JP5125748B2

JP5125748B2 - 発光装置の製造方法

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Publication number: JP5125748B2
Application number: JP2008125595A
Authority: JP
Inventors: 欣司林; 武正安川
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2008-05-13
Filing date: 2008-05-13
Publication date: 2013-01-23
Anticipated expiration: 2028-05-13
Also published as: JP2009277751A

Description

本発明はＬＥＤランプの製造方法に関する。詳しくは、樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプの製造方法の改良に関する。

従来のバルブや蛍光灯に代わる光源としてＬＥＤランプが様々な用途に用いられている。ＬＥＤランプの一つの型として、樹脂製リフレクタ（樹脂パッケージ）を備えるＬＥＤランプ（ＳＭＤなど）がある。この型のＬＥＤランプの製造過程においては、リフレクタが形成するキャビティ内へＬＥＤチップを実装した後、キャビティ内に樹脂を充填してＬＥＤチップを封止する。一般に、封止用樹脂には熱硬化性樹脂が用いられ、樹脂充填後には加熱処理が行われる。
一方、いわゆるフェースアップ構造のＬＥＤランプの場合、ＬＥＤチップの実装の際にダイボンド樹脂が用いられる。即ち、ダイボンド樹脂によってＬＥＤチップがリフレクタのキャビティ内に固定される。一般に、ダイボンド樹脂にも熱硬化性樹脂が用いられることから、ＬＥＤチップの固定の際にも加熱処理が行われることになる。
本発明に直接関連する技術ではないが、封止方法に関する改良技術を開示する文献を以下に示す。特許文献１では有機ＥＬ素子を不活性ガス雰囲気下で封止することが開示されている。他方の特許文献２はＬＥＤランプの封止樹脂の形成方法に関し、高圧不活性ガス雰囲気下で熱硬化させて封止部（ＬＥＤチップを封止する部材）を形成することを開示する。
特開２００７−０３５５１４号公報特開２００７−２７３７６５号公報

ＬＥＤランプの高輝度化、即ち光度の更なる向上が要請されている。これに応えるべく本発明の課題は、光度の向上に寄与する、ＬＥＤランプの製造方法の提供にある。

樹脂製リフレクタの劣化が光や熱で加速されることは知られているが、従来の製造方法ではこの点に関して特別の対策は講じられていない。もっとも、樹脂硬化やリフロー実装時における、封止樹脂の熱膨張による剥離及びそれに起因する光度の低下や故障の問題に対しては様々な取り組みがなされている。本発明者らは、ダイボンド樹脂の硬化工程と封止樹脂の硬化工程に着目し、光度の向上を目指し鋭意検討した。その結果、ダイボンド樹脂の硬化工程及び封止樹脂の硬化工程を窒素雰囲気下で実施すると光度が向上することを見出した。更に検討を進めた結果、従来の方法では樹脂の熱硬化を大気雰囲気下で実施するが故に熱酸化によりリフレクタ樹脂内にＣ（主鎖）＝Ｏの結合が形成され、これが発色団となってリフレクタの反射率を低下させ、その結果、光度の低下が引き起こされるというメカニズムの存在が示唆された。これに対して窒素雰囲気下で熱硬化した場合には、発色団の生成が阻止され、それに伴ってリフレクタの反射率低下が抑制され、その結果として光度の向上がもたらされると推定された。この推定に従えば、窒素雰囲気下に限らず、同様に非酸化条件となる希ガス雰囲気下や還元雰囲気下、或いは真空雰囲気下でも同様の効果が得られ、高光度のＬＥＤランプを製造可能となる。一方、信頼性試験を実施したところ、窒素雰囲気下で樹脂の熱硬化を実施して製造したＬＥＤランプでは、従来品に認められる「光度が上昇した後に大きく低下する」という現象が大幅に抑制され、光度を長時間に亘り一定のレベルに維持できるという、驚くべき知見が得られた。
本発明は以上の成果に基づくものであり、以下の通りである。
樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプの製造方法であって、
樹脂製リフレクタが形成するキャビティの中に充填される熱硬化性封止樹脂の硬化工程において、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で加熱処理して前記熱硬化性封止樹脂を硬化させることを特徴とする製造方法。

本発明によれば、製造過程における樹脂リフレクタの劣化、反射率低下を防止できる。本発明の製造方法により製造したＬＥＤランプは、初期光度が高いのみならず、従来品（大気雰囲気下で封止樹脂を熱硬化して製造されるＬＥＤランプ）に認められる「光度が上昇した後に大きく低下する」という現象が大幅に抑制されたものとなり、光度を長時間に亘り一定のレベルに維持可能である。

本発明は樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプの製造方法に関し、樹脂製リフレクタが形成するキャビティの中に充填される熱硬化性封止樹脂の硬化工程において、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で加熱処理して前記熱硬化性封止樹脂を硬化させることを特徴とする。
本発明の製造方法は樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプに広く適用可能である。好ましい適用対象は、ＳＭＤ（表面実装）タイプ（トップビュータイプ、サイドビュータイプなど）のＬＥＤランプである。また、電極形成面側を上にしてＬＥＤチップを搭載したフェースアップタイプのＬＥＤランプに限らず、電極形成面側を下にしてＬＥＤチップを搭載したフリップチップタイプのＬＥＤランプにも本発明を適用可能である。

リフレクタの材質は特に限定されない。例えば、ナイロン系樹脂、ポリフタルアミド樹脂（ＰＰＡ）、ポリアミドイミド樹脂（ＰＡＩ）、ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルサルフォン樹脂（ＰＥＳ）等を用いることができる。好ましくはナイロン系白色樹脂を採用する。ナイロン系白色樹脂とは、ＴｉＯ_２やシリカなどのフィラーを含有し、白色を呈するナイロン系樹脂のことをいう。基材となるナイロン系樹脂の種類は特に限定されない。ナイロン系樹脂の具体例として６Ｔナイロン、９Ｔナイロンを挙げることができる。

本発明によって製造されるＬＥＤランプでは樹脂製リフレクタがキャビティ（カップ状部）を形成し、当該キャビティ内にＬＥＤチップが搭載される。好ましくは、III族窒化物系化合物半導体層を備えるＬＥＤチップを用いる。III族窒化物系化合物半導体は、一般式としてＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２元系、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ、Ａｌ_ｘＩｎ_１−ｘＮ及びＧａ_ｘＩｎ_１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系を包含する。III族元素の少なくとも一部をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の少なくとも一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。ＬＥＤの素子機能部分は上記２元系若しくは３元系のIII族窒化物系化合物半導体より構成することが好ましい。

III族窒化物系化合物半導体は任意のドーパントを含むものであっても良い。ｎ型不純物として、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、カーボン（Ｃ）等を用いることができる。ｐ型不純物として、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等を用いることができる。なお、ｐ型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことができるが必須ではない。
III族窒化物系化合物半導体は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）のほか、周知の分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法などによっても形成することができる。

III族窒化物系化合物半導体層を成長させる基板の材質はIII族窒化物系化合物半導体層を成長させられるものであれば特に限定されないが、例えば、サファイア、窒化ガリウム、スピネル、シリコン、炭化シリコン、酸化亜鉛、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、III族窒化物系化合物半導体単結晶などを基板の材料として挙げることができる。

樹脂製リフレクタを備えたＬＥＤランプの製造方法では、一般に、構成部品（ＬＥＤチップ、リードフレームなど）を用意した後、リフレクタ材料でリードフレームをインモールド成形する工程（リフレクタの成形工程）、ＬＥＤチップの実装工程、封止樹脂の形成工程が実施される。フェースアップタイプのＬＥＤランプの場合やサブマウントを用いたフリップチップタイプのＬＥＤランプの場合には通常、ＬＥＤチップの実装工程として、ダイボンド樹脂を利用してキャビティ内にＬＥＤチップが搭載・固定される。また、フェースアップタイプのＬＥＤランプの場合には、ＬＥＤチップの実装工程の後、ＬＥＤランプの各電極とリードフレームを電気的に接続するためにワイヤボンド工程が行われる。

本発明の製造方法は、樹脂製リフレクタが形成するキャビティの中に充填される熱硬化性封止樹脂の硬化工程を所定の条件で実施する点に特徴がある。本発明の製造方法では、大気雰囲気下ではなく、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で加熱処理して熱硬化性封止樹脂を硬化させる。これによって、封止樹脂の硬化工程の際に樹脂製リフレクタが劣化し、光反射率が低下することを抑制する。不活性ガスの例は窒素、希ガス（アルゴン、クリプトン、キセノン等）であるが、好ましくは安価で且つ入手容易な窒素を用いる。

熱硬化性封止樹脂の材質は特に限定されないが、透明であり且つ耐久性、耐候性などに優れたものを採用することが好ましい。このような特性を備えるものとしてシリコーン（シリコーン樹脂、シリコーンゴム、及びシリコーンエラストマーを含む）、エポキシ樹脂及びユリア樹脂を例示できる。ＬＥＤチップの光が短波長領域の光を含む場合には特に紫外線劣化が問題となるため、シリコーン等の紫外線劣化に対する耐性の高い材料を採用することが好ましい。

蛍光体を含有した封止樹脂を採用してもよい。蛍光体を用いることによりＬＥＤチップからの光の一部を異なる波長の光に変換することができる。例えば、青色系ＬＥＤチップに黄色系蛍光体を組み合わせて使用すれば、青色成分と黄色成分によって白色を呈するＬＥＤランプが構成される。ＬＥＤチップからの光により励起可能なものであれば任意の蛍光体を用いることができ、その選択においてはＬＥＤランプの発光色、耐久性等が考慮される。複数種類の蛍光体を組み合わせて封止樹脂に含有させることもできる。この場合にはＬＥＤチップからの光により励起されて発光する蛍光体と当該蛍光体からの光により励起されて発光する蛍光体とを組み合わせて用いることにしてもよい。
封止樹脂に光拡散材を含有させて封止樹脂内での光の拡散を促進させ、発光ムラの減少を図ることもできる。特に上記のように蛍光体を用いる構成においては、ＬＥＤチップからの光と蛍光体からの光との混色を促進させて発光色のムラを少なくするため、光拡散材を併用することが好ましい。

「還元雰囲気」とは、酸素が十分に供給された条件を意味する「酸化雰囲気」と対をなす用語であり、酸素が少ない条件を意味する。酸素を実質的に含有しない又は酸素の含有量が少ない気体（例えば窒素ガスや窒素・水素混合ガス）で処理槽内を置換することによって「還元雰囲気」を形成することができる。

不活性ガス雰囲気下又は還元雰囲気下で硬化工程を実施する場合には、処理槽内を減圧（真空引き）した後に適当な気体（即ち窒素など）を充填することによって処理槽内の酸素を置換することが好ましい。確実に酸素を置換するためである。このように処理槽内の酸素を置換するという手段を採用することが好ましいが、熱処理の間、窒素や希ガスなどを封止樹脂に吹きつけることによっても「不活性ガス雰囲気」又は「還元雰囲気」を作り出すことができる。

一方、「真空雰囲気」下で加熱処理することすれば、封止樹脂への気泡の混入を低減することができる。

熱処理の温度条件及び処理時間は、リフレクタ表面からの封止樹脂の剥離や封止樹脂のクラックが生ずることなく封止樹脂を硬化できる限り特に限定されない。温度条件は例えば１００℃〜２００℃、好ましくは１５０℃〜１８０℃であり、処理時間は例えば１時間〜８時間、好ましくは２時間〜５時間である。一度の熱処理によるのではなく、複数回の熱処理によって封止樹脂を硬化することにしてもよい。例えば、応力の緩和のために５０℃程度の低温からの段階的な熱処理を行うようにしてもよい。

本発明の好ましい態様では、封止樹脂の硬化工程に加えてダイボンド樹脂の硬化工程についても、封止樹脂の硬化工程と同様に周囲雰囲気下で実施する。即ちこの態様では、樹脂リフレクタのキャビティの中にＬＥＤチップを固定するための熱硬化性ダイボンド樹脂の硬化工程において、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で加熱処理し、熱硬化性ダイボンド樹脂を硬化させる。これによって、ダイボンド樹脂の硬化工程の際も樹脂リフレクタの劣化及び反射率低下を防止できる。その結果、一層光度の高いＬＥＤランプの製造が可能となる。以下、ダイボンド樹脂の硬化工程に特徴的な構成を説明するが、特に言及しない事項については封止樹脂の硬化工程と同様である。

ダイボンド樹脂の材質は特に限定されず、一般的なものを採用することができる。例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等に白色系フィラー（ＴｉＯ_２等）やＡｇ等を混ぜ込んだもの（いわゆる白色ペーストや銀ペースト）を用いればよい。透明ペーストを採用することにしてもよい。

熱処理の温度条件及び処理時間は、ＬＥＤチップの固定に支障のない接着力を発揮するようにダイボンド樹脂を硬化できる限り特に限定されない。温度条件は例えば１００℃〜２００℃、好ましくは１５０℃〜１８０℃であり、処理時間は例えば１時間〜８時間、好ましくは２時間〜５時間である。一度の熱処理によるのではなく、複数回の熱処理によってダイボンド樹脂を硬化することにしてもよい。

実験例

＜試験例１＞
ＬＥＤランプの光度向上に有効な条件を見出すべく、ダイボンド樹脂の硬化工程と封止樹脂の硬化工程に着目し、以下の試験を行った。
ダイボンド樹脂の硬化工程の条件と、封止樹脂の硬化工程の条件を表１の通りとし、図１に示す工程に従い、樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプ（図２）を製造した。試験群毎に８０個のＬＥＤランプを製造し、軸上光度を比較した。

ダイボンド樹脂の硬化工程の熱処理条件は１５０℃、２時間とした。また、封止樹脂の硬化工程については１５０℃、５時間の熱処理を行うことにした。窒素雰囲気下での加熱処理は以下の手順で行った。即ち、処理槽内を真空引きして減圧した後、処理槽内に窒素を充填し、その後、上記の各熱処理条件で加熱処理した。
ＬＥＤチップの構造は、以下の実施例１に使用するＬＥＤチップと同一である。ダイボンド樹脂にはＴｉＯ_２含有エポキシ系白色樹脂を使用し、封止樹脂には有機変性シリコーン樹脂を使用した。また、リフレクタの材質はナイロン系白色樹脂である。

各試験群の軸上光度の平均値を、対照群の軸上光度に対する相対値（光度比）で表し、比較した（表２）。

以上の通り、試験群１〜３のいずれも光度が向上し、試験群３において光度が最大となった。この結果より、以下の事項が導き出される。
（１）ダイボンド樹脂の硬化工程を窒素雰囲気下で実施すること、及び封止樹脂の硬化工程を窒素雰囲気下で実施することが光度の向上に有効である。
（２）最大の光度を得るためにはこれら両工程を窒素雰囲気下で実施するとよい。

続いて、リフレクタ材料からなるテストピースを用いて、大気雰囲気下で加熱処理した場合と窒素雰囲気下で加熱処理した場合の反射率を比較した。その結果、前者の反射率８６％に対して、後者の反射率は９１％であり、窒素雰囲気下で加熱処理することによって反射率の低下を大幅に抑制できることが判明した。尚、処理前の反射率は９２．６％であった。
この結果を踏まえると、従来の方法では、樹脂の熱硬化を大気雰囲気下で実施するため、熱酸化によりリフレクタ樹脂内にＣ（主鎖）＝Ｏの結合が形成され（封止樹脂の熱硬化時においては、熱により構成分子が振動・拡散するなどし、大気中の酸素が封止樹脂を透過し、リフレクタ樹脂へ影響を与えると考えられる）、これが発色団となってリフレクタの反射率を低下させ、その結果、光度の低下が引き起こされるというメカニズムの存在が示唆されるとともに、窒素雰囲気下で熱硬化した場合には、発色団の生成が阻止され、それに伴ってリフレクタの反射率低下が抑制され、その結果として光度の向上がもたらされると推定される。

（実施例１）
本発明の実施例のＬＥＤランプ１の構造を図２に示す。ＬＥＤランプ１は大別してＬＥＤチップ１０、リードフレーム２０、及びリフレクタ（パッケージ）３０を備える。
図３に示すようにＬＥＤチップ１０はサファイア基板１１上に複数の半導体層が積層された構成からなり、主発光ピーク波長を４５５ｎｍ付近に有する。ＬＥＤチップ１０の各層のスペックは次の通りである。
層：組成
ｐ型層１５：ｐ−ＧａＮ：Ｍｇ
発光する層を含む層１４：ＩｎＧａＮ層を含む
ｎ型層１３：ｎ−ＧａＮ：Ｓｉ
バッファ層１２：ＡｌＮ
基板１１：サファイア

基板１１の上にはバッファ層１２を介してｎ型不純物としてＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型層１３が形成される。ここで、基板１１にはサファイアを用いたがこれに限定されることはなく、サファイア、スピネル、炭化シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、ジルコニウムボライド、III族窒化物系化合物半導体単結晶等を用いることができる。さらにバッファ層１２はＡｌＮを用いてＭＯＣＶＤ法で形成されるがこれに限定されることはなく、材料としてはＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮ等を用いることができ、製法としては分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等を用いることができる。III族窒化物系化合物半導体を基板として用いた場合は、当該バッファ層を省略することができる。
さらに基板とバッファ層は半導体素子形成後に、必要に応じて、除去することもできる。
ここでｎ型層１３をＧａＮで形成したが、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ若しくはＡｌＩｎＧａＮを用いることができる。
また、ｎ型層１３にはｎ型不純物してＳｉをドープしたが、このほかにｎ型不純物として、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることもできる。
発光する層を含む層１４は量子井戸構造（多重量子井戸構造、若しくは単一量子井戸構造）を含んでいてもよく、また発光素子の構造としてはシングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどでもよい。

発光する層を含む層１４はｐ型層１５の側にＭｇ等をドープしたバンドギャップの広いIII族窒化物系化合物半導体層を含むこともできる。これは発光する層を含む層１４中に注入された電子がｐ型層１５に拡散するのを効果的に防止するためである。
発光する層を含む層１４の上にｐ型不純物としてＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型層１５を形成する。このｐ型層１５はＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮとすることもできる、また、ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを用いることもできる。ｐ型不純物の導入後に、電子線照射、炉による加熱、プラズマ照射等の周知の方法により低抵抗化することも可能である。
上記構成の発光素子において、各III族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実行して形成するか、分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等の方法で形成することもできる。

ｎ電極１８はＡｌとＶの２層で構成され、ｐ型層１５を形成した後にｐ型層１５、発光する層を含む層１４、及びｎ型層１３の一部をエッチングにより除去することにより表出したｎ型層１３上に蒸着で形成される。
透光性電極１６は金を含む薄膜であって、ｐ型層１５の上に積層される。ｐ電極１７も金を含む材料で構成されており、蒸着により透光性電極１６の上に形成される。以上の工程により各層及び各電極を形成した後、各チップの分離工程を行う。
尚、基板１１の裏面（半導体層が形成されない側の表面）にＡｌ、Ａｇ、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウム、窒化タンタルなどからなる反射層を形成してもよい。反射層を設けることにより、基板１１側に向かった光を取り出し方向へと効率的に反射、変換することができ、光の取り出し効率の向上が図られる。このような反射層は形成材料の蒸着などの公知の方法で形成することができる。

リードフレーム２０は銅合金の表面にメッキ処理（Ａｇ／Ｃｕ）をしたものである。

リフレクタ３０は白色系樹脂（この実施例ではＴｉＯ_２含有ナイロン型樹脂）からなり、キャビティ（カップ状部）を形成する内周面がＬＥＤチップ１０の光軸に対して所望の角度となるように成形されている。これによってカップ状の反射面が形成される。
リフレクタ３０が形成するキャビティ内に封止樹脂３１が充填されている。本実施例では封止樹脂３１の材料として、ＹＡＧ系黄色蛍光体を含有するシリコーン樹脂を用いた。

次に、図１に示す製造フローを参照しながらＬＥＤランプ１の製造方法を説明する。まず、上記の方法でＬＥＤチップ１０を用意する（ステップ１）。一方、所望の形状に加工したリードフレームを用意し、インジェクションモールドによって所定位置に白色系樹脂をモールドし、リフレクタを成形する（ステップ２）。このようにして得られたリードフレーム／リフレクタ構造体を図４に示す。次に、リフレクタが形成するキャビティ内にダイボンド樹脂（この実施例ではＴｉＯ_２含有エポキシ系白色樹脂を使用する）を滴下する（ステップ３）。ＬＥＤチップをダイボンド樹脂の上に載置した後、真空引きした後に窒素を充填した恒温槽内で１５０℃、２時間の加熱処理を行う（ステップ４）。これによってダイボンド樹脂が硬化する。次に、ＬＥＤチップの各電極を、対応するリードフレームに金線でワイヤボンドする（ステップ５）。次に、リフレクタのキャビティ内に封止樹脂（ＹＡＧ系黄色蛍光体を含有する有機変性シリコーン）をポッティングにより充填した後（ステップ６）、真空引きした後に窒素を充填した恒温槽内で１５０℃、５時間の熱処理を行う（ステップ７）。これによって封止樹脂が硬化する。最後に、リードフレームを切断・曲げ加工する（ステップ８）。

以上の方法で製造したＬＥＤランプ１では給電を受けてＬＥＤチップ１０から青色系の光が放出する。この青色系の光の一部はリフレクタ３０が形成するキャビティ内の封止樹脂３１を通過する際に蛍光体を励起し、これによって黄色系の蛍光が生ずる。その結果、ＬＥＤランプ１からは青色系の光と黄色系の光との混色による白色光が放射することになる。
ＬＥＤランプ１の初期光度を従来品（ダイボンド樹脂の硬化工程（ステップ４）と封止樹脂の硬化工程（ステップ７）を大気雰囲気下で実施すること以外、同一条件で製造したＬＥＤランプ）と比較した結果、平均１．０５倍の光度を示した。

（試験例２）
実施例１のＬＥＤランプ（以下、「試験品」と呼ぶ）の信頼性を評価した。試験品と従来品（ダイボンド樹脂の硬化工程と封止樹脂の硬化工程を大気雰囲気下で実施したもの）を１０個ずつ用意し、通電量２０ｍＡ、周囲温度８５℃の条件で連続点灯させた。所定時間経過後に光度を測定し、光度変化を比較・評価した。

図５は測定結果をグラフに表したものである。初期光度に対する相対値（相対光度）をプロットした。尚、実施例１の欄に記載した通り、試験品の初期光度は従来品の初期光度の１．０５倍であった。
図５から明らかな通り、試験品は従来品よりも劣化速度が小さい傾向にある。特筆すべきことに、試験品では、従来品に認められる「光度が上昇した後に大きく低下する」という現象が大幅に抑制され、光度を長時間に亘り一定のレベルに維持できている。

本発明の製造方法によれば、光度の高いＬＥＤランプを製造可能である。本発明の製造方法は、樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプに広く適用できる。

この発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
本明細書の中で明示した論文、公開特許公報、及び特許公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。

ＬＥＤランプの製造工程のフロー図である。実施例のＬＥＤランプ１の構造を示す断面図である。ＬＥＤランプ１に使用するＬＥＤチップ１０の模式断面図である。リードフレーム／リフレクタ構造体の平面図である。信頼性評価試験の結果を示すグラフである。相対光度の経時的な変化を示した。試験品では初期の０〜２００ｈで見られる光度上昇（１．００→１．０１）が従来品（１．００→１．０４）に比べ大幅に抑えられている。

符号の説明

１ＬＥＤランプ
１０ＬＥＤチップ
１１サファイア基板
１２バッファ層
１３ｎ型層
１４発光する層を含む層
１５ｐ型層
１６透光性電極
１７ｐ電極
１８ｎ電極
２０リードフレーム
３０リフレクタ
３１封止樹脂

Claims

樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプの製造方法であって、
樹脂製リフレクタが形成するキャビティの中に充填され、ＬＥＤチップを固定するための熱硬化性ダイボンド樹脂の硬化工程において、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で加熱処理して前記熱硬化性ダイボンド樹脂を硬化させることを特徴とする製造方法。
前記硬化工程が、処理槽内を減圧するステップ、該処理槽内に窒素又は希ガスを充填するステップ、及び加熱処理するステップからなる、請求項１に記載の製造方法。