CN103545320A - 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 - Google Patents

显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103545320A
CN103545320A CN201310557263.8A CN201310557263A CN103545320A CN 103545320 A CN103545320 A CN 103545320A CN 201310557263 A CN201310557263 A CN 201310557263A CN 103545320 A CN103545320 A CN 103545320A
Authority
CN
China
Prior art keywords
absorption unit
stress absorption
display base
via hole
base plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310557263.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103545320B (zh
Inventor
程鸿飞
张玉欣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201310557263.8A priority Critical patent/CN103545320B/zh
Publication of CN103545320A publication Critical patent/CN103545320A/zh
Priority to US15/024,375 priority patent/US9786727B2/en
Priority to EP14860820.1A priority patent/EP3070745B1/en
Priority to PCT/CN2014/078270 priority patent/WO2015067033A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103545320B publication Critical patent/CN103545320B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板弯曲时薄膜晶体管发生损毁导致显示基板可靠性差的问题。本发明的显示基板,通过在显示基板上引入由树脂材料制备的应力吸收单元,使显示基板在弯曲过程中产生的应力通过透明树脂材料释放掉,显示基板上的各种薄膜晶体管不易发生损坏,从而增强了整个显示基板的可靠性。

Description

显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置。
背景技术
柔性显示装置具有诸多优点,例如耐冲击、抗震能力强、重量轻、体积小,携带更加方便等特点。目前主要的柔性显示材料大致可分为三种:电子纸(或柔性电泳显示)、柔性有机发光二极管(OLED)和柔性液晶等。
柔性显示装置包括显示基板,显示基板包括柔性基板和位于柔性基板上的结构,其中柔性基板为聚酰亚胺(PI)基板,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板等;柔性基板上的结构包括各种薄膜晶体管和绝缘层,该绝缘层用于保护薄膜晶体管,防止在显示基板在弯折时发生损坏。现有技术中的柔性显示装置的阵列基板通常要用到绝缘层,例如,栅极绝缘层、层间绝缘层、钝化层。上述的绝缘层通常由SiNx或SiOx物质制作,导致上述的绝缘层韧性较差,柔性显示装置在弯曲时易造成绝缘层的断裂,使柔性显示装置的显示基板上的各种薄膜晶体管容易发生损坏。例如,作为薄膜晶体管的薄膜晶体管(TFT)结构由于弯折时应力的聚集,可能导致绝缘层的断裂,势必会对TFT性能产生影响,从而影响柔性显示装置的可靠性,对显示质量造成不良影响。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术中显示基板弯曲时薄膜晶体管发生损毁导致显示基板可靠性差的问题,提供一种可靠性强的显示基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,包括:基板和设置在该基板上的薄膜晶体管,其特征在于,还包括设置在薄膜晶体管周围的应力吸收单元;所述的应力吸收单元包括至少位于薄膜晶体管上方的水平部分,以及位于薄膜晶体管侧面外的垂直部分。
优选的是,所述应力吸收单元的水平部分与所述应力吸收单元的垂直部分连通;所述应力单元的垂直部分与所述基板接触。
优选的是,所述的基板上设置有多个绝缘层;所述绝缘层中的一层或多层设置有过孔;所述的应力吸收单元的垂直部分设置于所述的过孔中。
优选的是,所述的应力吸收单元的水平部分设置在所述绝缘层中的设置有过孔的所述一层的凹槽中或设置有过孔的所述多层中的最上面的绝缘层的凹槽中。
优选的是,所述的应力吸收单元的水平部分设置在所述绝缘层中的设置有过孔的所述一层的上方或设置有过孔的所述多层中的最上面的绝缘层的上方。
优选的是,不同的所述薄膜晶体管周围的所述的应力吸收单元的水平部分连成一体。
优选的是,所述的多个绝缘层为所述的基板上依次设置的栅极绝缘层、层间绝缘层、第一钝化层;
在所述的栅极绝缘层、层间绝缘层、第一钝化层中设置有过孔;
所述的应力吸收单元的垂直部分设置于所述的过孔中。
优选的是,所述的应力吸收单元的水平部分设置在所述的第一钝化层的凹槽中,或者设置在第一钝化层的上方。
优选的是,不同的所述薄膜晶体管周围的所述的应力吸收单元的水平部分连成一体。
优选的是,所述的多个绝缘层为所述的基板上依次设置的栅极绝缘层、层间绝缘层、第一钝化层、平坦层;
在所述的栅极绝缘层、层间绝缘层、第一钝化层、平坦层中设置有过孔;
所述的应力吸收单元的垂直部分设置于所述的过孔中。
优选的是,所述的应力吸收单元的水平部分设置在所述的平坦层的凹槽中,或者设置在平坦层的上方。
优选的是,不同的所述薄膜晶体管周围的所述的应力吸收单元的水平部分连成一体.
优选的是,还包括:与薄膜晶体管的漏极电性连接的阳极,所述的阳极上方依次设置有发光层、阴极;所述的阳极、发光层、阴极重叠区域形成发光区域;所述的薄膜晶体管上方设有像素界定层,所述的像素界定层为应力吸收单元的水平部分。
优选的是,所述的应力吸收单元的材料为树脂材料。
优选的是,所述的树脂材料为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂。
本发明的另一个目的是提供一种柔性显示装置,所述的柔性显示装置包括上述的显示基板。
本发明提供的显示基板,通过在显示基板上引入由树脂材料制备的应力吸收单元,使显示基板在弯曲过程中产生的应力通过透明树脂材料释放掉,显示基板上的各种薄膜晶体管不易发生损坏,从而增强了整个显示基板的可靠性。
上述的显示基板具有较高的可靠性,从而增强了整个柔性显示装置的可靠性。
附图说明
图1为实施例1中应力吸收单元的水平部分设置于第一钝化层的凹槽内、垂直部分位于TFT两侧面外的截面示意图。
图2为实施例1中应力吸收单元的水平部分设置于第一钝化层的凹槽中、垂直部分位于TFT一侧面外的截面示意图。
图3为实施例1中应力吸收单元的水平部分设置于第一钝化层之上、且不同薄膜晶体管周围的应力吸收单元的水平部分连成一体;垂直部分位于TFT一侧面外的截面示意图。
图4为实施例1中应力吸收单元的水平部分设置于第一钝化层之上、且不同薄膜晶体管周围的应力吸收单元的水平部分连成一体;垂直部分位于TFT两侧面外对应位置的截面示意图。
图5为实施例1中应力吸收单元的水平部分位于平坦层之上,且不同薄膜晶体管周围的应力吸收单元的水平部分连成一体、垂直部分位于TFT两侧面外的截面示意图。
图6为实施例1中应力吸收单元的水平部分为像素界定层、垂直部分位于TFT一侧面外的截面示意图。
其中:
1.基板;2.栅极绝缘层;3.层间绝缘层;4.第一钝化层;5.栅极;6漏极;7.有源层;8.源极;9.应力吸收单元;91.应力吸收单元的垂直部分;92.应力吸收单元的水平部分;10.阳极;11.发光层;12.阴极;13.第二钝化层;14.薄膜层;15.像素界定层;16.发光区域;17.平坦层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1
如图1-6所示,本实施例提供一种显示基板,包括:基板1和设置在该基板1上的薄膜晶体管,包括设置在薄膜晶体管周围的应力吸收单元9;所述的应力吸收单元9包括位于薄膜晶体管上方的水平部分92和位于薄膜晶体管侧面外的垂直部分91。
所述的应力吸收单元9采用树脂材料制备,所述的树脂材料为丙烯酸树脂,也可以聚酰亚胺树脂等其它具有弹性形变能力的树脂。当基板1发生弯折时,应力吸收单元9发生弹性形变吸收基板1发生变形的聚集的应力,从而保护TFT等类似的薄膜晶体管发生损坏,保证了器件的可靠性。
所述的基板1可以是聚酰亚胺(PI)基板或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板,即具有一定挠性的基板。
所述应力吸收单元9的水平部分92与所述应力吸收单元9的垂直部分91连通;所述应力单元的垂直部分91与所述基板1接触。
本实施例所述的TFT采用顶栅结构,其包括源极8、漏极6、有源层7、栅极5等,当然,所述的TFT也可以采用底栅结构。
本实施例的显示基板可以为有机发光二极管显示基板、液晶显示基板、电子纸显示基板等。
本实施例的显示基板还包括:与TFT的漏极6电性连接的阳极10,所述的阳极10上方依次设有发光层11、阴极12;所述的阳极10、发光层11、阴极12重叠区域形成发光区域16。还可以在上述的阴极12上依次设有第二钝化层13和薄膜层14。
本实施例采用有机发光二极管的阳极与所述TFT的漏极电性连接;当然,还可以采用有机发光二极管的阴极与所述TFT的漏极电性连接,这种结构的有机发光二极管为倒置型有机发光二极管。
基板1上设置有多个绝缘层,例如,依次设有栅极绝缘层2、层间绝缘层3、第一钝化层4;所述绝缘层中的一层或多层设置有过孔;所述的应力吸收单元9的垂直部分91设置于所述的过孔中。例如,在栅极绝缘层2、层间绝缘层3、第一钝化层4中设有过孔;应力吸收单元9的垂直部分91设置于所述的过孔中。
上述的多个个绝缘层一般采用SiNx或SiOx材料制作,但形成的绝缘层的韧性较差。多个绝缘层的具体结构在不同类型的显示基板中可能不同,也可能多于或少于三层。
其中,应力吸收单元9的水平部分92设置在所述绝缘层中的设置有过孔的所述一层的凹槽中或设置有过孔的所述多层中的最上面的绝缘层的凹槽中。如图1和图2所示,应力吸收单元9包括位于TFT上方的水平部分92和位于TFT两侧面外的垂直部分91。其中,水平部分92设置于第一钝化层4的凹槽中。也就是说,制作时,对第一钝化层4进行刻蚀处理形成容纳水平部分92的凹槽,然后在该凹槽内制备一层树脂材料,形成应力吸收单元9的水平部分92,并在过孔中形成应力吸收单元9的垂直部分91;上述的过孔和凹槽是连通的。水平部分92也可以设置在其它绝缘层的凹槽中,例如,水平部分92也可以设置在栅绝缘层2或/和层间绝缘层3的凹槽中。不同薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92可以连成一体,例如,两个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,五个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,八个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,在此不一一列举。当然,不同薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92可以互不相连。
应当理解,水平部分92也可以设置在上述绝缘层中的设置有过孔的所述一层的上方或设置有过孔的所述多层中的最上面的绝缘层的上方。如图3和4所示,应力吸收单元9的水平部分92设置在第一钝化层4的上方。制作时,在第一钝化层4上制备一层树脂材料,形成应力吸收单元9的水平部分92,并在过孔中形成应力吸收单元的垂直部分91;其中,不同薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92可以连成一体,例如,两个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,五个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,八个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,在此不一一列举。当然,不同薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92可以互不相连。
显示基板还可以包括平坦层17,如图5所示,栅绝缘层2、层间绝缘层3、第一钝化层4、平坦层17依此设置于基板1上。在栅极绝缘层2、层间绝缘层3、第一钝化层4、平坦层17中设置有过孔;所述的应力吸收单元9的垂直部分91设置于所述的过孔中。所述的应力吸收单元的水平部分92设置设置在平坦层17的上方。制作时,在平坦层17上制备一层树脂材料,形成应力吸收单元9的水平部分92,并在过孔中形成应力吸收单元的垂直部分91;不同的所述的薄膜晶体管周围的所述的应力吸收单元的水平部分92可以连成一体。例如,两个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,五个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,八个薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92连成一体,在此不一一列举。当然,不同薄膜晶体管周围的应力吸收单元9的水平部分92可以互不相连。
应当理解的是,也可以将应力吸收单元9的水平部分92设置于平坦层17的凹槽中;制作时,对平坦层17进行刻蚀处理形成容纳水平部分92的凹槽,然后在该凹槽内制备一层树脂材料,形成应力吸收单元9的水平部分92,并在过孔中形成应力吸收单元9的垂直部分91;上述的过孔和凹槽是连通的。
如图6所示,本实施例的显示基板还包括像素界定层15,像素界定层15位于所述薄膜晶体管的上方,所述的像素界定层15为应力吸收单元的水平部分92,而应力吸收单元9的垂直部分91则可以设置在TFT侧面外。像素界定层15采用树脂材料制备。
本发明的实施例中,垂直部分91可以设置在TFT两侧面外,如图1所示;垂直部分91也可以设置在TFT一侧面外,如图2所示。事实上,垂直部分91设置TFT的周侧的至少一侧面外都能实现发明的目的。过孔的横截面形状可以为长方形、圆形、椭圆形、多边形中的任意一种。
所述的应力吸收单元9采用树脂材料制备,所述的树脂材料为丙烯酸树脂,优选的,也可以选聚酰亚胺树脂等其它具有弹性形变能力的树脂。当基板1发生弯折时,应力吸收单元9发生弹性形变吸收基板1发生变形的聚集的应力,从而保护TFT等类似的薄膜晶体管发生损坏,保证了器件的可靠性。
图1和图2所示的上述的显示基板采用下述的方法制备:
1.在基板1上制备有源层7、栅极绝缘层2、栅极5、层间绝缘层3、源极8、漏极6、第一钝化层4。上述的各层的制备方法和TFT的制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
在TFT周侧的至少一侧通过构图工艺刻蚀掉第一钝化层4、层间绝缘层3、栅极绝缘层2形成过孔,过孔的横截面形状可以为长方形、圆形、椭圆形、多边形中的任意一种。
将第一钝化层4通过构图工艺刻蚀形成容纳应力吸收单元9的水平部分92的凹槽。
上述的过孔和凹槽是连通的,在凹槽内制备一层树脂材料,在凹槽内形成应力吸收单元9的水平部分92,在过孔内形成应力吸收单元的垂直部分91。上述的在凹槽内制备一层树脂材料,可以是使用喷墨打印方式在凹槽内形成一层树脂材料层;也可以是在第一钝化层上涂覆一层感光树脂材料,对感光树脂材料进行曝光、显影,去除非凹槽处的感光树脂,在凹槽内形成一层感光树脂材料。
2.在漏极6之上的第一钝化层4和应力吸收单元9的水平部分92上开设过孔,并通过构图工艺制备阳极10,阳极10通过所述过孔于漏极6电性连结。过孔和阳极10制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
3.制备像素界定层15、有机发光层11(EL)和阴极12,各层的制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
4.在阴极12上面制备第二钝化层13,在第二钝化层13上涂覆薄膜层14,并通过薄膜封装方法封装整个显示基板。
当然,也可以在第二钝化层13上涂覆粘结胶,并通过粘结胶粘附第二基板进行显示基板的封装。
图3和图4所示的上述的显示基板采用下述的方法制备:
1.在基板1上制备有源层7、栅极绝缘层2、栅极5、层间绝缘层3、源极8、漏极6、第一钝化层4。上述的各层的制备方法和TFT的制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
在TFT周侧的至少一侧通过构图工艺刻蚀掉第一钝化层4、层间绝缘层3、栅极绝缘层2形成过孔,过孔的横截面形状可以为长方形、圆形、椭圆形、多边形中的任意一种。
在第一钝化层4上制备一层树脂材料,在第一钝化层4上形成应力吸收单元9的水平部分92,在过孔内形成应力吸收单元的垂直部分91。例如,在第一钝化层4上使用丝网印刷、旋涂等方式制备一层树脂材料。
2.在漏极6之上的第一钝化层4和应力吸收单元9的水平部分92上开设过孔,并通过构图工艺制备阳极10,阳极10通过所述过孔于漏极6电性连结。过孔和阳极10制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
3.制备像素界定层15、有机发光层11(EL)和阴极12,各层的制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
4.在阴极12上面制备第二钝化层13,在第二钝化层13上涂覆薄膜层14,并通过薄膜封装方法封装整个显示基板。
当然,也可以在第二钝化层13上涂覆粘结胶,并通过粘结胶粘附第二基板进行显示基板的封装。
图5所示的上述的显示基板采用下述的方法制备:
1.在基板1上制备有源层7、栅极绝缘层2、栅极5、层间绝缘层3、源极8、漏极6、第一钝化层4、平坦层17。上述的各层的制备方法和TFT的制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
在TFT周侧的至少一侧通过构图工艺刻蚀掉平坦层17、第一钝化层4、层间绝缘层3、栅极绝缘层2形成过孔,过孔的横截面形状可以为长方形、圆形、椭圆形、多边形中的任意一种。
在平坦层17上制备一层树脂材料,在平坦层17上形成应力吸收单元9的水平部分92,在过孔内形成应力吸收单元的垂直部分91。例如,在平坦层17上使用丝网印刷、旋涂等方式制备一层树脂材料。
2.在漏极6之上的第一钝化层4、平坦层17和应力吸收单元9的水平部分92上开设过孔,并通过构图工艺制备阳极10,阳极10通过所述过孔于漏极6电性连结。过孔和阳极10制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
3.制备像素界定层15、有机发光层11(EL)和阴极12,各层的制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
4.在阴极12上面制备第二钝化层13,在第二钝化层13上涂覆薄膜层14,并通过薄膜封装方法封装整个显示基板。
当然,也可以在第二钝化层13上涂覆粘结胶,并通过粘结胶粘附第二基板进行显示基板的封装。
图6所示的上述的显示基板采用下述的方法制备:
1.在基板1上制备有源层7、栅极绝缘层2、栅极5、层间绝缘层3、源极8、漏极6、第一钝化层4、平坦层17。上述的各层的制备方法和TFT的制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
2.在漏极6之上的第一钝化层4上开设过孔,并通过构图工艺制备阳极10,阳极10通过所述过孔于漏极6电性连结。过孔和阳极10制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
3.在TFT周侧的至少一侧通过构图工艺刻蚀掉第一钝化层4、层间绝缘层3、栅极绝缘层2形成过孔,过孔的横截面形状可以为长方形、圆形、椭圆形、多边形中的任意一种。
在第一钝化层4和阳极10上用树脂材料制备像素界定层15,像素界定层15为应力吸收单元9的水平部分92,并在所述过孔中形成应力吸收单元的垂直部分91。上述的用树脂材料制备像素界定层15,可以是涂覆感光树脂材料,进行曝光、显影,形成像素界定层15。
制备有机发光层11(EL)和阴极12,各层的制备方法为现有技术范畴,在此不再一一赘述。
4.在阴极12上面制备第二钝化层13,在第二钝化层13上涂覆薄膜层14,并通过薄膜封装方法封装整个显示基板。
当然,也可以在第二钝化层13上涂覆粘结胶,并通过粘结胶粘附第二基板进行显示基板的封装。
实施例2
本实施例提供一种柔性显示装置,所述的柔性显示装置包括上述的显示基板,优选地,所述柔性显示装置为柔性有机发光二极管显示装置。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种显示基板,包括:基板和设置在该基板上的薄膜晶体管,其特征在于,还包括设置在薄膜晶体管周围的应力吸收单元;所述的应力吸收单元包括至少位于薄膜晶体管上方的水平部分,以及位于薄膜晶体管侧面外的垂直部分。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述应力吸收单元的水平部分与所述应力吸收单元的垂直部分连通;所述应力单元的垂直部分与所述基板接触。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述的基板上设置有多个绝缘层;所述绝缘层中的一层或多层设置有过孔;所述的应力吸收单元的垂直部分设置于所述的过孔中。
4.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述的应力吸收单元的水平部分设置在所述绝缘层中的设置有过孔的所述一层的凹槽中或设置有过孔的所述多层中的最上面的绝缘层的凹槽中。
5.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述的应力吸收单元的水平部分设置在所述绝缘层中的设置有过孔的所述一层的上方或设置有过孔的所述多层中的最上面的绝缘层的上方。
6.如权利要求4或5所述的显示基板,其特征在于,不同的所述的薄膜晶体管周围的所述的应力吸收单元的水平部分连成一体。
7.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述的多个绝缘层为所述的基板上依次设置的栅极绝缘层、层间绝缘层、第一钝化层;
在所述的栅极绝缘层、层间绝缘层、第一钝化层中设置有过孔;
所述的应力吸收单元的垂直部分设置于所述的过孔中。
8.如权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述的应力吸收单元的水平部分设置在所述的第一钝化层的凹槽中,或者设置在第一钝化层的上方。
9.如权利要求8所述的显示基板,其特征在于,不同的所述的薄膜晶体管周围的所述的应力吸收单元的水平部分连成一体。
10.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述的多个绝缘层为所述的基板上依次设置的栅极绝缘层、层间绝缘层、第一钝化层、平坦层;
在所述的栅极绝缘层、层间绝缘层、第一钝化层、平坦层中设置有过孔;
所述的应力吸收单元的垂直部分设置于所述的过孔中。
11.如权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述的应力吸收单元的水平部分设置在所述的平坦层的凹槽中,或者设置在平坦层的上方。
12.如权利要求11所述的显示基板,其特征在于,不同的所述的薄膜晶体管周围的所述的应力吸收单元的水平部分连成一体。
13.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:与薄膜晶体管的漏极电性连接的阳极,所述的阳极上方依次设置有发光层、阴极;所述的阳极、发光层、阴极重叠区域形成发光区域;所述的薄膜晶体管上方设有像素界定层,所述的像素界定层为应力吸收单元的水平部分。
14.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述的应力吸收单元的材料为树脂材料。
15.如权利要求14所述的显示基板,其特征在于,所述的树脂材料为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂。
16.一种柔性显示装置,其特征在于,所述的柔性显示装置包括:如权利要求1-15任一所述的显示基板。
CN201310557263.8A 2013-11-11 2013-11-11 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 Active CN103545320B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310557263.8A CN103545320B (zh) 2013-11-11 2013-11-11 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
US15/024,375 US9786727B2 (en) 2013-11-11 2014-05-23 Display substrate and manufacturing method thereof, and flexible display device
EP14860820.1A EP3070745B1 (en) 2013-11-11 2014-05-23 Display substrate and manufacturing method therefor, and flexible display device
PCT/CN2014/078270 WO2015067033A1 (zh) 2013-11-11 2014-05-23 显示基板及其制造方法和柔性显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310557263.8A CN103545320B (zh) 2013-11-11 2013-11-11 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103545320A true CN103545320A (zh) 2014-01-29
CN103545320B CN103545320B (zh) 2015-11-25

Family

ID=49968621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310557263.8A Active CN103545320B (zh) 2013-11-11 2013-11-11 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9786727B2 (zh)
EP (1) EP3070745B1 (zh)
CN (1) CN103545320B (zh)
WO (1) WO2015067033A1 (zh)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887261A (zh) * 2014-03-03 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器及其制备方法
WO2015067033A1 (zh) * 2013-11-11 2015-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和柔性显示装置
CN104795403A (zh) * 2015-04-16 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
CN105027581A (zh) * 2014-02-27 2015-11-04 京瓷株式会社 压电致动器及具备其的压电振动装置、便携式终端、声音发生器、声音发生装置、电子设备
WO2016000329A1 (zh) * 2014-06-30 2016-01-07 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板、柔性显示面板和柔性显示装置
CN106129096A (zh) * 2016-08-29 2016-11-16 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性背板及其制作方法、柔性显示装置
CN106158918A (zh) * 2016-09-30 2016-11-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示器及其制备方法
CN106571374A (zh) * 2016-07-27 2017-04-19 友达光电股份有限公司 像素结构及显示面板
CN106876341A (zh) * 2015-12-10 2017-06-20 财团法人工业技术研究院 半导体元件
CN107086232A (zh) * 2016-02-15 2017-08-22 株式会社日本显示器 显示装置
CN107134496A (zh) * 2016-02-29 2017-09-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置
WO2018014371A1 (zh) * 2016-07-20 2018-01-25 武汉华星光电技术有限公司 柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示装置
CN108110012A (zh) * 2017-11-09 2018-06-01 友达光电股份有限公司 可挠性电子装置
CN108122927A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置
CN108847134A (zh) * 2018-06-13 2018-11-20 云谷(固安)科技有限公司 一种可拉伸显示屏装置及其制造方法
CN109103224A (zh) * 2018-08-20 2018-12-28 云谷(固安)科技有限公司 Tft基板和显示面板
CN109192740A (zh) * 2018-09-21 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN109378327A (zh) * 2018-09-26 2019-02-22 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109523914A (zh) * 2017-09-19 2019-03-26 深圳天珑无线科技有限公司 一种柔性屏的保护装置、显示面板及电子装置
CN110033700A (zh) * 2018-01-12 2019-07-19 三星显示有限公司 显示设备和柔性电路板
CN110112191A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及其制造方法
WO2019161680A1 (zh) * 2018-02-24 2019-08-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109427818B (zh) * 2017-08-31 2019-11-01 昆山国显光电有限公司 一种可折叠阵列基板和显示装置
WO2020077718A1 (zh) * 2018-10-18 2020-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示模组
CN111627324A (zh) * 2019-02-27 2020-09-04 上海和辉光电有限公司 一种柔性显示装置及其制备方法
WO2020232801A1 (zh) * 2019-05-17 2020-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106997883B (zh) * 2017-04-19 2020-01-17 上海天马微电子有限公司 阵列基板及显示面板
KR102430705B1 (ko) * 2017-10-30 2022-08-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102577043B1 (ko) * 2017-12-11 2023-09-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102512725B1 (ko) * 2018-02-28 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11387303B2 (en) * 2020-04-27 2022-07-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN112366209B (zh) * 2020-11-10 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN114141828B (zh) * 2021-11-17 2024-02-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1372325A (zh) * 2001-02-19 2002-10-02 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
CN1527115A (zh) * 2002-12-31 2004-09-08 ���ǵ�����ʽ���� 薄膜晶体管及其电子器件和制造方法
US20060076887A1 (en) * 2004-10-11 2006-04-13 Tae-Wook Kang OLED encapsulation structure and method of fabricating the same
CN101199049A (zh) * 2005-06-28 2008-06-11 英特尔公司 具有应力缓冲圈的贯穿硅的过孔的形成方法及所得器件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4791248A (en) 1987-01-22 1988-12-13 The Boeing Company Printed wire circuit board and its method of manufacture
JP2003255857A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機elディスプレイ
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US8288773B2 (en) * 2004-08-23 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip and manufacturing method thereof
JP4746931B2 (ja) * 2005-07-22 2011-08-10 株式会社日立製作所 フラットディスプレイパネルモジュール及びフラットディスプレイ装置
KR101363835B1 (ko) * 2007-02-05 2014-02-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
JP5408842B2 (ja) 2007-04-27 2014-02-05 キヤノン株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4708399B2 (ja) * 2007-06-21 2011-06-22 新光電気工業株式会社 電子装置の製造方法及び電子装置
KR20150046963A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
CN103545320B (zh) * 2013-11-11 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1372325A (zh) * 2001-02-19 2002-10-02 株式会社半导体能源研究所 发光器件及其制造方法
CN1527115A (zh) * 2002-12-31 2004-09-08 ���ǵ�����ʽ���� 薄膜晶体管及其电子器件和制造方法
US20060076887A1 (en) * 2004-10-11 2006-04-13 Tae-Wook Kang OLED encapsulation structure and method of fabricating the same
CN101199049A (zh) * 2005-06-28 2008-06-11 英特尔公司 具有应力缓冲圈的贯穿硅的过孔的形成方法及所得器件

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015067033A1 (zh) * 2013-11-11 2015-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和柔性显示装置
US9786727B2 (en) 2013-11-11 2017-10-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, and flexible display device
CN105027581B (zh) * 2014-02-27 2018-01-05 京瓷株式会社 压电致动器及具备其的压电振动装置、便携式终端、声音发生器、声音发生装置、电子设备
CN105027581A (zh) * 2014-02-27 2015-11-04 京瓷株式会社 压电致动器及具备其的压电振动装置、便携式终端、声音发生器、声音发生装置、电子设备
CN103887261A (zh) * 2014-03-03 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器及其制备方法
CN103887261B (zh) * 2014-03-03 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器及其制备方法
WO2016000329A1 (zh) * 2014-06-30 2016-01-07 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板、柔性显示面板和柔性显示装置
CN104112742B (zh) * 2014-06-30 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板、柔性显示面板和柔性显示装置
US9685459B2 (en) 2014-06-30 2017-06-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible substrate, flexible display panel and flexible display device
EP3163617A4 (en) * 2014-06-30 2018-03-14 Boe Technology Group Co. Ltd. Flexible substrate, flexible display panel and flexible display device
WO2016165249A1 (zh) * 2015-04-16 2016-10-20 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板及其制作方法、显示装置
US20170069701A1 (en) * 2015-04-16 2017-03-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible substrate, method for manufacturing flexible substrate, and display device
US10573704B2 (en) 2015-04-16 2020-02-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible substrate with via hole formed in insulation layer, method for manufacturing flexible substrate, and display device
CN104795403A (zh) * 2015-04-16 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
CN106876341B (zh) * 2015-12-10 2020-06-05 财团法人工业技术研究院 半导体元件
CN106876341A (zh) * 2015-12-10 2017-06-20 财团法人工业技术研究院 半导体元件
CN107086232A (zh) * 2016-02-15 2017-08-22 株式会社日本显示器 显示装置
CN107086232B (zh) * 2016-02-15 2020-09-11 株式会社日本显示器 显示装置
CN107134496B (zh) * 2016-02-29 2019-05-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置
CN107134496A (zh) * 2016-02-29 2017-09-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置
US10424667B2 (en) 2016-02-29 2019-09-24 Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Thin film transistor with a protective layer, and manufacturing method therefor, display panel and display apparatus
WO2018014371A1 (zh) * 2016-07-20 2018-01-25 武汉华星光电技术有限公司 柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示装置
CN106571374A (zh) * 2016-07-27 2017-04-19 友达光电股份有限公司 像素结构及显示面板
CN106129096A (zh) * 2016-08-29 2016-11-16 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性背板及其制作方法、柔性显示装置
CN106129096B (zh) * 2016-08-29 2019-08-20 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性背板及其制作方法、柔性显示装置
CN106158918B (zh) * 2016-09-30 2019-06-11 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示器及其制备方法
CN106158918A (zh) * 2016-09-30 2016-11-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示器及其制备方法
CN108122927A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置
US11121332B2 (en) 2017-08-31 2021-09-14 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Foldable array substrate, preparation method thereof and display device
CN109427818B (zh) * 2017-08-31 2019-11-01 昆山国显光电有限公司 一种可折叠阵列基板和显示装置
CN109523914A (zh) * 2017-09-19 2019-03-26 深圳天珑无线科技有限公司 一种柔性屏的保护装置、显示面板及电子装置
CN109523914B (zh) * 2017-09-19 2021-10-15 深圳天珑无线科技有限公司 一种柔性屏的保护装置、显示面板及电子装置
CN108110012B (zh) * 2017-11-09 2020-06-05 友达光电股份有限公司 可挠性电子装置
CN108110012A (zh) * 2017-11-09 2018-06-01 友达光电股份有限公司 可挠性电子装置
CN110033700A (zh) * 2018-01-12 2019-07-19 三星显示有限公司 显示设备和柔性电路板
WO2019161680A1 (zh) * 2018-02-24 2019-08-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11164920B2 (en) 2018-02-24 2021-11-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing same, and display device
CN108847134A (zh) * 2018-06-13 2018-11-20 云谷(固安)科技有限公司 一种可拉伸显示屏装置及其制造方法
WO2020038018A1 (zh) * 2018-08-20 2020-02-27 云谷(固安)科技有限公司 Tft基板和显示面板
CN109103224A (zh) * 2018-08-20 2018-12-28 云谷(固安)科技有限公司 Tft基板和显示面板
CN109192740B (zh) * 2018-09-21 2021-07-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN109192740A (zh) * 2018-09-21 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN109378327A (zh) * 2018-09-26 2019-02-22 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2020077718A1 (zh) * 2018-10-18 2020-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示模组
CN111627324A (zh) * 2019-02-27 2020-09-04 上海和辉光电有限公司 一种柔性显示装置及其制备方法
CN111627324B (zh) * 2019-02-27 2022-06-10 上海和辉光电股份有限公司 一种柔性显示装置及其制备方法
CN110112191A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及其制造方法
WO2020232801A1 (zh) * 2019-05-17 2020-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP3070745A1 (en) 2016-09-21
US20160233280A1 (en) 2016-08-11
WO2015067033A1 (zh) 2015-05-14
EP3070745B1 (en) 2020-10-07
CN103545320B (zh) 2015-11-25
EP3070745A4 (en) 2017-05-03
US9786727B2 (en) 2017-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103545320B (zh) 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN103545321B (zh) 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN103426904B (zh) 一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法
CN103794628B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN104795403B (zh) 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
CN108281463B (zh) 柔性显示装置及其制造方法
KR102058233B1 (ko) 플렉서블 표시 장치
RU2671935C1 (ru) Матричная подложка и способ ее производства, гибкая панель отображения и устройство отображения
WO2019218551A1 (zh) Micro LED显示面板的制作方法
KR102417453B1 (ko) 유기발광 다이오드 표시장치
CN105789225B (zh) 阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN103779390B (zh) 一种柔性显示基板及其制备方法
KR102326122B1 (ko) 터치 패널 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
CN103811501A (zh) 柔性显示装置
CN103794631A (zh) 柔性有机电致发光装置及其制造方法
TW201532841A (zh) 顯示裝置
CN208045503U (zh) Oled显示面板
CN107785392A (zh) 显示装置
KR102100656B1 (ko) 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
JP2018506836A (ja) フレキシブル有機発光ディスプレイ及びその製造方法
KR20110007654A (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
KR20140032773A (ko) 폴더블 멀티 디스플레이 장치 및 제조 방법
KR102051122B1 (ko) 표시 장치
WO2019127203A1 (zh) 显示屏及其制作方法,以及显示设备
CN103681694A (zh) 一种柔性显示基板及柔性显示器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant