CN102738363B - 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法。反射树脂片是用于将反射树脂层设在发光二极管元件的侧方的反射树脂片，其包括第1离型基材及设在第1离型基材的厚度方向一侧的表面上的反射树脂层。在第1离型基材及反射树脂层中，贯穿厚度方向的贯穿孔以能够使反射树脂层中的贯穿孔的内周面与发光二极管元件的侧表面相对配置的方式与发光二极管元件相对应地形成。

Description

反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法，详细来说，涉及发光二极管装置的制造方法、用于该发光二极管装置的反射树脂片及利用发光二极管装置的制造方法获得的发光二极管装置。
背景技术
近年，作为能够发出高能量的光的发光装置，公知白色发光装置。在白色发光装置中例如设有二极管基板、层叠在该二极管基板上并发出蓝色光的LED(发光二极管)、能够将蓝色光变为黄色光并覆盖LED的荧光体层、用于密封LED的密封层。上述白色发光装置利用透过了密封层及荧光体层的蓝色光与在荧光体层中对一部分蓝色光进行波长变换而得到的黄色光的混色，发出高能量的白色光，该蓝色光是由被密封层密封且由二极管基板供给电的LED发出的。
作为制造上述白色发光装置的方法，例如，提出了下述方法(例如，参照日本特开2005-191420号公报)。
即，首先，形成由基板部和从该基板部的周部向上侧突出的白色的反射框部构成的基体，接下来，在基板部的中央处在由反射框部形成的凹部的底部上，以与反射框部的内侧隔有间隔的方式引线接合半导体发光元件。
接下来，利用涂敷在凹部中填充荧光体与液状的环氧树脂的混合物，接着，使荧光体自然沉降到凹部的底部，之后，使环氧树脂加热固化。
在利用日本特开2005-191420号公报提出的方法而获得的白色发光装置中，由沉降形成的以高浓度含有荧光体的荧光体层(波长改变层)形成在半导体发光元件的上侧区域，以高浓度含有环氧树脂的密封部形成在荧光体层的上侧区域。
而且，在该白色发光装置中，半导体发光元件呈放射状发出蓝色光，其中，从半导体发光元件朝向上方发出的蓝色光的一部分在荧光体层处被改变为黄色光，并且剩余部分的蓝色光透过荧光体层。此外，从半导体发光元件朝向侧方发出的蓝色光被反射框部反射，继续朝向上侧照射。于是，日本特开2005-191420号公报的白色发光装置利用上述蓝色光及黄色光的混色来发出白色光。
然而，在利用日本特开2005-191420号公报的制造方法获得的白色发光装置中，由于隔着间隔地配置半导体发光元件与反射框部，因此从半导体发光元件朝向侧方发出的光的一部分在被反射框部反射之前，被密封部吸收。其结果，存在降低光取出效率的不良情况。
发明内容
本发明的目的在于，提供能够提高光取出效率的发光二极管装置、该发光二极管装置的制造方法及用于该发光二极管装置的反射树脂片。
本发明的反射树脂片是用于将反射树脂层设在发光二极管元件的侧方的反射树脂片，其特征在于，该反射树脂片包括第1离型基材及设在上述第1离型基材的厚度方向一侧的表面上的上述反射树脂层，在上述第1离型基材及上述反射树脂层中，贯穿上述厚度方向的贯穿孔以能够使上述反射树脂层中的上述贯穿孔的内周面与上述发光二极管元件的侧表面相对配置的方式，与上述发光二极管元件相对应地形成。
在该反射树脂片中，贯穿孔以能够使反射树脂层中的贯穿孔的内周面与发光二极管元件的侧表面相对配置的方式与发光二极管元件相对应地形成。因此，能够以使反射树脂层中的贯穿孔的内周面与发光二极管元件的侧表面相对配置的方式将发光二极管元件配置到贯穿孔内，因此，能够使反射树脂层与发光二极管元件的侧表面可靠地紧密贴合。
因此，在获得的发光二极管装置中，自发光二极管元件发出的光在被其它构件吸收之前被反射树脂层反射。
其结果，能够提高光取出效率。
此外，本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，该发光二极管装置的制造方法包括：将反射树脂层设在第1离型基材的厚度方向一侧的表面上的工序；通过在上述第1离型基材及上述反射树脂层中以贯穿上述厚度方向的方式形成贯穿孔，从而准备上述反射树脂片的工序；以使上述反射树脂层与上述基材相接触的方式将上述反射树脂片层叠在基材的上述厚度方向一侧的表面上的工序；将发光二极管元件配置在上述基材的上述厚度方向一侧的表面上的工序；使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面紧密贴合的工序；自上述反射树脂层剥下上述第1离型基材的工序。
在该方法中，使反射树脂层与发光二极管元件的侧表面紧密贴合。
因此，在利用上述方法获得的发光二极管装置中，自发光二极管元件发出的光在被其它构件吸收之前，被反射树脂层反射。
其结果，能够提高光取出效率。
此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，在使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面紧密贴合的工序中，优选朝向上述基材按压上述第1离型基材。
在该方法中，由于朝向基材按压第1离型基材，因此在厚度方向上被夹在第1离型基材与基材之间的反射树脂层向侧方流动。因此，若使反射树脂层中的贯穿孔的内周面与发光二极管元件的侧表面相对配置，则能够使反射树脂层与发光二极管元件的侧表面可靠地紧密贴合。
此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，上述基材为二极管基板，在将上述发光二极管元件配置在上述基材的上述厚度方向一侧的表面上的工序中，优选将上述发光二极管元件配置在上述反射树脂片的上述贯穿孔内，将上述发光二极管元件倒装安装在上述基材上。
采用该方法，能够通过将形成有贯穿孔的反射树脂片精度优良地预先配置在作为基材的二极管基板上，之后，将发光二极管元件配置在反射树脂片的贯穿孔内，从而简单可靠地实施发光二极管元件相对于基材的精度优良的定位，并且将发光二极管元件倒装安装在基材上。
此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，上述基材为第2离型基材，优选该发光二极管装置的制造方法还包括：自上述反射树脂层及上述发光二极管元件剥下上述基材的工序；将上述发光二极管元件倒装安装在二极管基板上的工序。
在该方法中，由于将侧表面与反射树脂层紧密贴合并剥下了作为第2离型基材的基材的发光二极管元件倒装安装在二极管基板上，因此能够简单地制造发光二极管装置。
此外，本发明的发光二极管装置的特征在于，该发光二极管装置包括二极管基板、倒装安装在上述二极管基板上的发光二极管元件、与上述发光二极管元件的侧表面紧密贴合的反射树脂层。
在该发光二极管装置中，自发光二极管元件发出的光在被其它构件吸收之前，被反射树脂层反射。
其结果，能够提高光取出效率。
此外，优选本发明的发光二极管装置还包括荧光体层，该荧光体层形成在上述发光二极管元件的上述厚度方向一侧的表面上。
该发光二极管装置能够利用自发光二极管元件发出的光与利用荧光体层进行波长变换而得到的光的混色，发出高能量的白色。
附图说明
图1表示本发明的发光二极管装置的一实施方式的俯视图。
图2是用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式的制造工序图，
图2的(a)表示将反射树脂层设在第1离型基材的上表面上的工序，
图2的(b)表示在第1离型基材及反射树脂层中形成贯穿孔的工序，
图2的(c)表示将反射树脂片层叠在二极管基板的上表面上的工序，
图2的(d)表示将发光二极管元件配置在反射树脂片的贯穿孔内的工序。
图3是接着图2用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式的制造工序图，
图3的(e)表示朝向二极管基板按压第1离型基材的工序，
图3的(f)表示除去缓冲片并剥下第1离型基材的工序，
图3的(g)表示使发光二极管元件个体化的工序。
图4是用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(使用第2离型基材的方式)的制造工序图，
图4的(a)表示将反射树脂层设在第1离型基材的上表面上的工序，
图4的(b)表示在第1离型基材及反射树脂层中形成贯穿孔的工序，
图4的(c)表示将反射树脂片层叠在第2离型基材的上表面上的工序，
图4的(d)表示将发光二极管元件配置在反射树脂片的贯穿孔内的工序。
图5是接着图4用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(使用第2离型基材的方式)的制造工序图，
图5的(e)表示朝向二极管基板按压第1离型基材的工序，
图5的(f)表示除去缓冲片的工序，
图5的(g)表示使发光二极管元件个体化的工序，
图5的(h)表示将发光二极管元件倒装安装在二极管基板上的工序。
具体实施方式
图1是本发明的发光二极管装置的一实施方式的俯视图，图2及图3表示用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式的制造工序图。
在图1及图3的(f)中，该发光二极管装置1包括作为基材的二极管基板2、倒装安装在二极管基板2上的发光二极管元件3、层叠在发光二极管元件3的上表面(厚度方向一侧的表面)上的荧光体层5、设在发光二极管元件3及荧光体层5的侧方的反射树脂层4。
发光二极管装置1在面方向(具体来说为图1的箭头所示的纸面左右方向及纸面前后方向)上彼此隔着间隔地设有多个。详细来说，多个发光二极管装置1具有共用的二极管基板2，在一个二极管基板2之上设有多个发光二极管元件3、设在该发光二极管元件3的侧方的反射树脂层4及分别设在发光二极管元件3之上的多个荧光体层5，多个发光二极管装置1形成为集合体片24。
然后，通过如图1的单点划线及图3的(f)的单点划线所示地沿厚度方向对各发光二极管元件3之间的二极管基板2及反射树脂层4进行切割加工(dicing，见后述)，也能够如图3的(g)所示地获得作为个体化的各发光二极管装置1。
二极管基板2为大致矩形平板状，具体来说，由在绝缘基板之上层叠有作为电路图案的导体层的层叠板形成上述二极管基板2。绝缘基板例如由硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板等构成，优选由陶瓷基板构成，具体来说，由蓝宝石(Al2O3)基板构成。导体层例如由金、铜、银、镍等导体形成。上述导体能够单独使用或者并用。
此外，导体层含有端子6。
端子6在绝缘基板的上表面上在面方向上隔着间隔地形成，形成为与后述的电极部8相对应的图案。此外，虽未图示，端子6借助导体层与电供给部电连接。
二极管基板2的厚度例如为25μm～2000μm，优选为50μm～1000μm。
发光二极管元件3设在二极管基板2的上表面(厚度方向一侧的表面)上，形成为俯视大致矩形状。此外，发光二极管元件3在一个二极管基板2的上表面上在面方向(图1的箭头所示的左右方向及前后方向)上彼此隔着间隔地排列配置有多个。
如图3的(f)所示，发光二极管元件3包括光半导体层7和形成在该光半导体层7的下表面上的电极部8。
光半导体层7形成为与发光二极管元件3的外形形状相对应的俯视大致矩形状，形成为在面方向上较长的剖视大致矩形状。
虽未图示，光半导体层7例如包括在下侧依次层叠的缓冲层、N形半导体层、发光层及P形半导体层。光半导体层7是由公知的半导体材料形成的，利用外延生长法等公知的生长法形成。光半导体层7的厚度例如为0.1μm～500μm，优选为0.2μm～200μm。
电极部8与光半导体层7电连接，该电极部8在向厚度方向投影时被光半导体层7包含。此外，电极部8例如包括与P形半导体层相连接的阳电极(anode)和形成在N形半导体层上的阴电极(cathode)。
电极部8是由公知的导体材料形成的，其厚度例如为10nm～1000nm。
荧光体层5形成为与发光二极管元件3的外形形状相对应的俯视大致矩形状，该荧光体层5形成在发光二极管元件3的整个上表面上。
荧光体层5例如由含有荧光体的荧光体组合物等形成。
荧光体组合物例如含有荧光体及树脂。
作为荧光体，例如能够举出能够将蓝色光变换为黄色光的黄色荧光体。作为上述荧光体，例如举出在复合金属氧化物、金属硫化物等中例如掺杂有铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子的荧光体。
具体来说，作为荧光体，例如举出Y3Al5O12:Ce(YAG(钇铝石榴石):Ce)、(Y，Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si，Ge)3O12:Ce等具有石榴石型晶体构造的石榴石型荧光体，例如(Sr，Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体，例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体，例如ZnS:Cu，Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体，例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体，例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物荧光体，例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物类荧光体等。优选举出石榴石型荧光体，进一步优选举出Y3Al5O12:Ce(YAG)。
荧光体可单独使用或者两种以上并用。
荧光体组合物中的荧光体的调和比例例如为质量比1％～50％，优选为质量比5％～30％。此外，荧光体相对于100质量份树脂的调和比例例如为1质量份～100质量份，优选为5质量份～40质量份。
树脂是使荧光体分散的基质，例如举出有机硅树脂、环氧树脂、丙烯酸类树脂等透明树脂等。从耐久性的观点来说，优选举出有机硅树脂。
有机硅树脂在分子内主要具有由硅氧烷键(-Si-O-Si-)构成的主链和与主链的硅原子(Si)相结合的、由烷基(例如甲基等)或者烷氧基(例如甲氧基)等有机基构成的侧链。
具体来说，作为有机硅树脂，例如举出脱水缩合型有机硅树脂、附加反应型有机硅树脂、过氧化物固化型有机硅树脂、湿气固化型有机硅树脂、固化型有机硅树脂等。优选举出附加反应型有机硅树脂等。
有机硅树脂的25℃时的运动粘度例如为10mm2/s～30mm2/s。
树脂可单独使用或者两种以上并用。
树脂的调和比例是相对于荧光体组合物例如为质量比50％～99％，优选为质量比70％～95％。
荧光体组合物是通过以上述调和比例调和荧光体及树脂并进行搅拌混合来制备的。
此外，例如也能够由荧光体的陶瓷(荧光体陶瓷板)形成荧光体层5。在该情况下，通过使上述荧光体为陶瓷材料，并烧结该陶瓷材料，从而获得荧光体层5(荧光体陶瓷)
荧光体层5的厚度例如为100μm～1000μm，优选为200μm～700μm，进一步优选为300μm～500μm。
反射树脂层4形成在二极管基板2的上表面上，该反射树脂层4的周端缘在向厚度方向投影时与二极管基板2的周端缘处于同一位置。另外，反射树脂层4在向厚度方向投影时至少形成在欲形成发光二极管元件3(具体来说为电极部8)的区域以外的区域中。
也就是说，反射树脂层4以包围发光二极管元件3及荧光体层5的侧表面且覆盖自电极部8暴露出的光半导体层7的下表面的方式配置。
具体来说，如图1所示，反射树脂层4在各发光二极管元件3及各荧光体层5的左右方向两外侧及前后方向两外侧形成为大致矩形框状，通过使上述框部分在左右方向及前后方向的范围内连续地排列配置，从而在一个二极管基板2的上表面上形成为俯视大致网格状。
更具体来说，如图3的(f)所示，反射树脂层4与发光二极管元件3及荧光体层5的外侧面、具体来说与各发光二极管元件3及各荧光体层5的左侧面、右侧面、前侧面(参照图1)及后侧面(参照图1)的各表面紧密贴合。此外，反射树脂层4使荧光体层5的上表面暴露出。
此外，在光半导体层7的下侧形成与电极部8的厚度相对应的下部间隙12(参照图2的(d))，在该下部间隙12中也填充反射树脂层4，由此，反射树脂层4也与自电极部8暴露出的光半导体层7的下表面及电极部8的侧表面紧密贴合。
反射树脂层4的上表面形成为与荧光体层5的上表面在面方向上实质上共面。
上述反射树脂层4例如含有光反射成分，具体来说，反射树脂层4由含有树脂、光反射成分的反射树脂组合物形成。
作为树脂，例如举出热固化性有机硅树脂、环氧树脂、热固化性聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙基酯树脂、热固化性聚氨酯树脂等热固化性树脂，优选举出热固化性有机硅树脂、环氧树脂。
光反射成分例如为白色的化合物，作为上述白色的化合物，具体来说，能够举出白色颜料。
作为白色颜料，例如举出白色无机颜料，作为上述白色无机颜料，例如举出氧化钛、氧化锌、氧化锆等氧化物，例如举出铅白(碳酸铅)、碳酸钙等碳酸盐，例如举出高岭土(高岭石)等黏土矿物等。
作为白色无机颜料，优选举出氧化物，进一步优选举出氧化钛。
采用氧化钛，能够获得较高的白度、较高的光反射性、优良的遮盖性(遮盖力)、优良的着色性(着色能力)、较高的分散性、优良的耐候性、较高的化学稳定性等特性。
上述氧化钛具体来说为TiO2(氧化钛(IV)，二氧化钛)。
并不对氧化钛的晶体构造进行特别限定，例如为金红石、板钛矿(板钛石)、锐钛矿(anatase)等，优选为金红石。
此外，并不对氧化钛的晶系进行特别限定，例如为四方晶系、斜方晶系等，优选为四方晶系。
若氧化钛的晶体构造及晶系采用金红石及四方晶系，则即使在使反射树脂层4处于长时间高温的情况下，也能够有效地防止该反射树脂层4对光(具体来说为可见光，特别是波长450nm附近的光)的反射率降低的情况。
光反射成分为颗粒状，但是并不限定其形状，例如能够举出球状、板状、针状等。光反射成分的最大长度的平均值(在作为球状的情况下为其平均粒径)例如为1nm～1000nm。最大长度的平均值是使用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。
光反射成分的调和比例是相对于100质量份树脂例如采用0.5质量份～90质量份的光反射成分，从着色性、光反射性及反射树脂组合物的处理性的观点来说，优选该光反射成分为1.5质量份～70质量份。
将上述光反射成分均匀地分散混合到树脂中。
此外，也能够在反射树脂组合物中进一步添加填充剂。也就是说，能够并用填充剂与光反射成分(具体来说为白色颜料)。
作为填充剂，除了上述的白色颜料之外，可以举出公知的填充剂，具体来说，举出无机填充剂，作为上述无机填充剂例如举出二氧化硅粉末、滑石粉末、氧化铝粉末、氮化铝粉末、氮化硅粉末等。
作为填充剂，从降低反射树脂层4的线膨胀率的观点来说，优选举出二氧化硅粉末。
作为二氧化硅粉末，例如举出熔融二氧化硅粉末、晶体二氧化硅粉末等，优选举出熔融二氧化硅粉末(即石英玻璃粉末)。
作为填充剂的形状，例如举出球状、板状、针状等。从优良的填充性及流动性的观点来说，优选举出球状。
从而，作为二氧化硅粉末，优选举出球状熔融二氧化硅粉末。
填充剂的最大长度的平均值(作为球状的情况下为平均粒径)例如为5μm～60μm，优选为15μm～45μm。最大长度的平均值是使用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。
将填充剂的添加比例调整为例如填充剂及光反射成分的总量相对于100质量份的树脂为10质量份～80质量份，从降低线膨胀率及确保流动性的观点来说，优选将填充剂的添加比例调整为填充剂及光反射成分的总量相对于100质量份的树脂为25质量份～75质量份，进一步优选调整为为40质量份～60质量份。
反射树脂组合物是通过调和上述树脂、光反射成分、根据需要添加的填充剂而使上述物质均匀混合来制备的。
此外，将反射树脂组合物制备为B阶段状态。
上述反射树脂组合物例如形成为液状或者半固体状，其运动粘度例如为10mm2/s～30mm2/s。
反射树脂层4的厚度例如为25μm～500μm，优选为50μm～300μm。
接下来，参照图1～图3对制造上述发光二极管装置1的方法进行说明。
在该方法中，首先，如图2的(b)所示，准备反射树脂片13。
图2的(b)所示的反射树脂片13是用于将反射树脂层4转移到发光二极管元件3(参照图2的(c))的侧方的转移片。
反射树脂片13包括第1离型基材21、设在第1离型基材21的上表面(厚度方向一侧的表面)上的反射树脂层4。
为了获得上述反射树脂片13，参照图2的(a)，首先，在第1离型基材21的上表面(厚度方向一侧的表面)上设置反射树脂层4，获得层叠片17。
为了将反射树脂层4设在第1离型基材21的上表面上，例如，首先，准备第1离型基材21。
第1离型基材21由例如聚烯烃(具体来说为聚乙烯、聚丙烯)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等乙烯共聚物、例如聚对苯二甲酸乙酯、聚碳酸酯等聚酯、例如聚四氟乙烯等氟树脂等树脂材料等形成。此外，第1离型基材21例如也可以由铁、铝、不锈钢等金属材料等形成。
第1离型基材21的厚度例如为10μm～1000μm。
接下来，将反射树脂层4层叠在第1离型基材21的整个上表面(厚度方向一侧的表面)上。
为了在第1离型基材21的整个上表面上层叠反射树脂层4，例如，利用分配器(dispense)等公知的涂敷方法，将反射树脂组合物涂敷在第1离型基材21的整个上表面上。由此，形成反射皮膜，通过对形成的反射皮膜进行加热来获得片状的反射树脂层4。此外，利用加热使反射树脂层4处于B阶段状态。
作为加热条件，加热温度例如为40℃～150℃，优选为50℃～140℃，加热时间例如为1分钟～60分钟，优选为3分钟～20分钟。
由此，获得了包括第1离型基材21和层叠在该第1离型基材21的上表面上的反射树脂层4的层叠片17。
之后，如图2的(b)所示，在层叠片17上以贯穿厚度方向的方式形成贯穿孔9。
即，参照图2的(c)，与发光二极管元件3相对应地形成贯穿孔9。具体来说，将贯穿孔9形成为如下形状，即，贯穿孔9的形状为在使反射树脂片13上下翻转后将反射树脂片13层叠在二极管基板2上时与用于配置发光二极管元件3及荧光体层5的区域实质相同的形状(具体来说为俯视大致矩形状)，且为能够使反射树脂层4中的贯穿孔9的内周面与发光二极管元件3及荧光体层5的侧表面相对配置的形状。
并不对贯穿孔9的最大长度进行特别限定，例如为1μm～10000μm。
为了在层叠片17中形成贯穿孔9，例如，可采用蚀刻(例如干蚀刻等)、利用模具进行的冲孔、钻头穿孔等公知的穿孔方法。
由此，以连通第1离型基材21与反射树脂层4的方式进行穿孔，在层叠片17中形成上述图案的贯穿孔9。
由此，能够形成反射树脂片13。
接下来，在该方法中，如图2的(c)的下部所示，将反射树脂片13层叠在二极管基板2上。
即，首先，将图2的(b)所示的反射树脂片13上下翻转。
之后，将上下翻转的反射树脂片13以使反射树脂层4与二极管基板2相接触的方式层叠在二极管基板2的上表面(厚度方向一侧的表面)上。
接下来，在该方法中，如图2的(c)的上部所示，准备在上表面上层叠有荧光体层5的发光二极管元件3。
具体来说，首先，准备荧光体层5，接下来，在该荧光体层5的上表面上层叠发光二极管元件3，之后，使该荧光体层5与二极管元件3上下翻转。
在由荧光体组合物形成荧光体层5的情况下，例如，将荧光体组合物涂敷在未图示的离型薄膜的上表面上，形成荧光体皮膜(未图示)。之后，通过例如在50℃～150℃下加热荧光体皮膜而使其干燥，从而获得片状的荧光体层5。之后，自荧光体层5剥下离型薄膜。
或者，在由荧光体的陶瓷(荧光体陶瓷板)形成荧光体层5的情况下，例如，通过使上述荧光体为陶瓷材料并在该陶瓷材料形成为片状之后烧结该陶瓷材料，从而获得片状的荧光体层5(荧光体陶瓷)。
接下来，在荧光体层5的上表面上利用外延生长法等公知的生长法以规定的图案形成光半导体层7，之后，在光半导体层7的上表面上以上述图案形成电极部8。
由此，在荧光体层5的上表面上形成发光二极管元件3。之后，根据需要，将上述结构切割加工(dicing)为规定尺寸，形成至少包含一个发光二极管元件3的俯视大致矩形状(参照图1)。
之后，通过将荧光体层5及发光二极管元件3上下翻转，从而准备了在上表面上层叠有荧光体层5的发光二极管元件3。
接下来，如图2的(d)所示，将发光二极管元件3配置在二极管基板2的上表面(厚度方向一侧的表面)上。
具体来说，将发光二极管元件3配置在反射树脂片13的贯穿孔9内，将发光二极管元件3倒装安装在二极管基板2上。倒装安装(也称为倒装芯片安装)是通过电连接电极部8与端子6来实施的。
之后，如图3的(e)所示，将缓冲片26设在反射树脂片13的上表面上。
缓冲片26是在接下来说明的按压(参照图3的(e)的箭头)中以抑制按压力不均匀地作用于发光二极管元件3的方式缓冲上述按压力的片(cushionsheet)，例如，由弹性片(薄膜)等形成。
作为形成缓冲片26的缓冲材料，由与形成上述第1离型基材21的树脂材料相同的树脂材料形成该缓冲片26，优选由乙烯基聚合物形成该缓冲片26，进一步优选由EVA形成该缓冲片26。
缓冲片26的厚度例如为0.01mm～1mm，优选为0.05mm～0.2mm。
具体来说，在俯视下在包含贯穿孔9的反射树脂片13(第1离型基材21)的上表面上形成缓冲片26。
接下来，如图3的(e)的箭头所示，朝向下方按压反射树脂片13。
具体来说，例如，利用压力机等隔着缓冲片26朝向二极管基板2按压反射树脂片13。
压力的大小例如为0.01MPa～7MPa，优选为0.05MPa～4MPa。
此外，根据需要，在实施上述按压的同时进行加热，也就是说，也能够进行热压(具体来说为利用热板进行按压的热压等)。
加热温度例如为25℃～140℃。
由此，由于反射树脂层4被第1离型基材21及二极管基板2夹持，因此，在厚度方向上作用于反射树脂层4的按压力向侧方、具体来说向面方向外侧(左侧、右侧、前侧及后侧)传递。由此，使反射树脂层4与发光二极管元件3及荧光体层5的侧表面(左表面、右表面、前表面及后表面)紧密贴合。
此外，参照图2的(d)的假想线，在将发光二极管元件3配置在贯穿孔9内时，有时会在反射树脂层4中的贯穿孔9的内周面与发光二极管元件3的侧表面之间形成微小的侧部间隙27。即使在上述情况下，也可以利用上述按压，使反射树脂层4向面方向外侧(左侧、右侧、前侧及后侧)流动，因此，侧部间隙27被反射树脂层4填充。
此外，利用上述按压，下部间隙12也被反射树脂层4填充。从而，填充到下部间隙12中的反射树脂层4与光半导体层7的下表面及电极部8的侧表面紧密贴合。
之后，如图3的(f)所示，除去缓冲片26(参照图3的(e))，接下来，自反射树脂层4剥下第1离型基材21(参照图3的(e))。
之后，利用加热使B阶段状态的反射树脂层4固化。
由此，如图1所示，获得由排列配置多个的发光二极管装置1构成的集合体片24。
之后，如图1的单点划线及图3的(f)的单点划线所示，在彼此邻接的发光二极管元件3之间，沿厚度方向对二极管基板2及反射树脂层4进行切割加工(dicing)。
由此，切分为多个发光二极管元件3。即，使发光二极管元件3个体化(单片化)。
由此，如图3的(g)所示，获得了具有个体化的发光二极管元件3的发光二极管装置1。
然后，在上述方法中，使反射树脂层4与发光二极管元件3的侧表面紧密贴合。
而且，在该方法中，由于朝向二极管基板2按压第1型基材21，因此在厚度方向上被第1离型基材21与二极管基板2夹持的反射树脂层4向侧方流动。从而，使反射树脂层4中的贯穿孔9的内周面与发光二极管元件3的侧表面相对配置，因此能够使反射树脂层4与发光二极管元件3的侧表面可靠地紧密贴合。
因此，在利用上述方法获得的发光二极管装置1中，自发光二极管元件3向侧方发出的光在被其它构件吸收之前，被反射树脂层4反射。
另外，该发光二极管装置1能够利用自发光二极管元件3向上方发出的蓝色光和利用荧光体层5进行波长变换而得到的黄色光的混色，发出高能量的白色。
其结果，能够提高光取出效率。
图4及图5表示用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(使用第2离型基材的实施方式)的制造工序图。
虽然在图2及图3的实施方式中，对本发明的发光二极管装置的制造法中的基材为二极管基板2的情况进行了说明，但是，例如也能够如图4及图5所示，通过使基材为第2离型基材(离型基材)23，并另外准备二极管基板2，从而获得发光二极管装置1。
接下来，参照图4及图5对使用第2离型基材23制造发光二极管装置1的方法进行说明。此外，在图4及图5中，对与上述各部分相对应的构件标注相同的附图标记，省略其详细说明。
首先，在该方法中，如图4的(a)所示，通过准备具有第1离型基材21及反射树脂层4的层叠片17，接下来如图4的(b)所示在层叠片17中形成贯穿孔9，从而准备反射树脂片13。
接下来，如图4的(c)的下部所示，将反射树脂片13上下翻转，之后，将反射树脂片13层叠在作为基材的第2离型基材23的上表面上。
第2离型基材23由与上述第1离型基材21相同的材料形成。此外，也能够由利用加热能够容易地自发光二极管元件3及反射树脂层4剥离的热剥离片形成第2离型基材23。例如，如图4的(c)的假想线所示，热剥离片包括支承层15和层叠在支承层15的上表面上的粘合层16。
支承层15例如由聚酯等耐热性树脂形成。
粘合层16例如由在常温(25℃)下具有粘合性、在加热时粘合性降低(或者丧失粘合性)的热膨胀性粘合剂等形成。作为上述热剥离片，能够使用市面上贩卖的商品，具体来说，能够使用Series(注册商标，日东电工株式会社制)等。
热剥离片利用支承层15隔着粘合层16可靠地支承反射树脂层4及发光二极管元件3，并且基于由之后的加热及热膨胀产生的粘合层16的粘合性下降，自发光二极管元件3及反射树脂层4剥离该热剥离片。
第2离型基材23的厚度例如为10μm～1000μm。
接下来，如图4的(d)所示，将发光二极管元件3设在第2离型基材23的上表面上。
具体来说，将发光二极管元件3配置在反射树脂片13的贯穿孔9内。由此，使反射树脂片13中的贯穿孔9的内周面与发光二极管元件3及荧光体层5的侧表面相对配置。此外，以使荧光体层5与第2离型基材23相接触的方式，将发光二极管元件3配置在贯穿孔9内。
接下来，如图5的(e)所示，将缓冲片26设在反射树脂片13的上表面上，接下来，如图5的(e)的箭头所示，向下方按压反射树脂片13。由此，使反射树脂层4与发光二极管元件3及荧光体层5的侧表面紧密贴合。
之后，如图5的(f)所示，除去缓冲片26(参照图5的(e))。
接下来，如图5的(f)的单点划线所示，在彼此邻接的发光二极管元件3之间，沿厚度方向对第2离型基材23、反射树脂层4及第1离型基材21进行切割加工(dicing)。
由此，切分为多个发光二极管元件3。即，如图5的(g)所示，使侧表面被反射树脂层4紧密贴合的发光二极管元件3个体化(单片化)。
之后，如图5的(g)的假想线所示，自反射树脂层4剥下第1离型基材21，并且自发光二极管元件3及反射树脂层4剥下第2离型基材23。另外，在第2离型基材23由热剥离片构成的情况下，利用加热剥下第2离型基材23。
之后，如图5的(h)所示，使发光二极管元件3上下翻转，将该发光二极管元件3倒装安装在二极管基板2上。
在倒装安装的过程中，由于反射树脂层4处于B阶段状态，因此，使反射树脂层4的下表面与二极管基板2的上表面贴合，并且将该反射树脂层4填充到下部间隙12(参照图2的(d))中，之后，利用加热使反射树脂层4固化。由此，利用反射树脂层4密封发光二极管元件3。
由此，获得发光二极管装置1。
图4及图5的实施方式能够实现与图2及图3的实施方式相同的作用效果。
另外，在图4及图5的实施方式中，由于将侧表面与反射树脂层4紧密贴合且剥下了第2离型基材23的发光二极管元件3倒装安装在二极管基板2上，因此，能够简单地制造发光二极管装置1。
另一方面，采用图2及图3的实施方式，通过将形成有贯穿孔9的反射树脂片13精度良好地预先配置在二极管基板2上，之后，将发光二极管元件3配置在反射树脂片13的贯穿孔9内，从而能够简单且可靠地实施发光二极管元件3相对于二极管基板2的精度良好的定位，并且能够将发光二极管元件3倒装安装在二极管基板2上。
实施例
以下表示实施例，进一步具体说明本发明，但是本发明并不限定于下述实施例。
实施例1(图2及图3的方式)
首先，准备反射树脂片(参照图2的(b))。
即，首先，准备由聚对苯二甲酸乙酯构成的厚度25μm的第1离型基材。接下来，通过均匀地混合100质量份热固化性有机硅树脂及20质量份球状的平均粒径300nm的氧化钛(TiO2:金红石的四方晶系)颗粒，从而制备了反射树脂组合物，将制备的反射树脂组合物涂敷在第1离型基材的整个上表面上而形成了反射皮膜。之后，加热反射皮膜，在第1离型基材的整个上表面上形成B阶段状态的厚度100μm的反射树脂层，形成了具有第1离型基材及反射树脂层的层叠片(参照图2的(a))。
接下来，利用由模具进行的冲孔在层叠片上形成最大长度400μm的俯视矩形状的贯穿孔。由此，准备了反射树脂层(参照图2的(b))。
接下来，将反射树脂片上下翻转，之后，将上下翻转的反射树脂片层叠在厚度1mm的二极管基板的上表面上(参照图2的(c)的下部)。
另外，准备荧光体层，接下来，在该荧光体层的上表面上层叠发光二极管元件。具体来说，首先准备离型薄膜，之后，通过调和26质量份由Y3Al5O12:Ce构成的荧光体颗粒(球形状，平均粒径8μm)及74质量份有机硅树脂(附加反应型有机硅树脂，运动粘度(25℃)20mm2/s，旭化成瓦克有机硅株式会社制)并进行均匀搅拌，从而制备了荧光体组合物，将该荧光体组合物涂敷在准备好的离型薄膜的整个上表面上而形成荧光体皮膜。之后，以100℃使荧光体皮膜干燥，在离型薄膜的整个上表面上形成荧光体层。之后，自荧光体层剥下离型薄膜。
接下来，在荧光体层的上表面上形成具有光半导体层和电极部的厚度0.1mm的发光二极管元件，该光半导体层包含缓冲层(GaN)、N形半导体层(n-GaN)、发光层(InGaN)及P形半导体层(p-GaN:Mg)，该电极部包含阳电极及阴电极。由此，形成在下表面上层叠有荧光体层的发光二极管元件。
之后，将发光二极管元件及荧光体层上下翻转(参照图2的(c)的上部)。
接下来，将发光二极管元件配置在二极管基板的上表面上(参照图2的(d))。具体来说，将发光二极管元件配置在反射树脂片的贯穿孔内，将发光二极管元件倒装安装在二极管基板上。倒装安装是通过电连接电极部与端子来实施的。此外，反射树脂层中的贯穿孔的内周面与发光二极管元件的侧表面在面方向上相对配置。
之后，将由EVA构成的厚度0.12mm的缓冲片设在反射树脂片的上表面上(参照图3的(e))。
接下来，利用压力机隔着缓冲片以0.3MPa的压力相对于二极管基板按压反射片(参照图3的(e)的箭头)。由此，使反射树脂层与发光二极管元件及荧光体层的侧表面紧密贴合。
接下来，除去缓冲片，接下来，自反射树脂层剥下第1离型基材(参照图3的(f))。之后，利用加热使反射树脂层固化。
由此，获得了由排列配置多个的发光二极管装置构成的集合体片(参照图1)。
之后，在彼此邻接的发光二极管元件之间，沿厚度方向对二极管基板及反射树脂层进行切割(参照图1的单点划线及图3的(f)的单点划线)。
由此，使发光二极管元件个体化，获得了具有上述发光二极管元件的发光二极管装置(参照图3的(g))。
实施例2(图4及图5的方式)
与实施例1同样地形成层叠片，形成贯穿孔，接下来，准备反射树脂片(参照图4的(a)及图4的(b))。
接下来，将反射树脂片上下翻转，之后，将上下翻转的反射树脂片层叠在由热剥离片(商品名“REVALPHA”，日东电工株式会社制)构成的厚度100μm的第2离型基材的上表面上(参照图4的(c)的下部)。
另外，在按照以下所述准备的荧光体层的上表面上，与实施例1同样地层叠发光二极管元件，使该荧光体层与发光二极管元件上下翻转(参照图4的(c)的上部)。
荧光体层的准备
将由Y3Al5O12:Ce构成的荧光体颗粒(球形状，平均粒径95nm)4g、作为粘结剂树脂的poly(vinylbutyl-co-vinylalcoholcovinylalcohol)(Sigma-Aldrich社制，平均相对分子质量90000～120000)0.21g、作为烧结助剂的二氧化硅粉末(CabotCorporation社制，商品名“CAB-O-SILHS-5”)0.012g及甲醇10mL在乳钵中混合而使其成为浆料，利用干燥机从获得的浆料中除去甲醇，获得干燥粉末。
将该干燥粉末700mg填充到20mm×30mm尺寸的单轴压制模具中之后，通过利用液压式压力机加压至大约10吨，从而获得了厚度大约350μm的成形为矩形状的板状坯体。
利用氧化铝制管状电炉，将获得的坯体在空气中以2℃/min的升温速度加热到800℃，在分解除去粘结剂树脂等有机成分之后，紧接着利用回转泵对电炉内进行真空排气，以1500℃加热5小时，从而准备了厚度大约280μm的由YAG:Ce荧光体的陶瓷板(YAG-CP)构成的荧光体层。
然后，将发光二极管元件配置在第2离型基材的上表面上(参照图4的(d))。具体来说，将发光二极管元件及荧光体层配置在反射树脂片的贯穿孔内。此外，使反射树脂层中的贯穿孔的内周面与发光二极管元件及荧光体层的侧表面在面方向上相对配置。
之后，将由EVA构成的厚度0.12mm的缓冲片设在反射树脂片的上表面上(参照图5的(e))。
接下来，利用压力机隔着缓冲片相对于第2离型基材以0.3MPa的压力按压反射片(参照图5的(e)的箭头)。
由此，使反射树脂层与发光二极管元件及荧光体层的侧表面紧密贴合。
接下来，除去缓冲片(参照图5的(f))。
之后，在彼此邻接的发光二极管元件之间，沿厚度方向对第2离型基材、反射树脂层及第1离型基材进行切割(参照图5的(f)的单点划线)。由此，使侧表面被反射树脂层紧密贴合的发光二极管元件个体化(参照图5的(g))。
接下来，自反射树脂层的上表面剥下第1离型基材，并且利用加热自发光二极管元件及反射树脂层的下表面剥下第2离型基材(参照图5的(g)的假想线)。
之后，使发光二极管元件上下翻转，将其倒装安装在二极管基板上(参照图5的(h))。在倒装安装的过程中，利用加热使反射树脂层固化，由此密封了发光二极管元件(的侧表面)。
由此，获得了发光二极管装置。
此外，上述说明是作为本发明的示例的实施方式提供的，但是上述说明只是示例，不能进行限定性解释。对于本技术领域的从业人员来说明确可知的本发明的变形例包含在后述的权利要求书中。

Claims (5)

1.一种反射树脂片，该反射树脂片用于将反射树脂层设在发光二极管元件的侧方，其特征在于，
该反射树脂片包括：
第1离型基材；
上述反射树脂层，其设在上述第1离型基材的厚度方向一侧的表面上；
在上述第1离型基材及上述反射树脂层中，贯穿上述厚度方向的贯穿孔以能够使上述反射树脂层中的上述贯穿孔的内周面与上述发光二极管元件的侧表面相对配置的方式且以与用于配置上述发光二极管元件的区域实质相同的形状与上述发光二极管元件相对应地形成。
2.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
该发光二极管装置的制造方法包括：
将反射树脂层设在第1离型基材的厚度方向一侧的表面上的工序；
通过在上述第1离型基材及上述反射树脂层中以贯穿上述厚度方向的方式形成贯穿孔来准备如下所述的反射树脂片的工序，在该反射树脂片中，上述贯穿孔以能够使上述反射树脂层中的上述贯穿孔的内周面与发光二极管元件的侧表面相对配置的方式与上述发光二极管元件相对应地形成；
以使上述反射树脂层与基材相接触的方式，将上述反射树脂片层叠在上述基材的厚度方向一侧的表面上的工序；
将发光二极管元件配置在上述基材的上述厚度方向一侧的表面上的工序；
使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面紧密贴合的工序；
自上述反射树脂层剥下上述第1离型基材的工序。
3.根据权利要求2所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
在使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面紧密贴合的工序中，
朝向上述基材按压上述第1离型基材。
4.根据权利要求2所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
上述基材为二极管基板，
在将上述发光二极管元件配置到上述基材上的工序中，
将上述发光二极管元件配置到上述反射树脂片的上述贯穿孔内，并将上述发光二极管元件倒装安装在上述基材上。
5.根据权利要求2所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
上述基材为第2离型基材，
该发光二极管装置的制造方法还包括：
自上述反射树脂层及上述发光二极管元件剥下上述基材的工序；
将上述发光二极管元件倒装安装在二极管基板上的工序。
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