CN103579455B - 发光装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够比现有技术更为廉价地制造使用了发光二极管的发光装置的发光装置的制造方法。所述发光装置的制造方法制造在导线上的多个安装部安装有发光二极管的发光装置，在将相邻的安装部间的沿着所述导线的距离设为L1时，以使该安装部间的直线距离成为L2(L2＜L1)的方式保持所述导线，在所述被保持的导线上的各安装部安装多个所述发光二极管。

Description

发光装置的制造方法
技术领域
本发明涉及使用了发光二极管的发光装置的制造方法。
背景技术
近年来，使用了LED照明或利用LED的电视用背光灯等的发光二极管的发光装置开始普及。
然而，使用了发光二极管的发光装置与白炽灯或日光灯等现有的发光装置相比还是高价，为了扩大这种使用了发光二极管的发光装置的普及，需要实现进一步的低价格化。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够比现有技术更为廉价地制造使用了发光二极管的发光装置的发光装置的制造方法。
根据本发明，通过如下的方案来解决上述课题。
本发明提供一种发光装置的制造方法，其用于制造在导线上的多个安装部安装有发光二极管的发光装置，该发光装置的制造方法的特征在于，将相邻的安装部间的沿着所述导线的距离设为L1时，以使该安装部间的直线距离成为L2(L2＜L1)的方式保持所述导线，在所述被保持的导线上的各安装部安装多个所述发光二极管。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，使所述导线与多个棒构件交叉而使所述直线距离成为L2。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，使所述导线与交替配置的多个棒构件和多个凸部交叉而使所述直线距离成为L2。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，在棒构件上卷绕所述导线而使所述直线距离成为L2。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，在棒构件上卷绕所述导线之后将所述棒构件沿着长度方向切断而使所述直线距离成为L2。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，以使相邻的所述安装部间的直线距离成为L3(L2＜L3≤L1)的方式解除安装有多个所述发光二极管的导线的保持。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，利用透光性的密封构件对安装在所述导线上的多个发光二极管进行密封。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，利用含有荧光体的第一密封构件分别独立地对多个发光二极管进行密封之后，利用第二密封构件对所述第一密封构件进行密封。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，利用含有荧光体的第一密封构件分别独立地对多个发光二极管进行密封之后，利用第二密封构件一并对多个第一密封构件进行密封。
另外，本发明的上述的发光装置的制造方法的特征在于，将所述导线粘贴于基体上，对粘贴于该基体上的导线进行所述保持。
【发明效果】
根据本发明，能够比现有技术更为廉价地制造使用了发光二极管的发光装置。
附图说明
图1是说明本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的流程图。
图2是表示LED芯片的一例的图。
图3是说明密封方法的第一例的图。
图4是说明密封方法的第二例的图。
图5是表示使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)的图。
图6是表示使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)的图。
图7是表示使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)的图。
图8是表示使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)的图。
图9是表示使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)的图。
图10是表示使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)的图。
图11是表示使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其四)的图。
图12是表示使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)的图。
图13是表示使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)的图。
图14是表示使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)的图。
图15是表示使用了棒切断式弯曲方法的发光装置的制造方法例的图。
【符号说明】
1 蓝宝石基板
2a 半导体层
2b 半导体层
3a p电极
3b n电极
4 绝缘膜
5a p侧焊盘电极
5b n侧焊盘电极
11 发光二极管
12 接合材料
13 导线
14 基体
15 密封构件
15a 第一密封构件
15b 第二密封构件
16 堤部
17 棒构件
18 反射件
19 间隔保持构件
20 短路导线
21 膜
23 突起
25 膜片
27 辊
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。
图1是说明本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法的流程图。
如图1所示，本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法是用于制造在导线13上的安装部安装有多个发光二极管11而成的发光装置的方法，包括第一工序S1、第二工序S2、第三工序S3和第四工序S4。
[第一工序S1]
第一工序S1是以使导线13上的相邻的安装部间的直线距离成为L2(L2＜L1)的方式保持导线13的工序。L1及L2为大于0的实数，L1表示相邻的安装部间的沿着导线13的距离。沿着导线13的距离具体而言是指导线13的长度。
(导线13)
作为导线13，可以使用具有导电性的各种材料，但优选使用导电性优异的材料。例如，可以优选使用铜、金、铝、银等的电阻率低的金属线或者它们的复合材料(铜包铝线、合金线等)。另外，优选容易弯曲的材料，优选即使发生弯曲也不易破损的(不易疲劳的)材料。需要说明的是，可以对导线13实施Pd、Pt、Ag等的贵金属镀敷或锡系镀敷。尤其是Ag镀敷，由于光反射率高，因此能够提高发光装置的亮度，从而优选。另外，优选与后述的将发光二极管11安装于安装部的构件的相容性好的材料。具体而言，例如在进行安装的构件使用了焊锡材料的情况下，优选实施贵金属镀敷或锡系镀敷的导线。
作为导线13，可以使用金属线的周围被绝缘构件覆盖的带覆层的导线。若使用带覆层导线，则能够使多个导线接触，因此能够组装各种电路。作为带覆层导线，例如可以使用磁线(漆包线、铜扁线、带状电线、平行电线、铜包铝线、绕包线)等。
另外，作为导线13，也可以使用扁线或使用通过冲压、滚轧而将局部压平的圆线等。这样，能够确保导线13与发光二极管11的接合面积，能够容易地安装发光二极管11。另外，导线13可以是例如绞线那样的多个线材的集合体。基于发光装置所要求的特性、所安装的发光二极管11的大小等，导线13的粗细或宽度可以为0.几mm～几mm。
另外，作为导线13，可以使用通过将绝缘体的线的表面用导电体覆盖、再用绝缘体覆盖而成的构件。通过使用这样的导线，与使用了带覆层导线的情况同样，能够使多个导线接触，因此能够组装各种电路，且能够实现轻量的发光装置。
(相邻的安装部间的直线距离L2)
作为使相邻的安装部间的直线距离为L2的方法，已知有将导线13弯曲、弯折、扭转等的方法，此时，可以使用棒构件等辅助构件。需要说明的是，后述的织物式弯曲方法、棒凸式弯曲方法、棒卷式弯曲方法、棒切断式弯曲方法等为使相邻的安装部间的直线距离为L2的方法的一例。
(安装部)
安装部可以为多个，可以为两处，也可以为三处以上。
在使用带覆层导线作为导线13的情况下，在导线13上的安装部处，通过研磨、空气加热器或焊锡·光等的热量等除去覆层而使芯线暴露出，以能够与发光二极管11电连接。
就安装部而言，优选在通过冲压等将导线13上的安装部平坦化后，除去覆层而使芯线暴露出。这样，能够使发光二极管11的安装稳定。
[第二工序S2]
第二工序S2是在被保持的导线13上的各安装部安装多个发光二极管11的工序。
(发光二极管11的安装)
作为发光二极管11的安装方式，例如在安装被封装前的发光二极管11的情况下，可以举出将引线接合和芯片接合组合起来的方式、或者倒装安装等作为一例。尤其是倒装安装法，由于能够同时进行发光二极管11向导线13上的载置以及发光二极管11与导线13的电连接，因此能够提高量产性。在进行倒装安装的情况下，对构成正负电极的两根以上的导线13在第一工序S1中进行保持。
作为将发光二极管11安装于安装部的接合材料(参照后述的图3、4中的符号12)，在进行发光二极管11与导线13(安装部)的电连接的情况下，可以使用以Au-Sn、Sn-Cu-Ag、Sn-Cu、Sn-Bi或Sn-Zn为代表的焊锡或各向异性导电糊剂、银糊剂、铜糊剂、碳糊剂、Au等金属材料的凸点等的电性接合材料。另外，在不进行电连接的情况下，可以使用绝缘性的环氧树脂、硅酮树脂等热固化性树脂。另外，也可以像例如超声波焊接、熔融法那样不使用接合材料而将发光二极管11的电极与导线13直接接合。
引线接合法中所用的电线可以使用Au、Ag、Al、Cu等金属以及它们的合金或被镀敷了的合金的细线。作为倒装安装中使用的凸点，可以优选使用Au及其合金。
(发光二极管11)
作为发光二极管11，例如可以使用表面安装型LED、炮弹型LED、LED芯片、芯片级封装LED等各种发光二极管。另外，通过在蓝宝石基板等透光性基板上层叠有进行蓝色发光的GaN系半导体的LED芯片等作为发光二极管11并与后述的波长转换构件组合，可以特别理想地用于作为照明装置使用的发光装置。
在进行倒装安装的情况下，作为发光二极管11，优选使用正负的电极以大致相等的大小形成的LED芯片。尤其优选使用在安装用的电极和与半导体层接触的电极之间设有绝缘膜、安装用的电极以比与半导体层接触的电极大的面积设置的LED芯片(这样的LED芯片的一例如图2所示)。由此，能够容易地进行安装面积受限的导线上的安装，因此能够同时实现发光装置的亮度和量产性。
图2是表示LED芯片的一例的图，图2(a)是俯视图，图2(b)是表示图2(a)中的A-A截面的剖视图。图2所示的一例涉及的LED芯片具备蓝宝石基板1、P型半导体层2a及n型半导体层2b、P电极3a及n电极3b、绝缘层4、P侧焊盘电极5a及n侧焊盘电极5b。
绝缘膜4设置在P侧焊盘电极5a与n侧焊盘电极5b之间，n侧焊盘电极5b在绝缘膜4上以比n型半导体层2b和n电极3b的接触面积大的面积设置。另外，p侧焊盘电极5a和n侧焊盘电极5b以大致相等的大小形成。如上所述，若将这样的LED芯片作为发光二极管11使用，则能够容易地进行安装面积受限的导线13上的安装，因此能够同时实现发光装置的亮度和量产性。例如，在图2的LED芯片中，两个电极在LED芯片的矩形形状的长度方向的两端部以与矩形的宽度相同程度的宽度设置，在长度方向上观察，在一方电极与另一方电极之间具有没有形成电极的非电极形成部，非电极形成部比两个电极小。通过将该非电极形成部用于本发明的实施方式涉及的发光装置中，由此能够容易地对比较小的LED芯片以任意的间隔进行倒装安装。另外，优选使用一边为0.1mm至3mm左右的矩形的大小的LED芯片。
[第三工序S3]
第三工序S3是指以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L2＜L3≤L1)的方式解除安装有多个发光二极管11的导线13的保持或对导线13的保持进行调整的工序。L3为大于0的实数。需要说明的是，在后述的实施例中，采用L3＝L1的情况作为一例。在L3＜L1时，可以在安装后调节发光二极管之间的距离。
[第四工序S4]
第四工序S4是指用透光性的密封构件15对安装在导线13上的多个发光二极管11进行密封的工序。作为透光性的密封构件15，可以使用硅酮树脂、环氧树脂、玻璃等。透光性是指使入射的光透过50％以上的性质。密封构件15可以含有将来自发光二极管11的光波长转换成不同波长的光的荧光体。这样，以白色、灯泡色为代表而能够提供各种色调、发光光谱，因此能够应对各种各样的市场要求。
具体而言，在发光二极管11发出蓝色光的情况下，可以举出发出黄色光的YAG系荧光体、发出绿色光的LAG系荧光体、SiAlON系荧光体、发出红色光的CASN荧光体、SCASN荧光体等作为荧光体的一例。若密封构件15含有上述的荧光体，则能够在发出蓝色光的发光二极管11中组合发出绿色光的SiAlON系荧光体和发出红色光的CASN荧光体，因此颜色再现性高，能够形成适于电视等的背光灯用的光源的发光装置。另外，若在密封构件15中组合含有发出绿色光～黄色光的LAG系、YAG系荧光体、发出红色光的荧光体等，则与使用一种荧光体的情况相比，彩色再现性(Ra)提高，能够形成适于照明用的光源的、发出白色·灯泡色的光的发光装置。
另外，还可以含有使光散射的光扩散构件。由此，能够获得所期望的配光且防止色相不均。作为光扩散构件的材质，可举出TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg(OH)2、Ca(OH)2等。
优选密封构件15除了对发光二极管11进行密封以外，还对安装部、安装部周边的导线13进行密封。由此，能够提高发光装置的强度，提高合格率，因此能够廉价地形成发光装置。
密封构件15的密封可以通过使用了铸造壳的模塑、向发光二极管11上的灌注、印刷、传递模制、压缩模制、注塑成形等各种方法来进行。另外，密封构件15的密封可以分别独立地对各个发光二极管11进行(后述的密封方法的第一例)，也可以一并对多个发光二极管11进行(后述的密封方法的第二例)。
本工序只要在第二工序之后即可，可以在第三工序之前进行，也可以在第三工序之后进行。即，本工序只要在发光二极管11安装于安装部后进行即可，可以在安装部间的距离成为L2的状态下进行密封，也可以在安装部间的距离成为L3的状态下进行密封。通过将本工序在第三工序之前进行，由于与发光二极管11的安装同样的理由能够提高生产节拍，能够形成廉价的发光装置。
图3是说明密封方法的第一例的图，图3(a)是俯视图，图3(b)是侧视图，图3(C)是主视图。
如图3所示，在本发明的实施方式中，可以在利用含有荧光体的圆顶状的第一密封构件15a分别独立地对多个发光二极管11进行密封后，再利用圆顶状的第二密封构件15b分别独立地对第一密封构件15a进行密封。这样，除了密封发光二极管11之外，还能够密封安装部、安装部周边的导线13。另外，由于密封构件15形成为多层，因此能够同时实现发光二极管11的保护和发光装置的机械强度。
图4是说明密封方法的第二例的图，图4(a)是俯视图，图4(b)是侧视图，图4(C)是主视图。
如图4所示，在本发明的实施方式中，利用含有荧光体的第一密封构件15a分别独立地对多个发光二极管11进行密封后，再利用第二密封构件15b一并对多个第一密封构件15a进行密封。这样，除了密封发光二极管11之外，也能够密封安装部、安装部周边的导线13。另外，由于密封构件15形成为多层，因此能够同时实现发光二极管11的保护和发光装置的机械强度。
在以上说明的密封方法的第一例及第二例中，优选使用LED芯片作为发光二极管11，并利用第一密封构件15a将该LED芯片直接覆盖。这样，能够实现构成构件的削减、工序的缩短所带来的成本削减。
而且，作为第一密封构件15a，优选使用比第二密封构件15b软的材料(作为第二密封构件15b，优选使用比第一密封构件15a硬的材料)。这样，能够防止因材料的热膨胀不同等产生的应力所引起的例如电线断裂这样电连接不良。需要说明的是，“软的材料”可以举出玻化温度低的材料、例如硅酮系树脂等材料，“硬的材料”可以举出玻化温度高的材料、例如环氧系树脂等材料。
根据以上说明的本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法，当制造在导线13上的安装部安装有多个发光二极管11的发光装置时，导线13上的相邻的安装部间的直线距离L2比该安装部间的沿着导线13的距离L1短，因此能够减少安装装置(将发光二极管11安装于导线13的装置)的生产节拍时间，能够增加每单位时间可安装的发光二极管11的数目。
因而，根据本发明的实施方式涉及的发光装置的制造方法，能够实现作业效率的提高，能够比现有技术更为廉价地制造出使用了发光二极管11的发光装置。
接着，对本发明的实施例进行说明。
【实施例1】
首先，作为本发明的实施例1，对使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法进行说明。使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法是使导线13与多个棒构件交叉来使相邻的安装部间的直线距离成为L2的方法。根据该方法，通过提高发光二极管11的安装密度，由此能够减少安装装置的生产节拍时间，从而促进大量生产、成本下降。另外，该方法能够将导线13上的安装部二维(导线13被延伸的方向和与其垂直的方向)地配置，因此适于形成面状的发光装置。
[使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)]
图5是表示使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)的图，图5(a)是多个棒构件17和与这多个棒构件17交叉的导线13的俯视图，图5(b)是多个棒构件17和与这多个棒构件17交叉的导线13的侧视图，图5(c)是被伸长了的导线13的俯视图。
如图5所示，在使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)中，使八根导线13大致平行地排列多根且与多个棒构件17交叉。这样，能够使八根导线13上的相邻的安装部间的直线距离同时成为L2。
八根导线13以两根为一组来使用，多个发光二极管11横跨一组导线13中的一方(阳极)和另一方(阴极)地安装。
在俯视观察多个棒构件17的状态下，八根导线13以相邻的两组导线13出现在不同的棒构件17的上表面的方式交叉。这样，与以相邻的两组导线13出现在同一棒构件17的上表面的方式交叉的情况相比，相邻的两组导线13上的安装部更加接近，因此发光二极管11的安装密度提高，能够减少安装装置的生产节拍时间，从而促进大量生产、成本下降。
以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的导线13伸长，将多个发光二极管11分别用密封构件15进行了密封。这样制造出的发光装置如图5(c)所示，多个发光二极管11并联连接。需要说明的是，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。另外，在本实施方式这样的发光装置中，L2+发光二极管的大小≤L3。
[使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)]
图6是表示使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)的图，图6(a)是多个棒构件17和与这多个棒构件17交叉的导线13的俯视图，图6(b)是多个棒构件17和与这多个棒构件17交叉的导线13的侧视图，图6(c)是被伸长了的导线13的俯视图。
如图6所示，在使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)中，使六根导线13与整齐排列的多个棒构件17交叉。
在俯视观察多个棒构件17的状态下，六根导线13以相邻的导线13出现在第奇数个棒构件17的上表面的方式交叉。
六根导线13以两根为一组来使用，多个发光二极管11横跨相邻的导线13中的一方(阳极)和另一方(阴极)地被倒装安装。其中，多个发光二极管11在第(1+n×4)个棒构件17和第(3+n×4)个棒构件17上(n为0以上的整数)所跨的导线13不同。即，在第(1+n×4)个棒构件17的上表面作为阳极使用的导线13在第(3+n×4)个棒构件17的上表面作为阴极来使用，在第(1+n×4)个棒构件17的上表面作为阴极使用的导线13在第(3+n×4)个棒构件17的上表面作为阳极来使用。
在使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)中，使多个棒构件17分为上段和下段地整齐排列，在整齐排列成上段的多个棒构件17和整齐排列成下段的多个棒构件17之间设置间隔保持构件19。这样，与将多个棒构件17整齐排列成一段的情况相比，能够使导线13的各安装部彼此更加接近，能够进一步减少生产节拍时间。
以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的六根导线13伸长，将多个发光二极管11用密封构件15密封并俯视观察可知，如图6(c)所示，多个发光二极管11以串联或并联的方式连接。需要说明的是，如上所述，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。
[使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)]
图7是表示使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)的图，图7(a)是设有狭缝的具有绝缘性及挠性的膜21(能够粘贴导线的具有绝缘性及挠性的构件的一例)的俯视图，图7(b)是粘贴在设有狭缝的膜21上的导线13的俯视图，图7(c)是粘贴在设有狭缝的膜21上的导线13和多个棒构件17的俯视图。
如图7所示，使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)与不使用膜21的上述的制造方法例(其二)的不同之处在于，在设有狭缝的膜21上粘贴导线13，在导线13上安装多个发光二极管11。
根据使用了织物式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)，由于导线13粘贴在具有挠性的膜21上，因此在制造时及使用时通过膜21的挠曲来吸收施加给发光装置的张力，能够减少施加给电气接合部(即安装部)的机械应力，能够连续地制造出易断线(具有多个切断部位)的发光装置而以低价格进行量产。
【实施例2】
接着，对作为本发明的实施例2的使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法进行说明。使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法是指使导线13与交替配置的多个棒构件和多个凸部交叉而使相邻的安装部间的直线距离成为L2的方法。
根据该方法，即使增加导线13的数目也无需进行间隔保持构件的位置调整，能够使拆下棒构件的方向为上方的一个方向，因此能够容易地进行卷到卷(reel to reel)式的加工，因此能够容易实现发光装置的大面积化、制造方法的自动化，实现成本的降低。另外，该方法能够将导线13上的安装部二维地配置，因此适于与扩散板等组合来形成显示器等所用的面状的发光装置。需要说明的是，后述的突起23为凸部的一例。
[使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)]
图8是表示使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)的图，图8(a)是多个棒构件17及多个突起23和与它们交叉的导线13的俯视图，图8(b)是多个棒构件17及多个突起23和与它们交叉的导线13的侧视图，图8(c)是被伸长了的导线13的俯视图。
如图8所示，在使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)中，通过使十根导线13与交替配置的多个棒构件17和多个突起23交叉，由此使导线13上的相邻的安装部间的直线距离同时成为L2。
在俯视观察多个棒构件17的状态下，十根导线13以相邻的导线13出现在各突起23的上表面的方式交叉。
十根导线13以两根为一组来使用，多个发光二极管11横跨相邻的导线13中的一方(阳极)和另一方(阴极)地安装。
从棒拆下导线13，以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的十根导线13伸长，将多个发光二极管11用密封构件15进行密封并俯视观察可知，如图8(c)所示，多个发光二极管11并联连接。需要说明的是，如上所述，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。
[使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)]
图9是表示使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)的图，图9(a)是多个棒构件17及多个突起23和与它们交叉的导线13的俯视图，图9(b)是多个棒构件17及多个突起23和与它们交叉的导线13的侧视图，图9(c)是被伸长了的导线13的俯视图。
如图9所示，在使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)中，通过使六根导线13与交替配置的多个棒构件17和多个突起23交叉而使导线13上的相邻的安装部间的直线距离同时成为L2。
在俯视观察多个棒构件17的状态下，六根导线13以相邻的导线13出现在各突起23的上表面的方式交叉。
六根导线13以两根为一组来使用，多个发光二极管11横跨相邻的导线13中的一方(阳极)和另一方(阴极)地安装。其中，多个发光二极管11在第奇数个棒构件17和第偶数个棒构件17上所跨的导线13不同。这样，在使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)中，提供多个发光二极管11被安装于导线交叉的部位的网状的发光装置。
以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的六根导线13伸长，将多个发光二极管11用密封构件15进行密封并俯视观察可知，如图9(c)所示，多个发光二极管11以并联或串联的方式连接。需要说明的是，如上所述，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。
需要说明的是，在使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)中，多个突起23一体地形成。
另外，在使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)中，在多个突起23的上表面设置膜片25(可粘贴导线的构件的一例)来粘接相邻的导线13。
[使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)]
图10是表示使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)的图，图10(a)～图10(c)、图10(e)及图10(f)是俯视图。另外，图10(d)是俯视图及侧视图。
在使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)中，将三根导线13平行地配置(参照图10(a))，并通过冲压等方法将三根导线13切断成规定的长度(参照图10(b))。
接着，将切断后的三根导线13粘贴于一个具有绝缘性及挠性的基体14(可粘贴导线13的具有绝缘性及挠性的构件的一例)上而使它们一体化(参照图10(c))，并使一体化了的构件与多个棒构件17及多个突起23交叉(参照图10(d)。需要说明的是，如图10(d)的局部放大图所示，基体14由于具有挠性，因此与导线13一起局部挠曲)。由此，导线13上的相邻的安装部间的直线距离成为L2。需要说明的是，在三根导线13的安装部及其周围设置反射件18和堤部16(参照图10(d))。
接着，在三根导线13的各安装部上安装发光二极管11并将它们用密封构件15密封(参照图10(e))。
然后，以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的导线13伸长(参照图10(f))。如上所述，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。
需要说明的是，如图10(f)所示，若利用熔融等方法将短路导线20设置在导线13上，则能够将多个发光二极管11串联连接。
[使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其四)]
图11是表示使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其四)的图，图11(a)是使导线13及基体14与多个棒构件17和多个突起23交叉的情况的图，图11(b)是表示图11(a)中的A-A截面的图，图11(c)是表示将导线13及基体14伸长了的情况的图。
在图11所示的例子中，利用冲压等方法将导线13切断成规定的长度，将切断后的多个导线13粘贴于网状的基体14上而使它们一体化，并使一体化后的构件与多个棒构件17及多个突起23纵横交叉。
在多个导线13的安装部上安装有发光二极管11，发光二极管11由密封构件15密封。需要说明的是，在安装部的周围设有堤部16，以防止密封构件15不需要地扩展。
以上，对使用了棒凸式弯曲方法的发光装置的制造方法例进行了说明，但多个发光二极管11的密封可以像(其一)～(其三)所示那样在解除导线13的保持之后进行，也可以像(其四)所示那样在解除导线13之前进行。
【实施例3】
接着，对作为本发明的实施例3的使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法进行说明。使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法是将导线13卷绕于棒构件上来使直线距离成为L2的方法。根据该方法，能够通过结构简单且廉价的制造装置来制造发光装置，因此能够廉价地制造发光装置(也能够减小装置的设置面积)。
[使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)]
图12是表示使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)的图，图12(a)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13的俯视图及主视图，图12(b)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13的侧视图，图12(c)是被伸长后的导线13的俯视图。根据棒卷式弯曲方法，与织物式弯曲方法、棒凸式弯曲方法相比结构简单，适于制造直管形LED灯那样的直线状的发光装置。
如图12所示，在使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其一)中，在棒构件17上卷绕有两根导线13。
两根导线13以两根为一组来使用，在侧视观察卷绕有导线13的棒构件17的状态下，多个发光二极管11横跨两根一组的相邻的导线13中的一方(阳极)和另一方(阴极)地安装。
以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的两根导线13伸长，利用密封构件15对多个发光二极管11进行密封并俯视观察可知，如图12(c)所示，多个发光二极管11并联连接。需要说明的是，如上所述，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。
[使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)]
图13是表示使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)的图，图13(a)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13的俯视图及主视图(切断前)，图13(b)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13的俯视图及主视图(切断后)，图13(c)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13的俯视图及主视图(安装后)，图13(d)是被伸长后的导线13的俯视图。
如图13所示，在使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其二)中，在棒构件17上卷绕有一根导线13。
一根导线13在使用膜等卷绕在棒构件17上的状态下被临时固定，且被沿着棒构件17的长度方向切断。多个发光二极管11将通过切断产生的一端及另一端作为阳极及阴极而安装在一根导线13上。
以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的一根导线13伸长，利用密封构件15对多个发光二极管11进行密封并俯视观察可知，如图13(d)所示，多个发光二极管11串联连接。需要说明的是，如上所述，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。
[使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)]
图14是表示使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)的图，图14(a)是表示使用辊27将导线13粘贴于基体14上的情况的图，图14(b)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13及基体14的俯视图(切断前)，图14(c)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13及基体14的俯视图(切断后)，图14(d)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13及基体14的俯视图及主视图(除去覆层后)，图14(e)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13及基体14的俯视图及主视图(安装后)，图14(f)是被伸长后的导线13的一例的图。
如图14所示，在使用了棒卷式弯曲方法的发光装置的制造方法例(其三)中，一根导线13卷绕在棒构件17上。作为导线13，可以使用漆包线，漆包线在卷绕于棒构件17上后，被沿着棒构件17的长度方向切断。
多个发光二极管11将通过切断产生的一端及另一端作为阳极及阴极而安装于一根导线13上。
以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的一根漆包线伸长，利用密封构件15对多个发光二极管11进行密封并俯视观察可知，如图14(f)所示，多个发光二极管11串联连接。需要说明的是，如上所述，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。
【实施例4】
接着，对作为本发明的实施例4的使用了棒切断式弯曲方法的发光装置的制造方法进行说明。使用了棒切断式弯曲方法的发光装置的制造方法是在棒构件上卷绕有导线13之后将棒构件沿着长度方向切断而使相邻的安装部间的直线距离成为L2的方法。根据该方法，能够形成可抑制导线13所引起的光吸收且效率良好的发光装置。另外，还能够形成可减少导线13所引起的光的遮挡且配光角宽的发光装置。
图15是表示使用了棒切断式弯曲方法的发光装置的制造方法例的图，图15(a)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13的俯视图及主视图(切断前)，图15(b)是棒构件17和卷绕在该棒构件17上的导线13的俯视图及主视图(切断后)，图15(c)是安装有多个发光二极管11的导线13的俯视图及主视图，图15(d)是被伸长了的导线13的俯视图及侧视图。
如图15所示，在使用了棒切断式弯曲方法的发光装置的制造方法例中，在棒构件17上卷绕导线13之后，将棒构件17沿着长度方向切断(因而，卷绕在棒构件17上的导线13也被切断)。
多个发光二极管11将沿着棒构件17相邻的两个端部作为阳极及阴极而安装于导线13上。
以使相邻的安装部间的直线距离成为L3(L3＝L1)的方式将安装有多个发光二极管11的导线13伸长，利用密封构件15对多个发光二极管11进行密封并俯视观察可知，如图15(d)所示，多个发光二极管11串联连接。需要说明的是，如上所述，将导线13“伸长”的方式是解除导线13的保持的方式的一例。
需要说明的是，在图10、图11、图14所示的例子中，将导线13粘贴于基体14上，对粘贴于该基体14上的导线13进行保持来安装发光二极管11，但导线13向基体14的粘贴也可以在其它的图所示的例子中进行。
以上，对本发明的实施方式及实施例进行了说明，但上述说明仅涉及本发明的一例，本发明完全没有限定于上述说明。

Claims (16)

1.一种发光装置的制造方法，其用于制造在导线上的多个安装部安装有发光二极管的发光装置，
所述发光二极管为LED芯片，
将相邻的安装部间的沿着所述导线的距离设为L1时，以使该安装部间的直线距离成为L2的方式保持所述导线，其中，L2＜L1，
在所述被保持的导线上的各安装部安装多个所述发光二极管，
然后将所述发光二极管密封，
该发光装置的制造方法的特征在于，
以使所述相邻的安装部间的直线距离成为L3的方式解除安装有多个所述发光二极管的导线的保持，其中，L2＜L3≤L1。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
将所述发光二极管密封的工序在解除所述导线的保持的工序之前进行。
3.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在将多个所述发光二极管密封之后，将所述相邻的安装部间的直线距离调整为L3＜L1。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
使所述导线与多个棒构件交叉而使所述直线距离成为L2。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
使所述导线与交替配置的多个棒构件和多个凸部交叉而使所述直线距离成为L2。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在棒构件上卷绕所述导线而使所述直线距离成为L2。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在棒构件上卷绕所述导线之后将所述棒构件沿着长度方向切断而使所述直线距离成为L2。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
利用透光性的密封构件对安装于所述导线上的多个发光二极管进行密封。
9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述密封构件含有荧光体。
10.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
利用含有荧光体的第一密封构件分别独立地对多个发光二极管进行密封之后，利用第二密封构件分别独立地对各个所述第一密封构件进行密封。
11.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
利用含有荧光体的第一密封构件分别独立地对多个发光二极管进行密封之后，利用一个第二密封构件一并对多个第一密封构件进行密封。
12.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
将所述导线粘贴于基体上，对粘贴于该基体上的导线进行所述保持。
13.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述导线是金属线的周围被绝缘构件覆盖而成的带覆层导线。
14.根据权利要求13所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述安装部通过去掉所述带覆层导线的覆层而形成。
15.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述安装部被平坦化。
16.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述发光元件倒装安装于所述安装部上。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10680383B2 (en) 2013-03-14 2020-06-09 Apex Technologies, Inc. Linear electrode systems for module attachment with non-uniform axial spacing
US9989223B1 (en) * 2015-03-09 2018-06-05 Automated Assembly Corporation LED lighting apparatus with LEDs and wires attached to metal sheet member by adhesive
DE102017108580A1 (de) 2017-04-21 2018-10-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil und Gewebe

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1598903A (zh) * 2003-09-16 2005-03-23 富士胶片株式会社 发光器件及其制造方法
TW200831818A (en) * 2007-01-25 2008-08-01 nai-cheng Cai Manufacturing method of an LED lamp string
CN102386308A (zh) * 2010-08-25 2012-03-21 夏普株式会社 发光装置和发光装置的制造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144860U (ja) * 1984-08-28 1986-03-25 タキロン株式会社 折曲可能な発光表示体
JPH03167296A (ja) 1989-11-28 1991-07-19 Yotsukaichi Gosei Kk ロジン系フラックスの洗浄剤
JPH0516400U (ja) 1991-08-26 1993-03-02 株式会社ブルーライン社 装飾用長尺点滅装置
JP3246927B2 (ja) * 1991-09-17 2002-01-15 電気化学工業株式会社 フレキシブルマトリックス回路基板及び表示板
JP2982553B2 (ja) 1993-04-12 1999-11-22 日亜化学工業株式会社 発光デバイスの製造方法
JPH10208514A (ja) 1997-01-23 1998-08-07 Koito Mfg Co Ltd 車輌用灯具およびその点灯回路の製造方法
JP2004200537A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Hiroshi Ninomiya 面発光板体
JP4735794B2 (ja) 2003-06-30 2011-07-27 信越半導体株式会社 発光モジュール
JP2005063995A (ja) 2003-08-08 2005-03-10 John Popovich 発光ダイオードストリップランプ
KR101412473B1 (ko) 2006-04-25 2014-06-30 코닌클리케 필립스 엔.브이. Ｌｅｄ 어레이 그리드, ｌｅｄ 어레이 그리드의 제조를 위한 방법 및 장치 및 ｌｅｄ 어레이 그리드에서 사용하기 위한 ｌｅｄ 구성부품
US7988332B2 (en) * 2006-09-12 2011-08-02 Huizhou Light Engine Ltd. Integrally formed single piece light emitting diode light wire
US7607815B2 (en) * 2006-11-27 2009-10-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Low profile and high efficiency lighting device for backlighting applications
JP5297592B2 (ja) * 2007-02-15 2013-09-25 矢崎総業株式会社 Ｌｅｄ発光装置
FI20070313A0 (fi) 2007-04-23 2007-04-23 Neule Apu Oy Valaistusjärjestely tekstiilirakenteen yhteydessä
JP2009028394A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Aruze Corp 遊技機
JP5428836B2 (ja) * 2009-12-22 2014-02-26 カシオ計算機株式会社 可撓性回路基板及び発光装置
JP5439659B2 (ja) * 2010-02-07 2014-03-12 康尚 三宅 チャンネル文字用のｌｅｄ光源
TWM388857U (en) 2010-02-12 2010-09-21 ming-xiang Ye Light-emitting component having battery
WO2011136302A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 三菱化学株式会社 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置
US8210716B2 (en) 2010-08-27 2012-07-03 Quarkstar Llc Solid state bidirectional light sheet for general illumination
JP2012059736A (ja) * 2010-09-03 2012-03-22 Panasonic Corp 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1598903A (zh) * 2003-09-16 2005-03-23 富士胶片株式会社 发光器件及其制造方法
TW200831818A (en) * 2007-01-25 2008-08-01 nai-cheng Cai Manufacturing method of an LED lamp string
CN102386308A (zh) * 2010-08-25 2012-03-21 夏普株式会社 发光装置和发光装置的制造方法

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