CN103282306B - 转移石墨烯膜的方法和制造透明导电膜的方法 - Google Patents

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Abstract

[目标]提供转移石墨烯膜的方法和制造透明导电膜的方法，该些方法可以进行批量生产，可以以优良的粘附性将石墨烯膜转移到所希望的基板上，并且可有效防止在石墨烯膜上产生缺陷。[解决手段]用粘性树脂层（13）接合第二基板（14）和第一基板（11）上形成的一层或多层石墨烯膜（12），该粘性树脂层（13）包含重量低于1%的挥发性物质。通过向第一基板（11）和第二基板（14）施加压力来减小树脂层（13）的厚度，且在树脂层（13）被固化后去除第一基板（11）。

Description

转移石墨烯膜的方法和制造透明导电膜的方法
技术领域
本发明涉及转移石墨烯膜的方法和制造透明导电膜的方法，并且本发明优选用于制造例如显示器、触摸面板和染料敏化太阳能电池等所用的透明导电膜。
背景技术
由石墨的碳原子单层构造的石墨烯具有高导电性并且被期待用作透明导电材料和配线材料。首先，通过热CVD法合成的石墨烯膜已引起了人们的关注，因为它可形成大面积的膜并且可控制层数。
根据由热CVD法合成石墨烯膜的方法，由于石墨烯膜形成在金属催化剂基板上，所以需要将石墨烯膜从金属催化剂基板转移到所希望的基板。
作为转移石墨烯膜的传统方法，已经提出了采用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的转移方法和采用热剥离带的转移方法等（例如，见非专利文件1）。
此外，作为转移石墨烯膜的另一个传统方法，已经提出了这样的方法，其中石墨烯片形成在碳化催化剂膜上，在石墨烯片上形成接合剂层，基板粘合到接合剂层，把它们浸渍在酸溶液中以去除碳化催化剂膜（见专利文件1）。作为接合剂层的物质，所希望的是采用可商业购买的硅氧烷化合物和丙烯酸化合物等。然而，这些可商业购买的接合剂物质通常包含挥发性成分，该挥发性成分由重量为百分之几或更多的诸如酒精和乙缩醛等的溶剂构成。
专利文件1：日本专利申请特开第2009-298683号公报
非专利文件1：S.Bae et al.,Nature Nanotechnology5,574（2010）
发明内容
本发明要解决的问题
然而，非专利文件1中描述的转移石墨烯膜的方法具有这样的问题：几乎不能批量生产，并且转移会破坏透明导电性，就是说该方法是不切实际的。
此外，根据专利文件1中描述的转移石墨烯膜的方法，在固化已经粘合石墨烯膜后的接合剂层的步骤中，由于接合剂层中包含的挥发性成分的挥发而产生的气泡会在石墨烯膜中产生缺陷。因此，难以获得具有所希望特性（导电性、阻隔性和导热性等）的石墨烯膜。
因此，本发明要解决的问题是提供一种转移石墨烯膜的方法，其能以优良的粘附性将石墨烯膜转移到所希望的基板上，能有效地防止石墨烯膜中产生缺陷，并且能批量生产，并且本发明要解决的问题是还提供一种制造透明导电膜的方法。
解决问题的手段
为了解决该问题，本发明提供了一种转移石墨烯膜的方法，该方法包括如下步骤：
用树脂层粘合第一基板上形成的一层或多层石墨烯膜与第二基板，该树脂层包含重量小于1%的挥发性成分且具有粘性；以及
去除该第一基板。
此外，本发明提供了一种制造透明导电膜的方法，该方法包括如下步骤：
用树脂层粘合第一基板上形成的一层或多层石墨烯膜与第二基板，该树脂层包含重量小于1%的挥发性成分且具有粘性；以及
去除该第一基板。
在本发明中，从防止在要转移的石墨烯膜中产生缺陷以改善膜的质量的观点来看，树脂层中的挥发性成分的含量优选为重量是0.5%或更低，更优选重量是0.1%或更低。在典型的示例中，本发明还包括在用树脂层粘合第一基板上形成的该石墨烯膜与第二基板之后且在去除第一基板之前，向第一基板和第二基板施加压力以减小树脂层的厚度的步骤。此外，本发明典型地还包括在向第一基板和第二基板施加压力以减小树脂层的厚度之后且在去除第一基板之前固化树脂层的步骤。固化树脂层的方法根据树脂层的种类来适当选择。例如，当树脂层由UV固化树脂构成时，树脂层可通过辐照UV射线固化；当树脂层由热固性树脂构成时，树脂层可通过加热固化。在典型的示例中，在第一基板上形成的石墨烯膜上涂覆树脂层，该树脂层包含重量低于1%的挥发性成分且具有粘性。在另一个示例中，在第一基板上形成的石墨烯膜上涂覆包含重量为1%或更多的挥发性成分且具有粘性的树脂层之后，干燥树脂层以去除挥发性成分，从而形成包含重量小于1%的挥发性成分且具有粘性的树脂层。包含重量低于1%的挥发性成分且具有粘性的树脂层优选在室温下具有流动性，但是也可在加热状态下具有流动性，在后者的情况下，在加热状态下将第一基板上形成的石墨烯膜和第二基板粘合在一起。
树脂层典型地由UV固化树脂、热固性树脂或热塑性树脂构成，并且根据需要可从它们中进行选择而无需限制。第一基板和第二基板可根据需要选择。特别是，作为第二基板，根据石墨烯的用途，可采用所希望的基板。
通过用树脂层粘合石墨烯膜和第二基板而获得的结构或透明导电膜可用作透明导电膜或透明导电片。透明导电膜可用在各种电子装置中。电子装置的具体示例包括诸如液晶显示器（LCD）和有机电致发光显示器（有机EL显示器）等的显示器以及触摸面板等，并且透明导电膜的应用没有限制。透明导电膜还可用作透明电极，该透明电极例如可用于太阳能电池，染料敏化太阳能电池等。
在如上所述构造的本发明中，石墨烯膜和第二基板通过具有粘性的树脂层粘合在一起，因此石墨烯膜可被转移为与第二基板具有优良的粘附性。此外，因为用于粘合的树脂层所包含的挥发性成分的重量低于1%，所以固化期间几乎不产生任何因挥发性成分的挥发引起的气泡，并且在石墨烯膜中几乎不产生因气泡引起的缺陷。此外，通过在用树脂层粘合第一基板上形成的石墨烯膜和第二基板后去除第一基板，石墨烯膜可容易地转移到第二基板上。因此，可进行批量生产。
本发明的效果
根据本发明，可获得转移石墨烯膜的方法和制造透明导电膜的方法，据此石墨烯膜可以以优良的粘附性转移到所希望的基板上，可有效防止缺陷产生在石墨烯膜中，并且还可进行批量生产。
附图说明
[图1]用于说明根据本发明第一实施例的转移石墨烯膜的方法的截面图。
[图2]用于说明根据本发明第二实施例的转移石墨烯膜的方法的截面图。
[图3]示出示例1和2以及比较示例1和2的实验结果的概要线图。
具体实施方式
在下文，将描述用于实施本发明的方式（在下文，称为“实施例”）。说明将以下面的顺序进行。
1.第一实施例（转移石墨烯膜的方法），以及
2.第二实施例（转移石墨烯膜的方法）
<1.第一实施例>
[转移石墨烯膜的方法]
图1A至E示出了根据第一实施例的转移石墨烯膜的方法。
如图1A所示，在第一基板11上，形成一层或多层石墨烯膜12。作为第一基板14，采用至少在其表面上形成有由铜或镍制作的金属催化剂的基板。例如，采用通过在铜基板或者硅基板上形成镍催化剂而获得的基板，但不局限于此。尽管用于合成石墨烯膜12的方法没有特别限定，但是可优选采用热CVD法。
接下来，如图1B所示，在石墨烯膜12上，涂覆树脂层13，该树脂层13包含重量低于1%、优选重量为0.5%或更小且更优选重量为0.1%或更小的挥发性成分且具有粘性。树脂层13的厚度优选例如在20μm或更小的范围内选择，以使树脂层13的表面平坦。此外，为了获得足够的粘附力，树脂层13的厚度优选例如在1μm或更大的范围内选择且更优选在2μm或更大的范围内选择。树脂层13优选在室温下具有例如2N/m或更大的粘着强度，但不特别局限于此。
作为涂覆树脂层13的方法，可根据需要采用且选择传统上已知的方法。涂覆方法的具体示例包括：旋涂法、浸渍法、浇铸法等等；诸如丝网印刷法、喷墨印刷法、胶印法和凹版印刷法的各种印刷法；以及诸如压印法、喷雾法、气刀涂布法、刮刀涂布法、棒涂法、刀涂法、挤压涂布法、反向辊涂布法、转印辊涂布法、凹版涂布法、吻合涂布法、浇铸涂布法、喷雾涂布法、窄缝孔涂布法、砑光机涂布法的各种涂覆法。
作为树脂层13，例如，可根据需要采用且选择UV固化树脂、热固性树脂和热塑性树脂等。作为树脂层13的材料，具体而言，例如可根据需要采用硅氧烷基化合物、丙烯酸基化合物和环氧基化合物等并且从它们当中进行选择。
接下来，如图1C所示，第一基板11、石墨烯膜12和树脂层13被放置在第二基板14上，以使得树脂层13侧是下侧，并且第一基板11上形成的石墨烯膜12和第二基板14由树脂层13粘合在一起。作为第二基板14，可采用所希望的基板。第二基板14可为透明基板或不透明基板。尽管透明基板的材料可根据需要选择，但是例如可采用诸如石英和玻璃的透明无机材料和透明塑料。作为柔性透明基板，可采用透明塑料基板。透明塑料的示例包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯硫醚、聚偏氟乙烯、乙酸纤维素、溴化苯氧基化合物(bromated phenoxy)、芳族聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚砜和聚烯烃等。非透明基板的示例包括硅基板。根据树脂层13的种类，在第二基板14上放置第一基板11、石墨烯膜12和树脂层13前，第二基板14的表面可经受亲水处理。
接下来，如图1D所示，第一基板11被压向第二基板14以减小树脂层13的厚度到所希望的厚度。施加压力的方法没有特别限定。例如，可采用辊来施加压力或者可按压平板来施加压力。此时，优选施加压力以使得随着厚度的减小树脂层13中包含的气泡被去除。当树脂层13在室温下具有流动性时，可在室温下施加压力。然而，当加热才能获得流动性时，则在加热时施加压力。树脂层13在施加压力后的厚度优选在石墨烯膜12和第二基板14能通过树脂层13以优良的粘附性粘合在一起的范围内选择为最小。树脂层13的最小厚度例如为1μm以上且3μm以下。
然后，如图1E所示，去除第一基板11。在去除第一基板11时，优选采用蚀刻。蚀刻方法没有特别限定，只要它能去除第一基板11包括的金属催化剂。作为蚀刻方法，可使用采用真空装置的干蚀刻和采用蚀刻剂（蚀刻液体）的湿蚀刻中的任何一个。然而，从蚀刻效率的观点看，优选采用湿蚀刻。湿蚀刻中采用的蚀刻剂没有特别限定，只要它能溶解金属催化剂。当金属催化剂由铜构成时，例如当第一基板11由铜构成时，作为蚀刻剂，可采用诸如磷酸或硝酸的酸或者诸如硝酸铁或氯化铁的氧化还原蚀刻剂。优选地，采用后面的氧化还原蚀刻剂。这是因为当采用氧化还原蚀刻剂时，在蚀刻期间不产生气泡。从而，可防止缺陷发生在石墨烯膜12中，并且可均匀地溶解金属催化剂。为了提高蚀刻速度，优选在蚀刻期间搅动蚀刻剂。作为蚀刻工艺，可采用在硫酸铜的水溶液中的电解蚀刻。
其后，通过去除第一基板11暴露的石墨烯膜12的表面用纯水等清洗且干燥。
如上所述，石墨烯膜12可从第一基板11转移到第二基板14，并且可获得石墨烯膜12和第二基板14用树脂层13粘合在一起的结构
如上所述，根据第一实施例，石墨烯膜12和第二基板14通过树脂层13粘合在一起，因此石墨烯膜12与第二基板14间的粘附性是优良的。此外，当石墨烯膜12和第二基板14粘合在一起时，包含在树脂层13中的挥发性成分是重量小于1%的微小量。因此，在石墨烯膜12和第二基板14已经粘合在一起后的步骤中，挥发成分很难从树脂层13挥发，就是说，几乎不产生气泡。从而，几乎不存在由气泡引起的在石墨烯膜12中产生缺陷的风险。此外，树脂层13中包含的挥发性成分是重量小于1%的微小量。因此，甚至在树脂层13涂覆在大面积上时，也可防止挥发性成分产生气泡。结果，可获得大面积的石墨烯膜。再者，当第一基板11通过蚀刻去除时，因为石墨烯膜12通过树脂层13由第二基板14更强地保持，所以可有效地防止缺陷产生在石墨烯膜12中。此外，在蚀刻期间，当第一基板11、石墨烯膜12、树脂层13和第二基板14的整体被强行移动时，可防止发生剥离和缺陷。因此，例如，可在搅拌蚀刻剂的同时执行湿蚀刻。结果，可提高蚀刻速度，并且可缩短蚀刻时间。此外，根据传统的转移方法，树脂层在某些情况下存在于基板上形成的石墨烯膜之上。然而，根据第一实施例，树脂层13存在于石墨烯膜12和第二基板14之间，而不在石墨烯膜12上。因此，与传统的转移方法不同，不需要去除树脂层的步骤，并且可改善转移的产量。
根据第一实施例，通过采用透明基板作为第二基板14，可获得通过用树脂层13粘合在一起的石墨烯膜12和第二基板14获得的结构构成的透明导电膜。该透明导电膜例如可用于显示器、触摸面板和染料敏化太阳能电池等。
<2.第二实施例>
[转移石墨烯膜的方法]
图2A至2E示出了根据第二实施例的转移石墨烯膜的方法。
如图2A所示，以与第一实施例相同的方式，石墨烯膜12形成在第一基板11上。
接下来，如图2B所示，在石墨烯膜12上，涂覆树脂层13，该树脂层13包含重量为至少1%或更大的挥发性成分且具有粘性。树脂层13的材料、厚度和涂覆方法等均与第一实施例相同。
然后，如图2C所示，通过干燥树脂膜13来挥发掉挥发性成分，挥发性成分的重量减少到少于1%，优选重量为0.5%或更少，并且更优选重量为0.1%或更少。由于干燥，树脂层13的厚度被减小。采用干燥后具有粘性和自变形的树脂层13。
接下来，如图2D所示，第一基板11、石墨烯膜12和树脂层13放置在第二基板14上以使得树脂层13侧向下，并且第一基板11上形成的石墨烯膜12和第二基板14通过树脂层13粘合在一起。作为第二基板14，可采用与第一实施例相同的基板。
然后，如图2E所示，以与第一实施例相同的方式，去除第一基板11。
其后，通过去除第一基板11暴露的石墨烯膜12的表面用纯水等清洗且干燥。
如上所述，石墨烯膜12可从第一基板11转移到第二基板14，并且可获得石墨烯膜12和第二基板14用树脂层13粘合在一起的结构。
根据第二实施例，可获得与第一实施例相同的各种优点。
<示例1>（对应于第一实施例的示例）
作为第一基板11，采用铜箔。
铜箔放在CVD装置的以1000℃加热的石英管炉中，通入氢气（H2）和甲烷（CH4）气体（氢气流速：8sccm，甲烷气体流速：24sccm，压力：0.3Torr），石墨烯膜合成在铜箔上。合成后，在再一次通入氢气的同时，降低温度。其后，从石英管炉取出其上合成了石墨烯膜的铜箔。
接下来，在铜箔上合成的石墨烯膜上，室温下为液体且包含重量为至少0.1%或更少的挥发性成分的环氧树脂基UV固化树脂（EX09-380-1LV3，由ASEC Co.,Ltd.制造）在400rpm的条件下旋涂40秒以形成树脂层。树脂层的厚度为约20μm。
接下来，采用透明玻璃基板作为第二基板14，在该玻璃基板上，放置并粘合由涂覆在于铜箔上合成的石墨烯膜上的UV固化树脂构成的树脂层，树脂层侧向下。
然后，平板向铜箔施加压力，从而树脂层13的厚度被减小以达到约2μm的最终厚度。
接下来，从玻璃基板的后表面侧，辐照UV射线。因此，透射通过玻璃基板的UV射线辐照在树脂层上以使树脂层固化。辐照条件设定为160W/cm2的辐照功率密度和40秒的辐照时间。
然后，玻璃基板、树脂层、石墨烯膜和铜箔的整体被浸入1M硝酸铁（Fe（NO3）3）的水溶液中50分钟以通过蚀刻去除铜箔。
其后，玻璃基板、树脂层和石墨烯膜的整体用超纯水清洗且干燥。
如上所述，形成石墨烯膜和玻璃基板用树脂层粘合在一起的结构。
<示例2>（对应于第二实施例的示例）
作为第一基板11，采用铜箔。
铜箔放在CVD装置的以1000℃加热的石英管炉中，通入氢气（H2）和甲烷（CH4）气体（氢气流速：8sccm，甲烷气体流速：24sccm，压力：0.3Torr），石墨烯膜合成在铜箔上。合成后，在再一次通入氢气的同时，降低温度。其后，从石英管炉取出其上合成了石墨烯膜的铜箔。
热塑性树脂（由Soken Chemical&Engineering Co.,Ltd.制造，SK Dyne 2300（"SKDyne"是注册商标））和固化剂（由Soken Chemical&Engineering Co.,Ltd.制造，L-45）以100：5的重量比混合，并且混合物被加入丙二醇单甲醚乙酸酯（PEGMEA）中，以使得作为主要成分的SK Dyne2300的浓度为重量是50%且溶解，因此制备了SK Dyne2300的溶液。SKDyne2300的溶液在滴铸在于铜箔上形成的石墨烯膜上后被在室温下干燥以形成树脂层，并且树脂层中的挥发性成分的含量减小到重量低于1%。树脂层的厚度为约20μm。
接下来，透明玻璃基板用作第二基板14，在该玻璃基板上，放置且粘合由涂覆在于铜箔上合成的石墨烯膜上的热塑性树脂构成的树脂层，树脂层侧向下。
接下来，在150℃下加热3分钟，树脂层被熔化，石墨烯膜和玻璃基板完全粘合在一起。
在进行冷却后，玻璃基板、树脂层、石墨烯膜和铜箔的整体被浸入1M硝酸铁的水溶液中50分钟以通过蚀刻去除铜箔。
其后，玻璃基板、树脂层和石墨烯膜的整体用超纯水清洗且干燥。
如上所述，形成了石墨烯膜和玻璃基板用树脂层粘合在一起的结构。
<比较示例1>
以与示例1相同的方式，石墨烯膜合成在铜箔上，并且从石英管炉中取出铜箔。
作为热固性树脂的聚乙烯基苯酚（PVP）和作为交联剂的三聚氰胺以10：1的重量比混合，并且混合物被加入丙二醇单甲醚乙酸酯（PEGMEA）中且溶解于其中，从而PVP的浓度为重量是10%，由此制备了PVP溶液。PVP溶液在3000rpm的条件下旋涂在于铜箔上合成的石墨烯膜上30秒，以形成由PVP基的热固性树脂构成的树脂层。树脂层中包含的挥发性成分为至少百分之几或更多。树脂层的厚度为约20μm。
在玻璃基板上，放置并粘合由涂覆在于铜箔上合成的石墨烯膜上的PVP基热固性树脂构成的树脂层，树脂层侧向下。
接下来，在180℃下烘焙20分钟，固化由PVP基热固性树脂构成的树脂层。
然后，玻璃基板、树脂层、石墨烯膜和铜箔的整体被浸入1M硝酸铁的水溶液中50分钟以通过蚀刻去除铜箔。
其后，玻璃基板、树脂层和石墨烯膜的整体用超纯水清洗且干燥。
如上所述，形成了石墨烯膜和玻璃基板用树脂层粘合在一起的结构。
<比较示例2>
以与示例1相同的方式，石墨烯膜合成在铜箔上，并且从石英管炉中取出铜箔。
热塑性树脂溶解在乙酸乙酯中，以使得其浓度为重量是30%。热塑性树脂溶液在4000rpm的条件下旋涂在于铜箔上合成的石墨烯膜上30秒，以形成由热塑性树脂构成的树脂层。树脂层中包含的挥发性成分为至少百分之几或更多。树脂层的厚度为约20μm。
在玻璃基板上，放置且粘合由涂覆在于铜箔上合成的石墨烯膜上的热塑性树脂构成的树脂层，树脂层侧向下。
接下来，在150℃下烘焙5分钟，固化由热塑性树脂构成的树脂层。
然后，玻璃基板、树脂层、石墨烯膜和铜箔的整体被浸入1M硝酸铁的水溶液中50分钟以通过蚀刻去除铜箔。
其后，玻璃基板、树脂层和石墨烯膜的整体用超纯水清洗且干燥。
以如上所述的方式，形成石墨烯膜和玻璃基板用树脂层粘合在一起的结构。
[石墨烯膜的特性评估]
测量示例1、2和比较示例1、2的每一个石墨烯膜的薄层电阻的面内分布。其结果如图3所示。
如图3所示，可以看出比较示例1、2的石墨烯膜具有大的薄层电阻和大的面内分布，而示例1、2的石墨烯膜具有小的薄层电阻和小的面内分布并且是具有优良特性的石墨烯膜。此外，作为光学显微镜观察的结果，在比较示例1、2的石墨烯膜中观察到由气泡引起的微小孔隙，而在示例1、2的石墨烯膜中没有观察到这样的孔隙。
上文中，对本发明的实施例和示例进行了具体描述。然而，本发明可根据本发明的技术构思进行不同的修改而不局限于上述实施例和示例。
例如，实施例和示例中引用的数值、结构、工艺、形状和材料等仅为示例，根据需要可采用不同的数值、结构、工艺、形状和材料等。
附图标记的描述
11 第一基板，
12 石墨烯膜，
13 树脂层，
14 第二基板。

Claims (18)

1.一种转移石墨烯膜的方法，包括如下步骤：
用树脂层粘合第一基板上形成的一层或多层石墨烯膜与第二基板，该树脂层在被固化之前包含重量小于1％的挥发性成分且具有粘性；
以及
去除该第一基板，
其中所述树脂层设置在所述一层或多层石墨烯膜与所述第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的转移石墨烯膜的方法，其中该树脂层的该挥发性成分的含量为重量是0.1％或更低。
3.根据权利要求2所述的转移石墨烯膜的方法，还包括如下步骤：
在用该树脂层粘合该第一基板上形成的该石墨烯膜与该第二基板之后且在去除该第一基板之前，向该第一基板和该第二基板施加压力以减小该树脂层的厚度。
4.根据权利要求3所述的转移石墨烯膜的方法，还包括如下步骤：在向该第一基板和该第二基板施加压力以减小该树脂层的厚度之后且在去除该第一基板之前，固化该树脂层。
5.根据权利要求4所述的转移石墨烯膜的方法，其中该树脂层由UV固化树脂、热固性树脂或热塑性树脂构造。
6.根据权利要求1所述的转移石墨烯膜的方法，其中在该第一基板上形成的该石墨烯膜上涂覆该树脂层。
7.根据权利要求1所述的转移石墨烯膜的方法，其中在该第一基板上形成的该石墨烯膜上涂覆包含重量为至少1％或更多的挥发性成分的树脂层之后，干燥该树脂层以去除挥发性成分，从而形成包含重量小于1％的挥发性成分且具有粘性的该树脂层。
8.根据权利要求1所述的转移石墨烯膜的方法，其中该树脂层的厚度为2μm以上且20μm以下。
9.根据权利要求1所述的转移石墨烯膜的方法，其中该第二基板是透明基板。
10.一种制造透明导电膜的方法，包括如下步骤：
用树脂层粘合第一基板上形成的一层或多层石墨烯膜与第二基板，该树脂层在被固化之前包含重量小于1％的挥发性成分且具有粘性；以及
去除该第一基板，
其中所述树脂层设置在所述一层或多层石墨烯膜与所述第二基板之间。
11.根据权利要求10所述的制造透明导电膜的方法，其中该树脂层的该挥发性成分的含量为重量是0.1％或更低。
12.根据权利要求11所述的制造透明导电膜的方法，还包括如下步骤：
在用该树脂层粘合该第一基板上形成的该石墨烯膜与该第二基板之后且在去除该第一基板之前，向该第一基板和该第二基板施加压力以减小该树脂层的厚度。
13.根据权利要求12所述的制造透明导电膜的方法，还包括如下步骤：
在向该第一基板和该第二基板施加压力以减小该树脂层的厚度之后且在去除该第一基板之前，固化该树脂层。
14.根据权利要求13所述的制造透明导电膜的方法，其中该树脂层由UV固化树脂、热固性树脂或热塑性树脂构造。
15.根据权利要求11所述的制造透明导电膜的方法，其中在该第一基板上形成的该石墨烯膜上涂覆该树脂层。
16.根据权利要求10所述的制造透明导电膜的方法，其中在该第一基板上形成的该石墨烯膜上涂覆包含重量为至少1％或更多的挥发性成分的树脂层之后，干燥该树脂层以去除挥发性成分，从而形成包含重量小于1％的挥发性成分且具有粘性的该树脂层。
17.根据权利要求10所述的制造透明导电膜的方法，其中该树脂层的厚度为2μm以上且20μm以下。
18.根据权利要求10所述的制造透明导电膜的方法，其中该第二基板是透明基板。
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