CN102870214B - 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件（1）。在支承体（2）上设有至少一个第一半导体芯片（3）以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。此外，在支承体（2）上设有至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）以发射在第二光谱范围中的电磁辐射。第一和第二光谱范围彼此不同。至少一个第一半导体芯片（3）和至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）设置在唯一的封装件中。通过隔离件（5）将至少一个第一半导体芯片（3）与至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）光学地分隔开。至少一个第一半导体芯片（3）和至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）分别中心对称地围绕共同的对称中心设置。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于混合不同波长的电磁辐射的光电子器件。此外，说明一种用于制造光电子器件的方法。
背景技术
为了产生混合光，能够在光电子器件中将直接邻近的发射不同波长的电磁辐射的半导体芯片彼此组合。在此，第一半导体芯片能够部分地吸收第二半导体芯片的电磁辐射，这使光电子器件的光效率变差。
例如为了产生暖白色的光，能够将发射蓝色光的InGaN半导体芯片与发射红色光的AlGaInP半导体芯片组合。在此，能够出现高的吸收损失，因为对于具有小于大约600nm波长的、因此尤其在蓝色光谱范围中的、由InGaN半导体芯片发射的电磁辐射而言，AlGaInP半导体芯片是强烈吸收的。
发明内容
本发明的目的是提供一种将吸收损失最小化的光电子器件。
所述目的通过一种用于混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件来实现，所述光电子器件具有：-支承体，-多个设置在所述支承体上的第一半导体芯片，以用于发射在第一光谱范围中的电磁辐射，其中所述第一半导体芯片是用于发射在红色光谱范围中的电磁辐射的AlGaInP半导体芯片，并且其中所述第一半导体芯片设置在内部区域中，-多个设置在所述支承体上的第二半导体芯片，以用于发射在第二光谱范围中的电磁辐射，其中所述第二半导体芯片是用于发射在蓝色光谱范围中的电磁辐射的InGaN半导体芯片，并且所述InGaN半导体芯片构造为体积发射器或构造为表面发射器，或者不仅构造为体积发射器而且构造为表面发射器，并且其中所述第二半导体芯片设置在外部区域中，其中所述外部区域围绕所述内部区域伸展并且包围所述内部区域，-其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片设置在唯一的封装件中，-其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片分别围绕共同的对称中心中心对称地设置，-其中具有所述第一半导体芯片的所述内部区域由隔离件环形地围绕，并且所述隔离件将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片光学地分隔开，-其中具有所述第二半导体芯片的所述外部区域由另外的隔离件环形地围绕，使得所述另外的隔离件包围所述内部区域和所述外部区域，-其中所述隔离件具有大于90％的反射率，-并且其中不仅所述第一半导体芯片彼此间而且所述第二半导体芯片彼此间分别没有通过隔离件相互分隔开；所述目的还通过用于制造用于混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件的方法来实现，所述方法具有以下方法步骤：-将内部区域中的多个第一半导体芯片设置在支承体上，其中所述第一半导体芯片是用于发射在红色光谱范围中的电磁辐射的AlGaInP半导体芯片，-将外部区域中的多个第二半导体芯片设置在所述支承体上，其中所述第二半导体芯片是用于发射在蓝色光谱范围中的电磁辐射的InGaN半导体芯片，并且所述InGaN半导体芯片构造为体积发射器或构造为表面发射器，或者不仅构造为体积发射器而且构造为表面发射器，其中所述外部区域完全地围绕所述内部区域伸展并且包围所述内部区域，并且其中将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片分别围绕共同的对称中心中心对称地设置在唯一的封装件中，-将隔离件环形地围绕所述内部区域设置，使得将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片光学地分隔开，其中所述隔离件具有至少90％的反射率，-将另外的隔离件环形地围绕所述外部区域设置，使得所述另外的隔离件包围所述内部区域和所述外部区域，其中所述隔离件和所述另外的隔离件设置成，使得不仅所述第一半导体芯片彼此间而且所述第二半导体芯片彼此间分别没有通过隔离件相互分隔开。
光电子器件的改进形式和有利的扩展方案在本文中说明。
不同的实施形式具有用于尤其在远场中混合不同波长的电磁辐射的光电子器件。在支承体上设有至少一个第一半导体芯片以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。此外，在支承体上设有至少一个第二半导体芯片以发射在第二光谱范围中的电磁辐射。第一和第二光谱范围彼此不同。至少一个第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片设置在唯一的封装件中。通过隔离件将至少一个第一半导体芯片与至少一个第二半导体芯片光学地分隔开。此外，至少一个第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片分别围绕共同的对称中心中心对称地设置。
通过隔离件阻止由第二半导体芯片发射的电磁辐射被第一半导体芯片吸收。中心对称表示，第一半导体芯片和第二半导体芯片分别围绕共同的对称中心设置。换言之，光电子器件具有对于第一和第二半导体芯片的共同的中心。由此，从光电子器件发出的混合光呈现来自第一和第二光谱范围中的电磁辐射的极其好的混合。混合尤其在远场中是良好的。
在一个优选的实施形式中，第一半导体芯片能够设置在光电子器件的内部区域中。第二半导体芯片能够设置在外部区域中。特别地，第二半导体芯片能够环形地围绕第一半导体芯片设置。这是有利的，因为由此尤其在远场中能够实现均匀的光密度。
在一个优选的实施形式中，围绕着第二半导体芯片设置另外的隔离件。这是有利的，因为由此能够阻止浇注材料不期望地向外流失。
在一个优选的实施形式中，在第一和第二半导体芯片之间的隔离件构造成环形。这是有利的，因为由此能够不首先在远场中进行电磁辐射的混合，而是在几厘米之后就已经进行电磁辐射的混合。这例如能够在亚光面上进行。
另外的隔离件也能够构造成环形。
在一个优选的实施形式中，隔离件能够具有大约200μm和大约2mm之间的高度、优选大约500μm的高度。这是有利的，因为由此避免第二半导体芯片的电磁辐射被第一半导体芯片吸收。
半导体芯片具有至少一个发射电磁辐射的有源区。有源区能够是pn结、双异质结构、多量子阱结构(MQW，Multiple Quantum Well)、单量子阱结构(SQW，Single Quantum Well)。量子阱结构表示：量子阱(三维)、量子线(二维)和量子点(一维)。
在一个优选的实施形式中，第一半导体芯片能够是设计用于发射尤其在红色光谱范围中的电磁辐射的AlGaInP半导体芯片。
第二半导体芯片能够在III-V族化合物半导体材料上生长、尤其在如氮化镓(GaN)的氮化物化合物半导体材料上生长。例如，第二半导体芯片能够是设计用于发射尤其在蓝色光谱范围中的电磁辐射的InGaN半导体芯片。
在一个优选的实施形式中，由InGaN半导体芯片发射的电磁辐射的一部分通过转换介质从蓝色光谱范围中转换到黄绿色光谱范围中。转换介质能够具有发光材料颗粒。所述发光材料颗粒能够具有磷。磷能够具有钇铝石榴石。从蓝色光部分地转换成黄色光是极其有利的，因为能够从蓝色光和黄色光的叠加中产生白色光。
将AlGaInP半导体芯片和InGaN半导体芯片设置在一个封装件中是极其有利的，因为由此能够实现在红色光谱范围中的电磁辐射与出于InGaN半导体芯片的蓝色和黄绿色辐射的良好的混合。由蓝色光、黄色光和红色光所组成的所述混合光尤其适用于产生暖白色光。通过中心对称地设置AlGaInP半导体芯片和InGaN半导体芯片还能够实现，暖白色光至少在远场中具有高的颜色均匀性。在AlGaInP半导体芯片强烈吸收波长小于大约600nm的电磁辐射的情况下，通过光学隔离件将AlGaInP半导体芯片和InGaN半导体芯片分隔开是尤其有利的。
能够浇注半导体芯片。浇注材料用于保护接触线，但是主要用于提高电磁辐射耦合输出的效率。带有浇注材料时的效率与不带浇注材料时的效率相比最多能够提高直至80％。
在中心的AlGaInP半导体芯片借助第一浇注材料来浇注。硅树脂和环氧树脂能够用作浇注材料。在此，围绕AlGaInP半导体芯片的隔离件也用作第一浇注材料的停流件。第一浇注材料包括尽可能少的散射中心。红光应当在无波长转换的情况下尽可能完全地离开第一浇注材料。特别地，第一浇注材料不包括磷。
在一个优选的实施形式中，InGaN半导体芯片借助尤其由硅树脂构成的第二浇注材料以平坦的体积浇注物的形式来浇注。第二浇注材料包括尤其为磷的转换介质。通过转换介质将由InGaN半导体芯片发射的电磁辐射的一部分从蓝色光谱范围中转化成在黄绿色光谱范围中的电磁辐射。
在一个优选的实施形式中，半球形的耦合输出透镜覆盖AlGaInP半导体芯片。换言之，耦合输出透镜覆盖由围绕AlGaInP半导体芯片的隔离件包围的面积，即内部区域或发射面。耦合输出透镜是有利的，因为耦合输出透镜通过如下方式提高了电磁辐射的耦合输出效率，即与没有透镜的布置相比降低全反射的辐射的比例。
在一个优选的实施形式中，耦合输出透镜的几何尺寸满足魏尔施特拉斯条件(Weierstraβbedingung)。该条件要求：上面设置有AlGaInP半导体芯片的圆形面的半径与耦合输出透镜的半径的比符合耦合输出透镜外部的折射率与耦合输出透镜内部的折射率的比。能够以公式说明该条件：
半径面/半径透镜≤折射率外部/折射率透镜
空气折射率、即1假设为耦合输出透镜外部的折射率。耦合输出透镜能够由具有1.5折射率的高折射率的玻璃所制成。这得出以下条件：
半径面/半径透镜≤1/1.5＝2/3。
如果耦合输出透镜由常规的硅树脂所制成，那么折射率为1.4。如果耦合输出透镜由高折射率的硅树脂所制成，那么折射率为1.54。其他的浇注材料也能够用于耦合输出透镜。
为了简便，数值1.5可假设作为上述浇注材料的折射率。
当满足魏尔施特拉斯条件时，最小化在耦合输出透镜到空气的过渡部处发生的全反射。这是尤其有利的，因为因此降低耦合输出损失。
为了满足魏尔施特拉斯条件，不能够将AlGaInP半导体芯片任意地设置在隔离件附近，而是必须尽可能设置在中央。
优选地，耦合输出透镜能够被粘贴上或者通过浇注过程而自身地产生。
如果满足魏尔施特拉斯条件，对由AlGaInP半导体芯片发射的电磁辐射而言，产生朗伯远场(Lambertsches Fernfeld)。
在一个优选的实施形式中，InGaN半导体芯片构成为体积发射器、尤其构成为蓝宝石芯片。
在一个更优选的实施形式中，InGaN半导体芯片构造为表面发射器、尤其构造为薄膜芯片。表面发射器至少部分地设置在高反射率的材料中、尤其是设置在填充TiO2的硅树脂中。替选地，硅树脂也能够用ZrO2、Al2O3或ZnO填充。InGaN半导体芯片嵌入到白色的硅树脂中直至外延部的高度。这是尤其有利的，因为由此能够实现至95％的反射率。为了比较，支承体是高吸收的，并且InGaN半导体芯片自身具有仅为大约85％的反射率。
在由填充TiO2的硅树脂所制成的层上用第二浇注材料进行平面的转换浇注。这种平面的转换浇注实现所发射的电磁辐射的朗伯辐射模式。
在一个优选的实施形式中，隔离件是高反射率的。能够实现大于90％、尤其大于95％的反射率。能够使用PBT(聚对苯二甲酸丁二酯)作为隔离件的材料，所述PBT用TiO2、ZrO2、Al2O3或ZnO填充。隔离件的高反射率是尤其有利的，因为由此最小化在隔离件中的吸收损失。
不同的实施形式提出用于制造光电子器件的方法，所述光电子器件用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射。能够使用以下的方法步骤：首先在支承体上设置至少一个第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片。至少一个第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片设置在一个封装件中。至少一个第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片中心对称于共同的对称中心来设置。接下来，在至少一个第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片之间设置隔离件。
替选地，隔离件能够在设置半导体芯片之前就已经存在。对此，尤其考虑预先模制的封装件。
隔离件用作将带有第一半导体芯片的内部区域与带有第二半导体芯片的外部区域在光学上完全地分隔开。
附图说明
以下根据附图详细阐明根据本发明的解决方案的不同的实施例。
图1a示出光电子器件的俯视图；
图1b示出图1a中的光电子器件的剖面图；
图1c示出图1a中的光电子器件的剖面图；
图1d示出图1a中的光电子器件的剖面图；
图2a示出光电子器件的俯视图；
体2b示出光电子器件的俯视图；
图3示出光电子器件的俯视图；
图4a示出光电子器件的三维视图；
图4b示出图4a中的光电子器件的剖面图；
图5a示出光电子器件的三维视图；
图5b示出图5a中的光电子器件的剖面图；
图6示出光电子器件的剖面图；
图7示出光电子器件的剖面图；
图8示出光电子器件的三维视图的断面图。
具体实施方式
相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和附图中示出的元件相互间的大小比例不视为是按照比例的。相反地，为了更好的示出和为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
图1a示出光电子器件1的俯视图。光电子器件1用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射。在支承体2上设有第一半导体芯片3以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。同样地，在支承体2上设有第二半导体芯片4以发射在第二光谱范围中的电磁辐射。第一半导体芯片3和第二半导体芯片4设置在唯一的封装件中。通过隔离件5将第一半导体芯片3与第二半导体芯片4光学地分隔开。设有多个第一半导体芯片3和多个第二半导体芯片4。第一半导体芯片3和第二半导体芯片4分别围绕共同的对称中心Z中心对称地设置。
第一半导体芯片3设置在内部区域113中、设置光电子器件1的中央中。在外部区域114中环形地围绕第一半导体芯片3设置第二半导体芯片4。
在第一半导体芯片3和第二半导体芯片4之间的隔离件5构造为环形。隔离件5具有大于90％、优选大于95％的高的反射率。
第一半导体芯片3能够构造为AlGaInP半导体芯片。AlGaInP半导体芯片发射优选来自红色光谱范围的电磁辐射。
第二半导体芯片4能够构造为InGaN半导体芯片。InGaN半导体芯片优选发射从UV(紫外)光谱范围直到绿色光谱范围的电磁辐射、尤其优选发射来自蓝色光谱范围的电磁辐射。
图1b示出图1a中的光电子器件的剖面图。高反射率的隔离件5具有大约200μm和大约2mm之间的高度、优选地具有大约500μm的高度。如同已经在图1a中示出将AlGaInP半导体芯片3和InGaN半导体芯片4围绕共同的对称中心Z而中心对称地设置。AlGaInP半导体芯片3用第一浇注材料7来浇注。浇注材料7能够具有硅树脂或环氧树脂。InGaN半导体芯片4用尤其由硅树脂构成的第二浇注材料9来浇注。第二浇注材料9具有与隔离件5齐平的平坦的体积浇注物的形式。
图1c示出图1a中的光电子器件的另一剖面图。图1c与图1b的区别仅在于，在AlGaInP半导体芯片3的区域中，支承体2在AlGaInP半导体芯片3之间用第三浇注材料18来加衬。白色的、填充有TiO2的浇注物能够用作第三浇注材料18。通过第三浇注材料18实现有效率地反射红色的散射光。
图1d示出图1a中的光电子器件的另一剖面图。图1d示出构造为表面发射器的、尤其构造为薄膜芯片的InGaN的半导体芯片4b。图1d与图1b的区别仅在于，InGaN半导体芯片4b嵌入在尤其为填充有TiO2的硅树脂的高反射率的材料11中。替代于用TiO2进行的填充，硅树脂也能够借助ZrO2、Al2O3或ZnO来填充。高反射率的材料11能够与表面发射器4b齐平。第二浇注材料9施加到表面发射器4b和高反射率的材料11上。
图2a示出另外的光电子器件的俯视图。AlGaInP半导体芯片3在内部区域113中围绕中心Z以正方形的形式设置。AlGaInP半导体芯片3被隔离件5包围。InGaN半导体芯片4在外部区域114中以正方形的形式围绕AlGaInP半导体芯片3设置。InGaN半导体芯片的布置也是关于中心Z对称的。
图2b示出另一光电子器件1的俯视图。在隔离件5之内以矩形的形式设置InGaN半导体芯片4。在隔离件5之外设置AlGaInP半导体芯片3。中心Z还为InGaN半导体芯片4和AlGaInP半导体芯片3的共同的对称中心。
图3示出另一光电子器件1的俯视图。在光电子器件1的中心设置唯一的AlGaInP半导体芯片3，所述AlGaInP半导体芯片被高反射率的隔离件5侧向地包围。围绕中心Z，在外部区域114中环形地设置多个InGaN半导体芯片。
图4a示出光电子器件的三维视图。半球形的耦合输出透镜6覆盖AlGaInP半导体芯片3，所述耦合输出透镜的几何尺寸满足魏尔施特拉斯条件。InGaN半导体芯片4以彼此间有规律的距离环形地围住AlGaInP半导体芯片3的布置。隔离件5将带有AlGaInP半导体芯片3的内部区域113与带有InGaN半导体芯片4的外部区域114分隔开。中心Z又为InGaN半导体芯片4和AlGaInP半导体芯片3的共同的对称中心。
图4b示出图4a中的光电子器件的剖面图。除在设置有AlGaInP半导体芯片3的内部区域113之上设有耦合输出透镜6之外，图4b中的实施例与图1b中的实施例一致。耦合输出透镜6满足魏尔施特拉斯条件。这表示，耦合输出透镜6的半径13与发射面的半径12彼此之间存在以下关系：
半径面/半径透镜≤折射率外部/折射率透镜
外部的折射率为1。透镜的折射率假设为1.5。
图5a示出光电子器件的三维视图。除在图4a中示出的实施例之外，围绕对称中心Z圆形地设置的InGaN半导体芯片4被另外的环形的隔离件8包围。另外的隔离件8具有大于90％的、优选大于95％的反射率。InGaN半导体芯片4在第二浇注材料9中被浇注。第二浇注材料9具有尤其为磷的转换介质17。通过转换介质17，将由InGaN半导体芯片4发射的电磁辐射的一部分从蓝色光谱范围转换到黄绿色光谱范围中。半导体芯片3、4通过电接触部和带状导线10与(没有示出的)电源连接。
图5b示出图5a中的光电子器件的剖面图。作为体积发射器的、尤其作为蓝宝石芯片的InGaN半导体芯片4a完全地浇注到第二浇注材料9中。在浇注中，将转换介质17以发光颗粒的形式引入。发光颗粒能够具有磷。如同已经在图4b的实施例中示出，耦合输出透镜6完全地覆盖内部区域113。外部区域114被另外的高反射率的隔离件8围住。另外的隔离件8具有大于90％的、优选地大于95％的反射率。
图6示出光电子器件的剖面图。InGaN半导体芯片4b设计为表面发射器、尤其设计为薄膜芯片。InGaN半导体芯片4b侧向地用尤其由白色的硅树脂构成的高反射率的材料11来浇注。第二浇注材料9被施加到所述高反射率的材料11上。第二浇注材料9具有转换介质17。此外图6与图5b一致。
图7示出光电子器件1的剖面图。在光电子器件1的内部区域113中的AlGaInP半导体芯片3用第三浇注材料18侧向地浇注。第三浇注材料18能够用TiO2颗粒填充。通过第三浇注材料18实现：有效地反射从InGaN半导体芯片4的区域中经由AlGaInP半导体芯片3的区域耦合输入到耦合输出透镜6中的散射光。散射光优选为白色的混合光。第一浇注材料7被施加到第三浇注材料18上。
图8示出图5a的断面图。其示出光电子器件1的由隔离件5包围的内部区域113。内部区域113形成圆形的发射面14。所述发射面14具有确定的半径12。半球形的透镜6覆盖发射面14。半球形的透镜6具有确定的半径13。透镜6具有大约1.5的折射率15。在透镜6之外假设为空气的折射率，即1。两个半径12和13选择为满足魏尔施特拉斯条件。
根据一些实施例描述了光电子器件以阐明基本思想。在此，实施例不限制于特定的特征组合。当一些特征和扩展方案仅结合特别的实施例或各个实施例描述时，能够将其分别与来自其他实施例的其他的特征进行组合。同样能够考虑的是，只要保持实现普遍的技术原理，在实施例中就能够删除或添加各个示出的特征或特别的扩展方案。
附图标记列表
1 光电子器件
2 支承体
3 第一半导体芯片，尤其为AlGaInP半导体芯片
4 第二半导体芯片，尤其为InGaN半导体芯片
4a InGaN体积发射器(蓝宝石芯片)
4b InGaN表面发射器(薄膜芯片)
5 隔离件
6 耦合输出透镜
7 第一浇注材料(没有转换介质)
8 另外的隔离件
9 第二浇注材料(带有转换介质)
10 电接触部和带状导线
11 高反射率的材料(白色的硅树脂)
12 发射面的半径
13 耦合输出透镜的半径
14 发射面
15 耦合输出透镜的折射率
16 耦合输出透镜外部的折射率
17 转换介质
18 第三浇注材料
Z 对称中心/中心
113 光电子器件的内部区域
114 光电子器件的外部区
Claims (16)
1.用于混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件(1)，所述光电子器件具有：
-支承体(2)，
-多个设置在所述支承体(2)上的第一半导体芯片(3)，以用于发射在第一光谱范围中的电磁辐射，其中所述第一半导体芯片(3)是用于发射在红色光谱范围中的电磁辐射的AlGaInP半导体芯片，并且其中所述第一半导体芯片(3)设置在内部区域中，
-多个设置在所述支承体(2)上的第二半导体芯片(4、4a、4b)，以用于发射在第二光谱范围中的电磁辐射，其中所述第二半导体芯片(4、4a、4b)是用于发射在蓝色光谱范围中的电磁辐射的InGaN半导体芯片，并且所述InGaN半导体芯片(4)构造为体积发射器(4a)或构造为表面发射器(4b)，或者不仅构造为体积发射器(4a)而且构造为表面发射器(4b)，并且
其中所述第二半导体芯片(4、4a、4b)设置在外部区域中，其中所述外部区域围绕所述内部区域伸展并且包围所述内部区域，
-其中所述第一半导体芯片(3)和所述第二半导体芯片(4、4a、4b)设置在唯一的封装件中，
-其中所述第一半导体芯片(3)和所述第二半导体芯片(4、4a、4b)分别围绕共同的对称中心(Z)中心对称地设置，
-其中具有所述第一半导体芯片(3)的所述内部区域由隔离件(5)环形地围绕，并且所述隔离件(5)将所述第一半导体芯片(3)与所述第二半导体芯片(4、4a、4b)光学地分隔开，
-其中具有所述第二半导体芯片(4、4a、4b)的所述外部区域由另外的隔离件(8)环形地围绕，使得所述另外的隔离件(8)包围所述内部区域和所述外部区域，
-其中所述隔离件(5)具有大于90％的反射率，
-并且其中不仅所述第一半导体芯片(3)彼此间没有通过隔离件相互分隔开而且所述第二半导体芯片(4、4a、4b)彼此间没有通过隔离件相互分隔开。
2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述隔离件(5)和/或所述另外的隔离件(8)构造为环形。
3.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中由所述InGaN半导体芯片(4、4a、4b)发射的电磁辐射的一部分通过转换介质(17)来转换。
4.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中由所述InGaN半导体芯片(4、4a、4b)发射的电磁辐射的一部分通过转换介质(17)来转换到黄绿色光谱范围中。
5.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述AlGaInP半导体芯片(3)用第一浇注材料(7)浇注。
6.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述InGaN半导体芯片(4、4a、4b)用第二浇注材料(9)以平坦的体积浇注物的形式来浇注，其中所述第二浇注材料(9)具有转换介质(17)。
7.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述第一浇注材料(7)浇注是硅树脂或环氧树脂。
8.根据权利要求6所述的光电子器件，其中所述第二浇注材料(9)是硅树脂。
9.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中半球形的耦合输出透镜(6)覆盖所述第一半导体芯片(3)。
10.根据权利要求9所述的光电子器件，其中所述耦合输出透镜(6)的几何尺寸满足魏尔施特拉斯条件。
11.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述表面发射器(4b)至少部分地设置在高反射率的材料(11)中。
12.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述表面发射器(4b)至少部分地设置在填充有TiO2、ZrO2、Al2O3或ZnO的硅树脂中。
13.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述隔离件(5)、或所述另外的隔离件(8)、或所述隔离件(5)与所述另外的隔离件(8)是高反射率的，具有大于大于95％的反射率。
14.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述InGaN半导体芯片(4)构造为蓝宝石芯片，或构造为薄膜芯片，或者不仅构造为蓝宝石芯片而且也构造为薄膜芯片。
15.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其用于在远场中混合具有不同波长的电磁辐射。
16.用于制造用于混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件的方法，所述方法具有以下方法步骤：
-将内部区域中的多个第一半导体芯片(3)设置在支承体(2)上，其中所述第一半导体芯片(3)是用于发射在红色光谱范围中的电磁辐射的AlGaInP半导体芯片，
-将外部区域中的多个第二半导体芯片(4)设置在所述支承体(2)上，其中所述第二半导体芯片(4、4a、4b)是用于发射在蓝色光谱范围中的电磁辐射的InGaN半导体芯片，并且所述InGaN半导体芯片(4)构造为体积发射器(4a)或构造为表面发射器(4b)，或者不仅构造为体积发射器(4a)而且构造为表面发射器(4b)，其中所述外部区域完全地围绕所述内部区域伸展并且包围所述内部区域，并且
其中将所述第一半导体芯片(3)和所述第二半导体芯片(4、4a、4b)分别围绕共同的对称中心(Z)中心对称地设置在唯一的封装件中，
-将隔离件(5)环形地围绕所述内部区域设置，使得将所述第一半导体芯片(3)与所述第二半导体芯片(4、4a、4b)光学地分隔开，其中所述隔离件(5)具有至少90％的反射率，
-将另外的隔离件(8)环形地围绕所述外部区域设置，使得所述另外的隔离件(8)包围所述内部区域和所述外部区域，其中所述隔离件(5)和所述另外的隔离件(8)设置成，使得不仅所述第一半导体芯片(3)彼此间而且所述第二半导体芯片(4、4a、4b)彼此间分别没有通过隔离件相互分隔开。
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