JP2008270305A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008270305A JP2008270305A JP2007107695A JP2007107695A JP2008270305A JP 2008270305 A JP2008270305 A JP 2008270305A JP 2007107695 A JP2007107695 A JP 2007107695A JP 2007107695 A JP2007107695 A JP 2007107695A JP 2008270305 A JP2008270305 A JP 2008270305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting element
- yellow
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- -1 rare earth aluminates Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016066 BaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004706 CaSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】 第1の発光素子を有する青色発光領域と、第2の発光素子と、その第2の発光素子からの光を吸収して波長変換し黄色光を発光する波長変換部材とを有する黄色発光領域と、を有し、第2の発光素子は、第1の発光素子よりも出力が高くされることを特徴とする。これにより、黄色光の出力を高くすることができるため、感度の高い画像読取装置に用いることができる。
【選択図】 図1A
Description
図1Aは、実施の形態1における発光装置100を示す正面図であり、図1Bは図1Aの発光装置100のA−A線における断面図である。実施の形態1において、発光装置100の基体101は樹脂からなり、側面と底面を有し上面を開口部とする凹部103A、103Bを有している。各凹部の底面には、それぞれ導電部材としてリードフレーム102A、102Bが露出するように設けられている。このリードフレームは一部が基体101に内包されるとともに、基体の側面から突出するように延在し、基体裏面側に配されるように屈曲されている。これにより、基体101に配置された発光素子104A、104Bなどの導体配線として機能する。発光素子は、樹脂や金属ペーストなどのダイボンド部材(図示せず)によって、リードフレーム上に固定される。そして、導電性ワイヤ(以下、単にワイヤを称する場合もある)により発光素子のp電極及びn電極と、リードフレームとを電気的に接続している。また、これらを被覆するように、凹部の内部には、樹脂などの封止部材105が充填されている。
黄色発光領域に用いられる第2の発光素子としては、主波長が360nm〜490nmの範囲の発光が可能なものが好ましく、より好ましくは430nm〜480nmのものが好ましい。具体的には、ZnSeや窒化物系半導体系(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)などを用いることができる。
黄色発光領域は、第2の発光素子と、第2の発光素子からの光を吸収して波長変換し黄色光を発光する波長変換部材を有する領域である。例えば、図1Aにおける凹部103B開口部が黄色発光領域となる。この凹部103Bには、第2の発光素子104Bが載置されており、凹部103B内には、波長変換部材106が含有された透光性部材が充填されている。波長変換部材は、第2の発光素子からの光を吸収して波長変換し、黄色光を発光する。
黄色発光領域に用いられる波長変換部材としては、第2の発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して黄色光を発する蛍光部材を含有するものを用いる。
青色発光領域は、第1の発光素子を有し、その第1の発光素子からの光が伝搬されて発光する領域である。例えば、図1A、図1Bにおいて第1の発光素子104Aが載置されている凹部103Aは、透光性の封止部材105が充填されており、第1の発光素子104Aからの光はこの封止部材105内を伝搬して凹部の開口部から外部に放出されるため、この開口部が青色発光領域となる。
図2は、実施の形態2における発光装置200を示す正面図である。実施の形態2において、第2の発光素子として、第1の発光素子の発光面積よりも大きい発光素子を用いることを特徴とする。ここでは第1の発光素子204Aと第2の発光素子204Bへの投入電力を略等しくしても、素子の表面積自体を異ならせているため、第2の発光素子の出力を第1の発光素子の出力よりも大きくすることができる。これにより、電気回路の設計を複雑なものにすることなく、黄色発光領域の出力を高くすることができる。
図3は、実施の形態3における発光装置300を示す正面図である。実施の形態3においては、第2の発光素子として複数の発光素子を用いることで、第1の発光素子よりも出力を高くすることを特徴とする。このようにすることで、高電流域での発光効率を向上させることができる。
図4は、実施の形態4における発光装置400を示す正面図である。実施の形態4において、発光装置400の基体401は樹脂からなり、側面と底面を有し上面を開口部とする凹部403A、403Bを有している。各凹部底面には、導電部材としてリードフレーム402が露出するように設けられている。このリードフレームは一部が基体402に内包されるとともに、基体の側面から突出するように延在している。これにより基体401に配された発光素子404A〜404Dなどの導体配線として機能する。発光素子は、樹脂や金属ペーストなどのダイボンド部材(図示せず)によって、リードフレーム上に固定される。そして、導電性ワイヤにより発光素子のp電極及びn電極と、リードフレームとを電気的に接続している。なお、発光素子404Bは、導電性基板を用いた発光素子であるため、ワイヤは1本のみ用いており、導電性接合部材によってリードフレーム上に接合されていることで導通が図られている。これら電子部品を被覆するように、凹部の内部には樹脂などの封止部材が充填されている。
実施の形態1において、上記青色発光領域、黄色発光領域に用いられる第1、第2の発光素子に加え、カラー画像読取装置については、更なる別の発光色を有する発光素子を用いてもよい。例えば、赤色発光素子(GaAs系、InP系等)や、緑色発光素子(ZnSeや窒化物系半導体系(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1))、それらの中間色などの可視光発光素子の他、赤外発光素子や、紫外線発光素子なども用いることができる。さらには、保護素子としてツェナーダイオードや、双方向ダイオードなども用いることができる。
基体は発光素子や保護素子などの電子部品を保護するとともに、これら電子部品に外部からの電流を供給するためのリードフレームなどの導電部材を内包しているものである。基体の形状は、平面視において四角形又はこれに近い形状を有するものが好ましいが、特にこれに限定されるものではなく、平面視において三角形、四角形、多角形又はこれらに近い形状とすることができる。また、図4に示すような、リードフレームが突出している側面の一部を凹ませたような形状としてもよい。
リードフレームは、発光素子と電気的に接続されるとともに外部接続端子として機能するものである。リードフレームの材料としては、鉄伝導率の比較的大きな材料を用いるものが好ましい。このような材料で形成することにより、発光素子で発生する熱を効率的に逃すことができる。例えば、200W/(m・K)程度以上の熱伝導率を有しているもが好ましい。さらに、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅等が挙げられる。
封止部材は、基体に載置された発光素子や保護素子などを、塵芥、水分や外力などから保護する部材であり、発光素子からの光を透過可能な透光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂やユリア樹脂を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー、波長変換部材(蛍光部材)などを含有させることもできる。
ダイボンド部材は、基体や導電部材に発光素子や保護素子などを載置させるための接合部材であり、載置する素子の基板によって導電性ダイボンド部材又は縁性ダイボンド部材のいずれかを選択することができる。例えば、絶縁性基板であるサファイア上に窒化物半導体層を積層させた発光素子の場合、ダイボンド部材は絶縁性でも導電性でも用いることができ、SiC基板などの導電性基板を用いる場合は、導電性ダイボンド部材を用いることで導通を図ることができる。絶縁性ダイボンド部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面にAl膜などの反射率の高い金属層を設けることができる。この場合、蒸着やスパッタあるいは薄膜を接合させるなどの方法を用いることができる。また、導電性ダイボンド部材としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Au−Sn共晶などの半田、低融点金属等のろう材を用いることができる。さらに、これらダイボンド部材のうち、特に透光性のダイボンド部材を用いる場合は、その中に発光素子からの光を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光部材を含有させることもできる。
発光素子の電極と、基体に設けられる導電部材とを接続する導電性ワイヤは、導電部材とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性が良いものが求められる。熱伝導度としては0.01cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤの直径は、好ましくは、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。このような導電性ワイヤとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。
101、201、301、401・・・基体
102、402・・・リードフレーム
103A、103B、203A、203B、303A、303B、303C、403A、403B・・・凹部
104A、204A、303A、404A・・・第1の発光素子
104B、204B、303B、303C、403D・・・第2の発光素子
404B、404C・・・第3の発光素子
105・・・封止部材
106・・・波長変換部材
Claims (4)
- 第1の発光素子を有する青色発光領域と、
第2の発光素子と、該第2の発光素子からの光を吸収して波長変換し黄色光を発光する波長変換部材とを有する黄色発光領域と、を有し、
前記第2の発光素子は、前記第1の発光素子よりも出力が高くされることを特徴とする発光装置。 - 前記第2の発光素子は、前記第1の発光素子よりも発光面積が大きい請求項1記載の発光装置。
- 前記第2の発光素子は、複数の発光素子からなる請求項1又は請求項2記載の発光装置。
- 前記黄色発光領域は、互いに分離する複数の発光領域からなる請求項1乃至請求項3記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007107695A JP2008270305A (ja) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | 発光装置 |
US12/101,324 US7832895B2 (en) | 2007-04-17 | 2008-04-11 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007107695A JP2008270305A (ja) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008270305A true JP2008270305A (ja) | 2008-11-06 |
Family
ID=39871979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007107695A Pending JP2008270305A (ja) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7832895B2 (ja) |
JP (1) | JP2008270305A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017157838A (ja) * | 2011-06-29 | 2017-09-07 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
US10263160B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Light emitting device and display device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100663906B1 (ko) * | 2005-03-14 | 2007-01-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
US8421093B2 (en) * | 2007-07-13 | 2013-04-16 | Rohm Co., Ltd. | LED module and LED dot matrix display |
US8716952B2 (en) * | 2009-08-04 | 2014-05-06 | Cree, Inc. | Lighting device having first, second and third groups of solid state light emitters, and lighting arrangement |
DE102010027875A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
KR101039994B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
KR101871501B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2018-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템 |
US20130170174A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Intematix Technology Center Corp. | Multi-cavities light emitting device |
KR20140111876A (ko) | 2013-03-12 | 2014-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5048035A (en) * | 1989-05-31 | 1991-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
US5153889A (en) * | 1989-05-31 | 1992-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
JP3406907B2 (ja) | 1990-08-20 | 2003-05-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光ダイオード |
US6333779B1 (en) * | 1998-12-24 | 2001-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination apparatus using light guide |
JP3083092B2 (ja) | 1998-12-24 | 2000-09-04 | キヤノン株式会社 | 照明装置及び密着型イメージセンサ及び画像読取システム |
JP2001196637A (ja) | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
US6812481B2 (en) * | 2001-09-03 | 2004-11-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED device and manufacturing method thereof |
JP4014377B2 (ja) | 2001-09-03 | 2007-11-28 | 豊田合成株式会社 | Ledランプ |
DE10145492B4 (de) * | 2001-09-14 | 2004-11-11 | Novaled Gmbh | Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung, insbesondere als Weißlichtquelle |
JP2007088248A (ja) | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujikura Ltd | 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置 |
-
2007
- 2007-04-17 JP JP2007107695A patent/JP2008270305A/ja active Pending
-
2008
- 2008-04-11 US US12/101,324 patent/US7832895B2/en active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017157838A (ja) * | 2011-06-29 | 2017-09-07 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
US10147857B2 (en) | 2011-06-29 | 2018-12-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit including the same |
US10559734B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-02-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit including the same |
US10263160B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Light emitting device and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7832895B2 (en) | 2010-11-16 |
US20080259598A1 (en) | 2008-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7832895B2 (en) | Light emitting device | |
JP4306772B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4542453B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5057707B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5233170B2 (ja) | 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 | |
JP4881358B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101602977B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP4773755B2 (ja) | チップ型半導体発光素子 | |
JP5380774B2 (ja) | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 | |
JP5444654B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5133120B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI523273B (zh) | 具有對比面之發光二極體封裝體 | |
JP4902114B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4239509B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP2009164157A (ja) | 発光装置 | |
JP6064606B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6947995B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4923711B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2018088485A (ja) | 発光装置 | |
JP2007280983A (ja) | 発光装置 | |
JP4206334B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101778140B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 | |
JP2017017162A (ja) | 発光装置 | |
JP4924090B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007088087A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090611 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090908 |