酮树脂中含有氧化钛而成的白色抗蚀剂或防蚀铝等金属-氧化物复合膜等。而且，优选绝缘膜6使用耐热性、耐光性高的构件。需要说明的是，绝缘膜6可以使用膜状以外的构件。
绝缘膜6除了在基体4的大致整个区域上设置以外，还可以限定设置在包围贯通孔42的区域中。
[电线8]
电线8可以使用具有导电性的各种构件，但尤其优选导电性优异的构件。可以优选使用例如Cu、Au、Al、Ag等电阻率低的金属线或它们的复合件(铜包铝线、合金线等)。另外，优选容易弯曲的构件，尤其优选即使弯曲也不易破损(不易疲劳)的构件。需要说明的是，也可以对电线8实施Pd、Pt、Ag等的贵金属镀敷或锡系镀敷。尤其是Ag镀敷，由于光反射率高，因此能够提高发光装置的明亮度，从而优选。另外，作为上述的镀敷，优选使用与将发光二极管10所具有的正负的电极和电线8连接的连接构件的适应性良好的镀敷。具体而言，例如在连接构件使用焊锡材料的情况下，优选将实施了贵金属镀敷或锡系镀敷等的构件用作电线8。
电线8可以使用金属线的周围由绝缘构件覆盖而成的带覆层的电线。这种情况下，通过研磨、空气加热器或焊锡·光等的热量等将在基体4的表面侧暴露出(或通到表面侧)的带绝缘被膜的电线的绝缘被膜除去而使带绝缘被膜的电线的芯线暴露出，在该暴露出的芯线上安装发光二极管10。若使用带覆层的电线，则能够使多个电线8接触，因此能够组装各种各样的电路。另外，作为绝缘被覆件来说，使用了含有例如白色抗蚀剂、白色填料的环氧系透明树脂的带覆层的电线由于被覆件的反射率高，因此优选作为电线8使用。作为带覆层的电线，可以使用例如磁线(漆包线、铜扁线、带状电线、平行电线、铜包铝线、绕包线)等。
电线8还可以使用将绝缘体的线的表面用导电体覆盖、再用绝缘体覆盖而成的构件。通过将这样的构件用作电线8，与使用了带覆层的电线的情况同样能够使多个电线8接触，因此能够组装各种各样的电路，并且能够实现轻量的发光装置。
电线8可以使用例如扁线(截面接近矩形的线)、圆线(截面接近圆形的线)。若使用扁线，则能够确保基体4与发光二极管10的接合面积大。另外，在使用圆线的情况下，通过利用冲压、辊将电线8的要安装发光二极管10的各部位局部地压平，由此使电线8上的与发光二极管10连接的部位的面积变大，因此能够容易地将发光二极管10安装到电线8上。另外，电线8也可以是例如捻线这样的多个线材的集合体。
在使用圆线的情况下，通过将多个细圆线作为一组来使用(视作一根电线来使用)，由此能够容易地将发光二极管10安装到电线8上。
若将三根以上的电线8(尤其是圆线等)当作一组来作为一个极性的电极使用(即，视作一根电线8使用)，则能够使安装在电线8上的发光二极管10的稳定性良好，因此能够稳定性良好地将发光二极管10安装到电线8上。具体而言，可以将多个电线8在基体4上以比发光二极管10的电极的宽度小的间隔或接触的方式平行地配置，将这样配置的多个电线8作为一个极性的电极来使用。
需要说明的是，作为一组来使用的三根以上的电线8可以包括不与发光二极管10电连接的电线。例如，在将三根电线8作为一组来使用的情况下，可以将三根中的两根与发光二极管10电连接，将剩余的一根不与发光二极管10电连接，而主要用于使发光二极管10的稳定性良好。
电线8的形状、尺寸等没有特别限定。举出一例的话，电线8的粗细或宽度可以根据发光装置所要求的特性、要安装的发光二极管10的大小等，而使用0.几mm～几mm的电线，例如使用厚度为0.1mm～2mm且长度为1mm～5m的电线等。其中，由于漆包线等的反射率低，因此通常在发光装置中成为光吸收源。因而，在将漆包线用作电线8的情况下，优选电线8的直径比发光二极管10(优选发光二极管10的正电极、负电极)细。这样，能够提高发光装置的效率，并且能够削减发光装置的重量。另外，能够削减发光装置的材料费。
在将发光二极管10安装到电线8上时，将发光二极管10的电极与设置在电线8上的电线8上的电极连接，电线8上的电极例如可以通过如下的方法形成。
(电极的形成例<其一>)
图9是表示在电线8上形成电极的方法的一例(其一)的简要俯视图。
如图9所示，本例是使用带覆层的电线(圆线)作为电线8的情况的例子。带覆层的电线(圆线)在用作电线8的情况下，例如通过切削工具(例如切片机、Leutor等)所进行的半切割来将其覆层81除去(图9中的X所示的区域)，并通过全切割将除去了覆层81的部分切断(图9中的Y所示的区域)。切断后残留的除去了覆层81的部分(即，芯线82)成为与发光二极管10的电极连接的电线8上的电极。
(电极的形成例<其二>)
图10是表示在电线8上形成电极的方法的一例(其二)的简要俯视图。
如图10所示，该例也与上述的例子同样是使用带覆层的电线(圆线)作为电线8的情况的例子。其中，在该例中，将切断后残留的除去了覆层的部分(即，芯线82)弯曲，该弯曲的部分成为与发光二极管10的电极连接的电线8上的电极。若这样将电线8弯曲，则能够增加与发光二极管10的电极连接的电线8上的电极(图9、图10中示出的除去了覆层81的芯线82)的面积，因此例如在电线8细的情况下等，容易确保发光二极管10与电线8的电接触。
需要说明的是，在上述的在电线8上形成电极的方法的一例(其一)、(其二)中，切断电线8的方法除了使用切片机的方法以外，还可以使用激光加工或冲裁等方法。另外，可以通过在电线8与基体4之间***加工后除去的金属板等，或者利用加工用的台架将电线8在切断加工后转移到基体4上，由此能够不损伤基体4地切断电线8。
(电极的形成例<其三>)
图11是表示使用电线8来形成电极的方法的一例(其三)的图。
如图11所示，本例是使用带覆层的电线(扁线)作为电线8的情况的例子。带覆层的电线(扁线)在用作电线8的情况下，例如将其端部折叠(图11(a))。并且，在基体4上以使该折叠的部分暴露出的方式设置白色反射材料等绝缘膜6(图11(b))。折叠的部分(从绝缘膜6暴露出的部分)成为与发光二极管10的电极连接的电线8上的电极(图11(c))。
即，将电线8折叠(弯曲的一例)，以形成高的部分(例如：被折叠的部分)和低的部分(例如：未被折叠的部分)的方式来设置高低差，以使高的部分(例如：被折叠的部分)暴露出的方式设置白色反射材料等绝缘膜6，将高的部分(例如：被折叠的部分)用作与发光二极管10的电极连接的电线8上的电极。
根据本例，通过调整将电线8以何种程度折叠等，能够容易地调整与发光二极管10的电极连接的电线8的面积，容易确保发光二极管10与电线8的电接触。
(电极的形成例<其四>)
图12是表示在电线8上形成电极的方法的一例(其四)的图。
如图12所示，在本例中，基体4的一部分鼓起，电线8上的固定于该鼓起的部分的部位被用作电极，在此安装发光二极管10。这样，能够防止发光二极管10的侧面被连接发光二极管10的电极与电线8的连接构件20等覆盖，因此能够使发光装置明亮地发光。
需要说明的是，在基体4上设置贯通孔42的情况下，也优选将电线8中供发光二极管10安装的各部位弯曲(参照图6)。这样，电线8的与发光二极管接合的面积变大，因此能够容易地将发光二极管安装到电线8上。
[短路电线22]
短路电线22用于使不同的电线8短路。例如在基体4上设置电源的情况下，短路电线22用于使如下的电线8等短路：使与该电源的正极相连的电线8和与发光二极管10的正电极相连的电线8短路；使与该电源的负极相连的电线8和与发光二极管10的负电极相连的电线8短路；使与不同的基体4上的正极相连的电线8彼此或与负极相连的电线8彼此短路。若使用短路电线22，则能够简单地构成多个并列电路的各支包括多个串联连接的发光二极管10的串并联电路(参照图4)、将并联连接有多个发光二极管10的多个并列电路串联连接而成的并串联电路(参照图5)等复杂的电路，能够廉价地提供将发光二极管10以各种形态连接的所期望的发光装置。
短路电线22可以使用与电线8相同材质、形状的构件等。作为形状，可以使用例如U字销。另外，短路电线22向电线8的连接可以通过使用焊锡材料等连接构件的方法或熔接等来进行。
[发光二极管10]
发光二极管10可以使用例如表面贴装型LED、炮弹型LED、LED芯片、芯片级封装LED等各种各样的元件。另外，可以尤其优选将在蓝宝石基板等透光性基板上层叠有进行蓝色发光的GaN系半导体的LED芯片等作为发光二极管10而与荧光体等波长变换构件组合来用于作为照明装置使用的发光装置。通过将未被封装的LED芯片用作发光二极管10，由此能够形成廉价的发光装置。
发光二极管10可以通过各种方式(例如倒装芯片安装、引线接合安装、组合芯片接合和引线接合而成的安装)安装到电线8上。尤其是根据倒装芯片安装，能够同时进行发光二极管10向基体4上的载置和发光二极管10与电线8的电连接，因此能够提高量产性。
需要说明的是，发光二极管10不仅可以设置在基体4的表面侧、基体4的贯通孔42内，还可以设置在基体4的背面侧。
[粘接剂12]
基体4和电线8可以通过粘接剂12粘接在一起。通过粘接剂12也能将电线8和发光二极管10一起粘接于基体4。
粘接剂12优选透明性高且耐热性、耐光性高的材料，优选具有绝缘性。具体而言，可以使用例如环氧系、硅酮系、丙烯酸系、改性硅酮系、聚氨酯系等透明粘接剂。另外，可以使用热固化型或紫外线固化型的粘接剂。尤其是丙烯酸紫外线固化粘接剂等由于耐热性、耐光性优异、固化速度快且能够简化生产线，因此优选。在基体4使用具有挠性的构件的情况下，优选粘接剂12也使用具有挠性的构件(例如树脂)。由此，能够在基体4弯曲时减少施加在发光二极管10或电线8上的应力。
另外，粘接剂12可以以贯通孔42的周边为热固化型而除此以外为热塑型的方式组合多种粘接剂。
粘接剂12为了调整光反射率、粘度等而优选含有填料。通过含有TiO2、SiO2等白色的填料或白色粉末等反射材料，由此能够将从发光二极管10发出的光在基体4上有效地反射。作为这样的填料，此外还可以使用Mg、Ca、Ba、Si、Al、Ti、Zr、稀土类元素、及它们的混合物的氧化物、碳酸盐等化合物。通过填料能够优选地进行发光装置的高效率化、形状控制。
粘接剂12可以设置在基体4与电线8的接合部的一部分上，也可以设置在整体上。通过设置在一部分上，由此即使使用高价的材料(例如硅酮树脂)作为粘接剂12，也能够形成廉价的发光装置。
粘接剂12可以通过分配、网版印刷等方法设置。在以辊到辊方式进行制造的情况下，优选通过印刷来设置粘接剂12。
粘接剂12可以是胶带。作为用作粘接剂12的胶带，可以举出环氧膜胶带、聚酰亚胺膜胶带、PTFE膜胶带、聚酯膜胶带、醋酸布胶带、棉布胶带、乙烯胶带等作为一例。
[密封构件14]
发光二极管10由密封构件14来密封。
密封构件14可以使用与发光二极管10的种类等对应的各种材料，但优选绝缘性及透光性高、耐热性及耐光性高的材料。例如，可以使用环氧系、硅酮系、氟系等、及它们的混合系树脂，优选使用硅酮系树脂。密封构件14可以通过灌注、印刷、形成为片等各种各样的施工方法来设置。
密封构件14的形状没有特别限定。需要说明的是，只要能控制密封构件14的粘度、触变性，则可以将密封构件14设成所期望的形状。尤其是通过将密封构件14设置成圆顶形状，由此能够提高发光装置的光取出效率。
密封构件14可以含有荧光体等波长变换构件。这样，能够提供各种各样的色调、发光光谱，适用于通常照明用、液晶TV用(液晶背光灯)等市场的要求。另外，密封构件14可以含有各种各样的填料。
具体而言，在发光二极管10发出蓝色光的情况下，可以举出发出黄色光的YAG系荧光体、发出绿色光的LAG系荧光体、SiAlON系荧光体、发出红色光的CASN荧光体、SCASN荧光体等作为荧光体的一例。若密封构件14中含有上述的荧光体，则能够在发出蓝色光的发光二极管10中组合发出绿色光的SiAlON系荧光体和发出红色光的CASN荧光体，因此颜色再现性提高，能够形成适于背光灯用的光源的发光装置。另外，若在密封构件14中组合含有发出绿色光～黄色光的LAG系或YAG系荧光体、发出红色光的荧光体等，则与使用一种荧光体的情况相比，彩色再现性(Ra)提高，能够形成适于照明用的光源的发出白色·灯泡色的光的发光装置。
密封构件14可以含有使光散射的光扩散构件。由此，能够获得所期望的配光且防止色相不均性。作为光扩散构件的材质的一例，可以举出TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg(OH)2、Ca(OH)2等。
密封构件14可以含有填料。这样，能够防止发光装置的色相不均性、控制密封构件的形状。作为填料的一例，可以举出Mg、Ca、Ba、Si、Al、Ti、Zr、稀土类元素、及它们的混合物的氧化物、碳酸盐等化合物等的无机填料。
设置密封构件14的方法没有特别限定。作为一例，可以通过使用了铸造壳的模塑、向发光二极管10上的灌注、印刷、传递模制、压缩模制、注塑成形等各种方法来进行。另外，密封构件14的密封可以分别独立地对各个发光二极管10进行(参照图1至图8)，也可以一并对多个发光二极管10进行。
[堤部16]
密封构件14可以由堤部16包围。通过堤部16，能够防止在用密封构件14对发光二极管10进行密封时密封构件14流出等情况，从而能够容易地形成密封构件14。
堤部16优选使用例如高反射率的构件。具体说明的话，若例如使用树脂，则可以优选使用含有TiO2、SiO2等白色的填料的耐热性、耐光性高的白色的树脂作为堤部16。此外，若使用陶瓷，则可以优选使用Al2O3、TiO2等的框或蒸镀有Al或Ag的玻璃框等作为堤部16。
另外，堤部16优选使用与密封构件14的接触角大的构件。这样，能够在形成密封构件14时调节其高度，能够控制发光装置的光分配。
[连接构件20]
连接发光二极管10与电线8的连接构件20例如可以使用以Au-Sn、Sn-Cu-Ag、Sn-Cu、Sn-Bi、Sn-Zn为代表的焊锡或各向异性导电糊剂、银糊剂、铜糊剂、碳糊剂等导电性接合材料。
其中，在如图示的例子那样通过倒装芯片安装法将发光二极管10与电线8连接的情况下，除了上述的构件以外，还可以将凸块用作连接构件。作为这样的凸块，可以优选使用Au及其合金。
另外，在与图示的例子不同而通过引线接合法将发光二极管10与电线8连接的情况下，也可以将线用作连接构件。作为这样的线，可以优选使用Au、Ag、Al、Cu等金属及其合金或镀敷过的合金的细线等。需要说明的是，在通过引线接合法来连接发光二极管10与电线8的情况下，载置发光二极管10的部位不受限制。这种情况下，可以将发光二极管10载置到基体4上的例如从电线8离开的部位或电线8之间等部位。
需要说明的是，也可以像例如超声波焊接、熔接法那样不使用连接构件，而将发光二极管10的电极与电线8直接连接。
另外，在将发光二极管10相对于电线8不进行电连接而进行接合或粘接的情况下，可以使用绝缘性的环氧树脂或硅酮树脂等热固化性树脂。
[其它]
此外，也可以在固定于基体4上的电线8上设置供电用连接器、保护元件(例如齐纳二极管)。
另外，供电用连接器的位置、电线8的回绕方法可以根据发光装置的目标用途而适当变更。例如，在用作直管型荧光灯的置换用途的照明装置的光源的情况下，需要将供电端子设置在一端部侧，因此优选将电线8回绕到基体4的一端部，并且在一端部设置正负的供电用连接器。
需要说明的是，作为齐纳二极管，除了齐纳二极管芯片以外，还可以使用封装化了的齐纳二极管等。
接下来，对本发明的实施例进行说明。
【实施例1】
首先，对图1所示的发光装置的制造方法的一例进行说明。
首先，准备铝板(厚度1mm、宽度16mm、长度706mm)作为基体4。
接下来，在基体4的单面整面上或单面上的要固定电线8的部分粘贴绝缘性的PI膜(厚度38μm)作为绝缘膜6。
接下来，将一根被进行了绝缘被膜处理的铜包铝线(φ50μm)作为电线8以与基体4的长度方向平行的方式呈直线状配置在绝缘膜6上。此时，电线8卡挂在槽18中而一半埋入到绝缘膜6中。
接下来，在电线8上及基体4(更具体而言绝缘膜6)上的12个部位涂敷含有TiO2的硅酮树脂的粘接剂12，以将基体4与电线8粘接。
涂敷在基体4上的粘接剂12形成为中心位于电线8上的直径10mm的圆的形状。这些圆的中心间的距离为58mm。由于从发光二极管10射出的光以圆的形状扩展，因此通过与该形状相应地涂敷粘接剂12，由此能够防止粘接剂12的无用涂敷，从而廉价地提供光的利用效率提高了的发光装置。
接下来，通过分配法，在涂敷有粘接剂12的区域内形成直径3mm的圆的形状的轮状的含有TiO2的硅酮树脂(白色树脂框)作为堤部16。需要说明的是，涂敷有粘接剂12的圆状的区域和堤部16同心。
接下来，使粘接剂12和堤部16热固化。
接下来，在涂敷有粘接剂12的圆状的区域的中心附近，将粘接剂12局部地除去，利用切片机对电线8进行半切割(切割宽度1mm、到达电线8的中心的深度)来除去电线8表面的绝缘被膜。
接下来，更换切片机的刀，对除去绝缘被膜而使芯材暴露出的电线8进行全切割(切割宽度0.1mm、切割深度0.06mm)。
接下来，向除去绝缘被膜而使芯材暴露出的电线8的部位分配焊锡糊剂作为连接构件20。
接下来，通过贴片机将LED芯片(俯视下一边为1200μm这样的大小)作为发光二极管10安装到涂敷有粘接剂12的区域的中心部分，在分配有连接构件20的部位将发光二极管10的电极以与电线8对置的方式配置。另外，将齐纳二极管和连接器安装到电线8上。
接下来，利用回流炉使连接构件20熔化，将发光二极管10、齐纳二极管及连接器与电线8电接合。
接下来，清洗除去连接构件20的焊剂残渣。
接下来，将粘性低且具有耐光性的透明硅酮系树脂作为下膜设置在发光二极管10之下。
接下来，将含有YAG荧光体的透光性的硅酮树脂的密封构件14在发光二极管10之上向堤部16的内侧灌注。另外，在齐纳二极管芯片之上也灌注密封构件14。
然后，对密封构件14进行固化处理。
根据本发明的实施例1涉及的制造方法，能够廉价地制造图1所示的发光装置。
【实施例2】
接下来，对图2所示的发光装置的制造方法的一例进行说明。
首先，准备铜薄板(厚度0.3mm、宽度16mm、长度300mm)作为基体4。由于使用铜薄板，则实施例2涉及的基体4在散热性上优异。
接下来，将在硅酮树脂中含有TiO2的白色抗蚀剂(厚度38μm)作为绝缘膜6印刷在基体4的单面整面上。
接下来，将两根铜线(φ200μm)作为电线8以彼此平行的方式呈直线状配置在绝缘膜6上。此时，电线8卡挂在槽18中而一半埋入绝缘膜6中。需要说明的是，两根电线8的间隔为0.2mm。
接下来，将含有白色填料的硅酮树脂的粘接剂12涂敷在电线8和基体4(更具体而言为绝缘膜6)上。涂敷在基体4上的粘接剂12形成为中心位于两根电线8之间的直径5mm的圆的形状。这些圆的距离为12mm。如上所述，从发光二极管10射出的光以圆的形状扩展，因此通过与该形状相应地涂敷粘接剂12，由此能够防止粘接剂12的无用涂敷，从而廉价地提供光的利用效率提高了的发光装置。
接下来，通过印刷或分配等方法形成直径3mm的圆的形状的轮状的白框作为堤部16。
接下来，对粘接剂12和堤部16进行固化处理。
接下来，将粘接剂12局部地除去，用切片机对电线8进行半切割(切割宽度1mm、到达电线8的中心的深度)来除去电线8的绝缘被膜。
接下来，向除去了绝缘被膜而使芯材暴露出的电线8的部位分配焊锡糊剂作为连接构件20。
接下来，用贴片机将LED芯片作为发光二极管10安装到涂敷有粘接剂12的区域的中心部分，并在分配有连接构件20的部位将发光二极管10的电极以隔着连接构件20与电线8对置的方式配置。另外，将齐纳二极管和连接器安装到电线8上。
接下来，利用回流炉使连接构件20熔化，将发光二极管10、齐纳二极管及连接器相对于电线8电接合。
接下来，清洗除去连接构件20的焊剂残渣。
接下来，将含有荧光体的密封构件14向发光二极管10之上灌注。
然后，对密封构件14进行固化处理。
根据本发明的实施例2涉及的制造方法，能够廉价地制造图2所示的发光装置。
【实施例3】
接下来，对图3所示的发光装置的制造方法的一例进行说明。
首先，准备电镀有锌的钢板(厚度1mm、宽度16mm、长度300mm)作为基体4。
接下来，在基体4的单面整面上粘贴PET膜(厚度38μm)作为绝缘膜6。
接下来，在基体4上，将带熔敷层的漆包线(例如磁线：0号尺寸0.1mm)作为电线8，以在基体4的宽度方向的侧面上显现出多个相互平行的部位的方式将电线8从基体4的一端朝向另一端在基体4的表面上卷绕一层。此时，电线8卡挂在设于基体4的侧面上的槽18中。电线8彼此的距离为29.33mm。
接下来，为了使基体4和电线8固接，对卷绕有电线8的基体4以大约120度～220度进行加热。需要说明的是，加热优选通过以使电线8不从基体4浮起的方式加压来进行。
接下来，将含有白色填料的硅酮树脂的粘接剂12涂敷在电线8和基体4(更具体而言为绝缘膜6)上。涂敷在基体4上的粘接剂12首先在基体4的宽度方向上以覆盖电线8的方式涂敷，之后，以形成中心位于基体4的宽度方向的中央的圆的方式涂敷。如上所述，由于从发光二极管10射出的光以圆的形状扩展，因此通过与该形状相应地涂敷粘接剂12，由此能够防止粘接剂12的无用涂敷，从而廉价地提供光的利用效率提高了的发光装置。
接下来，形成轮状的堤部16。
接下来，对粘接剂12和堤部16进行固化处理。
接下来，在堤部16的中心部分将粘接剂12局部地除去，用切片机对电线8进行半切割(切割宽度1mm、到达电线8的中心的深度)，从而除去电线8的绝缘被膜。需要说明的是，也对基体4的端部的电线8的开始卷绕部分及结束卷绕部分用切片机进行半切割。
接下来，更换切片机的刀，对除去绝缘被膜而使芯材暴露出的电线8进行全切割(切割宽度0.1mm、切割深度0.11mm)。
接下来，向除去了绝缘被膜而使芯材暴露出的电线8的部位分配焊锡糊剂作为连接构件20。
接下来，用贴片机将LED芯片(一边为1200μm)作为发光二极管10安装到堤部16的中心部分，在分配有连接构件20的部位，将发光二极管10以倒装芯片状态以发光二极管10的电极隔着连接构件20与电线8对置的方式配置。需要说明的是，在基体4的端部的电线8的开始卷绕部分和结束卷绕部分设置平行的电线8，并在此安装齐纳二极管和连接器。
接下来，用回流炉使连接构件熔化，将发光二极管10、齐纳二极管及连接器相对于电线8电接合。
接下来，清洗除去连接构件20的焊剂残渣。
接下来，将含有荧光体的密封构件14向发光二极管10之上灌注。另外，在齐纳二极管之上也灌注密封构件14。
然后，对密封构件14进行固化处理。
根据本发明的实施例3涉及的制造方法，能够廉价地制造图3所示的发光装置。
【实施例4】
接下来，对图4所示的发光装置的制造方法的一例进行说明。
首先，准备PI膜(厚度0.38mm、宽度16mm、长度706mm)作为基体4。需要说明的是，如上所述，由于在基体4的表面上设有绝缘膜6，因此在图4中没有显现出基体4。
接下来，将含有TiO2的硅酮树脂的白色抗蚀剂作为绝缘膜6印刷在基体4的单面的大致整面上。
接下来，将三根漆包线(φ50μm)作为电线8以相互平行的方式呈直线状设置在绝缘膜6上。另外，电线8通过绝缘性的胶带固定在基体4上。需要说明的是，三根电线8的间隔为1mm。
接下来，通过印刷在三根电线8上形成直径3mm的圆的形状的轮状的白框作为堤部16。此时，形成为堤部16的圆的中心位于三根电线8中正中的电线8上。
接下来，使堤部16固化。
接下来，用切片机对电线8进行半切割(切割宽度1mm、到达电线8的中心的深度)来除去电线8的绝缘被膜。需要说明的是，对在基体4的端部形成的平行的电线8也用切片机进行半切割。
接下来，更换切片机的刀，对除去了绝缘被膜而使芯材暴露出的电线8进行全切割(切割宽度0.1mm、切割深度0.06mm)。
接下来，向除去了绝缘被膜而使芯材暴露出的电线8的部位分配焊锡糊剂作为连接构件。
接下来，用贴片机将LED芯片作为发光二极管10安装到堤部16的中心部分。具体而言，在分配有连接构件的部位配置发光二极管10。另外，将齐纳二极管及连接器安装到电线8上。然后，将短路电线22安装到电线8上，从而形成并列电路的各支由六个串联连接的发光二极管10构成的串并联电路。
接下来，用回流炉使连接构件熔化，将发光二极管10、齐纳二极管、连接器及短路电线22相对于电线8电连接。
接下来，清洗除去连接构件的焊剂残渣。
接下来，将含有荧光体的密封构件14向发光二极管10之上灌注。另外，在齐纳二极管之上也灌注密封构件14。
然后，对密封构件14进行固化处理。
根据本发明的实施例4涉及的制造方法，能够廉价地制造图4所示的发光装置。尤其是根据本发明的实施例4涉及的制造方法，通过短路电线22能够将多个发光二极管10廉价地串并联连接，从而廉价地形成复杂的电路结构的发光装置。
【实施例5】
接下来，对图5所示的发光装置的制造方法的一例进行说明。
首先，准备铝箔(厚度0.1mm、宽度30mm、长度1200mm)作为基体4。需要说明的是，如上所述，由于在基体4的表面上设有绝缘膜6，因此在图5中没有显现出基体4。
接下来，通过铝阳极化处理和封孔处理，在基体4的单面整面上形成绝缘膜6(厚度20μm)。
接下来，在三根锡系镀敷铝线(φ100μm)的表面上涂敷粘接剂之后，将各锡系镀敷铝线作为电线8相对于基体4的长度方向平行地呈直线状设置在绝缘膜6上。需要说明的是，三根电线8的间隔为1mm。
接下来，将含有白色填料的粘接剂涂敷在基体4上的绝缘膜6上。被涂敷后的粘接剂形成为中心位于电线8上的直径10mm的圆的形状。这些圆的中心间距离为58mm。需要说明的是，如上所述，由于从发光二极管10射出的光以圆的形状扩展，因此通过与该形状相应地涂敷粘接剂，由此能够防止粘接剂的无用涂敷，从而廉价地提供光的利用效率提高了的发光装置。
接下来，通过印刷或分配等方法，在涂敷有粘接剂的区域内形成直径3mm的圆的形状的轮状的白框作为堤部16。需要说明的是，涂敷有粘接剂的圆状的区域和堤部16同心。
接下来，对粘接剂和堤部16进行固化处理。
接下来，在涂敷有粘接剂的区域的中心部分，将粘接剂局部地除去而使电线8暴露出。需要说明的是，对于形成在基体4的端部的平行的电线8也除去粘接剂而使电线8暴露出。
接下来，用切片机对除去了绝缘被膜而暴露出的电线8进行全切割(切割宽度0.1mm、切割深度0.11mm)。接着，对三根中位于中央的电线8的规定部位进行全切割(切割宽度1mm、切割深度0.11mm)。
接下来，向除去了绝缘被膜而暴露出的电线8的部位分配焊锡糊剂作为连接构件。
接下来，用贴片机将LED芯片(1200×500μm)作为发光二极管10安装到涂敷有粘接剂的区域的中心部分，在分配有连接构件的部位将发光二极管10的电极和电线8以对置的方式配置。另外，将齐纳二极管及连接器安装到电线8上。而且，将短路电线22安装到电线8上，从而形成将并联连接有四个发光二极管10的并列电路串联连接而成的并串联电路。
接下来，用回流炉使连接构件熔化，将发光二极管10、齐纳二极管、连接器及短路电线22相对于电线8连接。
接下来，清洗除去连接构件的焊剂残渣。
接下来，将含有荧光体的密封构件14向发光二极管10之上灌注。另外，在齐纳二极管之上也灌注密封构件14。
然后，对密封构件14进行固化处理。
根据本发明的实施例5涉及的制造方法，能够廉价地制造图5所示的发光装置。尤其是根据本发明的实施例5涉及的制造方法，通过短路电线22能够将多个发光二极管10廉价地并串联连接，从而廉价地形成复杂的电路结构的发光装置。
【实施例6】
接下来，参照图13，对图6所示的发光装置的制造方法的一例进行说明。图13是表示本发明的实施例6涉及的发光装置的制造方法的发光装置的局部放大图。如图13所示，本发明的实施例6涉及的发光装置的制造方法具有如下的工序。
(第一工序)
首先，如图13(a)所示，准备具有多个贯通孔42的基体4。作为基体4，使用厚度0.1mm、宽度16mm、长度300mm的SUS304薄板。另外，在基体4的中心线上的24个部位以12.5mm间隔形成长孔(长度1mm、宽度0.4mm)，从而构成贯通孔42。
(第二工序)
接下来，如图13(b)所示，将由阳极用的电线8a和阴极用的电线8b这一对构成的电线8设置在基体4的背面侧。此时，阳极用的电线8a和阴极用的电线8b的供多个发光二极管10安装的各部位以从基体4的背面侧穿过贯通孔42向基体42的表面侧暂时突出后、再次穿过贯通孔42向基体4的背面侧返回的方式弯曲。
更具体地说明的话，在基体4的背面侧，隔着基体4的中心线爬设两根漆包线(扁线、厚度0.15mm、宽度0.5mm)作为一对电线8，使这两根漆包线穿过贯通孔42而在基体4的表面突出0.15mm。然后，在包围基体4的贯通孔42的区域涂敷环氧系粘接剂作为粘接剂，而将两根电线8固定在基体4上。
(第三工序)
接下来，如图13(c)所示，在基体4的表面，以10～20μm的厚度设置硅酮系白色抗蚀剂作为绝缘膜6。作为涂敷方法，可以利用网版印刷、喷涂等各种方法。
之后，将从贯通孔42突出的一对电线8的一部分(宽度0.5mm、长度约0.3mm)的绝缘被膜(白色抗蚀剂和包漆)例如用Leutor除去。在本发明的实施例6中，由于涂敷厚度比电线8的突出量薄，因此即使在设置绝缘膜6后，也容易判别除去绝缘被膜的部位。
(第四工序)
接下来，如图13(d)所示，向除去了绝缘被膜的部位分配焊锡糊剂作为连接构件(48个部位)，将24个倒装芯片安装用的LED芯片(长度0.8mm、宽度0.3mm)作为发光二极管10在分配有连接构件的部位以规定的朝向(正负的电极分别与一对电线8中的一方和另一方连接的朝向)安装。然后，使用回流炉将连接构件溶融，而将发光二极管10与电线8连接。
需要说明的是，在基体4的背面侧的电线8上设置齐纳二极管等保护元件、连接器等。
(第五工序)
接下来，如图13(e)所示，清洗除去焊剂，由含有白色填料的环氧系透明树脂形成堤部16，灌注混合有YAG荧光体的硅酮系树脂作为密封构件14并使其固化。
【实施例7】
接下来，参照图14，对图7所示的发光装置的制造方法的一例进行说明。图14是表示本发明的实施例7涉及的发光装置的制造方法的发光装置的局部放大图。如图14所示，本发明的实施例7涉及的发光装置的制造方法具有如下的工序。
(第一工序)
首先，如图14(a)所示，准备具有多个贯通孔42的基体4。作为基体4，使用厚度0.1mm、宽度16mm、长度300mm的SUS304薄板。另外，在基体4的中心线上的24个部位以12.5mm间隔形成长孔(长度1mm、宽度0.4mm)，从而构成贯通孔42。
(第二工序)
接下来，如图14(b)所示，在基体4的背面侧，在基体4的中心线上爬设一根漆包线(扁线、厚度0.15mm、宽度0.5mm)，使这一根漆包线穿过贯通孔42而在基体4的表面突出0.15mm，并将突出的部分切断。由此，将一根漆包线分离成多个电线8(电线8a、电线8b、电线8c、电线8d…)，各电线8(电线8a、电线8b、电线8c、电线8d…)的一端和另一端从基体4的背面侧穿过贯通孔42向基体4的表面侧突出。
然后，将突出的各电线8(电线8a、电线8b、电线8c、电线8d…)的一端和另一端朝向基体4的表面折叠，在包围基体4的贯通孔42的区域涂敷环氧系粘接剂作为粘接剂12，将各电线8(电线8a、电线8b、电线8c、电线8d…)的一端和另一端固定在基体4上。
(第三工序)
接下来，如图14(c)所示，在基体4的表面，以10～20μm的厚度涂敷硅酮系白色抗蚀剂作为绝缘膜6并使其固化。
之后，将从贯通孔42突出的各电线8(电线8a、电线8b、电线8c、电线8d...)的一端和另一端的一部分(宽度0.5mm、长度约0.3mm)的绝缘被膜(白色抗蚀剂和包漆)例如用Leutor等刀具除去。在本发明的实施例7中，也与本发明的实施例6同样，由于涂敷厚度比电线8的突出量薄，因此即使在涂敷后也能够容易地判别除去绝缘被膜的部位。
(第四工序)
接下来，如图14(d)所示，向除去了绝缘被膜的部位分配焊锡糊剂作为连接构件(48个部位)，并将24个倒装芯片安装用的LED芯片(长度0.8mm、宽度0.3mm)作为发光二极管10向分配有连接构件的部位以规定的朝向(正负的电极分别与一个电线8(例如电线8a)的一端和另一个电线8(例如电线8b)的另一端连接的朝向)安装。并且，使用回流炉使连接构件熔融，而将发光二极管10与电线8电连接。
需要说明的是，在基体4的背面侧的电线8上设置齐纳二极管等保护元件、连接器等。
(第五工序)
接下来，如图14(e)所示，清洗除去焊剂，由含有白色填料的环氧系透明树脂形成俯视下包围发光二极管10这样的圆形的堤部16，在堤部16的内侧灌注混合有YAG荧光体的硅酮系树脂作为密封构件14并使其固化。
【实施例8】
接下来，参照图15，对图8所示的发光装置的制造方法的一例进行说明。图15是表示本发明的实施例8涉及的发光装置的制造方法的发光装置的局部放大图。如图15所示，本发明的实施例8涉及的发光装置的制造方法具有如下的工序。
(第一工序)
首先，如图15(a)所示，准备具有多个贯通孔42的基体4。作为基体4，使用厚度2mm、宽度16mm、长度300mm的白色的聚邻苯二甲酰胺(PPA)的板。另外，在基体4的中心线上的24个部位以12.5mm间隔形成俯视下圆形的孔(上表面的直径为3mm、底面的直径为1.4mm)，从而构成贯通孔42。
(第二工序)
接下来，如图15(b)所示，将阳极用的电线8a和阴极用的电线8b这一对构成的电线8设置在基体4的背面侧。此时，阳极用的电线8a和阴极用的电线8b在基体4的背面侧以横穿贯通孔42的开口面的方式设置。
更具体地说明的话，在基体4的背面侧，隔着基体4的中心线，以横穿贯通孔42的开口面的方式爬设两根漆包线(扁线、厚度0.15mm、宽度0.5mm)作为一对电线8。然后，在基体4上涂敷环氧系粘接剂作为粘接剂，而将两根电线8固定在基体4上。
(第三工序)
接下来，如图15(c)所示，将位于贯通孔42的开口面上的一对电线8的一部分(宽度0.5mm、长度约0.3mm)的绝缘被膜(包漆)例如用Leutor除去，如图15(c)所示，向除去了绝缘被膜的部位分配焊锡糊剂作为连接构件，将在一个主面上形成有正负的电极的LED芯片(长度0.8mm、宽度0.3mm)作为发光二极管10向分配有连接构件的部位以规定的朝向(正负的电极分别与一对电线8中的一方和另一方连接的朝向)安装。然后，使用回流炉使连接构件熔融，而将发光二极管10与电线8连接。
需要说明的是，在基体4的背面侧的电线8设置齐纳二极管等保护元件、连接器等。
(第四工序)
接下来，如图15(d)所示，清洗除去焊剂后，灌注混合有YAG荧光体的硅酮系树脂作为密封构件14并使其固化。
需要说明的是，在上述的实施例6、7、8中，使用了扁线作为电线8，但也可以使用圆线。这种情况下，应用使用上线和下线的缝纫机的正式缝制法，使电线8穿过基体4的贯通孔，调节上线和下线(漆包线)的张力及粗细，由此也能够以所期望的尺寸使电线8从基体4的贯通孔42突出。具体而言，使上线的张力比下线的张力高，下线的电线8比基体4抬高。此时，通过选择上线的粗细及张力，由此能够调节下线从基体4突出的长度。
以上，对本发明的实施方式及实施例进行了说明，但上述的说明涉及的是本发明的一例，本发明并不局限于上述的说明。

Claims (21)

1.一种发光装置，其特征在于，该发光装置具备：
基体；
固定在所述基体上的电线；
安装在所述电线上的多个发光二极管，
所述多个发光二极管为LED芯片，
所述多个发光二极管利用密封构件密封。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述发光二极管由于为LED芯片，因此未被封装。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述基体具有槽，
所述电线卡挂在所述槽中。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述电线的一部分弯曲，
所述发光二极管安装在所述电线的弯曲的部分。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述电线具有高的部分和低的部分，
所述发光二极管安装在所述电线的高的部分上。
6.一种发光装置，其特征在于，该发光装置具备：
具有多个贯通孔的基体；
设置在所述基体的背面侧的电线；
多个发光二极管，
设置在所述基体的背面侧的电线的多个部位在所述基体所具有的多个贯通孔中通到所述基体的表面侧，
所述多个发光二极管分别安装在所述电线的通到所述基体的表面侧的各部位上。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
所述电线由阳极用的电线和阴极用的电线这一对构成，
所述阳极用的电线和所述阴极用的电线的供所述多个发光二极管安装的各部位以从所述基体的背面侧穿过所述贯通孔暂时向所述基体的表面侧突出后、再次穿过贯通孔而返回到所述基体的背面侧的方式弯曲，
所述多个发光二极管的正负的电极分别与所述阳极用的电线和所述阴极用的电线连接。
8.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
所述电线由多根电线构成，
各电线的一端和另一端从所述基体的背面侧穿过所述贯通孔而向所述基体的表面侧突出，
所述多个发光二极管的正负的电极分别与所述多个电线中的一个电线的一端和另一个电线的另一端连接。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，
从所述基体的背面侧穿过所述贯通孔向所述基体的表面侧突出的所述电线朝向所述基体的表面折叠。
10.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
所述电线由阳极用的电线和阴极用的电线这一对构成，
所述阳极用的电线和所述阴极用的电线在所述基体的背面侧横穿所述贯通孔的开口面，
所述多个发光二极管设置在所述贯通孔内，该多个发光二极管的正负的电极分别与所述阳极用的电线和所述阴极用的电线连接。
11.一种发光装置，其特征在于，
该发光装置在权利要求6～10中任一项所述的发光装置的基础上，在所述基体的背面侧的电线上还安装有发光二极管及/或保护元件。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在将所述发光二极管安装于所述电线上之后，利用所述密封构件进行密封。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述基体上设有绝缘膜。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述发光二极管是在透光性基板上层叠半导体而成的LED芯片。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述密封构件含有波长变换构件。
16.一种发光装置的制造方法，其特征在于，该发光装置的制造方法包括：
准备具有多个贯通孔的基体的工序；
以多个部位在所述基体所具有的多个贯通孔中通到所述基体的表面侧的方式在所述基体的背面侧设置电线的工序；
在所述电线的通到所述基体的表面侧的各部位分别安装多个发光二极管的工序。
17.根据权利要求16所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述电线由阳极用的电线和阴极用的电线这一对构成，
所述阳极用的电线和所述阴极用的电线的供所述多个发光二极管安装的各部位以从所述基体的背面侧穿过所述贯通孔暂时向所述基体的表面侧突出之后、再次穿过贯通孔返回到所述基体的背面侧的方式弯曲，
所述多个发光二极管设置在所述基体的表面侧，该多个发光二极管的正负的电极分别与所述阳极用的电线和所述阴极用的电线连接。
18.根据权利要求16所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述电线由多根电线构成，
各电线的一端和另一端从所述基体的背面侧穿过所述贯通孔向所述基体的表面侧突出，
所述多个发光二极管设置在所述基体的表面侧，该多个发光二极管的正负的电极分别与所述多个电线中的一个电线的一端和另一个电线的另一端连接。
19.根据权利要求18所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
该发光装置的制造方法包括将从所述基体的背面侧穿过所述贯通孔向所述基体的表面侧突出的所述电线朝向所述基体的表面折叠的工序。
20.根据权利要求16所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述电线由阳极用的电线和阴极用的电线这一对构成，
所述阳极用的电线和所述阴极用的电线在所述基体的背面侧横穿所述贯通孔的开口面，
所述多个发光二极管设置在所述贯通孔内，该多个发光二极管的正负的电极分别与所述阳极用的电线和所述阴极用的电线连接。
21.一种发光装置的制造方法，其特征在于，
在权利要求16～20中任一项所述的发光装置的制造方法的基础上，还包括将发光二极管及/或保护元件安装在所述基体的背面侧的电线上的工序。
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